JPH02159744A - 半導体ウエハチャック装置のウエハ離脱機構 - Google Patents

半導体ウエハチャック装置のウエハ離脱機構

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JPH02159744A
JPH02159744A JP63315573A JP31557388A JPH02159744A JP H02159744 A JPH02159744 A JP H02159744A JP 63315573 A JP63315573 A JP 63315573A JP 31557388 A JP31557388 A JP 31557388A JP H02159744 A JPH02159744 A JP H02159744A
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JP
Japan
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wafer
chuck
electrostatic chuck
semiconductor wafer
places
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JP63315573A
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English (en)
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Shiro Naruse
成瀬 志郎
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハ処理装置のプロセス処理室内に
装備して室内に搬入された半導体ウェハ(以下「ウェハ
」と呼称する)を所定の位置に吸着保持するウェハチャ
ック装置、特に静電チャックに対するウェハの離脱機構
に関する。
〔従来の技術〕
まず、ウェハをプラズマCVD処理する枚葉式ウェハ処
理装置の構成概要を第4図に示す。図において、1はプ
ロセス処理室、2はプロセス処理室Iの下部に設置した
プラズマ発生部、3は真空ポンプ、−4,5はプロセス
処理室1に真空仕切弁6を介して連設したウェハ搬入、
搬出側のロック室、7はロック室4.5内を移動するウ
ェハ搬送用のロボット、8がプロセス処理室1の室内上
部に設置したウェハ保持用のウェハチャック装置である
ここで、ウェハチャック装置8は、プロセス処理室1の
容器壁を貫通して配備したステージホルダ9と、該ステ
ージホルダ9の先端へ着脱可能に装着されたチャックス
テージ10と静電チャック11を組合せたチャックユニ
ットとからなり、かつステ、−ジホルダ9は室外で昇降
駆動部12で昇降操作される。なお、13はステージホ
ルダ9の軸封用のベローズ、14は静電チャック11へ
電圧を印加する電源装置である。また、静電チャック1
1は、チャック基体に電極を組み込んだものであり、電
極への電圧印加により発生する電荷のクーロン力を利用
してウェハをチャック面に吸着保持するものである。
かかるウェハ処理装置によりプロセス処理の手順は周知
であり、搬入側ロック室4を通じてロボット7の操作で
室内に搬入した未処理のウェハ15をウェハチャック装
置8に受は渡し、ここで静電チャック11に電圧を印加
してウェハ15をチャック面に吸着保持させる。続いて
ロボット7を室外に後退させ、減圧状態の下で室内に成
膜ガスを供給しながらプラズマCVD処理を行う。一方
、プロセス処理が終了すると、搬出側ロック室5のロボ
ット7を静電チャック11とのウェハ受は渡し位置まで
移動したところで静電チャック11への電圧印加を停止
し、ウェハ15をチャック装置8から離脱させてロボッ
ト7に受は渡し、その後に室外へ搬出する。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、前記のプロセス処理工程で、処理済みのウェ
ハをチャック装置からウェハ搬送用ロボットへ受は渡す
際には、静電チャックへの電圧印加を停止してウェハの
吸着を解除するわけであるが1.この場合に電極への電
圧印加を単に停止しただけではチャック基体の残留電荷
によるクーロン力が作用してウェハを瞬時にチャック面
から離脱させることができず、また残留電荷の自然消失
を待ってウェハを離脱させるようにすると、電圧印加の
停止からウェハが離脱するまでに要する時間が時には1
〜2分も長くかかることがあり、その分だけロスタイム
が増してウェハ受は渡し工程のスループットが低下する
そこで、従来では静電チャックからウェハを強制離脱さ
せる方式として、電極への電圧印加停止後にウェハの裏
面に向けてチャック装置側から不活性ガスをブローして
強制離脱させるガスブロー離脱方式、あるいはチャック
装置側に設けたノックアウトビンをウェハの裏面に突出
して強制離脱させるメカニカル離脱方式などが試みられ
ている。
しかして、ガスブロー離脱方式は、プロセス処理室内に
プローガスが吹出してその周辺の塵埃を飛散さゼるので
、ウェハの処理面が汚損される問題がある他、室内に吹
出したプローガスを排気するために排気能力の高い真空
ポンプが必要となるなどの問題がある。
一方、従来におけるメカニカル離脱方式は、ウェハの裏
面周縁部の一箇所に対向してプロセス処理室内に設置し
たノックアウトビンを突き出し操作してウェハを強制離
脱させるようにした機構で実施されている。しかして、
最近ではウェハがますまず大口径化する傾向にあり、特
に径サイズの大きなウェハに対しては静電チャックも大
口径のものが使用される。このために、ウェハの離脱に
際して前記メカニカル離脱方式のようにウェハの裏面周
縁部のみを局部的にノックアウトビンで突出しても、ウ
ェハが大口径であるとウェハを円滑に強制離脱させるこ
とが困難となる。
すなわち、大口径のウェハについて、静電チャツタの残
留電荷でチャック面に吸着保持されている状態でウェハ
の裏面周縁部にノックアウトビンを突出した際の挙動を
実験観察したところによれば、肉厚の薄いウェハはノッ
クアウトビンの突き当たる部分が局部的に反り曲がるだ
けで、他の面域はチャック面に吸着されたままの状態と
なることが認められた。また、ノックアウトピンの突出
しストロークを大きくして無理やりに強制離脱させよう
とすると、ウェハの反り量が増してついにはウェハにク
ランクが発生して破損すると言ったトラブルが多発する
ことも認められている。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、メカ
ニカル離脱方式を対象に、ウェハを静電チャックから安
全、かつ確実に強制離脱できるようにした大口径のウェ
ハにも十分対応可能なチャック装置のウェハ離脱機構を
提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
一上記課題を解決するために、本発明のウェハ離脱機構
は、静電チャックに吸着された半導体ウェハに対し、そ
の裏面中央部、および裏面外周部に分散対向させて静電
チャックユニット側に配備した第1.および第2グルー
プの突出し部材と、ステージホルダの中空軸部を通じて
室外側に配備の駆動部と前記第1.第2グループの突出
し部材との間を連結した操作ロッド機構とを具備し、静
電チャックへの電圧印加停止後に、前記第1.第2グル
ープの突出し部材を同時に突出し操作して半導体ウェハ
を静電チャックのチャック面から強制離脱させるよう構
成したものである。
〔作用〕
上記の構成で、第1グループの突出し部材は静電チャッ
クの中央部を貫通して配備された直動式のノックアウト
ピン、第2グループの突出し部材ば静電チャックの周縁
部側に突出して配備されたスイングカムであり、各グル
ープの突出し部材は少なくとも周上4箇所に分散配備し
た上で、各突出し部材が同期連動して静電チャックのチ
ャック面より出没するように操作ロッド機構を介して駆
動部に連結されている。
ここで、ウェハを静電チャックに吸着保持させた状態で
、静電チャックへの電圧印加を停止した後に駆動部の駆
動で各グループの突出し部材を一括して突出し操作する
と、ウェハはその中央部。
外周部の周域に沿った多点で同時に静電チャックのチャ
ックから剥離するように突出し作用を受ける。これによ
り、ウェハはクランク発生の原因となる局部的な反りを
生じることなく、残留電荷の吸着力に抗して安全、確実
に静電チャックから強制離脱されるようになる。
〔実施例〕
第1図ないし第3図は本発明実施例の構成を示すもので
あり、第4図に対応する同一部材には同じ符号が付しで
ある。
まず、本発明によるウェハ離脱機構を述べる前にウェハ
チャック装置8についての詳細構造を第1図で補足説明
すると、静電チャック11は締結ボルト16でチャック
ステージ10と一体に組立てた上で、ボルト17を介し
てステージホルダ9の取付は座面へ着脱可能に装着され
ている。なお、各部材相互の重なり面にはシール用のO
リング18が介在している。また、静電チャック11は
ウェハ15の径サイズよりも−回り小さい外径寸法に選
定されている。これはプラズマCVD処理の過程で静電
チャック11のチャック面に成膜の回り込みが生じるの
を防ぐためである。一方、ステージホルダ9は周面に冷
却用の水ジャケット19を備えており、そのプロセス処
理室外に通じる中空軸部内にソケットホルダ20を設置
してここに外部の電源と接続したソケット21を取付け
、プラグ22を介して静電チャック11の電極23へ電
圧を印加するよう構成されている。
次にウェハ離脱機構の構造を説明する。この離脱機構は
室外側に設置したエアシリンダなどの駆=9 動部24と、該駆動部24に一括結合し、ステージホル
ダ9の中空軸部内に敷設して前記ソケットホルダ20に
ガイド支持した4本の昇降ロッド25と、各昇降ロッド
25の下端に連結して静電チャック11に貫通配備した
直動式ノックアウトピン26と、第3図に明示したよう
に各昇降ロッド25に昇降/回転変換用リンク機構とし
てのジヨイント27.およびジヨイント27から側方に
伸びてチャックステージ10をラジアル方向に貫通した
回転ロッド28に結合して静電チャック11の外周上に
配備したスイングカム29とを主要部品として構成され
ている。なお、30はノックアウトピン26に対する静
電チャック貫通部に設けた軸封シール、31は回転ロッ
ド28の軸受、32は回転ロッド28に対するチャック
ステージ貫通部に設けた軸封シール、33はスイングカ
ム29の振れ防止用として静電チャック11の周縁に嵌
着したリング状のカムガイド、34(第3図参照)はカ
ムガイド33に取付けてスイングカム29を後退付勢す
る板ばねである。
また前記の構成で、4個のノックアウトピン26−1〇
− は第1グループの突出し部材としてウェハ15の裏面中
央部の周域に分散して対向位置し、4個のスイングカム
29は第2グループの突出し部材としてウェハ15の裏
面外周部の周域に対向位置している。
さらに、前記したリング状のカムガイド33には、スイ
ングカム29と並べてセンタリングピン35が装備しで
ある。このセンタリングピン35は、静電チャック11
からウェハ15が離脱する際に、ウェハが横ずれするの
を防止するための位置決めピンであり、上方よりばね付
勢を受けたヒンジ取付は具36を介してカムガイド33
へ担持されている。
次に上記したウェハ離脱機構の動作について説明する。
まず、前述したランクアウトビン26.スイングカム2
9はウェハ離脱時を除いて静電チャック11に吸着保持
されているウェハ15と干渉しないように後退位置に待
機している。一方、ウェハ15のプロセス処理が済んで
、ウェハ15をウェハ搬送用ロボットへ受は渡す過程で
は、静電チャック11への電圧印加を停止した後に駆動
部24の駆動で昇降ロッド25を下降操作すると、直動
式のノックアウトピン26がウェハ15の裏面中央部に
向けて突き出すと同時に、ジヨイント271回転ロッド
28を介してスイングカム29が揺動し、ウェハ15の
裏面外周部に向けて突き出す。これにより、ウェハ15
は中央部の周上4箇所、外周部の周上4箇所の合計8箇
所で静電チャック11のチャック面から剥離するように
同時に突出し力を受ける。したがっ”て、ウェハ15は
局部的な反りを生じることなく、吸着時と同じ姿勢を保
ったまま残留電荷の吸着力に抗して静電チャック11か
ら強制的に剥離され、下方に待機しているウェハ搬送ロ
ボットに受は渡しされる。しかもこの強制離脱過程では
、ウェハ15がセンタリングピン35でガイドされるの
で、横ずれなどの姿勢乱れの生じるおそれはなく、安定
した姿勢で正しくロボットへ受は渡しされる。
なお、同じプロセス処理装置で各種サイズのウェハを処
理する場合には、ウェハサイズに対応した静電チャック
と交換することで簡単に対応できる。
〔発明の効果〕
本発明によるウェハ離脱機構は、以上説明したように構
成されているので、次記の効果を奏する。
すなわち、静電チャックに吸着保持されたウェハに対し
、その裏面中央部、および裏面外周部に対向して分散配
備した第1.第2グループの突出し部材を同時に突出し
操作してウェハを強制離脱するよう構成したことにより
、ウェハにクラック発生の原因となる局部的な反りを与
えることなく、大口径のウェハでも安全、確実に静電チ
ャックのチャック面から強制離脱させることができ、従
来のメカニカル離脱方式のウェハ離脱機構と比べて、大
幅な信顛性向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の構成断面図、第2図は第1図の
部分横断面図、第3図は第1図におけるウェハ離脱機構
の斜視図、第4図は枚葉式プラズマCVDウェハ処理装
置の概略構成図である。図において、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)プロセス処理室内に設置して該室内に搬入した半導
    体ウェハを吸着保持する半導体ウェハチャック装置のウ
    ェハ離脱機構であり、チャック装置が静電チャックユニ
    ットをプロセス処理室側に設置したステージホルダへ着
    脱可能に装着してなるものにおいて、静電チャックに吸
    着された半導体ウェハに対し、その裏面中央部、および
    裏面外周部に分散対向させて静電チャックユニット側に
    配備した第1、および第2グループの突出し部材と、ス
    テージホルダの中空軸部を通じて室外側に配備の駆動部
    と前記第1、第2グループの突出し部材との間を連結し
    た操作ロッド機構とを具備し、静電チャックへの電圧印
    加停止後に、前記第1、第2グループの突出し部材を同
    時に突出し操作して半導体ウェハを静電チャックのチャ
    ック面から強制離脱させることを特徴とする半導体ウエ
    ハチャック装置のウェハ離脱機構。
JP63315573A 1988-12-14 1988-12-14 半導体ウエハチャック装置のウエハ離脱機構 Pending JPH02159744A (ja)

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