JPS58125866A - 色センサ− - Google Patents
色センサ−Info
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- JPS58125866A JPS58125866A JP57009198A JP919882A JPS58125866A JP S58125866 A JPS58125866 A JP S58125866A JP 57009198 A JP57009198 A JP 57009198A JP 919882 A JP919882 A JP 919882A JP S58125866 A JPS58125866 A JP S58125866A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ａア七／Ｉ／ ７７ス半導体を光活性層に用いた
色センサーに関するつ 光活性−に本結晶シリコン管用いた色センサーは既に知
られている。その原理的な構成は、第１図に示す如く、
単結晶シリコン基板（１１３面に複数の７ ｇ ）ダイ
オード領域＋２１． （３１、（４）を設けると共に、
これら各惜域上に異なる色アイＭり、例えば赤色アイ〃
り（５１、緑色アイ〃り（６１及び青ｔ！３フィル！（
７）を配し、ｖ！にその上に赤外力ットアイＶり１８１
を配したもので、断るセンサーにおいて、各フィルタを
介して可視光が基板（１１に入射すると、入射用視光の
含む色に応じてそれが赤ならダイオード領纜ｔ２）に、
緑ならダイオードｉｊ＊ ｆ３１に、文責ならダイオ
ード＠植（４）Ｋ天々信ｔが出力される。
色センサーに関するつ 光活性−に本結晶シリコン管用いた色センサーは既に知
られている。その原理的な構成は、第１図に示す如く、
単結晶シリコン基板（１１３面に複数の７ ｇ ）ダイ
オード領域＋２１． （３１、（４）を設けると共に、
これら各惜域上に異なる色アイＭり、例えば赤色アイ〃
り（５１、緑色アイ〃り（６１及び青ｔ！３フィル！（
７）を配し、ｖ！にその上に赤外力ットアイＶり１８１
を配したもので、断るセンサーにおいて、各フィルタを
介して可視光が基板（１１に入射すると、入射用視光の
含む色に応じてそれが赤ならダイオード領纜ｔ２）に、
緑ならダイオードｉｊ＊ ｆ３１に、文責ならダイオ
ード＠植（４）Ｋ天々信ｔが出力される。
単結晶Ｖリコン自体の感光度特性は第２図の曲線ＡＫ示
す卯く、赤外領域にピークを呈する。一方、赤色フィル
タ（５１は赤色帯域で透ｉ度のピークを示すものの、そ
の帯埴特性の拡がりは通常減衰しながらも赤外＠域にま
ですそ野を引いている。
す卯く、赤外領域にピークを呈する。一方、赤色フィル
タ（５１は赤色帯域で透ｉ度のピークを示すものの、そ
の帯埴特性の拡がりは通常減衰しながらも赤外＠域にま
ですそ野を引いている。
従って光活ｔ！ＦＩＩＩＫ拳結晶シリコンを用いた場合
、赤色アイＭりを通すだけでは、フォトダイオード領域
（２１は、ｍ衰しながらも共に入射する赤外光に本結晶
シリコン自体の感光度特性に応じて強く感応してし筐い
、正確な色情報を検出できない。上記従来の色センサー
における赤外カブトアイＶり（８１は、この様な入射赤
外光を除去するために設けられてお如、不可欠の存在で
ある。
、赤色アイＭりを通すだけでは、フォトダイオード領域
（２１は、ｍ衰しながらも共に入射する赤外光に本結晶
シリコン自体の感光度特性に応じて強く感応してし筐い
、正確な色情報を検出できない。上記従来の色センサー
における赤外カブトアイＶり（８１は、この様な入射赤
外光を除去するために設けられてお如、不可欠の存在で
ある。
しかしながら、断る赤外カットアイにりの存在はセンサ
ーの構成を複ＩＩＫするだけでなく、製造に際して、そ
のフィルタをシリコン基板上に１畳被着する工程で脆弱
なシリコン基板を破損しやすいといった欠点をもたらす
。
ーの構成を複ＩＩＫするだけでなく、製造に際して、そ
のフィルタをシリコン基板上に１畳被着する工程で脆弱
なシリコン基板を破損しやすいといった欠点をもたらす
。
本発明は上記の点に纜みてなされたもので、以下本発明
をｗｍ例において説明する。
をｗｍ例において説明する。
ｖｇｓ図に木９１ＦＪ１例としての赤、緑、青の各色に
感光する色センサー〇〇を示す。この色セン貨−帥は厚
さ０．３ｍｌ！度のガフスｆプラスチックなどからなる
透光性基板０に設けられ九１１ｇ１．第２．第５の薄膜
状感光素子（１２Ｒ）、（１２Ｇ）、（１２Ｂ）を含む
。これらの各感光素子は基板ａ１１の１主面に設けられ
た各素子に個有の色アイ〃り膜。
感光する色センサー〇〇を示す。この色セン貨−帥は厚
さ０．３ｍｌ！度のガフスｆプラスチックなどからなる
透光性基板０に設けられ九１１ｇ１．第２．第５の薄膜
状感光素子（１２Ｒ）、（１２Ｇ）、（１２Ｂ）を含む
。これらの各感光素子は基板ａ１１の１主面に設けられ
た各素子に個有の色アイ〃り膜。
即ち、第１感光素子（１２Ｒ）にけ赤色フィルタ膜（１
３Ｒ）、ＩＩＰＪ２感光素子（１２Ｇ）には緑色フィル
タｌ１ｌＩ（１５Ｇ ）、第５Ｗ＆光素子（１２Ｂ）に
は青色７４にり＃（１，５Ｂ）を有している。各フィル
タ膜としてはイーストマン・コダック社製のＷＲＡＴＴ
ＩＩＤＮ ＧＩＩＧＬＡＴＩ！：Ｎ １？’工Ｉ、
Ｔ ＥＲが好適であシ、赤色７（Ａ／夕膜（１，５Ｒ）
としてはその１１ｈ２５、緑色フィルタ！ＩＩ（１５Ｇ
）としては凪５８、 又青色７４ ｐｖｌ膜（１５Ｂ
）としテｉｌｒ＆４７Ｂの各品番のものが用いられ、こ
れらは例見はカナダパルサンなどの透明樹脂接着材によ
り基板ＱＩＩＪ：に固定される。
３Ｒ）、ＩＩＰＪ２感光素子（１２Ｇ）には緑色フィル
タｌ１ｌＩ（１５Ｇ ）、第５Ｗ＆光素子（１２Ｂ）に
は青色７４にり＃（１，５Ｂ）を有している。各フィル
タ膜としてはイーストマン・コダック社製のＷＲＡＴＴ
ＩＩＤＮ ＧＩＩＧＬＡＴＩ！：Ｎ １？’工Ｉ、
Ｔ ＥＲが好適であシ、赤色７（Ａ／夕膜（１，５Ｒ）
としてはその１１ｈ２５、緑色フィルタ！ＩＩ（１５Ｇ
）としては凪５８、 又青色７４ ｐｖｌ膜（１５Ｂ
）としテｉｌｒ＆４７Ｂの各品番のものが用いられ、こ
れらは例見はカナダパルサンなどの透明樹脂接着材によ
り基板ＱＩＩＪ：に固定される。
１１ｇ１〜第５感光素子（１２Ｒ）、（１２Ｇ）、（１
２Ｂ）の夫々ハ、ｕＭ板Ｑｌｌ Ｏ他Ｏ主面［１けられ
た第１電ｇｉＳα◆、光活性層（至）及び＠２電砺Ｓａ
ａの積層体を備えておシ、これら横着体は夫々の感光素
子のフィルタ膜と個別に対向している。
２Ｂ）の夫々ハ、ｕＭ板Ｑｌｌ Ｏ他Ｏ主面［１けられ
た第１電ｇｉＳα◆、光活性層（至）及び＠２電砺Ｓａ
ａの積層体を備えておシ、これら横着体は夫々の感光素
子のフィルタ膜と個別に対向している。
上記ｖｇ１電ｆｆｌ寝α４け酸化錫やインジウム・錫酸
化物などの透明導電物からなり、第２電極膜ＣＪ！Ｊに
アＡ／にラムなどからなる。
化物などの透明導電物からなり、第２電極膜ＣＪ！Ｊに
アＡ／にラムなどからなる。
上記光活性−０５框厚さ約１μｍのア七Ｖプアスシリコ
ン半導体で構成され、第４図にその詳細が示されている
うこれを製造方法と共により具体的に説明すると、各素
子（１２Ｒ）、（１２Ｇ ）。
ン半導体で構成され、第４図にその詳細が示されている
うこれを製造方法と共により具体的に説明すると、各素
子（１２Ｒ）、（１２Ｇ ）。
（１２Ｂ）の第１電極α４のみを形改済みの基板［１１
１を反応室に納め、シフンガスや不純物ガスからなる雰
囲叡中でのグロー放電によシ第１電極ａ４上にアモルフ
ァスシリコンからなるＰ３１１１（１５ａ ）工ｍ＋層
（１５１））及びＮ型層（１５０）を順次堆積して光活
性層（至）が形成される。その堆ＩＩ儂域はマスクの便
用によ鯉所定部分に＠定し得るものである・尚グロ″″
皺電によるア七ＩＷ ７ ＦスＶリコン１４ ｔ−Ｙ０
１１ＷＬ１ｉＡ体は特公昭５３−４７７１８号公報に開
示されて−る橡Ｋｊｌ知である。
１を反応室に納め、シフンガスや不純物ガスからなる雰
囲叡中でのグロー放電によシ第１電極ａ４上にアモルフ
ァスシリコンからなるＰ３１１１（１５ａ ）工ｍ＋層
（１５１））及びＮ型層（１５０）を順次堆積して光活
性層（至）が形成される。その堆ＩＩ儂域はマスクの便
用によ鯉所定部分に＠定し得るものである・尚グロ″″
皺電によるア七ＩＷ ７ ＦスＶリコン１４ ｔ−Ｙ０
１１ＷＬ１ｉＡ体は特公昭５３−４７７１８号公報に開
示されて−る橡Ｋｊｌ知である。
上記ｆｐ３セ＞ｔ−ｆｌＯＶｃおいて、各きアイｐｖｐ
（１５Ｒ）、（１！ＳＧ）、（１３Ｂ）の存在に工りこ
れらアイｖｐ＊よ〉入射する光は、それ−Ｂｓ赤色を含
む場合、赤色アイＶり（１５Ｂ）及び基板ＧＩＩを介し
て第１感光素子（１２Ｒ）Ｋ人動、ｍｓ子内の主に１ｍ
１９（１５１））で自由キ◆噂γを発生せしめる。この
自由年令リアは第１．第２電極鵠。
（１５Ｒ）、（１！ＳＧ）、（１３Ｂ）の存在に工りこ
れらアイｖｐ＊よ〉入射する光は、それ−Ｂｓ赤色を含
む場合、赤色アイＶり（１５Ｂ）及び基板ＧＩＩを介し
て第１感光素子（１２Ｒ）Ｋ人動、ｍｓ子内の主に１ｍ
１９（１５１））で自由キ◆噂γを発生せしめる。この
自由年令リアは第１．第２電極鵠。
（至）に集められ、 １ｉｉｌｌｉｆｌｌＫ電圧が発生
する。同様圧して、入射光が緑色を含む場合、又青色を
含む場合、夫々第２感党素子（１２Ｇ ）、第１感光素
子（１２Ｂ）において第１、第２電極（ロ）、（至）間
に電圧が発生する。よってこれらの電圧を検出すること
によ砂入射光の色検出をなすことができる。
する。同様圧して、入射光が緑色を含む場合、又青色を
含む場合、夫々第２感党素子（１２Ｇ ）、第１感光素
子（１２Ｂ）において第１、第２電極（ロ）、（至）間
に電圧が発生する。よってこれらの電圧を検出すること
によ砂入射光の色検出をなすことができる。
１セルファス半導体の感光度特性は＠２図の曲ｊｌＢに
示す如く、はとんど可視光領域に納する帯域を有してい
る。このため１本賽施例色センナーーでは、たとえ赤色
アイＭり（１５Ｒ）を通して赤外光が入ったとしても、
それハホとんど検出されず、従って従来必要としていた
赤外カットアイＶターを用いろことなく正確な色情報を
検出することができる。又、本実施例色センサー（２）
Ｋありては、各色アイνり（１５Ｒ）、（１５Ｇ）、（
１５Ｂ）は光活性層（２）とけ反対−の基板表面に取着
されるので、その取ＷＷ＆に光活性＠（至）を傷めるこ
ともない。
示す如く、はとんど可視光領域に納する帯域を有してい
る。このため１本賽施例色センナーーでは、たとえ赤色
アイＭり（１５Ｒ）を通して赤外光が入ったとしても、
それハホとんど検出されず、従って従来必要としていた
赤外カットアイＶターを用いろことなく正確な色情報を
検出することができる。又、本実施例色センサー（２）
Ｋありては、各色アイνり（１５Ｒ）、（１５Ｇ）、（
１５Ｂ）は光活性層（２）とけ反対−の基板表面に取着
されるので、その取ＷＷ＆に光活性＠（至）を傷めるこ
ともない。
本発明実施例にこの様な優れた色センサ″−（１３にお
いて、その色検出精度をより高めんとするものた点に特
徴を有する。第４１１光素子（１２Ｗ）は他の素子と同
様の構成にして同様の方法で基板０に設けられるが、＆
板Ｉの他の主面に対向して色アイｙりを有していない点
で他の素子と異なっている。
いて、その色検出精度をより高めんとするものた点に特
徴を有する。第４１１光素子（１２Ｗ）は他の素子と同
様の構成にして同様の方法で基板０に設けられるが、＆
板Ｉの他の主面に対向して色アイｙりを有していない点
で他の素子と異なっている。
＠４の感光素子（１２Ｗ）は他の素子め出力の−正のた
めに使用され、その使用例を！！５図に示す。同図にて
第１．第２、第５の各感光素子（１２Ｒ）、（１２Ｇ）
、（１２Ｂ）から出た出力は対応する増幅器＜５０Ｒ）
、（５０Ｇ）、（５０Ｂ）を経て最大値検出器６１に入
る。最大値検出器６１１社比較器の集１りからなる周知
のｗ４成であり、各増幅器＜５ＯＲ）、Ｃ３０Ｇ）、（
５０Ｂ）の出力の中から最も出力レベルの大きいものを
見つけ、それが赤に対応する場合、綴（５２Ｒ）Ｋ。
めに使用され、その使用例を！！５図に示す。同図にて
第１．第２、第５の各感光素子（１２Ｒ）、（１２Ｇ）
、（１２Ｂ）から出た出力は対応する増幅器＜５０Ｒ）
、（５０Ｇ）、（５０Ｂ）を経て最大値検出器６１に入
る。最大値検出器６１１社比較器の集１りからなる周知
のｗ４成であり、各増幅器＜５ＯＲ）、Ｃ３０Ｇ）、（
５０Ｂ）の出力の中から最も出力レベルの大きいものを
見つけ、それが赤に対応する場合、綴（５２Ｒ）Ｋ。
緑に対応する場合、ＩＩ（３２Ｇ）に、文責に対応する
場合、Ｊｉｌ！（３２Ｂ）に夫々出力を出す。このま＼
では、＠えは赤と緑の中間色であって、赤の方がやや強
い光が入射した場合、中間色であるＫもかかわらず最大
値検出器３υは赤の判定出力を出してし１つ、この様な
出力状轢を避ける丸めに第４Ｗ＆光素子（１２Ｗ）の出
力が柑いられる。即ち。
場合、Ｊｉｌ！（３２Ｂ）に夫々出力を出す。このま＼
では、＠えは赤と緑の中間色であって、赤の方がやや強
い光が入射した場合、中間色であるＫもかかわらず最大
値検出器３υは赤の判定出力を出してし１つ、この様な
出力状轢を避ける丸めに第４Ｗ＆光素子（１２Ｗ）の出
力が柑いられる。即ち。
その出力は増幅器（！１０Ｗ）を経た後、比較器（３５
Ｒ）、＜５５Ｇ）、＜５５Ｂ）にて他の増幅器（！ｌ０
Ｒ）、（，５０Ｇ）、（４０Ｂ）の出力と比較さり、ｂ
。ｋｉｌｌ（５５Ｒ）、（５，ＳＧ ）、（３５Ｂ）の
各々は、実質的に、夫々第１、第２、［Ｗ＆光を子（１
２Ｒ）、 （１２Ｇ ）、（１２Ｂ）の出力レベルが第
４Ｗ＆光素子（１２Ｗ）の出力レベｙの所定割抄合いよ
り大きいときに出力を出し、その出力はオアゲート−を
経て最大１！検出器（２）の動作を葡効ならしめる。
Ｒ）、＜５５Ｇ）、＜５５Ｂ）にて他の増幅器（！ｌ０
Ｒ）、（，５０Ｇ）、（４０Ｂ）の出力と比較さり、ｂ
。ｋｉｌｌ（５５Ｒ）、（５，ＳＧ ）、（３５Ｂ）の
各々は、実質的に、夫々第１、第２、［Ｗ＆光を子（１
２Ｒ）、 （１２Ｇ ）、（１２Ｂ）の出力レベルが第
４Ｗ＆光素子（１２Ｗ）の出力レベｙの所定割抄合いよ
り大きいときに出力を出し、その出力はオアゲート−を
経て最大１！検出器（２）の動作を葡効ならしめる。
第４Ｗ＆光素子（１°２Ｗ）は色アイνりを有していな
いので、その出力レベＡ／ニ他の何れの感光素子のそれ
よ抄も大きい。そして、＠１．＠２．第５感光素子（１
２Ｂ）、（１２Ｇ）、（１２Ｂ）の出力レベ／Ｌ’Ｈ第
４感光雲＋（１２Ｗ）の出力レベＶより低いが、入射光
が中間色である場合、更に低くなる。よって中間色でな
い場合の第１．＠２、第５Ｗ＆光素子（１２Ｒ）−（１
２Ｇ）、（３２Ｂ）の出力レベνと第４感光素子（１２
Ｗ）の出力レベルの比を基準として、比較器＜５５Ｅ）
。
いので、その出力レベＡ／ニ他の何れの感光素子のそれ
よ抄も大きい。そして、＠１．＠２．第５感光素子（１
２Ｂ）、（１２Ｇ）、（１２Ｂ）の出力レベ／Ｌ’Ｈ第
４感光雲＋（１２Ｗ）の出力レベＶより低いが、入射光
が中間色である場合、更に低くなる。よって中間色でな
い場合の第１．＠２、第５Ｗ＆光素子（１２Ｒ）−（１
２Ｇ）、（３２Ｂ）の出力レベνと第４感光素子（１２
Ｗ）の出力レベルの比を基準として、比較器＜５５Ｅ）
。
（３５Ｇ）、（３３Ｂ）の各々は＠１．第２、第５１１
１１１子（１２Ｒ）、 （１２Ｇ ）、（１２Ｂ）の出
力レベＭが斯る基準より低φ場合、出力を出さない様設
計されているのである。この結果、上記の如く１例えば
赤と緑の中間色の光が色センサーαＯに入射した場合、
最大値検出器−は働かず、何ら出力を生じない。
１１１子（１２Ｒ）、 （１２Ｇ ）、（１２Ｂ）の出
力レベＭが斯る基準より低φ場合、出力を出さない様設
計されているのである。この結果、上記の如く１例えば
赤と緑の中間色の光が色センサーαＯに入射した場合、
最大値検出器−は働かず、何ら出力を生じない。
上記実施例では、各素子（１２Ｒ）、（１２Ｇ）、（１
２Ｂ）の光活性１ＩＩＣＪＢはＰＩＮｉｌ会を含む光起
電力型であったが１例えば約５μｍ厚の１型の１七ルプ
１スシリコンのみで形成して光導電型の光活性層に変艷
することもできる。この場合。
２Ｂ）の光活性１ＩＩＣＪＢはＰＩＮｉｌ会を含む光起
電力型であったが１例えば約５μｍ厚の１型の１七ルプ
１スシリコンのみで形成して光導電型の光活性層に変艷
することもできる。この場合。
：第６図に示す如く、光活性層（至）の表面に１対の電
極（１６ａ）、（１６１））を被着する構成でも良い。
極（１６ａ）、（１６１））を被着する構成でも良い。
又、上ｆａＷＩｉＭ？Ｈ１光活性−０５ト第１、第２電
ｆｆ１ｌｌａ尋、αＧは何れも各素子毎に分離されてい
るが、光活性ｍｕを分離することなく各素子（１２Ｒ）
、（１２Ｇ）、（１２Ｂ）ＫＭＩＲＩ、て設けることも
でき、及びあるいは、第１電１ｉ１１Ｑ４１又は第２電
極膜αｅの何れか一方をやは抄分離することなく各素子
に連続して設けることもできる。崗、１七〜ファス半導
体からなる光活性ｍａＢσその厚でが極めて小さいので
、と紀の々口く各素子にｉＬ！続して設けられても、各
素子間のクロストーク框はとんどない。
ｆｆ１ｌｌａ尋、αＧは何れも各素子毎に分離されてい
るが、光活性ｍｕを分離することなく各素子（１２Ｒ）
、（１２Ｇ）、（１２Ｂ）ＫＭＩＲＩ、て設けることも
でき、及びあるいは、第１電１ｉ１１Ｑ４１又は第２電
極膜αｅの何れか一方をやは抄分離することなく各素子
に連続して設けることもできる。崗、１七〜ファス半導
体からなる光活性ｍａＢσその厚でが極めて小さいので
、と紀の々口く各素子にｉＬ！続して設けられても、各
素子間のクロストーク框はとんどない。
又、上記′４Ｎ施例の光活性層αｅに用いた１七ルフア
スＶリコンに代工てアモＭファスシリコンカーバイドな
ど他のものをも使用し得、艷には１部に多結晶や微結晶
を混入することも司能である。
スＶリコンに代工てアモＭファスシリコンカーバイドな
ど他のものをも使用し得、艷には１部に多結晶や微結晶
を混入することも司能である。
又、必曽に応じて感光素子の数を適宜増減し得νりの取
着の開部な色センサーを実現で裏、又その色検出精度を
高めることができる。
着の開部な色センサーを実現で裏、又その色検出精度を
高めることができる。
第１図は従猥例を示す＃面図、第２図は感光特性図、第
５図Ａげ本発明実施例の平面図、第５図Ｂは同Ｂ−Ｂ断
面図、第 ５図Ｃは四〇 （Ｅ断面図、第４図は参部
拡大ｌ１ｌｒＩｌｉｉ図、第５図は四略図。 第６図は他の実施例の要部断面図である。 （Ｉｌｌ・・・・・・基板、（１２Ａ）、（１２Ｂ）、
（１２Ｃ）・・・・・・第１．第２．８ｇＡｌｌ光素子
、Ｑ５・・・・・・光活性１゜ 第２図 波 長 （九ｍ→ ７どＱ Ｉど９
５図Ａげ本発明実施例の平面図、第５図Ｂは同Ｂ−Ｂ断
面図、第 ５図Ｃは四〇 （Ｅ断面図、第４図は参部
拡大ｌ１ｌｒＩｌｉｉ図、第５図は四略図。 第６図は他の実施例の要部断面図である。 （Ｉｌｌ・・・・・・基板、（１２Ａ）、（１２Ｂ）、
（１２Ｃ）・・・・・・第１．第２．８ｇＡｌｌ光素子
、Ｑ５・・・・・・光活性１゜ 第２図 波 長 （九ｍ→ ７どＱ Ｉど９
Claims (1)
- （１１透光性基板に設けられた複数の薄膜状感光素子を
含み、該素子の各々は、上記基板の１主面ＫＲけられた
各素子に個育の１！３フイＩレタ膜と、上記基板の他の
主面に設けられ定アそルア１ス半導にと記感光票子と同
様の構成にて上記基板に設けられ色アイｙりＷｓｆ有さ
ない少なくとも１つの感光素子ｆ＠えることを特徴とす
る色センサー。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009198A JPS58125866A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
| GB08300968A GB2115980B (en) | 1982-01-22 | 1983-01-14 | Color sensor |
| FR8300882A FR2520557B1 (fr) | 1982-01-22 | 1983-01-20 | Capteur chromatique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009198A JPS58125866A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125866A true JPS58125866A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11713800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57009198A Pending JPS58125866A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 色センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125866A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
| JPS5068787A (ja) * | 1973-10-22 | 1975-06-09 | ||
| JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
| JPS5617085A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Sony Corp | Solid imaging element |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
| JPS56150879A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Photoelectric converter |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57009198A patent/JPS58125866A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
| JPS5068787A (ja) * | 1973-10-22 | 1975-06-09 | ||
| JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
| JPS5617085A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Sony Corp | Solid imaging element |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
| JPS56150879A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Photoelectric converter |
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