JPH0262922A - 光センサー - Google Patents
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- JPH0262922A JPH0262922A JP63215883A JP21588388A JPH0262922A JP H0262922 A JPH0262922 A JP H0262922A JP 63215883 A JP63215883 A JP 63215883A JP 21588388 A JP21588388 A JP 21588388A JP H0262922 A JPH0262922 A JP H0262922A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 24
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXOZAFXVEWKXED-UHFFFAOYSA-N chembl1590721 Chemical compound C1=CC(NC(=O)C)=CC=C1N=NC1=CC(C)=CC=C1O PXOZAFXVEWKXED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業の利用分野〕
本発明は、異なる色のカラーフィルターを有する光セン
サーに関するものである。
サーに関するものである。
本発明者は、先に透明導電膜を被着した透明基板上に、
P−1−N接合した非晶質半導体層及び金属電極から成
る積層体を複数個形成して構成された光センサーを提案
した(特願昭62−331620号)。第5図(a)、
(b)はその光センサーの構造を示す断面図及び平面図
である。
P−1−N接合した非晶質半導体層及び金属電極から成
る積層体を複数個形成して構成された光センサーを提案
した(特願昭62−331620号)。第5図(a)、
(b)はその光センサーの構造を示す断面図及び平面図
である。
透明基板51はガラス、透光性セラミックなどから成り
、該透明基板51の一主面には透明導電膜52が被着さ
れている。
、該透明基板51の一主面には透明導電膜52が被着さ
れている。
透明導電膜52は酸化錫、酸化インジウム、酸化インジ
ウム・錫などの金属酸化物膜で形成され、透明基板51
の一主面の少な(とも積層体x、 yに共通の膜とな
るように形成されている。
ウム・錫などの金属酸化物膜で形成され、透明基板51
の一主面の少な(とも積層体x、 yに共通の膜とな
るように形成されている。
非晶質半導体層53は、少なくとも金属電極54x、5
4yが形成される積層体X+7部分には、P−I−N接
合が形成されている。
4yが形成される積層体X+7部分には、P−I−N接
合が形成されている。
金属電極54x、54yは、非晶質半導体層53上に矩
形形状で所定間隔を置いて形成されている。そして、金
属電極54x、54y間に外部回路(図示せず)から一
定のバイアス電圧を印加される。
形形状で所定間隔を置いて形成されている。そして、金
属電極54x、54y間に外部回路(図示せず)から一
定のバイアス電圧を印加される。
上述の構成の光センサーは、P−1−N接合された積層
体x、 yであるダイオードが抱き合わされた構造に
なっている。
体x、 yであるダイオードが抱き合わされた構造に
なっている。
今、積層体Xの金属電極54xに+、積層体yの金属電
極54yに−でバイアス電圧をかけておくと、積層体X
側には逆バイアス、積層体y側には順バイアスがかかる
ことになる。
極54yに−でバイアス電圧をかけておくと、積層体X
側には逆バイアス、積層体y側には順バイアスがかかる
ことになる。
バイアス印加による電流は、積層体Xの金属電極54x
−非晶質半導体層の8層53N−I層531−2層53
P−透明導電膜52−積層体yの非晶質半導体層の2層
53P−I層53I−NFt53N−金属電極54yに
流れる。即ち金属電極54x、54y間の抵抗は積層体
Xの逆方向抵抗と積層体yの順方向抵抗の和になるが、
明状態においては、積層体X及び積層体yに光起電力が
生じるが、互いに逆電位であるため相殺され、実際には
光起電流は流れないものの、導電膜Xに+、導電膜yに
−のバイアス電圧が印加されているので、積層体Xには
逆方向光電流(明電流)が発生し、積層体Xの逆方向光
電流の変化が、光センサーの抵抗変化(バイアス電圧/
明電流)としてハタラく。このため、光センサー全体に
おいて、見かけ上光照射により抵抗が下がったことにな
り、光導電型センサーのようにはたらく。これにより照
度−抵抗値特性がリニアとなる。
−非晶質半導体層の8層53N−I層531−2層53
P−透明導電膜52−積層体yの非晶質半導体層の2層
53P−I層53I−NFt53N−金属電極54yに
流れる。即ち金属電極54x、54y間の抵抗は積層体
Xの逆方向抵抗と積層体yの順方向抵抗の和になるが、
明状態においては、積層体X及び積層体yに光起電力が
生じるが、互いに逆電位であるため相殺され、実際には
光起電流は流れないものの、導電膜Xに+、導電膜yに
−のバイアス電圧が印加されているので、積層体Xには
逆方向光電流(明電流)が発生し、積層体Xの逆方向光
電流の変化が、光センサーの抵抗変化(バイアス電圧/
明電流)としてハタラく。このため、光センサー全体に
おいて、見かけ上光照射により抵抗が下がったことにな
り、光導電型センサーのようにはたらく。これにより照
度−抵抗値特性がリニアとなる。
そして、近時、光センサーは、単に光が照射される入射
光強度は検出できるだけでなく、光の波長の分光強度を
検出する、即ちカラーセンサーの需要が増大している。
光強度は検出できるだけでなく、光の波長の分光強度を
検出する、即ちカラーセンサーの需要が増大している。
第6図は、従来のカラーセンサーの断面図である。
従来のカラーセンサーは、該支持体62上に、非晶質半
導体層からなる光導電層63を挟持するように、各画素
に対応する一対の対向電極65.65”が形成されてい
る。そして、R(赤)、G(緑)、B(青)の1色のカ
ラーフィルター64が光導電層63上に被着形成されて
いる(特開昭57−141956号公報参照)。
導体層からなる光導電層63を挟持するように、各画素
に対応する一対の対向電極65.65”が形成されてい
る。そして、R(赤)、G(緑)、B(青)の1色のカ
ラーフィルター64が光導電層63上に被着形成されて
いる(特開昭57−141956号公報参照)。
そして、該センサーの受光面側から光が照射されると、
カラーフィルター64を通して、光導電層63に所定波
長の光の強度に対応した光電流が出力される。
カラーフィルター64を通して、光導電層63に所定波
長の光の強度に対応した光電流が出力される。
ところが、受光面側から照射される一般的な光には、あ
らゆる波長の光が混在しており、非晶質半導体層の分光
感度によれば、550nm付近にピークがあり、同一感
度のカラーフィルターを用いると、緑のみが高感度にな
ってしまう。このため、従来のカラーセンサーでは、カ
ラーフィルターの分光感度分布と感度を任意にコントロ
ールして、各フィルターを介して非晶質半導体層に入射
される光量を制御していた。
らゆる波長の光が混在しており、非晶質半導体層の分光
感度によれば、550nm付近にピークがあり、同一感
度のカラーフィルターを用いると、緑のみが高感度にな
ってしまう。このため、従来のカラーセンサーでは、カ
ラーフィルターの分光感度分布と感度を任意にコントロ
ールして、各フィルターを介して非晶質半導体層に入射
される光量を制御していた。
即ち、カラーフィルターの分光感度分布や感度を制御す
るためにフィルターの成分材料、光学的な特性など複雑
な選定を行っていた。
るためにフィルターの成分材料、光学的な特性など複雑
な選定を行っていた。
さらに、各カラーフィルターが光導電領域に一対一に対
応しているため、光導電領域からの出力信号が導出され
る端子及び導線が増加し、出力信号を処理する検出回路
が複雑になる。
応しているため、光導電領域からの出力信号が導出され
る端子及び導線が増加し、出力信号を処理する検出回路
が複雑になる。
本発明は、上述の光センサーの背景に鑑み案出されたも
のであり、その目的は極めて面単な構造で各カラーフィ
ルターに対応する光導電領域から等しい感度の出力信号
が出力できるダイオード抱き合わせの光センサーを提供
するものである。
のであり、その目的は極めて面単な構造で各カラーフィ
ルターに対応する光導電領域から等しい感度の出力信号
が出力できるダイオード抱き合わせの光センサーを提供
するものである。
〔問題点を解決するための具体的な手段〕本発明によれ
ば、上述の目的を達成するために、透明基板上に、透明
導電膜、P−I−N接合した非晶質半導体層及びバイア
ス電圧を印加するための2つの導電膜から成る光導電領
域を複数個形成し、さらに、該光導電領域に異なるカラ
ーフィルターを形成した光センサーにおいて、該光導電
領域のバイアス電圧に対してP−I−N接合した非晶質
半導体層が逆方向となる一方の導電膜を、各光導電領域
間でカラーフィルターを介して入射される光量を補正す
るように所定面積に設定した光センサーが提供される。
ば、上述の目的を達成するために、透明基板上に、透明
導電膜、P−I−N接合した非晶質半導体層及びバイア
ス電圧を印加するための2つの導電膜から成る光導電領
域を複数個形成し、さらに、該光導電領域に異なるカラ
ーフィルターを形成した光センサーにおいて、該光導電
領域のバイアス電圧に対してP−I−N接合した非晶質
半導体層が逆方向となる一方の導電膜を、各光導電領域
間でカラーフィルターを介して入射される光量を補正す
るように所定面積に設定した光センサーが提供される。
以下、本発明の光センサーを図面に基づいて詳細に説明
する。
する。
第1図(a)は本発明に係る光センサーの構造を示す平
面図であり、第1図(b)は同図(a)のX−X線断面
構造図である。
面図であり、第1図(b)は同図(a)のX−X線断面
構造図である。
本発明の光センサーは、透明基板1上に形成した異なる
色例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィ
ルター5R,5C,,5Bに対応するように3つの光導
電領域R,G、 Bが形成されている。
色例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)のカラーフィ
ルター5R,5C,,5Bに対応するように3つの光導
電領域R,G、 Bが形成されている。
光導電領域R,G、 Bを構成する1つの光導電領域R
は、透明基板l上のカラーフィルター5Rに透明導電膜
2Rが被着され、さらに、該透明導電膜2R上にP−I
−N接合した非晶質半導体層3が被着され、そして、P
−I−N接合した非晶質半導体層3上にバイアス電圧が
印加される導電膜4Ra、4Rbが形成されている。
は、透明基板l上のカラーフィルター5Rに透明導電膜
2Rが被着され、さらに、該透明導電膜2R上にP−I
−N接合した非晶質半導体層3が被着され、そして、P
−I−N接合した非晶質半導体層3上にバイアス電圧が
印加される導電膜4Ra、4Rbが形成されている。
その他の光導電領域G、 Bも同様な構造であるが、
透明導電膜2G、2B上に被着された非晶半導体層3は
、各光導電領域R,G、 Bに共通な膜として形成され
ている。
透明導電膜2G、2B上に被着された非晶半導体層3は
、各光導電領域R,G、 Bに共通な膜として形成され
ている。
透明基板1はガラス、透光性セラミックなどから成り、
該透明基板1の一生面にはカラーフィルター5R,5G
、5Bが、各光導電領域R,G。
該透明基板1の一生面にはカラーフィルター5R,5G
、5Bが、各光導電領域R,G。
Bに対応してそれぞれ独立して被着されている。
カラーフィルター5R,5G、5Bは、透明基板1上に
ゼラチン、ポリイミド樹脂などの有機樹脂を所定の色料
で着色したもので、例えば、赤にはアシッドレッド25
7、緑にはソルベントイエロー77及びアシッドブルー
フ、青にはソルベントブルー42などが使用される。ま
た、顔料を使用したものや、干渉フィルターも使用でき
る。
ゼラチン、ポリイミド樹脂などの有機樹脂を所定の色料
で着色したもので、例えば、赤にはアシッドレッド25
7、緑にはソルベントイエロー77及びアシッドブルー
フ、青にはソルベントブルー42などが使用される。ま
た、顔料を使用したものや、干渉フィルターも使用でき
る。
なお、有機樹脂に所定色料で一着色したのち、耐熱性の
向上及び色料の流出を防ぐために酸化珪素、窒化珪素な
どの保護膜(図示せず)で、全体を覆ってもよい。
向上及び色料の流出を防ぐために酸化珪素、窒化珪素な
どの保護膜(図示せず)で、全体を覆ってもよい。
透明導電膜2R,2G、2Bは酸化錫、酸化インジウム
、酸化インジウム錫などの金属酸化物膜で形成され、透
明基板1の一生面に形成された各カラーフィルター5R
,5G、5B上に夫々独立して形成されている。具体的
には透明基板1の一生面上にマスクを装着した後、上述
の金属酸化物膜を被着したり、絶縁基板1の一生面上に
金属酸化物膜を被着した後、レジスト・工、7チング処
理したりして所定形状に構成されている。
、酸化インジウム錫などの金属酸化物膜で形成され、透
明基板1の一生面に形成された各カラーフィルター5R
,5G、5B上に夫々独立して形成されている。具体的
には透明基板1の一生面上にマスクを装着した後、上述
の金属酸化物膜を被着したり、絶縁基板1の一生面上に
金属酸化物膜を被着した後、レジスト・工、7チング処
理したりして所定形状に構成されている。
非晶質半導体層3は、各光導電領域R,G、 Bに連続
して形成され、基板側から第1の導電型、第2の導電型
、第3の導電型を接合、即ちP−I−N接合が形成され
ている。具体的には、非晶質半導体層3はシラン、ジシ
ランなどのシリコン化合物ガスをグロー放電によって分
解するプラズマCVD法や光CVD法等で被着される非
晶質シリコンなどから成り、P層はシランガスにジポラ
ンなどのP型ドーピングガスを混入した反応ガスで形成
され、IJ’5はシランガスを反応ガスとして形成され
NF4はシランガスにフォスフインなどのN型ドーピ
ングガスを混入した反応ガスで形成される。
して形成され、基板側から第1の導電型、第2の導電型
、第3の導電型を接合、即ちP−I−N接合が形成され
ている。具体的には、非晶質半導体層3はシラン、ジシ
ランなどのシリコン化合物ガスをグロー放電によって分
解するプラズマCVD法や光CVD法等で被着される非
晶質シリコンなどから成り、P層はシランガスにジポラ
ンなどのP型ドーピングガスを混入した反応ガスで形成
され、IJ’5はシランガスを反応ガスとして形成され
NF4はシランガスにフォスフインなどのN型ドーピ
ングガスを混入した反応ガスで形成される。
導電膜4Ra、4Ga、4Ba、4Rb、4Gb、4B
bは、非晶質半導体層3上に所定形状、所定間隔に形成
されている。即ち、光導電領域Rの透明導、電膜2Rに
対応する非晶質半導体層3上に、導電膜4Raと4Rb
が形成され、光導電領域Gの透明導電IPA2Gに対応
する非晶質半導体層3上に、導電膜4Gaと4Gbが形
成され、光導電領域Bの透明導電膜2Bに対応する非晶
質半導体層3上に、導電膜4Baと4Bbが形成されて
いる。具体的には、導電膜4Ra、4Ga、4Ba、4
Rb、4Gb、4Bbは非晶質半導体層3上にマスクを
装着した後、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム
等の金属を被着したり、非晶質半導体層3上にニッケル
、アルミニウム、チタン、クロム等の金属膜を被着した
後、レジスト・エツチング処理、YAGレーザーによる
レーザー溶断処理などで所定パターンに形成される。
bは、非晶質半導体層3上に所定形状、所定間隔に形成
されている。即ち、光導電領域Rの透明導、電膜2Rに
対応する非晶質半導体層3上に、導電膜4Raと4Rb
が形成され、光導電領域Gの透明導電IPA2Gに対応
する非晶質半導体層3上に、導電膜4Gaと4Gbが形
成され、光導電領域Bの透明導電膜2Bに対応する非晶
質半導体層3上に、導電膜4Baと4Bbが形成されて
いる。具体的には、導電膜4Ra、4Ga、4Ba、4
Rb、4Gb、4Bbは非晶質半導体層3上にマスクを
装着した後、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム
等の金属を被着したり、非晶質半導体層3上にニッケル
、アルミニウム、チタン、クロム等の金属膜を被着した
後、レジスト・エツチング処理、YAGレーザーによる
レーザー溶断処理などで所定パターンに形成される。
上述の構成の光センサーは、各光導電領域R2G、
B内でP−I−N接合された積層体Ra−Rb、Ga−
GbXBa−Bbであるダイオードが互いに逆向きに抱
き合わされた構造になっている。
B内でP−I−N接合された積層体Ra−Rb、Ga−
GbXBa−Bbであるダイオードが互いに逆向きに抱
き合わされた構造になっている。
第1図(b)に示される光導電領域Rを用いてその動作
を説明する。
を説明する。
等測的には、導電膜4Raと導電膜4Rbとの間では、
積層体Raの抵抗R1と積層体Rbの抵抗R2とが直列
的に接続され、さらに、抵抗R1と抵抗R2との合成さ
れた抵抗に並列的に積層体Raと積層体Rbとの間の非
晶質半導体層3での抵抗R3が接続されていることにな
る。
積層体Raの抵抗R1と積層体Rbの抵抗R2とが直列
的に接続され、さらに、抵抗R1と抵抗R2との合成さ
れた抵抗に並列的に積層体Raと積層体Rbとの間の非
晶質半導体層3での抵抗R3が接続されていることにな
る。
今、積層体Raの導電膜4Raに+、積層体Rbの導電
膜4Rbに−でバイアス電圧をかけておくと、積層体R
a側の非晶質半導体M 3 Raには逆バイアス、積層
体す側の非晶質半導体Ff3Rbには順バイアスがかか
ることになる。
膜4Rbに−でバイアス電圧をかけておくと、積層体R
a側の非晶質半導体M 3 Raには逆バイアス、積層
体す側の非晶質半導体Ff3Rbには順バイアスがかか
ることになる。
暗状態において、導電膜4Ra、4Rb間の抵抗は積層
体Raの逆方向抵抗R1と積層体Rbの順方向抵抗R2
の和になり、導電膜4Ra、4Rb間に流れる電流は、
該抵抗(R1+R2)に対応する。上述の光センサーの
透明基板1側よりカラーフィルター5Rを介して光照射
される明状態では、積層体Ra及び積層体Rbに光起電
力が生じるが、互いに逆電位であるため相殺され、実際
には光起電流は流れないものの、導電膜4Raに士、導
電膜4Rbに−でバイアス電圧を印加されているので、
積層体Raに逆方向光電流が発生する。なお、積層体R
hはダイオードの順方向抵抗から成る抵抗体となる。
体Raの逆方向抵抗R1と積層体Rbの順方向抵抗R2
の和になり、導電膜4Ra、4Rb間に流れる電流は、
該抵抗(R1+R2)に対応する。上述の光センサーの
透明基板1側よりカラーフィルター5Rを介して光照射
される明状態では、積層体Ra及び積層体Rbに光起電
力が生じるが、互いに逆電位であるため相殺され、実際
には光起電流は流れないものの、導電膜4Raに士、導
電膜4Rbに−でバイアス電圧を印加されているので、
積層体Raに逆方向光電流が発生する。なお、積層体R
hはダイオードの順方向抵抗から成る抵抗体となる。
そして、2つの導電膜4Ra、ARb間の電流はvi、
屠体Raの導電膜4Ra−非晶質半導体層3aのN層−
1層−2層−透明導電膜2−積層体Rbの非晶質半導体
層3bの2層−1層−N層−導電膜4Rbに流れる。
屠体Raの導電膜4Ra−非晶質半導体層3aのN層−
1層−2層−透明導電膜2−積層体Rbの非晶質半導体
層3bの2層−1層−N層−導電膜4Rbに流れる。
ここで、光導電領域Rにおいて見かけ上、光照射によっ
て抵抗が低下したことになり、光導電型センサーのよう
にはたらく。これにより、照度抵抗値特性がリニアとな
り、γ値が約1となる。
て抵抗が低下したことになり、光導電型センサーのよう
にはたらく。これにより、照度抵抗値特性がリニアとな
り、γ値が約1となる。
即ち、カラーフィルター5Rを介して光照射される例え
ば、長波長側の光の照度(光量)に応じて2つの導電膜
4. Ra、ARb間の電流が変化し、光センサーとし
て作用する。
ば、長波長側の光の照度(光量)に応じて2つの導電膜
4. Ra、ARb間の電流が変化し、光センサーとし
て作用する。
これは、他の光導電領域G、 Bについても同様である
。
。
ここで、上述の非晶質半導体層3に用いた非晶質シリコ
ンは、光学的禁制帯幅が約1.8eVであるため、分光
感度は、第2図のように、550nmをピークに700
nmが限界波長となる。このとき、青(B) 450n
m 、緑(G) 550nm 、赤(R) 650nm
の強度は、それぞれ約50χ、100χ、35zである
。
ンは、光学的禁制帯幅が約1.8eVであるため、分光
感度は、第2図のように、550nmをピークに700
nmが限界波長となる。このとき、青(B) 450n
m 、緑(G) 550nm 、赤(R) 650nm
の強度は、それぞれ約50χ、100χ、35zである
。
これを同一受光面積を有する上述の光センサーに照射す
ると、緑(G)の光導電領域Gから出力される明電流の
みが突出してしまう。緑(G)の光導電領域Gから出力
される明電流を100とすると、青(B)の光導電領域
Bは約40、赤(R)の光導電領域Rは約20となって
しまう。
ると、緑(G)の光導電領域Gから出力される明電流の
みが突出してしまう。緑(G)の光導電領域Gから出力
される明電流を100とすると、青(B)の光導電領域
Bは約40、赤(R)の光導電領域Rは約20となって
しまう。
このため、光導電領域R,G、Bの明電流の相対強度(
光量に対する感度)が同一になるように、逆バイアスと
なる積層体Ras Ga、Baの面積(実際には、導電
膜4Ra、4Ga、4Baの面積)を所定大きさに設定
することが極めて重要となる。
光量に対する感度)が同一になるように、逆バイアスと
なる積層体Ras Ga、Baの面積(実際には、導電
膜4Ra、4Ga、4Baの面積)を所定大きさに設定
することが極めて重要となる。
ここで、第1図(a)に示すように、光導亀頭Jl、G
、Bの逆バイアスとなる積層体Ra、Ga、Baの面積
、導電膜4Ra、4Ga、4Baの面積がそれぞれ異な
っている。
、Bの逆バイアスとなる積層体Ra、Ga、Baの面積
、導電膜4Ra、4Ga、4Baの面積がそれぞれ異な
っている。
導電膜4Ra、4Ga、4Baの面積の設定方法として
、各光導電領域R,G、Bの非晶質半導体層3に到達さ
れる入射光量を同一にしなくてはならない。即ち、各光
導電領域で、非晶質半導体層3の分光感度での強度とカ
ラーフィルターでの透光率と導電膜の面積との積が同一
になるようにする。例えば、光導電領域Gについて導電
膜4Gaを1、緑(G) 550nmの分光感度強度を
1、カラーフィルター5Gの透光率を1とすると、その
積はlとなる。
、各光導電領域R,G、Bの非晶質半導体層3に到達さ
れる入射光量を同一にしなくてはならない。即ち、各光
導電領域で、非晶質半導体層3の分光感度での強度とカ
ラーフィルターでの透光率と導電膜の面積との積が同一
になるようにする。例えば、光導電領域Gについて導電
膜4Gaを1、緑(G) 550nmの分光感度強度を
1、カラーフィルター5Gの透光率を1とすると、その
積はlとなる。
光導電領域Rについて、赤(R) 650nmの分光感
度強度は、緑(G) 550nmの分光感度強度に対し
て0.35であり、カラーフィルター5Rの透光率は製
造方法の違いにもよるが、カラーフィルター5Gの透光
率に対して(16である。このため分光感度の強度とカ
ラーフィルターでの透光率と導電膜の面積との積が光導
電領域Gと同一になるようにするためには、導電膜4R
aの面積を約4.7とすればよい。
度強度は、緑(G) 550nmの分光感度強度に対し
て0.35であり、カラーフィルター5Rの透光率は製
造方法の違いにもよるが、カラーフィルター5Gの透光
率に対して(16である。このため分光感度の強度とカ
ラーフィルターでの透光率と導電膜の面積との積が光導
電領域Gと同一になるようにするためには、導電膜4R
aの面積を約4.7とすればよい。
同様に、光導電領域Bについて、青(B) 450nm
の分光感度強度は、緑、 (G) 550nmの分光感
度強度に対して0.5であり、カラーフィルター5Bの
透光率はカラーフィルター5Gの透光率に対して0.8
である。このため分光感度の強度とカラーフィルターで
の透光率と導電膜の面積との積が光導電領域Gと同一に
なるようにするために、導電膜4Baの面積を約2.5
とすればよい。
の分光感度強度は、緑、 (G) 550nmの分光感
度強度に対して0.5であり、カラーフィルター5Bの
透光率はカラーフィルター5Gの透光率に対して0.8
である。このため分光感度の強度とカラーフィルターで
の透光率と導電膜の面積との積が光導電領域Gと同一に
なるようにするために、導電膜4Baの面積を約2.5
とすればよい。
第3図は第1図(a)に示した光センサーの導電膜4R
a、4Rb、4Ga、4Gb、4Ba。
a、4Rb、4Ga、4Gb、4Ba。
4Bb及び非晶質半導体層3上に出力端子のみを露出し
て、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの絶縁保護膜6を
形成した状態の平面図である。
て、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの絶縁保護膜6を
形成した状態の平面図である。
光センサーは、各光導電領域に2端子づつ合計6つの出
力端子が形成されている。
力端子が形成されている。
第4図は本発明の他の実施例の光センサーの平面図であ
る。
る。
本実施例では、各光導電領域R,G、Bの順バイアスと
なる積層体Rb、Gb、Bbの導電膜を共通の膜4bと
した。
なる積層体Rb、Gb、Bbの導電膜を共通の膜4bと
した。
これにより、第3図に示すように絶縁保護膜6で被覆し
、全体で4端子で済ませることができ、出力信号の制御
を行う外部回路(図示せず)の構成が極めて面素化でき
る。
、全体で4端子で済ませることができ、出力信号の制御
を行う外部回路(図示せず)の構成が極めて面素化でき
る。
上述の実施例では、透明基板上にRGBの3つの光導電
領域を1つの光センサーとして説明したが、さらに透明
基板上にRGBの3つの光導電領域をアレイ状に多数配
列形成しても構わない。
領域を1つの光センサーとして説明したが、さらに透明
基板上にRGBの3つの光導電領域をアレイ状に多数配
列形成しても構わない。
また、導電膜の面積は、光センサーに用いるカラーフィ
ルターの光透過率、非晶質半導体層の分光感度によって
適宜設定されるものである。
ルターの光透過率、非晶質半導体層の分光感度によって
適宜設定されるものである。
以上のように、本発明は透明基板上に、透明導電膜、P
−I−N接合した非晶質半導体層及びバイアス電圧を印
加するための2つの導電膜から成る光導電領域を複数個
形成し、さらに、該光導電領域に異なるカラーフィルタ
ーを形成した光センサーにおいて、該光導電領域のバイ
アス電圧に対してP−1−N接合した非晶質半導体層が
逆方向となる一方の導電膜を、各光導電領域間でカラー
フィルターを介して入射される光量を補正するように所
定面積に設定するという構造上の操作により、カラーフ
ィルターに対応する光導電領域から出力される出力信号
の感度(相対強度)が一定に導出できる。
−I−N接合した非晶質半導体層及びバイアス電圧を印
加するための2つの導電膜から成る光導電領域を複数個
形成し、さらに、該光導電領域に異なるカラーフィルタ
ーを形成した光センサーにおいて、該光導電領域のバイ
アス電圧に対してP−1−N接合した非晶質半導体層が
逆方向となる一方の導電膜を、各光導電領域間でカラー
フィルターを介して入射される光量を補正するように所
定面積に設定するという構造上の操作により、カラーフ
ィルターに対応する光導電領域から出力される出力信号
の感度(相対強度)が一定に導出できる。
さらに、1つの光導電領域が逆方向のフォトダイオード
と順方向のフォトダイオードとが互いに抱き合わされた
構造であるため、高い電圧がかかっても、P−I−N接
合した非晶質半導体層が破壊されることがなく、幅広い
照度の変化に対して抵抗値の変化が良好な直線性応答が
得られ、T値が約1となる。
と順方向のフォトダイオードとが互いに抱き合わされた
構造であるため、高い電圧がかかっても、P−I−N接
合した非晶質半導体層が破壊されることがなく、幅広い
照度の変化に対して抵抗値の変化が良好な直線性応答が
得られ、T値が約1となる。
第1図(a)は本発明の光センサーの構造を示す平面図
であり、第1図(b)は、同図(a)のX−X線の断面
図である。 第2図は、非晶質半導体層の分光感度の強度をしめず特
性図である。 第3図は本発明の光センサーの発展的な構造を示す非受
光面側の平面図である。 第4図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 第5図(a)、 (b)は従来のフォトダイオード抱
き合わせ型光センサーの構造を示す断面図及び平面図で
ある。 第6図は、従来のカラーセンサーの断面図である。 ■・・・・−・・・・透明基板 2・・・・・・・・・透明導電膜 3・・・・・・・・・非晶質半導体層 4Ra、4Rb、4Ga、4Gb、4Ba、4Bb ・
−導電膜5R,5G、5B・・カラーフィルターR,G
、 B・・・・・光導電領域 a、 b・−・・・・・・積層体
であり、第1図(b)は、同図(a)のX−X線の断面
図である。 第2図は、非晶質半導体層の分光感度の強度をしめず特
性図である。 第3図は本発明の光センサーの発展的な構造を示す非受
光面側の平面図である。 第4図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 第5図(a)、 (b)は従来のフォトダイオード抱
き合わせ型光センサーの構造を示す断面図及び平面図で
ある。 第6図は、従来のカラーセンサーの断面図である。 ■・・・・−・・・・透明基板 2・・・・・・・・・透明導電膜 3・・・・・・・・・非晶質半導体層 4Ra、4Rb、4Ga、4Gb、4Ba、4Bb ・
−導電膜5R,5G、5B・・カラーフィルターR,G
、 B・・・・・光導電領域 a、 b・−・・・・・・積層体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板上に、透明導電膜、P−I−N接合した非晶質
半導体層及びバイアス電圧を印加するための2つの導電
膜から成る光導電領域を複数個形成し、さらに、該光導
電領域に異なるカラーフィルターを形成した光センサー
において、 前記光導電領域のバイアス電圧に対してP−I−N接合
した非晶質半導体層が逆方向となる一方の導電膜を、各
光導電領域間でカラーフィルターを介して入射される光
量を補正するように所定面積に設定したことを特徴とす
る光センサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63215883A JPH0262922A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光センサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63215883A JPH0262922A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光センサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0262922A true JPH0262922A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16679838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63215883A Pending JPH0262922A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光センサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0262922A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006003843A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出器 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215883A patent/JPH0262922A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006003843A1 (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光検出器 |
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