JPS58116817A - Ttl−cmos入力バツフア - Google Patents

Ttl−cmos入力バツフア

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JPS58116817A
JPS58116817A JP57223643A JP22364382A JPS58116817A JP S58116817 A JPS58116817 A JP S58116817A JP 57223643 A JP57223643 A JP 57223643A JP 22364382 A JP22364382 A JP 22364382A JP S58116817 A JPS58116817 A JP S58116817A
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JP
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transistor
voltage
reference voltage
ttl
current electrode
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Application number
JP57223643A
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English (en)
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グレン・エリツク・ノウフア−
ウイリアム・ジエイムズ・ドナヒユ−
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Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • H03K19/018521Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は入力バッ7アに関し、4IKレベルシフ) T
TLを0MO8に入力することができるクラパワーな入
力バッ7アに関するものである。
従来技術と問題点 コンプリメンタリ・メタル・オキサイド・セ建コンダク
タ(0MO8)技術においては、正電源端子と負電源端
子との関に%Pチャンネル絶縁ゲート電界効果トランジ
スタ(IGFJCT)をNチャンネルIGFETと直列
に接続し、スタティック状11において二つのトランジ
スタの一つが常にオフになるようにして、′スタティッ
ク状態において両電源端子間を電流が流れないようKし
ている。完全なT−TLレンジを越えてもPチャンネル
IGFITとNチャンネルIQFKTの一つがオフする
トランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL)出力
を見つけることは、消費電力を最小にする為KM筐れる
。電力を保存することは、0MO8を使用する典童的な
理由である。TTL出カは論理@1”に対して2.0ボ
ルトと同程度KIJ)得るので、NチャンネルエGF−
ICTが確実にオンしているのと同時にPチャンネルI
GFITe11Nにオフさせることは困難である。
NチャンネルトランジスタとPチャンネルトランジスタ
のうち一つをオフするような方法でインタフェースされ
た異なる論理レベルで働く複数のCMOII 1回路が
ある。この場合、一つの論理回路セットは、他の論理回
路セットよシ低い電源電圧で働會、且つ他の論理回路に
インターフェースする出力を供給しなければならない。
一対のインバータが一対のクロス接続増幅器に接続され
たものがある。一対のインバータは、低い電源電圧で働
き、高い電源電圧で働く一対のクロス接続増幅器に接続
される出力を与える。各論理回路セットが、レール・ト
ウ・レールの、即ち正電源電圧か或はこれに非常に近い
電圧で供給される論理@1”と、負電源電圧か或はこれ
に非常に近い電圧で供給される論理@″O”の信号を供
給することが、動作の重要なことである。
しかしながら、TTL回路においては、そのような場合
はない。TTL論理”1#は、5ボルト電源でも2.0
ボルトと同程度に低くなシ得るから、TTL論理回路は
、低電源なCMO8回路セットと全く類似していない。
発明の目的 本発明の目的は、改良したTTL −CMO8人カバツ
カバッファすることにある。
本発明の他の目的は、少ない電力で使用し得るTTL−
CMO8人カバツカバッファすることにある。
本発明の更に別の目的は、バッファの入力に受けたTT
L信号の電圧レベルと調和するため、CMOSレベルシ
フト回路の一対のインバータに電圧を供給する基準電圧
発生器を使用したTTL−CMO8入力バツファを提供
することにある。
上述した及び他の目的や本発明の利点は、TTL信号が
TTL供給電圧とTTL基準電圧との間にあるとき、第
1論理状態において出力信号を発するT−TL−CMO
8人カバツカバッファて達成される。入力バッファは、
TTL信号を受ける制御電極と基準電圧につながれた第
1電流電極と第1出力を供給する第2電流電極とを有し
特徴ある閾値電圧を有する第1導電形の第1トランジス
タ、第1導電形の第1トランジスタの制御電極につなが
れた制御電極と第1電源端子につながれた第1電流電極
と第1導電形の第1トランジスタの第2電極につながれ
た第2電流電極とを有する第2導電形の第2トランジス
タ、第2電源端子と第1電源端子に接続され、TTL基
準電圧から第1導電形の第1トランジスタの閾値電圧を
差し引いた電圧より第1電源電圧に近くない電圧の0M
O8基準電圧を供給する基準電圧発生手段を有している
発明の実施例 第1図に、抵抗12 、14とトランジスタ16 、1
8から成る従来の基準電圧発生器10を示す。第1図に
示した従来技術と第2図に示す好ましい実施例とは共に
、閾値電圧0.4〜0.8ボルトの特性を有するエンハ
ンスメント形ONチャネル絶縁電界効果トランジスタを
使用したものが描かれている。第3図の回路は、閾値電
圧−0,4〜−0,8ボルトの特性tVするエンハンス
メント形のPチャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタ
を含んでいる。
抵抗νの第1端子は正電源端子vDDK![+続され、
その第2端子は接続点加につながれている。抵抗14は
第1及び第2端子を有し、第1端子は接続点加につなが
れる。Nチャネルトランジスタ16は抵抗14の第2端
子につながれたゲート及びドレインと、グラウンドで示
す負電源端子につながれたソースを有する。Nチャネル
トランジスタ18は、接続点加につながれた制御電極と
、正電源端子vDDに接続されたドレインと、基準電圧
発生器10の出力を供給するソースとを備えている。そ
の出力は基準電圧vR1である。
抵抗ν、14は、基準抵抗分局器として働く。トランジ
スタ16は、閾値電圧分の降下を与えるように、抵抗1
2 、14と直列にダイオード接続されている。トラン
ジスタ16は、実質的に閾値電圧分の電圧降下が為され
るように、サイズ比(チャネル長に対するチャネル幅の
比)が通常の手段によシ選定されている。従って、接続
点美の電圧v震・は、正電源端子電圧と負電源端子電圧
との差電圧、この場合vDDの関数で表わされ、抵抗U
の抵抗値をR1嵩、抵抗14の抵抗値kR1a、トラン
ジスタ16の閾値電圧tvTtsとすると、次式に示す
ものとなる。
トランジスタ18は、ソースフォロア接続されている。
トランジスタ18のサイズ比は、基準電圧′vR1が次
式に示すように、電圧V、・よシトランジスタ18の閾
値電圧vTl@だけ低くなるように通常の手段により選
定されている。
■R8=v2゜−vTl、          曲中・
・・・・・・・(2)トランジスタ16 、18の閾値
電圧は、トランジスタ18のソースが接地されていれば
同じになるであろうが、トランジスタ18のソースは正
電圧、特に基準電圧V□なので、閾値電圧vT 1 @
は人体効果(bod7・ff@ct)電圧によって閾値
電圧vT1s以上に増大し、次式で表わすことができる
vTIS =vT11 ” VB□         
・・・・・・・・・・・・・・・(3)この式t−(2
)式の閾値電圧”rtsに代入すると次式を得る。
V□= V、。−vTIS−■111     ・・・
・・・・・・・・・・・・(4)そして、(4)式に(
1)式の電圧V、・の式を代入すると次式を得る。
−vBl・・・・・・・・・(Sン 整理すると次のようになる。
(6)式は、基準電圧vR1は、与えられたvDDと人
体効果電圧v、1に対して抵抗値R1!、R14を選ぶ
ことで選択で亀ることを示している。人体効果電圧vm
tIは比較的小さく、反復可能な揚幅は基準電圧V□の
関数である。ダイオード接続され喪トランジスタ16は
、閾値電圧vT1.の経年変化を補償する。
同様の目的で、抵抗ν、14と直列に追加のダイオード
接続トランジスタを設けることかでiる。基準電圧出力
は、接続点園で与えることもできるが、トランジスタ1
8が出力インピーダンスを減するために電圧基準発生器
10の出力を供給する丸め使用されている。消費電力を
少なくする為に抵抗値R11゜R1,は大きな値が選ば
れる。
基準電圧発生器10は、vDDが一定に保持される隈シ
、ロウ出力インビーダンスな基準電圧vR1t供給する
簡単で比較的精度が良い電源回路である。
しかし、縞(@式に示すように基準電圧v11はvDD
に比例する。
基準電圧発生器10の利点を有し且つ電源電圧の変動を
補償するよう改善した基準電圧発生器22を菖2図に示
す。基準電圧発生器nは、抵抗24.Nチャネルトラン
ジスタ26,28,29から成る。抵抗あの第1端子は
正電源端子vDDに接続され、第2端子社接続点諺につ
ながれる。トランジスタ拠は、抵抗腕のHg端子に接続
されたドレインと% VDDKm続されたゲートと、ソ
ースとを有する。トランジスタ四は、トランジスタ昂の
ソースに接続されたゲート及びドレインと、グラウンド
で示す負電源端子に接続されたソースとを有する。トラ
ンジスタ□□□のドレインはvDDK接続され、ゲート
は接続点部につながれ、ソースにおいて基準電圧発生器
10の出力が得られる。その出力が基準電圧4゜である
要するに、基準電圧発生器nは、vDDの変化に対しう
まく補償する丸めに、接続点部と接地間であって抵抗R
24とトランジスタ4に直列に、抵抗R14の代わシに
トランジスタ26を接続したことが、第1図の基準電圧
発生器10と異なっている。トランジスタ拠は、vDD
が減少するほど小さな抵抗値を示す。トランジスタ篇の
抵抗値a VDDに反比例する。従って、接続点部とグ
ラウンド間の抵抗値はvDDが増大すれば減少し、逆に
減少すれば増大する。vDD’5増大すれば、接続点&
のlt均fり電圧vexは増加の方向へ向かうであろう
が、−万、抵抗値R32が減少すると、電圧Va、は減
少の方向へ向かう。結局、トランジスタ2の抵抗値R3
21d、vDDが増加したとき減少するので、トランジ
スタ銘はvDDが増加した際に多少の補償を行なう。v
DDが減少すると電圧v$意が減少する傾向を示すが、
一方、抵抗値R32が増加すると電圧VI+1は増加す
る傾向を示す。結局、トランジスタ怒は、vDDが減少
し九とき抵抗値R1t増加させるので、トランジスタ渦
は、vDDの減少に対し多少の補償管行なう。これによ
って、vDDが増加しても減少しても多少の補償が為さ
れることになる。
(1)弐〜(6)式は、電圧vR1を電圧V□に、抵抗
値ILtsを抵抗九の抵抗値R14に、閾値電圧vTl
@をトランジスタ昂の閾値電圧vT1.に、人体効果電
圧v、1をトランジスタ園の人体効果電圧V□に、抵抗
値R14t )ランジスタ26に関する抵抗値R1・に
、電圧Vast接続点接続点圧Vllに、閾値電圧vT
1.t−トツンジスタ加の閾値vT、、にそれぞれ対比
させることで、基準電圧発生器10と同様に基準電圧発
生器22に適用することができる。基準電圧発生器nの
対応する要素を第(6)式に代入すれば、次式が得られ
る。
人体効果電圧V□と閾値電圧vT1.とは、実質上一定
に固定される。抵抗値R意4は一定に選定される。抵抗
値R1は、トランジスタ瀝の選ばれた特徴の関数であJ
>、VDDに反比例する。”DDは補償が望まれる程度
に変化する。しかし、抵抗値R1@とトランジスタ拠の
特徴の選択は、VDDが例えば5ボルトという公称の電
圧で一定であると仮定して為されている。
トランジスタ26ヲ流れる電流の一般式は次のようにな
る。
■。=に、(2(vas  ’T)VD!1−vDB”
:l  ・・・曲・・(1’)ここで、IDはトランジ
スタXを流れる電流、Kはデバイス定数で例えば2.1
6 X 10−”、Wはトランジスタ昂のチャネル幅、
Lはトランジスタ拠のチャネル長、vGsはトランジス
タ届のゲート・ソース間電圧、vTはトランジスタ瀝の
閾値電圧、V□はトランジスタ2のドレイン・ソース間
電圧である。
トランジスタ瀝を流れる電流は、vDDの仮定した電圧
に対し知ることができる。電流1.4は、基準電圧V□
の設計選択幅と共に抵抗値−4t−決定する設計選択(
d@sign choice)であル、例えば10マイ
クロアンペアである。電流1麿4は、で表わされる。電
圧v■は次のように、基準電圧VIHの関数である。
v■=vI−vTa・−vBl      ・・・・・
・・・・・・・・・・に)それ故に、電流lff14は
、次のように基準電圧vR1の関数となる。
この式から、抵抗値R14は、75?菫の電流114と
、仮定したVDD電圧と、選定した基準電圧VRIと、
閾値電圧V□、と、一定値な人体効果電圧vB、とがら
、容易に選択することができる。閾値電圧vT、・はプ
ロセスで僅かに変化するがトランジスタ篇はこの変化を
実質的に補償する。
所望の基準電圧V□を得る為のトランジスタ篇のサイズ
比W/Lを求めるために、第(旬式は、基準電圧vRf
fiと他の回路パラメータの項でサイズ比W/L を表
現する為に使用される。ゲート・ソース間電圧v0.は
、次のように表現される。
vam ”” vDD−vTl@        −−
−−(1ま九、ドレイン・ソース間電圧VD、は次のよ
うに表現される。
vDa ” vam −vTall        −
°−−” 04第(転)式の電圧vlに代入すると次式
を得る。
vDB  ’=  vRl    ’Tl@    ’
l! −vTTa2     ”””””””’ Hさ
て、トランジスタ届に関する第(8)式に代入すると、
次式を得る。
W ”14””1−(2(vDD −vTll vTfi@
XvR1−vTRI−vBlイTl1)−CvRt  
’Tl@  ’l!  ”I’ll)”)    ””
”””・・”’ (1サイズ比W/Lについて解くと、
次式を得る。
L =KC2(vDD−vTRI ”l雪−(vRl 
’Tl@−■11! ’Tl1)(’Is−vTg。−
V□−vTl、)〕    ・・・・・・・・・・・・
・・・(2)従って、サイズ比W/Lは、電流rg4の
選択値、定数K I VDDの仮定値、閾値電圧vT*
、、閾慎電圧vT□。
基準電圧VBIO選択値、閾値電圧vTl及び人体効果
電圧Vast代入することで求めることが可能で、 あ
る。このサイズ比によシ、基準電圧発生器nは、VDD
の仮定値において選定し九基準電圧Vast−供給する
であろう。そのと亀、トランジスタ篇はVDDの装動に
対しうまく補償を行なう。トランジスタ篇のサイズ比が
非常に小さいならば、その閾値電圧はトランジスタ28
.30の閾値電圧よシ僅かに高く、例えば0.2ボルト
高くなるであろう。
第3図に% vccとして示すTTL用正電源電圧とグ
ラウンド間に接続されたTTL論理回路胡がらの受信T
TL信号に応じ九出カを供給するTTL−CM08人力
バッ7ア36を示す。この人カバッファ蕊は、一般に、
インバータ40 、インバータ42 、 増1111)
44゜増幅器槌及び基準電圧発生器化から成る。
基準電圧発生器化は、例えば5ボルトの電圧である正電
源電圧端子VDDと、グラウンドで示す負電源電圧とに
つながれている。基準電圧発生器化は、基準電圧V41
を出方する。
インバータ40は、Pチャネルトランジスタ犯とNチャ
ネルトランジスタ&から成る。トランジスタ(資)は、
TTL論理回路蕊からTTL信号を受ける丸めのインバ
ータ切用入力とじてのゲートと、インバータ伯の出力を
供給するドレインと、基準電圧発生器化の出力につなが
れたソースと管有する。
トランジスタ52は、トランジスタ(資)のゲートに接
続されたゲートと、トランジスタ犯のドレインに接続さ
れたドレインと、グラウンドに!!絖され九ソースとを
有する。
インバータ42は、Pチャネルトランジスタ9とNチャ
ネルトランジスタ聞とから成る。トランジスタ(は、イ
ンバータ420入力としてトランジスタ(資)のドレイ
ンに接続されたゲートと、インバータ社の出力を供給す
るドレインと、基準電圧発生器化の出力につながれたソ
ースとを有する。トランジスタ聞は、トランジスタ9の
ゲートに接続され九ゲートと、トランジスタ駒のドレイ
ンに接続され九ドレインと、グラウンドにつながれたソ
ースとを有する。
増幅器Iは、Pチャネルトランジスタ郭とNチャネルト
ランジスタωとから成る。トランジスタ(イ)ハ、トラ
ンジスタ8のドレインに接続されたゲートと、接地され
たソースと、増幅器Iの出力を供給するドレインとを有
する。トランジスタ詔は、VDD K #続されたソー
スと、トランジスタωのドレインに接続されたドレイン
と、増幅曇化の出力を受けるゲートとを有する。
増幅器部は、Pチャネルトランジスタ62とNチャネル
トランジスターから成る。トランジスタ62は、トラン
ジスタωのドレインに接続されたゲートと、増幅器46
の出力及び入力バッファあの出方を供給しトランジスタ
μsのゲートに接続されたドレインと、VDDKm続さ
れたソースとを有する。
トランジスタ例は、トランジスタ印のドレインに接続さ
れたゲートと、トランジスタ圏のドレインに接続された
ドレインと、接地され九ソースとを有する。
インバータ栃、42およびクロス接続された増幅器I、
46は、伝統的なCMO8レベルシフト回路として接続
されている。インバータ切の入力が論理11#だと、ト
ランジスタ&はターンオンし、インバータ切の出力は実
質的にグラウンドレベルにな力、トランジスタ団、64
はターンオフ、トランジスタ54Fiターンオンする。
そうすると、トランジスタ9のソースはトランジスタω
のゲートにつながれ、トランジスタ60は十分にターン
オンし、これによシトランジスタωのドレインは実質的
にグラウンドレベルとなシ、トランジスタ区はターンオ
ンする。結局、論理゛′1”は、入力バッファ%の出力
によって実質的にVDDで供給される。反対に論理@0
”がインバータ物の入力に加えられたときは、トランジ
スタカがターンオンし、実質的にトランジスタ(資)の
ソース電圧であるインバータ物の出力が供給される。そ
うすると、インバータ物の出力によシトランシスターが
ターンオンし、トランジスタ例のドレイン及び入力バッ
ファあの出力が実質的にグラウンドレベルとなる。更に
、トランジスタ(資)がオンすれば、トランジスタカが
ターンオンし、インバータ42の出力は実質的にグラウ
ンドレベルとな9、トランジスタωはターンオンするで
あろう。トランジスタ例のドレインが実質的にグラウン
ドレベルだと、トランジスタカはトランジスタωのドレ
インとトランジスタ62のゲートに実質的にVDDを供
給するから、トランジスタ圏はオフとなる。
CMO8レベルシフト回路のこのような動作は、インバ
ータ42、増幅器I、46の一つのトランジスタがスタ
ティック状態でオフとなることt−*保する。結局、こ
れら三つの回路は、スタティック状態で電流路を形成し
ない。伝統的な動作中、インバータ42と同様にインバ
ータ物は、レベルシフトに必要なCMO8信号を発生す
る0M08回路と同じ電源に接続される。論理″″1#
管実質的に正電源電圧とし、論理“0#ヲ負電源電圧と
すると、トランジスタ(資)、52の一つは、スタティ
ック状態において常にオフとなる。動作中、インバータ
40 、42は、インバータとクロス接続増幅器の間を
実際に明確にするレベルシフトインターフェイスとして
のクロス接続増幅器I、46に真の出力とコンプリメン
タリ出力とを供給する出力バッファの働きをする。
しかし、入力バッファあの作用は、TTL論理回路胡と
インバータ物の間のインターフェイスを明確にする。T
TL論理回路関で発生したTTL信号の論理“@1#は
、通常は5ボルトであるが、2.0ボルトからVCCの
間の値を取シ得る。もし、2.0ボルトの論理″″1#
を受信したときトランジスタカ、52のソースがVCC
に接続されていれば、トランジスタ(資)、52は共に
オンし、電力の浪費となる電流径路が形成される。従っ
て、基準電圧発生器物の基準電圧v4gが、トランジス
タ(資)、520ソースにつながれている。基準電圧V
4mは、TTL信号が論理@1’に対して最も低い電圧
レベル、この場合2.0ボルトであるとき、トランジス
タ(資)がオフになるように、選ばれている。トランジ
スタ(資)が確実にオフとなる為には、基準電圧V41
は、論理″″1#の最低電圧レベルからトランジスタ(
資)の最大閾値電圧を差し引いた値、この場合、2.0
ボルトから−0,4ボルトを差し引い九2.4ボルトよ
シ小さくなければならない。従って、基準電圧VaSは
、2.4ボルトより小さくすべきである。
第2図の基準電圧発生器nは、2.4ボルトより小さな
基準電圧VRIを発する基準電圧発生器化として用いる
ことができる。従来の基準電圧発生器を用いることもで
きる。インバータ(社)によシ、正電源端子と負電源端
子間の電流径路が断たれることで電力セーブが行なわれ
るが、他の基準電圧発生器を用いたのでは、電流を十分
に相殺することはできないであろう。
基準電圧発生器絽の有用性は、TTL’i使用した場合
において、正電源電圧VCCと論理“1”の最低電圧レ
ベルとの実質的な差が2.0ボルトであるときに現れる
。論理11”の最低電圧レベルがVCCの閾値電圧v0
゜以内であれば、vccか或はVDDがvcCと本質的
に同電圧であればVDDにトランジスタ(資)のソース
を接続することによって、TTL信号が論理″″1”に
なったとき、トランジスタカは確実にオフするであろう
。従って、基準電圧発生器絽は、論理@1”の最低電圧
レベルから閾値電圧vTilt−差引いた値がVCCよ
シ小さいときに必要とされる。
このとき、基準電圧VaSは、論理@1”から閾値電圧
V、。を引いた値よ’) Vccに近づかない値に選定
される。
基準電圧v4at−選定する際には、論理“0”のT−
TL信号の状態、即ちグラウンドレベルかう0.8ボル
トの論理′″0”の状態を考慮しなければならない。
トランジスタ刃は、TTL信号が0.8ボルトのときオ
ンしなければならない。従って、トランジスタカのソー
ス電圧即ちvasは、0.8ボルトから最低の閾値電圧
vTS。を引いた値、すなわち0.8から−0,8t−
引いた1、6ボルトよシ大きくなければならない。従っ
て、基準電圧v4s#i、1.6ボルトから2.4ボル
トの間にあるべきである。スピードに関する理由から、
その電圧は、二つの電圧の、高い方に近づけるべきであ
る。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本
発明は種々の方法にて変形でき、また特に上述し九以外
の多くの実施例も想到できることは、当業者なら理解で
きるであろう。添附した特許請求の範囲は、本発明の真
の精神と範囲内の全ての変形を含むものである。
(実施の態様) 特許請求の範囲記載のTTL−CMO8人カバツカバッ
ファて、 第1導電形の第1)7ンジスタの第2電流電他に接続さ
れ九制御電極と、0MO8基準電圧に接続された第1電
流電極と、第2電流電極とを有する落1導電形の第2ト
ランジスタ、 第1導電形の第2トランジスタの制御電極に接続された
制御電極と、I!1電源端子に接続された#11電流電
極と、#!1導電形の第2トランジスタの第2電流電極
に接続され九第2電流電極とを有する第2導電形の第2
トランジスタ、 第1導電形の第2トランジスタの第2電流電極に接続さ
れた制御電極と、第1電源熾子に接続された第1電流電
極と、第2電流電極とを有する第2導電形の第3トラン
ジスタ、 第2電源端子に接続された第1電流電極と、第2導電形
の第3トランジスタの第2電極に接続された第2電流電
極と、制御電極とを有する第1導電形の第3トランジス
タ、 第1導電形の第1トランジスタの第2電流電極に接続さ
れた制御電極と、第1電源電圧端子に接続されたls1
電流電極と、第1導電形の第3トランジスタの制御電極
に接続され第2出力を供給する第2電流電極とを有する
第2導電形の第4トランジスタと、 第2導電形の第3トランジスタの第2電流電極に接続さ
れた制御電極と、第2電源供給端子に接続された第1電
流電也と、第2導電形の第4トランジスタの第2電流電
極に接続された第2電流電極と會有する第1導電形の第
4トランジスタとを具備したことtW徴とするTTL−
CMO8入力バツ7ア。
発明の詳細 な説明したように、本発明に依れば、トランジスタ団、
52のいずれか一万がスタテック状態において確実にオ
フ状態となるので、低消費電力なTTL−CMO8人カ
バツカバッファできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の基準電圧発生器の回路図、第2図は本発
明実施例に用いる基準電圧発生器の回路図、第3図は本
発明実施例のTTL−CMO8人カバツカバッファ図で
ある。 詞は抵抗、26,28,30,52.56,60.64
はPチャンネルトランジスタ、蕊は入力バッファ、40
.42はインバーp、a、46は増幅器、52,56,
60,64UNチヤンネルトランジスタである。 特許出願人  モトローラ・インコーポレーテツド代理
人弁理士 玉 蟲 久 五 部 2面の浄書(内容に変fなし) FIC,3 手続補正書 昭和58年 2月15日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭和57年特許願第223643号 2、発明の名称 TTL−CMO3入カバソファ 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所  アメリカ合衆国イリノイ州60196゜シャン
ハーグ、イー・アルゴンフィン・ロード、  1303
番 名称  モトローラ・インコーボレーテソド代表者 ヒ
ンセント・ジェイ・ラウナー4、代理人 住所 東京都豊島区南長崎2丁目5番2号7、補正の内
容  別紙の通り

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 TTL入力信号がTTL供給電圧とTTL基準電圧との
    間にあるとき第1論理状態の出力信号を発するTTL−
    CM08人カバツカバッファて、TTL信号を受ける制
    御電極と、基準電圧につながれ九菖1電流電極と、K 
    1出力を供給する第2電流電極とを有する所定閾値電圧
    の第1導電形の第1トランジスタ、 前記I11導電形の第1トランジスタの制御電極に接続
    された制御電極と、第1電源端子に接続された第1電流
    電極と、前記第1導電形の第1トランジスタの第2電流
    電極に接続された第2電流電極とを有する第2導電形の
    第1トランジスタ、第2電源端子と第1電源端子とに接
    続され、T−TL基準電圧から前記第1導電形の第1ト
    ランジスタの闇値電圧を差し引いた電圧よシ第1電源電
    圧に近くない電圧の0MO8基準電圧を供給する基準電
    圧発生手段とを具備したことt−特徴とするTTL−C
    MO8人カバツカバッ
JP57223643A 1981-12-21 1982-12-20 Ttl−cmos入力バツフア Pending JPS58116817A (ja)

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