JPS58114601A - 分布定数形フイルタ - Google Patents
分布定数形フイルタInfo
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- JPS58114601A JPS58114601A JP21159581A JP21159581A JPS58114601A JP S58114601 A JPS58114601 A JP S58114601A JP 21159581 A JP21159581 A JP 21159581A JP 21159581 A JP21159581 A JP 21159581A JP S58114601 A JPS58114601 A JP S58114601A
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- Japan
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- conductive film
- dielectric
- dielectric block
- block
- holes
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、たとえば数１００ＭＨ２域で用いられる新
規な分布定数形フィルタに関する。
規な分布定数形フィルタに関する。
従来、数１００ＭＨ２域のフィルタとしては、ＬＣ共振
回路を用いたものや同軸共振器を用いたものがあったが
、構造的に不安定あるいは複雑であつたり、特性的に満
足できない、調整に手間がかかる、コストが引下げられ
ない、などの内題点があった。
回路を用いたものや同軸共振器を用いたものがあったが
、構造的に不安定あるいは複雑であつたり、特性的に満
足できない、調整に手間がかかる、コストが引下げられ
ない、などの内題点があった。
そこで、構造が単純で、特性的にも満足できしかも、低
コストの分布定数形フィルタが、本願発明者によって発
明され、出願（特願昭５６−１０７５４８号）された。
コストの分布定数形フィルタが、本願発明者によって発
明され、出願（特願昭５６−１０７５４８号）された。
この先願発明の要旨は、少なくとも二つの貫通孔を一定
閤陽をおいて並んだ状態で誘電体ブロックに設け、この
貫通孔内面に導電膜を設けるとともに誘電体ブロックの
少なくとも西側面に導電膜を設け、貫通孔内面に設けた
ｌ′Ｒ躾と誘電体ブロックの少なくとも四側面に設けた
導電膜と、介在する誘電体とで共振ユニットを構成し少
なくとも隣接する一対の共振ユニット間の誘電体ブロッ
クに空洞を設け、さらに、外部回路と共養呑番者共振ユ
ニットとを静電結合させたことである。前記空洞は、一
対の共振ユニット間の結合度の設定のために設けられる
。そして、この空洞内壁面には１ｍｌ躾を形成してはな
らない。製造を効率的に行なうには、銀ペースト中に誘
電体ブロツク全体を「ジャボ漬け」して引上げた後焼成
して導電膜を形成するとよいのだが、前述のように空洞
内壁面に導電膜が形成・されてはならないためこのよう
な方法はとれず、面倒な「筆塗り」後、焼成して導電膜
を形成していたので、製造が非能率的であった。
閤陽をおいて並んだ状態で誘電体ブロックに設け、この
貫通孔内面に導電膜を設けるとともに誘電体ブロックの
少なくとも西側面に導電膜を設け、貫通孔内面に設けた
ｌ′Ｒ躾と誘電体ブロックの少なくとも四側面に設けた
導電膜と、介在する誘電体とで共振ユニットを構成し少
なくとも隣接する一対の共振ユニット間の誘電体ブロッ
クに空洞を設け、さらに、外部回路と共養呑番者共振ユ
ニットとを静電結合させたことである。前記空洞は、一
対の共振ユニット間の結合度の設定のために設けられる
。そして、この空洞内壁面には１ｍｌ躾を形成してはな
らない。製造を効率的に行なうには、銀ペースト中に誘
電体ブロツク全体を「ジャボ漬け」して引上げた後焼成
して導電膜を形成するとよいのだが、前述のように空洞
内壁面に導電膜が形成・されてはならないためこのよう
な方法はとれず、面倒な「筆塗り」後、焼成して導電膜
を形成していたので、製造が非能率的であった。
また、空洞を設けてその形状、寸法をかえることによる
結合度設定方法は設定範囲が狭かった。
結合度設定方法は設定範囲が狭かった。
それゆえにこの発明の目的は、製造が効率的になされ、
かつ広範囲な結合度設定ができる分布定数形のフィルタ
を鍵供することである。
かつ広範囲な結合度設定ができる分布定数形のフィルタ
を鍵供することである。
すなわち、この発明の要旨は、少なくとも二つの真通孔
を一定閤陽をおいて並んだ状態で誘電体ブロックに設け
、この貫通孔内面に導電膜を設けるとともに誘電体ブロ
ックの少なくとも西側面に導電膜を設け、貫通孔内面に
設けた導電膜と、誘電体ブロックの少なくとも西側面に
設けた導電膜と、介在する誘電体とで共振ユニットを構
成し、少なくともｌＩ接する一対の共振ユニット闇の誘
電体ブロックの外表面に凹部を設けて一対の共振ユニッ
ト閤の結合度を設定したことを特徴とする分布定数形フ
ィルタである。
を一定閤陽をおいて並んだ状態で誘電体ブロックに設け
、この貫通孔内面に導電膜を設けるとともに誘電体ブロ
ックの少なくとも西側面に導電膜を設け、貫通孔内面に
設けた導電膜と、誘電体ブロックの少なくとも西側面に
設けた導電膜と、介在する誘電体とで共振ユニットを構
成し、少なくともｌＩ接する一対の共振ユニット闇の誘
電体ブロックの外表面に凹部を設けて一対の共振ユニッ
ト閤の結合度を設定したことを特徴とする分布定数形フ
ィルタである。
以下にこの発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図はこの発明の一実施例の等価回路図である。
図において、１は入力端子、２は出力端子、３は入力結
合静電容量、４は出力結合静電容量、５゜６は１／４波
長共振回路を集中定数回路として示したものである。し
たがって、実施例は、１／４波長共振回路同士は誘導結
合され、外部回路と、１／４波長共振回路とが静電容量
結合されたフィルタである。第２図〜第７図ｉその具体
的構造の一例を示す。図において、１０は酸化チタン系
のセラミック誘電体からなる立方体状の誘電体ブロック
、１１．１２は貫通孔で、一定間隔をおいて並んだ状態
で誘電体ブロック１０に設けである。１３．１４はそれ
ぞれ貫通孔１１ 、１’２の内面に設けた導電膜、１５
は、誘電体プロツク１０の少なくとも西側面に設けた導
電膜である。１６は誘電体ブロック１ｏの底面に設けた
導電膜であって、導電膜１３，１４の一端側と導電膜１
５を短絡して１／４波長共振を生じさせるためのもので
ある。１７は導電膜１３の他端側に接続される入力結合
用コンデンサで、円柱状誘電体１８に対向電極１９．２
６を有したものである。よりくわしくのべると、導電膜
１３の他端側には、導電体たとえば金属円柱体あるいは
導電ペーストからなる取付部材２１を電気的かつ機械的
に接続固定してあり、対向電極２０をこの取付部材２１
に電気的かつ機械的に接続固定しである。２２は導電膜
１４の他端側に接続される出力結合用コンデンサで、円
柱状誘電体２３に対向電極２４．２５を有したものであ
る。よりくわしくのべると、導電１１４の他端側には導
電体たとえば金属円柱体あるいは導電ペーストからなる
取付部材２６を電気的かつ機械的に接続固定してあり、
対向電極２５をこの取付部材２６に電気的かつ機械的に
接続固定しである。誘電体１０の誘電率によって短縮さ
れた導電膜１３あるいは１４の電気長で共振周波数が決
定される。電気長は図示実施例のように、１／４波長で
もよいし１／２波長でもよい。１／２波長のときは、導
電膜１６は不要である。なお、各図の導電膜、電極は理
解のために強調された膜厚で描いている。いずれにして
も、この実施例では二つの共振ユニットが構成されてい
る。各共振ユニットはオツドモード、イブンモードによ
って結合されている。２７は結合度設定のための凹部で
あって、誘電体ブロック１０の外側面であって共振ユニ
ット閤の部位に設けられている。
合静電容量、４は出力結合静電容量、５゜６は１／４波
長共振回路を集中定数回路として示したものである。し
たがって、実施例は、１／４波長共振回路同士は誘導結
合され、外部回路と、１／４波長共振回路とが静電容量
結合されたフィルタである。第２図〜第７図ｉその具体
的構造の一例を示す。図において、１０は酸化チタン系
のセラミック誘電体からなる立方体状の誘電体ブロック
、１１．１２は貫通孔で、一定間隔をおいて並んだ状態
で誘電体ブロック１０に設けである。１３．１４はそれ
ぞれ貫通孔１１ 、１’２の内面に設けた導電膜、１５
は、誘電体プロツク１０の少なくとも西側面に設けた導
電膜である。１６は誘電体ブロック１ｏの底面に設けた
導電膜であって、導電膜１３，１４の一端側と導電膜１
５を短絡して１／４波長共振を生じさせるためのもので
ある。１７は導電膜１３の他端側に接続される入力結合
用コンデンサで、円柱状誘電体１８に対向電極１９．２
６を有したものである。よりくわしくのべると、導電膜
１３の他端側には、導電体たとえば金属円柱体あるいは
導電ペーストからなる取付部材２１を電気的かつ機械的
に接続固定してあり、対向電極２０をこの取付部材２１
に電気的かつ機械的に接続固定しである。２２は導電膜
１４の他端側に接続される出力結合用コンデンサで、円
柱状誘電体２３に対向電極２４．２５を有したものであ
る。よりくわしくのべると、導電１１４の他端側には導
電体たとえば金属円柱体あるいは導電ペーストからなる
取付部材２６を電気的かつ機械的に接続固定してあり、
対向電極２５をこの取付部材２６に電気的かつ機械的に
接続固定しである。誘電体１０の誘電率によって短縮さ
れた導電膜１３あるいは１４の電気長で共振周波数が決
定される。電気長は図示実施例のように、１／４波長で
もよいし１／２波長でもよい。１／２波長のときは、導
電膜１６は不要である。なお、各図の導電膜、電極は理
解のために強調された膜厚で描いている。いずれにして
も、この実施例では二つの共振ユニットが構成されてい
る。各共振ユニットはオツドモード、イブンモードによ
って結合されている。２７は結合度設定のための凹部で
あって、誘電体ブロック１０の外側面であって共振ユニ
ット閤の部位に設けられている。
その深さ、幅、形状によって結合度を目的値に設定する
。第５図示例は、対向する外側面に一対の四部２７．２
７を設けであるが、この場合、凹部２７を設けない場合
に比べ結合度が小さくなる。まＩ、：、第６図に示すよ
うに、どちらか一方の外側面にのみ凹部２７を設けたと
きは、凹部２７を設けない場合もよい。
。第５図示例は、対向する外側面に一対の四部２７．２
７を設けであるが、この場合、凹部２７を設けない場合
に比べ結合度が小さくなる。まＩ、：、第６図に示すよ
うに、どちらか一方の外側面にのみ凹部２７を設けたと
きは、凹部２７を設けない場合もよい。
以上の構造は結合度を粗設定する場合に好適だが、結合
度を微設定したいときは、第７図に例示するように図の
上下方向に深さを有する凹部２７′を設ける。凹ａｌ１
２７′は誘電体ブロック１０の底面のみならず、上面あ
るいは上面および底面の両方に設けてもよい。もちろん
、凹部２７と併用してもよいし、単独で用いてもよい。
度を微設定したいときは、第７図に例示するように図の
上下方向に深さを有する凹部２７′を設ける。凹ａｌ１
２７′は誘電体ブロック１０の底面のみならず、上面あ
るいは上面および底面の両方に設けてもよい。もちろん
、凹部２７と併用してもよいし、単独で用いてもよい。
第８図は別の実施例を示し、上記実施例における入力結
合用コンデンサ１７、出力結合用コンデンサ２２を省略
しようとするものである。２８は入力端子ビン、２９は
出力端子ビンである。ビン２８は、導電膜１３に近接さ
せて、導電＠１３からみて外側の誘電体ブロック１０部
分に埋めこ°まれでいる。同様にビン２９は、導電ＷＩ
Ａ１４に近接させて、導電膜１４からみて外側の誘電体
７０７０１０部分に埋めこまれている。したがって、入
力端子ビン２８と導電膜１３間には一定容量の静電容−
が存在し、出力端子ビン２９と導電１９１４間にも一定
容量の静電容量が存在することになる。この第８図示構
造は、第２図〜第７図示構造のものよりコンデンサ２個
が省略され、より構造が簡単になるとともにコストダウ
ンが達成できる。第９図はさらに別の実施例を示す。
合用コンデンサ１７、出力結合用コンデンサ２２を省略
しようとするものである。２８は入力端子ビン、２９は
出力端子ビンである。ビン２８は、導電膜１３に近接さ
せて、導電＠１３からみて外側の誘電体ブロック１０部
分に埋めこ°まれでいる。同様にビン２９は、導電ＷＩ
Ａ１４に近接させて、導電膜１４からみて外側の誘電体
７０７０１０部分に埋めこまれている。したがって、入
力端子ビン２８と導電膜１３間には一定容量の静電容−
が存在し、出力端子ビン２９と導電１９１４間にも一定
容量の静電容量が存在することになる。この第８図示構
造は、第２図〜第７図示構造のものよりコンデンサ２個
が省略され、より構造が簡単になるとともにコストダウ
ンが達成できる。第９図はさらに別の実施例を示す。
第９図の分布定数形フィルタにおいては、内面に導電膜
１３，１４を夫々形成した誘電体ブロック１０の孔１１
．１２に、第１０図に示すような誘電体ユニット４１，
４１を夫々圧入している。
１３，１４を夫々形成した誘電体ブロック１０の孔１１
．１２に、第１０図に示すような誘電体ユニット４１，
４１を夫々圧入している。
上記誘電体ユニット４１は、第１０図に示すように直径
が例えば０．５１１１φの導線４２の一部に、プシスす
るようにしたものであって、上記誘電体ユニット４１の
先端部には、誘電体ブロック１０の孔１１．１２への圧
入を容易にするため、テーバ部４３を設Ｕる一方、上記
誘電体ユニット４１の後端部には、誘電体プロツク１０
の上記孔１１．１２の導電膜１５の非形成側の開口周縁
に当て止めされるフランジ部４４を段けている。
が例えば０．５１１１φの導線４２の一部に、プシスす
るようにしたものであって、上記誘電体ユニット４１の
先端部には、誘電体ブロック１０の孔１１．１２への圧
入を容易にするため、テーバ部４３を設Ｕる一方、上記
誘電体ユニット４１の後端部には、誘電体プロツク１０
の上記孔１１．１２の導電膜１５の非形成側の開口周縁
に当て止めされるフランジ部４４を段けている。
上記誘電体ユニット４１．４１は、第９図に示すように
、そのテーバ部４３．４３側から、内面に導電膜１３．
１４を形成した誘電体ブロック１０の上記孔１１，１２
に誘電体ユニット４１．４１の７ランジ部４４．４４が
誘電体ブロック１０に当接するまで圧入している。
ｌ上記のようにすれば、導線４２．４２と誘電体ブ
ロック１０の孔１１．１２の内面に形成された導電膜１
３゜１４は、誘電体ユニット４１．４１の誘電体部分に
より静電結合されることになり、第２図のような入力用
コンデンサ１７や出り結合用コンデンサ２２は不要とな
る。
、そのテーバ部４３．４３側から、内面に導電膜１３．
１４を形成した誘電体ブロック１０の上記孔１１，１２
に誘電体ユニット４１．４１の７ランジ部４４．４４が
誘電体ブロック１０に当接するまで圧入している。
ｌ上記のようにすれば、導線４２．４２と誘電体ブ
ロック１０の孔１１．１２の内面に形成された導電膜１
３゜１４は、誘電体ユニット４１．４１の誘電体部分に
より静電結合されることになり、第２図のような入力用
コンデンサ１７や出り結合用コンデンサ２２は不要とな
る。
従うて、入力結合用コンデン′す１７ヤ出力結合用コン
デンサ２２の場合のような面倒な取付は作業の必要はな
くなる。
デンサ２２の場合のような面倒な取付は作業の必要はな
くなる。
以上の実施例からもあきらかなように、この発明の分布
定数フィルタは、少なくとも二つの貫通孔を一定間隔を
おいて並んだ状態で誘電体ブロックに設け、この貫通孔
内面に導電膜を設けるとともに誘電体ブロックの少なく
とも四側面に導電膜を設け、貫通孔内面に′設けた導電
膜と、誘電体ブロックの少なくとも四側面に設けた導電
膜と、介在する誘電体とで共振ユニットを構成し、少な
くとも隣接する一対の共振ユニット園の誘電体ブロック
の外表面に凹部を設けて一対の共振ユニット間の結合度
を設定したものであるから、導電膜形成が能率的に行な
える構造であるといえ、また、結合度設定可能範囲が従
来のものに比べ１０倍以りに拡がって、種々の帯域特性
のフィルタを能率よく製造できる。
定数フィルタは、少なくとも二つの貫通孔を一定間隔を
おいて並んだ状態で誘電体ブロックに設け、この貫通孔
内面に導電膜を設けるとともに誘電体ブロックの少なく
とも四側面に導電膜を設け、貫通孔内面に′設けた導電
膜と、誘電体ブロックの少なくとも四側面に設けた導電
膜と、介在する誘電体とで共振ユニットを構成し、少な
くとも隣接する一対の共振ユニット園の誘電体ブロック
の外表面に凹部を設けて一対の共振ユニット間の結合度
を設定したものであるから、導電膜形成が能率的に行な
える構造であるといえ、また、結合度設定可能範囲が従
来のものに比べ１０倍以りに拡がって、種々の帯域特性
のフィルタを能率よく製造できる。
なお、共振ユニットの段数は二段に限定されるものでは
なく、任意段設けることができるし、インターディジタ
ル形に共振ユニットを配ｆＩＱスることもできる。また
凹部に、誘電体ブロックを形成する材料とは別の誘電体
、材料を充填した後、導電膜を形成してもよい。
なく、任意段設けることができるし、インターディジタ
ル形に共振ユニットを配ｆＩＱスることもできる。また
凹部に、誘電体ブロックを形成する材料とは別の誘電体
、材料を充填した後、導電膜を形成してもよい。
第１図は、この発明の一実施例等価回路図、第２図は、
同、正面図、第３図は、同、左側面図、第４図は、同、
右側面図、第５図は、同、平面図第６図は、同、裏面図
、第１図は、同、断面図、第８図はいま一つの実施例の
断面図、第９図は、いま一つの実施例の断面図、第１０
図は誘電体ユニットの正１図。 ３は入力結合静電容量、４は出力結合静電古参５．６は
１／４波長共振回路、２７．２７ ’ は凹部。 特 許 出 願 人 図面の浄書（内容に変更なし） 埴３図 増４ｍ 躬５ＩＢ 第４図 第７ｍ 手続補正書（方式） 昭和５７年 ５ 月２７日 特許庁長官殿 昭和５６年特許願 第２１１５９５号 ２、発明の名称 分布定数形フィルタ ３、補正をする者 代表者 科 由 昭 ４、補正命令の日付 昭和５７年４月２７日（発送日） ５、補正により増加する発明の数 なし １ ７、補正の内容 願書、明細書および図面の浄書 （内容に変東なし）
同、正面図、第３図は、同、左側面図、第４図は、同、
右側面図、第５図は、同、平面図第６図は、同、裏面図
、第１図は、同、断面図、第８図はいま一つの実施例の
断面図、第９図は、いま一つの実施例の断面図、第１０
図は誘電体ユニットの正１図。 ３は入力結合静電容量、４は出力結合静電古参５．６は
１／４波長共振回路、２７．２７ ’ は凹部。 特 許 出 願 人 図面の浄書（内容に変更なし） 埴３図 増４ｍ 躬５ＩＢ 第４図 第７ｍ 手続補正書（方式） 昭和５７年 ５ 月２７日 特許庁長官殿 昭和５６年特許願 第２１１５９５号 ２、発明の名称 分布定数形フィルタ ３、補正をする者 代表者 科 由 昭 ４、補正命令の日付 昭和５７年４月２７日（発送日） ５、補正により増加する発明の数 なし １ ７、補正の内容 願書、明細書および図面の浄書 （内容に変東なし）
Claims (1)
- 少なくとも二つの貫通孔を一定閤陽をおいて並んだ状態
で誘電体プロツクに設け、この貫通孔内面に導電膜を設
けるとともに誘電体ブロックの少なくとも四側面に導電
膜を設け、貫通孔内面に設けた導電膜と、誘電体ブロッ
クの少なくとも四側向に設けた導電膜と、介在する誘電
体とで共振ユニットをＩＩＲし、少なくとも隣接する一
対の共振ユニット闇の誘電体ブロック分外表面に凹部を
設けて一対の共振ユニット圀の結合度を設定したことを
特徴とする分布定数形フィルタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21159581A JPS58114601A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 分布定数形フイルタ |
| US06/431,184 US4464640A (en) | 1981-10-02 | 1982-09-30 | Distribution constant type filter |
| GB08228112A GB2109641B (en) | 1981-10-02 | 1982-10-01 | Distributed constant type filter |
| FR8216630A FR2514215B1 (fr) | 1981-10-02 | 1982-10-04 | Filtre du type a constante de distribution |
| DE19823236664 DE3236664A1 (de) | 1981-10-02 | 1982-10-04 | Filter vom distributionskonstanten-typ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21159581A JPS58114601A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 分布定数形フイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114601A true JPS58114601A (ja) | 1983-07-08 |
| JPS638642B2 JPS638642B2 (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16608360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21159581A Granted JPS58114601A (ja) | 1981-10-02 | 1981-12-28 | 分布定数形フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114601A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6152003A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-14 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPS61201501A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波ろ波器 |
| JPS62157401A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPS6364402A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPS6390202A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波ろ波器 |
| JPS63191705U (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-09 | ||
| JPH0238804U (ja) * | 1988-09-03 | 1990-03-15 | ||
| CN113451728A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-28 | 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） | 小型化t型双模谐振器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0329925D0 (en) | 2003-12-24 | 2004-01-28 | Eastman Kodak Co | Imaging element having improved durability |
Citations (7)
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1981
- 1981-12-28 JP JP21159581A patent/JPS58114601A/ja active Granted
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Also Published As
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|---|---|
| JPS638642B2 (ja) | 1988-02-24 |
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