JPS58108019A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPS58108019A JPS58108019A JP56205263A JP20526381A JPS58108019A JP S58108019 A JPS58108019 A JP S58108019A JP 56205263 A JP56205263 A JP 56205263A JP 20526381 A JP20526381 A JP 20526381A JP S58108019 A JPS58108019 A JP S58108019A
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- Y10T29/4906—Providing winding
- Y10T29/49064—Providing winding by coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気録音機、磁気ディスク装置等に使用される
薄膜磁気ヘッドに関する。
薄膜磁気ヘッドに関する。
高密度配鋒、再生を行危うために薄膜磁気ヘッドは多巻
線化される傾向にある。しかるにその際、導体層間の絶
縁性が良好で、かつギャップ長が小さいことが要求され
る。しかし導体層間の絶縁性を良好外らしめるためには
、絶縁層の厚さを成る程度の厚さにする必要がある。一
方、ギャップ長を小さくする丸めには絶縁層の厚さを可
能な限抄薄くすることが要求され、両者は互に相反する
亀のである。
線化される傾向にある。しかるにその際、導体層間の絶
縁性が良好で、かつギャップ長が小さいことが要求され
る。しかし導体層間の絶縁性を良好外らしめるためには
、絶縁層の厚さを成る程度の厚さにする必要がある。一
方、ギャップ長を小さくする丸めには絶縁層の厚さを可
能な限抄薄くすることが要求され、両者は互に相反する
亀のである。
またさらにギャップ探さも、ギャップ部の磁束密度の関
連から正確に制御することが要求される。
連から正確に制御することが要求される。
本発明は上記にかんがみなされたもので、導体層間の絶
縁性を充分に維持でき、ギャップ長゛を小さくでき、か
つギャップ深さの制御も容易に行危い得るとともに、ヘ
ッド効率の良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
縁性を充分に維持でき、ギャップ長゛を小さくでき、か
つギャップ深さの制御も容易に行危い得るとともに、ヘ
ッド効率の良好な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的
とするものである。
この目的は本発明によれば、基板上に下部磁性薄膜を形
成し、該下部磁性薄膜上にそれぞれ絶縁層を介して少な
くとも下部導体層、上部導体層を形成し、さらにその上
に絶縁層を介して上部磁性薄膜を形成し九多層多巻線の
薄膜磁気ヘッドにおいて、下部導体層と下部導体層下側
の絶縁層とからなる部分の断面形状が下部磁性薄膜上に
載置され九第1の台形を形成し、上部導体層下、側の絶
縁層の断面外形が第1の台形を内部に含みかつ下部磁性
薄膜上に載置された第2の台形を形成し、上部導体層の
断面形状が第2の台形とほぼ相似形であってかつ第2の
台形上に載置された第3の台形を形成し、上部導体層上
側の絶縁層のみをギャップ先端側端部にまで延長してギ
ャップを形成せしめることにより達成される。
成し、該下部磁性薄膜上にそれぞれ絶縁層を介して少な
くとも下部導体層、上部導体層を形成し、さらにその上
に絶縁層を介して上部磁性薄膜を形成し九多層多巻線の
薄膜磁気ヘッドにおいて、下部導体層と下部導体層下側
の絶縁層とからなる部分の断面形状が下部磁性薄膜上に
載置され九第1の台形を形成し、上部導体層下、側の絶
縁層の断面外形が第1の台形を内部に含みかつ下部磁性
薄膜上に載置された第2の台形を形成し、上部導体層の
断面形状が第2の台形とほぼ相似形であってかつ第2の
台形上に載置された第3の台形を形成し、上部導体層上
側の絶縁層のみをギャップ先端側端部にまで延長してギ
ャップを形成せしめることにより達成される。
以下、本発明を実施例により説明する。
第1図および第2図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す図で
あシ、第3図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示
す図である。
あシ、第3図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示
す図である。
第1図に示す従来の薄膜磁気ヘッドは基板1上に、パー
マロイ等からなる下部磁性薄膜2a を設け、その上
に第1の絶縁層3a を形成し、第1の絶縁層3a を
エツチングした後、下部導体層4aをエツチング等の手
段によシ第1の絶縁層3a 上の必要部分に設け、更に
第2の絶縁層3b を設け、第2の絶縁層3b 上の必
要部分に上部導体層4bを設けた後、上部導体層4b
および第2の絶縁層3b上に第3の絶縁層3c を形成
し、最上部に上部磁性薄膜2b を形成している。
マロイ等からなる下部磁性薄膜2a を設け、その上
に第1の絶縁層3a を形成し、第1の絶縁層3a を
エツチングした後、下部導体層4aをエツチング等の手
段によシ第1の絶縁層3a 上の必要部分に設け、更に
第2の絶縁層3b を設け、第2の絶縁層3b 上の必
要部分に上部導体層4bを設けた後、上部導体層4b
および第2の絶縁層3b上に第3の絶縁層3c を形成
し、最上部に上部磁性薄膜2b を形成している。
しかるに第1図に示す薄膜磁気ヘッドにおいては、ギャ
ップ長L1 は第2および第3の絶縁層3bおよび3
c の厚さの和となシ、ギャップ長Ll を小さくす
るためには第2および第3の絶縁層3bおよび3c の
厚さを薄くせねばならず、絶縁層の厚さを−くすれば絶
縁性が悪化する。またさらに下部導体層41 と上部
導体層4b の位置により上部磁性薄膜2b のテーパ
部分に段差が生じておシ、磁気特性が悪くなるために磁
気ヘッド効率が悪くなる。また、ギャップ深さDはギャ
ップ先端から導体層先端までの距離となるため、第1の
絶縁層3m のギヤツブ側先端人の位置を正確に制御す
る必要が−ある。この丸めにマスク位置合せに高精度が
要求される。
ップ長L1 は第2および第3の絶縁層3bおよび3
c の厚さの和となシ、ギャップ長Ll を小さくす
るためには第2および第3の絶縁層3bおよび3c の
厚さを薄くせねばならず、絶縁層の厚さを−くすれば絶
縁性が悪化する。またさらに下部導体層41 と上部
導体層4b の位置により上部磁性薄膜2b のテーパ
部分に段差が生じておシ、磁気特性が悪くなるために磁
気ヘッド効率が悪くなる。また、ギャップ深さDはギャ
ップ先端から導体層先端までの距離となるため、第1の
絶縁層3m のギヤツブ側先端人の位置を正確に制御す
る必要が−ある。この丸めにマスク位置合せに高精度が
要求される。
また第2図に示す従来の薄膜磁気ヘッドは第1図に示す
従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、上部導体層4b のギ
ャップ先端側端部Bを下部導体層4mのギャップ先端側
端部Cよりもギャップ先端側に位置せしめ、第1の絶縁
層3a のギャップ先端側端部Eを下部導体層4m の
ギャップ先端側端部Cと上部導体層4b のギャップ先
端側端部Bとの間に位置せしめている。
従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、上部導体層4b のギ
ャップ先端側端部Bを下部導体層4mのギャップ先端側
端部Cよりもギャップ先端側に位置せしめ、第1の絶縁
層3a のギャップ先端側端部Eを下部導体層4m の
ギャップ先端側端部Cと上部導体層4b のギャップ先
端側端部Bとの間に位置せしめている。
この場合においてはギャップ深さDはギャップ先端から
上部導体層4b のギャップ先端側端部Bまでの距離と
なり、第1の絶縁層an を形成する際のマスク位置合
せて余裕は大きくとれて、高精度を必要としなくなるが
、ギャップ長さは第1図に示し喪薄膜磁気ヘッドの場合
と同じであり、第2および第3の絶縁層3b および3
Q の厚さの和となり、ギャップ長L1 を小さくす
ることは困難である。tiさらに上部磁性薄膜2b の
テーパ部分においては段差が生じ磁気ヘッド効率が悪く
なる問題は第1図に示した薄膜磁気ヘッドの場合と同様
である。
上部導体層4b のギャップ先端側端部Bまでの距離と
なり、第1の絶縁層an を形成する際のマスク位置合
せて余裕は大きくとれて、高精度を必要としなくなるが
、ギャップ長さは第1図に示し喪薄膜磁気ヘッドの場合
と同じであり、第2および第3の絶縁層3b および3
Q の厚さの和となり、ギャップ長L1 を小さくす
ることは困難である。tiさらに上部磁性薄膜2b の
テーパ部分においては段差が生じ磁気ヘッド効率が悪く
なる問題は第1図に示した薄膜磁気ヘッドの場合と同様
である。
第3図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示してい
る。
る。
本実施例の薄膜磁気ヘッド社基板1上下部磁性薄膜2a
を形成し、下部磁性薄膜2a 上に第1の絶縁層3a
と下部導体層4哀 とを、第1の絶縁層3a と
下部導体層4a とによシ構成される部分が第1の台
形を形成するように設ける。また第2の絶縁層3b は
第2の台形を形成し、第1の台形が第2の台形内に含ま
れかつ第2の台形が下部磁性薄膜1上に載置されるよう
な形状に設ける。上部導体層4b も第3の台形状に
形成し、第3の台形はその下底が第2の台形の上底に等
しく第2の台形とほぼ相似形となるように形成する。第
3のt縁層3c は第2の台形および上部導体層4b
により形成される第4の台形上に形成し、その端部はギ
ャップ部にまで延長して設ける。また第3の絶縁層3c
上には上部磁性薄膜2b を形成する。
を形成し、下部磁性薄膜2a 上に第1の絶縁層3a
と下部導体層4哀 とを、第1の絶縁層3a と
下部導体層4a とによシ構成される部分が第1の台
形を形成するように設ける。また第2の絶縁層3b は
第2の台形を形成し、第1の台形が第2の台形内に含ま
れかつ第2の台形が下部磁性薄膜1上に載置されるよう
な形状に設ける。上部導体層4b も第3の台形状に
形成し、第3の台形はその下底が第2の台形の上底に等
しく第2の台形とほぼ相似形となるように形成する。第
3のt縁層3c は第2の台形および上部導体層4b
により形成される第4の台形上に形成し、その端部はギ
ャップ部にまで延長して設ける。また第3の絶縁層3c
上には上部磁性薄膜2b を形成する。
従って、本実施例によれば、ギャップ長L2 は第3の
絶縁層3c の厚さのみによって定まることKfkり、
第1〜第3の絶縁層38〜3cの厚さをtとすれば、第
1図および第2図に示した従来の薄膜磁気ヘッドの場合
の=1/2 となり、下部導体層4a と上部導体
層4b との間の絶縁、下部磁性薄膜21 と下部
導体層4m との間の絶縁および上部磁性薄膜2b
と上部導体層4b との間の絶縁を十分に保った状
態で、ギャップ長を小さくすることができる。ま九、上
部磁性薄膜2b のテーパ部分には段差が生じないため
に、磁気ヘッド効率も悪化しない。
絶縁層3c の厚さのみによって定まることKfkり、
第1〜第3の絶縁層38〜3cの厚さをtとすれば、第
1図および第2図に示した従来の薄膜磁気ヘッドの場合
の=1/2 となり、下部導体層4a と上部導体
層4b との間の絶縁、下部磁性薄膜21 と下部
導体層4m との間の絶縁および上部磁性薄膜2b
と上部導体層4b との間の絶縁を十分に保った状
態で、ギャップ長を小さくすることができる。ま九、上
部磁性薄膜2b のテーパ部分には段差が生じないため
に、磁気ヘッド効率も悪化しない。
また、ギャップ深さDについても第1および第2の台形
のギャップ側テーパを設定することにより、ギャップ側
に端部が近い方の下部または上部導体層41t&は4b
のギャップ側端部の位置を容易に設定することができ
るため、制御も容易である。
のギャップ側テーパを設定することにより、ギャップ側
に端部が近い方の下部または上部導体層41t&は4b
のギャップ側端部の位置を容易に設定することができ
るため、制御も容易である。
つぎに第3図に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
基板1上にパーマロイ等からなる下部磁性薄膜2、を形
成し、次に磁性薄膜2a上の必要部分に8i02から表
る第1の絶縁層3a を形成する。さらに第1の絶縁
層3a 上にAjからなる下部導体層4a を形成し、
下部導体層4a 上にレジスト材5a にてパターンを
形成する。上記の如く形成した基板1、下部磁性薄膜2
a1第1の絶縁層3as下部導体層匂 およびレジスト
材5m から々る第4図に示す部材を回転させながら、
40〜45度程度の入射角度α1 でイオンビームiを
投射してイオンビームエツチングを行なう。イオンビー
ムiの投射によるエツチング速度はAj と5i02
とでは同程度であり、パーマロイ薄膜ではAj、8i
03の場合のエツチング速度の173 程度である。
成し、次に磁性薄膜2a上の必要部分に8i02から表
る第1の絶縁層3a を形成する。さらに第1の絶縁
層3a 上にAjからなる下部導体層4a を形成し、
下部導体層4a 上にレジスト材5a にてパターンを
形成する。上記の如く形成した基板1、下部磁性薄膜2
a1第1の絶縁層3as下部導体層匂 およびレジスト
材5m から々る第4図に示す部材を回転させながら、
40〜45度程度の入射角度α1 でイオンビームiを
投射してイオンビームエツチングを行なう。イオンビー
ムiの投射によるエツチング速度はAj と5i02
とでは同程度であり、パーマロイ薄膜ではAj、8i
03の場合のエツチング速度の173 程度である。
またレジスト材5a をポジ型キノジアジド系レジスト
材としたときそのエツチング速度はAj s 8 t
Ozの場合の1/2 程度である。そこでイオンビーム
lの投射により、第1の絶縁層3a および下部導体層
4m は破線に示す形成にエツチングされて、第5図に
示す如く第1の台形状に形成される。この場合に下部磁
性薄膜2m のエツチング速度は遅く、第1の絶縁層S
、 S下部導体層4a のエツチングの完了時に磁性薄
膜2m のエツチング量は少なくオーバーエツチングと
はならない。またレジスト材5m の厚さを第1の絶縁
層3m の厚さ、まえは下部導体層4a の厚さと同程
度の厚さに選択しておくことによりエツチング終了時に
おいてレジスト材51 は無くなり、洗浄等を必要とし
ない。
材としたときそのエツチング速度はAj s 8 t
Ozの場合の1/2 程度である。そこでイオンビーム
lの投射により、第1の絶縁層3a および下部導体層
4m は破線に示す形成にエツチングされて、第5図に
示す如く第1の台形状に形成される。この場合に下部磁
性薄膜2m のエツチング速度は遅く、第1の絶縁層S
、 S下部導体層4a のエツチングの完了時に磁性薄
膜2m のエツチング量は少なくオーバーエツチングと
はならない。またレジスト材5m の厚さを第1の絶縁
層3m の厚さ、まえは下部導体層4a の厚さと同程
度の厚さに選択しておくことによりエツチング終了時に
おいてレジスト材51 は無くなり、洗浄等を必要とし
ない。
また第1の台形のテーパ角度01ハイオンヒームの入射
角度αl によって定まる。
角度αl によって定まる。
つぎに第1の台形に形成された下部導体層4a上に第2
の絶縁層3b1第2の絶縁層3b上に上部導体層4b
を第6図に示す如く形成する。また〜 、上部導体層4b上にレジスト部材6a にてノ・ター
ンを形成し、回転させながら再びイオンビームiを投射
してイオンビームエツチングを行なう。
の絶縁層3b1第2の絶縁層3b上に上部導体層4b
を第6図に示す如く形成する。また〜 、上部導体層4b上にレジスト部材6a にてノ・ター
ンを形成し、回転させながら再びイオンビームiを投射
してイオンビームエツチングを行なう。
この場合イオンビームの入射角α2 を前の入射角α1
と同一もしくは異ならしめて、エツチング後の第2の
台形のテーバ角度02 と第1の台形のテーバ角度0
1 とがe I J?# 2かまたは#2)#1の関
係となるようにして、第1の台形のテーパ部上に第2の
絶縁層3b のみが形成されているようにする。また、
イオンビームiの入射角度αl を変更せず、レジスト
材6a の厚さを調整することKよって4第1の台形の
テーパ部上に第2の絶縁層3b のみが形成されている
よう圧することもできる。第2回目のイオンビームエツ
チング後の形状は第7図に示す如くである。
と同一もしくは異ならしめて、エツチング後の第2の
台形のテーバ角度02 と第1の台形のテーバ角度0
1 とがe I J?# 2かまたは#2)#1の関
係となるようにして、第1の台形のテーパ部上に第2の
絶縁層3b のみが形成されているようにする。また、
イオンビームiの入射角度αl を変更せず、レジスト
材6a の厚さを調整することKよって4第1の台形の
テーパ部上に第2の絶縁層3b のみが形成されている
よう圧することもできる。第2回目のイオンビームエツ
チング後の形状は第7図に示す如くである。
ついで、第7図に示す基板1、下部磁性薄膜2a、第1
および第2の絶縁層3mおよび3b1下部および上部導
体層4m および4b からなる部材上に第3の絶縁層
3c を形成し、第3の絶縁層3c上に上部磁性薄膜2
b を形成する。
および第2の絶縁層3mおよび3b1下部および上部導
体層4m および4b からなる部材上に第3の絶縁層
3c を形成し、第3の絶縁層3c上に上部磁性薄膜2
b を形成する。
以上の如き方法により第3図に示し九本発明の一実施例
の薄膜磁気ヘッドを製造することができるO またこの場合において、テーパ角度01−#−02とし
たときは下部導体層4a のギャップ側端部とギャップ
先端までの距離がギャップ深さpとなり、テーバ角度θ
2〉01のときは第1および第2の絶縁層3aおよび3
cの厚さと下部導体層の厚さにより変るが通常上部導体
層4b のギャップ側端部とギャップ先端までの距離が
ギャップ深さDとなる。
の薄膜磁気ヘッドを製造することができるO またこの場合において、テーパ角度01−#−02とし
たときは下部導体層4a のギャップ側端部とギャップ
先端までの距離がギャップ深さpとなり、テーバ角度θ
2〉01のときは第1および第2の絶縁層3aおよび3
cの厚さと下部導体層の厚さにより変るが通常上部導体
層4b のギャップ側端部とギャップ先端までの距離が
ギャップ深さDとなる。
以上説明した如く本発明′によれば絶縁層を薄くするこ
となく、ギャップ長を小さくすることができ、さらに磁
気ヘッド効率も悪化するととはない。
となく、ギャップ長を小さくすることができ、さらに磁
気ヘッド効率も悪化するととはない。
また、ギャップ深さの設定本容易である。
第1図および第2図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す図。
第3図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを示す図。
第4図ないし第7図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法の説明に供する図。 1・・・・・・基板、2m ・・・・・・下部磁性薄膜
、2b ・・・・・・上部磁性薄膜、3as3bおよび
3c・・・・・・絶縁層、4a ・・・・・・下部導体
層、4b ・・・・・・上部導体層。 特許出願人 トリオ株式会社 代理人 弁理士 砂子信夫 第1VA 第 2 図 第4図 第5図 第6図
ドの製造方法の説明に供する図。 1・・・・・・基板、2m ・・・・・・下部磁性薄膜
、2b ・・・・・・上部磁性薄膜、3as3bおよび
3c・・・・・・絶縁層、4a ・・・・・・下部導体
層、4b ・・・・・・上部導体層。 特許出願人 トリオ株式会社 代理人 弁理士 砂子信夫 第1VA 第 2 図 第4図 第5図 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に下部磁性薄膜を形成し、該下部磁性薄膜上にそ
れぞれ絶縁層を介して少なくとも下部導体層、上部導体
層を形成し、さらにその上に絶縁層を介して上部磁性薄
膜を形成し九多層寝巻線の薄膜磁気ヘッドにおいて、下
部導体層と下部導体層下側の絶縁層とからなる部分の断
面形状が下部磁性薄膜上に載置された第1の台形を形成
し、上部導体層下側の絶縁層の断面形状が第1の台形を
内部に含みかつ下部磁性薄膜上に載置された第2の台形
を形成し、上部導体層の断面形状が第2の番 台形とほぼ相以形であってかつ第2の台形上に載置され
た第3の台形を形成し、上部導体層上側の絶縁層のみを
ギャップ先端側端部Kまで延長してギャップを形成せし
めてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56205263A JPS58108019A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US07/165,076 US4804816A (en) | 1981-12-21 | 1988-03-07 | Method of making a thin-film magnetic head having a multi-layered coil structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP56205263A JPS58108019A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS58108019A true JPS58108019A (ja) | 1983-06-28 |
JPS6118250B2 JPS6118250B2 (ja) | 1986-05-12 |
Family
ID=16504080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP56205263A Granted JPS58108019A (ja) | 1981-12-21 | 1981-12-21 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
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JP (1) | JPS58108019A (ja) |
Cited By (1)
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JPS61271609A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-01 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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1981
- 1981-12-21 JP JP56205263A patent/JPS58108019A/ja active Granted
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1988
- 1988-03-07 US US07/165,076 patent/US4804816A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61271609A (ja) * | 1985-05-28 | 1986-12-01 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
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US4804816A (en) | 1989-02-14 |
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