JPS58102487A - Method of producing el display unit - Google Patents
Method of producing el display unitInfo
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- JPS58102487A JPS58102487A JP56202295A JP20229581A JPS58102487A JP S58102487 A JPS58102487 A JP S58102487A JP 56202295 A JP56202295 A JP 56202295A JP 20229581 A JP20229581 A JP 20229581A JP S58102487 A JPS58102487 A JP S58102487A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明はＥｌ（−エレクトロルミネッセンス以下ＥＬと
称する）表示装置において発光色の異なるＥＬ層を２次
元的に配設した多色ＥＬＬ示装置の製造方法の改良に関
するものである。Detailed Description of the Invention (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a multicolor ELL display device in which EL layers emitting different colors of light are two-dimensionally arranged in an EL (electroluminescence, hereinafter referred to as EL) display device. This invention relates to improvements in manufacturing methods.
（２） 技術の背景
近来発光色の異なるＥＬ層を２次元的に配設し、二色以
上の発光色を有するカラーＥＬ表示装置の開発が望まれ
ている。(2) Background of the Technology Recently, there has been a desire to develop a color EL display device that has two-dimensionally arranged EL layers that emit light of different colors and emit light of two or more colors.
（８）従来技術と問題点
このようなカラーＥＬ表示装置の製造方法の説明に入る
前に従来のＥＬＬ示装置の製造方法について第１図を用
いながら説明する。(8) Prior Art and Problems Before entering into a description of a method of manufacturing such a color EL display device, a conventional method of manufacturing an ELL display device will be described with reference to FIG.
すなわち透明なガラス基板１上に透明な線状のインジウ
ム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる前面電極２を平行に多数
配設し、それら前面型＃Ａ２表面を含むガラス基板１表
面に酸化イツトリウム（Ｙｓｒｓ）よりなる第１の誘電
体ノー８を介して硫化亜鉛（ＺｎＳ）のようなＥＬ）＠
４を形成する。さらに該ＥＬ層層上上Ｙ、Ｏｓよりなる
第２の誘電体層５を介して線状の例えばアルミニウム（
ム１）よりなる背面電極６を前記前面電極２と直交する
関係で並設する。That is, a large number of transparent linear front electrodes 2 made of indium tin oxide (ITO) are arranged in parallel on a transparent glass substrate 1, and yttrium oxide (Ysrs ) through a first dielectric material No. 8 consisting of EL such as zinc sulfide (ZnS) @
form 4. Further, on the EL layer, a linear, e.g.
A back electrode 6 made of a metal oxide film 1) is arranged in parallel with the front electrode 2 in a relationship perpendicular to the front electrode 2.
そして前面電極２と背面電極６との各交点部つまり対向
領域で発光セルを構成し、これら発光セルからの光を絶
縁基板ｌ側より観察するようになっている。A light emitting cell is formed at each intersection between the front electrode 2 and the back electrode 6, that is, a facing region, and the light from these light emitting cells is observed from the insulating substrate l side.
ところで前記ＥＬＬ示装置に代って発光色の異なるＥＬ
層を２次元的に所定のパターンで配設し、二色以上の発
光色を有するカラーＥＬ表示装置の従来の製造方法につ
いて述べると、例えばｉ＠２図のようにガラス基板ｌ上
に透明なＩＴＯ電極２およびｙ、ｏ、の絶縁ｐＩＩＢを
形成後、該基板上にホトレジスト膜１１を塗布する。そ
の後該ホトレジスト膜を所定のパターンにホトリソグラ
フィ法を用いて窓開きする。そしてこの窓開きしたホト
レジスト膜をマスクとして硫化亜鉛（Ｚｎ８）に例えば
テルビウム（Ｔｂ）を添加して緑色に発光するＥＬ智１
２を蒸着によって所定のパターンに形成する。By the way, instead of the ELL display device, an EL display device that emits light of different colors
Regarding the conventional manufacturing method of a color EL display device which has two or more luminous colors by arranging layers two-dimensionally in a predetermined pattern, for example, as shown in Fig. After forming the ITO electrode 2 and the insulating pIIB of y, o, a photoresist film 11 is applied on the substrate. Thereafter, the photoresist film is opened into a predetermined pattern using photolithography. Using this window-opened photoresist film as a mask, for example, terbium (Tb) is added to zinc sulfide (Zn8) to produce an EL chip that emits green light.
2 is formed into a predetermined pattern by vapor deposition.
その後該ホトレジスｌＪ［１１を除去して再びホトレジ
ス）［を塗布したのち前記形成したＥＬ層１２に隣接し
た箇所を窓開きして、その部分に例えばサマリウム８ｍ
を添加したＺｎ８層を添加して赤色に発光するＥＬ＆図
示せず）を蒸着によって形成する。またこの他に蒸着マ
スクを用いて所定のパターン毎に発光色の異なるＥＬ層
を蒸着により形成していた。このようにして所定のｚｆ
ターン毎に発光色が変化するＥＬ層とホトリソグラフィ
法および蒸着法によって形成してから前面電機と背面電
極間の所定の位置に所定の電圧を印加して所望の発光色
を得ていた。After that, the photoresist lJ[11 was removed and the photoresist)
An EL layer (not shown) that emits red light is formed by vapor deposition. In addition, EL layers emitting different colors of light are formed in predetermined patterns by vapor deposition using a vapor deposition mask. In this way, a given zf
An EL layer whose luminescent color changes with each turn is formed by photolithography and vapor deposition, and then a predetermined voltage is applied to a predetermined position between the front electrode and the back electrode to obtain a desired luminescent color.
しかしこのような方法であると工程が複雑で工数がかか
りすぎる欠点があり、また形成されるＥＬ表示装置の解
像度を上げるためには出来るだけ発光色の異なるＥＬ層
を微少なパターンで形成しなければならないので工程が
余計複雑なものとなり、上記した方法は実用的ではない
。However, this method has the disadvantage that the process is complicated and requires too many man-hours, and in order to increase the resolution of the EL display device that is formed, it is necessary to form EL layers with different emission colors in minute patterns as much as possible. This makes the process even more complicated and the above method is not practical.
（４）発明の目的
本発明は上記した欠点を除去し、簡単な工程で容易に二
色以上の発光色を有するカラーＥＬ表示装置が製造でき
得るよりなＥＬ表示装置の製造方法の提供を目的とする
ものである。(4) Purpose of the Invention The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing an EL display device that eliminates the above-mentioned drawbacks and can easily manufacture a color EL display device that emits two or more colors using simple steps. That is.
（５） 発明の構成
かかる目的を達成するためのＥＬ表示装置の製造方法は
ζ７ＥＬ層を熱処理温度によって発光色の異なる材料で
形成した後、咳ＥＬ層を所定パターン毎に熱処理湿度を
異ならせて熱処理することに―
より部分的に発光色を変化させることを特徴とするもの
である。(5) Structure of the Invention A method for manufacturing an EL display device to achieve the above object is to form the ζ7EL layer with a material that emits light in a different color depending on the heat treatment temperature, and then heat the EL layer with different humidity for each predetermined pattern. It is characterized by the fact that the color of the emitted light is partially changed by heat treatment.
（６）発明の実施例
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明す
る。(6) Embodiment of the Invention An embodiment of the invention will be described below in detail with reference to the drawings.
第８図は本発明の方法によって形成したＥＬ表示装置の
断面図で、第４図および第６図は本発明の方法によって
形成したＥＬ表示装置のＥＬ層の発光スペクトルを示す
図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an EL display device formed by the method of the present invention, and FIGS. 4 and 6 are diagrams showing the emission spectrum of the EL layer of the EL display device formed by the method of the present invention.
本発明のＫＬ表示装置の製造方法はまず第８図に示すよ
うに透明なガラス基板２１上に所定パターンのＩＴＯよ
りなる透明な前面電極２２を所定ノ＜ターンに線状に蒸
着およびホトリソグラフィ法を用いて形成する。その後
該基板上にＹ、Ｏａよりなるｉ＠ｌの絶縁体層２８を形
成してからその後、該ガラス基板上に弗化エルビウム（
ｋ；ｒＦｓ）を８重量％添加したＺｎ８よりなるＥＬ層
２４を蒸着によって形成する。その後ｆｉ、ＥＬ層２４
の所定箇所に出力１０〜５０Ｗ程度のアルゴン（Ａｒ）
イオンレーザ−によって直径５〜６ＩＲｎのレーザビー
ムを照射して前記ＥＬ層２４の所定箇所２４Ａを８５０
℃の温度で所定時間熱処理する。As shown in FIG. 8, the method for manufacturing the KL display device of the present invention begins by linearly depositing a transparent front electrode 22 made of ITO in a predetermined pattern on a transparent glass substrate 21 in a predetermined turn, and then using photolithography. Form using. Thereafter, an i@l insulator layer 28 made of Y and Oa is formed on the substrate, and then erbium fluoride (
An EL layer 24 made of Zn8 to which 8% by weight of k; rFs) is added is formed by vapor deposition. After that, fi, EL layer 24
Argon (Ar) with an output of about 10 to 50 W is applied to the specified location of
A predetermined portion 24A of the EL layer 24 is irradiated with a laser beam having a diameter of 5 to 6 IRn using an ion laser.
Heat treatment is performed at a temperature of ℃ for a predetermined time.
この温度で熱処理したＥＬ層の発光特性を第４図に示す
。図示するようにこの８５０°Ｃの温度で熱処理したＥ
Ｌ層は緑色の波長である５５０ｎｍ（ナノメーター）の
波長領域で最も発光スペクトル強度が強く緑色にＥＬ層
が発光する。次にムｒイオンレーザのビームの照射位−
をプリズム等を用いて変化させてＥＬ層の２８Ｂの位置
を照射するようにし、゛かつビームの出力を上昇させて
６５０℃の温度で所定時間熱処理する。この５５０°Ｃ
の温度で熱処理したＥＬ層の発光特性を第５図に示す。The luminescent characteristics of the EL layer heat-treated at this temperature are shown in FIG. As shown in the figure, E heat-treated at a temperature of 850°C
The L layer has the strongest emission spectrum intensity in the wavelength region of 550 nm (nanometers), which is the green wavelength, and the EL layer emits green light. Next, the beam irradiation position of the Mur ion laser -
The beam is changed using a prism or the like so that the position 28B of the EL layer is irradiated, and the beam output is increased to perform heat treatment at a temperature of 650° C. for a predetermined time. This 550°C
FIG. 5 shows the luminescence characteristics of the EL layer heat-treated at a temperature of .
図示するようにこの温度で熱処理したＥＬ層は６５０ｎ
ｍの波長領域で最も発光スペクトル強度が強く橙色から
赤色に近い状態でＥＬ層が発光する。As shown in the figure, the EL layer heat-treated at this temperature is 650nm.
The EL layer emits light in a state where the emission spectrum intensity is strongest in the wavelength region of m, and the color ranges from orange to red.
以上本実施例では熱処理温度は８５０’Ｃおよび６５０
℃に限定して熱処理したが、本実施例に用いたＥＬ層は
４００℃以下の温度で熱処理すると緑色に発光し、４０
０℃以上の温度で熱処理すると橙色から赤色に近い状態
で発光することを本発明者等は実験的に確認しているの
で、この範囲の温度であれば更に適当な温度で熱処理し
てもよい。As mentioned above, in this example, the heat treatment temperature was 850'C and 650'C.
Although the heat treatment was limited to a temperature of 400 °C, the EL layer used in this example emits green light when heat treated at a temperature of 400 °C or less.
The present inventors have experimentally confirmed that heat treatment at a temperature of 0°C or higher causes light to emit light in an orange to red color, so if the temperature is within this range, further heat treatment may be performed at an appropriate temperature. .
その後該基板上にＹｓＯａよりなる第２の絶縁体層２５
およびその上にム１よりなり前記前面電極２２に直交す
るように配設した１ｉＩＩ状の背面電極２６を形成する
。このようにして緑色を発光するＥＬ層の領域２４ムお
よび赤色を発光するＥＬ層の領域２４ＢをそなえたＥＬ
表示パネルを得ることができ、前面電極と背面電極を選
択的に組み合せて、その電極間に適当な交流電圧を印加
することにより所望の発光色を得ることができる。After that, a second insulating layer 25 made of YsOa is formed on the substrate.
A 1iII-shaped back electrode 26 is formed thereon and is made of a rubber 1 and is disposed perpendicularly to the front electrode 22. In this way, an EL device is provided with an EL layer region 24B that emits green light and an EL layer region 24B that emits red light.
A display panel can be obtained, and a desired luminescent color can be obtained by selectively combining the front electrode and the back electrode and applying an appropriate alternating current voltage between the electrodes.
なお、以上の実施例では交流電源で駆動するＥＬ表示装
置を例として述べたが、本発明はガラス基板上に一万の
電極を形成したのち誘電体膜を形成せずに直接前記Ｅｒ
Ｆａ を添加したＥＬ層を前述したように熱処理し、温
度を違えて形成し、その上に誘電体膜を形成せずに直接
対向電極を形成して直流電源で駆動するよりなＥＬ表示
装置にも適用できる。またレーザアニールの他に熱処理
の方法としては電子ビームを照射して熱処理してもよい
。In the above embodiments, an EL display device driven by an AC power supply was described as an example, but the present invention is to form 10,000 electrodes on a glass substrate and then directly apply the Er without forming a dielectric film.
An EL layer doped with Fa is heat-treated as described above, formed at different temperatures, and a counter electrode is directly formed on it without forming a dielectric film, thereby creating a better EL display device driven by a DC power source. can also be applied. In addition to laser annealing, as a heat treatment method, electron beam irradiation may be used for heat treatment.
（７）発明の効果
以上述べたように本発明のＥＬ表示装置の製造方法によ
れば、レーザアニールのような熱処理により発光色の異
なる領域を容易に区分して形成することができ、また形
成される表示装置が高解像度で低コストなものとなる利
点を有する。(7) Effects of the Invention As described above, according to the method of manufacturing an EL display device of the present invention, regions of different luminescent colors can be easily divided and formed by heat treatment such as laser annealing, and This has the advantage that the displayed display device can be of high resolution and low cost.
第１図は従来のＥＬ表示装置、第２図はｈＬ表示装置の
従来の製造方法を示す図、第８図は本発明のＥＬ表示装
置の製造方法を示す図、第４図、ｉ１！５図は本発明の
方法で熱処理したＥＬ層の発光特性を示す図である。
図において１．２１はガラス基板、２．２２は前面電極
、８．２８は第１の誘電体層、４．１２．２４．２４ム
、２４ＢはＥＬ層、５．２５は第２の誘電体層、６．２
６は背面電極、１１はホトレジスト膜、を示す。
第１ｒＩＢ
＠ ２ 図
第３図
第４図
第 ５１７！FIG. 1 is a diagram showing a conventional EL display device, FIG. 2 is a diagram showing a conventional manufacturing method of an hL display device, FIG. 8 is a diagram showing a manufacturing method of an EL display device of the present invention, FIG. 4, i1!5 The figure is a diagram showing the light emitting characteristics of an EL layer heat-treated by the method of the present invention. In the figure, 1.21 is the glass substrate, 2.22 is the front electrode, 8.28 is the first dielectric layer, 4.12.24.24, 24B is the EL layer, and 5.25 is the second dielectric layer. layer, 6.2
Reference numeral 6 indicates a back electrode, and reference numeral 11 indicates a photoresist film. 1st rIB @ 2 Figure 3 Figure 4 517!
Claims (1)
置した対向電極との間にＥＬ層を形成してなるＥＬＬ示
装置の製造方法において、前記’ＥＬ＠を熱処理温度に
よって発光色が異なる材料で形成した横、該ＥＬ層を所
定パターン毎に熱処理温度を異ならせて熱処理すること
により部分的に発光色を変化させることを特徴とするＥ
ＬＬ示装置の製造方法。In a method for manufacturing an ELL display device in which an EL layer is formed between an electrode of a predetermined shape disposed on an insulating substrate and a counter electrode disposed opposite to the electrode, the color of the emitted light is changed depending on the heat treatment temperature of the 'EL@. E characterized in that the emitted light color is partially changed by heat-treating the EL layer formed of different materials at different heat-treatment temperatures for each predetermined pattern.
LL display device manufacturing method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202295A JPS58102487A (en) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Method of producing el display unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56202295A JPS58102487A (en) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Method of producing el display unit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102487A true JPS58102487A (en) | 1983-06-18 |
Family
ID=16455172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56202295A Pending JPS58102487A (en) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | Method of producing el display unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102487A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1981
- 1981-12-14 JP JP56202295A patent/JPS58102487A/en active Pending
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