JP2836646B2 - Thin film EL device and method of manufacturing the same - Google Patents
Thin film EL device and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、画像表示装置やインテ
リア・ランプ等の表示機器等に用いる薄膜ＥＬ素子とそ
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film EL device used for display devices such as an image display device and an interior lamp, and a method of manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜ＥＬ素子は自己発光素子であり、ま
た薄型の面状発光素子である等の優れた利点を有してお
り、近年の情報産業や映像産業の発展と共にディスプレ
イパネルの分野を中心に応用が進んできている。2. Description of the Related Art Thin-film EL devices have excellent advantages such as self-luminous devices and thin planar light-emitting devices. Applications are progressing at the center.
【０００３】ところが以前は実用レベルの輝度に達して
いるのは、発光層にＺｎＳ：ＭｎやＺｎＳ：Ｔｂ，Ｆを
用いたようなＺｎＳを発光層の母体材料とするものだけ
であった。In the past, however, the only luminance that has reached a practical level has been that where ZnS: Mn or ZnS: Tb, F is used as the base material of the light emitting layer.
【０００４】近年、他の母体材料を用いる研究開発が活
発に行なわれ、その結果、ＣａＳやＳｒＳを母体材料に
用いたもの、例えば、ＣａＳ：ＥｕやＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ
を発光層に用いた薄膜ＥＬ素子で比較的高輝度のＥＬ発
光が得られるようになってきた。In recent years, research and development using other base materials have been actively carried out. As a result, those using CaS or SrS as a base material, for example, CaS: Eu or SrS: Ce, K
EL light emission of relatively high luminance has been obtained with a thin-film EL element using as a light-emitting layer.
【０００５】以下、図６および図７を参照しながら、上
述したようなＣａＳやＳｒＳを発光層の母体材料に用い
た従来の薄膜ＥＬ素子とその製造方法について説明す
る。Hereinafter, a conventional thin film EL device using CaS or SrS as a base material of a light emitting layer and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
【０００６】図６は従来の製造方法による薄膜ＥＬ素子
の一部断面図を示し、図７は図６の薄膜ＥＬ素子の輝度
−電圧特性を示している。FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a thin film EL device manufactured by a conventional manufacturing method, and FIG. 7 shows luminance-voltage characteristics of the thin film EL device of FIG.
【０００７】図６に示すように、まず、ガラスあるいは
石英等からなる透光絶縁性基板１上に酸化インジウム錫
（Indium TinOxide：以下、ＩＴＯと記す）による透明
電極２を直流スパッタ装置を用いて形成する。As shown in FIG. 6, first, a transparent electrode 2 made of indium tin oxide (hereinafter, referred to as ITO) is formed on a transparent insulating substrate 1 made of glass, quartz or the like by using a DC sputtering apparatus. Form.
【０００８】次に、ＳｉＯ2等からなる第１の誘電体層
３を高周波スパッタ装置で形成する。Next, a first dielectric layer 3 made of SiO 2 or the like is formed by a high-frequency sputtering device.
【０００９】そして、ＣａＳ：ＥｕあるいはＳｒＳ：Ｃ
ｅ，Ｋ等からなる発光層４を電子線蒸着装置で基板温度
５００℃程度で形成し、発光層４の結晶性を向上させる
ために熱処理をする。Then, CaS: Eu or SrS: C
The light emitting layer 4 made of e, K, or the like is formed at a substrate temperature of about 500 ° C. by an electron beam evaporation apparatus, and a heat treatment is performed to improve the crystallinity of the light emitting layer 4.
【００１０】さらに、Ａｌ2Ｏ3等からなる第２の誘電体
層５を高周波スパッタ装置で形成する。Further, a second dielectric layer 5 made of Al 2 O 3 or the like is formed by a high frequency sputtering device.
【００１１】最後に、Ａｌによる背面電極６を形成す
る。以上のように示されたＣａＳやＳｒＳを母体材料に
用いた薄膜ＥＬ素子は透明電極２と背面電極６との間に
２５０Ｖ程度の交流電圧を印加することにより、二つの
電極に挟まれた発光層４の領域（画素）が発光する構造
のものである。Finally, a back electrode 6 made of Al is formed. The thin-film EL element using CaS or SrS as a base material as described above emits light between two electrodes by applying an AC voltage of about 250 V between the transparent electrode 2 and the back electrode 6. It has a structure in which a region (pixel) of the layer 4 emits light.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の製造方法で製造された薄膜ＥＬ素子では、発
光層の結晶性が十分に改善されなかった。すなわち、発
光層の熱処理工程中に蒸気圧の高い硫黄（Ｓ）が発光層
中から蒸発し、発光層の母体材料であるＣａＳやＳｒＳ
のストイキオメトリーがずれ、そのため、発光層が十分
に結晶化できず、発光層中に低結晶領域が形成され、ま
た、結晶化している領域もクラスターや転位等の結晶欠
陥が多く見られていた。However, in the thin-film EL device manufactured by the above-described conventional manufacturing method, the crystallinity of the light-emitting layer has not been sufficiently improved. That is, sulfur (S) having a high vapor pressure evaporates from the light emitting layer during the heat treatment step of the light emitting layer, and CaS or SrS which is a base material of the light emitting layer is used.
Of the light emitting layer cannot be sufficiently crystallized, a low crystal region is formed in the light emitting layer, and the crystallized region has many crystal defects such as clusters and dislocations. Was.
【００１３】その結果として、製造された薄膜ＥＬ素子
は図７に示す輝度−電圧特性のように、輝度が低いとい
う欠点を有していた。As a result, the manufactured thin-film EL device has a drawback that the luminance is low as in the luminance-voltage characteristics shown in FIG.
【００１４】本発明は上記課題を解決するもので、母体
材料がＳｒＳあるいはＣａＳのいずれか、またはＺｎＳ
を含む前記３種の化合物のうち少なくとも２種の化合物
からなる混晶硫黄化合物である発光層の結晶性を十分に
向上させ、輝度の高い、信頼性の高い薄膜ＥＬ素子とそ
の製造方法を提供することを目的とする。[0014] The present invention solves the above-mentioned problems, and the base material is either SrS or CaS, or ZnS.
Provided is a thin-film EL device with high luminance, high reliability, which sufficiently improves the crystallinity of a light-emitting layer, which is a mixed crystal sulfur compound composed of at least two of the three compounds including The purpose is to do.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、発光層となる硫黄化合物層が硫黄を過剰に
含む層であることを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that a sulfur compound layer serving as a light emitting layer is a layer containing excessive sulfur.
【００１６】また、本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法
は、発光層となる硫黄化合物層を形成するにあたり、硫
黄化合物層を供給するとともに、硫黄を独立に別に供給
しながら形成することおよび発光層の熱処理を硫黄を供
給しながら行ない、常に硫黄を過剰に含む硫黄化合物層
を形成するものである。In the method of manufacturing a thin film EL device according to the present invention, when forming a sulfur compound layer to be a light emitting layer ,
Supplies the yellow compound layer, sulfur rows that have while supplying sulfur to heat treatment separately supplying it to form with and the light-emitting layer independently, always sulfur compound layer containing excess sulfur
Is formed .
【００１７】[0017]
【作用】この構成によって、発光層のストイキオメトリ
ーが実現されるので、発光層中に見られる低結晶領域を
十分に結晶化することができ、また、クラスターや転位
等の結晶欠陥も除去できる。そのため、結晶性は従来の
製造方法によるものと比べて飛躍的に向上する。その結
果、高輝度かつ信頼性の高い薄膜ＥＬ素子が実現でき
る。According to this structure, stoichiometry of the light emitting layer is realized, so that a low crystal region found in the light emitting layer can be sufficiently crystallized, and crystal defects such as clusters and dislocations can be removed. . Therefore, the crystallinity is dramatically improved as compared with the conventional manufacturing method. As a result, a thin-film EL element having high luminance and high reliability can be realized.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１９】図１は本発明中の第１の発明の一実施例に
おける薄膜ＥＬ素子を説明するための要部断面図、図２
は第２の発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子の製造方
法を説明するための図、図３は第３の発明の一実施例に
おける薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明するための図、図
４は第４の発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子の製造
方法を説明するための要部の工程順断面図、図５は本発
明の一実施例により得られた薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧
特性を示す図である。FIG. 1 is a sectional view of an essential part for explaining a thin film EL device according to an embodiment of the first invention of the present invention.
FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a thin film EL element according to one embodiment of the second invention, FIG. 3 is a diagram for explaining a method of manufacturing a thin film EL device according to one embodiment of the third invention, and FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a main part of a method of manufacturing a thin film EL element according to an embodiment of the fourth invention in the order of steps, and FIG. 5 is a luminance-voltage characteristic of a thin film EL element obtained according to the embodiment of the present invention. FIG.
【００２０】なお、この図１，図２，図３，図４におい
て、従来例の図６に示された各部と同等の機能を有する
ものには、同一の符号を付して示している。In FIGS. 1, 2, 3, and 4, components having functions equivalent to those of the conventional example shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals.
【００２１】この実施例の説明では、概ね図４を用いて
第４の発明を説明するが、その中で要部において図１，
図２および図３を参照して、第１の発明，第２の発明お
よび第３の発明を説明する。In the description of this embodiment, the fourth invention will be described generally with reference to FIG.
The first invention, the second invention, and the third invention will be described with reference to FIGS.
【００２２】まず図４（ａ）に示すように、ガラスある
いは石英等からなる透光絶縁性基板１上に、直流スパッ
タ装置により厚さ０．１μｍ程度のＩＴＯ等の透明導電
層を形成した後、フォトレジスタをマスクとしてウェッ
トエッチング装置により、ストライプ状に透明電極２を
形成する。First, as shown in FIG. 4A, a transparent conductive layer such as ITO having a thickness of about 0.1 μm is formed on a light-transmitting insulating substrate 1 made of glass or quartz by a DC sputtering apparatus. Then, the transparent electrodes 2 are formed in a stripe shape by a wet etching apparatus using the photoresist as a mask.
【００２３】次に、図４（ｂ）に示すように、高周波ス
パッタ装置により厚さ０．２μｍ程度のＴａ2Ｏ5からな
る第１の誘電体層３を形成した上に、第２の発明を実施
して製造する。Next, as shown in FIG. 4B, a first dielectric layer 3 made of Ta 2 O 5 having a thickness of about 0.2 μm is formed by a high-frequency sputtering apparatus, And manufacturing.
【００２４】すなわち、図２に示すような電子線蒸着装
置により発光層を製造する。基板ヒータ２１を用いて基
板１を５００℃まで加熱したことを熱電対２２から確認
後、電子銃２３を動作させて電子ビーム２４をＳｒＳ：
Ｃｅ，Ｓｍからなる発光層ターゲット２５に照射して蒸
発させると同時に、別の蒸発セル２６から硫黄２７を蒸
発させることにより、図４（ｃ）に示すように硫黄過剰
の硫黄化合物層７ａを膜厚センサ２８を用いて制御しな
がら膜厚１μｍ程度形成して行なって、図４（ｄ）に示
すように、適度に硫黄を含む発光層７とする。That is, a light emitting layer is manufactured by an electron beam evaporation apparatus as shown in FIG. After confirming from the thermocouple 22 that the substrate 1 was heated to 500 ° C. using the substrate heater 21, the electron gun 23 was operated to change the electron beam 24 to SrS:
By irradiating and evaporating the luminous layer target 25 made of Ce and Sm and simultaneously evaporating the sulfur 27 from another evaporation cell 26, the sulfur-excess sulfur compound layer 7a is formed into a film as shown in FIG. This is performed by controlling the thickness using a thickness sensor 28 to form a film having a thickness of about 1 μm, thereby forming a light emitting layer 7 containing an appropriate amount of sulfur, as shown in FIG.
【００２５】この後、図４（ｅ），（ｆ）に示すように
第２の誘電体層５および背面電極６を形成して硫黄化合
物層７ａを発光層７とする第１の発明の薄膜ＥＬ素子が
得られる。Thereafter, as shown in FIGS. 4E and 4F, the second dielectric layer 5 and the back electrode 6 are formed, and the sulfur compound layer 7a is used as the light emitting layer 7 to form the thin film of the first invention. An EL element is obtained.
【００２６】その要部断面図を図１に示している。この
ようにして得られた第１の発明の薄膜ＥＬ素子は図５に
一点鎖線で示すような輝度−電圧特性を示した。参考の
ために従来の製造方法により製造された同様な薄膜ＥＬ
素子の特性を同図中に点線で示す。FIG. 1 is a cross-sectional view of the main part. The thin-film EL device of the first invention thus obtained has a luminance-voltage characteristic as shown by a chain line in FIG. Similar thin film EL manufactured by conventional manufacturing method for reference
The characteristics of the device are shown by dotted lines in FIG.
【００２７】ただ、第１の発明の薄膜ＥＬ素子は発光層
７の中の過剰硫黄濃度により特性が変動することがあっ
た。そこで、この点をさらに改善するのが第４の発明の
目的である。However, the characteristics of the thin film EL device of the first invention sometimes fluctuated due to the excessive sulfur concentration in the light emitting layer 7. Therefore, it is an object of the fourth invention to further improve this point.
【００２８】すなわち、硫黄化合物層７ａは熱力学的に
不安定な状態であるので、硫黄化合物層７ａの結晶性を
向上させるために第３の発明を用いて熱処理を行なう。That is, since the sulfur compound layer 7a is in a thermodynamically unstable state, a heat treatment is performed using the third invention to improve the crystallinity of the sulfur compound layer 7a.
【００２９】図３を参照して、硫黄化合物層７ａを製造
後電子線蒸着装置内で引き続いて真空を破らずに基板ヒ
ータ２１を動作させ、基板１を熱電対２２を用いて５５
０℃に加熱保持しながら１時間硫黄化合物層７ａを熱処
理する。Referring to FIG. 3, after manufacturing the sulfur compound layer 7a, the substrate heater 21 is operated without breaking the vacuum in the electron beam evaporation apparatus, and the substrate 1 is heated to 55% by using the thermocouple 22.
The sulfur compound layer 7a is heat-treated for 1 hour while maintaining the temperature at 0 ° C.
【００３０】このとき、硫黄は蒸気圧が高いので熱処理
中に硫黄化合物層７ａ中から硫黄が過蒸発欠損するのを
防ぐために、電子線蒸着装置内に設置した蒸発セル２６
から硫黄２７を蒸発させながら熱処理を行ない、硫黄化
合物層７ａ中の余分な硫黄を蒸発させ、熱力学的に安定
な状態であるストイキオメトリーを実現して、発光層７
とする。この時の硫黄化合物層７ａの変化の様子を図４
（ｄ）に示した。At this time, since the sulfur has a high vapor pressure, the evaporation cell 26 installed in the electron beam evaporation apparatus is installed in order to prevent the sulfur compound layer 7a from being over-vaporized during the heat treatment.
A heat treatment is performed while evaporating the sulfur 27 from the sulfuric acid, and excess sulfur in the sulfur compound layer 7a is evaporated to realize stoichiometry which is a thermodynamically stable state.
And FIG. 4 shows how the sulfur compound layer 7a changes at this time.
(D).
【００３１】そして、図４（ｅ）に示すように高周波ス
パッタ装置により厚さ０．２μｍ程度のＡｌ2Ｏ3等から
なる第２の誘電体層５を形成し、その第２の誘電体層５
の上に、図４（ｆ）に示すように直流スパッタ装置によ
り厚さ０．１μｍ程度のＡｌ−Ｓｉ等からなる金属導電
層を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて、透明
電極２と互いに交差するようにドライエッチング装置に
より、ストライプ状に背面電極６を形成する。Then, as shown in FIG. 4E, a second dielectric layer 5 made of Al 2 O 3 or the like having a thickness of about 0.2 μm is formed by a high-frequency sputtering device, and the second dielectric layer 5 is formed. 5
As shown in FIG. 4 (f), a metal conductive layer made of Al—Si or the like having a thickness of about 0.1 μm is formed by a DC sputtering apparatus, and intersects with the transparent electrode 2 using photolithography technology. Then, the back electrode 6 is formed in a stripe shape by a dry etching apparatus.
【００３２】このようにして製造された薄膜ＥＬ素子
は、図５中に実線で示すような輝度−電圧特性を示し
た。The thin-film EL device manufactured as described above exhibited a luminance-voltage characteristic as shown by a solid line in FIG.
【００３３】以上のようにこの実施例によれば、予め発
光層を硫黄過剰の状態に形成し、その後に基板加熱を利
用して熱処理を行なうことにより、製造方法も簡単に発
光層７の結晶性を向上させることができる。As described above, according to this embodiment, the light emitting layer is formed in advance in an excess of sulfur, and then the heat treatment is performed by utilizing the heating of the substrate. Performance can be improved.
【００３４】なお、本発明中の第１，第２，第３および
第４の発明の実施例では、発光層としてＳｒＳ：Ｃｅ，
Ｓｍを用いたが、発光層の母体材料がＳｒＳ，ＣａＳあ
るいはＺｎＳのいずれか、または前記３種の化合物のう
ち少なくとも２種の化合物からなる混晶化合物であれば
何でもよい。そして、付活材料にも限定されるものでも
なく、ＣａＳ：ＥｕでもＳｒＳ：ＳｍでもＣａXＳｒ1-X
Ｓ：Ｐｒ（０≦ｘ≦１）でもよい。In the first, second, third and fourth embodiments of the present invention, SrS: Ce,
Although Sm was used, any material may be used as long as the base material of the light emitting layer is any of SrS, CaS, and ZnS, or a mixed crystal compound of at least two of the three compounds. Then, without being limited to activated material, CaS: Eu even SrS: Sm Any Ca X Sr 1-X
S: It may be Pr (0 ≦ x ≦ 1).
【００３５】加えて、誘電体層としてＴａ2Ｏ5とＡｌ2
Ｏ3とを用いたが、特別に限定されるものではなく、Ｓ
ｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯＮ，ＡｌＮ，ＰＺＴなどでも
よいことは言うまでもない。In addition, Ta 2 O 5 and Al 2 are used as dielectric layers.
Although O 3 was used, it is not particularly limited and S 3
Needless to say, iO 2 , Si 3 N 4 , SiON, AlN, PZT or the like may be used.
【００３６】また、第２の発明の実施例では、薄膜形成
装置として電子線蒸着装置を用い、硫黄の供給方法とし
て電子線蒸着装置内に設置した別の蒸発セルから硫黄を
熱蒸発させる方法を用いたが、特別に限定されたもので
はない。薄膜形成装置としてはスパッタ装置でも、ＣＶ
Ｄ（Chemical Vapour Deposition）装置でも、ＭＢＥ
（Molecular Beam Epitaxy）装置でも、ＡＬＥ（Atomic
Layer Epitaxy）装置でもよい。また、硫黄の供給方法
としては、硫黄や硫黄化合物の固体源を熱蒸発させる以
外に、Ｈ2ＳやＣＳ2等の気体源を熱分解させて供給して
もよい。すなわち、硫黄を過剰に含む硫黄化合物層から
なる発光層を形成できればよい。In the embodiment of the second invention, an electron beam evaporation apparatus is used as a thin film forming apparatus, and a method for thermally evaporating sulfur from another evaporation cell installed in the electron beam evaporation apparatus is used as a method for supplying sulfur. Although used, it is not particularly limited. As a thin film forming apparatus, a sputtering apparatus, a CV
D (Chemical Vapor Deposition) equipment, MBE
(Molecular Beam Epitaxy) equipment, ALE (Atomic
Layer Epitaxy) device. Further, as a method of supplying sulfur, in addition to thermally evaporating a solid source of sulfur or a sulfur compound, a gas source such as H 2 S or CS 2 may be supplied by thermal decomposition. That is, it is only necessary to form a light emitting layer composed of a sulfur compound layer containing excessive sulfur.
【００３７】さらに、第３の発明の実施例では、簡便性
を考慮して、電子線蒸着装置内の基板加熱を利用して電
子線蒸着装置内に設置した蒸発セルから硫黄を熱蒸発さ
せながら、熱処理を行なう方法により実施したが、別の
熱処理装置内に基板１を配置しても硫黄を供給しながら
実施してもよいことは言うまでもない。加えて、熱処理
温度を５５０℃にしたが、これも限定されたものではな
い。熱処理温度は４００℃〜６５０℃が適当である。Further, in the embodiment of the third invention, in consideration of simplicity, while heating the sulfur from the evaporation cell installed in the electron beam evaporation apparatus using the substrate heating in the electron beam evaporation apparatus, Although the heat treatment was carried out, it goes without saying that the heat treatment may be carried out while the substrate 1 is placed in another heat treatment apparatus or sulfur is supplied. In addition, the heat treatment temperature was set to 550 ° C., but this is not a limitation. An appropriate heat treatment temperature is 400 ° C to 650 ° C.
【００３８】すなわち、熱処理温度が低すぎると発光層
７の結晶性を向上させる効果がなくなり、また、熱処理
温度が高すぎると堆積層が剥離する。さらに、熱処理時
間についても同様に、熱処理時間が短いと、結晶性向上
の効果が少なくなり、一方、熱処理時間を長くしても結
晶性向上効果が飽和したり、堆積層が剥離したりする。
熱処理時間は２時間以下が適当である。That is, if the heat treatment temperature is too low, the effect of improving the crystallinity of the light emitting layer 7 is lost, and if the heat treatment temperature is too high, the deposited layer peels. Similarly, when the heat treatment time is short, the effect of improving the crystallinity decreases when the heat treatment time is short. On the other hand, when the heat treatment time is prolonged, the effect of improving the crystallinity is saturated or the deposited layer is peeled off.
The heat treatment time is suitably 2 hours or less.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上のように本発明は、発光層となる硫
黄化合物層が硫黄を過剰に含む層であり、また、本発明
の薄膜ＥＬ素子の製造方法は、発光層となる硫黄化合物
層を硫黄を供給しながら形成することおよび発光層の熱
処理を硫黄を供給しながら行なうことにより、発光層の
ストイキオメトリーが実現されるので、発光層中に見ら
れる低結晶領域を十分に結晶化することができ、また、
クラスターや転位等の結晶欠陥も除去でき、結晶性が飛
躍的に向上し、その結果、高輝度かつ信頼性の高い薄膜
ＥＬ素子を提供できる。As described above, according to the present invention, the sulfur compound layer serving as the light emitting layer is a layer containing an excessive amount of sulfur. Is formed while supplying sulfur and the heat treatment of the light-emitting layer is performed while supplying sulfur, whereby stoichiometry of the light-emitting layer is realized, so that the low-crystal region found in the light-emitting layer is sufficiently crystallized. Can also
Crystal defects such as clusters and dislocations can also be removed, and crystallinity is dramatically improved. As a result, a thin-film EL device with high luminance and high reliability can be provided.
【図１】本発明の一実施例における薄膜ＥＬ素子の要部
断面図FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part of a thin-film EL element according to an embodiment of the present invention.
【図２】同薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明するための製
造装置の断面正面図FIG. 2 is a cross-sectional front view of a manufacturing apparatus for explaining a method of manufacturing the thin-film EL element.
【図３】同薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明するための製
造装置の他の例の断面正面図FIG. 3 is a cross-sectional front view of another example of the manufacturing apparatus for illustrating the method of manufacturing the thin-film EL element.
【図４】本発明の薄膜ＥＬ素子の製造方法を説明するた
めの要部の工程順断面図FIG. 4 is a sectional view of a main part for explaining a method of manufacturing a thin film EL element according to the present invention in the order of steps;
【図５】同薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図FIG. 5 is a view showing luminance-voltage characteristics of the thin-film EL element.
【図６】従来の薄膜ＥＬ素子の一部断面図FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a conventional thin film EL element.
【図７】同薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図FIG. 7 is a view showing luminance-voltage characteristics of the thin film EL element.
１ 透光絶縁性基板 ２ 透明電極（第１の電極） ３ 第１の誘電体層 ５ 第２の誘電体層 ６ 背面電極（第２の電極） ７ 発光層 REFERENCE SIGNS LIST 1 translucent insulating substrate 2 transparent electrode (first electrode) 3 first dielectric layer 5 second dielectric layer 6 back electrode (second electrode) 7 light emitting layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/14 C09K 11/00 H05B 33/10──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 6 , DB name) H05B 33/14 C09K 11/00 H05B 33/10
Claims (4)
性電極である二つの電極が配置され、前記二つの電極間
に形成された硫黄を過剰に含む硫黄化合物層からなる発
光層を有することを特徴とする薄膜ＥＬ素子。1. A light-emitting layer comprising a sulfur compound layer containing an excessive amount of sulfur formed between two electrodes, wherein two electrodes, at least one of which is a light-transmitting electrode, are arranged on a light-transmitting insulating substrate. A thin film EL device comprising:
層を形成する工程を少なくとも有する薄膜ＥＬ素子の製
造方法において、薄膜製作装置内で、前記硫黄化合物層
を形成中に、前記硫黄化合物を供給するとともに、硫黄
を独立して別に供給し、前記発光層となる硫黄を過剰に
含む硫黄化合物層を形成する工程を有することを特徴と
する薄膜ＥＬ素子の製造方法。2. A method for producing at least a thin film EL element forming a sulfur compound layer as a translucent insulating substrate in the light emitting layer, in a thin-film fabrication apparatus, during formation of said sulfur compound layer, said sulfur compound supplies independently sulfur supplied separately, the manufacturing method of a thin film EL device, which comprises have a step of forming a sulfur compound layer containing excess sulfur to be the light emitting layer.
層を形成する工程の後、薄膜製作装置を含む熱処理装置
内で、硫黄を供給しながら前記硫黄化合物層の熱処理を
行なう工程を有することを特徴とする請求項２記載の薄
膜ＥＬ素子の製造方法。3. A process for forming a sulfur compound layer containing an excessive amount of sulfur to be a light emitting layer, and thereafter, performing a heat treatment on the sulfur compound layer while supplying sulfur in a heat treatment apparatus including a thin film manufacturing apparatus. 3. The method for manufacturing a thin film EL device according to claim 2, wherein:
の電極を形成する工程と、同第１の電極上に第１の誘電
体層を形成する工程と、同第１の誘電体層の上に硫黄を
過剰に含む硫黄化合物層からなる発光層を形成する工程
と、同発光層を硫黄を供給しながら熱処理する工程と、
前記発光層上に第２の誘電体層を形成する工程と、同第
２の誘電体層の上に背面電極となる第２の電極を形成す
る工程とを有することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製造
方法。4. A first Ru translucent electrode der the translucent insulating substrate
Forming an electrode, forming a first dielectric layer on the first electrode, a light emitting layer made of a sulfur compound layer containing excess sulfur on the same first dielectric layer Forming, and heat-treating the light-emitting layer while supplying sulfur ,
Forming a second dielectric layer on the light emitting layer, a thin film EL, characterized in that a step of forming a second electrode Do that a back electrode on the same second dielectric layer Device manufacturing method.
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| JP3039992A JP2836646B2 (en) | 1991-03-06 | 1991-03-06 | Thin film EL device and method of manufacturing the same |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH04332494A JPH04332494A (en) | 1992-11-19 |
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1991
- 1991-03-06 JP JP3039992A patent/JP2836646B2/en not_active Expired - Fee Related
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