JPS58101486A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS58101486A JPS58101486A JP56199849A JP19984981A JPS58101486A JP S58101486 A JPS58101486 A JP S58101486A JP 56199849 A JP56199849 A JP 56199849A JP 19984981 A JP19984981 A JP 19984981A JP S58101486 A JPS58101486 A JP S58101486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- emitting device
- light emitting
- side electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Ｐ側電極及び路側電極の双方が基板上の同一
表面６：在る形式の半導体発光装置Ｃ：関する。
表面６：在る形式の半導体発光装置Ｃ：関する。
従来、半導体レーデとして第１図−二見られる構造のも
のが知られている。
のが知られている。
図−二於いて、１は１６ ＪＥＩＩ Ｇ１１Ａ＃牛導体
晶板、２はｓ［Ｇａ＠、ｌＡｌ００易Ａｘクツツド層、
５はｐ型Ｇ＠。、ｇＡ１６．、ＡＩ活性層、４はｐ ｍ
Ｉ Ｇｇ ｏ、ＩＡＩ ＠、ＨＡＩクラッド層、５は５
ｌｌｌ（ｂｉｂキャップ層、６はＫｍを拡散したＰ型電
流狭窄用領域、７は路側電極、８はＰ側電極をそれぞれ
示す。
晶板、２はｓ［Ｇａ＠、ｌＡｌ００易Ａｘクツツド層、
５はｐ型Ｇ＠。、ｇＡ１６．、ＡＩ活性層、４はｐ ｍ
Ｉ Ｇｇ ｏ、ＩＡＩ ＠、ＨＡＩクラッド層、５は５
ｌｌｌ（ｂｉｂキャップ層、６はＫｍを拡散したＰ型電
流狭窄用領域、７は路側電極、８はＰ側電極をそれぞれ
示す。
図から明らかなようＣ：、この形式の装置では、路側電
極７は装置の裏面に、また、Ｐ側電極８はその表面にそ
れぞれ形成されている。
極７は装置の裏面に、また、Ｐ側電極８はその表面にそ
れぞれ形成されている。
ところで、近年、光素子を集積化して光集積回路を得よ
うとする試みが盛んであるが、その場合、前記従来の構
造を有する半導体発光装置を集積化することはその電極
構造の面から見て困難である。
うとする試みが盛んであるが、その場合、前記従来の構
造を有する半導体発光装置を集積化することはその電極
構造の面から見て困難である。
本発明は、Ｐ側電極及び謁側電極が表面に形成され、そ
して、それ等は勿論電気的Ｃ；分離されている半導体発
光装置を提供し、光集積回路の実用化Ｃ；寄与しようと
するものであり、以下これを詳細Ｃ：説明する。
して、それ等は勿論電気的Ｃ；分離されている半導体発
光装置を提供し、光集積回路の実用化Ｃ；寄与しようと
するものであり、以下これを詳細Ｃ：説明する。
第２図は本発明一実施例を表わす要部断面図である。
図に於いて、１１は半絶縁性ＧｇＡｚ基板、１２は絡＠
ＧＩＩＡ＃バッファ層、１５はｌ）ｌＩＧｇ ｔ −
５Ａｌａ Ａｓ ９ラッド層、１４はＰ型龜１−、Ａｔ
、Ａｓ活性層、１５はＰ型Ｇｇ １−１ＡｌｚＡｚクラ
ツド層、１６はｐ ＠！ＧｇＡＩｐ側キャップ層、１７
は？側電極、１４′はｓ ＷｉＧａ １−ｙＡｌｙｊｂ
層、１５′はＳ型” １−ｘＡｌｚＡｚ層、１６′はＳ
型Ｇ１１Ａ＃ ｓ側キャップ層、１８は路側電極、１９
は絶縁分離用凹所なそれぞれ示す。
ＧＩＩＡ＃バッファ層、１５はｌ）ｌＩＧｇ ｔ −
５Ａｌａ Ａｓ ９ラッド層、１４はＰ型龜１−、Ａｔ
、Ａｓ活性層、１５はＰ型Ｇｇ １−１ＡｌｚＡｚクラ
ツド層、１６はｐ ＠！ＧｇＡＩｐ側キャップ層、１７
は？側電極、１４′はｓ ＷｉＧａ １−ｙＡｌｙｊｂ
層、１５′はＳ型” １−ｘＡｌｚＡｚ層、１６′はＳ
型Ｇ１１Ａ＃ ｓ側キャップ層、１８は路側電極、１９
は絶縁分離用凹所なそれぞれ示す。
この実施例装置では、活性層１４はｓ＠Ｇｍ１−ｙＡｊ
ｙＡａ層１４′と、クラッド層１５は筒型−１−ＺＡＩ
Ｘん１１１５’と、キャップ層１６はｓｔＭ龜Ａ＃亀側
キャップ層とそれぞれ同時Ｃ；成長したものであるが、
活性ＩＩ １４ 、クラッド層１５、キャップ層１６は
成長後にムを拡散することに依ってＰ型化したものであ
る。この装置では、前記２１ｍ化した部分は凹所１９に
依って他から絶縁分離されているので、電流を流した場
金、そのパスは矢印１：見られる通りである。
ｙＡａ層１４′と、クラッド層１５は筒型−１−ＺＡＩ
Ｘん１１１５’と、キャップ層１６はｓｔＭ龜Ａ＃亀側
キャップ層とそれぞれ同時Ｃ；成長したものであるが、
活性ＩＩ １４ 、クラッド層１５、キャップ層１６は
成長後にムを拡散することに依ってＰ型化したものであ
る。この装置では、前記２１ｍ化した部分は凹所１９に
依って他から絶縁分離されているので、電流を流した場
金、そのパスは矢印１：見られる通りである。
次１；、第Ｓ図乃至第５図を参照しつつ第２図実施例を
製造する場合１＝ついて説明する。
製造する場合１＝ついて説明する。
第５図参照
（１）半絶縁性ＧｇＡｚ基鈑１１６＝例えば液相連続エ
ピタキシャル成長法を適用し、電型ＧａＡｚバッファ層
１２、Ｓ型Ｇｇ １−ａＡｌ−１（ａｔ ”” Ｏ、Ｓ
）クラッド層１５、Ｓ型Ｇｇ １−ｙＡｌｙＡＩ （
ｌ−０、１）層１４′、ｌ＆型Ｇａ１−１ＡｌｚＡｚ（
Ｘ−０，３）層１５′、％型ＧｇＡｚ 路側キャップ層
１６′を成長させる。
ピタキシャル成長法を適用し、電型ＧａＡｚバッファ層
１２、Ｓ型Ｇｇ １−ａＡｌ−１（ａｔ ”” Ｏ、Ｓ
）クラッド層１５、Ｓ型Ｇｇ １−ｙＡｌｙＡＩ （
ｌ−０、１）層１４′、ｌ＆型Ｇａ１−１ＡｌｚＡｚ（
Ｘ−０，３）層１５′、％型ＧｇＡｚ 路側キャップ層
１６′を成長させる。
尚、ここで適用する結晶成長法としては、前記液相連続
エピタキシャル成長法のみならず、気相成長法、ＭＥＮ
法（分子線エピタキシャル成長法） 、ＭＯＣＶＤ法（
メタル・オーガニックＣＶＤ法）など任意の技法を適用
することができる。
エピタキシャル成長法のみならず、気相成長法、ＭＥＮ
法（分子線エピタキシャル成長法） 、ＭＯＣＶＤ法（
メタル・オーガニックＣＶＤ法）など任意の技法を適用
することができる。
第４図参照
（２） 適当なマスクを形成してから１％の選択拡散
ヲ行ナイ、％型Ｇａ １−ｙＡｌｙＡｚ層１４′、％
Ｉｌｉ Ｇｇ１−ｚＡｌ、Ａｓ層１５′、路側キャップ
層１６′の一部をＰ型化する。
ヲ行ナイ、％型Ｇａ １−ｙＡｌｙＡｚ層１４′、％
Ｉｌｉ Ｇｇ１−ｚＡｌ、Ａｓ層１５′、路側キャップ
層１６′の一部をＰ型化する。
これ１：依り、ｐ ＷＧａ １−、ＡＩ、Ａｘ活性層１
４、Ｐｍｌ Ｇｇ１−１ＡｌｚＡｚ層１５、Ｐ側キャッ
プ履１６が形成される。
４、Ｐｍｌ Ｇｇ１−１ＡｌｚＡｚ層１５、Ｐ側キャッ
プ履１６が形成される。
（３） マスクを除去する。
第５図参照
（４）例えば通常のフォト・リングラフィ技術Ｃ二てＰ
型部分と５ｆ１１部分との境界近傍をエツチングして絶
縁分離用凹所１９を形成する。凹所１９は表面からクラ
ッド層１２内シー至る深さ１；形成する。
型部分と５ｆ１１部分との境界近傍をエツチングして絶
縁分離用凹所１９を形成する。凹所１９は表面からクラ
ッド層１２内シー至る深さ１；形成する。
（５） この後、第２図に見られるように、Ｐ側電極
１７及び路側電橋１８をそれぞれ形成するものである。
１７及び路側電橋１８をそれぞれ形成するものである。
このようＣ二して得られる装置が集積化に好適な構造を
なしていることは容易（：理解されよう。尚、第５図６
＝関して説明した凹所１９を形成するには、第６図（：
見られるようＣ二、電極１７及び１８を形成してから、
それをマスクｌ；ｌ、てエツチングを行なっても良い。
なしていることは容易（：理解されよう。尚、第５図６
＝関して説明した凹所１９を形成するには、第６図（：
見られるようＣ二、電極１７及び１８を形成してから、
それをマスクｌ；ｌ、てエツチングを行なっても良い。
第７図は他の実施例を表わす要部断面図である。
図ζ；於いて、２１は半絶縁性ＧｍＡｚ基叡、２２は旙
型ＧａＡｚバッファ層、２５は１型Ｇ１０７Ａｌ ０１
ＡＩクラッド層、２４はｐＩＭＧ匂、、Ａ１ｇｌＩＡＩ
活性層、２５はＰ型Ｇ＊ ｇ 、ＩＡｌｇ 、ＨＡｓク
ラッド層、２６は＊ ＩＩ！ＧＩＡ＃キャップ層、２７
はＰ型電流狭窄用領域、２８はＰ側電極、２９は路側電
極、３０は絶縁分離用凹所をそれぞれ示している。
型ＧａＡｚバッファ層、２５は１型Ｇ１０７Ａｌ ０１
ＡＩクラッド層、２４はｐＩＭＧ匂、、Ａ１ｇｌＩＡＩ
活性層、２５はＰ型Ｇ＊ ｇ 、ＩＡｌｇ 、ＨＡｓク
ラッド層、２６は＊ ＩＩ！ＧＩＡ＃キャップ層、２７
はＰ型電流狭窄用領域、２８はＰ側電極、２９は路側電
極、３０は絶縁分離用凹所をそれぞれ示している。
この実施例を製造する１：は、基板２１４二厚いバッフ
ァ層２２を形成し、鋏バッフ！層２２′の一部をエツチ
ングして薄くシ、その薄くしたバッファ層２２の上にク
ラッド層２３、活性層２４、クラッド層２５、キャップ
層２６を成長させ、次１；Ｚ％を拡散して電流狭窄領域
２７を形成し、その後、Ｐ側電極２８及び層側電極２９
を形成し、それ等をマスクにしてバッファ層２２と前記
多層部分との境界近ケをエツチングして凹所３０を形成
して完成する。
ァ層２２を形成し、鋏バッフ！層２２′の一部をエツチ
ングして薄くシ、その薄くしたバッファ層２２の上にク
ラッド層２３、活性層２４、クラッド層２５、キャップ
層２６を成長させ、次１；Ｚ％を拡散して電流狭窄領域
２７を形成し、その後、Ｐ側電極２８及び層側電極２９
を形成し、それ等をマスクにしてバッファ層２２と前記
多層部分との境界近ケをエツチングして凹所３０を形成
して完成する。
第８図は更に他の実施例を表わす要部断面図であり、こ
の実施例が第７図実施例と相違する点は、凹所３０を形
成する代りにプロトンを照射して絶縁分離領域５１を形
成したことであり、他は同じである。領域５１を形成す
るには、電極２８及び２９、また、必要Ｃ二応じ、それ
等をパターニングした際のレジスト膜を残したものをマ
スクとしてプロ）ｙ照射を行なえば良い。
の実施例が第７図実施例と相違する点は、凹所３０を形
成する代りにプロトンを照射して絶縁分離領域５１を形
成したことであり、他は同じである。領域５１を形成す
るには、電極２８及び２９、また、必要Ｃ二応じ、それ
等をパターニングした際のレジスト膜を残したものをマ
スクとしてプロ）ｙ照射を行なえば良い。
以上の説明で判るように、本発明Ｃ二値れば、中絶縁性
単結晶基板上の少なくとも一部（要すれば全面）に単結
晶化合物半導体層を多層４二形成し、それ等半導体層の
ｐ側５部分と路側部分とを聞所或いは絶縁領域などの絶
縁分離部分で電気的に分離し、該Ｐ側部分と路側部分と
Ｃ二は表面から電極な形成しであるので、光集積回路を
構成するのは容易である。
単結晶基板上の少なくとも一部（要すれば全面）に単結
晶化合物半導体層を多層４二形成し、それ等半導体層の
ｐ側５部分と路側部分とを聞所或いは絶縁領域などの絶
縁分離部分で電気的に分離し、該Ｐ側部分と路側部分と
Ｃ二は表面から電極な形成しであるので、光集積回路を
構成するのは容易である。
第１図は従来例のＩＬ部部面面図第２図は本発明一実施
例の要部断面図、第５図乃至第６図は第２図実施例を製
造する場合を説明する為の工程要所に於ける要部断面図
、第７図及び第８図は本発明の異なる実施例を表わす要
部断面図である。 図６＝於いて、１１は基板、１２はバッファ層、１５は
クラッド層、１４は活性層、１５はクラッド層、１６は
キャップ層、１７．１８は電極、１９は凹所、１４′は
Ｇａ １−ｙＡｌｙＡｐ層、１ダはＧａ１−２ＡｌｚＡ
ｚ層、１６′はキャップ層である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 （外５名） 第１図 第２図 第５図 第６図 第７図 第８図
例の要部断面図、第５図乃至第６図は第２図実施例を製
造する場合を説明する為の工程要所に於ける要部断面図
、第７図及び第８図は本発明の異なる実施例を表わす要
部断面図である。 図６＝於いて、１１は基板、１２はバッファ層、１５は
クラッド層、１４は活性層、１５はクラッド層、１６は
キャップ層、１７．１８は電極、１９は凹所、１４′は
Ｇａ １−ｙＡｌｙＡｐ層、１ダはＧａ１−２ＡｌｚＡ
ｚ層、１６′はキャップ層である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 （外５名） 第１図 第２図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- 単結晶基板上の少な（とも一部Ｇ二形威害れた多層の単
結晶化合物半導体層、該多層単結晶化合物半導体層のＰ
側部分と路側部分を電気的６；分離する絶縁分離部分、
前記多層単結晶化合物半導体層の最上表＠１：露出する
Ｐ側部分にコンタクトするＰ側電極及び路側部分４：コ
ンタクトする路側電極を有してなることを特徴とする半
導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199849A JPS58101486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199849A JPS58101486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101486A true JPS58101486A (ja) | 1983-06-16 |
Family
ID=16414666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199849A Pending JPS58101486A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101486A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156592A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-06-15 | Siemens Ag | 半導体レーザー装置 |
| JP2015005697A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140087A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS5147382A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Sharp Kk | Monorishitsukureezaarei |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP56199849A patent/JPS58101486A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140087A (ja) * | 1974-09-30 | 1976-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS5147382A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Sharp Kk | Monorishitsukureezaarei |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156592A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-06-15 | Siemens Ag | 半導体レーザー装置 |
| JP2015005697A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
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