JPH1195726A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH1195726A
JPH1195726A JP25804797A JP25804797A JPH1195726A JP H1195726 A JPH1195726 A JP H1195726A JP 25804797 A JP25804797 A JP 25804797A JP 25804797 A JP25804797 A JP 25804797A JP H1195726 A JPH1195726 A JP H1195726A
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博文 輿
Mitsuru Goto
充 後藤
Yukihide Ote
幸秀 尾手
Hiroshi Watanabe
浩 渡辺
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 階調電圧生成手段で生成される多階調電圧を
よりきめ細かく調整することが可能な液晶表示装置を提
供する。 【解決手段】 階調電圧生成手段で生成された多階調の
階調電圧を映像信号電圧として各画素に印加する液晶表
示装置において、階調電圧生成手段は、複数の階調基準
電圧間を分圧して多階調の階調電圧を生成する抵抗分圧
回路を有し、当該抵抗分圧回路の各分圧抵抗は、直列接
続された複数個の基準抵抗の各接続点、および直列接続
された複数個の基準抵抗における両端の基準抵抗の互い
に他の基準抵抗と接続されない端部の中から選択された
少なくとも1個と、前記選択された少なくとも1個以外
の前記直列接続された複数個の基準抵抗の各接続点、お
よび直列接続された複数個の基準抵抗における両端の基
準抵抗の互いに他の基準抵抗と接続されない端部の中か
ら選択された少なくとも1個との間の合成抵抗である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータ、ワークステーション等に用いられる液晶表示装
置に係わり、特に、多階調表示が可能な液晶表示装置の
映像信号線駆動回路(ドレインドライバ)に適用して有
効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】画素毎に能動素子(例えば、薄膜トラン
ジスタ)を有し、この能動素子をスイッチング駆動する
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、ノート型パソ
コン等の表示装置として広く使用されている。このアク
ティブマトリクス型液晶表示装置は、能動素子を介して
画素電極に映像信号電圧(階調電圧)を印加するため、
各画素間のクロストークがなく、単純マトリックス形液
晶表示装置のようにクロストークを防止するための特殊
な駆動方法を用いる必要がなく、多階調表示が可能であ
る。
【0003】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
の1つに、TFT(hin ilm ransi
ster)方式の液晶表示パネル(TFT−LCD)
と、液晶表示パネルの上側に配置されるドレインドライ
バと、液晶表示パネルの側面に配置されるゲートドライ
バおよびインタフェース部とを備えるTFT方式の液晶
表示モジュールが知られている。
【0004】このTFT方式の液晶表示モジュールおい
ては、多階調表示を可能にするため、ドレインドライバ
内に多階調電圧生成回路を備えている。なお、このよう
な技術は、例えば、特願平7−289546号に記載さ
れている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記ドレインドライバ
内の多階調電圧生成回路は、電源回路から供給される複
数の階調基準電圧間を分圧する抵抗分圧回路で構成され
る。この場合に、図19に示すように、一般に液晶層に
印加する電圧と透過率との関係はリニアではなく、透過
率の高いところ、および低いところでは、液晶層に印加
する電圧に対する透過率の変化は少なく、その中間とな
るところでは透過率の変化が大きい。
【0006】そのため、前記ドレインドライバ内の多階
調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の
抵抗値は同一ではなく、液晶層に印加する電圧と透過率
との関係に合わせて所定の重み付けが成されている。
【0007】また、近年、液晶表示装置においては、6
4階調表示から256階調表示へとより多階調表示が進
みつつある。
【0008】そして、このような多階調の表示画像を液
晶表示パネルにリニアに表示するためには、この多階調
電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵
抗値を精細に調整することが要望されている。しかしな
がら、従来の多階調電圧生成回路においては、抵抗分圧
回路の各分圧抵抗の抵抗値を精細に調整することが困難
であった。
【0009】本発明は、前記従来技術の問題点を解決す
るためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表
示装置において、階調電圧生成手段で生成される多階調
電圧をよりきめ細かく調整することが可能となる技術を
提供することにある。
【0010】本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細
書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【0012】マトリクス状に配置された複数の画素を有
する液晶表示パネルと、階調電圧生成手段を有し、当該
階調電圧生成手段で生成された多階調の階調電圧の中の
任意の階調電圧を映像信号電圧として前記各画素に印加
する駆動手段とを具備する液晶表示装置において、前記
階調電圧生成手段は、複数の階調基準電圧を分圧して多
階調の階調電圧を生成する抵抗分圧回路を有し、当該抵
抗分圧回路の各分圧抵抗は、直列接続された複数個の基
準抵抗の各接続点、および直列接続された複数個の基準
抵抗における両端の基準抵抗の互いに他の基準抵抗と接
続されない端部の中から選択された少なくとも1個と、
前記選択された少なくとも1個以外の前記直列接続され
た複数個の基準抵抗の各接続点、および直列接続された
複数個の基準抵抗における両端の基準抵抗の互いに他の
基準抵抗と接続されない端部の中から選択された少なく
とも1個との間の合成抵抗であることを特徴とする。
【0013】また、前記駆動手段は半導体集積回路で構
成され、前記半導体集積回路は、前記多階調の階調電圧
が出力される複数の階調電圧配線層と、前記複数の階調
電圧配線層と同一方向に延在して設けられる前記複数の
基準抵抗を構成する複数の抵抗配線層と、前記各階調電
圧配線層と前記各抵抗配線層とを絶縁する層間絶縁膜
と、前記層間絶縁膜に設けられ、前記各階調電圧配線層
と前記各抵抗配線層とを接続するスルーホールとを有
し、前記スルーホールの数および設置位置を適宜に選択
して、前記分圧抵抗の抵抗値を所定の値に調整すること
を特徴とする。
【0014】さらに、前記各分圧抵抗の抵抗値は、液晶
層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重
み付けがなされていることを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明実施の形態を図面を
参照して説明する。
【0016】なお、発明の実施の形態を説明するための
全図において、同一機能を有するものは同一符号を付
け、その繰り返しの説明は省略する。
【0017】図1は、本発明の実施の形態1のTFT方
式の液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図で
ある。
【0018】本実施の形態の液晶表示モジュール(LC
M)は、液晶表示パネル(TFT−LCD)10の上側
にドレインドライバ130が配置され、また、液晶表示
パネル10の側面に、ゲートドライバ140、インタフ
ェース部100が配置される。
【0019】インタフェース部100はインタフェース
基板に実装され、また、ドレインドライバ130、ゲー
トドライバ140も、それぞれ専用のプリント基板に実
装される。
【0020】図2は、図1に示す液晶表示パネル10の
一例の等価回路を示す図である。
【0021】なお、図2は回路図であるが、実際の幾何
学的配置に対応して描かれており、同図に示すように、
液晶表示パネル10は、マトリクス状に形成される複数
の画素を有する。
【0022】各画素は、隣接する2本の信号線(ドレイ
ン信号線(D)またはゲート信号線(G))と、隣接す
る2本の信号線(ゲート信号線(G)またはドレイン信
号線(D))との交差領域内に配置される。
【0023】各画素は薄膜トランジスタ(TFT1,T
FT2)を有し、各画素の薄膜トランジスタ(TFT
1,TFT2)のソース電極は、画素電極(ITO1)
に接続され、画素電極(ITO1)とコモン電極(IT
O2)との間に液晶層(LC)が設けられるので、薄膜
トランジスタ(TFT1,TFT2)のソース電極とコ
モン電極(ITO2)との間には、液晶容量(CLC)が
等価的に接続される。
【0024】また、薄膜トランジスタ(TFT1,TF
T2)のソース電極と前段のゲート信号線(G)との間
には、付加容量(CADD )が接続される。
【0025】図3は、図1に示す液晶表示パネル10の
他の例の等価回路を示す図である。
【0026】図2に示す例では、全段のゲート信号線
(G)とソース電極との間に付加容量(CADD )が形成
されているが、図3に示す例の等価回路では、共通信号
線(COM)とソース電極との間に保持容量(CST
G)が形成されている点が異なっている。
【0027】本発明は、どちらにも適用可能であるが、
前者の方式では、全段のゲート信号線(G)パルスが付
加容量(CADD )を介して画素電極(ITO1)に飛び
込むのに対し、後者の方式では、飛び込みがないため、
より良好な表示が可能となる。なお、図2および図3に
おいて、ARは表示領域である。
【0028】図2あるいは図3に示す液晶表示パネル1
0において、列方向に配置された各画素の薄膜トランジ
スタ(TFT1,TFT2)のドレイン電極は、それぞ
れドレイン信号線(D)に接続され、各ドレイン信号線
(D)は、列方向に配置された画素の液晶に映像信号電
圧(表示データ電圧)を印加するドレインドライバ13
0に接続される。
【0029】また、行方向に配置された各画素における
薄膜トランジスタ(TFT1,TFT2)のゲート電極
は、それぞれゲート信号線(G)に接続され、各ゲート
信号線(G)は、1水平走査時間、薄膜トランジスタ
(TFT1,TFT2)のゲートに走査駆動電圧(正の
バイアス電圧あるいは負のバイアス電圧)を供給するゲ
ートドライバ140に接続される。ここで、図1に示す
液晶表示パネル10は、640×3×480画素から構
成される。
【0030】図1に示すインタフェース部100は、表
示制御装置110と電源回路120とから構成される。
【0031】表示制御装置110は、1個の半導体集積
回路(LSI)から構成され、コンピュータ本体側から
送信されてくるクロック信号、ディスプレイタイミング
信号、水平同期信号、垂直同期信号の各表示制御信号お
よび表示用データ(R・G・B)を基に、ドレインドラ
イバ130、および、ゲートドライバ140を制御・駆
動する。
【0032】表示制御装置110は、ディスプレイタイ
ミング信号が入力されると、これを表示開始位置と判断
し、受け取った単純1列の表示データを、表示データの
バスライン133を介してドレインドライバ130に出
力する。
【0033】その際、表示制御装置110は、ドレイン
ドライバ130のデータラッチ回路に表示データをラッ
チするための表示制御信号である表示データラッチ用ク
ロック(D2)を信号線131を介して出力する。
【0034】この場合に、本体コンピュータ側からの表
示データは、1画素単位、即ち、赤(R)、緑(G)、
青(B)の各データを1つの組にして単位時間毎に転送
する。ここで、表示データは、各色毎6ビットの18ビ
ットで構成されている。
【0035】また、表示制御装置110は、ディスプレ
イタイミング信号の入力が終了するか、または、ディス
プレイタイミング信号が入力されてから所定の一定時間
が過ぎると、1水平分の表示データが終了したものとし
て、ドレインドライバ130のラッチ回路に蓄えていた
表示データを液晶表示パネル10のドレイン信号線
(D)に出力するための表示制御信号である出力タイミ
ング制御用クロック(D1)を信号線132を介してド
レインドライバ130に出力する。
【0036】また、表示制御装置110は、垂直同期信
号入力後に、第1番目のディスプレイタイミング信号が
入力されると、これを第1番目の表示ラインと判断して
信号線142を介してゲートドライバ140にフレーム
開始指示信号を出力する。
【0037】さらに、表示制御装置110は、水平同期
信号に基づいて、1水平走査時間毎に、順次液晶表示パ
ネル10の各ゲート信号線(G)に正のバイアス電圧を
印加するように、信号線141を介してゲートドライバ
140へ1水平走査時間周期のシフトクロックであるク
ロック(G1)を出力する。
【0038】これにより、液晶表示パネル10の各ゲー
ト信号線(G)に接続された複数の薄膜トランジスタ
(TFT1,TFT2)が、1水平走査時間の間導通す
る。以上の動作により、液晶表示パネル10に画像が表
示される。
【0039】図1に示す電源回路120は、正電圧生成
回路121、負電圧生成回路122、コモン電極(対向
電極)電圧生成回路123、ゲート電極電圧生成回路1
24から構成される。
【0040】正電圧生成回路121、負電圧生成回路1
22は、それぞれ直列抵抗分圧回路で構成され、正極性
の5値の階調基準電圧(V0〜V4)を、負電圧生成回
路122は負極性の5値の階調基準電圧(V5〜V9)
を出力する。この正極性の階調基準電圧(V0〜V
4)、および負極性の階調基準電圧(V5〜V9)は、
各ドレインドライバ130に供給される。また、各ドレ
インドライバ130には、表示制御装置110からの交
流化信号(交流化タイミング信号;M)も、信号線13
5を介して供給される。
【0041】コモン電極電圧生成回路123はコモン電
極(ITO2)に印加する駆動電圧を、ゲート電極電圧
生成回路124は薄膜トランジスタ(TFT1,TFT
2)のゲートに印加する駆動電圧(正のバイアス電圧お
よび負のバイアス電圧)を生成する。
【0042】一般に、液晶層(LC)は、長時間同じ電
圧(直流電圧)が印加されていると、液晶層(LC)の
傾きが固定化され、結果として残像現象を引き起こし、
液晶層(LC)の寿命を縮めることになる。
【0043】これを防止するために、従来の液晶表示装
置においては、液晶層(LC)に印加する液晶駆動電圧
をある一定時間毎に交流化、即ち、コモン電極(ITO
2)の液晶駆動電圧を基準にして、画素電極(ITO
1)に印加される液晶駆動電圧を、一定時間毎に正電圧
側/負電圧側に変化させるようにしている。
【0044】この液晶層(LC)に交流電圧を印加する
駆動方法として、コモン対称法とコモン反転法の2通り
の方法が知られている。コモン反転法とは、コモン電極
(ITO2)と画素電極(ITO1)に印加される電圧
を共に交互に反転させる方法であり、また、コモン対称
法とは、コモン電極(ITO2)に印加される電圧を一
定とし、画素電極(ITO1)に印加する電圧を、コモ
ン電極(ITO2)に印加される電圧を基準にして、交
互に正、負に反転させる方法である。
【0045】このコモン対称法は、画素電極(ITO
1)に印加される電圧の振幅が、コモン反転法の場合に
比べ2倍となり、低電圧のドライバが使用できないと言
う欠点があるが、低消費電力と表示品質の点で優れてい
るドット反転法あるいはVライン反転法が使用可能であ
る。本実施の形態の液晶表示モジュールでは、その駆動
方法として、前記ドット反転法を使用している。
【0046】図4は、図1に示すドレインドライバ13
0からドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電
圧、即ち、画素電極(ITO1)に印加される液晶駆動
電圧と、コモン電極(ITO2)に印加される液晶駆動
電圧との関係を示す図である。
【0047】なお、図4では、ドレインドライバ130
からドレイン信号線(D)に出力される液晶駆動電圧
は、液晶表示パネル10の表示面に黒を表示する場合の
液晶駆動電圧を示している。
【0048】図4に示すように、ドレインドライバ13
0から奇数番目のドレイン信号線(D)に出力される液
晶駆動電圧(VDH)と、ドレインドライバ130から
出力される偶数番目のドレイン信号線(D)に出力され
る液晶駆動電圧(VDL)とは、コモン電極(ITO
2)に印加される液晶駆動電圧(VCOM)に対して逆
極性、即ち、奇数番目のドレイン信号線(D)に出力さ
れる液晶駆動電圧(VDH)が正極性(または負極性)
であれば、偶数番目のドレイン信号線(D)に出力され
る液晶駆動電圧(VDL)は負極性(または正極性)で
ある。
【0049】そして、その極性は1ライン毎に反転さ
れ、さらに、各ライン毎の極性が、フレーム毎に反転さ
れる。
【0050】このドット反転法を使用することにより、
隣り合うドレイン信号線(D)に印加される電圧が逆極
性となるため、コモン電極(ITO2)やゲート電極
(G)に流れる電流が隣同志で打ち消し合い、消費電力
を低減することができる。
【0051】また、コモン電極(ITO2)に流れる電
流が少なく電圧降下が大きくならないため、コモン電極
(ITO2)の電圧レベルが安定し、表示品質の低下を
最小限に抑えることができる。
【0052】図5は、図1に示すドレインドライバ13
0の一例の概略構成示すブロック図である。なお、ドレ
インドライバ130は、1個の半導体集積回路(LS
I)から構成される。
【0053】同図において、正極性階調電圧生成回路1
51aは、正電圧生成回路121から入力される正極性
の5値の階調基準電圧(V0〜V4)に基づいて、正極
性の64階調分の階調電圧を生成し、電圧バスライン1
58aを介して出力回路157に出力する。負極性階調
電圧生成回路151bは、負電圧生成回路122から入
力される負極性の5値の階調基準電圧(V5〜V9)に
基づいて、負極性の64階調分の階調電圧を生成し、電
圧バスライン158bを介して出力回路157に出力す
る。
【0054】また、ドレインドライバ130の制御回路
152内のシフトレジスタ回路153は、表示制御装置
110から入力される表示データラッチ用クロック(D
2)に基づいて、入力レジスタ回路154のデータ取り
込み用信号を生成し、入力レジスタ回路154に出力す
る。
【0055】入力レジスタ回路154は、シフトレジス
タ回路153から出力されるデータ取り込み用信号に基
づき、表示制御装置110から入力される表示データラ
ッチ用クロック(D2)に同期して、各色毎6ビットの
表示データを出力本数分だけラッチする。
【0056】ストレージレジスタ回路155は、表示制
御装置110から入力される出力タイミング制御用クロ
ック(D1)に応じて、入力レジスタ回路154内の表
示データをラッチする。このストレージレジスタ回路1
55に取り込まれた表示データは、レベルシフト回路1
56を介して出力回路157に入力される。
【0057】出力回路157は、正極性の64階調分の
階調電圧、あるいは負極性の64階調分の階調電圧の中
から、表示データに対応した1つの階調電圧を選択し、
各ドレイン信号線(D)に出力する。
【0058】図6は、出力回路157の構成を中心に、
図5に示すドレインドライバ130の構成を説明するた
めのブロック図である。
【0059】同図において、153は図5に示す制御回
路152内のシフトレジスタ回路、156は図5に示す
レベルシフト回路であり、また、データラッチ部265
は、図5に示す入力レジスタ回路154とストレージレ
ジスタ回路155とを表し、さらに、デコーダ部26
1、アンプ回路対263、アンプ回路対263の出力を
切り替えるスイッチ部(2)264が、図5に示す出力
回路157を構成する。
【0060】ここで、スイッチ部(1)262およびス
イッチ部(2)264は、交流化信号(M)に基づいて
制御される。また、Y1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y
6は、それぞれ第1番目、第2番目、第3番目、第4番
目、第5番目、第6番目のドレイン信号線(D)を示し
ている。
【0061】図6に示すドインドライバ130において
は、スイッチ部(1)262により、データラッチ部2
65(より詳しくは、図5に示す入力レジスタ154)
に入力されるデータ取り込み用信号を切り替えて、各色
毎の表示データを各色毎の隣接するデータラッチ部26
5に入力する。
【0062】デコーダ部261は、階調電圧生成回路1
51aから電圧バスライン158aを介して出力される
正極性の64階調分の階調電圧の中から、各データラッ
チ部265(より詳しくは、図5に示すストレージレジ
スタ155)から出力される表示用データに対応する階
調電圧を選択する高電圧用デコーダ回路278と、階調
電圧生成回路151bから電圧バスライン158bを介
して出力される負極性の64階調分の階調電圧の中か
ら、各データラッチ部265から出力される表示用デー
タに対応する階調電圧を選択する低電圧用デコーダ回路
279とから構成される。この高電圧用デコーダ回路2
78と低電圧用デコーダ回路279とは、隣接するデー
タラッチ部265毎に設けられる。
【0063】アンプ回路対263は、高電圧用アンプ回
路271と低電圧用アンプ回路272とにより構成され
る。高電圧用アンプ回路271には高電圧用デコーダ回
路278で選択された正極性の階調電圧が入力され、高
電圧用アンプ回路271は正極性の液晶駆動電圧を出力
する。低電圧用アンプ回路272には低電圧用デコーダ
回路279で選択された負極性の階調電圧が入力され、
低電圧用アンプ回路272は負極性の液晶駆動電圧を出
力する。
【0064】ドット反転法では、隣接する各色の映像信
号電圧は互いに逆極性となり、また、アンプ回路対26
3の高電圧用アンプ回路271および低電圧用アンプ回
路272の並びは、高電圧用アンプ回路271→低電圧
用アンプ回路272→高電圧用アンプ回路271→低電
圧用アンプ回路272となるので、スイッチ部(1)2
62により、データラッチ部165に入力されるデータ
取り込み用信号を切り替えて、各色毎の表示データを、
各色毎の隣接するデータラッチ部265に入力し、それ
に合わせて、高電圧用アンプ回路271あるいは低電圧
用アンプ回路272から出力される出力電圧を、スイッ
チ部(2)264により切り替え、各色毎の映像信号電
圧が出力されるドレイン信号線(D)、例えば、第1番
目のドレイン信号線Y1と第4番目のドレイン信号線Y
4とに出力することにより、各ドレイン信号線(D)に
正極性あるいは負極性の映像信号電圧を出力することが
可能となる。
【0065】図19に示すように、液晶層に印加する電
圧と透過率との関係はリニアではなく、透過率の高いと
ころ、および低いところでは、液晶層に印加する電圧に
対する透過率の変化は少なく、その中間となるところで
は透過率の変化が大きい。
【0066】そのため、従来の階調電圧生成回路では、
64階調の表示画像をリニアに表示するために、電源回
路から供給される、中間調付近(V2〜V6)では差が
小さく、それ以外の(V0〜V2、V6〜V8)で差が
大きい9値の階調基準電圧(V0〜V8)間を分圧して
64階調の階調電圧を生成し、64階調の表示画像を略
リニアに表示するようにしている。
【0067】図7は、従来の階調電圧生成回路の回路構
成を示す回路図であり、同図(a)に示すR1〜R8の
抵抗は、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路の
合成抵抗を示し、同図(b)は、各階調基準電圧間に接
続される抵抗分圧回路を示している。なお、同図(b)
では、簡略化のため、V8の階調基準電圧とV7の階調
基準電圧との間を8分割するR81〜R88の抵抗分圧
回路と、V1の階調基準電圧とV0の階調基準電圧との
間を7分割するR11〜R17の抵抗分圧回路とを図示
しており、他の部分は省略してある。
【0068】この場合に、各階調基準電圧間に接続され
る抵抗分圧回路の合成抵抗(R1〜R8)の抵抗値は、
階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路に流れる電流
が略一定となるように設定される。さらに、各階調基準
電圧間に接続される抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値
は、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて
所定の重み付け、例えば、図8(a)に示すような重み
付けを行っている。
【0069】なお、図8(a)では、重み付けの値
を()付きの数字で表し、また、重み付けの値は説明し
やすい値を選択している。また、Va〜Viは階調電圧
を示している。
【0070】図8(a)ではRc、Rd、Re、Rfの
抵抗値を1.0とした場合、Rb、Rgの抵抗値は1.
2(Rc、Rd、Re、Rfの抵抗値の1.2倍)、R
a、Rhの抵抗値は2(Rc、Rd、Re、Rfの抵抗
値の2倍)となるように重み付けを行っている。
【0071】この場合に、図8(b)に示すように、従
来の抵抗分圧回路では、同一の抵抗値の抵抗Rを並列に
接続したものを使用し、即ち、Rc〜Rfの抵抗として
抵抗Rを6本並列に接続(全体の抵抗値はR/6)した
ものを使用し、また、Rb、Rgの抵抗として抵抗Rを
5本並列に接続(全体の抵抗値はR/5)したものを使
用し、さらに、Ra、Rhの抵抗として抵抗Rを3本並
列に接続(全体の抵抗値をR/3)したものを使用す
る。
【0072】これにより、Rb、Rgの抵抗を、Rc〜
Rfの抵抗の1.2(=6/5)倍の抵抗値に、また、
Ra、Rhの抵抗を、Rc〜Rfの抵抗の2(=6/
3)倍の抵抗としている。
【0073】図9は、半導体チップ内での、従来の階調
電圧生成回路のレイアウトを示す図である。従来の階調
電圧生成回路は、アルミニウム等で階調配線層19を形
成し、その下に層間絶縁膜を介して、拡散抵抗膜等によ
り形成され、前記階調配線層19に直交する抵抗配線層
20を設け、この階調配線層19と抵抗配線層20とを
スルーホール21で接続して、前記した並列抵抗回路を
構成する。
【0074】しかしながら、この従来の抵抗分割回路で
は、基準となる抵抗値(図8(a)に示すRc〜Rfの
抵抗の抵抗値)がR/m、重み付けされる抵抗値(図8
(a)に示すRa,Rb,Rg,Rhの抵抗の抵抗値)
がR/nとなり、重み付けの値はm/nとなる。
【0075】そして、近年、液晶表示パネル10に、よ
りリニアに64階調の表示画像を表示できることが要望
されているが、この場合には、この階調電圧生成回路を
構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗を、液晶層に印加す
る電圧と透過率との関係に合わせて、よりきめ細かな重
み付けを行う必要がある。
【0076】ところが、従来の階調電圧生成回路では、
階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各抵抗値
を、よりきめ細かく重み付けを行う場合には、mの値が
大きくしなければならず、そのため、並列に接続される
抵抗の数が多くなるという問題点があり、その重み付け
が限定されていた。
【0077】図10は、本実施の形態の正極性階調電圧
生成回路151a、あるいは負極性階調電圧生成回路1
51bを構成する分圧抵抗回路の回路構成を示す回路図
である。図10では、簡略化のためにVaの階調電圧か
らVgの階調電圧までの分圧抵抗回路を示している。
【0078】本実施の形態では、各階調電圧が出力され
る階調電圧配線層(Va〜Vg)の間に、8個の基準抵
抗(R1〜R8)が直列接続される直列抵抗回路(3
0)が構成される。そして、この直列抵抗回路(30)
の両端(図10に示すa,i)、および各基準抵抗(R
1〜R8)の接続点(図10に示すb〜h)の少なくも
1個を、隣接する一方の階調電圧配線層(Va〜Vg)
と接続し、隣接する一方の階調電圧配線層(Va〜V
g)と接続された以外の、直列抵抗回路の両端(図10
に示すa,i)、および各基準抵抗(R1〜R8)の接
続点(図10に示すb〜h)の少なくも1個を、隣接す
る他方の階調電圧配線層(Va〜Vg)と接続して、抵
抗分圧回路の分圧抵抗を構成する。
【0079】例えば、図10に示すように、VaとVb
との階調電圧配線層との間には、R1からR8までの基
準抵抗が8個直列に接続されて、この分圧回路の抵抗値
は8Rとなり、同様に、VbとVcとの階調電圧配線層
との間には、R5からR8までの基準抵抗が4個直列に
接続されて、この分圧回路の抵抗値は4Rとなり、Vc
とVdとの階調電圧配線層との間には、R5の基準抵抗
が1個接続されて、この分圧回路の抵抗値はRとなる。
【0080】また、VdとVeとの階調電圧配線層との
間には、R4の抵抗1個からなるRの抵抗と、R5から
R7までの基準抵抗が3個直列に接続された3Rの抵抗
とが並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は0.7
5Rとなり、VeとVfとの階調電圧配線層との間に
は、R4の抵抗1個からなるRの抵抗と、R5からR7
までの基準抵抗が4個直列に接続された4Rの抵抗とが
並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は0.8Rと
なり、さらに、VfとVgとの階調電圧配線層との間に
は、R3の抵抗1個からなるRの抵抗と、R4からR8
までの基準抵抗が5個直列に接続された5Rの抵抗とが
並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は0.83R
となる。
【0081】本実施の形態では、隣接する階調電圧配線
層の間の分圧抵抗の抵抗値として、最小R/8から最大
8Rまでの抵抗値を取ることが可能となる。また、0.
75Rを基準とすると、0.80Rは、0.75Rの
1.07倍、0.83Rは、0.75Rの1.11倍と
なり、各分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定するこ
とが可能となる。
【0082】図11は、半導体チップ内での、本実施の
形態の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図であり、
同図(a)はその平面を示す平面図、同図(b)はスル
ーホール部分の断面を示す断面図である。なお、図11
では、簡略化のためにV04の階調電圧からV08の階
調電圧までと、R1からR4の抵抗までのレイアウトの
一例を示している。
【0083】本実施の形態では、アルミニウム等で階調
配線層19を形成し、その下に層間絶縁膜22を介し
て、ポリシリコン、拡散抵抗膜等により形成され、前記
階調配線層19と同一方向に延在する抵抗配線層20を
設ける。この階調配線層19と抵抗配線層20とをスル
ーホール21で接続して、各抵抗分圧回路の分圧回路を
構成する。この場合に、スルーホール21の数およびそ
の位置の変更は、スルーホール形成用のホトマスクを変
更することにより対応可能である。
【0084】図11に示す例では、V04とV05との
階調電圧の間においては、スルーホール21aでV04
の階調電圧の階調配線層19に抵抗配線層20が接続さ
れ、また、スルーホール21dでV05の階調電圧の階
調配線層19に抵抗配線層20が接続される。したがっ
て、スルーホール21aと21dとの間には、抵抗R
1,R2,R3が3個直列に接続され、V04とV05
との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値は3Rとなる。
【0085】V05とV06との階調電圧の間において
は、スルーホール21aでV05の階調電圧の階調配線
層19に抵抗配線層20が接続され、また、スルーホー
ル21dでV06の階調電圧の階調配線層19に抵抗配
線層20が接続される。したがって、スルーホール21
aと21dとの間には、抵抗R1,R2,R3が3個直
列に接続され、V05とV06との階調電圧の間の分圧
抵抗の抵抗値は3Rとなる。
【0086】V06とV07との階調電圧の間において
は、スルーホール21eでV06の階調電圧の階調配線
層19に抵抗配線層20が接続され、また、スルーホー
ル21dでV07の階調電圧の階調配線層19に抵抗配
線層20が接続される。したがって、スルーホール21
dと21eとの間には、抵抗R4が接続され、V06と
V07との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値はRとな
る。
【0087】同様に、V07とV08との階調電圧の間
においては、スルーホール21cでV07の階調電圧の
階調配線層19に抵抗配線層20が接続され、また、ス
ルーホール21bと21dでV08の階調電圧の階調配
線層19に抵抗配線層20が接続される。したがって、
スルーホール21cと、スルーホール21bおよび21
dとの間には、抵抗R2とR3とが並列に接続され、V
07とV08との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値はR
/2となる。なお、図11に示す抵抗値は、簡略化のた
めに分かりやすい値を選択しており、必ずしも実際の製
品の抵抗値を意味するものではない。
【0088】また、本実施の形態の階調電圧生成回路を
備えるドレインドライバ130では、その半導体チップ
の長辺方向(ドレイン信号線(D)と直交する方向)は
若干長くなるが、その短辺方向(ドレイン信号線(D)
と同一の方向)は短くすることが可能である。そのた
め、液晶表示モジュール(LCD)の表示領域以外の領
域、即ち、額縁部分を小さくすることが可能である。
【0089】図12は、本実施の形態の正極性階調電圧
生成回路151aの回路構成を示す回路図である。同図
に示すように、本実施の形態では、外部から供給される
5値の階調基準電圧(V0〜V4)のうち、V4とV3
の階調基準電圧との間を8分割、また、V3とV2の階
調基準電圧との間、およびV2とV1の階調基準電圧と
の間を24分割、V1とV0の階調基準電圧との間を7
分割して、64階調の階調電圧を生成する。
【0090】従来の階調電圧生成回路では、その抵抗分
圧回路の分圧回路の抵抗値をきめ細かく設定できなかっ
たため、図19に示す透過率と電圧との関係を表すグラ
フを8個の折り線からなる折り線グラフで近似し、その
折り線グラフの各折り曲げ点の電圧に相当する9値の階
調基準電圧を電源回路から供給し、その9値の階調基準
電圧間を所定の分圧比の抵抗分圧回路で分圧するように
していた。
【0091】しかしながら、本実施の形態では、階調電
圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗
値をよりきめ細かく設定することが可能であるため、正
電圧生成回路121(または負電圧生成回路122)か
ら入力される階調基準電圧の数を、従来の9値から5値
(例えば、図19に示すV0、V1、V3、V6、V8
の階調基準電圧)に少なくなくすることができる。
【0092】図13は、本実施の形態の液晶表示モジュ
ールの組立完成図で、液晶表示パネルの表示面側から見
た正面図、前側面図、右側面図、左側面図および後側面
図である。図14は、本実施の形態の液晶表示モジュー
ルの組立完成図で、液晶表示パネルの裏面側から見た図
である。
【0093】本実施の形態の液晶表示モジュールは、モ
ールドケース(ML)、シールドケース(SHD)を備
える。HLD1,HLD2,HLD3およびHLD4
は、モールドケース(ML)、シールドケース(SH
D)にそれぞれ設けられる取付穴である。当該液晶表示
モジュールは、この4個の取付穴にネジ等を通してノー
トパソコン等に実装される。バックライトを駆動するた
めのインバータ回路ユニットは、取付穴(HLD1,H
LD2)の間の凹部に配置され、接続コネクタ(LC
T)、ランプケーブル(LCP1,LCP2)を介して
冷陰極蛍光灯(LP)に駆動電圧を供給する。
【0094】コンピュータ本体側からの表示データ、表
示制御信号および電源は、モジュール裏面に位置するイ
ンタフェースコネクタ(CT1)を介して、インタフェ
ース部100に供給される。
【0095】図15(a)は、図13に示す液晶表示モ
ジュールのI−I線で切断した断面図、図15(b)
は、図13に示す液晶表示モジュールのII−II線で
切断した断面図、図16(a)は、図13に示す液晶表
示モジュールのIII−III線で切断した断面図、図
16(b)は、図13に示す液晶表示モジュールのIV
−IV線で切断した断面図である。
【0096】図15、図16において、SHDは液晶表
示パネルの周辺および液晶表示パネルの駆動回路を覆う
シールドケース(上側ケース)である。MLはバックラ
イトユニットを収納するモールドケース(下側ケース)
である。LF1およびLF2は下側ケース(ML)を覆
う第1および第2の下側シールドケースである。
【0097】WSPCはバックライトユニットの周囲を
覆う枠スペーサである。SUB1およびSUB2は、液
晶表示パネルを構成するガラス基板である。図16にお
いては、ガラス基板(SUB1)は薄膜トランジスタ
(TFT1,TFT2)および画素電極(ITO1)が
形成されている基板、ガラス基板(SUB2)はカラー
フィルタおよびコモン電極(ITO2)が形成される基
板である。
【0098】FUSは封止材であり、BMはガラス基板
(SUB2)に形成された遮光膜、POL1はガラス基
板(SUB2)に貼付けられる上偏光板、POL2はガ
ラス基板(SUB1)に貼付けられる下偏光板、VIN
C1はガラス基板(SUB2)に貼付けられる視野拡大
フィルム、VINC2はガラス基板(SUB2)に貼付
けられる視野拡大フィルムである。
【0099】本実施の形態では、ガラス基板(SUB
1,SUB2)に視野拡大フィルム(VINC1,VI
NC2)を貼付けることにより、ユーザが見る角度によ
りコントラストが変化する液晶表示パネル特有の問題で
ある、視野依存性をなくしている。なお、視野拡大フィ
ルム(VINC1,VINC2)は、偏光板(POL
1,POL2)の外側に貼り付けてもよいが、視野拡大
フィルム(VINC1,VINC2)を偏光板(POL
1,POL2)とガラス基板(SUB1,SUB2)の
間に設けることにより、視野拡大効果を増大することが
できる。
【0100】LPは冷陰極蛍光灯、LSはランプ反射シ
ート、GLBは導光板、RFSは反射シート、SPSは
プリズムシートである。PORは偏光反射板であり、液
晶表示パネルの輝度を向上させるために設けられてい
る。偏光反射板(POR)は特定の偏光軸の光のみを透
過し、それ以外の偏光軸の光は反射する性質を持ってい
る。したがって、偏光反射板(POR)の透過する偏光
軸を下偏光板(POL2)の偏光軸と合致させることに
より、従来下偏光板(POL2)で吸収されていた光
も、偏光反射板(POR)と導光板(GLB)との間で
行ったり来たりしている間に、下偏光板(POL2)を
透過する偏光光に変化されて偏光反射板(POR)から
射出されるので、液晶表示パネルのコントラストを向上
させることができる。
【0101】枠スペーサ(WSPC)は導光板(GL
B)の周辺部を押さえ、枠スペーサ(WSPC)のフッ
クをモールドケース(ML)の穴に差し込むことによ
り、導光板(GLB)をモールドケース(ML)にしっ
かりと固定し、導光板(GLB)が液晶表示パネルに衝
突するのを防いでいる。さらに、拡散シート(SP
S)、プリズムシート(PRS)および偏光反射板(P
OR)も、枠スペーサ(WSPC)により抑えつけられ
ているので、拡散シート(SPS)、プリズムシート
(PRS)および偏光反射板(POR)が歪むことな
く、バックライトユニットを液晶表示モジュールに実装
することができる。
【0102】GC1は枠スペーサ(WSPC)とガラス
基板(SUB1)との間に設けられるゴムクッションで
ある。LPC3は冷陰極蛍光灯(LP)に駆動電圧を供
給するランプケーブルであり、実装スペースを取らない
ようにフラットケーブルからなり枠スペーサ(WSP
C)とランプ反射シート(LS)との間に設けられる。
このランプケーブル(LPC3)は両面テープによりラ
ンプ反射シート(LS)が貼り付けられているので、冷
陰極蛍光灯(LP)を交換するときにランプ反射シート
(LS)とともに交換することができ、ランプケーブル
(LPC3)をランプ反射シート(LS)から外す必要
がなく、冷陰極蛍光灯(LP)の交換が容易である。
【0103】OLはOリングで、冷陰極蛍光灯(LP)
とランプ反射シート(LS)との間のクッションの働き
をする。Oリング(OL)は冷陰極蛍光灯(LP)の発
光輝度が低下しないように透明な合成樹脂材料で構成さ
れる。また、Oリング(OL)は冷陰極蛍光灯(LP)
から高周波の電流が漏れだすのを防止するため、誘電率
の低い絶縁材料で構成される。さらに、Oリング(O
L)は冷陰極蛍光灯(LP)が導光板(GLB)と衝突
するのを防止するクッションの働きもする。
【0104】IC1は液晶表示パネル10のドレイン信
号線(D)に映像信号電圧を供給するドレインドライバ
130を構成する半導体チップであり、ガラス基板(S
UB1)上に実装されている。この半導体チップ(IC
1)はガラス基板(SUB1)の一方の辺にのみ実装さ
れているので、半導体チップ(IC1)が実装された辺
と対向する辺の額縁領域を小さくすることができる。ま
た、冷陰極蛍光灯(LP)およびランプ反射シート(L
S)は、ガラス基板(SUB1)の半導体チップ(IC
1)が実装された部分の下側に重ねて配置されるので、
冷陰極蛍光灯(LP)およびランプ反射シート(LS)
を、液晶表示モジュール内にコンパクトに収納すること
ができる。
【0105】IC2は液晶表示パネル10のゲート信号
線(G)に走査駆動電圧を供給するゲートドライバ14
0を構成する半導体チップであり、ガラス基板(SUB
1)上に実装されている。この半導体チップ(IC2)
もガラス基板(SUB1)の一方の辺にのみ実装されて
いるので、半導体チップ(IC2)が実装された辺と対
向する辺の額縁領域を小さくすることができる。
【0106】FPC1はゲート信号線側フレキシブルプ
リント基板で、ガラス基板(SUB1)の外部端子に異
方性導電膜により接続され、半導体チップ(IC2)に
電源および駆動信号を供給する。FPC2はドレイン信
号線側フレキシブルプリント基板で、ガラス基板(SU
B1)の外部端子に異方性導電膜により接続され、半導
体チップ(IC1)に電源および駆動信号を供給する。
フレキシブルプリント基板(FPC1,FPC2)上に
は抵抗、コンデンサ等のチップ部品(EP)が実装され
ている。
【0107】本実施の形態では、液晶表示パネル10の
額縁領域を縮小するために、フレキシブルプリント基板
(FPC2)はランプ反射シート(LS)を包むように
折り曲げられ、フレキシブルプリント基板(FPC2)
の一部(b部)はバックライトユニットの裏のモールド
ケース(ML)と第2のシールドケースとの間に挟まれ
て固定される。そのため、モールドケース(ML)に
は、フレキシブルプリント基板(FPC2)上に実装さ
れるチップ部品(EP)のスペーサを確保するための切
り抜きが設けられている。
【0108】フレキシブルプリント基板(FPC2)
は、折り曲げを容易とするための薄い厚さの部分(a
部)と、多層配線のための厚さの厚い部分(b部)とで
構成される。また、本実施の形態では、下側シールドケ
ースを第1の下側シールドケース(LF1)と第2の下
側シールドケース(LF2)とで構成し、当該2つの下
側シールドケース(LF1,LF2)で液晶表示モジュ
ールの裏面を覆うようにしたので、第2の下側シールド
ケース(LF2)を取り外せばランプ反射シート(L
S)を露出させることができるので、冷陰極蛍光灯(L
P)の交換が容易である。
【0109】PCBは表示制御装置110や電源回路1
20が搭載されるインタフェース基板で、このインタフ
ェース基板(PCB)も多層のプリント基板で構成され
る。本実施の形態では、液晶表示パネル10の額縁領域
を小さくするために、インタフェース基板(PCB)
は、フレキシブルプリント基板(FPC1)の下に重ね
て配置され両面テープ(BAT)でガラス基板(SUB
1)に接着されている。
【0110】インタフェース基板(PCB)にはコネク
タ(CTR3)とコネクタ(CTR4)が設けられ、コ
ネクタ(CTR4)はフレキシブルプリント基板(FP
C2)のコネクタ(CT4)と電気的に接続される。同
様に、コネクタ(CTR3)はフレキシブルプリント基
板(FPC1)のコネクタ(CT3)と電気的に接続さ
れる。
【0111】図17は、液晶表示パネル10の周辺にフ
レキシブルプリント配線基板(FPC1)と、折り曲げ
る前のフレキシブルプリント配線基板(FPC2)を実
装した状態を示す図である。また、図18は、図17に
おいて、液晶表示パネル10とフレキシブルプリント配
線基板(FPC1,FPC2)とが接続されている部分
を拡大して示す図である。
【0112】なお、図17、図18において、TCON
は表示制御装置110を構成する半導体チップであり、
また、DTMはドレイン端子、GTMはゲート端子であ
る。
【0113】図15、図16において、SUBは補強板
であり、下側シールドケース(LF1)とコネクタ(C
T4)との間に配置され、コネクタ(CT4)がコネク
タ(CTR4)から外れるのを防止している。SPC4
はシールドケース(SHD)と上偏光板(POL1)と
の間に設けられるスペーサであり、腐食布からなり接着
剤によりシールドケース(SHD)に貼り付けられてい
る。
【0114】本実施の形態では、上偏光板(POL1)
と視野拡大フィルム(VINC1)とをガラス基板(S
UB2)から引出し、上偏光板(POL1)と視野拡大
フィルム(VINC1)とをシールドケース(SHD)
で押さえている。この構成により、本実施の形態では額
縁領域を小さくしても充分な強度を確保している。
【0115】DSPCはドレインスペーサであり、シー
ルドケース(SHD)とガラス基板(SUB1)との間
に設けられ、シールドケース(SHD)とガラス基板
(SUB1)とが衝突するのを防止している。また、ド
レインスペーサ(DSPC)は半導体チップ(IC1)
を覆うように設けられるので、半導体チップ(IC1)
の部分には切り欠き(NOT)が設けられる。これによ
り、シールドケース(SHD)やドレインスペーサ(D
SPC)が半導体チップ(IC1)に衝突することがな
くなる。また、ドレインスペーサ(DSPC)は、ガラ
ス基板(SUB1)の外部接続端子上にあるフレキシブ
ルプリント基板(FPC2)も押さえているので、ガラ
ス基板(SUB1)からフレキシブルプリント基板(F
PC2)が剥離するのを防止している。FUSは液晶表
示パネルの液晶封入口を封止する封止材である。
【0116】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本
発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは勿論である。
【0117】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【0118】(1)本発明によれば、各画素に印加され
る多階調の階調電圧を生成する階調電圧生成回路におい
て、分圧抵抗の抵抗値の最小値と最大値との幅を広く設
定することができるので、液晶層の透過率に合わせて、
分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定することが可能
となる。
【0119】(2)本発明によれば、液晶表示パネルに
表示される多階調の表示画像をよりリニアに表示するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるTFT方式の液晶
表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示す液晶表示パネルの一例の等価回路を
示す図である。
【図3】図1に示す液晶表示パネルの他の例の等価回路
を示す図である。
【図4】図1に示すドレインドライバからドレイン信号
線(D)に出力される液晶駆動電圧、即ち、画素電極
(ITO1)に印加される液晶駆動電圧と、コモン電極
(ITO2)に印加される液晶駆動電圧との関係を示す
図である。
【図5】図1に示すドレインドライバの一例の概略構成
示すブロック図である。
【図6】出力回路157の構成を中心に、図5に示すド
レインドライバ130の構成を説明するためのブロック
図である。
【図7】従来の階調電圧生成回路の回路構成を示す回路
図である。
【図8】従来の階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回
路の重み付けを説明するための図である。
【図9】半導体チップ内での、従来の階調電圧生成回路
のレイアウトを示す図である。
【図10】本実施の形態の正極性階調電圧生成回路、あ
るいは負極性階調電圧生成回路を構成する分圧抵抗回路
の回路構成を示す回路図である。
【図11】半導体チップ内での、本実施の形態の階調電
圧生成回路のレイアウトを示す図である。
【図12】本実施の形態の正極性階調電圧生成回路の回
路構成を示す回路図である。
【図13】本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完
成図で、液晶表示パネルの表示面側から見た正面図、前
側面図、右側面図、左側面図および後側面図である。
【図14】本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完
成図で、液晶表示パネルの裏面側から見た図である。
【図15】図13に示すI−I線で切断した断面図、お
よび、II−II線で切断した断面図である。
【図16】図13に示すIII−III線で切断した断
面図、および、IV−IV線で切断した断面図である。
【図17】本実施の形態の液晶表示モジュールにおい
て、液晶表示パネルの周辺にフレキシブルプリント配線
基板(FPC1)と、折り曲げる前のフレキシブルプリ
ント配線基板(FPC2)を実装した状態を示す図であ
る。
【図18】図17において、液晶表示パネルとフレキシ
ブルプリント配線基板(FPC1,FPC2)とが接続
されている部分を拡大して示す図である。
【図19】液晶層に印加する電圧と透過率との関係を示
すグラフである。
【符号の説明】
10…液晶表示パネル(TFT−LCD)、19…階調
配線層、20…抵抗配線層、21…スルーホール、22
…層間絶縁膜、30…直列抵抗回路、100…インタフ
ェース部、110…表示制御装置、120…電源回路、
121,122…電圧生成回路、123…コモン電極電
圧生成回路、124…ゲート電極電圧生成回路、130
…ドレインドライバ、131,132,135,14
1,142…信号線、133…表示データのバスライ
ン、140…ゲートドライバ、151a,151b…階
調電圧生成回路、152…制御回路、153…シフトレ
ジスタ回路、154…入力レジスタ回路、155…スト
レージレジスタ回路、156…レベルシフト回路、15
7…出力回路、158a,158b…電圧バスライン、
261…デコーダ部、262,264…スイッチ部、2
63…アンプ回路対、265…データラッチ部、27
8,279…デコーダ回路、271…高電圧用アンプ回
路、272…低電圧用アンプ回路、LCM…液晶表示モ
ジュール、D…ドレイン信号線(映像信号線または垂直
信号線)、G…ゲート信号線(走査信号線または水平信
号線)、ITO1…画素電極、ITO2…コモン電極
(ITO2)、TFT1,TFT2…薄膜トランジス
タ、CSTG…保持容量、Cadd…付加容量、ML…
モールドケース、SHD…シールドケース、LCT…接
続コネクタ、CT1…インタフェースコネクタ、CT
3,CT4,CTR3,CTR4…コネクタ、LCP
1,LCP2,LPC3…ランプケーブル、LP…冷陰
極蛍光灯、LF1,LF2…下側シールドケースで、W
SPC…枠スペーサ、SUB1,SUB2…ガラス基
板、FUS…封止材、BM…遮光膜、POL1,POL
2…偏光板、VINC1,VINC2…視野拡大フィル
ム、LS…ランプ反射シート、GLB…導光板、RFS
…反射シート、SPS…プリズムシート、POR…偏光
反射板、GC1…ゴムクッション、OL…Oリング、I
C1,IC2,TCON…半導体チップ、FPC1,F
PC2…フレキシブルプリント基板、EP…抵抗、コン
デンサ等のチップ部品、PCB…インタフェース基板、
BAT…両面テープ、SUB…補強板、SPC4…スペ
ーサ、DSPC…ドレインスペーサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 後藤 充 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 尾手 幸秀 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内 (72)発明者 渡辺 浩 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マトリクス状に配置された複数の画素を
    有する液晶表示パネルと、階調電圧生成手段を有し当該
    階調電圧生成手段で生成された多階調の階調電圧の中の
    任意の階調電圧を映像信号電圧として前記各画素に印加
    する駆動手段とを具備する液晶表示装置において、 前記階調電圧生成手段は、複数の階調基準電圧間を分圧
    して多階調の階調電圧を生成する抵抗分圧回路を有し、 当該抵抗分圧回路の各分圧抵抗は、直列接続された複数
    個の基準抵抗の各接続点、および直列接続された複数個
    の基準抵抗における両端の基準抵抗の互いに他の基準抵
    抗と接続されない端部の中から選択された少なくとも1
    個と、前記選択された少なくとも1個以外の前記直列接
    続された複数個の基準抵抗の各接続点、および直列接続
    された複数個の基準抵抗における両端の基準抵抗の互い
    に他の基準抵抗と接続されない端部の中から選択された
    少なくとも1個との間の合成抵抗であることを特徴とす
    る液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記各分圧抵抗の抵抗値は、液晶層に印
    加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重み付け
    がなされていることを特徴とする請求項1に記載された
    液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記駆動手段は半導体集積回路で構成さ
    れ、前記半導体集積回路は、前記多階調の階調電圧が出
    力される複数の階調電圧配線層と、前記複数の階調電圧
    配線層と同一方向に延在して設けられる前記複数の基準
    抵抗を構成する複数の抵抗配線層と、前記各階調電圧配
    線層と前記各抵抗配線層とを絶縁する層間絶縁膜と、前
    記層間絶縁膜に設けられ、前記各階調電圧配線層と前記
    各抵抗配線層とを接続するスルーホールとを有し、 前記スルーホールの数および設置位置を適宜に選択し
    て、前記分圧抵抗の抵抗値を所定の値に調整することを
    特徴とする請求項1または請求項2に記載された液晶表
    示装置。
  4. 【請求項4】 前記抵抗配線層は、ジグザクパターン状
    に形成されていることを特徴とする請求項3に記載され
    た液晶表示装置。
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