JP3578377B2 - 液晶表示装置およびドレインドライバ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等に用いられる液晶表示装置に係わり、特に、多階調表示が可能な液晶表示装置の映像信号線駆動回路（ドレインドライバ）に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
画素毎に能動素子（例えば、薄膜トランジスタ）を有し、この能動素子をスイッチング駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ノート型パソコン等の表示装置として広く使用されている。このアクティブマトリクス型液晶表示装置は、能動素子を介して画素電極に映像信号電圧（階調電圧）を印加するため、各画素間のクロストークがなく、単純マトリックス形液晶表示装置のようにクロストークを防止するための特殊な駆動方法を用いる必要がなく、多階調表示が可能である。
【０００３】
このアクティブマトリクス型液晶表示装置の１つに、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ）方式の液晶表示パネル（ＴＦＴ−ＬＣＤ）と、液晶表示パネルの上側に配置されるドレインドライバと、液晶表示パネルの側面に配置されるゲートドライバおよびインタフェース部とを備えるＴＦＴ方式の液晶表示モジュールが知られている。
【０００４】
このＴＦＴ方式の液晶表示モジュールおいては、多階調表示を可能にするため、ドレインドライバ内に多階調電圧生成回路を備えている。なお、このような技術は、例えば、特願平７−２８９５４６号に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記ドレインドライバ内の多階調電圧生成回路は、電源回路から供給される複数の階調基準電圧間を分圧する抵抗分圧回路で構成される。この場合に、図１９に示すように、一般に液晶層に印加する電圧と透過率との関係はリニアではなく、透過率の高いところ、および低いところでは、液晶層に印加する電圧に対する透過率の変化は少なく、その中間となるところでは透過率の変化が大きい。
【０００６】
そのため、前記ドレインドライバ内の多階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値は同一ではなく、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重み付けが成されている。
【０００７】
また、近年、液晶表示装置においては、６４階調表示から２５６階調表示へとより多階調表示が進みつつある。
【０００８】
そして、このような多階調の表示画像を液晶表示パネルにリニアに表示するためには、この多階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値を精細に調整することが要望されている。しかしながら、従来の多階調電圧生成回路においては、抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値を精細に調整することが困難であった。
【０００９】
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置において、階調電圧生成手段で生成される多階調電圧をよりきめ細かく調整することが可能となる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１２】
マトリクス状に配置された複数の画素と、階調電圧生成手段を有し当該階調電圧生成手段で生成された多階調の階調電圧の中の任意の階調電圧を映像信号電圧として前記各画素に印加する駆動手段とを具備する液晶表示装置において、前記階調電圧生成手段は、複数の階調基準電圧間を分圧して多階調の階調電圧を生成する抵抗分圧回路を有し、前記抵抗分圧回路は、直列接続された複数個の基準抵抗からなる複数の基準抵抗列を有し、前記抵抗分圧回路の分圧抵抗は、第１列の基準抵抗列の前記基準抵抗の各接続点の１つと、前記第１列の基準抵抗列と隣り合う第２列の基準抵抗列の前記基準抵抗の各接続点の１つとを接続して形成された合成抵抗であることを特徴とする。
【００１３】
また、前記駆動手段は半導体集積回路で構成され、前記半導体集積回路は、前記多階調の階調電圧が出力される複数の階調電圧配線と、前記複数の階調電圧配線と同一方向に延在して設けられる前記複数の基準抵抗を構成する複数の抵抗配線と、前記各階調電圧配線と前記各抵抗配線とを絶縁する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に設けられ、前記各階調電圧配線と前記各抵抗配線とを接続するスルーホールとを有し、前記スルーホールの数および設置位置を適宜に選択して、前記分圧抵抗の抵抗値を所定の値に調整することを特徴とする。
【００１４】
さらに、前記各分圧抵抗の抵抗値は、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重み付けがなされていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１６】
なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態１のＴＦＴ方式の液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【００１８】
本実施の形態の液晶表示モジュール（ＬＣＭ）は、液晶表示パネル（ＴＦＴ−ＬＣＤ）１０の上側にドレインドライバ１３０が配置され、また、液晶表示パネル１０の側面に、ゲートドライバ１４０、インタフェース部１００が配置される。
【００１９】
インタフェース部１００はインタフェース基板に実装され、また、ドレインドライバ１３０、ゲートドライバ１４０も、それぞれ専用のプリント基板に実装される。
【００２０】
図２は、図１に示す液晶表示パネル１０の一例の等価回路を示す図である。
【００２１】
なお、図２は回路図であるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれており、同図に示すように、液晶表示パネル１０は、マトリクス状に形成される複数の画素を有する。
【００２２】
各画素は、隣接する２本の信号線（ドレイン信号線（Ｄ）またはゲート信号線（Ｇ））と、隣接する２本の信号線（ゲート信号線（Ｇ）またはドレイン信号線（Ｄ））との交差領域内に配置される。
【００２３】
各画素は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）を有し、各画素の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）のソース電極は、画素電極（ＩＴＯ１）に接続され、画素電極（ＩＴＯ１）とコモン電極（ＩＴＯ２）との間に液晶層（ＬＣ）が設けられるので、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）のソース電極とコモン電極（ＩＴＯ２）との間には、液晶容量（ＣＬＣ）が等価的に接続される。
【００２４】
また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）のソース電極と前段のゲート信号線（Ｇ）との間には、付加容量（ＣＡＤＤ ）が接続される。
【００２５】
図３は、図１に示す液晶表示パネル１０の他の例の等価回路を示す図である。
【００２６】
図２に示す例では、全段のゲート信号線（Ｇ）とソース電極との間に付加容量（ＣＡＤＤ ）が形成されているが、図３に示す例の等価回路では、共通信号線（ＣＯＭ）とソース電極との間に保持容量（ＣＳＴＧ）が形成されている点が異なっている。
【００２７】
本発明は、どちらにも適用可能であるが、前者の方式では、全段のゲート信号線（Ｇ）パルスが付加容量（ＣＡＤＤ ）を介して画素電極（ＩＴＯ１）に飛び込むのに対し、後者の方式では、飛び込みがないため、より良好な表示が可能となる。なお、図２および図３において、ＡＲは表示領域である。
【００２８】
図２あるいは図３に示す液晶表示パネル１０において、列方向に配置された各画素の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）のドレイン電極は、それぞれドレイン信号線（Ｄ）に接続され、各ドレイン信号線（Ｄ）は、列方向に配置された画素の液晶に映像信号電圧（表示データ電圧）を印加するドレインドライバ１３０に接続される。
【００２９】
また、行方向に配置された各画素における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）のゲート電極は、それぞれゲート信号線（Ｇ）に接続され、各ゲート信号線（Ｇ）は、１水平走査時間、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）のゲートに走査駆動電圧（正のバイアス電圧あるいは負のバイアス電圧）を供給するゲートドライバ１４０に接続される。ここで、図１に示す液晶表示パネル１０は、６４０×３×４８０画素から構成される。
【００３０】
図１に示すインタフェース部１００は、表示制御装置１１０と電源回路１２０とから構成される。
【００３１】
表示制御装置１１０は、１個の半導体集積回路（ＬＳＩ）から構成され、コンピュータ本体側から送信されてくるクロック信号、ディスプレイタイミング信号、水平同期信号、垂直同期信号の各表示制御信号および表示用データ（Ｒ・Ｇ・Ｂ）を基に、ドレインドライバ１３０、および、ゲートドライバ１４０を制御・駆動する。
【００３２】
表示制御装置１１０は、ディスプレイタイミング信号が入力されると、これを表示開始位置と判断し、受け取った単純１列の表示データを、表示データのバスライン１３３を介してドレインドライバ１３０に出力する。
【００３３】
その際、表示制御装置１１０は、ドレインドライバ１３０のデータラッチ回路に表示データをラッチするための表示制御信号である表示データラッチ用クロック（Ｄ２）を信号線１３１を介して出力する。
【００３４】
この場合に、本体コンピュータ側からの表示データは、１画素単位、即ち、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各データを１つの組にして単位時間毎に転送する。ここで、表示データは、各色毎６ビットの１８ビットで構成されている。
【００３５】
また、表示制御装置１１０は、ディスプレイタイミング信号の入力が終了するか、または、ディスプレイタイミング信号が入力されてから所定の一定時間が過ぎると、１水平分の表示データが終了したものとして、ドレインドライバ１３０のラッチ回路に蓄えていた表示データを液晶表示パネル１０のドレイン信号線（Ｄ）に出力するための表示制御信号である出力タイミング制御用クロック（Ｄ１）を信号線１３２を介してドレインドライバ１３０に出力する。
【００３６】
また、表示制御装置１１０は、垂直同期信号入力後に、第１番目のディスプレイタイミング信号が入力されると、これを第１番目の表示ラインと判断して信号線１４２を介してゲートドライバ１４０にフレーム開始指示信号を出力する。
【００３７】
さらに、表示制御装置１１０は、水平同期信号に基づいて、１水平走査時間毎に、順次液晶表示パネル１０の各ゲート信号線（Ｇ）に正のバイアス電圧を印加するように、信号線１４１を介してゲートドライバ１４０へ１水平走査時間周期のシフトクロックであるクロック（Ｇ１）を出力する。
【００３８】
これにより、液晶表示パネル１０の各ゲート信号線（Ｇ）に接続された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）が、１水平走査時間の間導通する。以上の動作により、液晶表示パネル１０に画像が表示される。
【００３９】
図１に示す電源回路１２０は、正電圧生成回路１２１、負電圧生成回路１２２、コモン電極（対向電極）電圧生成回路１２３、ゲート電極電圧生成回路１２４から構成される。
【００４０】
正電圧生成回路１２１、負電圧生成回路１２２は、それぞれ直列抵抗分圧回路で構成され、正極性の５値の階調基準電圧（Ｖ０〜Ｖ４）を、負電圧生成回路１２２は負極性の５値の階調基準電圧（Ｖ５〜Ｖ９）を出力する。この正極性の階調基準電圧（Ｖ０〜Ｖ４）、および負極性の階調基準電圧（Ｖ５〜Ｖ９）は、各ドレインドライバ１３０に供給される。また、各ドレインドライバ１３０には、表示制御装置１１０からの交流化信号（交流化タイミング信号；Ｍ）も、信号線１３５を介して供給される。
【００４１】
コモン電極電圧生成回路１２３はコモン電極（ＩＴＯ２）に印加する駆動電圧を、ゲート電極電圧生成回路１２４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）のゲートに印加する駆動電圧（正のバイアス電圧および負のバイアス電圧）を生成する。
【００４２】
一般に、液晶層（ＬＣ）は、長時間同じ電圧（直流電圧）が印加されていると、液晶層（ＬＣ）の傾きが固定化され、結果として残像現象を引き起こし、液晶層（ＬＣ）の寿命を縮めることになる。
【００４３】
これを防止するために、従来の液晶表示装置においては、液晶層（ＬＣ）に印加する液晶駆動電圧をある一定時間毎に交流化、即ち、コモン電極（ＩＴＯ２）の液晶駆動電圧を基準にして、画素電極（ＩＴＯ１）に印加される液晶駆動電圧を、一定時間毎に正電圧側／負電圧側に変化させるようにしている。
【００４４】
この液晶層（ＬＣ）に交流電圧を印加する駆動方法として、コモン対称法とコモン反転法の２通りの方法が知られている。コモン反転法とは、コモン電極（ＩＴＯ２）と画素電極（ＩＴＯ１）に印加される電圧を共に交互に反転させる方法であり、また、コモン対称法とは、コモン電極（ＩＴＯ２）に印加される電圧を一定とし、画素電極（ＩＴＯ１）に印加する電圧を、コモン電極（ＩＴＯ２）に印加される電圧を基準にして、交互に正、負に反転させる方法である。
【００４５】
このコモン対称法は、画素電極（ＩＴＯ１）に印加される電圧の振幅が、コモン反転法の場合に比べ２倍となり、低電圧のドライバが使用できないと言う欠点があるが、低消費電力と表示品質の点で優れているドット反転法あるいはＶライン反転法が使用可能である。本実施の形態の液晶表示モジュールでは、その駆動方法として、前記ドット反転法を使用している。
【００４６】
図４は、図１に示すドレインドライバ１３０からドレイン信号線（Ｄ）に出力される液晶駆動電圧、即ち、画素電極（ＩＴＯ１）に印加される液晶駆動電圧と、コモン電極（ＩＴＯ２）に印加される液晶駆動電圧との関係を示す図である。
【００４７】
なお、図４では、ドレインドライバ１３０からドレイン信号線（Ｄ）に出力される液晶駆動電圧は、液晶表示パネル１０の表示面に黒を表示する場合の液晶駆動電圧を示している。
【００４８】
図４に示すように、ドレインドライバ１３０から奇数番目のドレイン信号線（Ｄ）に出力される液晶駆動電圧（ＶＤＨ）と、ドレインドライバ１３０から出力される偶数番目のドレイン信号線（Ｄ）に出力される液晶駆動電圧（ＶＤＬ）とは、コモン電極（ＩＴＯ２）に印加される液晶駆動電圧（ＶＣＯＭ）に対して逆極性、即ち、奇数番目のドレイン信号線（Ｄ）に出力される液晶駆動電圧（ＶＤＨ）が正極性（または負極性）であれば、偶数番目のドレイン信号線（Ｄ）に出力される液晶駆動電圧（ＶＤＬ）は負極性（または正極性）である。
【００４９】
そして、その極性は１ライン毎に反転され、さらに、各ライン毎の極性が、フレーム毎に反転される。
【００５０】
このドット反転法を使用することにより、隣り合うドレイン信号線（Ｄ）に印加される電圧が逆極性となるため、コモン電極（ＩＴＯ２）やゲート電極（Ｇ）に流れる電流が隣同志で打ち消し合い、消費電力を低減することができる。
【００５１】
また、コモン電極（ＩＴＯ２）に流れる電流が少なく電圧降下が大きくならないため、コモン電極（ＩＴＯ２）の電圧レベルが安定し、表示品質の低下を最小限に抑えることができる。
【００５２】
図５は、図１に示すドレインドライバ１３０の一例の概略構成示すブロック図である。なお、ドレインドライバ１３０は、１個の半導体集積回路（ＬＳＩ）から構成される。
【００５３】
同図において、正極性階調電圧生成回路１５１ａは、正電圧生成回路１２１から入力される正極性の５値の階調基準電圧（Ｖ０〜Ｖ４）に基づいて、正極性の６４階調分の階調電圧を生成し、電圧バスライン１５８ａを介して出力回路１５７に出力する。負極性階調電圧生成回路１５１ｂは、負電圧生成回路１２２から入力される負極性の５値の階調基準電圧（Ｖ５〜Ｖ９）に基づいて、負極性の６４階調分の階調電圧を生成し、電圧バスライン１５８ｂを介して出力回路１５７に出力する。
【００５４】
また、ドレインドライバ１３０の制御回路１５２内のシフトレジスタ回路１５３は、表示制御装置１１０から入力される表示データラッチ用クロック（Ｄ２）に基づいて、入力レジスタ回路１５４のデータ取り込み用信号を生成し、入力レジスタ回路１５４に出力する。
【００５５】
入力レジスタ回路１５４は、シフトレジスタ回路１５３から出力されるデータ取り込み用信号に基づき、表示制御装置１１０から入力される表示データラッチ用クロック（Ｄ２）に同期して、各色毎６ビットの表示データを出力本数分だけラッチする。
【００５６】
ストレージレジスタ回路１５５は、表示制御装置１１０から入力される出力タイミング制御用クロック（Ｄ１）に応じて、入力レジスタ回路１５４内の表示データをラッチする。このストレージレジスタ回路１５５に取り込まれた表示データは、レベルシフト回路１５６を介して出力回路１５７に入力される。
【００５７】
出力回路１５７は、正極性の６４階調分の階調電圧、あるいは負極性の６４階調分の階調電圧の中から、表示データに対応した１つの階調電圧を選択し、各ドレイン信号線（Ｄ）に出力する。
【００５８】
図６は、出力回路１５７の構成を中心に、図５に示すドレインドライバ１３０の構成を説明するためのブロック図である。
【００５９】
同図において、１５３は図５に示す制御回路１５２内のシフトレジスタ回路、１５６は図５に示すレベルシフト回路であり、また、データラッチ部２６５は、図５に示す入力レジスタ回路１５４とストレージレジスタ回路１５５とを表し、さらに、デコーダ部２６１、アンプ回路対２６３、アンプ回路対２６３の出力を切り替えるスイッチ部（２）２６４が、図５に示す出力回路１５７を構成する。
【００６０】
ここで、スイッチ部（１）２６２およびスイッチ部（２）２６４は、交流化信号（Ｍ）に基づいて制御される。また、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４，Ｙ５，Ｙ６は、それぞれ第１番目、第２番目、第３番目、第４番目、第５番目、第６番目のドレイン信号線（Ｄ）を示している。
【００６１】
図６に示すドインドライバ１３０においては、スイッチ部（１）２６２により、データラッチ部２６５（より詳しくは、図５に示す入力レジスタ１５４）に入力されるデータ取り込み用信号を切り替えて、各色毎の表示データを各色毎の隣接するデータラッチ部２６５に入力する。
【００６２】
デコーダ部２６１は、階調電圧生成回路１５１ａから電圧バスライン１５８ａを介して出力される正極性の６４階調分の階調電圧の中から、各データラッチ部２６５（より詳しくは、図５に示すストレージレジスタ１５５）から出力される表示用データに対応する階調電圧を選択する高電圧用デコーダ回路２７８と、階調電圧生成回路１５１ｂから電圧バスライン１５８ｂを介して出力される負極性の６４階調分の階調電圧の中から、各データラッチ部２６５から出力される表示用データに対応する階調電圧を選択する低電圧用デコーダ回路２７９とから構成される。この高電圧用デコーダ回路２７８と低電圧用デコーダ回路２７９とは、隣接するデータラッチ部２６５毎に設けられる。
【００６３】
アンプ回路対２６３は、高電圧用アンプ回路２７１と低電圧用アンプ回路２７２とにより構成される。高電圧用アンプ回路２７１には高電圧用デコーダ回路２７８で選択された正極性の階調電圧が入力され、高電圧用アンプ回路２７１は正極性の液晶駆動電圧を出力する。低電圧用アンプ回路２７２には低電圧用デコーダ回路２７９で選択された負極性の階調電圧が入力され、低電圧用アンプ回路２７２は負極性の液晶駆動電圧を出力する。
【００６４】
ドット反転法では、隣接する各色の映像信号電圧は互いに逆極性となり、また、アンプ回路対２６３の高電圧用アンプ回路２７１および低電圧用アンプ回路２７２の並びは、高電圧用アンプ回路２７１→低電圧用アンプ回路２７２→高電圧用アンプ回路２７１→低電圧用アンプ回路２７２となるので、スイッチ部（１）２６２により、データラッチ部１６５に入力されるデータ取り込み用信号を切り替えて、各色毎の表示データを、各色毎の隣接するデータラッチ部２６５に入力し、それに合わせて、高電圧用アンプ回路２７１あるいは低電圧用アンプ回路２７２から出力される出力電圧を、スイッチ部（２）２６４により切り替え、各色毎の映像信号電圧が出力されるドレイン信号線（Ｄ）、例えば、第１番目のドレイン信号線Ｙ１と第４番目のドレイン信号線Ｙ４とに出力することにより、各ドレイン信号線（Ｄ）に正極性あるいは負極性の映像信号電圧を出力することが可能となる。
【００６５】
図１９に示すように、液晶層に印加する電圧と透過率との関係はリニアではなく、透過率の高いところ、および低いところでは、液晶層に印加する電圧に対する透過率の変化は少なく、その中間となるところでは透過率の変化が大きい。
【００６６】
そのため、従来の階調電圧生成回路では、６４階調の表示画像をリニアに表示するために、電源回路から供給される、中間調付近（Ｖ２〜Ｖ６）では差が小さく、それ以外の（Ｖ０〜Ｖ２、Ｖ６〜Ｖ８）で差が大きい９値の階調基準電圧（Ｖ０〜Ｖ８）間を分圧して６４階調の階調電圧を生成し、６４階調の表示画像を略リニアに表示するようにしている。
【００６７】
図７は、従来の階調電圧生成回路の回路構成を示す回路図であり、同図（ａ）に示すＲ１〜Ｒ８の抵抗は、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路の合成抵抗を示し、同図（ｂ）は、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路を示している。なお、同図（ｂ）では、簡略化のため、Ｖ８の階調基準電圧とＶ７の階調基準電圧との間を８分割するＲ８１〜Ｒ８８の抵抗分圧回路と、Ｖ１の階調基準電圧とＶ０の階調基準電圧との間を７分割するＲ１１〜Ｒ１７の抵抗分圧回路とを図示しており、他の部分は省略してある。
【００６８】
この場合に、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路の合成抵抗（Ｒ１〜Ｒ８）の抵抗値は、階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路に流れる電流が略一定となるように設定される。さらに、各階調基準電圧間に接続される抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値は、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて所定の重み付け、例えば、図８（ａ）に示すような重み付けを行っている。
【００６９】
なお、図８（ａ）では、重み付けの値を（）付きの数字で表し、また、重み付けの値は説明しやすい値を選択している。また、Ｖａ〜Ｖｉは階調電圧を示している。
【００７０】
図８（ａ）ではＲｃ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆの抵抗値を１．０とした場合、Ｒｂ、Ｒｇの抵抗値は１．２（Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆの抵抗値の１．２倍）、Ｒａ、Ｒｈの抵抗値は２（Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆの抵抗値の２倍）となるように重み付けを行っている。
【００７１】
この場合に、図８（ｂ）に示すように、従来の抵抗分圧回路では、同一の抵抗値の抵抗Ｒを並列に接続したものを使用し、即ち、Ｒｃ〜Ｒｆの抵抗として抵抗Ｒを６本並列に接続（全体の抵抗値はＲ／６）したものを使用し、また、Ｒｂ、Ｒｇの抵抗として抵抗Ｒを５本並列に接続（全体の抵抗値はＲ／５）したものを使用し、さらに、Ｒａ、Ｒｈの抵抗として抵抗Ｒを３本並列に接続（全体の抵抗値をＲ／３）したものを使用する。
【００７２】
これにより、Ｒｂ、Ｒｇの抵抗を、Ｒｃ〜Ｒｆの抵抗の１．２（＝６／５）倍の抵抗値に、また、Ｒａ、Ｒｈの抵抗を、Ｒｃ〜Ｒｆの抵抗の２（＝６／３）倍の抵抗としている。
【００７３】
図９は、半導体チップ内での、従来の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図である。従来の階調電圧生成回路は、アルミニウム等で階調配線層１９を形成し、その下に層間絶縁膜を介して、拡散抵抗膜等により形成され、前記階調配線層１９に直交する抵抗配線層２０を設け、この階調配線層１９と抵抗配線層２０とをスルーホール２１で接続して、前記した並列抵抗回路を構成する。
【００７４】
しかしながら、この従来の抵抗分割回路では、基準となる抵抗値（図８（ａ）に示すＲｃ〜Ｒｆの抵抗の抵抗値）がＲ／ｍ、重み付けされる抵抗値（図８（ａ）に示すＲａ，Ｒｂ，Ｒｇ，Ｒｈの抵抗の抵抗値）がＲ／ｎとなり、重み付けの値はｍ／ｎとなる。
【００７５】
そして、近年、液晶表示パネル１０に、よりリニアに６４階調の表示画像を表示できることが要望されているが、この場合には、この階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗を、液晶層に印加する電圧と透過率との関係に合わせて、よりきめ細かな重み付けを行う必要がある。
【００７６】
ところが、従来の階調電圧生成回路では、階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各抵抗値を、よりきめ細かく重み付けを行う場合には、ｍの値が大きくしなければならず、そのため、並列に接続される抵抗の数が多くなるという問題点があり、その重み付けが限定されていた。
【００７７】
図１０は、本実施の形態の正極性階調電圧生成回路１５１ａ、あるいは負極性階調電圧生成回路１５１ｂを構成する分圧抵抗回路の回路構成を示す回路図である。図１０では、簡略化のためにＶａの階調電圧からＶｇの階調電圧までの分圧抵抗回路を示している。
【００７８】
本実施の形態では、各階調電圧が出力される階調電圧配線層（Ｖａ〜Ｖｇ）の間に、８個の基準抵抗（Ｒ１〜Ｒ８）が直列接続される直列抵抗回路（３０）が構成される。そして、この直列抵抗回路（３０）の両端（図１０に示すａ，ｉ）、および各基準抵抗（Ｒ１〜Ｒ８）の接続点（図１０に示すｂ〜ｈ）の少なくも１個を、隣接する一方の階調電圧配線層（Ｖａ〜Ｖｇ）と接続し、隣接する一方の階調電圧配線層（Ｖａ〜Ｖｇ）と接続された以外の、直列抵抗回路の両端（図１０に示すａ，ｉ）、および各基準抵抗（Ｒ１〜Ｒ８）の接続点（図１０に示すｂ〜ｈ）の少なくも１個を、隣接する他方の階調電圧配線層（Ｖａ〜Ｖｇ）と接続して、抵抗分圧回路の分圧抵抗を構成する。
【００７９】
例えば、図１０に示すように、ＶａとＶｂとの階調電圧配線層との間には、Ｒ１からＲ８までの基準抵抗が８個直列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は８Ｒとなり、同様に、ＶｂとＶｃとの階調電圧配線層との間には、Ｒ５からＲ８までの基準抵抗が４個直列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は４Ｒとなり、ＶｃとＶｄとの階調電圧配線層との間には、Ｒ５の基準抵抗が１個接続されて、この分圧回路の抵抗値はＲとなる。
【００８０】
また、ＶｄとＶｅとの階調電圧配線層との間には、Ｒ４の抵抗１個からなるＲの抵抗と、Ｒ５からＲ７までの基準抵抗が３個直列に接続された３Ｒの抵抗とが並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は０．７５Ｒとなり、ＶｅとＶｆとの階調電圧配線層との間には、Ｒ４の抵抗１個からなるＲの抵抗と、Ｒ５からＲ７までの基準抵抗が４個直列に接続された４Ｒの抵抗とが並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は０．８Ｒとなり、さらに、ＶｆとＶｇとの階調電圧配線層との間には、Ｒ３の抵抗１個からなるＲの抵抗と、Ｒ４からＲ８までの基準抵抗が５個直列に接続された５Ｒの抵抗とが並列に接続されて、この分圧回路の抵抗値は０．８３Ｒとなる。
【００８１】
本実施の形態では、隣接する階調電圧配線層の間の分圧抵抗の抵抗値として、最小Ｒ／８から最大８Ｒまでの抵抗値を取ることが可能となる。また、０．７５Ｒを基準とすると、０．８０Ｒは、０．７５Ｒの１．０７倍、０．８３Ｒは、０．７５Ｒの１．１１倍となり、各分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定することが可能となる。
【００８２】
図１１は、半導体チップ内での、本実施の形態の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図であり、同図（ａ）はその平面を示す平面図、同図（ｂ）はスルーホール部分の断面を示す断面図である。なお、図１１では、簡略化のためにＶ０４の階調電圧からＶ０８の階調電圧までと、Ｒ１からＲ４の抵抗までのレイアウトの一例を示している。
【００８３】
本実施の形態では、アルミニウム等で階調配線層１９を形成し、その下に層間絶縁膜２２を介して、ポリシリコン、拡散抵抗膜等により形成され、前記階調配線層１９と同一方向に延在する抵抗配線層２０を設ける。この階調配線層１９と抵抗配線層２０とをスルーホール２１で接続して、各抵抗分圧回路の分圧回路を構成する。この場合に、スルーホール２１の数およびその位置の変更は、スルーホール形成用のホトマスクを変更することにより対応可能である。
【００８４】
図１１に示す例では、Ｖ０４とＶ０５との階調電圧の間においては、スルーホール２１ａでＶ０４の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続され、また、スルーホール２１ｄでＶ０５の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続される。したがって、スルーホール２１ａと２１ｄとの間には、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が３個直列に接続され、Ｖ０４とＶ０５との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値は３Ｒとなる。
【００８５】
Ｖ０５とＶ０６との階調電圧の間においては、スルーホール２１ａでＶ０５の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続され、また、スルーホール２１ｄでＶ０６の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続される。したがって、スルーホール２１ａと２１ｄとの間には、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が３個直列に接続され、Ｖ０５とＶ０６との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値は３Ｒとなる。
【００８６】
Ｖ０６とＶ０７との階調電圧の間においては、スルーホール２１ｅでＶ０６の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続され、また、スルーホール２１ｄでＶ０７の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続される。したがって、スルーホール２１ｄと２１ｅとの間には、抵抗Ｒ４が接続され、Ｖ０６とＶ０７との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値はＲとなる。
【００８７】
同様に、Ｖ０７とＶ０８との階調電圧の間においては、スルーホール２１ｃでＶ０７の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続され、また、スルーホール２１ｂと２１ｄでＶ０８の階調電圧の階調配線層１９に抵抗配線層２０が接続される。したがって、スルーホール２１ｃと、スルーホール２１ｂおよび２１ｄとの間には、抵抗Ｒ２とＲ３とが並列に接続され、Ｖ０７とＶ０８との階調電圧の間の分圧抵抗の抵抗値はＲ／２となる。なお、図１１に示す抵抗値は、簡略化のために分かりやすい値を選択しており、必ずしも実際の製品の抵抗値を意味するものではない。
【００８８】
また、本実施の形態の階調電圧生成回路を備えるドレインドライバ１３０では、その半導体チップの長辺方向（ドレイン信号線（Ｄ）と直交する方向）は若干長くなるが、その短辺方向（ドレイン信号線（Ｄ）と同一の方向）は短くすることが可能である。そのため、液晶表示モジュール（ＬＣＤ）の表示領域以外の領域、即ち、額縁部分を小さくすることが可能である。
【００８９】
図１２は、本実施の形態の正極性階調電圧生成回路１５１ａの回路構成を示す回路図である。同図に示すように、本実施の形態では、外部から供給される５値の階調基準電圧（Ｖ０〜Ｖ４）のうち、Ｖ４とＶ３の階調基準電圧との間を８分割、また、Ｖ３とＶ２の階調基準電圧との間、およびＶ２とＶ１の階調基準電圧との間を２４分割、Ｖ１とＶ０の階調基準電圧との間を７分割して、６４階調の階調電圧を生成する。
【００９０】
従来の階調電圧生成回路では、その抵抗分圧回路の分圧回路の抵抗値をきめ細かく設定できなかったため、図１９に示す透過率と電圧との関係を表すグラフを８個の折り線からなる折り線グラフで近似し、その折り線グラフの各折り曲げ点の電圧に相当する９値の階調基準電圧を電源回路から供給し、その９値の階調基準電圧間を所定の分圧比の抵抗分圧回路で分圧するようにしていた。
【００９１】
しかしながら、本実施の形態では、階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の各分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定することが可能であるため、正電圧生成回路１２１（または負電圧生成回路１２２）から入力される階調基準電圧の数を、従来の９値から５値（例えば、図１９に示すＶ０、Ｖ１、Ｖ３、Ｖ６、Ｖ８の階調基準電圧）に少なくなくすることができる。
【００９２】
図１３は、本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの表示面側から見た正面図、前側面図、右側面図、左側面図および後側面図である。図１４は、本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの裏面側から見た図である。
【００９３】
本実施の形態の液晶表示モジュールは、モールドケース（ＭＬ）、シールドケース（ＳＨＤ）を備える。ＨＬＤ１，ＨＬＤ２，ＨＬＤ３およびＨＬＤ４は、モールドケース（ＭＬ）、シールドケース（ＳＨＤ）にそれぞれ設けられる取付穴である。当該液晶表示モジュールは、この４個の取付穴にネジ等を通してノートパソコン等に実装される。バックライトを駆動するためのインバータ回路ユニットは、取付穴（ＨＬＤ１，ＨＬＤ２）の間の凹部に配置され、接続コネクタ（ＬＣＴ）、ランプケーブル（ＬＣＰ１，ＬＣＰ２）を介して冷陰極蛍光灯（ＬＰ）に駆動電圧を供給する。
【００９４】
コンピュータ本体側からの表示データ、表示制御信号および電源は、モジュール裏面に位置するインタフェースコネクタ（ＣＴ１）を介して、インタフェース部１００に供給される。
【００９５】
図１５（ａ）は、図１３に示す液晶表示モジュールのＩ−Ｉ線で切断した断面図、図１５（ｂ）は、図１３に示す液晶表示モジュールのＩＩ−ＩＩ線で切断した断面図、図１６（ａ）は、図１３に示す液晶表示モジュールのＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した断面図、図１６（ｂ）は、図１３に示す液晶表示モジュールのＩＶ−ＩＶ線で切断した断面図である。
【００９６】
図１５、図１６において、ＳＨＤは液晶表示パネルの周辺および液晶表示パネルの駆動回路を覆うシールドケース（上側ケース）である。ＭＬはバックライトユニットを収納するモールドケース（下側ケース）である。ＬＦ１およびＬＦ２は下側ケース（ＭＬ）を覆う第１および第２の下側シールドケースである。
【００９７】
ＷＳＰＣはバックライトユニットの周囲を覆う枠スペーサである。ＳＵＢ１およびＳＵＢ２は、液晶表示パネルを構成するガラス基板である。図１６においては、ガラス基板（ＳＵＢ１）は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）および画素電極（ＩＴＯ１）が形成されている基板、ガラス基板（ＳＵＢ２）はカラーフィルタおよびコモン電極（ＩＴＯ２）が形成される基板である。
【００９８】
ＦＵＳは封止材であり、ＢＭはガラス基板（ＳＵＢ２）に形成された遮光膜、ＰＯＬ１はガラス基板（ＳＵＢ２）に貼付けられる上偏光板、ＰＯＬ２はガラス基板（ＳＵＢ１）に貼付けられる下偏光板、ＶＩＮＣ１はガラス基板（ＳＵＢ２）に貼付けられる視野拡大フィルム、ＶＩＮＣ２はガラス基板（ＳＵＢ２）に貼付けられる視野拡大フィルムである。
【００９９】
本実施の形態では、ガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）に視野拡大フィルム（ＶＩＮＣ１，ＶＩＮＣ２）を貼付けることにより、ユーザが見る角度によりコントラストが変化する液晶表示パネル特有の問題である、視野依存性をなくしている。なお、視野拡大フィルム（ＶＩＮＣ１，ＶＩＮＣ２）は、偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）の外側に貼り付けてもよいが、視野拡大フィルム（ＶＩＮＣ１，ＶＩＮＣ２）を偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）とガラス基板（ＳＵＢ１，ＳＵＢ２）の間に設けることにより、視野拡大効果を増大することができる。
【０１００】
ＬＰは冷陰極蛍光灯、ＬＳはランプ反射シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＳＰＳはプリズムシートである。ＰＯＲは偏光反射板であり、液晶表示パネルの輝度を向上させるために設けられている。偏光反射板（ＰＯＲ）は特定の偏光軸の光のみを透過し、それ以外の偏光軸の光は反射する性質を持っている。したがって、偏光反射板（ＰＯＲ）の透過する偏光軸を下偏光板（ＰＯＬ２）の偏光軸と合致させることにより、従来下偏光板（ＰＯＬ２）で吸収されていた光も、偏光反射板（ＰＯＲ）と導光板（ＧＬＢ）との間で行ったり来たりしている間に、下偏光板（ＰＯＬ２）を透過する偏光光に変化されて偏光反射板（ＰＯＲ）から射出されるので、液晶表示パネルのコントラストを向上させることができる。
【０１０１】
枠スペーサ（ＷＳＰＣ）は導光板（ＧＬＢ）の周辺部を押さえ、枠スペーサ（ＷＳＰＣ）のフックをモールドケース（ＭＬ）の穴に差し込むことにより、導光板（ＧＬＢ）をモールドケース（ＭＬ）にしっかりと固定し、導光板（ＧＬＢ）が液晶表示パネルに衝突するのを防いでいる。さらに、拡散シート（ＳＰＳ）、プリズムシート（ＰＲＳ）および偏光反射板（ＰＯＲ）も、枠スペーサ（ＷＳＰＣ）により抑えつけられているので、拡散シート（ＳＰＳ）、プリズムシート（ＰＲＳ）および偏光反射板（ＰＯＲ）が歪むことなく、バックライトユニットを液晶表示モジュールに実装することができる。
【０１０２】
ＧＣ１は枠スペーサ（ＷＳＰＣ）とガラス基板（ＳＵＢ１）との間に設けられるゴムクッションである。ＬＰＣ３は冷陰極蛍光灯（ＬＰ）に駆動電圧を供給するランプケーブルであり、実装スペースを取らないようにフラットケーブルからなり枠スペーサ（ＷＳＰＣ）とランプ反射シート（ＬＳ）との間に設けられる。このランプケーブル（ＬＰＣ３）は両面テープによりランプ反射シート（ＬＳ）が貼り付けられているので、冷陰極蛍光灯（ＬＰ）を交換するときにランプ反射シート（ＬＳ）とともに交換することができ、ランプケーブル（ＬＰＣ３）をランプ反射シート（ＬＳ）から外す必要がなく、冷陰極蛍光灯（ＬＰ）の交換が容易である。
【０１０３】
ＯＬはＯリングで、冷陰極蛍光灯（ＬＰ）とランプ反射シート（ＬＳ）との間のクッションの働きをする。Ｏリング（ＯＬ）は冷陰極蛍光灯（ＬＰ）の発光輝度が低下しないように透明な合成樹脂材料で構成される。また、Ｏリング（ＯＬ）は冷陰極蛍光灯（ＬＰ）から高周波の電流が漏れだすのを防止するため、誘電率の低い絶縁材料で構成される。さらに、Ｏリング（ＯＬ）は冷陰極蛍光灯（ＬＰ）が導光板（ＧＬＢ）と衝突するのを防止するクッションの働きもする。
【０１０４】
ＩＣ１は液晶表示パネル１０のドレイン信号線（Ｄ）に映像信号電圧を供給するドレインドライバ１３０を構成する半導体チップであり、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に実装されている。この半導体チップ（ＩＣ１）はガラス基板（ＳＵＢ１）の一方の辺にのみ実装されているので、半導体チップ（ＩＣ１）が実装された辺と対向する辺の額縁領域を小さくすることができる。また、冷陰極蛍光灯（ＬＰ）およびランプ反射シート（ＬＳ）は、ガラス基板（ＳＵＢ１）の半導体チップ（ＩＣ１）が実装された部分の下側に重ねて配置されるので、冷陰極蛍光灯（ＬＰ）およびランプ反射シート（ＬＳ）を、液晶表示モジュール内にコンパクトに収納することができる。
【０１０５】
ＩＣ２は液晶表示パネル１０のゲート信号線（Ｇ）に走査駆動電圧を供給するゲートドライバ１４０を構成する半導体チップであり、ガラス基板（ＳＵＢ１）上に実装されている。この半導体チップ（ＩＣ２）もガラス基板（ＳＵＢ１）の一方の辺にのみ実装されているので、半導体チップ（ＩＣ２）が実装された辺と対向する辺の額縁領域を小さくすることができる。
【０１０６】
ＦＰＣ１はゲート信号線側フレキシブルプリント基板で、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外部端子に異方性導電膜により接続され、半導体チップ（ＩＣ２）に電源および駆動信号を供給する。ＦＰＣ２はドレイン信号線側フレキシブルプリント基板で、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外部端子に異方性導電膜により接続され、半導体チップ（ＩＣ１）に電源および駆動信号を供給する。フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ１，ＦＰＣ２）上には抵抗、コンデンサ等のチップ部品（ＥＰ）が実装されている。
【０１０７】
本実施の形態では、液晶表示パネル１０の額縁領域を縮小するために、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ２）はランプ反射シート（ＬＳ）を包むように折り曲げられ、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ２）の一部（ｂ部）はバックライトユニットの裏のモールドケース（ＭＬ）と第２のシールドケースとの間に挟まれて固定される。そのため、モールドケース（ＭＬ）には、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ２）上に実装されるチップ部品（ＥＰ）のスペーサを確保するための切り抜きが設けられている。
【０１０８】
フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ２）は、折り曲げを容易とするための薄い厚さの部分（ａ部）と、多層配線のための厚さの厚い部分（ｂ部）とで構成される。また、本実施の形態では、下側シールドケースを第１の下側シールドケース（ＬＦ１）と第２の下側シールドケース（ＬＦ２）とで構成し、当該２つの下側シールドケース（ＬＦ１，ＬＦ２）で液晶表示モジュールの裏面を覆うようにしたので、第２の下側シールドケース（ＬＦ２）を取り外せばランプ反射シート（ＬＳ）を露出させることができるので、冷陰極蛍光灯（ＬＰ）の交換が容易である。
【０１０９】
ＰＣＢは表示制御装置１１０や電源回路１２０が搭載されるインタフェース基板で、このインタフェース基板（ＰＣＢ）も多層のプリント基板で構成される。本実施の形態では、液晶表示パネル１０の額縁領域を小さくするために、インタフェース基板（ＰＣＢ）は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ１）の下に重ねて配置され両面テープ（ＢＡＴ）でガラス基板（ＳＵＢ１）に接着されている。
【０１１０】
インタフェース基板（ＰＣＢ）にはコネクタ（ＣＴＲ３）とコネクタ（ＣＴＲ４）が設けられ、コネクタ（ＣＴＲ４）はフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ２）のコネクタ（ＣＴ４）と電気的に接続される。同様に、コネクタ（ＣＴＲ３）はフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ１）のコネクタ（ＣＴ３）と電気的に接続される。
【０１１１】
図１７は、液晶表示パネル１０の周辺にフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ１）と、折り曲げる前のフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ２）を実装した状態を示す図である。また、図１８は、図１７において、液晶表示パネル１０とフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ１，ＦＰＣ２）とが接続されている部分を拡大して示す図である。
【０１１２】
なお、図１７、図１８において、ＴＣＯＮは表示制御装置１１０を構成する半導体チップであり、また、ＤＴＭはドレイン端子、ＧＴＭはゲート端子である。
【０１１３】
図１５、図１６において、ＳＵＢは補強板であり、下側シールドケース（ＬＦ１）とコネクタ（ＣＴ４）との間に配置され、コネクタ（ＣＴ４）がコネクタ（ＣＴＲ４）から外れるのを防止している。ＳＰＣ４はシールドケース（ＳＨＤ）と上偏光板（ＰＯＬ１）との間に設けられるスペーサであり、腐食布からなり接着剤によりシールドケース（ＳＨＤ）に貼り付けられている。
【０１１４】
本実施の形態では、上偏光板（ＰＯＬ１）と視野拡大フィルム（ＶＩＮＣ１）とをガラス基板（ＳＵＢ２）から引出し、上偏光板（ＰＯＬ１）と視野拡大フィルム（ＶＩＮＣ１）とをシールドケース（ＳＨＤ）で押さえている。この構成により、本実施の形態では額縁領域を小さくしても充分な強度を確保している。
【０１１５】
ＤＳＰＣはドレインスペーサであり、シールドケース（ＳＨＤ）とガラス基板（ＳＵＢ１）との間に設けられ、シールドケース（ＳＨＤ）とガラス基板（ＳＵＢ１）とが衝突するのを防止している。また、ドレインスペーサ（ＤＳＰＣ）は半導体チップ（ＩＣ１）を覆うように設けられるので、半導体チップ（ＩＣ１）の部分には切り欠き（ＮＯＴ）が設けられる。これにより、シールドケース（ＳＨＤ）やドレインスペーサ（ＤＳＰＣ）が半導体チップ（ＩＣ１）に衝突することがなくなる。また、ドレインスペーサ（ＤＳＰＣ）は、ガラス基板（ＳＵＢ１）の外部接続端子上にあるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ２）も押さえているので、ガラス基板（ＳＵＢ１）からフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ２）が剥離するのを防止している。ＦＵＳは液晶表示パネルの液晶封入口を封止する封止材である。
【０１１６】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【０１１７】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【０１１８】
（１）本発明によれば、各画素に印加される多階調の階調電圧を生成する階調電圧生成回路において、分圧抵抗の抵抗値の最小値と最大値との幅を広く設定することができるので、液晶層の透過率に合わせて、分圧抵抗の抵抗値をよりきめ細かく設定することが可能となる。
【０１１９】
（２）本発明によれば、液晶表示パネルに表示される多階調の表示画像をよりリニアに表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＴＦＴ方式の液晶表示モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示す液晶表示パネルの一例の等価回路を示す図である。
【図３】図１に示す液晶表示パネルの他の例の等価回路を示す図である。
【図４】図１に示すドレインドライバからドレイン信号線（Ｄ）に出力される液晶駆動電圧、即ち、画素電極（ＩＴＯ１）に印加される液晶駆動電圧と、コモン電極（ＩＴＯ２）に印加される液晶駆動電圧との関係を示す図である。
【図５】図１に示すドレインドライバの一例の概略構成示すブロック図である。
【図６】出力回路１５７の構成を中心に、図５に示すドレインドライバ１３０の構成を説明するためのブロック図である。
【図７】従来の階調電圧生成回路の回路構成を示す回路図である。
【図８】従来の階調電圧生成回路を構成する抵抗分圧回路の重み付けを説明するための図である。
【図９】半導体チップ内での、従来の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図である。
【図１０】本実施の形態の正極性階調電圧生成回路、あるいは負極性階調電圧生成回路を構成する分圧抵抗回路の回路構成を示す回路図である。
【図１１】半導体チップ内での、本実施の形態の階調電圧生成回路のレイアウトを示す図である。
【図１２】本実施の形態の正極性階調電圧生成回路の回路構成を示す回路図である。
【図１３】本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの表示面側から見た正面図、前側面図、右側面図、左側面図および後側面図である。
【図１４】本実施の形態の液晶表示モジュールの組立完成図で、液晶表示パネルの裏面側から見た図である。
【図１５】図１３に示すＩ−Ｉ線で切断した断面図、および、ＩＩ−ＩＩ線で切断した断面図である。
【図１６】図１３に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した断面図、および、ＩＶ−ＩＶ線で切断した断面図である。
【図１７】本実施の形態の液晶表示モジュールにおいて、液晶表示パネルの周辺にフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ１）と、折り曲げる前のフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ２）を実装した状態を示す図である。
【図１８】図１７において、液晶表示パネルとフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ１，ＦＰＣ２）とが接続されている部分を拡大して示す図である。
【図１９】液晶層に印加する電圧と透過率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０…液晶表示パネル（ＴＦＴ−ＬＣＤ）、１９…階調配線層、２０…抵抗配線層、２１…スルーホール、２２…層間絶縁膜、３０…直列抵抗回路、１００…インタフェース部、１１０…表示制御装置、１２０…電源回路、１２１，１２２…電圧生成回路、１２３…コモン電極電圧生成回路、１２４…ゲート電極電圧生成回路、１３０…ドレインドライバ、１３１，１３２，１３５，１４１，１４２…信号線、１３３…表示データのバスライン、１４０…ゲートドライバ、１５１ａ，１５１ｂ…階調電圧生成回路、１５２…制御回路、１５３…シフトレジスタ回路、１５４…入力レジスタ回路、１５５…ストレージレジスタ回路、１５６…レベルシフト回路、１５７…出力回路、１５８ａ，１５８ｂ…電圧バスライン、２６１…デコーダ部、２６２，２６４…スイッチ部、２６３…アンプ回路対、２６５…データラッチ部、２７８，２７９…デコーダ回路、２７１…高電圧用アンプ回路、２７２…低電圧用アンプ回路、ＬＣＭ…液晶表示モジュール、Ｄ…ドレイン信号線（映像信号線または垂直信号線）、Ｇ…ゲート信号線（走査信号線または水平信号線）、ＩＴＯ１…画素電極、ＩＴＯ２…コモン電極（ＩＴＯ２）、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２…薄膜トランジスタ、ＣＳＴＧ…保持容量、Ｃａｄｄ…付加容量、ＭＬ…モールドケース、ＳＨＤ…シールドケース、ＬＣＴ…接続コネクタ、ＣＴ１…インタフェースコネクタ、ＣＴ３，ＣＴ４，ＣＴＲ３，ＣＴＲ４…コネクタ、ＬＣＰ１，ＬＣＰ２，ＬＰＣ３…ランプケーブル、ＬＰ…冷陰極蛍光灯、ＬＦ１，ＬＦ２…下側シールドケースで、ＷＳＰＣ…枠スペーサ、ＳＵＢ１，ＳＵＢ２…ガラス基板、ＦＵＳ…封止材、ＢＭ…遮光膜、ＰＯＬ１，ＰＯＬ２…偏光板、ＶＩＮＣ１，ＶＩＮＣ２…視野拡大フィルム、ＬＳ…ランプ反射シート、ＧＬＢ…導光板、ＲＦＳ…反射シート、ＳＰＳ…プリズムシート、ＰＯＲ…偏光反射板、ＧＣ１…ゴムクッション、ＯＬ…Ｏリング、ＩＣ１，ＩＣ２，ＴＣＯＮ…半導体チップ、ＦＰＣ１，ＦＰＣ２…フレキシブルプリント基板、ＥＰ…抵抗、コンデンサ等のチップ部品、ＰＣＢ…インタフェース基板、ＢＡＴ…両面テープ、ＳＵＢ…補強板、ＳＰＣ４…スペーサ、ＤＳＰＣ…ドレインスペーサ。

Claims (8)

1. マトリクス状に配置された複数の画素と、
   階調電圧生成手段を有し当該階調電圧生成手段で生成された多階調の階調電圧の中の任意の階調電圧を映像信号電圧として前記各画素に印加する駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、
   前記階調電圧生成手段は、複数の階調基準電圧間を分圧して多階調の階調電圧を生成する抵抗分圧回路と、前記多階調の階調電圧を出力する複数の階調電圧配線とを有し、
   前記抵抗分圧回路は、直列接続された複数個の基準抵抗からなる複数の基準抵抗列を有し、
   前記複数の基準抵抗列のそれぞれは、絶縁膜を介して前記複数の階調電圧配線のうちの２本と前記基準抵抗の各接続点において複数箇所で重畳し、
   前記抵抗分圧回路の分圧抵抗は、第１列の基準抵抗列における前記階調電圧配線と重畳する前記基準抵抗の各接続点の１つと、前記第１列の基準抵抗列と隣り合う第２列の基準抵抗列における前記階調電圧配線と重畳する前記基準抵抗の各接続点の１つとを接続して形成された合成抵抗であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記駆動手段は半導体集積回路で構成され、
   前記複数の階調電圧配線と、前記複数の基準抵抗列を構成する抵抗配線とは同一方向に延在し、
   前記絶縁膜に設けられたスルーホールを介して、前記階調電圧配線と前記抵抗配線とが接続され、
   前記スルーホールの数および設置位置を適宜に選択して、前記分圧抵抗の抵抗値を所定の値に調整することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記抵抗配線は、ジグザクパターン状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 複数の階調基準電圧が入力され、前記入力された複数の階調基準電圧の数よりも多数の階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、
   前記階調電圧生成手段で生成された前記階調電圧の中の任意の階調電圧をドレイン信号線に印加する駆動手段とを具備する液晶表示装置であって、
   前記階調電圧生成手段は、前記複数の階調基準電圧のうちの２つの階調基準電圧間に設けられ、前記階調電圧が出力される複数の階調電圧配線と、
   前記複数の階調電圧配線のうちの第１の階調電圧配線と第２の階調電圧配線との間に設けられた第１の直列抵抗回路と、
   前記第２の階調電圧配線と第３の階調電圧配線との間に設けられた第２の直列抵抗回路とを有し、
   前記第１の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第１の階調電圧配線と前記第２の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
   前記第２の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第２の階調電圧配線と前記第３の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
   前記第１の階調電圧配線は、前記第１の直列抵抗回路の接続点の１つに接続され、
   前記第２の階調電圧配線は、前記第１の直列抵抗回路の前記接続点とは異なる２つの接続点に接続されるとともに、前記第２の直列抵抗回路の接続点の１つに接続され、
   前記第３の階調電圧配線は前記第２の直列抵抗回路の前記接続点とは異なる２つの接続点に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記それぞれの接続点は、前記絶縁膜に形成されたスルーホールを介して、前記それぞれの階調電圧配線と前記それぞれの直列抵抗回路とが接続されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 複数の階調基準電圧が入力され、前記入力された複数の階調基準電圧の数よりも多数の階調電圧を生成する階調電圧生成手段と、
   前記階調電圧生成手段で生成された前記階調電圧の中の任意の階調電圧をドレイン信号線に印加する駆動手段とを具備するドレインドライバであって、
   前記階調電圧生成手段は、前記複数の階調基準電圧のうちの２つの階調基準電圧間に設けられ、前記階調電圧が出力される複数の階調電圧配線と、
   前記複数の階調電圧配線のうちの第１の階調電圧配線と第２の階調電圧配線との間に設けられた第１の直列抵抗回路とを有し、
   前記第１の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第１の階調電圧配線と前記第２の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
   前記第１の直列抵抗回路の接続点の１つが前記第１の階調電圧配線に接続され、前記接続点とは異なる接続点が前記第２の階調電圧配線に接続されていることを特徴とするドレインドライバ。
7. 前記第２の階調電圧配線と第３の階調電圧配線との間に第２の直列抵抗回路を有し、
   前記第２の直列抵抗回路は、絶縁膜を介して前記第２の階調電圧配線と前記第３の階調電圧配線と複数箇所で重畳し、
   前記第２の階調電圧配線と前記第２の直列抵抗回路とは一つの接続点で接続されており、
   前記第３の階調電圧配線と前記第２の直列抵抗回路とは、前記接続点とは異なる２つの接続点で接続されていることを特徴とする請求項６に記載のドレインドライバ。
8. 前記ドレインドライバは、半導体チップ上に形成されていることを特徴とする請求項６または請求項７に記載のドレインドライバ。

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