JPH1031300A - Halftone type phase shift mask and its production - Google Patents
Halftone type phase shift mask and its productionInfo
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- JPH1031300A JPH1031300A JP20320596A JP20320596A JPH1031300A JP H1031300 A JPH1031300 A JP H1031300A JP 20320596 A JP20320596 A JP 20320596A JP 20320596 A JP20320596 A JP 20320596A JP H1031300 A JPH1031300 A JP H1031300A
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Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、LSI、VLSI
をはじめとした半導体集積回路の製造に代表されるよう
な極めて微細なパターンを形成する際に、パターン露光
用原板として使用される位相シフトマスク及びその製造
方法に関する。また、本発明は、主に投影露光装置にお
いて使用されるパターンを備えたフォトマスクであっ
て、特に、そのフォトマスクを通過する投影露光光に位
相差を与えて高解像度のパターン転写を可能にした位相
シフトマスク及びその製造方法に関する。また特に、本
発明は、透明基板の上に希望パターンのハーフトーン材
料膜を形成して成るハーフトーン型位相シフトマスク及
びその製造方法に関する。The present invention relates to an LSI, a VLSI
The present invention relates to a phase shift mask used as a pattern exposure original plate when forming an extremely fine pattern typified by the manufacture of a semiconductor integrated circuit such as a semiconductor integrated circuit, and a method of manufacturing the same. Further, the present invention relates to a photomask having a pattern mainly used in a projection exposure apparatus, and in particular, enables a high-resolution pattern transfer by giving a phase difference to projection exposure light passing through the photomask. And a method for manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a halftone type phase shift mask formed by forming a halftone material film of a desired pattern on a transparent substrate, and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】位相シフトマスクとしては、従来より、
種々の形式のものが提案されている。例えば、マスク上
の開口部の隣り合う一方に位相を反転させるような透明
膜を設けた構造のレベンソン型位相シフトマスクや、形
成すべきパターンの周辺部に解像限界以下の位相シフタ
ーを形成した構造の補助パターン付き位相シフトマスク
や、基板上にクロムパターンを形成した後にオーバーエ
ッチングによって位相シフターのオーバーハングを形成
した構造の自己整合型位相シフトマスク等がある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a phase shift mask,
Various types have been proposed. For example, a Levenson-type phase shift mask having a structure in which a transparent film is provided so as to invert the phase on one side adjacent to the opening on the mask, or a phase shifter having a resolution equal to or less than the resolution limit is formed around the pattern to be formed. There are a phase shift mask with an auxiliary pattern having a structure, a self-aligned phase shift mask having a structure in which a chromium pattern is formed on a substrate, and an overhang of a phase shifter is formed by overetching, or the like.
【0003】以上の各構造の位相シフトマスクは、基板
上にクロムパターンとシフターパターンを設けたもので
あるが、この構造とは別に、シフターパターンのみによ
って形成された位相シフトマスクとして、透過型位相シ
フトマスクや、ハーフトーン型位相シフトマスク等も知
られている。透過型位相シフトマスクというのは、透明
部を透過した光と位相シフターを透過した光との境界部
において光強度がゼロとなることを利用してパターンを
分離するようにした位相シフトマスクであって、シフタ
ーエッジ利用型位相シフトマスクとも呼ばれる。The phase shift mask of each of the above structures is provided with a chromium pattern and a shifter pattern on a substrate. Apart from this structure, a phase shift mask formed of only a shifter pattern is used as a transmission type phase shift mask. Shift masks and halftone phase shift masks are also known. A transmissive phase shift mask is a phase shift mask that separates patterns by utilizing the fact that light intensity becomes zero at a boundary between light transmitted through a transparent part and light transmitted through a phase shifter. Therefore, it is also called a shifter edge-based phase shift mask.
【0004】また、ハーフトーン型位相シフトマスクと
いうのは、投影露光光に対して部分透過性を有する、い
わゆる半透明な位相シフターパターンを基板上に形成し
て、その位相シフターパターンの境界部に形成される光
強度がゼロの部分でパターン解像度を向上するようにし
た位相シフトマスクである。透過型位相シフトマスク
や、ハーフトーン型位相シフトマスクはその層構造が単
純であるため、製造工程が容易であり、しかもマスク上
の欠陥も少ないという長所を有している。A halftone type phase shift mask is formed by forming a so-called semi-transparent phase shifter pattern having partial transparency with respect to projection exposure light on a substrate, and forming a boundary between the phase shifter patterns. This is a phase shift mask in which the pattern resolution is improved in a portion where the formed light intensity is zero. Since the transmission type phase shift mask and the halftone type phase shift mask have a simple layer structure, the manufacturing steps are easy and the defects on the mask are few.
【0005】位相シフターを用いることなく、例えばC
r等の遮光膜によって所望のパターンを形成した従来型
のフォトマスクでは、線幅の狭いパターンをウェハ等と
いった露光対象物の上に正確に転写できない。つまり、
解像度が悪い。露光光の波長をg線(波長=0.436
μm)、i線(波長=0.365μm)、KrFエキシ
マレーザ(波長=0.254μm)の順のように、徐々
に短くしてゆけば、解像度を向上させることができるの
であるが、その場合でもやはり限界がある。この限界を
打破するために開発されたものがハーフトーン型位相シ
フトマスクであり、このハーフトーン型位相シフトマス
クでは、位相を反転することなく光透過パターンを通過
した露光光と、位相シフターを通過して位相が反転した
露光光との間で光を干渉させることにより、高解像度の
転写パターンを得るようにしている。[0005] Without using a phase shifter, for example, C
In a conventional photomask in which a desired pattern is formed by a light-shielding film such as r, a pattern having a small line width cannot be accurately transferred onto an exposure target such as a wafer. That is,
The resolution is poor. The wavelength of the exposure light is g-line (wavelength = 0.436).
μm), i-line (wavelength = 0.365 μm), and KrF excimer laser (wavelength = 0.254 μm), the resolution can be improved by gradually reducing the length. In that case, But there is still a limit. Halftone phase shift masks have been developed to overcome this limitation.In this halftone phase shift mask, the exposure light that passed through the light transmission pattern without inverting the phase and the light that passed through the phase shifter By causing light to interfere with the exposure light whose phase has been inverted, a high-resolution transfer pattern is obtained.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのハー
フトーン型位相シフトマスクに関しては、位相シフト効
果を必要とするパターン部は、その線幅が露光光の波長
よりも若干広い程度の微細なパターンであり、線幅がそ
れ以上であるような大面積のパターン部については、位
相シフト効果を利用する必要はない。しかも、このよう
な大面積のパターン部については、その全領域を半透明
位相シフト膜のみによって区画形成すると、その大面積
パターンに対応する転写像の周囲にゴースト等が発生す
るという問題があった。However, in this halftone type phase shift mask, the pattern portion requiring the phase shift effect is a fine pattern whose line width is slightly wider than the wavelength of the exposure light. It is not necessary to use the phase shift effect for a large area pattern portion having a line width larger than that. In addition, in the case of such a large-area pattern portion, if the entire area is defined only by the translucent phase shift film, there is a problem that a ghost or the like is generated around a transfer image corresponding to the large-area pattern. .
【0007】また、パターン部の輪郭の内側に半透明位
相シフト膜によって区画形成されるパターン内周部の面
積が大きい場合には、パターン部の周囲の光透過部を通
過した露光光によって露光対象物上に転写される転写像
が不鮮明になったり、あるいは、半透明位相シフト膜の
部分に穴が開いたりするという問題があった。If the area of the inner peripheral portion of the pattern defined by the translucent phase shift film inside the contour of the pattern portion is large, the exposure target is exposed by the exposure light passing through the light transmitting portion around the pattern portion. There has been a problem that a transferred image transferred on an object becomes unclear or a hole is formed in a portion of the translucent phase shift film.
【0008】本発明は、ハーフトーン型位相シフトマス
クにおける上記の問題点を解決するためになされたもの
であって、パターン部が大面積になる場合に、その大面
積パターン部に対応する転写像の周囲にゴースト等が発
生することを防止し、さらにパターン部の輪郭の内側に
位置するパターン内周部の面積が大きくなる場合に、露
光対象物上に転写される転写像が光透過部を通過した露
光光のために不鮮明になったり、半透明位相シフト膜の
部分に穴が開いたりするのを防止することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in a halftone type phase shift mask, and when a pattern portion has a large area, a transfer image corresponding to the large area pattern portion is provided. In the case where the area of the inner peripheral portion of the pattern located inside the contour of the pattern portion becomes large, the transfer image transferred onto the exposure object It is an object of the present invention to prevent the exposure light from being blurred due to the transmitted exposure light and preventing a hole from being formed in a portion of the translucent phase shift film.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスクは、
透明基板の上に半透明位相シフト膜を積層して成るハー
フトーン型位相シフトマスクにおいて、所定の形状のパ
ターン部の輪郭の内側に所定幅で形成されたパターン内
周部と、そのパターン内周部の内側に存在するパターン
内郭部とを有しており、そのパターン内周部は半透明位
相シフト膜によって区画形成され、そして、上記パター
ン内郭部は遮光膜によって区画形成されることを特徴と
する。In order to achieve the above object, a halftone type phase shift mask according to the present invention comprises:
In a halftone type phase shift mask formed by laminating a translucent phase shift film on a transparent substrate, an inner peripheral portion of a pattern formed with a predetermined width inside a contour of a pattern portion of a predetermined shape, and an inner peripheral portion of the pattern And a pattern inner part present inside the part, wherein the pattern inner part is defined by a translucent phase shift film, and the pattern inner part is defined by a light shielding film. Features.
【0010】上記のパターン部は、位相シフト効果を必
要とする程度に微細な寸法のパターンによって形成され
る場合もあるし、位相シフト効果を必要としない程度に
大面積のパターンによって形成される場合もある。位相
シフト効果を必要とする程度に微細な寸法のパターンと
は、概ね、露光光の波長の2倍程度の寸法のパターンで
ある。例えば、露光光としてg線(波長=0.436μ
m)を考えれば0.9μm程度以下の線幅が、i線(波
長=0.365μm)を考えれば0.8μm程度以下の
線幅が、そして、KrFエキシマレーザ(波長=0.2
54μm)を考えれば0.6μm程度以下の線幅が、そ
れぞれ、本発明に係る微細パターンと考えられる。この
ような微細パターンを半透明位相シフト膜によって区画
形成すれば、希望する位相シフト効果によって高解像度
の転写像を得ることができる。一方、上記ような線幅寸
法以上の線幅を有する大面積パターンに関しては、その
大面積パターンを半透明位相シフト膜によって区画形成
したとしても、位相シフト効果による解像度の向上はそ
れほど期待できない。The above-mentioned pattern portion may be formed by a pattern having such a fine size as to require the phase shift effect, or may be formed by a pattern having a large area so as not to require the phase shift effect. There is also. The pattern having a size fine enough to require the phase shift effect is a pattern having a size approximately twice the wavelength of the exposure light. For example, as exposure light, g-line (wavelength = 0.436 μm)
m), a line width of about 0.9 μm or less, i-line (wavelength = 0.365 μm), a line width of about 0.8 μm or less, and a KrF excimer laser (wavelength = 0.2
(54 μm), a line width of about 0.6 μm or less is considered to be a fine pattern according to the present invention. If such a fine pattern is partitioned by a translucent phase shift film, a high-resolution transfer image can be obtained by a desired phase shift effect. On the other hand, with respect to a large area pattern having a line width equal to or larger than the above line width dimension, even if the large area pattern is sectioned by a translucent phase shift film, improvement in resolution due to the phase shift effect cannot be expected so much.
【0011】半透明位相シフト膜としては、例えばMo
とSiを主成分とする化合物、より具体的には、例えば
化学記号MoSiOXNY(X,Yは整数)で表される材
料を用いることができる。また、遮光膜としてはCr
(クロム),CrO(酸化クロム),CrN(窒化クロ
ム),CrON,CrOCN又はこれらを積層した複合
膜を用いることができる。複合膜を用いる場合は、例え
ば、図7及び図8に示すような2層構造又は図9に示す
ような3層構造とすることができる。As the translucent phase shift film, for example, Mo
And a compound containing Si as a main component, more specifically, for example, a material represented by a chemical symbol of MoSiO X N Y (X and Y are integers) can be used. In addition, Cr is used as a light shielding film.
(Chromium), CrO (chromium oxide), CrN (chromium nitride), CrON, CrOCN, or a composite film in which these are laminated can be used. When a composite film is used, for example, a two-layer structure as shown in FIGS. 7 and 8 or a three-layer structure as shown in FIG. 9 can be used.
【0012】本発明に係るハーフトーン型位相シフトマ
スクの製造方法は、(1)透明基板の上に半透明位相シ
フト層、遮光層、第1レジスト層を順次、積層する工程
と、(2)第1レジスト層を所定の形状にパターニング
して、必要とするパターン部以外の部分が欠落した状態
の第1レジスト膜を形成する工程と、(3)パターニン
グされた第1レジスト膜をマスクとして遮光層をエッチ
ングによってパターニングして、必要とするパターン部
以外の部分が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
(4)パターニングされた第1レジスト膜及び遮光膜を
マスクとして、半透明位相シフト層をエッチングによっ
てパターニングして、必要とするパターン部以外の部分
が欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程
と、(5)第1レジスト膜を剥離する工程と、(6)第
2レジスト層を積層する工程と、(7)パターン部より
も所定幅だけ内側に狭く設定されたパターン内郭部のデ
ータを生成するリサイズ工程と、(8)パターン内郭部
のデータに従って第2レジスト層をパターニングして、
パターン内郭部以外の部分が欠落した状態の第2レジス
ト膜を形成する工程と、(9)パターニングされた第2
レジスト膜をマスクとして遮光層をエッチングによって
パターニングして、パターン内郭部以外の部分が欠落し
た状態の遮光膜を形成する工程と、(10)第2レジス
ト膜を剥離する工程とを有することを特徴とする。The method for manufacturing a halftone type phase shift mask according to the present invention comprises: (1) a step of sequentially laminating a translucent phase shift layer, a light shielding layer, and a first resist layer on a transparent substrate; and (2) Patterning the first resist layer into a predetermined shape to form a first resist film in a state where portions other than a required pattern portion are missing; and (3) shading using the patterned first resist film as a mask Patterning the layer by etching to form a light-shielding film in a state where portions other than the required pattern portion are missing,
(4) The semi-transparent phase shift layer is patterned by etching using the patterned first resist film and the light-shielding film as a mask to form a semi-transparent phase shift film in which portions other than the required pattern portions are missing. (5) a step of removing the first resist film, (6) a step of laminating the second resist layer, and (7) an inner portion of the pattern inner portion narrower than the pattern portion by a predetermined width. A resizing step of generating data, and (8) patterning the second resist layer in accordance with the data of the inner portion of the pattern,
A step of forming a second resist film in a state where portions other than the inner portion of the pattern are missing; and
Patterning the light-shielding layer by etching using the resist film as a mask to form a light-shielding film in a state where portions other than the pattern inner part are missing; and (10) removing the second resist film. Features.
【0013】上記リサイズ工程におけるパターン内郭部
のデータの生成は、目標とするパターン部のデータに基
づいてコンピュータプログラムに従って自動的に生成す
ることもできるし、あるいは、いわゆるデジタイザ等と
いった座標情報入力手段からの入力によって生成するこ
ともできる。In the resizing process, the data of the inner portion of the pattern can be automatically generated according to a computer program based on the data of the target pattern portion, or coordinate information input means such as a so-called digitizer. It can also be generated by input from.
【0014】なお、パターン部は、位相シフト効果を必
要とする程度に微細なパターンと、位相シフト効果を必
要としない程度に面積の広い大面積パターンとの両パタ
ーンによって構成されることがある。このような場合に
は上記リサイズ工程において、微細なパターン及び大面
積のパターンの両方に対してパターン内郭部のデータを
生成することもできるし、あるいは、大面積パターンに
対してのみパターン内郭部のデータを生成し、微細パタ
ーンに対しては特にパターン内郭部のデータ生成を行わ
ないようにすることもできる。The pattern portion may be composed of both a fine pattern that requires a phase shift effect and a large area pattern that has a large area that does not require the phase shift effect. In such a case, in the resizing step, data of the pattern inner portion can be generated for both the fine pattern and the large area pattern, or the pattern inner portion can be generated only for the large area pattern. It is also possible to generate the data of the portion, and not to generate the data particularly for the inner portion of the pattern for the fine pattern.
【0015】請求項1記載のハーフトーン型位相シフト
マスクでは、ウェハ等の露光対象物を露光する際、露光
光はパターン部以外の部分を通過してウェハ等に照射さ
れ、一方、パターン内郭部及びパターン内周部から成る
パターン部では、ウェハ等を感光するのに十分な量の露
光光の通過が阻止、すなわち遮光される。パターン部
は、位相シフト効果を必要とする程度に微細なパターン
によって構成される場合や、位相シフト効果を必要とし
ない程度に広い大面積パターンによって構成される場合
がある。In the halftone phase shift mask according to the first aspect, when exposing an exposure object such as a wafer, the exposure light passes through a portion other than the pattern portion and irradiates the wafer or the like. In the pattern portion including the portion and the inner peripheral portion of the pattern, a sufficient amount of exposure light for exposing a wafer or the like is blocked, that is, blocked. The pattern portion may be formed by a pattern that is fine enough to require the phase shift effect, or may be formed by a large area pattern that is wide enough not to require the phase shift effect.
【0016】微細なパターン部を半透明位相シフト膜に
よって区画形成すれば、半透明位相シフト膜の働きによ
ってその微細パターンに対して希望の位相シフト効果を
得ることができ、よって、高精度の微細パターンを得る
ことができる。一方、パターン部の面積が広い場合に
は、パターン部の輪郭の内側に所定幅でパターン内周部
を設け、そのパターン内周部を半透明位相シフト膜によ
って区画形成し、さらにそのパターン内周部の内側のパ
ターン内郭部をCr等の遮光膜によって区画形成する。
こうすれば、半透明位相シフト膜の面積を制限したこと
によって、その大面積のパターンに対応する転写像の周
囲にゴースト等が発生することを防止でき、また、パタ
ーン部の周囲の光透過部を通過した露光光によって露光
対象物上に転写される転写像が不鮮明になることを防止
でき、さらに、半透明位相シフト膜の部分に穴が開くこ
とを防止できる。If a fine pattern portion is defined by a translucent phase shift film, a desired phase shift effect can be obtained for the fine pattern by the function of the translucent phase shift film. You can get a pattern. On the other hand, when the area of the pattern portion is large, an inner peripheral portion of the pattern is provided with a predetermined width inside the contour of the pattern portion, and the inner peripheral portion of the pattern is defined by a translucent phase shift film. The inner portion of the pattern inside the portion is partitioned by a light-shielding film such as Cr.
In this way, by limiting the area of the translucent phase shift film, it is possible to prevent ghosts and the like from occurring around the transfer image corresponding to the large area pattern, Can prevent the transfer image transferred onto the object to be exposed from being blurred by the exposure light passing therethrough, and can prevent holes from being formed in the portion of the translucent phase shift film.
【0017】[0017]
(ハーフトーン型位相シフトマスクに関する実施形態)
図1は、本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスク
の一実施形態を示している。図2はその位相シフトマス
クの断面構造を示している。図示の例は、位相シフトマ
スクの有効パターン領域内の一部分を拡大して示してお
り、実際には、図示のパターンが1つの位相シフトマス
クの中に多数個形成される。図示の位相シフトマスク
は、4×4=16個の微細なパターンP1と、面積の広
い大面積パターンP2と、大面積パターンP2の輪郭の
内側に所定幅で形成されたパターン内周部P3と、そし
てそのパターン内周部P3の内側に存在するパターン内
郭部P4とを有している。本実施形態では微細パターン
P1の中にはパターン内周部P3及びパターン内郭部P
4を設けていないが、もちろん、その微細パターンP1
の中にそれらを形成しても構わない。(Embodiment relating to halftone type phase shift mask)
FIG. 1 shows an embodiment of a halftone phase shift mask according to the present invention. FIG. 2 shows a sectional structure of the phase shift mask. In the illustrated example, a part of the effective pattern area of the phase shift mask is shown in an enlarged manner. Actually, a large number of the illustrated patterns are formed in one phase shift mask. The illustrated phase shift mask includes 4 × 4 = 16 fine patterns P1, a large area pattern P2 having a large area, and a pattern inner peripheral portion P3 formed with a predetermined width inside the outline of the large area pattern P2. , And a pattern inner contour portion P4 present inside the pattern inner peripheral portion P3. In the present embodiment, the fine pattern P1 includes a pattern inner peripheral portion P3 and a pattern inner peripheral portion P.
4 is not provided, but of course, the fine pattern P1
They may be formed inside.
【0018】図2において、微細パターンP1及び大面
積パターンP2内のパターン内周部P3は半透明位相シ
フト膜2aのみによって区画形成されている。また、パ
ターン内郭部P4はCr等の遮光膜3aによって区画形
成されている。そして、微細パターンP1及び大面積パ
ターンP2以外の部分は透明基板1のみによって区画形
成されている。In FIG. 2, the pattern inner peripheral portion P3 in the fine pattern P1 and the large area pattern P2 is defined by only the translucent phase shift film 2a. The pattern inner contour P4 is defined by a light shielding film 3a such as Cr. The portions other than the fine pattern P1 and the large-area pattern P2 are defined by the transparent substrate 1 alone.
【0019】個々の微細パターンP1は、T1×T2の
寸法を有している。これらの寸法T1及びT2は、いず
れも、露光対象物を露光するための露光光の波長の約2
倍の長さよりも短い値に設定される。この寸法は、位相
シフト効果を得ることができる程度に微細な寸法であ
る。なお、位相シフト効果というのは、半透明位相シフ
ト膜2aを透過して位相が180゜反転した光と、透明
基板1のみの部分を通過して位相が反転しない光との間
の干渉により転写像の解像度を向上させるという効果で
ある。一方、大面積パターンP2はT3×T4の寸法を
有している。これらの寸法T3及びT4は、いずれも、
露光光の波長の約2倍の長さよりも長い値に設定され
る。この寸法は、位相シフト効果を必要としない寸法、
換言すれば、そのパターンP2の全域を半透明位相シフ
ト膜で形成したとしても、転写像の解像度の向上を望む
ことができないような寸法である。Each fine pattern P1 has a dimension of T1 × T2. Each of these dimensions T1 and T2 is about 2 wavelengths of the exposure light for exposing the exposure object.
It is set to a value shorter than the double length. This dimension is fine enough to obtain the phase shift effect. Note that the phase shift effect is transferred by interference between light that passes through the translucent phase shift film 2a and has a phase inverted by 180 ° and light that passes through only the transparent substrate 1 and has no phase inverted. This has the effect of improving the resolution of the image. On the other hand, the large area pattern P2 has a size of T3 × T4. These dimensions T3 and T4 are both
The value is set to a value longer than about twice the wavelength of the exposure light. This dimension does not require the phase shift effect,
In other words, even if the entire area of the pattern P2 is formed of the translucent phase shift film, the dimensions are such that improvement in the resolution of the transferred image cannot be desired.
【0020】パターン内周部P3の幅A、すなわちパタ
ーンP2の外周縁とパターン内郭部P4の外周縁との間
の間隔は、露光光の波長の値以上であって100μm以
下の範囲、より好ましくは露光光の波長の値以上であっ
て50μm以下の範囲内の任意の値に設定される。な
お、露光光がg線であればその波長は約0.436μ
m、i線であればその波長は約0.365μm、そして
KrFエキシマレーザであればその波長は約0.254
μmである。The width A of the pattern inner peripheral portion P3, that is, the distance between the outer peripheral edge of the pattern P2 and the outer peripheral edge of the pattern inner peripheral portion P4 is in the range of not less than the wavelength of the exposure light and not more than 100 μm. Preferably, it is set to any value within the range of not less than the wavelength of the exposure light and not more than 50 μm. If the exposure light is g-line, its wavelength is about 0.436 μm.
The wavelength is about 0.365 μm for m and i rays, and about 0.254 μm for KrF excimer laser.
μm.
【0021】この位相シフトマスクを用いて露光対象
物、例えばウェハに転写像を形成する場合には、図10
に示すように、露光光Rを位相シフトマスク6に照射
し、その位相シフトマスク6を透過した光、特にパター
ンP1及びP2以外の部分を通過した光によってウェハ
7を露光し、これにより、ウェハ7上に希望パターンの
転写像が結像される。本実施形態の位相シフトマスク
が、いわゆるレチクルマスクとして構成されていれば、
通常は、1/5程度の縮小像がウェハ7上に形成され
る。When a transfer image is formed on an object to be exposed, such as a wafer, using this phase shift mask, FIG.
As shown in FIG. 2, the exposure light R is irradiated on the phase shift mask 6, and the wafer 7 is exposed to light transmitted through the phase shift mask 6, particularly light passing through portions other than the patterns P1 and P2. A transfer image of a desired pattern is formed on 7. If the phase shift mask of the present embodiment is configured as a so-called reticle mask,
Normally, a reduced image of about 1/5 is formed on the wafer 7.
【0022】微細パターンP1を透過して位相が反転し
た光は、その周辺部を通過した光との間で干渉を生じ、
これにより、位相シフト効果が発現してウェハ7上に鮮
明で微細な転写像が得られる。また、大面積パターンP
2のパターン内周部P3を透過して位相が反転した光
は、そのパターン2の周辺部を通過した光との間で干渉
を生じ、これにより、位相シフト効果が発現する。The light that has passed through the fine pattern P1 and whose phase has been inverted causes interference with the light that has passed through the periphery thereof,
As a result, a phase shift effect is developed, and a clear and fine transfer image is obtained on the wafer 7. In addition, large area pattern P
The light that has transmitted through the inner peripheral portion P3 of the second pattern and has inverted phase causes interference with light that has passed through the peripheral portion of the second pattern, thereby exhibiting a phase shift effect.
【0023】大面積パターンP2に関しては、その内部
の環状の所定幅Aの部分だけが半透明位相シフト膜2a
によって形成され、その中心部分であるパターン内郭部
P4はCr等の遮光膜によって区画形成される。大面積
パターンP2の全領域が半透明位相シフト膜2aのみに
よって区画形成されるものとすると、その大面積パター
ンP2に対応する転写像の周囲にゴースト等が発生する
おそれがある。また、その場合には、露光対象物上に転
写される転写像が大面積パターンP2の周囲の光透過部
を通過した露光光のために不鮮明になったり、あるい
は、半透明位相シフト膜の部分に穴が開いたりするおそ
れもある。これに対し、大面積パターンP2内における
半透明位相シフト膜2aの存在領域をパターン内周部P
3の部分に制限した本実施形態によれば、そのような問
題が解消する。With respect to the large-area pattern P2, only the portion having a predetermined annular width A inside the large-area pattern P2 is the translucent phase shift film 2a.
The pattern inner portion P4, which is the center portion, is defined by a light-shielding film such as Cr. If the entire area of the large area pattern P2 is defined by only the translucent phase shift film 2a, ghosts and the like may be generated around the transfer image corresponding to the large area pattern P2. In this case, the transfer image transferred onto the exposure object becomes unclear due to the exposure light passing through the light transmitting portion around the large area pattern P2, or the portion of the translucent phase shift film There is also a risk that a hole will be formed in the hole. On the other hand, the existence area of the translucent phase shift film 2a in the large area pattern P2 is
According to the present embodiment limited to the part 3, such a problem is solved.
【0024】(図1の位相シフトマスクの製造方法の一
実施形態)図3及び図4は、図1に示す位相シフトマス
クを製造するための製造方法の一実施形態を工程順に示
している。また、図5は、その製造方法において、特に
位相シフトマスクの基材の上にパターンを描画するため
の描画システムを模式的に示している。図5において、
パターンデータ入力装置8は、例えばキーボード、マウ
ス等によって構成され、このパターンデータ入力装置8
によって微細パターンP1及び大面積パターンP2のパ
ターンデータがCPU(中央処理装置)9の入力ポート
へ送られる。(One Embodiment of Manufacturing Method of Phase Shift Mask of FIG. 1) FIGS. 3 and 4 show an embodiment of a manufacturing method of manufacturing the phase shift mask shown in FIG. FIG. 5 schematically shows a drawing system for drawing a pattern on a base material of a phase shift mask in the manufacturing method. In FIG.
The pattern data input device 8 includes, for example, a keyboard, a mouse, and the like.
Thereby, the pattern data of the fine pattern P1 and the large area pattern P2 is sent to the input port of the CPU (central processing unit) 9.
【0025】CPU9の演算処理部はリサイズ演算部1
0を含んでいる。このリサイズ演算部10は、パターン
データ入力装置8から送られた微細パターンP1及び大
面積パターンP2のうち特に、大面積パターンP2のパ
ターンデータに基づいて、メモリ11内に格納された所
定のプログラムに従って、その大面積パターンP2に対
してパターン内郭部P4従って幅Aのパターン内周部P
3を演算する。微細パターンP1に関しては、そのよう
なリサイズ演算処理は行わない。The arithmetic processing unit of the CPU 9 is the resize arithmetic unit 1
Contains 0. The resizing operation unit 10 performs, in accordance with a predetermined program stored in the memory 11, based on the pattern data of the large area pattern P2 among the fine pattern P1 and the large area pattern P2 sent from the pattern data input device 8. , With respect to the large-area pattern P2, the pattern inner peripheral portion P4 and therefore the pattern inner peripheral portion P having a width A
3 is calculated. Such resizing operation is not performed on the fine pattern P1.
【0026】CPU9は、以上のようにして演算された
パターンのデータに基づいて画像制御部12を駆動し、
これにより、CRTモニター13の画面上に位相シフト
マスクのパターン画面が表示される。また、CPU9
は、演算されたパターンのデータを描画装置14へ送
る。描画装置14はそのデータに基づいて電子線ビーム
又は露光光を出力し、それらの電子線ビーム又は露光光
により、位相シフトマスクの完成途中品6aの上に微細
パターンP1及び大面積パターンP2や、パターン内郭
部P4等を描画する。The CPU 9 drives the image control unit 12 based on the data of the pattern calculated as described above,
Thus, the pattern screen of the phase shift mask is displayed on the screen of the CRT monitor 13. Also, the CPU 9
Sends the calculated pattern data to the drawing apparatus 14. The drawing apparatus 14 outputs an electron beam or exposure light based on the data, and the fine pattern P1 and the large area pattern P2 on the halfway product 6a of the phase shift mask are output by the electron beam or exposure light. The pattern inner part P4 and the like are drawn.
【0027】なお、電子線ビームを用いる描画の場合
は、電子線の電荷によって位相シフトマスクの基板が帯
電するので、それを防止するために基板上の適所に導電
層を形成することが広く行われている。露光光を用いた
描画の場合には帯電の心配がないので、そのような導電
層を形成する必要はない。これ以降の説明では、露光光
を用いる描画の場合を想定して導電層のことには特に触
れないことにするが、電子線ビームによる描画を行う場
合には導電層を用いることが必要になることに注意す
る。In the case of drawing using an electron beam, since the substrate of the phase shift mask is charged by the charge of the electron beam, it is widely practiced to form a conductive layer in an appropriate position on the substrate in order to prevent the charge. Have been done. In the case of drawing using exposure light, there is no need to worry about electrification, and thus it is not necessary to form such a conductive layer. In the following description, the conductive layer will not be particularly referred to assuming the case of drawing using exposure light, but it is necessary to use the conductive layer when performing drawing by an electron beam. Note that
【0028】以下、図3及び図4に基づいて、図1の位
相シフトマスクの製造方法を説明する。まず、図3
(a)に示すように、石英によって形成された透明基板
1の上に、周知の成膜方法を用いて、Mo・Si系の材
料から成る半透明位相シフト層2、Cr等の遮光材から
成る遮光層3、そしてポジレジストから成る第1レジス
ト層4を順次に積層した。各層の厚さは、半透明位相シ
フト層2を1200〜2000Å、遮光層3を300〜
1500Å、そして第1レジスト層4を3000〜60
00Åとした。Hereinafter, a method of manufacturing the phase shift mask of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. First, FIG.
As shown in FIG. 1A, a translucent phase shift layer 2 made of a Mo.Si-based material and a light-shielding material such as Cr are formed on a transparent substrate 1 made of quartz by using a well-known film forming method. A light-shielding layer 3 and a first resist layer 4 made of a positive resist were sequentially laminated. The thickness of each layer is 1200 to 2000 ° for the translucent phase shift layer 2 and 300 to
1500 °, and the first resist layer 4
00 °.
【0029】次いで、電子線又は露光光R1により微細
パターンP1及び大面積パターンP2以外の部分を露光
し(図3(b))、さらに、現像を行って必要とするパ
ターン以外の部分が欠落した状態の第1レジスト膜4a
を形成した(図3(c)及び図3(d))。さらに、そ
の第1レジスト膜4aをマスクとして、硝酸第2セリウ
ムアンモニウムに過塩素酸を加えて製造したエッチング
液を用いた常法のウエットエッチングにより、又は塩素
系ガスを用いたドライエッチングにより、遮光層3をパ
ターニングして、必要とするパターン以外の部分が欠落
した状態の遮光膜3aを形成した(図3(e))。この
とき、半透明位相シフト層2は上記の各エッチング剤に
よってはエッチングされない。Next, portions other than the fine pattern P1 and the large-area pattern P2 were exposed by an electron beam or exposure light R1 (FIG. 3 (b)), and further developed to remove portions other than the required patterns. State first resist film 4a
Was formed (FIGS. 3C and 3D). Further, using the first resist film 4a as a mask, light is shielded by ordinary wet etching using an etching solution prepared by adding perchloric acid to ceric ammonium nitrate or dry etching using a chlorine-based gas. The layer 3 was patterned to form a light-shielding film 3a in a state where portions other than the required pattern were missing (FIG. 3E). At this time, the translucent phase shift layer 2 is not etched by the above-mentioned etching agents.
【0030】その後、CF4、C2F6 等のフッ素系ガス
を用いたドライエッチングによって半透明位相シフト層
2を所望パターンの半透明位相シフト膜2aへとパター
ニングした(図3(f))。このとき、マスクとして働
く遮光膜3aはエッチングされないので、半透明位相シ
フト膜2aのパターンは極めて高精度な寸法精度で得ら
れた。次いで、酸素プラズマや硫酸を用いて第1レジス
ト膜4aを剥離することにより、図3(h)に示すよう
に、微細パターンP1及び大面積パターンP2を有する
パターンが形成される。このとき、両パターンP1及び
P2は遮光膜3a及び半透明位相シフト膜2aの複合層
によって区画形成され、それらのパターンP1及びP2
以外の非パターン部Qは、透明基板1によって区画形成
される。Thereafter, the translucent phase shift layer 2 was patterned into a desired pattern of the translucent phase shift film 2a by dry etching using a fluorine-based gas such as CF 4 or C 2 F 6 (FIG. 3F). . At this time, since the light-shielding film 3a functioning as a mask is not etched, the pattern of the translucent phase shift film 2a was obtained with extremely high dimensional accuracy. Next, by removing the first resist film 4a using oxygen plasma or sulfuric acid, a pattern having a fine pattern P1 and a large area pattern P2 is formed as shown in FIG. At this time, both patterns P1 and P2 are defined by a composite layer of the light shielding film 3a and the translucent phase shift film 2a, and the patterns P1 and P2 are formed.
The other non-pattern portions Q are defined by the transparent substrate 1.
【0031】次に、あらためてポジレジストをマスク全
体に塗布して第2レジスト層5を形成し(図4
(i))、さらに、電子線又は露光光R2によって再び
描画を行う(図4(j))。このときの描画は、図5に
示したCPU9のリサイズ演算部10によって決められ
るリサイズ寸法に従って行われる。このリサイズ寸法と
いうのは、図4(k)に符号R2で示すように、大面積
パターンP2よりも所定幅Aだけ狭いパターン内郭部P
4に相当する。Next, a second resist layer 5 is formed by applying a positive resist to the entire mask again.
(I)) Further, drawing is performed again by an electron beam or exposure light R2 (FIG. 4 (j)). The drawing at this time is performed according to the resize dimensions determined by the resize calculation unit 10 of the CPU 9 shown in FIG. The resize dimension is, as shown by a symbol R2 in FIG. 4K, a pattern inner portion P which is narrower by a predetermined width A than the large area pattern P2.
Equivalent to 4.
【0032】その後、第2レジスト層5を現像して第2
レジスト膜5aを形成した(図4(l))。これによ
り、図4(m)に示すように、大面積パターンP2の内
部のパターン内郭部P4に相当する領域に、斜線で示す
ように、第2レジスト膜5aが残された。次いで、その
第2レジスト膜5aをマスクとして、常法のウェットエ
ッチング又は塩素ガスを用いたドライエッチングにより
遮光膜3aをパターニングした(図4(n))。このと
き、半透明位相シフト膜2aはエッチングされない。After that, the second resist layer 5 is developed to
A resist film 5a was formed (FIG. 4 (l)). As a result, as shown in FIG. 4 (m), the second resist film 5a is left in the region corresponding to the pattern inner part P4 inside the large-area pattern P2, as indicated by oblique lines. Next, using the second resist film 5a as a mask, the light-shielding film 3a was patterned by ordinary wet etching or dry etching using chlorine gas (FIG. 4 (n)). At this time, the translucent phase shift film 2a is not etched.
【0033】その後、酸素プラズマや硫酸を用いて第2
レジスト膜5aを剥離することにより、図4(o)及び
図4(p)に示すように、微細パターン部P1及びパタ
ーン内周部P3が半透明位相シフト膜2aによって区画
形成され、そしてパターン内郭部P4が遮光膜3aによ
って区画形成された状態の位相シフトマスクが得られ
た。Then, the second process is performed using oxygen plasma or sulfuric acid.
By peeling off the resist film 5a, as shown in FIGS. 4 (o) and 4 (p), the fine pattern portion P1 and the inner peripheral portion P3 of the pattern are partitioned by the translucent phase shift film 2a. A phase shift mask was obtained in which the hull P4 was defined by the light-shielding film 3a.
【0034】図6は、パターン描画システムの他の実施
形態を示している。この描画システムが図5に示した描
画システムと異なる点は、リサイズ寸法の設定方法に改
変を加えたことであり、具体的には、いわゆるデジタイ
ザ等といった座標情報入力装置15をCPU9の入力ポ
ートに接続したことである。本実施形態では、大面積パ
ターンP2に対応させてパターン内郭部P4に相当する
領域を設定する際に、ペン入力や、マウス入力等によっ
てオペレータが座標情報入力装置15へ位置データを入
力し、これにより、パターン内郭部P4従ってパターン
内周部P3を設定する。FIG. 6 shows another embodiment of the pattern drawing system. This drawing system differs from the drawing system shown in FIG. 5 in that the method of setting the resize dimensions is modified. Specifically, a coordinate information input device 15 such as a so-called digitizer is connected to the input port of the CPU 9. It is connected. In the present embodiment, when setting an area corresponding to the pattern inner contour portion P4 corresponding to the large area pattern P2, the operator inputs position data to the coordinate information input device 15 by pen input, mouse input, or the like, As a result, the pattern inner peripheral portion P4 and thus the pattern inner peripheral portion P3 are set.
【0035】以上、好ましい実施例を挙げて本発明を説
明したが、本発明はそれらの実施例に限定されるもので
はなく、特許請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々
に改変できる。例えば、図1及に示した微細パターンP
1及び大面積パターンP2は、説明を分かり易くするた
めに模式的に例示したパターンであって、実際に作成さ
れるパターンは、希望に応じた形状のパターンとされ
る。また、図1に示した位相シフトマスクでは、大面積
パターンP2に関してのみ、その内部にパターン内周部
P3及びパターン内郭部P4を設け、微細パターンP1
に関してはそれらを設けないこととした。しかしなが
ら、微細パターンP1の内部にパターン内周部P3及び
パターン内郭部P4を設けることもできる。Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to those embodiments and can be variously modified within the technical scope described in the claims. For example, the fine pattern P shown in FIG.
The pattern 1 and the large area pattern P2 are patterns schematically illustrated for easy understanding of the description, and the pattern actually created is a pattern having a desired shape. Further, in the phase shift mask shown in FIG. 1, only the large area pattern P2 is provided with a pattern inner peripheral portion P3 and a pattern inner contour portion P4 therein, and the fine pattern P1 is provided.
It was decided not to provide them. However, the pattern inner peripheral portion P3 and the pattern inner contour portion P4 can be provided inside the fine pattern P1.
【0036】[0036]
【発明の効果】請求項1記載のハーフトーン型位相シフ
トマスクによれば、所望パターンの内部の広い領域を半
透明位相シフト膜によって形成するのではなくて、半透
明位相シフト膜を設ける領域を所定幅Aのパターン内周
部に限定し、さらにその内部のパターン内郭部を遮光膜
によって形成した。その結果、所望パターンに対応する
転写像の周囲にゴースト等が発生することを防止でき、
また、露光対象物上に転写される転写像が所望パターン
の周囲の光透過部を通過した露光光のために不鮮明にな
るということを防止でき、さらに、半透明位相シフト膜
の部分に穴が開くことを防止できる。According to the halftone type phase shift mask of the first aspect, a wide area inside the desired pattern is not formed by the translucent phase shift film, but the area where the translucent phase shift film is provided is provided. The pattern was limited to the inner peripheral portion of the pattern having a predetermined width A, and the inner peripheral portion of the pattern was formed by a light shielding film. As a result, it is possible to prevent a ghost or the like from occurring around the transfer image corresponding to the desired pattern,
In addition, it is possible to prevent the transferred image transferred onto the exposure target from being blurred due to the exposure light passing through the light transmitting portion around the desired pattern, and furthermore, a hole is formed in the portion of the translucent phase shift film. Opening can be prevented.
【0037】請求項2記載のハーフトーン型位相シフト
マスクによれば、微細パターンに対して、該パターンを
忠実に再現する高解像度の転写パターンを得ることがで
きる。According to the halftone phase shift mask of the present invention, a high-resolution transfer pattern that faithfully reproduces a fine pattern can be obtained.
【0038】請求項3記載のハーフトーン型位相シフト
マスクのように、大面積パターンを有する位相シフトマ
スクにおいては、特に、その周囲にゴースト等が発生し
易く、そのパターンに対応する転写像が不鮮明になり易
く、さらに、その大面積パターンを形成する半透明位相
シフト膜に穴が開き易い。しかしながら本発明のように
大面積パターンの内部の半透明位相シフト膜の領域を所
定面積に制限すれば、上記のような問題点をことごとく
解消できる。In a phase shift mask having a large area pattern as in the halftone type phase shift mask according to the third aspect, ghosts and the like are liable to occur particularly around the phase shift mask, and a transferred image corresponding to the pattern is unclear. And a hole is easily formed in the translucent phase shift film forming the large area pattern. However, if the area of the translucent phase shift film inside the large area pattern is limited to a predetermined area as in the present invention, all of the above problems can be solved.
【0039】請求項6記載のハーフトーン型位相シフト
マスクの製造方法によれば、請求項1記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクを安定して確実に作製できる。According to the method for manufacturing a halftone type phase shift mask according to the sixth aspect, the halftone type phase shift mask according to the first aspect can be manufactured stably and reliably.
【0040】請求項7記載のハーフトーン型位相シフト
マスクの製造方法によれば、本発明の特徴である所望パ
ターン部に対応するリサイズ寸法を画一的且つ自動的に
設定できる。According to the method of manufacturing a halftone type phase shift mask according to the seventh aspect, the resize dimension corresponding to a desired pattern portion, which is a feature of the present invention, can be set uniformly and automatically.
【0041】請求項8記載のハーフトーン型位相シフト
マスクの製造方法によれば、本発明の特徴である所望パ
ターン部に対応するリサイズ寸法をオペレータの希望に
応じて自由に設定できる。According to the method of manufacturing a halftone type phase shift mask according to the present invention, the resize dimension corresponding to the desired pattern portion, which is a feature of the present invention, can be freely set according to the operator's request.
【0042】請求項9記載のハーフトーン型位相シフト
マスクの製造方法によれば、微細パターンに対しては効
果的に位相シフト効果を提供でき、一方、位相シフト効
果を必要としない大面積パターンに対しては完全な遮光
効果を提供することによりゴースト等の転写不良を確実
に防止できる。According to the method for manufacturing a halftone phase shift mask according to the ninth aspect, a phase shift effect can be effectively provided for a fine pattern, while a large area pattern which does not require the phase shift effect can be provided. By providing a complete light-shielding effect, transfer failures such as ghosts can be reliably prevented.
【0043】[0043]
【図1】本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスク
の一実施形態を模式的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing one embodiment of a halftone type phase shift mask according to the present invention.
【図2】図1のハーフトーン型位相シフトマスクの断面
構造を模式的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a cross-sectional structure of the halftone type phase shift mask of FIG.
【図3】本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスク
の製造方法の一実施形態を工程順に模式的に示す図であ
る。FIG. 3 is a view schematically showing one embodiment of a method for manufacturing a halftone phase shift mask according to the present invention in the order of steps.
【図4】本発明に係るハーフトーン型位相シフトマスク
の製造方法の一実施形態を工程順に模式的に示す図であ
って、図3に引き続く工程を示す図である。FIG. 4 is a view schematically showing one embodiment of a method for manufacturing a halftone phase shift mask according to the present invention in the order of steps, and is a view showing a step following FIG. 3;
【図5】露光描画装置の一実施形態を示すブロック図で
ある。FIG. 5 is a block diagram illustrating an embodiment of an exposure / drawing apparatus.
【図6】露光描画装置の他の実施形態を示すブロック図
である。FIG. 6 is a block diagram showing another embodiment of the exposure drawing apparatus.
【図7】遮光膜の一実施形態の部分断面構造を示す図で
ある。FIG. 7 is a diagram showing a partial cross-sectional structure of one embodiment of a light-shielding film.
【図8】遮光膜の他の実施形態の部分断面構造を示す図
である。FIG. 8 is a diagram showing a partial cross-sectional structure of another embodiment of a light-shielding film.
【図9】遮光膜のさらに他の実施形態の部分断面構造を
示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a partial cross-sectional structure of still another embodiment of a light-shielding film.
【図10】図2に示す位相シフトマスクを用いてウェハ
を露光する状態を模式的に示す図である。10 is a diagram schematically showing a state in which a wafer is exposed using the phase shift mask shown in FIG.
1 透明基板 2 半透明位相シフト層 2a 半透明位相シフト膜 3 遮光層 3a 遮光膜 4 第1レジスト層 4a 第1レジスト膜 5 第2レジスト層 5a 第2レジスト膜 6 位相シフトマスク 7 ウェハ(露光対象物) A リサイズ寸法 P1 微細パターン P2 大面積パターン P3 パターン内周部 P4 パターン内郭部 Q 非パターン領域 R1 第1描画露光 R2 リサイズ露光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate 2 Translucent phase shift layer 2a Translucent phase shift film 3 Light shielding layer 3a Light shielding film 4 First resist layer 4a First resist film 5 Second resist layer 5a Second resist film 6 Phase shift mask 7 Wafer (exposure target) A) Resize dimension P1 Fine pattern P2 Large area pattern P3 Pattern inner circumference P4 Pattern inner part Q Non-pattern area R1 First drawing exposure R2 Resize exposure
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 狩川 英聖 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 服部 祐介 東京都台東区台東1丁目5番1号 凸版印 刷株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Hideseori Karikawa 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd. (72) Inventor Yusuke Hattori 1-1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Letterpress Printing Co., Ltd.
Claims (9)
層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、 所定の形状のパターン部の輪郭の内側に所定幅で形成さ
れたパターン内周部と、 そのパターン内周部の内側に存在するパターン内郭部と
を有しており、 そのパターン内周部は半透明位相シフト膜によって区画
形成され、 上記パターン内郭部は遮光膜によって区画形成されるこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。1. A halftone type phase shift mask formed by laminating a translucent phase shift film on a transparent substrate, comprising: a pattern inner peripheral portion formed with a predetermined width inside a contour of a pattern portion having a predetermined shape; A pattern inner peripheral portion present inside the pattern inner peripheral portion, the pattern inner peripheral portion is defined by a translucent phase shift film, and the pattern inner peripheral portion is defined by a light shielding film. A halftone phase shift mask.
トマスクにおいて、パターン部は、位相シフト効果を必
要とする程度に微細な寸法によって形成されることを特
徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。2. The halftone phase shift mask according to claim 1, wherein the pattern portion is formed to have a fine dimension to the extent that a phase shift effect is required.
トマスクにおいて、パターン部は、位相シフト効果を必
要としない程度に広い面積を有する大面積パターンによ
って形成されることを特徴とするハーフトーン型位相シ
フトマスク。3. The halftone type phase shift mask according to claim 1, wherein the pattern portion is formed by a large area pattern having an area large enough not to require a phase shift effect. Phase shift mask.
1つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおい
て、半透明位相シフト膜はMoとSiを主成分とする化
合物であることを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスク。4. The halftone phase shift mask according to claim 1, wherein the translucent phase shift film is a compound containing Mo and Si as main components. A halftone phase shift mask.
1つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおい
て、遮光膜はCr,CrO,CrN,CrON,CrO
CN又はこれらを積層した複合膜であることを特徴とす
るハーフトーン型位相シフトマスク。5. The halftone phase shift mask according to claim 1, wherein the light-shielding film is made of Cr, CrO, CrN, CrON, CrO.
A halftone phase shift mask comprising CN or a composite film obtained by laminating them.
層して成るハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
において、(1)透明基板の上に半透明位相シフト層、
遮光層、第1レジスト層を順次、積層する工程と、
(2)第1レジスト層を所定の形状にパターニングし
て、必要とするパターン部以外の部分が欠落した状態の
第1レジスト膜を形成する工程と、(3)パターニング
された第1レジスト膜をマスクとして遮光層をエッチン
グによってパターニングして、必要とするパターン部以
外の部分が欠落した状態の遮光膜を形成する工程と、
(4)パターニングされた第1レジスト膜及び遮光膜を
マスクとして半透明位相シフト層をエッチングによって
パターニングして、必要とするパターン部以外の部分が
欠落した状態の半透明位相シフト膜を形成する工程と、
(5)第1レジスト膜を剥離する工程と、(6)第2レ
ジスト層を積層する工程と、(7)パターン部よりも所
定幅だけ内側に狭く設定されたパターン内郭部のデータ
を生成するリサイズ工程と、(8)パターン内郭部のデ
ータに従って第2レジスト層をパターニングして、パタ
ーン内郭部以外の部分が欠落した状態の第2レジスト膜
を形成する工程と、(9)パターニングされた第2レジ
スト膜をマスクとして遮光層をエッチングによってパタ
ーニングして、パターン内郭部以外の部分が欠落した状
態の遮光膜を形成する工程と、(10)第2レジスト膜
を剥離する工程とを有することを特徴とするハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法。6. A method for manufacturing a halftone type phase shift mask in which a translucent phase shift film is laminated on a transparent substrate, wherein (1) a translucent phase shift layer is formed on the transparent substrate.
Sequentially stacking a light-shielding layer and a first resist layer;
(2) a step of patterning the first resist layer into a predetermined shape to form a first resist film in a state where portions other than a required pattern portion are missing; and (3) forming the first resist film patterned Patterning the light-shielding layer by etching as a mask to form a light-shielding film in a state where portions other than the required pattern portion are missing;
(4) A step of patterning the translucent phase shift layer by etching using the patterned first resist film and light-shielding film as a mask to form a translucent phase shift film in a state where portions other than the required pattern portions are missing. When,
(5) a step of stripping the first resist film, (6) a step of laminating the second resist layer, and (7) generating data of a pattern inner portion set to be narrower inward than the pattern portion by a predetermined width. (8) patterning the second resist layer in accordance with the data of the pattern inner portion to form a second resist film in a state where portions other than the pattern inner portion are missing, and (9) patterning A step of patterning the light-shielding layer by etching using the second resist film thus formed as a mask to form a light-shielding film in a state where portions other than the inner portion of the pattern are missing; and (10) a step of removing the second resist film A method for manufacturing a halftone type phase shift mask, comprising:
トマスクの製造方法において、リサイズ工程におけるパ
ターン内郭部のデータの生成は、パターン部のデータに
基づいてコンピュータプログラムに従って演算されて自
動的に生成されることを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法。7. The method of manufacturing a halftone phase shift mask according to claim 6, wherein the generation of the data of the inner portion of the pattern in the resizing step is automatically performed by calculating according to a computer program based on the data of the pattern portion. A method for producing a halftone phase shift mask, wherein the method is generated.
トマスクの製造方法において、リサイズ工程におけるパ
ターン内郭部のデータの生成は、座標情報入力手段から
の入力によって生成されることを特徴とするハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法。8. The method of manufacturing a halftone phase shift mask according to claim 6, wherein the data of the pattern inner portion in the resizing step is generated by input from coordinate information input means. A method for manufacturing a halftone phase shift mask.
1つに記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法において、パターン部は、位相シフト効果を必要とす
る程度に微細な微細パターン部と、位相シフト効果を必
要としない程度に広い大面積パターン部とを有してお
り、そしてリサイズ工程において、大面積パターン部に
対してのみパターン内郭部のデータを生成することを特
徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。9. The method for manufacturing a halftone type phase shift mask according to claim 6, wherein the pattern portion is fine enough to require a phase shift effect. And a large area pattern portion that is so wide that the phase shift effect is not required, and in the resizing step, data of a pattern inner portion is generated only for the large area pattern portion. Of producing a halftone phase shift mask.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20320596A JPH1031300A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Halftone type phase shift mask and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP20320596A JPH1031300A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Halftone type phase shift mask and its production |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1031300A true JPH1031300A (en) | 1998-02-03 |
Family
ID=16470214
Family Applications (1)
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JP20320596A Pending JPH1031300A (en) | 1996-07-12 | 1996-07-12 | Halftone type phase shift mask and its production |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH1031300A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-07-12 JP JP20320596A patent/JPH1031300A/en active Pending
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