JPH1186738A - フラットディスプレイパネル - Google Patents
フラットディスプレイパネルInfo
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- JPH1186738A JPH1186738A JP24151197A JP24151197A JPH1186738A JP H1186738 A JPH1186738 A JP H1186738A JP 24151197 A JP24151197 A JP 24151197A JP 24151197 A JP24151197 A JP 24151197A JP H1186738 A JPH1186738 A JP H1186738A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 駆動電圧が低く、経時劣化が抑制された放電
保護層を備えたフラットディスプレイパネルを提供する
ことを課題とする。 【解決手段】 放電電極とそれを放電空間から絶縁し保
護する放電保護層を備えるパネル構成において、前記放
電保護層が、酸化マグネシウム層とその上に形成された
アイランド状のダイヤモンドとからなるか又は、酸化マ
グネシウム層とその上に形成されたダイヤモンドライク
カーボン層とからなる構成であることを特徴とするフラ
ットディスプレイパネルにより上記課題を解決する。
保護層を備えたフラットディスプレイパネルを提供する
ことを課題とする。 【解決手段】 放電電極とそれを放電空間から絶縁し保
護する放電保護層を備えるパネル構成において、前記放
電保護層が、酸化マグネシウム層とその上に形成された
アイランド状のダイヤモンドとからなるか又は、酸化マ
グネシウム層とその上に形成されたダイヤモンドライク
カーボン層とからなる構成であることを特徴とするフラ
ットディスプレイパネルにより上記課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラットディスプ
レイパネルに関する。更に詳しくは、本発明は、耐スパ
ッタ性が有り、電子放出特性の良好な放電保護層を備え
たフラットディスプレイパネルに関する。
レイパネルに関する。更に詳しくは、本発明は、耐スパ
ッタ性が有り、電子放出特性の良好な放電保護層を備え
たフラットディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】フラットディスプレイパネルとして、一
般にプラズマディスプレイパネルが知られているが、こ
のプラズマディスプレイパネルは、一般に、放電空間を
挟んで対向する一対の基板、電極、隔壁、蛍光体層、誘
電体層、放電保護層及び放電ガス等の構成要素からな
る。ここで、放電保護層は、放電時のイオン衝撃による
誘電体層、電極等のＰＤＰの構成要素の劣化を防止する
ために、放電空間と接するように形成されている。従っ
て、放電保護層の材質及び膜質は、表示の安定化、駆動
の容易化及び長寿命化等の上で重要な要素である。
般にプラズマディスプレイパネルが知られているが、こ
のプラズマディスプレイパネルは、一般に、放電空間を
挟んで対向する一対の基板、電極、隔壁、蛍光体層、誘
電体層、放電保護層及び放電ガス等の構成要素からな
る。ここで、放電保護層は、放電時のイオン衝撃による
誘電体層、電極等のＰＤＰの構成要素の劣化を防止する
ために、放電空間と接するように形成されている。従っ
て、放電保護層の材質及び膜質は、表示の安定化、駆動
の容易化及び長寿命化等の上で重要な要素である。
【０００３】放電保護層の材質としては、一般に酸化マ
グネシウムが使用されている。酸化マグネシウムは、耐
スパッタ性が強い物質であり、かつ二次電子放出係数の
大きい（電子親和力が０．５ｅＶ前後）、いわゆる高γ
物質である。従って、放電保護層に酸化マグネシウムを
使用した場合、放電開始電圧が低下し、駆動電圧の許容
範囲が広がり、駆動が容易になる。
グネシウムが使用されている。酸化マグネシウムは、耐
スパッタ性が強い物質であり、かつ二次電子放出係数の
大きい（電子親和力が０．５ｅＶ前後）、いわゆる高γ
物質である。従って、放電保護層に酸化マグネシウムを
使用した場合、放電開始電圧が低下し、駆動電圧の許容
範囲が広がり、駆動が容易になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表示面
の大型化と高精細化が進むにつれて消費電力が増大する
ので、酸化マグネシウムより電子放出係数の大きい（電
子親和力の小さい）駆動電圧の低い放電保護層の開発が
望まれていた。また、更なる長時間表示を実現するため
に経時劣化を抑制しうる放電保護層の開発が望まれてい
た。
の大型化と高精細化が進むにつれて消費電力が増大する
ので、酸化マグネシウムより電子放出係数の大きい（電
子親和力の小さい）駆動電圧の低い放電保護層の開発が
望まれていた。また、更なる長時間表示を実現するため
に経時劣化を抑制しうる放電保護層の開発が望まれてい
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、放電電極とそれを放電空間から絶縁し保護する放電
保護層を備えるパネル構成において、前記放電保護層
が、酸化マグネシウム層とその上に形成されたアイラン
ド状のダイヤモンドとからなるか又は、酸化マグネシウ
ム層とその上に形成されたダイヤモンドライクカーボン
層とからなる構成であることを特徴とするフラットディ
スプレイパネルが提供される。
ば、放電電極とそれを放電空間から絶縁し保護する放電
保護層を備えるパネル構成において、前記放電保護層
が、酸化マグネシウム層とその上に形成されたアイラン
ド状のダイヤモンドとからなるか又は、酸化マグネシウ
ム層とその上に形成されたダイヤモンドライクカーボン
層とからなる構成であることを特徴とするフラットディ
スプレイパネルが提供される。
【０００６】更に本発明によれば、放電電極を放電空間
から絶縁し保護するためのダイヤモンドライクカーボン
層からなる放電保護層を備えていることを特徴とするフ
ラットディスプレイパネルが提供される。
から絶縁し保護するためのダイヤモンドライクカーボン
層からなる放電保護層を備えていることを特徴とするフ
ラットディスプレイパネルが提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、プラズマディスプレイ
パネル（以下ＰＤＰ）、プラズマアドレス液晶等に適用
することができる。この内、ＰＤＰに適用することが好
ましい。本発明に使用される基体は、基体の使用分野に
応じて適宜選択でき、例えば、シリコン基板、石英基
板、ガラス基板等の基板や、これらの基板上に、電極、
絶縁膜、誘電体層等の所望の構成物を形成した基体が含
まれる。
パネル（以下ＰＤＰ）、プラズマアドレス液晶等に適用
することができる。この内、ＰＤＰに適用することが好
ましい。本発明に使用される基体は、基体の使用分野に
応じて適宜選択でき、例えば、シリコン基板、石英基
板、ガラス基板等の基板や、これらの基板上に、電極、
絶縁膜、誘電体層等の所望の構成物を形成した基体が含
まれる。
【０００８】次に、放電空間側の基体の表面に放電保護
層が形成される。例えば、面放電型のＰＤＰの場合、放
電空間側の基体の表面とは、表示側基体の誘電体層を意
味する。本発明では、放電保護層は、 酸化マグネシウム層とその上に形成されたアイランド
状のダイヤモンドとからなるか又は、酸化マグネシウム
層とその上に形成されたダイヤモンドライクカーボン
（以下ＤＬＣ）層からなるか、或いは ＤＬＣ層からなる。
層が形成される。例えば、面放電型のＰＤＰの場合、放
電空間側の基体の表面とは、表示側基体の誘電体層を意
味する。本発明では、放電保護層は、 酸化マグネシウム層とその上に形成されたアイランド
状のダイヤモンドとからなるか又は、酸化マグネシウム
層とその上に形成されたダイヤモンドライクカーボン
（以下ＤＬＣ）層からなるか、或いは ＤＬＣ層からなる。
【０００９】まず、の放電保護層について説明する
（図１（ａ）及び（ｂ））。この場合、基体１上には酸
化マグネシウム層２が積層される。酸化マグネシウム層
の形成方法は、特に限定されず、ＣＶＤ法、蒸着法等の
公知の方法をいずれも使用することができる。酸化マグ
ネシウム層の厚さは、０．０５〜１００μｍの範囲であ
ることが好ましい。また、酸化マグネシウム層はフェイ
ズセンターキュービック型の結晶構造を有していること
が好ましい。
（図１（ａ）及び（ｂ））。この場合、基体１上には酸
化マグネシウム層２が積層される。酸化マグネシウム層
の形成方法は、特に限定されず、ＣＶＤ法、蒸着法等の
公知の方法をいずれも使用することができる。酸化マグ
ネシウム層の厚さは、０．０５〜１００μｍの範囲であ
ることが好ましい。また、酸化マグネシウム層はフェイ
ズセンターキュービック型の結晶構造を有していること
が好ましい。
【００１０】次に、酸化マグネシウム層上にはアイラン
ド状のダイヤモンド３（図１（ａ））又はＤＬＣ層４
（図１（ｂ））が形成される。まず、アイランド状のダ
イヤモンドの個々の形状は、高さ０．０１〜１００μ
ｍ、直径０．０１〜１００μｍであることが好ましく、
このダイヤモンドが１０ 4 〜１０12個／ｃｍ2 存在して
いることが好ましい。ここで、ダイヤモンドは、電子親
和力が−０．７ｅＶ程度と、酸化マグネシウムと比べて
低いため、それだけ電子を放出しやすい性質を有してい
る。更に、ダイヤモンドがアイランド状であるため、そ
の先端から更に電子が放出されやすくなり、駆動電圧を
より低減することができる作用も有する。
ド状のダイヤモンド３（図１（ａ））又はＤＬＣ層４
（図１（ｂ））が形成される。まず、アイランド状のダ
イヤモンドの個々の形状は、高さ０．０１〜１００μ
ｍ、直径０．０１〜１００μｍであることが好ましく、
このダイヤモンドが１０ 4 〜１０12個／ｃｍ2 存在して
いることが好ましい。ここで、ダイヤモンドは、電子親
和力が−０．７ｅＶ程度と、酸化マグネシウムと比べて
低いため、それだけ電子を放出しやすい性質を有してい
る。更に、ダイヤモンドがアイランド状であるため、そ
の先端から更に電子が放出されやすくなり、駆動電圧を
より低減することができる作用も有する。
【００１１】アイランド状のダイヤモンドの形成方法と
しては、当該分野で公知の方法をいずれも使用すること
ができる。例えば、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶ
Ｄ法等が挙げられる。これらのＣＶＤ法に使用する原料
ガスとしては、メタン、アセチレン、アセトン、メタノ
ール、エタノール、ＣＯ等の炭素原料ガスと水素ガスと
の混合ガスが好ましい。更に、炭素原料ガス／水素ガス
＝１０％（体積比）以下、好ましくは０．０５〜３％と
することにより、形成されるダイヤモンドを（１１１）
配向とすることができる。この（１１１）配向のダイヤ
モンドを使用すれば、更に電子を放出しやすくすること
ができるので、駆動電圧をより低減することができる。
しては、当該分野で公知の方法をいずれも使用すること
ができる。例えば、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶ
Ｄ法等が挙げられる。これらのＣＶＤ法に使用する原料
ガスとしては、メタン、アセチレン、アセトン、メタノ
ール、エタノール、ＣＯ等の炭素原料ガスと水素ガスと
の混合ガスが好ましい。更に、炭素原料ガス／水素ガス
＝１０％（体積比）以下、好ましくは０．０５〜３％と
することにより、形成されるダイヤモンドを（１１１）
配向とすることができる。この（１１１）配向のダイヤ
モンドを使用すれば、更に電子を放出しやすくすること
ができるので、駆動電圧をより低減することができる。
【００１２】一方、ＤＬＣは、アモルファス状のカーボ
ンとも称されており、例えばJ.Vac.Sci.Technol.A 5
(6),Nov/Dec 1987の3287〜3312にＤＬＣの製造方法とそ
れを磁気記録媒体の保護層として使用することが記載さ
れている。このＤＬＣは、高硬度、低摩擦性、耐磨耗
性、高光透過性、化学的安定性等の優れた特性をもつた
め、フラットディスプレイパネルのプラズマに晒される
放電空間側に設置することにより、フラットディスプレ
イパネルが経時劣化することを防ぐことができる。ＤＬ
Ｃ層の厚さは、０．００１〜１０μｍであることが好ま
しい。また、ＤＬＣ層中にはｓｐ3 結合の結晶が主成分
として含まれていることが好ましい。ここで、主成分と
は、少なくとも５０重量％以上を意味し、好ましくは６
０重量％以上を意味する。また、窒素等の不純物を１重
量％以下の割合で含んでいてもよい。
ンとも称されており、例えばJ.Vac.Sci.Technol.A 5
(6),Nov/Dec 1987の3287〜3312にＤＬＣの製造方法とそ
れを磁気記録媒体の保護層として使用することが記載さ
れている。このＤＬＣは、高硬度、低摩擦性、耐磨耗
性、高光透過性、化学的安定性等の優れた特性をもつた
め、フラットディスプレイパネルのプラズマに晒される
放電空間側に設置することにより、フラットディスプレ
イパネルが経時劣化することを防ぐことができる。ＤＬ
Ｃ層の厚さは、０．００１〜１０μｍであることが好ま
しい。また、ＤＬＣ層中にはｓｐ3 結合の結晶が主成分
として含まれていることが好ましい。ここで、主成分と
は、少なくとも５０重量％以上を意味し、好ましくは６
０重量％以上を意味する。また、窒素等の不純物を１重
量％以下の割合で含んでいてもよい。
【００１３】ＤＬＣの形成方法としては、当該分野で公
知の方法をいずれも使用することができる。例えば、イ
オンビーム蒸着法等の蒸着法、ＤＣマグネトロンスパッ
タ法等のスパッタ法、プラズマ源として熱フィラメン
ト、ＲＦ、ＥＣＲ電源等を使用したプラズマＣＶＤ法等
が挙げられる。なお、ＤＬＣ層上に、更にアイランド状
のダイヤモンドを形成してもよい。
知の方法をいずれも使用することができる。例えば、イ
オンビーム蒸着法等の蒸着法、ＤＣマグネトロンスパッ
タ法等のスパッタ法、プラズマ源として熱フィラメン
ト、ＲＦ、ＥＣＲ電源等を使用したプラズマＣＶＤ法等
が挙げられる。なお、ＤＬＣ層上に、更にアイランド状
のダイヤモンドを形成してもよい。
【００１４】次に、の放電保護層について説明する
（図２）。この場合、基体１上には酸化マグネシウム層
の代わりにＤＬＣ層５が放電保護層として形成される。
ＤＬＣ層の厚さ、製造方法等は、上記の場合と同じ条
件とすることができる。また、ＤＬＣ層上に、更にアイ
ランド状のダイヤモンドを形成してもよい。次に、本発
明の放電保護層のフラットパネルディスプレイへの適用
例を以下に示す。以下では、フラットパネルディスプレ
イとして、ＰＤＰを例として説明するが、これに限定さ
れるものではない。
（図２）。この場合、基体１上には酸化マグネシウム層
の代わりにＤＬＣ層５が放電保護層として形成される。
ＤＬＣ層の厚さ、製造方法等は、上記の場合と同じ条
件とすることができる。また、ＤＬＣ層上に、更にアイ
ランド状のダイヤモンドを形成してもよい。次に、本発
明の放電保護層のフラットパネルディスプレイへの適用
例を以下に示す。以下では、フラットパネルディスプレ
イとして、ＰＤＰを例として説明するが、これに限定さ
れるものではない。
【００１５】図３は、本発明を好適に使用することがで
きるＰＤＰの一例を示す図である。なお、図３の構成は
一例であり、本発明はこれに限定されることはない、Ａ
Ｃ型、ＤＣ型等どのような形式のＰＤＰにも適用するこ
とができる。図３は、一般的な間接放電形式（ＡＣ型）
の面放電型ＰＤＰの一画素に対応する概略斜視図であ
り、蛍光体層の配置形態による分類では、反射型に属
し、かつ３電極構造のＰＤＰを示している。
きるＰＤＰの一例を示す図である。なお、図３の構成は
一例であり、本発明はこれに限定されることはない、Ａ
Ｃ型、ＤＣ型等どのような形式のＰＤＰにも適用するこ
とができる。図３は、一般的な間接放電形式（ＡＣ型）
の面放電型ＰＤＰの一画素に対応する概略斜視図であ
り、蛍光体層の配置形態による分類では、反射型に属
し、かつ３電極構造のＰＤＰを示している。
【００１６】図３のＰＤＰ１１は、一対の基板１２と１
５が対向して配置されている。基板としては、ガラス基
板、石英基板、シリコン基板等を使用することができ
る。基板１２には、一対の表示電極（サスティン電極）
ＸとＹが平行に形成され、表示電極ＸとＹを覆うように
基板１２上に壁電極によって放電を維持する交流（Ａ
Ｃ）駆動用の誘電体層１３が形成され、更に誘電体層１
３上に放電保護層１４が形成されている。誘電体層は、
一般に低融点ガラスペーストを塗布・焼成することによ
り形成することができる。この放電保護層は、上記で説
明したように酸化マグネシウム層とアイランド状のダイ
ヤモンド又はＤＬＣ層からなるか、或いはＤＬＣ層から
なる。
５が対向して配置されている。基板としては、ガラス基
板、石英基板、シリコン基板等を使用することができ
る。基板１２には、一対の表示電極（サスティン電極）
ＸとＹが平行に形成され、表示電極ＸとＹを覆うように
基板１２上に壁電極によって放電を維持する交流（Ａ
Ｃ）駆動用の誘電体層１３が形成され、更に誘電体層１
３上に放電保護層１４が形成されている。誘電体層は、
一般に低融点ガラスペーストを塗布・焼成することによ
り形成することができる。この放電保護層は、上記で説
明したように酸化マグネシウム層とアイランド状のダイ
ヤモンド又はＤＬＣ層からなるか、或いはＤＬＣ層から
なる。
【００１７】一方、基板１５には、平面的に見て表示電
極ＸとＹに直交する位置に複数のストライプ状のアドレ
ス電極Ａが形成され、該アドレス電極Ａを覆うように基
板１５上に誘電体層１６が積層されている。ここでアド
レス電極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれら
の積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）等から構成され、
スパッタ法、蒸着法等の成膜法とエッチング法を組み合
わせることにより、所望本数、厚さ、幅及び間隔で形成
することができる。
極ＸとＹに直交する位置に複数のストライプ状のアドレ
ス電極Ａが形成され、該アドレス電極Ａを覆うように基
板１５上に誘電体層１６が積層されている。ここでアド
レス電極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれら
の積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）等から構成され、
スパッタ法、蒸着法等の成膜法とエッチング法を組み合
わせることにより、所望本数、厚さ、幅及び間隔で形成
することができる。
【００１８】更に、隣接するアドレス電極Ａ間かつ該ア
ドレス電極Ａと平行になるように複数のストライプ状の
隔壁１７が形成されている。隔壁１７は、上記本発明の
パターン形成方法により形成することができる。次い
で、隣接する隔壁１７の側面及びアドレス電極Ａ上には
蛍光体層１８が形成されている。本発明では基板１５、
アドレス電極Ａ、誘電体層１６、隔壁１７及び蛍光体層
１８が、上記基体に対応する。
ドレス電極Ａと平行になるように複数のストライプ状の
隔壁１７が形成されている。隔壁１７は、上記本発明の
パターン形成方法により形成することができる。次い
で、隣接する隔壁１７の側面及びアドレス電極Ａ上には
蛍光体層１８が形成されている。本発明では基板１５、
アドレス電極Ａ、誘電体層１６、隔壁１７及び蛍光体層
１８が、上記基体に対応する。
【００１９】次に、１９は放電空間を示し、表示電極Ｘ
とＹの延伸方向に単位発光領域（以下ＥＵ）毎に区画さ
れ、かつその間隙寸法が規定されている。なお、放電空
間１９には、所望の放電ガスが封入されている。ＰＤＰ
１１は、図３のように１つの画素ＥＧに対応する３つの
ＥＵのそれぞれにおいて、表示電極Ｙとアドレス電極Ａ
との交差部に表示又は非表示を選択するための選択放電
セルが確定されている。また、表示電極ＸとＹの間に主
放電セルが確定されている。
とＹの延伸方向に単位発光領域（以下ＥＵ）毎に区画さ
れ、かつその間隙寸法が規定されている。なお、放電空
間１９には、所望の放電ガスが封入されている。ＰＤＰ
１１は、図３のように１つの画素ＥＧに対応する３つの
ＥＵのそれぞれにおいて、表示電極Ｙとアドレス電極Ａ
との交差部に表示又は非表示を選択するための選択放電
セルが確定されている。また、表示電極ＸとＹの間に主
放電セルが確定されている。
【００２０】ここで、蛍光体層１８は、面放電により生
じるイオンによる衝撃を避けるために、表示電極ＸとＹ
と反対側の基板１５上の隔壁１７間に設けられている。
この蛍光体層１８は、一般に、主放電セルの面放電によ
り生じる真空紫外線を可視光に変換することによって発
光する。蛍光体層１８で発光した光は、誘電体層１３及
び基板１２を透過して外部へ射出される。つまり、ＰＤ
Ｐ１１では、基板１２の外面が表示面Ｄとなる。
じるイオンによる衝撃を避けるために、表示電極ＸとＹ
と反対側の基板１５上の隔壁１７間に設けられている。
この蛍光体層１８は、一般に、主放電セルの面放電によ
り生じる真空紫外線を可視光に変換することによって発
光する。蛍光体層１８で発光した光は、誘電体層１３及
び基板１２を透過して外部へ射出される。つまり、ＰＤ
Ｐ１１では、基板１２の外面が表示面Ｄとなる。
【００２１】表示電極ＸとＹは、蛍光体層１８に対して
表示面Ｄ側に配置されるので、面放電を広範囲とし、か
つ表示光の遮光を最小限とするために、幅の広い透明導
電膜２０とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）２１とから構成されている。透明導電膜は、例
えばＩＴＯ（酸化インジウム＋酸化スズ）やネサ（酸化
スズ）等の酸化金属から構成され、蒸着等の成膜法とエ
ッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、厚
さ、幅及び間隔で形成することができる。一方、バス電
極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層
体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）等から構成され、スパッ
タ法、蒸着法等の成膜法とエッチング法を組み合わせる
ことにより、所望本数、厚さ、幅及び間隔で形成するこ
とができる。
表示面Ｄ側に配置されるので、面放電を広範囲とし、か
つ表示光の遮光を最小限とするために、幅の広い透明導
電膜２０とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バ
ス電極）２１とから構成されている。透明導電膜は、例
えばＩＴＯ（酸化インジウム＋酸化スズ）やネサ（酸化
スズ）等の酸化金属から構成され、蒸着等の成膜法とエ
ッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、厚
さ、幅及び間隔で形成することができる。一方、バス電
極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層
体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）等から構成され、スパッ
タ法、蒸着法等の成膜法とエッチング法を組み合わせる
ことにより、所望本数、厚さ、幅及び間隔で形成するこ
とができる。
【００２２】上記のようにＰＤＰ１１は表示電極ＸとＹ
を覆い、放電を維持するための誘電体層１３をもつ基板
１２（表示側基板）と、放電空間１９を区画するための
隔壁１７をもつ基板１５（背面基板）の２枚の基板を貼
り合わせることにより構成されている。
を覆い、放電を維持するための誘電体層１３をもつ基板
１２（表示側基板）と、放電空間１９を区画するための
隔壁１７をもつ基板１５（背面基板）の２枚の基板を貼
り合わせることにより構成されている。
【００２３】
実施例１及び比較例１ まず、ガラス基板１２上に一対の表示電極ＸとＹを形成
した。表示電極ＸとＹは、それぞれＩＴＯからなる透明
導電膜２０とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体からなる金属膜
２１との積層体である。次いで、表示電極ＸとＹが形成
されたガラス基板１２上に５０μｍの低融点ガラスから
なる誘電体層１３を積層した。更に、誘電体層上に酸化
マグネシウム層を積層した。
した。表示電極ＸとＹは、それぞれＩＴＯからなる透明
導電膜２０とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体からなる金属膜
２１との積層体である。次いで、表示電極ＸとＹが形成
されたガラス基板１２上に５０μｍの低融点ガラスから
なる誘電体層１３を積層した。更に、誘電体層上に酸化
マグネシウム層を積層した。
【００２４】この後、ＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り酸化マグネシウム層上に２０ｎｍのＤＬＣ層を積層し
た。なお、ＤＬＣ層の積層条件は、積層温度を室温、ス
パッタ用ターゲットをグラファイトの焼結体、スパッタ
ガスをＡｒガス、パワー密度を０．２５Ｗ／ｃｍ2 とし
た。このＤＬＣ層をラマン分光法で調べたところ、ｓｐ
3 結合の結晶が約６０重量％含まれていることが判っ
た。
り酸化マグネシウム層上に２０ｎｍのＤＬＣ層を積層し
た。なお、ＤＬＣ層の積層条件は、積層温度を室温、ス
パッタ用ターゲットをグラファイトの焼結体、スパッタ
ガスをＡｒガス、パワー密度を０．２５Ｗ／ｃｍ2 とし
た。このＤＬＣ層をラマン分光法で調べたところ、ｓｐ
3 結合の結晶が約６０重量％含まれていることが判っ
た。
【００２５】上記方法により放電保護層１４が、酸化マ
グネシウム層とＤＬＣ層の積層体からなるＰＤＰの表示
側基板を形成することができた。次に、ガラス基板１５
上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体からなるアドレス電極Ａ
を形成した。次いで、アドレス電極Ａが形成されたガラ
ス基板上に５０μｍの低融点ガラスからなる誘電体層１
６を積層した。この誘電体層１６上に隔壁材料層を積層
し、サンドブラスト法によりパターニングした後、熱処
理を施すことにより硬化させて隔壁１７を形成した。次
いで、隔壁１７の側壁及び隔壁間の誘電体層１６上に蛍
光体層１８を形成することにより背面基板を形成するこ
とができた。
グネシウム層とＤＬＣ層の積層体からなるＰＤＰの表示
側基板を形成することができた。次に、ガラス基板１５
上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体からなるアドレス電極Ａ
を形成した。次いで、アドレス電極Ａが形成されたガラ
ス基板上に５０μｍの低融点ガラスからなる誘電体層１
６を積層した。この誘電体層１６上に隔壁材料層を積層
し、サンドブラスト法によりパターニングした後、熱処
理を施すことにより硬化させて隔壁１７を形成した。次
いで、隔壁１７の側壁及び隔壁間の誘電体層１６上に蛍
光体層１８を形成することにより背面基板を形成するこ
とができた。
【００２６】表示電極ＸとＹと、アドレス電極Ａとが直
交するように表示側基板と背面基板を貼り合わせ、放電
空間１９に放電ガスを封入することにより図４に示す如
きＰＤＰ１１を製造することができた。なお、比較例１
として、放電保護層としてＤＬＣ層を形成していない、
即ち酸化マグネシウム層のみのＰＤＰも同時に製造し
た。
交するように表示側基板と背面基板を貼り合わせ、放電
空間１９に放電ガスを封入することにより図４に示す如
きＰＤＰ１１を製造することができた。なお、比較例１
として、放電保護層としてＤＬＣ層を形成していない、
即ち酸化マグネシウム層のみのＰＤＰも同時に製造し
た。
【００２７】実施例１と比較例１のＰＤＰを駆動した場
合、実施例１のＰＤＰは比較例１のＰＤＰの０．９倍の
駆動電圧で動作させることができた。実施例１のＰＤＰ
の駆動電圧が低減したのは、ＤＬＣ層が電子親和力が小
さく、電子を放出しやすいため、より低い電圧でプラズ
マ発光に必要な二次電子を放出できたためであると考え
られる。
合、実施例１のＰＤＰは比較例１のＰＤＰの０．９倍の
駆動電圧で動作させることができた。実施例１のＰＤＰ
の駆動電圧が低減したのは、ＤＬＣ層が電子親和力が小
さく、電子を放出しやすいため、より低い電圧でプラズ
マ発光に必要な二次電子を放出できたためであると考え
られる。
【００２８】なお、ＤＬＣ層を６０ｎｍとすること以外
は、実施例１と同様にして形成したＰＤＰでも、比較例
１のＰＤＰの０．９倍の駆動電圧で動作させることがで
きた。 実施例２ ＤＬＣ層の代わりに、以下の方法でアイランド状のダイ
ヤモンドを酸化マグネシウム層上に形成すること以外
は、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
は、実施例１と同様にして形成したＰＤＰでも、比較例
１のＰＤＰの０．９倍の駆動電圧で動作させることがで
きた。 実施例２ ＤＬＣ層の代わりに、以下の方法でアイランド状のダイ
ヤモンドを酸化マグネシウム層上に形成すること以外
は、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
【００２９】アイランド状のダイヤモンドは、ＥＣＲマ
イクロ波プラズマＣＶＤ法により、個々のダイヤモンド
が直径約１μｍ、高さ約０．５μｍであり、１０8 個／
ｃｍ 2 の密度を有していた。なお、アイランド状のダイ
ヤモンドは、図４に示す装置を使用して形成した。図４
中、参照番号３１はマグネトロン、３２は反応ガス導入
経路、３３はマグネットコイル、３４はプラズマ発生
室、３５は基体、３６は基体搬送機構を意味している。
イクロ波プラズマＣＶＤ法により、個々のダイヤモンド
が直径約１μｍ、高さ約０．５μｍであり、１０8 個／
ｃｍ 2 の密度を有していた。なお、アイランド状のダイ
ヤモンドは、図４に示す装置を使用して形成した。図４
中、参照番号３１はマグネトロン、３２は反応ガス導入
経路、３３はマグネットコイル、３４はプラズマ発生
室、３５は基体、３６は基体搬送機構を意味している。
【００３０】形成されたアイランド状のダイヤモンドを
ラマン分光法で調べたところ、アモルファス成分が含ま
れておらず、ダイヤモンド成分のみで形成されているこ
とが判った。また、基板を純水中に浸漬し、超音波によ
り洗浄してもアイランド状のダイヤモンドの脱落は、全
く観察されなかった。実施例２と比較例１のＰＤＰを駆
動した場合、実施例１のＰＤＰは比較例１のＰＤＰの
０．８５倍の駆動電圧で動作させることができた。実施
例１のＰＤＰの駆動電圧が低減したのは、アイランド状
のダイヤモンドの先端が鋭角になっており、この部分に
電界が集中しやすいためであると考えられる。また、ダ
イヤモンド自体が電子親和力が小さく、電子を放出しや
すいため、より低い電圧でプラズマ発光に必要な二次電
子を放出できたためであると考えられる。
ラマン分光法で調べたところ、アモルファス成分が含ま
れておらず、ダイヤモンド成分のみで形成されているこ
とが判った。また、基板を純水中に浸漬し、超音波によ
り洗浄してもアイランド状のダイヤモンドの脱落は、全
く観察されなかった。実施例２と比較例１のＰＤＰを駆
動した場合、実施例１のＰＤＰは比較例１のＰＤＰの
０．８５倍の駆動電圧で動作させることができた。実施
例１のＰＤＰの駆動電圧が低減したのは、アイランド状
のダイヤモンドの先端が鋭角になっており、この部分に
電界が集中しやすいためであると考えられる。また、ダ
イヤモンド自体が電子親和力が小さく、電子を放出しや
すいため、より低い電圧でプラズマ発光に必要な二次電
子を放出できたためであると考えられる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、放電空間に接する側に
ＤＬＣ層又はアイランド状のダイヤモンドが形成されて
いるため、駆動電圧を低減することができると共に、放
電保護層の経時劣化が抑制されたフラットディスプレイ
パネルを提供することができる。
ＤＬＣ層又はアイランド状のダイヤモンドが形成されて
いるため、駆動電圧を低減することができると共に、放
電保護層の経時劣化が抑制されたフラットディスプレイ
パネルを提供することができる。
【図１】本発明のフラットディスプレイパネルの要部の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】本発明のフラットディスプレイパネルの要部の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】本発明のＰＤＰの概略斜視図である。
【図４】アイランド状のダイヤモンドの形成装置の概略
図である。
図である。
１ 基体 ２ 酸化マグネシウム層 ３ アイランド状のダイヤモンド ４、５ ＤＬＣ層 １１ ＰＤＰ １２、１５ 基板 １３、１６ 誘電体層 １４ 放電保護層 １７ 隔壁 １８ 蛍光体層 １９ 放電空間 ２０ 透明導電膜 ２１ 金属膜 ３１ マグネトロン ３２ 反応ガス導入経路 ３３ マグネットコイル ３４ プラズマ発生室 ３５ 基体 ３６ 基体搬送機構 Ａ アドレス電極 Ｄ 表示面 Ｘ、Ｙ 表示電極
Claims (5)
- 【請求項１】 放電電極とそれを放電空間から絶縁し保
護する放電保護層を備えるパネル構成において、前記放
電保護層が、酸化マグネシウム層とその上に形成された
アイランド状のダイヤモンドとからなるか又は、酸化マ
グネシウム層とその上に形成されたダイヤモンドライク
カーボン層とからなる構成であることを特徴とするフラ
ットディスプレイパネル。 - 【請求項２】 放電電極を放電空間から絶縁し保護する
ためのダイヤモンドライクカーボン層からなる放電保護
層を備えていることを特徴とするフラットディスプレイ
パネル。 - 【請求項３】 放電保護層上に、更にアイランド状のダ
イヤモンドが形成されている請求項２のフラットディス
プレイパネル。 - 【請求項４】 ダイヤモンドライクカーボン層が、ｓｐ
3 結合の結晶を主成分として含む請求項１〜３のいずれ
かに記載のフラットディスプレイパネル。 - 【請求項５】 アイランド状のダイヤモンド及びダイヤ
モンドライクカーボン層が、ＣＶＤ法により形成される
請求項１〜４のいずれかに記載のフラットディスプレイ
パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24151197A JP3688102B2 (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | フラットディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24151197A JP3688102B2 (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | フラットディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1186738A true JPH1186738A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3688102B2 JP3688102B2 (ja) | 2005-08-24 |
Family
ID=17075433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24151197A Expired - Fee Related JP3688102B2 (ja) | 1997-09-05 | 1997-09-05 | フラットディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3688102B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001118511A (ja) * | 1999-09-15 | 2001-04-27 | Koninkl Philips Electronics Nv | プラズマ画像スクリーン |
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| US8305861B2 (en) | 2003-07-03 | 2012-11-06 | Oakley William S | Adaptive read and read-after-write for carbon nanotube recorders |
-
1997
- 1997-09-05 JP JP24151197A patent/JP3688102B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2008136043A1 (ja) * | 2007-04-17 | 2010-07-29 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイ装置 |
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| EP2031631A3 (en) * | 2007-09-03 | 2010-09-01 | Samsung SDI Co., Ltd. | Protecting layer comprising magnesium oxide layer and electron emission promoting material, method for preparing the same and plasma display panel comprising the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3688102B2 (ja) | 2005-08-24 |
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