JPH09320497A - 電界放出型表示装置 - Google Patents
電界放出型表示装置Info
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- JPH09320497A JPH09320497A JP13208396A JP13208396A JPH09320497A JP H09320497 A JPH09320497 A JP H09320497A JP 13208396 A JP13208396 A JP 13208396A JP 13208396 A JP13208396 A JP 13208396A JP H09320497 A JPH09320497 A JP H09320497A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- electron emitter
- cathode electrode
- anode electrode
- diamond
- Prior art date
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- Pending
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】電子放出体の電子放出効率を高めて、ＦＥＤに
おける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を
図る。 【解決手段】所定間隔で対向配設されたアノード電極４
及びカソード電極５と、アノード電極４のカソード電極
５との対向面に形成された蛍光体６と、カソード電極５
のアノード電極４との対向面に形成された負の電子親和
力をもつ電子放出体７とを備えている。電子放出体７
は、相対密度が５０〜９０％とされている。これによ
り、電子放出体７における電子放出面積が相対密度の高
いものと比べて大きくなっており、電子放出効率が向上
している。このため、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
おける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を
図る。 【解決手段】所定間隔で対向配設されたアノード電極４
及びカソード電極５と、アノード電極４のカソード電極
５との対向面に形成された蛍光体６と、カソード電極５
のアノード電極４との対向面に形成された負の電子親和
力をもつ電子放出体７とを備えている。電子放出体７
は、相対密度が５０〜９０％とされている。これによ
り、電子放出体７における電子放出面積が相対密度の高
いものと比べて大きくなっており、電子放出効率が向上
している。このため、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出型表示装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、バックライトがいらない自発光型
のディスプレイとして、電界放出型表示装置（以下、適
宜「ＦＥＤ」と称する。なお、ＦＥＤはＦｉｅｌｄ Ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙの略である）が注目さ
れている。このＦＥＤは、薄型で、消費電力を小さくで
き、しかも視野角が広くて応答速度が速く、動作温度範
囲も広いという特徴を有し、液晶ディスプレイ以上の性
能を期待できる。
のディスプレイとして、電界放出型表示装置（以下、適
宜「ＦＥＤ」と称する。なお、ＦＥＤはＦｉｅｌｄ Ｅ
ｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙの略である）が注目さ
れている。このＦＥＤは、薄型で、消費電力を小さくで
き、しかも視野角が広くて応答速度が速く、動作温度範
囲も広いという特徴を有し、液晶ディスプレイ以上の性
能を期待できる。
【０００３】上記ＦＥＤは、図５に示すように、表示面
となるフェースガラス８０とバックガラス８１とがスペ
ーサ８２により所定間隔で対向配設され、フェースガラ
ス８０、バックガラス８１及びスペーサ８２により形成
される内部空間が１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空とされてい
る。そして、フェースガラス８０のバックガラス８１と
の対向面にはアノード電極としての透明導電膜８３が形
成され、この透明導電膜８３の表面には蛍光体８４が形
成されている。また、バックガラス８１のフェースガラ
ス８０との対向面にはカソード電極としての導電膜８５
が形成され、この導電膜８５の表面には負の電子親和力
をもつ電子放出体としてのダイヤモンド状炭素（以下、
「ＤＬＣ」と称する。なお、ＤＬＣはＤｉａｍｏｎｄ
ＬｉｋｅＣａｒｂｏｎの略である）膜８６が形成されて
いる。
となるフェースガラス８０とバックガラス８１とがスペ
ーサ８２により所定間隔で対向配設され、フェースガラ
ス８０、バックガラス８１及びスペーサ８２により形成
される内部空間が１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空とされてい
る。そして、フェースガラス８０のバックガラス８１と
の対向面にはアノード電極としての透明導電膜８３が形
成され、この透明導電膜８３の表面には蛍光体８４が形
成されている。また、バックガラス８１のフェースガラ
ス８０との対向面にはカソード電極としての導電膜８５
が形成され、この導電膜８５の表面には負の電子親和力
をもつ電子放出体としてのダイヤモンド状炭素（以下、
「ＤＬＣ」と称する。なお、ＤＬＣはＤｉａｍｏｎｄ
ＬｉｋｅＣａｒｂｏｎの略である）膜８６が形成されて
いる。
【０００４】上記構成を有するＦＥＤでは、ＤＬＣ膜８
６のしきい値以上の電界を、アノード電極及びカソード
電極としての透明導電膜８３及び導電膜８５間に与える
ことにより、電子放出体としてのＤＬＣ膜８６から電子
を放出せしめ、この放出電子が蛍光体８４に衝突するこ
とを利用して該蛍光体８４を発光させる。
６のしきい値以上の電界を、アノード電極及びカソード
電極としての透明導電膜８３及び導電膜８５間に与える
ことにより、電子放出体としてのＤＬＣ膜８６から電子
を放出せしめ、この放出電子が蛍光体８４に衝突するこ
とを利用して該蛍光体８４を発光させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記ＦＥＤにおいて、
ＤＬＣ膜８６の電子放出効率が低いとＦＥＤの発光輝度
が低くなり、また電子放出効率の低いＤＬＣ膜８６に過
大電圧を印加し続けるとＤＬＣ膜８６が劣化しやすい。
このため、ＦＥＤにおける消費電力の低下、発光輝度の
向上及び長寿命化を図るためには、より低電圧でＤＬＣ
膜８６から電子が効果的に放出されるように、同ＤＬＣ
膜８６の電子放出効率を高くすることが望ましい。
ＤＬＣ膜８６の電子放出効率が低いとＦＥＤの発光輝度
が低くなり、また電子放出効率の低いＤＬＣ膜８６に過
大電圧を印加し続けるとＤＬＣ膜８６が劣化しやすい。
このため、ＦＥＤにおける消費電力の低下、発光輝度の
向上及び長寿命化を図るためには、より低電圧でＤＬＣ
膜８６から電子が効果的に放出されるように、同ＤＬＣ
膜８６の電子放出効率を高くすることが望ましい。
【０００６】ここで、ＤＬＣ膜８６における電子放出効
率は、ＤＬＣ膜８６の電子放出面積が大きいほど、また
ＤＬＣ膜８６中のダイヤモンドへの電子供給能力が大き
いほど向上する。しかし、従来のＤＬＣ膜８６は緻密な
膜であり、ダイヤモンドの度合いが進んでいるので、膜
としては絶縁膜の性質を強く帯びており、また表面形状
も結晶化が進みフラットな面形状となっている。このた
め、従来のＤＬＣ膜８６は電子放出面積が小さく、また
ダイヤモンドへの電子供給能力も小さい。したがって、
ＤＬＣ膜８６の電子放出効率が低く、ＦＥＤにおける消
費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ること
が困難であった。
率は、ＤＬＣ膜８６の電子放出面積が大きいほど、また
ＤＬＣ膜８６中のダイヤモンドへの電子供給能力が大き
いほど向上する。しかし、従来のＤＬＣ膜８６は緻密な
膜であり、ダイヤモンドの度合いが進んでいるので、膜
としては絶縁膜の性質を強く帯びており、また表面形状
も結晶化が進みフラットな面形状となっている。このた
め、従来のＤＬＣ膜８６は電子放出面積が小さく、また
ダイヤモンドへの電子供給能力も小さい。したがって、
ＤＬＣ膜８６の電子放出効率が低く、ＦＥＤにおける消
費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ること
が困難であった。
【０００７】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、電子放出体の電子放出効率を高めて、ＦＥＤにお
ける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図
ることを解決すべき技術課題とするものである。
あり、電子放出体の電子放出効率を高めて、ＦＥＤにお
ける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿命化を図
ることを解決すべき技術課題とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１記載の電界放出型表示装置は、所定間隔で対向配設
されたアノード電極及びカソード電極と、該アノード電
極の該カソード電極との対向面に形成された蛍光体と、
該カソード電極の該アノード電極との対向面に形成され
た負の電子親和力をもつ電子放出体とを備えた電界放出
型表示装置において、上記電子放出体の相対密度が５０
〜９０％とされていることを特徴とするものである。
項１記載の電界放出型表示装置は、所定間隔で対向配設
されたアノード電極及びカソード電極と、該アノード電
極の該カソード電極との対向面に形成された蛍光体と、
該カソード電極の該アノード電極との対向面に形成され
た負の電子親和力をもつ電子放出体とを備えた電界放出
型表示装置において、上記電子放出体の相対密度が５０
〜９０％とされていることを特徴とするものである。
【０００９】この電界放出型表示装置では、電子放出体
の相対密度が５０〜９０％と低いため、電子放出体の電
子放出面積が相対密度の高いものと比べて大きくなって
いる。したがって、電子放出体における電子放出効率が
高くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
の相対密度が５０〜９０％と低いため、電子放出体の電
子放出面積が相対密度の高いものと比べて大きくなって
いる。したがって、電子放出体における電子放出効率が
高くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
【００１０】上記課題を解決する請求項２記載の電界放
出型表示装置は、所定間隔で対向配設されたアノード電
極及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電
極との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の
該アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力
をもつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置におい
て、上記電子放出体はダイヤモンドと高導電性炭素とか
らなり、上記蛍光体と対向する表面側でダイヤモンドの
占める割合が大きくなっていることを特徴とするもので
ある。
出型表示装置は、所定間隔で対向配設されたアノード電
極及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電
極との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の
該アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力
をもつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置におい
て、上記電子放出体はダイヤモンドと高導電性炭素とか
らなり、上記蛍光体と対向する表面側でダイヤモンドの
占める割合が大きくなっていることを特徴とするもので
ある。
【００１１】この電界放出型表示装置の電子放出体にお
いては、カソード電極と接する側に導電率の高い高導電
性炭素が多く存在し、蛍光体に対向する表面側に電子放
出能力の高いダイヤモンドが多く存在している。このた
め、カソード電極から電子放出体に多くの電子が供給さ
れ、この電子は高導電性炭素を介してダイヤモンドに良
好に供給されるので、電子放出体中のダイヤモンドへの
電子供給能力が大きくなる。そして、電子放出体の表面
側に多く存在するダイヤモンドから電子が良好に放出さ
れる。したがって、電子放出体における電子放出効率が
高くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
いては、カソード電極と接する側に導電率の高い高導電
性炭素が多く存在し、蛍光体に対向する表面側に電子放
出能力の高いダイヤモンドが多く存在している。このた
め、カソード電極から電子放出体に多くの電子が供給さ
れ、この電子は高導電性炭素を介してダイヤモンドに良
好に供給されるので、電子放出体中のダイヤモンドへの
電子供給能力が大きくなる。そして、電子放出体の表面
側に多く存在するダイヤモンドから電子が良好に放出さ
れる。したがって、電子放出体における電子放出効率が
高くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電
子を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 （実施形態１）本実施形態の電界放出型表示装置は、請
求項１記載の電界放出型表示装置に係るもので、所定間
隔で対向配設されたアノード電極及びカソード電極と、
該アノード電極の該カソード電極との対向面に形成され
た蛍光体と、該カソード電極の該アノード電極との対向
面に形成された負の電子親和力をもつ電子放出体とを備
えている。
て説明する。 （実施形態１）本実施形態の電界放出型表示装置は、請
求項１記載の電界放出型表示装置に係るもので、所定間
隔で対向配設されたアノード電極及びカソード電極と、
該アノード電極の該カソード電極との対向面に形成され
た蛍光体と、該カソード電極の該アノード電極との対向
面に形成された負の電子親和力をもつ電子放出体とを備
えている。
【００１３】この電界放出型表示装置は、例えば、表示
面となる透明フェース基板とバック基板とを対向配設
し、両基板の周囲にシリカ若しくは樹脂ビーズを混入し
た樹脂よりなるスペーサを配して両基板間のギャップを
５〜５０μｍ程度に維持するとともに内部に空間を形成
し、この空間を１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ程度に真空引き
した構造とすることができる。そして、この透明フェー
ス基板のバック基板との対向面にアノード電極及びカソ
ード電極のうちの一方を形成するとともに、バック基板
の透明フェース基板との対向面にアノード電極及びカソ
ード電極のうちの他方を形成し、さらにアノード電極の
カソード電極との対向面に蛍光体を形成するとともに、
カソード電極のアノード電極との対向面に負の電子親和
力をもつ電子放出体を形成した構成とすることができ
る。なお、上記透明フェース基板及びバック基板の厚さ
は０．５〜３ｍｍ程度とすることができる。また、アノ
ード電極及びカソード電極間のギャップは、電子放出体
のしきい値や本発明のＦＥＤに電圧を印加する駆動ＩＣ
等のドライブ電圧の大きさに応じて適宜設定される。
面となる透明フェース基板とバック基板とを対向配設
し、両基板の周囲にシリカ若しくは樹脂ビーズを混入し
た樹脂よりなるスペーサを配して両基板間のギャップを
５〜５０μｍ程度に維持するとともに内部に空間を形成
し、この空間を１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒ程度に真空引き
した構造とすることができる。そして、この透明フェー
ス基板のバック基板との対向面にアノード電極及びカソ
ード電極のうちの一方を形成するとともに、バック基板
の透明フェース基板との対向面にアノード電極及びカソ
ード電極のうちの他方を形成し、さらにアノード電極の
カソード電極との対向面に蛍光体を形成するとともに、
カソード電極のアノード電極との対向面に負の電子親和
力をもつ電子放出体を形成した構成とすることができ
る。なお、上記透明フェース基板及びバック基板の厚さ
は０．５〜３ｍｍ程度とすることができる。また、アノ
ード電極及びカソード電極間のギャップは、電子放出体
のしきい値や本発明のＦＥＤに電圧を印加する駆動ＩＣ
等のドライブ電圧の大きさに応じて適宜設定される。
【００１４】上記透明フェース基板、バック基板及びス
ペーサにより囲まれた内部空間を真空にする方法として
は、例えば上記バック基板から真空引き用のガラス管を
引き出して、このガラス管から真空引きした後、ガラス
管を溶断する方法等を採用することができる。また必要
に応じて、真空構造体の内部にゲッタと呼ばれるリング
状等の金属（マグネシウムやバリウム等）を入れ、真空
引き中又は真空引きして封止後に、高周波加熱により金
属を蒸発させることにより、真空構造体内の真空度を高
めることもできる。
ペーサにより囲まれた内部空間を真空にする方法として
は、例えば上記バック基板から真空引き用のガラス管を
引き出して、このガラス管から真空引きした後、ガラス
管を溶断する方法等を採用することができる。また必要
に応じて、真空構造体の内部にゲッタと呼ばれるリング
状等の金属（マグネシウムやバリウム等）を入れ、真空
引き中又は真空引きして封止後に、高周波加熱により金
属を蒸発させることにより、真空構造体内の真空度を高
めることもできる。
【００１５】上記アノード電極及びカソード電極は、電
界放出型表示装置の表示面側に位置する方が透明電極と
され、表示面と反対側に位置する方は通常の金属電極又
は透明電極とすることができる。透明電極としてはＩＴ
Ｏ薄膜、ＳｎＯ2 薄膜、Ｉｎ 2 Ｏ3 薄膜やＩｎ2 Ｏ3 −
ＳｎＯ2 薄膜等を、金属電極としてはＡｌ薄膜やＣｕ、
Ｔｉ、Ｃｒ薄膜等を採用することができる。なお、アノ
ード電極及びカソード電極の厚さは０．１〜２μｍ程度
とすることができる。
界放出型表示装置の表示面側に位置する方が透明電極と
され、表示面と反対側に位置する方は通常の金属電極又
は透明電極とすることができる。透明電極としてはＩＴ
Ｏ薄膜、ＳｎＯ2 薄膜、Ｉｎ 2 Ｏ3 薄膜やＩｎ2 Ｏ3 −
ＳｎＯ2 薄膜等を、金属電極としてはＡｌ薄膜やＣｕ、
Ｔｉ、Ｃｒ薄膜等を採用することができる。なお、アノ
ード電極及びカソード電極の厚さは０．１〜２μｍ程度
とすることができる。
【００１６】上記アノード電極のカソード電極との対向
面に形成される蛍光体としては、緑色に発光するＺｎ
Ｏ：Ｚｎ、アンバー（こはく）色に発光するＺｎＳ：Ｍ
ｎ等を採用することができる。なお、蛍光体は沈降法等
により１〜１０ｍｇ／ｃｍ2 の割合で均一に塗布するこ
とができる。本実施形態では、上記カソード電極のアノ
ード電極との対向面に形成される負の電子親和力をもつ
電子放出体の相対密度が５０〜９０％とされている。
面に形成される蛍光体としては、緑色に発光するＺｎ
Ｏ：Ｚｎ、アンバー（こはく）色に発光するＺｎＳ：Ｍ
ｎ等を採用することができる。なお、蛍光体は沈降法等
により１〜１０ｍｇ／ｃｍ2 の割合で均一に塗布するこ
とができる。本実施形態では、上記カソード電極のアノ
ード電極との対向面に形成される負の電子親和力をもつ
電子放出体の相対密度が５０〜９０％とされている。
【００１７】この電子放出体を構成する材料としては、
ＤＬＣや結晶性ダイヤモンドを採用することができる。
但し、電子放出能力が高く駆動電圧を低くできるという
観点からは、ＤＬＣを用いることが好ましい。ＤＬＣ又
は結晶性ダイヤモンドよりなる電子放出体は、プラズマ
ＣＶＤ法やレーザ蒸着法等により形成することができ
る。なお、プラズマＣＶＤ法による製造条件は、例え
ば、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガスの混
合ガスの比率を変化させ、反応槽内圧力：３０〜８０ｍ
Ｔｏｒｒ、バイアス電圧：０．４〜１．４ｋＶ、電子放
出体を成膜する基板の温度：室温〜２００℃とすること
ができる。またレーザ蒸着法では、例えばＮｄ：ＹＡＧ
レーザ（パルス発振）光をグラファイトのターゲット板
に照射して溶融させ、ガラス基板上に炭素原子を堆積さ
せることにより形成することができる。なお、電子放出
体の厚さは１〜３０μｍ程度とすることができる。
ＤＬＣや結晶性ダイヤモンドを採用することができる。
但し、電子放出能力が高く駆動電圧を低くできるという
観点からは、ＤＬＣを用いることが好ましい。ＤＬＣ又
は結晶性ダイヤモンドよりなる電子放出体は、プラズマ
ＣＶＤ法やレーザ蒸着法等により形成することができ
る。なお、プラズマＣＶＤ法による製造条件は、例え
ば、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガスの混
合ガスの比率を変化させ、反応槽内圧力：３０〜８０ｍ
Ｔｏｒｒ、バイアス電圧：０．４〜１．４ｋＶ、電子放
出体を成膜する基板の温度：室温〜２００℃とすること
ができる。またレーザ蒸着法では、例えばＮｄ：ＹＡＧ
レーザ（パルス発振）光をグラファイトのターゲット板
に照射して溶融させ、ガラス基板上に炭素原子を堆積さ
せることにより形成することができる。なお、電子放出
体の厚さは１〜３０μｍ程度とすることができる。
【００１８】電子放出体の相対密度は、上記プラズマＣ
ＶＤ法で成膜する場合、反応槽内圧力、バイアス電圧や
基板温度等の条件を変更することにより、適宜設定する
ことができる。例えば、反応槽内の圧力と電子放出体の
相対密度との間には比例関係があり、圧力を高くするほ
ど電子放出体の相対密度を高くすることができる。ま
た、基板温度を変更する場合は、基板下部に設置したヒ
ータへの供電量を変化させることにより電子放出体の相
対密度を調整することができる。具体的には、反応槽内
の圧力を３０〜８０ｍＴｏｒｒとしたり、あるいは基板
温度を室温〜２００℃としたりすることにより、電子放
出体の相対密度を５０〜９０％に調整することができ
る。
ＶＤ法で成膜する場合、反応槽内圧力、バイアス電圧や
基板温度等の条件を変更することにより、適宜設定する
ことができる。例えば、反応槽内の圧力と電子放出体の
相対密度との間には比例関係があり、圧力を高くするほ
ど電子放出体の相対密度を高くすることができる。ま
た、基板温度を変更する場合は、基板下部に設置したヒ
ータへの供電量を変化させることにより電子放出体の相
対密度を調整することができる。具体的には、反応槽内
の圧力を３０〜８０ｍＴｏｒｒとしたり、あるいは基板
温度を室温〜２００℃としたりすることにより、電子放
出体の相対密度を５０〜９０％に調整することができ
る。
【００１９】電子放出体の相対密度を５０〜９０％とす
る理由は、以下の通りである。すなわち、電子放出面積
を大きくする観点からは電子放出体の相対密度が低けれ
ば低いほど好ましいが、この相対密度が５０％より低い
と膜剥がれの原因になるため、その下限を５０％とし
た。一方、電子放出体の相対密度が９０％より高いと、
電子放出面積を大きくする効果が小さくなるため、その
上限を９０％とした。このため、電子放出体の相対密度
の上限は６０％とすることが好ましい。
る理由は、以下の通りである。すなわち、電子放出面積
を大きくする観点からは電子放出体の相対密度が低けれ
ば低いほど好ましいが、この相対密度が５０％より低い
と膜剥がれの原因になるため、その下限を５０％とし
た。一方、電子放出体の相対密度が９０％より高いと、
電子放出面積を大きくする効果が小さくなるため、その
上限を９０％とした。このため、電子放出体の相対密度
の上限は６０％とすることが好ましい。
【００２０】また、上記電子放出体は、プラズマエッチ
ング又はイオンビーム成形加工により、その表面に凹凸
を形成して、表面粗さを０．１μｍＲｍａｘ程度とする
ことが好ましい。これにより、さらに電子放出面積を大
きくして、電子放出体における電子放出効率を向上させ
ることが可能となる。なお、上記電子放出体は、必要に
応じて、フォトレジストを用いて所定形状のマスクを形
成しドライエッチング法等により所定形状にパターニン
グすることができる。
ング又はイオンビーム成形加工により、その表面に凹凸
を形成して、表面粗さを０．１μｍＲｍａｘ程度とする
ことが好ましい。これにより、さらに電子放出面積を大
きくして、電子放出体における電子放出効率を向上させ
ることが可能となる。なお、上記電子放出体は、必要に
応じて、フォトレジストを用いて所定形状のマスクを形
成しドライエッチング法等により所定形状にパターニン
グすることができる。
【００２１】したがって、本実施形態では、電子放出体
の相対密度が５０〜９０％と低いため、電子放出体の電
子放出面積が相対密度の高いものと比べて大きくなって
いる。このため、電子放出体における電子放出効率が高
くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電子
を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
の相対密度が５０〜９０％と低いため、電子放出体の電
子放出面積が相対密度の高いものと比べて大きくなって
いる。このため、電子放出体における電子放出効率が高
くなり、その結果、低電圧で電子放出体から多くの電子
を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
【００２２】（実施形態２）本実施形態の電界放出型表
示装置は、請求項２記載の電界放出型表示装置に係るも
ので、電子放出体以外の構成は上記実施形態１と同様で
ある。本実施形態に係る電子放出体はダイヤモンドと高
導電性炭素とからなる。ダイヤモンドは、中心及び四隅
に炭素原子をもつ正四面体構造で、ＳＰ3 混成軌道を形
成するきわめて硬い立方晶系の結晶である。一方、高導
電性炭素とは、ＤＬＣより導電率の高い炭素をいう。な
お、ダイヤモンドの電気抵抗は１０16Ω・ｃｍ程度であ
り、ＤＬＣの電気抵抗は０．１〜１０００Ω程度である
ため、高導電性炭素の電気抵抗としては０．１〜５００
Ω程度とすることが好ましく、より好ましくは０．１〜
１００Ω程度とすることである。このような高導電性炭
素としては、例えばグラファイトや無定形炭素を挙げる
ことができる。グラファイトは、ｓｐ2 混成の六角形の
網面がπ電子を介して層状に積み重なった構造をしてお
り、六方晶系の結晶である。無定形炭素は、はっきりし
た結晶構造を示さないものであるが、この無定形炭素に
は結晶の発達の程度の低い微晶質炭素も含まれる。ま
た、結晶の大小、その配列の度合いなどによって、無定
形炭素からグラファイトに至る間にいろいろの中間的な
構造が存在し、これらの間には明確な変態点が存在する
ものではない。このため、上記高導電性炭素とは、グラ
ファイト若しくは無定形炭素の単独よりなるもの、グラ
ファイトと無定形炭素とが混じり合ったもの、又はこれ
らに無定形炭素及びグラファイトの中間的構造を示すも
のが含まれたものをいう。
示装置は、請求項２記載の電界放出型表示装置に係るも
ので、電子放出体以外の構成は上記実施形態１と同様で
ある。本実施形態に係る電子放出体はダイヤモンドと高
導電性炭素とからなる。ダイヤモンドは、中心及び四隅
に炭素原子をもつ正四面体構造で、ＳＰ3 混成軌道を形
成するきわめて硬い立方晶系の結晶である。一方、高導
電性炭素とは、ＤＬＣより導電率の高い炭素をいう。な
お、ダイヤモンドの電気抵抗は１０16Ω・ｃｍ程度であ
り、ＤＬＣの電気抵抗は０．１〜１０００Ω程度である
ため、高導電性炭素の電気抵抗としては０．１〜５００
Ω程度とすることが好ましく、より好ましくは０．１〜
１００Ω程度とすることである。このような高導電性炭
素としては、例えばグラファイトや無定形炭素を挙げる
ことができる。グラファイトは、ｓｐ2 混成の六角形の
網面がπ電子を介して層状に積み重なった構造をしてお
り、六方晶系の結晶である。無定形炭素は、はっきりし
た結晶構造を示さないものであるが、この無定形炭素に
は結晶の発達の程度の低い微晶質炭素も含まれる。ま
た、結晶の大小、その配列の度合いなどによって、無定
形炭素からグラファイトに至る間にいろいろの中間的な
構造が存在し、これらの間には明確な変態点が存在する
ものではない。このため、上記高導電性炭素とは、グラ
ファイト若しくは無定形炭素の単独よりなるもの、グラ
ファイトと無定形炭素とが混じり合ったもの、又はこれ
らに無定形炭素及びグラファイトの中間的構造を示すも
のが含まれたものをいう。
【００２３】電子放出体は、蛍光体と対向する表面側で
ダイヤモンドの占める割合が大きくなっている。なお、
電子放出体中の高導電性炭素からダイヤモンドへの電子
供給効率を高めるとともに、ダイヤモンドからの電子放
出効率を高める観点から、電子放出体は、蛍光体と対向
する表面に近づくに連れて徐々にダイヤモンドの占める
割合が大きくなる傾斜構造を有することが好ましい。具
体的には、電子放出体において、カソード電極と接する
表面部分でダイヤモンド濃度が零であり、蛍光体と対向
する表面に近づくに連れて徐々にダイヤモンド濃度が高
くなり、蛍光体と対向する表面でダイヤモンド濃度が９
０〜１００％となっていることが好ましい。
ダイヤモンドの占める割合が大きくなっている。なお、
電子放出体中の高導電性炭素からダイヤモンドへの電子
供給効率を高めるとともに、ダイヤモンドからの電子放
出効率を高める観点から、電子放出体は、蛍光体と対向
する表面に近づくに連れて徐々にダイヤモンドの占める
割合が大きくなる傾斜構造を有することが好ましい。具
体的には、電子放出体において、カソード電極と接する
表面部分でダイヤモンド濃度が零であり、蛍光体と対向
する表面に近づくに連れて徐々にダイヤモンド濃度が高
くなり、蛍光体と対向する表面でダイヤモンド濃度が９
０〜１００％となっていることが好ましい。
【００２４】このような傾斜構造を有する電子放出体と
しては、単層のＤＬＣ薄膜の他に、０．５〜１μｍ程度
の極めて薄いダイヤモンド薄膜又はＤＬＣ薄膜と０．５
〜１μｍ程度の極めて薄い高導電性炭素薄膜とが交互に
積層され、蛍光体と対向する表面に近づくに連れて、ダ
イヤモンド薄膜又はＤＬＣ薄膜の膜厚が厚くされる一
方、高導電性炭素薄膜の膜厚が薄くされたものや、ある
いは０．０５〜０．１μｍ程度の極めて薄いＤＬＣ薄膜
と０．０５〜０．１μｍ程度の極めて薄い高導電性炭素
薄膜とが交互に積層され、蛍光体と対向する表面に近づ
くに連れて、ＤＬＣ薄膜におけるダイヤモンド濃度が高
くされたものも含まれる。
しては、単層のＤＬＣ薄膜の他に、０．５〜１μｍ程度
の極めて薄いダイヤモンド薄膜又はＤＬＣ薄膜と０．５
〜１μｍ程度の極めて薄い高導電性炭素薄膜とが交互に
積層され、蛍光体と対向する表面に近づくに連れて、ダ
イヤモンド薄膜又はＤＬＣ薄膜の膜厚が厚くされる一
方、高導電性炭素薄膜の膜厚が薄くされたものや、ある
いは０．０５〜０．１μｍ程度の極めて薄いＤＬＣ薄膜
と０．０５〜０．１μｍ程度の極めて薄い高導電性炭素
薄膜とが交互に積層され、蛍光体と対向する表面に近づ
くに連れて、ＤＬＣ薄膜におけるダイヤモンド濃度が高
くされたものも含まれる。
【００２５】上記ＤＬＣ薄膜におけるダイヤモンド濃度
の調整は、例えばプラズマＣＶＤ法でＤＬＣ薄膜を成膜
する場合、置換ガスとしてのＮ2 ガスの供給量を調整す
ることにより、供給原料としての炭化水素ガスにおける
Ｈ／Ｃ比を変更することに行うことができる。すなわ
ち、Ｎ2 ガスの供給量を多くするとＤＬＣ膜中のＨ2 取
り込み量が多くなるので、ＤＬＣにおけるダイヤモンド
濃度を高くすることができ、一方Ｎ2 ガスの供給量を少
なくするとＤＬＣ膜中へのＨ2 取り込み量が少なくなる
ので、ＤＬＣにおけるダイヤモンド濃度が低くすること
ができる。なお、Ｈ／Ｃ比が小さくなるとＤＬＣにおけ
るカーボン濃度が高くなるのは、アモルファスカーボン
ネットワークにおける構造変化若しくは組織変化に起因
すると推定される。また、図４に示すように、電子放出
体におけるＨ／Ｃ比と電子放出体の電気抵抗との間には
比例関係があり、Ｈ／Ｃ比が大きくなるに連れて電気抵
抗が大きくなる。
の調整は、例えばプラズマＣＶＤ法でＤＬＣ薄膜を成膜
する場合、置換ガスとしてのＮ2 ガスの供給量を調整す
ることにより、供給原料としての炭化水素ガスにおける
Ｈ／Ｃ比を変更することに行うことができる。すなわ
ち、Ｎ2 ガスの供給量を多くするとＤＬＣ膜中のＨ2 取
り込み量が多くなるので、ＤＬＣにおけるダイヤモンド
濃度を高くすることができ、一方Ｎ2 ガスの供給量を少
なくするとＤＬＣ膜中へのＨ2 取り込み量が少なくなる
ので、ＤＬＣにおけるダイヤモンド濃度が低くすること
ができる。なお、Ｈ／Ｃ比が小さくなるとＤＬＣにおけ
るカーボン濃度が高くなるのは、アモルファスカーボン
ネットワークにおける構造変化若しくは組織変化に起因
すると推定される。また、図４に示すように、電子放出
体におけるＨ／Ｃ比と電子放出体の電気抵抗との間には
比例関係があり、Ｈ／Ｃ比が大きくなるに連れて電気抵
抗が大きくなる。
【００２６】したがって、本実施形態の電界放出型表示
装置に係る電子放出体においては、カソード電極と接す
る側に導電率の高い高導電性炭素が多く存在し、蛍光体
に対向する表面側に電子放出能力の高いダイヤモンドが
多く存在している。このため、カソード電極から電子放
出体に多くの電子が供給され、この電子は高導電性炭素
を介してダイヤモンドに良好に供給されるので、電子放
出体中のダイヤモンドへの電子供給能力が大きくなる。
そして、電子放出体の表面側に多く存在するダイヤモン
ドから電子が良好に放出される。したがって、電子放出
体における電子放出効率が高くなり、その結果、低電圧
で電子放出体から多くの電子を放出することができ、Ｆ
ＥＤにおける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿
命化を図ることが可能となる。
装置に係る電子放出体においては、カソード電極と接す
る側に導電率の高い高導電性炭素が多く存在し、蛍光体
に対向する表面側に電子放出能力の高いダイヤモンドが
多く存在している。このため、カソード電極から電子放
出体に多くの電子が供給され、この電子は高導電性炭素
を介してダイヤモンドに良好に供給されるので、電子放
出体中のダイヤモンドへの電子供給能力が大きくなる。
そして、電子放出体の表面側に多く存在するダイヤモン
ドから電子が良好に放出される。したがって、電子放出
体における電子放出効率が高くなり、その結果、低電圧
で電子放出体から多くの電子を放出することができ、Ｆ
ＥＤにおける消費電力の低下、発光輝度の向上及び長寿
命化を図ることが可能となる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明のＦＥＤの実施例を、図面を参
照しつつ具体的に説明する。 （実施例１）図１の模式断面図に示す本実施例のＦＥＤ
は、表示面となる透明フェースガラス基板１と、透明フ
ェースガラス基板１に対して所定の間隔で対向配設され
たバックガラス基板２と、透明フェースガラス基板１及
びバックガラス基板２の周囲を封止するシリカ若しくは
樹脂ビーズを混入した樹脂よりなるスペーサ３とによ
り、内部に真空空間が形成されている。なお、上記透明
フェースガラス基板１及びバックガラス基板２は、いず
れも厚さは１．１ｍｍのソーダライムガラスよりなる。
また、このＦＥＤは、バックガラス基板２から真空引き
用のガラス管を引き出して、このガラス管から真空引き
した後、ガラス管を溶断することにより、１０-6Ｔｏｒ
ｒの真空度とされている。
照しつつ具体的に説明する。 （実施例１）図１の模式断面図に示す本実施例のＦＥＤ
は、表示面となる透明フェースガラス基板１と、透明フ
ェースガラス基板１に対して所定の間隔で対向配設され
たバックガラス基板２と、透明フェースガラス基板１及
びバックガラス基板２の周囲を封止するシリカ若しくは
樹脂ビーズを混入した樹脂よりなるスペーサ３とによ
り、内部に真空空間が形成されている。なお、上記透明
フェースガラス基板１及びバックガラス基板２は、いず
れも厚さは１．１ｍｍのソーダライムガラスよりなる。
また、このＦＥＤは、バックガラス基板２から真空引き
用のガラス管を引き出して、このガラス管から真空引き
した後、ガラス管を溶断することにより、１０-6Ｔｏｒ
ｒの真空度とされている。
【００２８】上記透明フェースガラス基板１の内面には
透明アノード電極４が形成され、上記バックガラス基板
２の内面にはカソード電極５が形成されている。そし
て、透明アノード電極４のカソード電極５との対向面に
は蛍光体６が形成され、カソード電極５の透明アノード
電極４との対向面には負の電子親和力をもつ電子放出体
７が形成されている。なお、上記透明アノード電極４及
びカソード電極５間のギャップは１０μｍとされてい
る。
透明アノード電極４が形成され、上記バックガラス基板
２の内面にはカソード電極５が形成されている。そし
て、透明アノード電極４のカソード電極５との対向面に
は蛍光体６が形成され、カソード電極５の透明アノード
電極４との対向面には負の電子親和力をもつ電子放出体
７が形成されている。なお、上記透明アノード電極４及
びカソード電極５間のギャップは１０μｍとされてい
る。
【００２９】上記透明アノード電極４はスパッタリング
により形成された膜厚０．２μｍのＩＴＯ薄膜よりな
り、上記カソード電極５は蒸着により形成された膜厚
０．２μｍのＡｌ薄膜よりなる。また、上記蛍光体６
は、沈降法により形成された緑色に発光するＺｎＯ：Ｚ
ｎよりなり、厚さは１０μｍである。上記電子放出体７
は、プラズマＣＶＤ法により形成された膜厚５μｍのＤ
ＬＣ薄膜よりなる。そして、プラズマＣＶＤ法により成
膜条件は、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガ
スの混合ガスの比率を変化させ、反応槽内圧力：３０ｍ
Ｔｏｒｒ、バイアス電圧：１ｋＶ、電子放出体を成膜す
る基板の温度：９０℃とした。また、プラズマＣＶＤ法
により成膜後、スパッタ法により、ＲＦ電力１ｋＷ、エ
ッチング時間３分の条件でプラズマエッチングした。
により形成された膜厚０．２μｍのＩＴＯ薄膜よりな
り、上記カソード電極５は蒸着により形成された膜厚
０．２μｍのＡｌ薄膜よりなる。また、上記蛍光体６
は、沈降法により形成された緑色に発光するＺｎＯ：Ｚ
ｎよりなり、厚さは１０μｍである。上記電子放出体７
は、プラズマＣＶＤ法により形成された膜厚５μｍのＤ
ＬＣ薄膜よりなる。そして、プラズマＣＶＤ法により成
膜条件は、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガ
スの混合ガスの比率を変化させ、反応槽内圧力：３０ｍ
Ｔｏｒｒ、バイアス電圧：１ｋＶ、電子放出体を成膜す
る基板の温度：９０℃とした。また、プラズマＣＶＤ法
により成膜後、スパッタ法により、ＲＦ電力１ｋＷ、エ
ッチング時間３分の条件でプラズマエッチングした。
【００３０】このようにして製造された電子放出体７に
おいては、相対密度が６０％とされ、また表面粗さは
０．１μｍＲｍａｘとされていた。したがって、本実施
例のＦＥＤでは、図示しない駆動電源から透明アノード
電極４及びカソード電極５間に所定の電界をかければ、
電子放出面積が大きくされた電子放出体７から効率よく
電子が放出され、この電子が蛍光体６に衝突し、これに
より蛍光体６が所定の色に発光し、この発光が透明アノ
ード電極４及び透明フェース基板１を透過して表示され
る。
おいては、相対密度が６０％とされ、また表面粗さは
０．１μｍＲｍａｘとされていた。したがって、本実施
例のＦＥＤでは、図示しない駆動電源から透明アノード
電極４及びカソード電極５間に所定の電界をかければ、
電子放出面積が大きくされた電子放出体７から効率よく
電子が放出され、この電子が蛍光体６に衝突し、これに
より蛍光体６が所定の色に発光し、この発光が透明アノ
ード電極４及び透明フェース基板１を透過して表示され
る。
【００３１】（実施例２）本実施例のＦＥＤは、電子放
出体７を傾斜構造を有する単層のＤＬＣ薄膜としたこと
以外は、上記実施例１と同様である。すなわち、本実施
例に係る電子放出体７は、単層の厚さ５μｍのＤＬＣ薄
膜よりなり、蛍光体６と対向する表面に近づくに連れて
ダイヤモンドの占める割合が大きくされている。
出体７を傾斜構造を有する単層のＤＬＣ薄膜としたこと
以外は、上記実施例１と同様である。すなわち、本実施
例に係る電子放出体７は、単層の厚さ５μｍのＤＬＣ薄
膜よりなり、蛍光体６と対向する表面に近づくに連れて
ダイヤモンドの占める割合が大きくされている。
【００３２】この傾斜構造を有する単層のＤＬＣ薄膜よ
りなる電子放出体７は、プラズマＣＶＤ法により成膜条
件を、置換ガス：Ｎ2 及び供給原料：炭化水素ガスの比
率（Ｎ2 ガス／炭化水素ガス）を８〜０．０１に変化さ
せ、反応槽内圧力：３０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧：１
ｋＶ、電子放出体を成膜する基板の温度：９０℃とし、
このプラズマＣＶＤ法による成膜中に、Ｎ2 置換ガス／
炭化水素ガス比率を成膜当初は８とし、それから０．０
１の割合で徐々に比率を減少させることにより製造し
た。
りなる電子放出体７は、プラズマＣＶＤ法により成膜条
件を、置換ガス：Ｎ2 及び供給原料：炭化水素ガスの比
率（Ｎ2 ガス／炭化水素ガス）を８〜０．０１に変化さ
せ、反応槽内圧力：３０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧：１
ｋＶ、電子放出体を成膜する基板の温度：９０℃とし、
このプラズマＣＶＤ法による成膜中に、Ｎ2 置換ガス／
炭化水素ガス比率を成膜当初は８とし、それから０．０
１の割合で徐々に比率を減少させることにより製造し
た。
【００３３】このようにして製造された電子放出体７に
おいては、カソード電極５と接する表面部分でダイヤモ
ンド濃度は零となり、蛍光体６と対向する表面に近づく
に連れて徐々にダイヤモンド濃度が高くなり、蛍光体６
と対向する表面で電気抵抗の観点からダイヤモンド濃度
がほぼ１００％と推定される。したがって、本実施例の
ＦＥＤでは、図示しない駆動電源から透明アノード電極
４及びカソード電極５間に所定の電界をかければ、電子
供給効率が高くされた電子放出体７から効率よく電子が
放出され、この電子が蛍光体６に衝突し、これにより蛍
光体６が所定の色に発光し、この発光が透明アノード電
極４及び透明フェース基板１を透過して表示される。
おいては、カソード電極５と接する表面部分でダイヤモ
ンド濃度は零となり、蛍光体６と対向する表面に近づく
に連れて徐々にダイヤモンド濃度が高くなり、蛍光体６
と対向する表面で電気抵抗の観点からダイヤモンド濃度
がほぼ１００％と推定される。したがって、本実施例の
ＦＥＤでは、図示しない駆動電源から透明アノード電極
４及びカソード電極５間に所定の電界をかければ、電子
供給効率が高くされた電子放出体７から効率よく電子が
放出され、この電子が蛍光体６に衝突し、これにより蛍
光体６が所定の色に発光し、この発光が透明アノード電
極４及び透明フェース基板１を透過して表示される。
【００３４】（実施例３）本実施例のＦＥＤは、電子放
出体７において、ＤＬＣ薄膜とグラファイト薄膜とを交
互に積層することにより傾斜構造とするとしたこと以外
は、上記実施例２と同様である。すなわち、本実施例に
係る電子放出体７は、ＤＬＣ薄膜７１とグラファイト薄
膜７２とを多数交互に積層してなる。なお、電子放出体
７のカソード電極５と接する面はグラファイト薄膜７２
よりなり、電子放出体７の蛍光体６と対向する表面はＤ
ＬＣ薄膜７１よりなる。また、ＤＬＣ薄膜７１における
ダイヤモンド濃度はほぼ１００％と推定される。そし
て、ＤＬＣ薄膜７１の膜厚は０．０５〜０．１μｍであ
り、グラファイト薄膜７２の膜厚は０．０５〜０．１μ
ｍであり、蛍光体６と対向する表面に近づくに連れて、
ＤＬＣ薄膜７１の膜厚が厚くされる一方、グラファイト
薄膜７２の膜厚が薄くされている。
出体７において、ＤＬＣ薄膜とグラファイト薄膜とを交
互に積層することにより傾斜構造とするとしたこと以外
は、上記実施例２と同様である。すなわち、本実施例に
係る電子放出体７は、ＤＬＣ薄膜７１とグラファイト薄
膜７２とを多数交互に積層してなる。なお、電子放出体
７のカソード電極５と接する面はグラファイト薄膜７２
よりなり、電子放出体７の蛍光体６と対向する表面はＤ
ＬＣ薄膜７１よりなる。また、ＤＬＣ薄膜７１における
ダイヤモンド濃度はほぼ１００％と推定される。そし
て、ＤＬＣ薄膜７１の膜厚は０．０５〜０．１μｍであ
り、グラファイト薄膜７２の膜厚は０．０５〜０．１μ
ｍであり、蛍光体６と対向する表面に近づくに連れて、
ＤＬＣ薄膜７１の膜厚が厚くされる一方、グラファイト
薄膜７２の膜厚が薄くされている。
【００３５】この傾斜構造を有する、交互に積層された
多数のＤＬＣ薄膜７１及びグラファイト薄膜７２よりな
る電子放出体７は、プラズマＣＶＤ法により成膜条件
を、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガスの比
率（Ｎ2 ガス／炭化水素ガス）を８〜０．０１に変化さ
せ、反応槽内圧力：３０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧：１
ｋＶ、電子放出体を成膜する基板の温度：９０℃とし、
成膜中に、Ｎ2 置換ガス供給量をＤＬＣ薄膜７１の成膜
時とグラファイト薄膜７２の成膜時とで切り換えるとと
もに、ＤＬＣ薄膜７１の成膜時間を徐々に長くする一方
グラファイト薄膜７２の成膜時間を徐々に短くすること
により製造した。なお、ＤＬＣ薄膜７１の成膜時のＮ2
置換ガス／炭化水素ガス比率は０．０１とし、またグラ
ファイト薄膜７２の成膜時のＮ2 置換ガス／炭化水素ガ
ス比率は８とした。
多数のＤＬＣ薄膜７１及びグラファイト薄膜７２よりな
る電子放出体７は、プラズマＣＶＤ法により成膜条件
を、置換ガス：Ｎ2 、及び供給原料：炭化水素ガスの比
率（Ｎ2 ガス／炭化水素ガス）を８〜０．０１に変化さ
せ、反応槽内圧力：３０ｍＴｏｒｒ、バイアス電圧：１
ｋＶ、電子放出体を成膜する基板の温度：９０℃とし、
成膜中に、Ｎ2 置換ガス供給量をＤＬＣ薄膜７１の成膜
時とグラファイト薄膜７２の成膜時とで切り換えるとと
もに、ＤＬＣ薄膜７１の成膜時間を徐々に長くする一方
グラファイト薄膜７２の成膜時間を徐々に短くすること
により製造した。なお、ＤＬＣ薄膜７１の成膜時のＮ2
置換ガス／炭化水素ガス比率は０．０１とし、またグラ
ファイト薄膜７２の成膜時のＮ2 置換ガス／炭化水素ガ
ス比率は８とした。
【００３６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る電子放
出型表示装置は、電子放出体における電子放出効率が高
められているので、低電圧で電子放出体から多くの電子
を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
出型表示装置は、電子放出体における電子放出効率が高
められているので、低電圧で電子放出体から多くの電子
を放出することができ、ＦＥＤにおける消費電力の低
下、発光輝度の向上及び長寿命化を図ることが可能とな
る。
【図１】本実施例１のＦＥＤの模式断面図である。
【図２】本実施例２のＦＥＤの模式断面図である。
【図３】本実施例２のＦＥＤの模式断面図である。
【図４】電子放出体におけるＨ／Ｃ比と電気抵抗との関
係を示す線図である。
係を示す線図である。
【図５】従来のＦＥＤの模式断面図である。
１は透明フェースガラス基板、２はバックガラス基板、
３はスペーサ、４は透明アノード電極、５はカソード電
極、６は蛍光体、７は電子放出体、７１はＤＬＣ薄膜、
７２はグラファイト薄膜である。
３はスペーサ、４は透明アノード電極、５はカソード電
極、６は蛍光体、７は電子放出体、７１はＤＬＣ薄膜、
７２はグラファイト薄膜である。
Claims (2)
- 【請求項１】 所定間隔で対向配設されたアノード電極
及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電極
との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の該
アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力を
もつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置におい
て、 上記電子放出体の相対密度が５０〜９０％とされている
ことを特徴とする電界放出型表示装置。 - 【請求項２】 所定間隔で対向配設されたアノード電極
及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電極
との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の該
アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力を
もつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置におい
て、 上記電子放出体はダイヤモンドと高導電性炭素とからな
り、上記蛍光体と対向する表面側でダイヤモンドの占め
る割合が大きくなっていることを特徴とする電界放出型
表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13208396A JPH09320497A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 電界放出型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13208396A JPH09320497A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 電界放出型表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320497A true JPH09320497A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15073112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13208396A Pending JPH09320497A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 電界放出型表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320497A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000090811A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 冷電子放出素子とその製造方法 |
| JP2001266736A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-09-28 | Japan Fine Ceramics Center | 電子放出素子 |
| JP2002079522A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-03-19 | Hitachi Maxell Ltd | ディスク基板成形金型及び樹脂成形金型 |
| KR100741898B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2007-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 평판형 형광램프 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP13208396A patent/JPH09320497A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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