JPH1183901A - Probe card - Google Patents
Probe cardInfo
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- JPH1183901A JPH1183901A JP25424397A JP25424397A JPH1183901A JP H1183901 A JPH1183901 A JP H1183901A JP 25424397 A JP25424397 A JP 25424397A JP 25424397 A JP25424397 A JP 25424397A JP H1183901 A JPH1183901 A JP H1183901A
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- Japan
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- probe
- wafer
- support mechanism
- substrate
- fixed
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハー上に形成
された集積回路の電気的諸特性を測定する際に用いられ
るプローブカードに関する。The present invention relates to a probe card used for measuring various electrical characteristics of an integrated circuit formed on a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のプローブカードＢは、図４〔概略
的断面図〕に示されるように、可動テーブル７００の上
に真空吸着等により固定された完成状態のウエハー６０
０上に形成されている集積回路６１０の電気的諸特性を
測定するウエハーテストの際に用いられるものであっ
て、所定のパターン配線が形成された基板３００と、こ
の基板３００に取り付けられたプローブ１００を支持す
る支持機構としてのセラミックス等からなるリング２０
０と、このリング２００に支持される状態で取り付けら
れた複数本のプローブ１００とを有している。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 4 (schematic sectional view), a conventional probe card B has a completed wafer 60 fixed on a movable table 700 by vacuum suction or the like.
A substrate 300 on which a predetermined pattern wiring is formed and a probe attached to the substrate 300 are used in a wafer test for measuring various electrical characteristics of the integrated circuit 610 formed on the substrate 300. A ring 20 made of ceramics or the like as a support mechanism for supporting 100
0, and a plurality of probes 100 mounted in a state supported by the ring 200.
【０００３】基板３００とリング２００とは、エポキシ
系接着剤４００で取り付けられている。プローブ１００
は、その先端部１１０が、尖らせられ、１００度〜１０
５度程度折り曲げられたものである。プローブ１００の
基端部分は、基板３００の下面側の印刷配線端子３１０
に半田付けで固定されている。プローブ１００の先端部
１１０側は、リング２００にエポキシ系接着剤４００で
取り付けられている。[0003] The substrate 300 and the ring 200 are attached with an epoxy adhesive 400. Probe 100
Is that the tip 110 is sharpened,
It is bent about 5 degrees. The base end portion of the probe 100 is connected to a printed wiring terminal 310 on the lower surface side of the substrate 300.
Is fixed by soldering. The tip 110 side of the probe 100 is attached to the ring 200 with an epoxy adhesive 400.
【０００４】プローブカードＢは、このプローブ１００
の先端部１１０の先端１１０ａが、ウエハー６００上に
形成されている集積回路６１０の電極パッド６１１にコ
ンタクトするように設計・製作されている。ウエハーテ
ストの際は、プローブカードＢがプローバの固定台部８
００にボルトとナットからなるネジ体８１１によって固
定（セット）され、ウエハー６００が可動テーブル７０
０の上に固定される。[0004] The probe card B has a probe 100
The tip 110 a of the tip 110 is designed and manufactured so as to contact the electrode pad 611 of the integrated circuit 610 formed on the wafer 600. At the time of wafer test, the probe card B is connected to the prober fixing base 8.
00 is fixed (set) by a screw body 811 composed of a bolt and a nut.
Fixed above zero.
【０００５】可動テーブル７００が図示しない駆動装置
で上昇させられると、ウエハー６００上に形成されてい
る集積回路６１０の電極パッド６１１と、固定台部８０
０にセットされたプローブカードＢのプローブ１００の
先端１１０ａとが、コンタクトされる。When the movable table 700 is raised by a driving device (not shown), the electrode pads 611 of the integrated circuit 610 formed on the wafer 600 and the fixed base 80
The tip 110a of the probe 100 of the probe card B set to 0 is contacted.
【０００６】この状態で、基板３００の上面側に設けら
れたコネクタ３２０に接続されたテストコンピュータ
（図示省略）からの電気信号が、基板３００のパターン
配線やスルホール３１５経由でプローブ１００を通じて
集積回路６１０と遣り取りされ、プローブ１００の先端
１１０ａがコンタクトしている所定エリアの集積回路６
１０に対してテストが行われる。In this state, an electric signal from a test computer (not shown) connected to the connector 320 provided on the upper surface side of the substrate 300 receives an integrated circuit 610 through the probe 100 through the pattern wiring of the substrate 300 and the through hole 315. And the integrated circuit 6 in a predetermined area with which the tip 110a of the probe 100 is in contact.
10 is tested.
【０００７】この所定エリアの集積回路６１０に対して
のテストが終了すると、可動テーブル７００は、図示し
ない駆動装置で下降させられ、集積回路６１０（チッ
プ）の大きさに基づいた距離分だけ横に移動された後
に、再度上昇させられて、次の所定エリアの集積回路６
１０に対してテストがはじまり、この操作がウエハー６
００上に形成されている複数の集積回路６１０の全てに
対して繰り返される。When the test on the integrated circuit 610 in the predetermined area is completed, the movable table 700 is lowered by a driving device (not shown), and is moved sideways by a distance based on the size of the integrated circuit 610 (chip). After being moved, it is raised again, and the integrated circuit 6 in the next predetermined area is moved.
The test is started for 10 and this operation is performed for wafer 6
This operation is repeated for all of the plurality of integrated circuits 610 formed on the memory device 00.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】かかる中、集積回路６
１０の高集積化と微細化とが進み、且つ一度に多数個の
集積回路６１０をウエハーテストする必要から、プロー
ブ数の多い大型のプローブカードが使用されるようにな
ってきた。その上、バーン・イン・テストと呼ばれるヒ
ートサイクルテストを行う機会が多くなり、この際、高
温度に至る広温度範囲でウエハーテストを行うため、ウ
エハー６００（通常シリコン製）と異なる熱膨張係数の
材料で構成されている従来のプローブカードＢでは、常
温でプローブ１００の先端１１０ａと、集積回路６１０
の電極パッド６１１の中心部との位置合わせがされてい
ても、温度が変化すると位置ずれしてしまう現象が顕著
に発生するようになってきた。In this situation, the integrated circuit 6
As the high integration and miniaturization of 10 have progressed and a large number of integrated circuits 610 need to be subjected to a wafer test at a time, a large probe card having a large number of probes has been used. In addition, there are many opportunities to perform a heat cycle test called a burn-in test. At this time, since a wafer test is performed in a wide temperature range up to a high temperature, a thermal expansion coefficient different from that of the wafer 600 (usually made of silicon) is obtained. In the conventional probe card B made of a material, the tip 110a of the probe 100 and the integrated circuit 610 at room temperature are used.
Even when the electrode pad 611 is aligned with the center portion, the phenomenon that the electrode pad 611 is displaced when the temperature changes has become noticeable.
【０００９】この位置ずれは、電極パッド６１１の半分
よりも大きくなることもあり、その結果、プローブ１０
０の先端１１０ａが電極パッド６１１より外れてしま
い、従来のプローブカードＢは、バーン・イン・テスト
に対応できないという状況が発生するようになった。こ
のバーン・イン・テストの市場要望は、近年強まる傾向
にあり、場合によってバーン・イン・テストに対応でき
ない深刻な状況となっており、この対策が市場から待ち
望まれている。This displacement may be larger than half of the electrode pad 611, and as a result, the probe 10
The leading end 110a of the probe card B comes off the electrode pad 611, and the conventional probe card B cannot cope with the burn-in test. The market demand for this burn-in test has been increasing in recent years, and in some cases, it has become a serious situation that it is not possible to respond to the burn-in test.
【００１０】この原因としては、以下のおよびのも
のが挙げられる。 プローブ１００の数が多いと、両端に位置するプロー
ブ１００、１００間の寸法が大きくなっている。この状
態で、バーン・イン・テストで高温度でテストされる
と、ウエハー６００（通常シリコン製）の熱膨張係数
と、複数のプローブ１００の先端部１１０側が並べられ
固定されている支持機構としてのセラミックス等からな
るリング２００（通常アルミナ製）の熱膨張係数との差
による影響が顕著となる。The causes include the following. When the number of the probes 100 is large, the dimension between the probes 100 located at both ends is increased. In this state, when a test is performed at a high temperature by a burn-in test, the thermal expansion coefficient of the wafer 600 (usually made of silicon) and the support mechanism as a support mechanism in which the tip portions 110 of the plurality of probes 100 are arranged and fixed are arranged. The effect of the difference from the coefficient of thermal expansion of the ring 200 (usually made of alumina) made of ceramics or the like becomes significant.
【００１１】しかも、基板３００（通常ガラスエポキシ
樹脂製）にリング２００（通常アルミナ製）がエポキシ
系接着剤４００で固定されており、基板３００の方がリ
ング２００よりも大きいため、この基板３００（通常ガ
ラスエポキシ樹脂製）の熱膨張係数の違いによる影響が
上記影響に支配的に加わる。つまり、リング２００（通
常アルミナ製）は、基板３００（通常ガラスエポキシ樹
脂製）の熱膨張の影響を大きく受けて、リング２００単
独の時よりも、基板３００の熱膨張に近い熱膨張の状態
となる。In addition, a ring 200 (usually made of alumina) is fixed to a substrate 300 (usually made of glass epoxy resin) with an epoxy adhesive 400, and the substrate 300 is larger than the ring 200. The influence of the difference in the thermal expansion coefficient of the glass epoxy resin (usually made of glass epoxy resin) predominantly adds to the above-mentioned effects. That is, the ring 200 (usually made of alumina) is greatly affected by the thermal expansion of the substrate 300 (usually made of glass epoxy resin), and has a thermal expansion state closer to that of the substrate 300 than when the ring 200 is used alone. Become.
【００１２】例えば、基板３００（ガラスエポキシ樹脂
製）の熱膨張係数は、ウエハー６００（シリコン製）の
熱膨張係数の１０倍程度もある。よって、リング２００
は、ウエハー６００の約１０倍も熱膨張する基板３００
の熱膨張の影響に支配されつつ、ウエハー６００よりも
熱膨張する。つまり、リング２００に支持されるように
取り付けられているプローブ１００の先端部１１０につ
いても、プローブ１００の先端部１１０と隣のプローブ
１００の先端部１１０との間隔が、ウエハー６００上の
電極パッド６１１と隣の電極パッド６１１との間隔より
も、熱膨張差により拡張され、プローブ１００の先端と
電極パッド６１１との相対的な位置ずれとなる。この相
対的な位置ずれは、複数のプローブ１００の内、両端側
に位置されたプローブ１００ほど累積的に大きな寸法の
位置ずれとなる。For example, the thermal expansion coefficient of the substrate 300 (made of glass epoxy resin) is about ten times as large as that of the wafer 600 (made of silicon). Therefore, the ring 200
Is a substrate 300 that thermally expands about 10 times that of the wafer 600
While expanding under the influence of thermal expansion of the wafer 600. That is, the distance between the distal end 110 of the probe 100 and the distal end 110 of the adjacent probe 100 for the distal end 110 of the probe 100 mounted so as to be supported by the ring 200 is different from that of the electrode pad 611 on the wafer 600. The distance between the tip of the probe 100 and the electrode pad 611 becomes larger than the distance between the electrode pad 611 and the adjacent electrode pad 611. This relative displacement is cumulatively larger for the probes 100 located at both ends of the plurality of probes 100.
【００１３】集積回路６１０の高集積化と微細化とが
進み、電極パッド６１１の寸法も小さくなる傾向にあ
る。よって、プローブ１００の先端１１０ａが電極パッ
ド６１１より外れ易い。As the integration degree and the miniaturization of the integrated circuit 610 progress, the dimensions of the electrode pads 611 tend to be reduced. Therefore, the tip 110 a of the probe 100 is easily detached from the electrode pad 611.
【００１４】本発明の目的は、上記の原因に対応し、バ
ーン・イン・テストのようにヒートサイクル環境下にあ
っても、被検査物たるウエハー上に形成された集積回路
の電極パッドと、この電極パッドにセットされたプロー
ブの先端とが相対的に位置ずれしにくいプローブカード
を提供することにある。An object of the present invention is to address the above-mentioned problems and to provide an electrode pad of an integrated circuit formed on a wafer as an object to be inspected even in a heat cycle environment such as a burn-in test. An object of the present invention is to provide a probe card in which the tip of a probe set on the electrode pad is less likely to be relatively displaced.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明に係るプローブカードは、プローブの先端部
側を支持する支持機構部の材料に、被検査物たるウエハ
ーの材料と同質または熱膨張係数の略同等のものを使用
したことを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a probe card according to the present invention uses the same material as that of a wafer as an object to be inspected, as a material of a support mechanism for supporting a tip end side of a probe. It is characterized in that those having substantially the same thermal expansion coefficient are used.
【００１６】よって、本発明に係るプローブカードの場
合は、被検査物たるウエハーと、このウエハー（に設け
られている電極パッド）にコンタクトするプローブ先端
部側が支持されている支持機構部とが、熱膨張係数が同
じまたは略同等であるので、バーン・イン・テストのよ
うなヒートサイクル試験環境下でも、前記コンタクトの
ずれは、ウエハー上の集積回路の電極パッド寸法と比較
して、皆無に近い状態にでき、ヒートサイクル試験にお
いても支障をきたさない。Therefore, in the case of the probe card according to the present invention, the wafer as the object to be inspected and the supporting mechanism for supporting the tip of the probe in contact with the wafer (electrode pads provided on the wafer) include: Since the thermal expansion coefficients are the same or substantially the same, even under a heat cycle test environment such as a burn-in test, the displacement of the contact is almost nil as compared with the electrode pad size of the integrated circuit on the wafer. It can be in a state and does not hinder the heat cycle test.
【００１７】また、本発明に係るプローブカードは、複
数のプローブと、これらのプローブの先端部側を支持す
るように固定する支持機構部と、前記プローブの基端部
側が固定される基板部と、この基板部に設けられた開口
部に取り付けられる桟体とを有したプローブカードであ
って、前記支持機構部と桟体との材料に、被検査物たる
ウエハーの材料と同質または熱膨張係数の略同等のもの
を使用すると共に、前記支持機構部と桟体との間、およ
び前記桟体と基板部との間がそれぞれ締結部品で固定さ
れていることを特徴とすることもできる。Further, the probe card according to the present invention comprises a plurality of probes, a support mechanism for fixing the probes to support the distal ends thereof, and a substrate for fixing the base end of the probes. A probe card having a bar attached to an opening provided in the substrate, wherein the material of the support mechanism and the bar is made of the same material or coefficient of thermal expansion as the material of the wafer to be inspected. And a structure in which the support mechanism portion and the crosspiece and the crosspiece and the board portion are respectively fixed by fastening components.
【００１８】よって、本発明に係るプローブカードの場
合は、被検査物たるウエハーと、このウエハー（に設け
られている電極パッド）にコンタクトするプローブ先端
部側が支持されている支持機構部と、この支持機構部が
取り付けられている桟体とが、熱膨張係数が同じまたは
略同等であり、且つ支持機構部が桟体経由でしかも締結
部品（が熱膨張係数の差の影響をしなることで減じるよ
うに働く）も介して、熱膨張率の大きく異なる基板部に
取り付けられているので、バーン・イン・テストのよう
なヒートサイクル試験環境下でも、前記コンタクトのず
れは、極めて小さくできる。Therefore, in the case of the probe card according to the present invention, a wafer as an object to be inspected, a support mechanism for supporting a probe tip side contacting the wafer (electrode pads provided on the wafer), Since the thermal expansion coefficient is the same or substantially the same as that of the crosspiece to which the support mechanism is attached, and the support mechanism is connected to the crosspiece via the crosspiece and the fastening component (because of the influence of the difference in thermal expansion coefficient). (Which works to reduce), the contact portions can be extremely small even in a heat cycle test environment such as a burn-in test.
【００１９】更に、本発明に係るプローブカードは、前
記基板部の上面側に取り付けられた前記桟体と、前記支
持機構部とが、前記開口部内に略垂線方向に配置される
前記締結部品によって所定の間隔を有しつつ略平行に固
定されることを特徴とすることもできる。Further, in the probe card according to the present invention, the crosspiece attached to the upper surface side of the substrate portion and the support mechanism portion are provided by the fastening components arranged in the opening in a substantially perpendicular direction. It may be characterized in that it is fixed substantially in parallel while having a predetermined interval.
【００２０】よって、本発明に係るプローブカードの場
合は、この構造によって、プローブカード全体の厚みを
従来と同程度としつつ、前記桟体と前記支持機構部との
間に設けられる前記締結部品の露出長さ（前記桟体の下
面から支持機構部の上面までの長さ）を所定の間隔とす
ることができる。また、効率よくしなる締結部品の露出
長さを十分に確保できるので、熱膨張係数の差の影響を
大きく受けることがあったとしても、締結部品が効果的
にしなることでその影響を殆ど減じることができる。Therefore, in the case of the probe card according to the present invention, by this structure, the thickness of the entirety of the probe card is made approximately the same as that of the conventional one, and the fastening component provided between the crosspiece and the support mechanism is provided. The exposed length (the length from the lower surface of the crosspiece to the upper surface of the support mechanism) can be set to a predetermined interval. In addition, since the exposed length of the fastening component that improves the efficiency can be sufficiently ensured, even if the influence of the difference in the coefficient of thermal expansion may be greatly affected, the effect is substantially reduced by the effective fastening component. be able to.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】本発明に係るプローブカードの実
施の形態を図１および図２を参照しつつ説明する。図１
は本発明に係るプローブカードの実施の形態を示す概略
的断面図、図２は本発明に係るプローブカードの実施の
形態を示す概略的底面図、図３は本発明に係るプローブ
カードの桟体の実施の形態を示す概略的斜視図である。
尚、従来のプローブカードと同じ部分は、基本的に同じ
番号としている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a probe card according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the probe card according to the present invention, FIG. 2 is a schematic bottom view showing the embodiment of the probe card according to the present invention, and FIG. It is a schematic perspective view which shows embodiment.
The same parts as those of the conventional probe card have basically the same numbers.
【００２２】本発明に係るプローブカードＡは、複数の
プローブ１００と、これらのプローブ１００の先端部１
１０側を支持する支持機構部２２０Ａと、所定のパター
ン配線が形成され且つ前記プローブ１００の基端部１２
０（図２参照）側が固定される基板部３００と、この基
板部３００に設けられた開口部３２５に取り付けられる
桟体２５０とを有し、前記支持機構部２２０Ａと桟体２
５０との材料に、被検査物たるウエハー（図示省略、図
４のウエハー６００）の材料と同質のものを使用すると
共に、前記支持機構部２２０Ａと桟体２５０との間、お
よび前記桟体２５０と基板部３００との間がそれぞれ締
結部品５１０、５２０で固定されている。The probe card A according to the present invention comprises a plurality of probes 100 and a tip 1 of these probes 100.
And a support mechanism 220A for supporting the side of the probe 100 and a base end 12 of the probe 100 on which a predetermined pattern wiring is formed.
0 (see FIG. 2) side, and a board 250 attached to an opening 325 provided in the board 300. The support mechanism 220A and the board 2
The same material as the material of the wafer to be inspected (not shown, wafer 600 in FIG. 4) is used as the material for 50 and the material between the support mechanism 220A and the beam 250 and the beam 250 And the board part 300 are fixed with fastening parts 510 and 520, respectively.
【００２３】ここで、被検査物たるウエハーの材料は、
現在主流のシリコンであるとして以下説明する。支持機
構部２２０Ａは、例えば、横長の平板リング状体（した
がって、その中心部の開口部２２２も横長の開口となっ
ている）で、ウエハーと同質の純粋なシリコン（無機シ
リコン）でできている。Here, the material of the wafer to be inspected is
Description will be made below assuming that the silicon is currently the mainstream. The support mechanism 220A is, for example, a horizontally long flat plate-like body (therefore, the opening 222 at the center thereof is also a horizontally long opening), and is made of pure silicon (inorganic silicon) of the same quality as the wafer. .
【００２４】支持機構部２２０Ａは、後述のプローブ１
００を接触固定するため、支持機構部２２０Ａの電気的
特性を考慮する必要がある。純粋なシリコン（無機シリ
コン）は、不純物がドーピングされていないと、電気抵
抗値が高く、通常１０-9Ω程度である。したがって、ウ
エハーテストされる際にプローブ１００に印加される電
圧が低電圧で、電流も低電流であれば、このままでも支
障はない。The support mechanism 220A is connected to a probe 1 described later.
In order to contact-fix 00, it is necessary to consider the electrical characteristics of the support mechanism 220A. Pure silicon (inorganic silicon), when not doped with impurities, has a high electric resistance value, usually about 10 −9 Ω. Therefore, if the voltage applied to the probe 100 at the time of the wafer test is a low voltage and the current is also a low current, there is no problem even if the current is the same.
【００２５】しかし、プローブ１００に印加される電圧
が高電圧で、電流が高電流の場合でも支持機構部２２０
Ａのプローブ１００に対する影響を無視できるように、
支持機構部２２０Ａの純粋なシリコン（無機シリコン）
のプローブ１００の固定側を、低融点ガラスや耐熱性樹
脂等の高絶縁・高耐熱材の薄膜の絶縁塗布層を被覆して
絶縁性を向上させておくと好ましい。However, even if the voltage applied to the probe 100 is high and the current is high, the support mechanism 220
In order to ignore the effect of A on the probe 100,
Pure silicon (inorganic silicon) for the support mechanism 220A
It is preferable that the fixed side of the probe 100 is coated with an insulating coating layer of a thin film of a high-insulation and high-heat-resistant material such as a low-melting glass or a heat-resistant resin to improve the insulation.
【００２６】この際、支持機構部２２０Ａの純粋なシリ
コン（無機シリコン）の厚みは、前記絶縁塗布層の厚み
よりも十分厚くする。これにより、支持機構部２２０Ａ
の純粋なシリコン（無機シリコン）は、機械的な剛性が
大きく、前記絶縁塗布層の熱膨張変化を拘束することが
できる。At this time, the thickness of pure silicon (inorganic silicon) of the supporting mechanism 220A is made sufficiently thicker than the thickness of the insulating coating layer. Thereby, the supporting mechanism 220A
Pure silicon (inorganic silicon) has high mechanical rigidity and can restrain the thermal expansion change of the insulating coating layer.
【００２７】基板３００は、ガラスエポキシ樹脂等から
なる多層基板であって、各層はスルホール３１５（図２
参照）によって電気的に接続されている。また各層に
は、パターン配線が形成されている。基板３００の底面
側のパターン配線の一端には、印刷配線端子３１０（図
２参照）が設けられており、この印刷配線端子３１０に
プローブ１００の基端部１２０側が半田付けで固定され
ることになる。また、基板３００の上面側のパターン配
線の一端には、コネクタ等の端子が設けられており、こ
の端子は図示しないプローバのテストコンピュータと接
続されることになる。The substrate 300 is a multi-layer substrate made of glass epoxy resin or the like, and each layer has a through hole 315 (FIG. 2).
). In each layer, a pattern wiring is formed. A printed wiring terminal 310 (see FIG. 2) is provided at one end of the pattern wiring on the bottom surface side of the substrate 300, and the base end 120 side of the probe 100 is fixed to the printed wiring terminal 310 by soldering. Become. A terminal such as a connector is provided at one end of the pattern wiring on the upper surface side of the substrate 300, and this terminal is connected to a test computer of a prober (not shown).
【００２８】かかる基板３００の中央には、開口部３２
５が開設されている。この開口部３２５は、検査対象物
であるウエハー（図示省略、図４のウエハー６００と同
一）に形成されている集積回路６１０を視認するための
ものであり、長円形または矩形状等の必要に応じた形状
に設定されている。At the center of the substrate 300, an opening 32 is provided.
5 have been established. The opening 325 is for visually recognizing an integrated circuit 610 formed on a wafer to be inspected (not shown, the same as the wafer 600 in FIG. 4). The shape is set accordingly.
【００２９】基板３００の上面であって、開口部３２５
の外周部近辺には、締結部品５２０が固定される複数の
穴部３０１が形成されている。基板３００の周縁部に
は、複数の透孔部３５０が形成されている。この透孔部
３５０は、図４で説明したときのように、基板３００
（究極的にはプローブカードＡ）がプローバの固定台部
８００に固定（セット）される際に、ボルトとナットか
らなるネジ体８１１等の締結部品が挿入される部分であ
る。An opening 325 on the upper surface of the substrate 300
A plurality of holes 301 to which the fastening component 520 is fixed are formed in the vicinity of the outer peripheral portion of. A plurality of through-holes 350 are formed in the peripheral portion of the substrate 300. The through-hole 350 is formed on the substrate 300 as described with reference to FIG.
When the (ultimately, the probe card A) is fixed (set) to the fixing base 800 of the prober, a fastening part such as a screw body 811 composed of a bolt and a nut is inserted.
【００３０】プローブ１００は、例えばタングステン線
の先端部１１０を接触部として電解研磨等の手段によっ
て鋭く尖らせ、この先端部１１０を０．２〜０．５ｍｍ
程度の長さで１００度〜１０５度程度折り曲げしたもの
である。かかるプローブ１００の配列、特に先端部１１
０の先端１１０ａの配列は、集積回路６１０に形成され
ている電極パッド６１１の配列に対応していなければな
らない。The probe 100 is sharpened sharply by means of electrolytic polishing or the like, for example, using the tip 110 of a tungsten wire as a contact portion, and the tip 110 is 0.2 to 0.5 mm.
It is about 100-105 degrees bent at about the length. The arrangement of the probe 100, particularly the tip 11
The arrangement of the leading ends 110a of the zeros must correspond to the arrangement of the electrode pads 611 formed on the integrated circuit 610.
【００３１】桟体２５０は、純粋なシリコンでできてお
り、例えば図３に示されるように、略十字板状に形成さ
れ、その中心部に、支持機構部２２０Ａの開口部２２２
と同様の形状の開口部２５９を有したもので、基板３０
０の開口部３２５を完全には塞がないないように、開口
部３２５の上部側をブリッジするように配置されるもの
である。桟体２５０と基板３００とが接触する領域に
は、締結部品５２０が挿入される複数の透孔部２５１が
形成されている。桟体２５０が、基板３００の開口部３
２５に位置する領域であって、支持機構部２２０Ａの上
部（図１において上部）に位置する領域には、支持機構
部２２０Ａを桟体２５０に固定するための締結部品５１
０の一端側が挿入される透孔部２５２が複数個、プロー
ブ１００を避ける位置に形成されている。The crosspiece 250 is made of pure silicon and is formed in a substantially cross-plate shape as shown in FIG. 3, for example, and has an opening 222 of the support mechanism 220A at the center thereof.
Having an opening 259 having the same shape as that of the substrate 30.
It is arranged so as to bridge the upper side of the opening 325 so that the opening 325 of the 0 is not completely closed. A plurality of through-holes 251 into which the fastening components 520 are inserted are formed in a region where the crosspiece 250 and the substrate 300 are in contact with each other. The pier 250 is connected to the opening 3 of the substrate 300.
25, a fastening part 51 for fixing the support mechanism 220A to the crosspiece 250 is located in an area above the support mechanism 220A (the upper part in FIG. 1).
A plurality of through-holes 252 into which one ends of the “0” are inserted are formed at positions avoiding the probe 100.
【００３２】支持機構部２２０Ａには、前記透孔部２５
２に対応する位置に、締結部品５１０の他端側が挿入さ
れる複数の透孔部２２１が形成されている。The support mechanism 220A includes the through hole 25
2, a plurality of through holes 221 into which the other ends of the fastening components 510 are inserted.
【００３３】締結部品５１０は、例えばボルト５１０ａ
とナット５１０ｂとからなる一般的な締結部品である。
締結部品５２０は、例えばネジ等の一般的な締結部品で
ある。The fastening part 510 is, for example, a bolt 510a
And a nut 510b.
The fastening component 520 is a general fastening component such as a screw.
【００３４】以上のようなプローブカードＡの各部分
は、以下のように接続・固定されている。プローブ１０
０の基端部１２０（図２参照）側は、基板３００の印刷
配線端子３１０（図２参照）に半田付けで固定されてい
る。プローブ１００の先端部１１０の根元側は、支持機
構部２２０Ａの底面側にエポキシ系接着剤４００等の固
定手段で固定されている。エポキシ系接着剤４００は、
硬化後のガラス転移点温度の高いものが好ましい。The respective parts of the probe card A as described above are connected and fixed as follows. Probe 10
The base end portion 120 (see FIG. 2) of the “0” is fixed to the printed wiring terminal 310 (see FIG. 2) of the substrate 300 by soldering. The root side of the distal end 110 of the probe 100 is fixed to the bottom side of the support mechanism 220A by a fixing means such as an epoxy adhesive 400. The epoxy adhesive 400 is
Those having a high glass transition temperature after curing are preferred.
【００３５】この支持機構部２２０Ａには、その透孔部
２２１に通されたボルト５１０ａの頭部側が固定されて
いる。このボルト５１０ａの先端部側は、桟体２５０の
透孔部２５２に通され、ナット５１０ｂで固定されてい
る。この際、ボルト５１０ａとナット５１０ｂと（つま
り締結部品５１０）によって、支持機構部２２０Ａと桟
体２５０とは、所定の間隔を有して略平行に相互に固定
されている。この所定の間隔は、基板３００と支持機構
部２２０Ａとが、温度条件の変化下においても接触しな
いように設定されている。The head side of the bolt 510a passed through the through hole 221 is fixed to the support mechanism 220A. The tip end side of the bolt 510a is passed through the through-hole 252 of the crosspiece 250, and is fixed with a nut 510b. At this time, the support mechanism 220A and the crosspiece 250 are fixed to each other substantially in parallel with a predetermined interval by the bolt 510a and the nut 510b (that is, the fastening part 510). The predetermined interval is set so that the substrate 300 and the support mechanism 220A do not come into contact with each other even when the temperature condition changes.
【００３６】桟体２５０は、基板３００の穴部３０１に
締結部品５２０で固定されている。したがって、プロー
ブ１００の先端部１１０側が固定されている支持機構部
２２０Ａは、締結部品５１０と、桟体２５０と、締結部
品５２０とを介して基板３００に固定されている。The beam 250 is fixed to the hole 301 of the substrate 300 with a fastening part 520. Therefore, the support mechanism 220A to which the distal end 110 side of the probe 100 is fixed is fixed to the substrate 300 via the fastening component 510, the crosspiece 250, and the fastening component 520.
【００３７】これにより、従来のように支持機構部２２
０Ａと基板３００とが接着固定されているのではなく、
締結部品５１０と、桟体２５０と、締結部品５２０とを
介して固定されているため、ウエハーテストの際にバー
ン・イン・テストしても、以下のようにプローブ１００
の先端部１１０の先端１１０ａの位置と、集積回路６１
０に形成されている電極パッド６１１の位置との相対的
な水平方向の位置ずれを極めて小さくすることができ
る。尚、垂直方向の位置ずれは、多少発生するが、電極
パッド６１１へのプローブ１００の先端１１０ａの接触
圧の多少の変化となるだけであり、問題とはならない
（以下、この垂直方向の位置ずれは説明を省略する）。As a result, the supporting mechanism 22 can be
0A and the substrate 300 are not bonded and fixed,
Since it is fixed via the fastening part 510, the crosspiece 250, and the fastening part 520, even if the burn-in test is performed during the wafer test, the probe 100
Of the tip 110a of the tip 110 of the
The relative displacement in the horizontal direction from the position of the electrode pad 611 formed at 0 can be extremely reduced. Although the vertical displacement slightly occurs, it is only a slight change in the contact pressure of the tip 110a of the probe 100 to the electrode pad 611, and does not cause any problem (hereinafter, this vertical displacement). Is omitted).
【００３８】つまり、バーン・イン・テストで例えば高
温時において、集積回路６１０（の主体部分）と支持機
構部２２０Ａとは同質のシリコンであり、よって熱膨張
率が同じであるため、集積回路６１０の熱膨張による電
極パッド６１１と隣の電極パッド６１１との間隔の拡張
に応じて、支持機構部２２０Ａに接着固定されているプ
ローブ１００の先端部１１０と隣のプローブ１００の先
端部１１０との間隔（つまり、プローブ１００の先端１
１０ａと隣のプローブ１００の先端１１０ａとの間隔）
も同様に拡張される。In other words, in the burn-in test, for example, at a high temperature, the integrated circuit 610 (the main part thereof) and the supporting mechanism 220A are made of the same silicon and have the same coefficient of thermal expansion. In accordance with the expansion of the distance between the electrode pad 611 and the adjacent electrode pad 611 due to the thermal expansion of the probe, the distance between the distal end 110 of the probe 100 and the distal end 110 of the adjacent probe 100 adhered and fixed to the support mechanism 220A. (That is, the tip 1 of the probe 100
(Distance between 10a and tip 110a of adjacent probe 100)
Is similarly extended.
【００３９】この際、プローブ１００の基端部１２０と
隣のプローブ１００の基端部１２０とは、熱膨張率が大
きな基板部（ガラスエポキシ樹脂の場合、シリコンの約
１０倍）に固定されているためその影響を受けて、プロ
ーブ１００の先端部１１０と隣のプローブ１００の先端
部１１０との間隔にて起こる通常の熱膨張による拡張寸
法よりも拡がる。しかし、その通常の熱膨張以上の拡張
寸法は、プローブ１００の半田付けで固定されている基
端部１２０側から、支持機構部２２０Ａに接着固定され
ている先端部１１０側までの距離と比較すると微々たる
ものであり、プローブ１００の僅かなしなりとなるだけ
で、支持機構部２２０Ａに接着固定されているプローブ
１００の先端部１１０と隣のプローブ１００の先端部１
１０との間隔で起きる拡張には殆ど影響しない。At this time, the base end portion 120 of the probe 100 and the base end portion 120 of the adjacent probe 100 are fixed to a substrate portion having a large coefficient of thermal expansion (in the case of glass epoxy resin, about 10 times as large as silicon). Therefore, under the influence of the influence, the expansion width is larger than the expansion dimension due to the normal thermal expansion occurring at the interval between the distal end portion 110 of the probe 100 and the distal end portion 110 of the adjacent probe 100. However, the expansion dimension beyond the normal thermal expansion is compared with the distance from the proximal end 120 side fixed by soldering the probe 100 to the distal end 110 side adhesively fixed to the support mechanism 220A. It is insignificant, and the probe 100 is slightly bent, so that the distal end 110 of the probe 100 and the distal end 1 of the adjacent probe 100 that are adhered and fixed to the support mechanism 220A.
It has little effect on the expansion occurring at intervals of 10.
【００４０】また、支持機構部２２０Ａと桟体２５０と
は、同じシリコンであり、且つ略平行に締結部品５１０
によって相互に固定されており、更に締結部品５１０の
設置方向はウエハー６００と（略）垂直方向である。よ
って、桟体２５０自体の熱膨張率と、支持機構部２２０
Ａの熱膨張率とは同じであり、また締結部品５１０の熱
膨張の影響は水平方向には殆ど無視できる程度であるた
め、桟体２５０自体の熱膨張の影響を支持機構部２２０
Ａは受けない。The support mechanism 220A and the crosspiece 250 are made of the same silicon, and are substantially parallel to each other.
Are fixed to each other, and the mounting direction of the fastening component 510 is (substantially) perpendicular to the wafer 600. Therefore, the thermal expansion coefficient of the beam 250 itself and the supporting mechanism 220
A is the same as the thermal expansion coefficient of A, and the effect of the thermal expansion of the fastening part 510 is almost negligible in the horizontal direction.
A does not receive.
【００４１】ただし、桟体２５０は、桟体２５０自体の
熱膨張以外に、固定先の基板３００の熱膨張の影響を受
ける。しかしながら、桟体２５０と基板３００とは、締
結部品５２０（ネジ）によって固定されているので、こ
の締結部品５２０のしなりと、桟体２５０と基板３００
との滑りとによって、桟体２５０と基板３００との膨張
差を減じる。よって、桟体２５０への基板３００の熱膨
張の影響は、小さくなる。つまり、桟体２５０が本来の
熱膨張以上に、膨張する度合いは小さくなっている。However, the bar 250 is affected not only by the thermal expansion of the bar 250 itself but also by the thermal expansion of the substrate 300 to which it is fixed. However, since the crosspiece 250 and the board 300 are fixed by the fastening part 520 (screw), the bending of the fastening part 520 and the crosspiece 250 and the board 300 are fixed.
, The difference in expansion between the beam 250 and the substrate 300 is reduced. Therefore, the influence of the thermal expansion of the substrate 300 on the crosspiece 250 is reduced. That is, the degree of expansion of the crosspiece 250 is lower than the original thermal expansion.
【００４２】更に、桟体２５０が本来の熱膨張以上に膨
張する影響は、締結部品５１０を介して支持機構部２２
０Ａへ伝えられるが、締結部品５１０のしなりによって
殆ど解消されてしまう。よって、桟体２５０が本来の熱
膨張以上に膨張しても、支持機構部２２０Ａは殆ど影響
を受けない構造となっている。Further, the influence that the crosspiece 250 expands more than the original thermal expansion is caused by the support mechanism 22 via the fastening part 510.
Although transmitted to 0A, it is almost completely eliminated by bending of the fastening part 510. Therefore, even if the crosspiece 250 expands beyond the original thermal expansion, the support mechanism 220A has a structure that is hardly affected.
【００４３】尚、締結部品５１０、５２０の直径・長さ
・材質等は、前記しなりが弾性限界内に止めることがで
きるものを選ぶ。The diameter, length, material and the like of the fastening parts 510 and 520 are selected so that the bending can be stopped within the elastic limit.
【００４４】このように、基板３００の熱膨張の影響
を、プローブ１００の先端部１１０側が固定されている
支持機構部２２０Ａから解離するとともに、ウエハー６
００と支持機構部２２０Ａと桟体２５０との熱膨張率を
同じとすることで、プローブ１００の先端部１１０の先
端１１０ａの位置と、集積回路６１０に形成されている
電極パッド６１１の位置との相対的な水平方向の位置ず
れを極めて小さくすることができる。As described above, the influence of the thermal expansion of the substrate 300 is dissociated from the support mechanism 220A to which the tip portion 110 side of the probe 100 is fixed, and the wafer 6
00, the support mechanism 220A, and the bar 250 have the same coefficient of thermal expansion, so that the position of the tip 110a of the tip 110 of the probe 100 and the position of the electrode pad 611 formed on the integrated circuit 610 are different. The relative displacement in the horizontal direction can be extremely reduced.
【００４５】次に、出願人は、実験結果によって、この
位置ずれが極めて小さいことを示す。Next, the applicant shows from an experimental result that this displacement is extremely small.
【００４６】実験条件は、以下の（１）〜（６）の通り
である。 （１）支持機構部２２０Ａは、厚さ０．８ｍｍのシリコ
ンの板をＹＡＧレーザで、横長のリング状に切り出した
ものであり、この一方の面には、耐熱性絶縁コートとし
て厚さ０．３ｍｍのポリイミド樹脂板を貼っている。The experimental conditions are as follows (1) to (6). (1) The support mechanism section 220A is obtained by cutting a 0.8 mm-thick silicon plate into a horizontally long ring shape using a YAG laser, and has one surface having a thickness of 0.1 mm as a heat-resistant insulating coat. A 3 mm polyimide resin plate is stuck.
【００４７】（２）プローブ１００は、直径２５０μ
ｍ、長さ３５ｍｍのタングステン線の一端を、電解研磨
によって、鋭く尖らせたものである。このプローブ１０
０の基端部１２０側は、半田付けに適したニッケルメッ
キが施されている。プローブ１００の先端１１０ａが、
集積回路６１０（シリコン製）に形成されている電極パ
ッド６１１に、室温にて合致するようにした状態で、プ
ローブ１００の先端部１１０側を支持機構部２２０Ａ
に、２液性のエポキシ接着剤にて固定させる。このエポ
キシ接着剤は、硬化後のガラス転移点温度の高いものを
使用する。(2) The probe 100 has a diameter of 250 μm.
One end of a tungsten wire having a length of 35 mm and a length of 35 mm is sharpened sharply by electrolytic polishing. This probe 10
The nickel-plated portion suitable for soldering is provided on the base end portion 120 side of No. 0. The tip 110a of the probe 100
The distal end portion 110 of the probe 100 is supported by the support mechanism 220A in a state where it matches the electrode pad 611 formed on the integrated circuit 610 (made of silicon) at room temperature.
Is fixed with a two-part epoxy adhesive. This epoxy adhesive has a high glass transition temperature after curing.
【００４８】（３）基板３００（ガラスエポキシ樹脂製
の多層基板）は、その中央に、支持機構部２２０Ａより
もやや大きい開口部３２５が設けられている。この開口
部３２５の上部側であって基板３００の上面に桟体２５
０（シリコン製）がネジ止めされている。(3) The substrate 300 (a multilayer substrate made of glass epoxy resin) has an opening 325 slightly larger than the support mechanism 220A at the center. On the upper side of the opening 325 and on the upper surface of the substrate 300,
0 (made of silicon) is screwed.
【００４９】（４）桟体２５０と、プローブ１００の先
端部１１０側を固定した支持機構部２２０Ａとは、ボル
ト５１０ａの軸部径とナット５１０ｂの孔部径とが直径
２ｍｍのもので相互に固定する。(4) The crosspiece 250 and the supporting mechanism 220A to which the tip 110 side of the probe 100 is fixed have a shaft diameter of the bolt 510a and a hole diameter of the nut 510b of 2 mm, and are mutually reciprocal. Fix it.
【００５０】（５）この後、プローブ１００の基端部１
２０を基板３００の下面にある印刷配線端子３１０に半
田付けで固定する。(5) Thereafter, the proximal end 1 of the probe 100
20 is fixed to the printed wiring terminal 310 on the lower surface of the substrate 300 by soldering.
【００５１】（６）以上の構成を有するプローブカード
Ａと、集積回路６１０が形成されているウエハー６００
とをセットしたプローブ装置全体（ただしテストコンピ
ュータ部分は除く）を１５０°Ｃまでヒータで加熱し
た。(6) The probe card A having the above configuration and the wafer 600 on which the integrated circuit 610 is formed
The entire probe apparatus (excluding the test computer part) in which was set was heated to 150 ° C. by a heater.
【００５２】この条件下での実験結果は、プローブ１０
０の先端１１０ａと、集積回路６１０の電極パッド６１
１との位置ずれが数μｍの範囲であって、実用上、全く
問題がなかった。The experimental results under these conditions are as follows:
0 and the electrode pad 61 of the integrated circuit 610.
The misalignment with No. 1 was within a range of several μm, and there was no problem in practical use.
【００５３】尚、プローブカードＡは、上記の構成が好
ましいが、上記に限定しないことは言うまでもない。例
えば、桟体２５０は、基板３００の上面に固定されるの
でなく、基板３００の下面に固定されてもよく、その固
定手段も接着固定等であってもよい等である。The probe card A preferably has the above configuration, but is not limited to the above configuration. For example, the crosspiece 250 may be fixed to the lower surface of the substrate 300 instead of being fixed to the upper surface of the substrate 300, and the fixing means may be adhesive fixing.
【００５４】図２に示された状態のプローブカードＡよ
りもプローブ１００の数を必要とする場合、つまり同時
に、例えば１６個とか３２個以上とかの集積回路６１０
をテストできるようにする場合は、図示しないが例え
ば、プローブカードＡの全体のサイズを大きくして、プ
ローブ１００を並べる数を増加させたり、または／およ
び、プローブ１００を上下（図２の紙面における前後方
向）２段等に配列して対応できる。When the number of probes 100 is required more than the probe card A in the state shown in FIG. 2, that is, at the same time, for example, 16 or 32 or more integrated circuits 610
Although not shown, for example, the overall size of the probe card A may be increased to increase the number of probes 100 arranged, and / or to move the probes 100 up and down (in FIG. It can be arranged in two stages (front-back direction).
【００５５】前記支持機構部２２０Ａと桟体２５０との
材料に、シリコンの代わりに、被検査物たるウエハー
（図示省略、図４のウエハー６００と同一）の材料と熱
膨張係数の略同等のものを使用してもよく、その結果も
同様となることは明白であるため、その説明は省略す
る。ただし、支持機構部２２０Ａの材料が絶縁性の低い
ものとなる場合は、上述で説明した絶縁塗布層を必ず支
持機構部２２０Ａに被覆させる点のみ注意を要する。The material of the support mechanism 220A and the bar 250 is substantially the same as the material of the wafer to be inspected (not shown, the same as the wafer 600 of FIG. 4) in place of silicon. May be used, and it is clear that the result is the same, so that the description is omitted. However, in the case where the material of the support mechanism 220A has a low insulating property, it is only necessary to pay attention to the fact that the insulating coating layer described above is always coated on the support mechanism 220A.
【００５６】ところで、従来の技術で説明したプローブ
カードＢ（図４参照）の構造においても、プローブ１０
０の先端部１１０側を支持する支持機構部としてのリン
グ２００（通常アルミナ製）の材料を、被検査物たるウ
エハー６００の材料と同質または熱膨張係数の略同等の
ものに替えてもよい。それにより、リング２００の材料
がアルミナであったときよりも、位置ずれは改善され
る。この際、リング２００と基板３００との相互固定手
段は、エポキシ系接着剤４００の代わりに、締結部品５
１０、５２０とすることが好ましい。Incidentally, even in the structure of the probe card B (see FIG. 4) described in the prior art, the probe 10
The material of the ring 200 (usually made of alumina) as a support mechanism for supporting the front end portion 110 of the “0” may be replaced with a material having the same or substantially the same thermal expansion coefficient as the material of the wafer 600 to be inspected. Thereby, the displacement is improved as compared with the case where the material of the ring 200 is alumina. At this time, the means for fixing the ring 200 and the substrate 300 is different from the epoxy adhesive 400 in that the fastening component 5 is used.
It is preferable to be 10, 520.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るプロ
ーブカードは、プローブの先端部側を支持する支持機構
部の材料に、被検査物たるウエハーの材料と同質または
熱膨張係数の略同等のものを使用したことを特徴とす
る。As described above, in the probe card according to the present invention, the material of the support mechanism for supporting the tip end side of the probe is the same as or substantially the same in thermal expansion coefficient as the material of the wafer to be inspected. Characterized by using
【００５８】よって、本発明に係るプローブカードの場
合は、被検査物たるウエハーと、このウエハー（に設け
られている電極パッド）にコンタクトするプローブ先端
部側が支持されている支持機構部とが、熱膨張係数が同
じまたは略同等であるので、バーン・イン・テストのよ
うなヒートサイクル試験環境下でも、前記コンタクトの
ずれは、ウエハー上の集積回路の電極パッド寸法と比較
して、皆無に近い状態にでき、ヒートサイクル試験にお
いても支障をきたさないようにできる。よって、本発明
に係るプローブカードをプローバに使用すれば、そのプ
ローバは市場要望の強いバーン・イン・テストのような
ヒートサイクル試験環境下でも前記コンタクトずれしな
いかについて心配することなく使用することができる。Therefore, in the case of the probe card according to the present invention, the wafer as the object to be inspected and the supporting mechanism for supporting the probe tip portion contacting the wafer (electrode pads provided on the wafer) are: Since the thermal expansion coefficients are the same or substantially the same, even under a heat cycle test environment such as a burn-in test, the displacement of the contact is almost nil as compared with the electrode pad size of the integrated circuit on the wafer. It can be in a state, and does not hinder the heat cycle test. Therefore, if the probe card according to the present invention is used for a prober, the prober can be used without worrying about whether or not the contact is displaced even in a heat cycle test environment such as a burn-in test that is strongly demanded in the market. it can.
【００５９】また、本発明に係るプローブカードは、複
数のプローブと、これらのプローブの先端部側を支持す
るように固定する支持機構部と、前記プローブの基端部
側が固定される基板部と、この基板部に設けられた開口
部に取り付けられる桟体とを有したプローブカードであ
って、前記支持機構部と桟体との材料に、被検査物たる
ウエハーの材料と同質または熱膨張係数の略同等のもの
を使用すると共に、前記支持機構部と桟体との間、およ
び前記桟体と基板部との間がそれぞれ締結部品で固定さ
れていることを特徴とすることもできる。The probe card according to the present invention comprises a plurality of probes, a support mechanism for fixing the probes so as to support the distal ends thereof, and a substrate for fixing the base end of the probes. A probe card having a bar attached to an opening provided in the substrate, wherein the material of the support mechanism and the bar is made of the same material or coefficient of thermal expansion as the material of the wafer to be inspected. And a structure in which the support mechanism portion and the crosspiece and the crosspiece and the board portion are respectively fixed by fastening components.
【００６０】よって、本発明に係るプローブカードの場
合は、被検査物たるウエハーと、このウエハー（に設け
られている電極パッド）にコンタクトするプローブ先端
部側が支持されている支持機構部と、この支持機構部が
取り付けられている桟体とが、熱膨張係数が同じまたは
略同等であり、且つ支持機構部が桟体経由でしかも締結
部品（が熱膨張係数の差の影響をしなることで減じるよ
うに働く）も介して、熱膨張率の大きく異なる基板部に
取り付けられているので、バーン・イン・テストのよう
なヒートサイクル試験環境下でも、前記コンタクトのず
れは、更に小さくできる。Therefore, in the case of the probe card according to the present invention, a wafer as an object to be inspected, a support mechanism for supporting a probe tip side contacting the wafer (electrode pads provided on the wafer), Since the thermal expansion coefficient is the same or substantially the same as that of the crosspiece to which the support mechanism is attached, and the support mechanism is connected to the crosspiece via the crosspiece and the fastening component (because of the influence of the difference in thermal expansion coefficient). ), The contact displacement can be further reduced even in a heat cycle test environment such as a burn-in test.
【００６１】更に、本発明に係るプローブカードは、前
記基板部の上面側に取り付けられた前記桟体と、前記支
持機構部とが、前記開口部内に略垂線方向に配置される
前記締結部品によって所定の間隔を有しつつ略平行に固
定されることを特徴とすることもできる。Further, in the probe card according to the present invention, the crosspiece attached to the upper surface side of the substrate portion and the support mechanism portion are formed by the fastening components arranged in the opening in a substantially perpendicular direction. It may be characterized in that it is fixed substantially in parallel while having a predetermined interval.
【００６２】よって、本発明に係るプローブカードの場
合は、この構造によって、プローブカード全体の厚みを
従来と同程度としつつ、前記桟体と前記支持機構部との
間に設けられる前記締結部品の露出長さ（前記桟体の下
面から支持機構部の上面までの長さ）を所定の間隔とす
ることができる。また、効率よくしなる締結部品の露出
長さを十分に確保できるので、熱膨張係数の差の影響を
大きく受けることがあったとしても、締結部品が効果的
にしなることでその影響を殆ど減じることができる。つ
まり、プローブカード全体の厚みを従来と同程度としつ
つ、バーン・イン・テストのようなヒートサイクル試験
環境下でも、前記コンタクトのずれは、ウエハー上の集
積回路の電極パッド寸法と比較して、皆無に近い状態に
でき、ヒートサイクル試験においても支障をきたさない
ようにできる。Therefore, in the case of the probe card according to the present invention, by this structure, the thickness of the entirety of the probe card can be made approximately the same as that of the conventional one, and at the same time, the fastening component provided between the crosspiece and the support mechanism can be provided. The exposed length (the length from the lower surface of the crosspiece to the upper surface of the support mechanism) can be set to a predetermined interval. In addition, since the exposed length of the fastening component that improves the efficiency can be sufficiently ensured, even if the influence of the difference in the coefficient of thermal expansion may be greatly affected, the effect is substantially reduced by the effective fastening component. be able to. In other words, even under a heat cycle test environment such as a burn-in test, the displacement of the contact is smaller than the electrode pad dimensions of the integrated circuit on the wafer, while keeping the thickness of the entire probe card at the same level as before. It can be made almost non-existent, and does not hinder the heat cycle test.
【図１】本発明に係るプローブカードの実施の形態を示
す概略的断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of a probe card according to the present invention.
【図２】本発明に係るプローブカードの実施の形態を示
す概略的底面図である。FIG. 2 is a schematic bottom view showing an embodiment of a probe card according to the present invention.
【図３】本発明に係るプローブカードの桟体の実施の形
態を示す概略的斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view showing an embodiment of a crosspiece of the probe card according to the present invention.
【図４】従来のプローブカードおよびその周辺部分を示
す概略的断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a conventional probe card and its peripheral portion.
Ａ プローブカード １００ プローブ ２２０Ａ 支持機構部 A probe card 100 probe 220A support mechanism
Claims (3)
部側を支持する支持機構部の材料に、被検査物たるウエ
ハーの材料と同質または熱膨張係数の略同等のものを使
用したことを特徴とするプローブカード。1. A probe characterized in that a material of a support mechanism for supporting a tip end side of a probe in a probe card is made of the same material or a material having substantially the same thermal expansion coefficient as a material of a wafer to be inspected. card.
先端部側を支持する支持機構部と、前記プローブの基端
部側が固定される基板部と、この基板部に設けられた開
口部に取り付けられる桟体とを有したプローブカードで
あって、 前記支持機構部と桟体との材料に、被検査物たるウエハ
ーの材料と同質または熱膨張係数の略同等のものを使用
すると共に、前記支持機構部と桟体との間、および前記
桟体と基板部との間がそれぞれ締結部品で固定されてい
ることを特徴とするプローブカード。2. A plurality of probes, a support mechanism for supporting the distal ends of these probes, a substrate on which a base end of the probes is fixed, and an attachment provided on an opening provided in the substrate. A probe card having a cross section which is made of the same material as the material of the wafer to be inspected or having substantially the same thermal expansion coefficient as the material of the support mechanism and the cross section. A probe card, wherein a portion between the mechanism portion and the crosspiece and a portion between the crosspiece and the substrate portion are fixed with fastening parts.
記桟体と、前記支持機構部とが、前記開口部内に略垂線
方向に配置される前記締結部品によって所定の間隔を有
しつつ略平行に固定されることを特徴とする請求項２記
載のプローブカード。3. The crosspiece attached to the upper surface side of the substrate portion and the support mechanism portion are formed substantially at a predetermined interval by the fastening components arranged in a substantially perpendicular direction in the opening. The probe card according to claim 2, wherein the probe card is fixed in parallel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25424397A JPH1183901A (en) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | Probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25424397A JPH1183901A (en) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | Probe card |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1183901A true JPH1183901A (en) | 1999-03-26 |
Family
ID=17262274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25424397A Pending JPH1183901A (en) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | Probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1183901A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001228169A (en) * | 2000-02-21 | 2001-08-24 | Micronics Japan Co Ltd | Electrical connector |
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| USRE42115E1 (en) | 2002-11-01 | 2011-02-08 | Tokyo Electron Limited | Mechanism for fixing probe card |
| JP2013137296A (en) * | 2011-12-27 | 2013-07-11 | Renei Kagi Kofun Yugenkoshi | Probe card and manufacturing method of the same |
-
1997
- 1997-09-02 JP JP25424397A patent/JPH1183901A/en active Pending
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