JPH07321168A - Probe card - Google Patents
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- JPH07321168A JPH07321168A JP13795794A JP13795794A JPH07321168A JP H07321168 A JPH07321168 A JP H07321168A JP 13795794 A JP13795794 A JP 13795794A JP 13795794 A JP13795794 A JP 13795794A JP H07321168 A JPH07321168 A JP H07321168A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プローブカードに関す
る。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a probe card.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体プロセス工程で半導体ウエハ上に
多数のＩＣチップを形成した場合には、その半導体ウエ
ハのまま個々のＩＣチップについて電気的特性の検査を
行ない、不良品をスクリーニングするようにしている。
そして、この検査には通常、プローブ装置が用いられて
いる。このプローブ装置は半導体ウエハ上の個々のＩＣ
チップが有する電極パッドにプローブカードのプローブ
針を接触させ、プローブ針から所定の電圧を印加するこ
とにより各ＩＣチップの導通試験などの電気的検査を行
なって個々のＩＣチップが基本的な電気特性を有するか
否かをテスタを介して試験する装置である。2. Description of the Related Art When a large number of IC chips are formed on a semiconductor wafer in a semiconductor process step, individual IC chips of the semiconductor wafer are inspected for electrical characteristics to screen defective products. There is.
A probe device is usually used for this inspection. This probe device is used for individual ICs on a semiconductor wafer.
Each IC chip has basic electrical characteristics by contacting an electrode pad of the chip with a probe needle of a probe card and applying a predetermined voltage from the probe needle to conduct an electrical test such as a continuity test of each IC chip. It is a device that tests whether or not it has a tester.
【０００３】上記プローブ装置は、半導体ウエハ上のＩ
Ｃチップに電圧を印加する試料用電源やＩＣチップから
の出力を測定部に取り込むための入力部などからなるピ
ンエレクトロニクスを有するテストヘッドと、ＩＣチッ
プ上の所定の電極パッドに接触させるプローブ針を有す
るプローブカードと、テストヘッドとプローブ針とを電
気的に接続させるためのポゴピンを有する接続リングと
を備えている。そして、このようなプローブ装置には必
要に応じてリニアマザーボードやパフォーマンスボード
等の中継基板が設けられ、これらの中継基板によりプロ
ーブカードとテスタを電気的に接続するようにしてい
る。そして、半導体ウエハ上のＩＣチップを検査する時
には、プローブ針と電極パッドとの接触位置から更に半
導体ウエハを例えば１００μｍオーバードライブしてプ
ローブ針と電極パッド間の導通を確実なものにして各Ｉ
Ｃチップの電気的特性を検査するようにしている。The above-mentioned probe device has an I
A test head having pin electronics including a sample power source for applying a voltage to the C chip and an input unit for taking the output from the IC chip into the measurement unit, and a probe needle for contacting a predetermined electrode pad on the IC chip. It has a probe card and a connection ring having pogo pins for electrically connecting the test head and the probe needle. Then, such a probe device is provided with a relay substrate such as a linear motherboard or a performance board as required, and the probe card and the tester are electrically connected by these relay substrates. When the IC chip on the semiconductor wafer is inspected, the semiconductor wafer is further overdriven by, for example, 100 μm from the contact position between the probe needle and the electrode pad to ensure the conduction between the probe needle and the electrode pad.
The electrical characteristics of the C chip are inspected.
【０００４】また、従来のプローブカードとしては、例
えば複数のプローブ針がプリント基板の中央開口部から
中心に向けて斜め下方に張り出した単列の片持ち構造に
なったものが広く普及している。このプローブカードを
用いてＩＣチップを検査する場合には、互いに対向する
片持ち構造のプローブ針を２列の電極パッドＰに接触さ
せながら電気的検査を行ない、所定のインデックス送り
を繰り返して全ＩＣチップＴについて検査を行なうよう
にしている。As a conventional probe card, for example, one having a single-row cantilever structure in which a plurality of probe needles project obliquely downward from the central opening of the printed circuit board toward the center is widely used. . When an IC chip is inspected using this probe card, an electrical inspection is performed while contacting the probe needles having a cantilever structure facing each other with the two rows of electrode pads P, and predetermined index feeding is repeated to perform all ICs. The chip T is inspected.
【０００５】一方近年、コンピュータ、パソコン、ワー
プロ等のＯＡ機器が高性能化し、これに伴ってこれらの
機器に用いられるＩＣチップが高集積化、小型化して来
ている。そのため、ＩＣチップの配線の内部抵抗が大き
くなり、機器の使用時にＩＣチップが発熱し易いため、
例えばＩＣチップ内の配線や絶縁が良好でないと使用時
の発熱によりその電気特性を損ねる虞がある。そのた
め、プローブ装置には半導体ウエハを載置する載置台に
は温度調節機構が設けられており、この温度調整機構を
用いることによりＩＣチップが使用されるあらゆる温度
環境を想定して広範な温度範囲、例えば−１０℃〜１５
０℃の温度範囲でＩＣチップの検査を行なえるようにし
てある。On the other hand, in recent years, OA equipment such as computers, personal computers, word processors, etc. have become higher in performance, and accordingly, IC chips used in these equipment have become highly integrated and miniaturized. Therefore, the internal resistance of the wiring of the IC chip increases, and the IC chip easily generates heat when the device is used.
For example, if the wiring and insulation inside the IC chip are not good, there is a risk that the electrical characteristics will be impaired due to heat generation during use. Therefore, the probe apparatus is provided with a temperature adjusting mechanism on the mounting table on which the semiconductor wafer is mounted, and by using this temperature adjusting mechanism, a wide temperature range is assumed assuming all temperature environments in which the IC chip is used. , For example, -10 ° C to 15
The IC chip can be inspected in the temperature range of 0 ° C.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、プロー
ブ装置には上述のように広範な温度範囲で検査できるよ
うな対策が講じられているにも拘らず、従来のプローブ
カード自体には温度対策が殆ど施されていないため、半
導体ウエハを加熱して高温下例えば１５０℃で検査時を
行なうと、その時の半導体ウエハからの放熱によりプロ
ーブカードが加熱され、この加熱によりプリント基板が
熱膨張して撓み、プリント基板に反りを生じて上下方向
で高低差ができ、時にはこの高低差が例えば±２００μ
ｍ前後まで達してプローブ針の針先の平坦度が極端に悪
化することもある。However, even though the probe device is provided with a measure capable of inspecting in a wide temperature range as described above, the conventional probe card itself has almost no measure against temperature. Since it is not applied, when the semiconductor wafer is heated and tested at a high temperature, for example, at 150 ° C., the probe card is heated by the heat radiated from the semiconductor wafer at that time, and the heating causes the printed board to thermally expand and bend. The printed circuit board is warped to cause a height difference in the vertical direction, and this height difference is sometimes ± 200 μ, for example.
The flatness of the tip of the probe needle may be extremely deteriorated after reaching about m.
【０００７】このような熱変形を放置したままＩＣチッ
プの検査を行なうと、半導体ウエハを上述のように１０
０μｍオーバードライブしても検査の場所によってはプ
リント基板の熱変形による針先の高低差を吸収しきれ
ず、ＩＣチップの電極とプローブ針との接触不良が生じ
て正確な検査を行なうことができなかったり、また検査
の場所によってはプローブ針の針圧が過大になりプロー
ブ針やＩＣチップが損傷するなどという課題があった。When the IC chip is inspected while the thermal deformation is left as it is, the semiconductor wafer is subjected to 10 as described above.
Even if overdriving by 0 μm, the height difference of the needle tip due to the thermal deformation of the printed circuit board cannot be absorbed depending on the inspection location, and contact failure between the electrode of the IC chip and the probe needle occurs, making it impossible to perform an accurate inspection. In addition, depending on the location of inspection, the needle pressure of the probe needle becomes excessive and the probe needle and the IC chip are damaged.
【０００８】また、従来のプローブ針はプローブ針が通
常タングステンなどにより作られているため、プローブ
カードを高温下で使用すると、その時の温度によりプロ
ーブ針が昇温して酸化され易くなり、プローブ針の針先
が電極パッドに接触した時の導通性が阻害されるなどと
いう課題があった。Further, in the conventional probe needle, since the probe needle is usually made of tungsten or the like, when the probe card is used at a high temperature, the temperature at that time causes the probe needle to rise in temperature and is easily oxidized. There was a problem that the conductivity was hindered when the needle tip of the above contacted the electrode pad.
【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、温度変化によるプリント基板の熱変形を抑
制すると共にプローブ針の針先の初期の平坦度を維持
し、しかも加熱下におけるプローブ針の酸化を抑制し、
高温下であっても常に精度の高い電気的検査を行なうこ
とができるプローブカードを提供することを目的として
いる。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and suppresses thermal deformation of a printed circuit board due to temperature change, maintains the initial flatness of the probe needle tip, and further, the probe under heating. Suppresses needle oxidation,
An object of the present invention is to provide a probe card that can always perform highly accurate electrical inspection even at high temperatures.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のプローブカードは、プリント基板の配線に接続された
複数のプローブ針と、これらのプローブ針をそれぞれ片
持ちする台座とを備え、上記各プローブ針を被検査体の
所定の電極に接触させて電気的検査を行なうプローブカ
ードにおいて、上記プリント基板の上面に、その中央部
に形成された開口部を被うように熱伝導性に優れた、貫
通孔を有する支持体を設けると共に、この支持体の下面
に上記開口部より小さい上記台座を直付けして上記台座
の外周と上記開口部縁の間に隙間を設けたものである。A probe card according to claim 1 of the present invention comprises a plurality of probe needles connected to the wiring of a printed circuit board, and a pedestal that cantilevers each of these probe needles. In a probe card in which each probe needle is brought into contact with a predetermined electrode of an object to be inspected for an electrical inspection, the upper surface of the printed circuit board is thermally conductive so as to cover an opening formed in the center thereof. An excellent support having a through hole is provided, and the pedestal smaller than the opening is directly attached to the lower surface of the support to provide a gap between the outer periphery of the pedestal and the edge of the opening. .
【００１１】また、本発明の請求項２に記載のプローブ
カードは、プリント基板の配線に接続された複数のプロ
ーブ針と、これらのプローブ針をそれぞれ片持ちする台
座とを備え、上記各プローブ針を被検査体の所定の電極
に接触させて電気的検査を行なうプローブカードにおい
て、上記プリント基板の上面に、その中央部に形成され
た開口部を被うように熱伝導性に優れた、貫通孔を有す
る支持体を設けると共に、この支持体の下面に上記開口
部より小さい台座を直付けして上記台座の外周と上記開
口部縁の間に隙間を設け、且つ、上記各プローブ針の基
部近傍に湾曲部を設けたものである。Further, a probe card according to a second aspect of the present invention comprises a plurality of probe needles connected to the wiring of the printed circuit board and a pedestal that cantilevers each of the probe needles. In a probe card for conducting an electrical inspection by contacting a predetermined electrode of an object to be inspected, the upper surface of the printed circuit board is covered with an opening formed in a central portion thereof, excellent in thermal conductivity, and penetrated. A support having a hole is provided, and a pedestal smaller than the opening is directly attached to the lower surface of the support to provide a gap between the outer periphery of the pedestal and the edge of the opening, and the base of each probe needle. A curved portion is provided in the vicinity.
【００１２】[0012]
【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、例え
ば１５０℃の高温下で被検査体例えば半導体ウエハ上の
ＩＣチップの電気的検査を行なう場合、加熱された半導
体ウエハからの放熱によりプリント基板が熱膨張するこ
とがあっても、プリント基板を支持体により支持してい
るため、プリント基板の熱変形を支持体によって抑制す
ることができる。また、支持体が貫通孔を有し熱伝導性
に優れているため、プリント基板の開口部及び貫通孔を
介して半導体ウエハからの放熱を促進すると共に半導体
ウエハによって加熱される台座及びプローブ針の熱を支
持体を介して速やかに外部へ伝達して放熱し、プローブ
針の昇温を抑制し、もってプローブ針の酸化を抑制する
ことができる。しかも、プローブ針を支持する台座がプ
リント基板から独立しているため、プローブ針の支持部
がプリント基板の熱変形に影響されることがなく、プロ
ーブ針の針先の初期の平坦度を維持することができる。According to the first aspect of the present invention, when an electrical inspection of an object to be inspected, for example, an IC chip on a semiconductor wafer is performed at a high temperature of 150 ° C., heat radiation from the heated semiconductor wafer is performed. Even if the printed circuit board thermally expands due to the above, since the printed circuit board is supported by the support, the thermal deformation of the printed circuit board can be suppressed by the support. In addition, since the support has a through hole and is excellent in thermal conductivity, it promotes heat radiation from the semiconductor wafer through the opening and the through hole of the printed circuit board, and the pedestal and probe needle heated by the semiconductor wafer It is possible to quickly transfer the heat to the outside through the support to radiate the heat, suppress the temperature rise of the probe needle, and thereby suppress the oxidation of the probe needle. Moreover, since the pedestal that supports the probe needle is independent of the printed circuit board, the support portion of the probe needle is not affected by thermal deformation of the printed circuit board and maintains the initial flatness of the probe needle tip. be able to.
【００１３】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、例えば１５０℃の高温下で被検査体例えば半導体
ウエハ上のＩＣチップの電気的検査を行なう場合、加熱
された半導体ウエハからの放熱によりプリント基板が熱
膨張することがあっても、プリント基板を支持体により
支持しているため、プリント基板の熱変形を支持体によ
って抑制することができる。また、支持体が貫通孔を有
し熱伝導性に優れているため、プリント基板の開口部及
び貫通孔を介して半導体ウエハからの放熱を促進すると
共に半導体ウエハによって加熱される台座及びプローブ
針の熱を支持体を介して速やかに外部へ伝達して放熱
し、プローブ針の昇温を抑制し、もってプローブ針の酸
化を抑制することができ、また、プローブ針の基部近傍
が湾曲しているため、プリント基板が熱変形して開口部
端が台座に対して伸縮してもプローブ針の湾曲部で伸縮
を吸収してプローブ針の針先を初期の平坦度に維持する
ことができる。According to the second aspect of the present invention, when an electrical inspection of an object to be inspected, for example, an IC chip on a semiconductor wafer is performed at a high temperature of 150 ° C., the semiconductor wafer is heated. Even if the printed circuit board thermally expands due to the heat radiation, the printed circuit board is supported by the support body, and therefore the thermal deformation of the printed circuit board can be suppressed by the support body. In addition, since the support has a through hole and is excellent in thermal conductivity, it promotes heat radiation from the semiconductor wafer through the opening and the through hole of the printed circuit board, and the pedestal and probe needle heated by the semiconductor wafer The heat can be quickly transmitted to the outside through the support to radiate heat, which can suppress the temperature rise of the probe needle and thus the oxidation of the probe needle, and the vicinity of the base of the probe needle is curved. Therefore, even if the printed circuit board is thermally deformed and the opening end expands and contracts with respect to the pedestal, expansion and contraction can be absorbed by the curved portion of the probe needle, and the probe tip of the probe needle can be maintained at the initial flatness.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、図１〜図６に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。図１に示すプローブ装置は、図示しな
い昇降機構によって昇降可能に構成されたテストヘッド
１と、このテストヘッド１の下方で図示しない装置本体
内に順次配設されたパフォーマンスボード２と、このパ
フォーマンスボード２と接続するようにインサートリン
グ３により支持された接続リング４と、この接続リング
４の下方に配設された本実施例のプローブカード５を備
えている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the embodiments shown in FIGS. The probe device shown in FIG. 1 includes a test head 1 configured to be able to move up and down by a lifting mechanism (not shown), a performance board 2 sequentially arranged in a device body (not shown) below the test head 1, and a performance board 2 of this performance board. A connection ring 4 supported by an insert ring 3 so as to be connected to the connection ring 2, and a probe card 5 of this embodiment arranged below the connection ring 4.
【００１５】上記テストヘッド１の内部には被検査体と
しての半導体ウエハＷ上のＩＣチップに電圧を印加する
試料用電源やＩＣチップからの出力を測定部に取り込む
ための入力部などからなるピンエレクトロニクス６が内
蔵され、このピンエレクトロニクス６はパフォーマンス
ボード２上に搭載された複数の電子部品回路７に対して
電気的に接続されている。これらの電子部品回路７は、
例えばマトリックス・リレー、ドライバ回路等からなる
各種測定回路として構成され、各電子部品回路７の接続
リング４との接続端子８はパフォーマンスボード２の本
体である例えばエポキシ系樹脂製の基板９の下面に例え
ば基板９と同心円をなす４つの円周上に配列されてい
る。また、上記接続リング４の上面には接続端子８に対
応するポゴピン１０が同心円をなすように形成された４
つの円周上に配列され、その下面には各ポゴピン１０に
導通するポゴピン１１が後述する本実施例のプローブカ
ード５の接続端子に対応して設けられている。これによ
りテストヘッド１は、パフォーマンスボード２及び接続
リング４を介してプローブカード５と電気的に接続でき
るように構成されている。Inside the test head 1, a pin including a power source for a sample for applying a voltage to an IC chip on a semiconductor wafer W as an object to be inspected and an input section for taking an output from the IC chip into a measuring section. The electronics 6 are built in, and the pin electronics 6 are electrically connected to a plurality of electronic component circuits 7 mounted on the performance board 2. These electronic component circuits 7 are
For example, it is configured as various measuring circuits including a matrix relay, a driver circuit, etc., and the connection terminals 8 of the electronic component circuits 7 and the connection ring 4 are provided on the lower surface of the main body of the performance board 2, for example, an epoxy resin substrate 9. For example, they are arranged on four circumferences that are concentric with the substrate 9. In addition, pogo pins 10 corresponding to the connection terminals 8 are formed on the upper surface of the connection ring 4 so as to form concentric circles.
Pogo pins 11 which are arranged on one circumference and which are electrically connected to the respective pogo pins 10 are provided on the lower surface corresponding to the connection terminals of the probe card 5 of the present embodiment described later. As a result, the test head 1 is configured to be electrically connectable to the probe card 5 via the performance board 2 and the connection ring 4.
【００１６】本実施例のプローブカード５は、図２〜図
４に示すように、エポキシ系樹脂により円形状に形成さ
れたプリント基板１２と、このプリント基板１２の上面
に取り付けられた細長形状の支持体１３と、この支持体
１３の下面に耐熱性の熱硬化性樹脂により直付けされた
台座１４と、この台座１４により固定、支持された複数
のプローブ針１５とを備えている。As shown in FIGS. 2 to 4, the probe card 5 of this embodiment has a printed board 12 formed in a circular shape by an epoxy resin, and an elongated shape attached to the upper surface of the printed board 12. The support 13 includes a pedestal 14 directly attached to the lower surface of the support 13 with a heat-resistant thermosetting resin, and a plurality of probe needles 15 fixed and supported by the pedestal 14.
【００１７】上記プリント基板１２にはプリント配線１
６が形成され、またその中央には細長矩形状の開口部１
７が形成されている。この開口部１７の周縁部及びプリ
ント基板１２の外周縁部にはプリント配線１６の接続端
子１８がそれぞれ設けられている。プリント基板１２外
周縁部の接続端子１８は、図２に示すように同心円状の
例えば４つの円周上に配列され、図１に示すように接続
リング４下面のポゴピン１１に接続するようになってい
る。A printed wiring 1 is provided on the printed circuit board 12.
6 is formed, and an elongated rectangular opening 1 is formed in the center thereof.
7 are formed. Connection terminals 18 of the printed wiring 16 are provided on the peripheral edge of the opening 17 and the outer peripheral edge of the printed circuit board 12, respectively. The connection terminals 18 on the outer peripheral edge of the printed circuit board 12 are arranged on, for example, four concentric circles as shown in FIG. 2, and are connected to the pogo pins 11 on the lower surface of the connection ring 4 as shown in FIG. ing.
【００１８】上記プリント基板１２を支持する支持体１
３はアルミニウム、銅などの熱伝導性に優れた高剛性材
料によって細長の矩形状に形成され、しかも開口部１７
を被う大きさに形成されている（図３、図４参照）。こ
の支持体１３は、後述の台座１４の熱を迅速に吸収し外
部へ速やかに放熱すると共に、プリント基板１２の温度
変化による撓みなどの熱変形を抑制する役割を有してい
る。従って、支持体１３としては熱膨張率が極力小さい
材料によって形成されていることが好ましく、更に形状
記憶合金によって形成されていることがより好ましい。Support 1 for supporting the printed circuit board 12
3 is an elongated rectangular shape made of a highly rigid material having excellent thermal conductivity such as aluminum and copper, and has an opening 17
Is formed so as to cover (see FIGS. 3 and 4). The support 13 has a role of quickly absorbing heat of a pedestal 14 described later and quickly radiating the heat to the outside, and suppressing thermal deformation such as bending of the printed circuit board 12 due to temperature change. Therefore, the support 13 is preferably made of a material having a thermal expansion coefficient as small as possible, and more preferably made of a shape memory alloy.
【００１９】また、支持体１３には長手方向に２列の貫
通孔１９が形成され、これらの貫通孔１９から装置本体
内の熱を外部へ放熱するようにしている。これらの貫通
孔１９はいずれもプローブ針１５の針先の上方に位置し
ているとが好ましく、このような位置に貫通孔１９を設
けることによって装置本体内の熱が貫通孔１９を介して
外部へ放熱され、この時プローブ針１５近傍で上昇気流
を作り、プローブ針１５の昇温を効率良く抑制できるよ
うになっている。尚、図２、図４において、２０は支持
体１３をプリント基板１２に締結するボルトなどの止め
部材である。Further, two rows of through holes 19 are formed in the support 13 in the longitudinal direction, and the heat in the apparatus main body is radiated to the outside through these through holes 19. It is preferable that all of these through holes 19 are located above the needle tip of the probe needle 15. By providing the through hole 19 at such a position, the heat inside the apparatus main body is externally passed through the through hole 19. Heat is radiated to the probe needle 15, and an ascending air current is generated near the probe needle 15 at this time, so that the temperature rise of the probe needle 15 can be efficiently suppressed. In FIGS. 2 and 4, reference numeral 20 denotes a fastening member such as a bolt for fastening the support 13 to the printed board 12.
【００２０】また、上記台座１４はセラミックス、ガラ
スなどの絶縁性があり且つ熱膨張率が極力小さな耐熱性
材料によって形成されている。更に、この台座１４は、
図３〜図５に示すように、開口部１７よりも小さく形成
され、支持体１３に直付けされた状態でその外周と開口
部１７の端縁の間で隙間δを作る大きさに形成され、プ
リント基板１２からは独立している。そして、プリント
基板１２が熱膨張しても開口部１７が台座１４に接触せ
ず、隙間δが詰まらないようになっている。この台座１
４とプローブ針１５は図５に示すような関係にある。
尚、図５では、説明の都合上、下段のプローブ針１５を
第１プローブ針１５１、上段のプローブ針１５を第２プ
ローブ針１５２として説明する。The pedestal 14 is made of a heat-resistant material such as ceramics and glass which has an insulating property and a coefficient of thermal expansion as small as possible. Furthermore, this pedestal 14 is
As shown in FIGS. 3 to 5, it is formed to be smaller than the opening 17, and is formed in a size that forms a gap δ between its outer periphery and the edge of the opening 17 when directly attached to the support 13. , And is independent of the printed circuit board 12. Even if the printed circuit board 12 thermally expands, the opening 17 does not come into contact with the pedestal 14 so that the gap δ is not blocked. This pedestal 1
4 and the probe needle 15 have a relationship as shown in FIG.
In FIG. 5, for convenience of explanation, the lower probe needle 15 is described as the first probe needle 151, and the upper probe needle 15 is described as the second probe needle 152.
【００２１】図５によれば、台座１４の下面にはその外
側及び内側で第１、第２プローブ針１５１、１５２をそ
れぞれ片持ち状態で支持する第１、第２支持部２１、２
２が設けられ、これらの支持部２１、２２により支持さ
れた第１、第２プローブ針１５１、１５２は台座１４の
内方で且つ斜め下方に向けて延設されている。各プロー
ブ針１５１、１５２の針先は２列に配列された状態で垂
下し、片側で２列の電極パッドＰに対して略垂直に接触
するようになっている。そして、各プローブ針１５１、
１５２は各支持部２１、２２に対して例えば耐熱性の熱
硬化性樹脂２３により固定されている。この熱硬化性樹
脂２３はシリコーン樹脂などの耐熱性に優れた樹脂が好
ましい。また、第２支持部２２で支持された第２プロー
ブ針１５２は第１支持部２１で支持された第１プローブ
針１５１よりも上方にあってこれら両者は互いに平行に
なっている。第２プローブ針１５２の針先は第１プロー
ブ針１５１の針先よりも台座１４の内方まで延設され、
これらは互いに干渉することがなく、台座１４の片側で
２列、両側で４列のＩＣチップＴ（図６の（ａ）参照）
を同時に検査できるようになっている。According to FIG. 5, the lower surface of the pedestal 14 has first and second support portions 21 and 2 for supporting the first and second probe needles 151 and 152 on the outside and inside thereof in a cantilevered state, respectively.
2 are provided, and the first and second probe needles 151 and 152 supported by these support portions 21 and 22 extend inward of the pedestal 14 and obliquely downward. The probe tips of the respective probe needles 151 and 152 hang down in a state of being arranged in two rows, and are in contact with the electrode pads P of the two rows substantially perpendicularly on one side. Then, each probe needle 151,
152 is fixed to each of the support portions 21 and 22 by a heat-resistant thermosetting resin 23, for example. The thermosetting resin 23 is preferably a resin having excellent heat resistance such as silicone resin. Also, the second probe needle 152 supported by the second support portion 22 is above the first probe needle 151 supported by the first support portion 21, and these two are parallel to each other. The needle tip of the second probe needle 152 is extended to the inner side of the pedestal 14 than the needle tip of the first probe needle 151,
These do not interfere with each other, and there are two rows of IC chips T on one side and four rows of IC chips T on both sides of the pedestal 14 (see FIG. 6A).
Can be inspected at the same time.
【００２２】更に、外側の第１支持部２１の内面から張
り出した第１プローブ針１５１の遊端長（第１プローブ
針の第１支持部からの張り出し長さ）ｌ1は、内側の第
２支持部２２の内面から張り出した第２プローブ針１５
２の遊端長（第２プローブ針の第２支持部からの張り出
し長さ）ｌ2と同一長さになるように設定されており、
プローブカード５に半導体ウエハＷをオーバードライブ
した時に各プローブ針１５１、１５２に対して曲げモー
メントが略等しく働き、その結果各プローブ針１５１、
１５２からそれぞれの電極パッドＰに掛る針圧が略等し
くなるようになっている。また、各プローブ針１５１、
１５２の基部近傍には湾曲部２４、２５が形成され、各
湾曲部２４、２５によりプリント基板１２の温度変化に
よる延び縮みを吸収して各プローブ針１５１、１５２に
無理な力が働かないようにしてある。Furthermore, the free end length (length of the first probe needle protruding from the first supporting portion) l 1 of the first probe needle 151 protruding from the inner surface of the outer first supporting portion 21 is equal to the inner second The second probe needle 15 protruding from the inner surface of the support portion 22
2 is set to have the same length as the free end length (overhanging length of the second probe needle from the second support portion) l 2 ,
When the semiconductor wafer W is overdriven on the probe card 5, the bending moments work substantially equal to the probe needles 151 and 152, and as a result, the probe needles 151 and 152,
The stylus pressures applied from 152 to the respective electrode pads P are made substantially equal. In addition, each probe needle 151,
Curved portions 24 and 25 are formed in the vicinity of the base portion of 152, and the curved portions 24 and 25 absorb the expansion and contraction due to the temperature change of the printed circuit board 12 so that an unreasonable force is not applied to the probe needles 151 and 152. There is.
【００２３】また、外側の第１支持部２１は上下の第
１、第２プローブ針１５１、１５２の双方を支持してい
る。即ち、第１支持部２１は上方の第２プローブ針１５
２を支持する位置でその下方部分２６が台座本体から分
割され、台座本体と下方部分２６とで第２プローブ針１
５２を挟持するように下方部分２６が台座本体へ熱硬化
性樹脂２３により互いに接着されて一体化している。第
１支持部２１としては台座本体と下方部分２６とで第２
プローブ針１５２を挟持するタイプ以外にも、例えば第
１支持部２１にこれを斜めに貫通する細孔を設け、この
細孔に第２プローブ針１５２を通すようにしても良い
が、台座１４の製作上は前者のタイプの方が好ましい。Further, the outer first support portion 21 supports both the upper and lower first and second probe needles 151 and 152. That is, the first support portion 21 is the upper second probe needle 15
The lower portion 26 is divided from the pedestal body at a position supporting the second probe needle 1 by the pedestal body and the lower portion 26.
The lower portion 26 is bonded and integrated with the pedestal body by the thermosetting resin 23 so as to sandwich 52. As the first support portion 21, the pedestal body and the lower portion 26 serve as a second support.
In addition to the type in which the probe needle 152 is sandwiched, for example, the first support portion 21 may be provided with a pore penetrating it obliquely, and the second probe needle 152 may be passed through this pore. The former type is preferable in manufacturing.
【００２４】さて、上記プローブカード５に対して半導
体ウエハＷをアライメントするアライメント機構につい
て再び図１を参照しながら説明する。上述のプローブカ
ード５の下方には同図に示すように略円形状のステージ
２７が設けられ、このステージ２７の上面に配設された
ウエハチャック２８により半導体ウエハＷを水平に保持
するようになっている。このウエハチャック２８の内部
には加熱装置２９及び冷却媒体の循環路３０が温度調整
機構として設けられ、検査時に必要に応じて加熱装置２
９により半導体ウエハＷを例えば１５０℃まで加熱で
き、また循環路３０を流れる冷却媒体により半導体ウエ
ハＷを例えば−１０℃まで冷却できるようになってい
る。Now, the alignment mechanism for aligning the semiconductor wafer W with respect to the probe card 5 will be described with reference to FIG. 1 again. A substantially circular stage 27 is provided below the probe card 5 as shown in the figure, and a semiconductor wafer W is held horizontally by a wafer chuck 28 provided on the upper surface of the stage 27. ing. A heating device 29 and a circulation path 30 for a cooling medium are provided as a temperature adjusting mechanism inside the wafer chuck 28, and the heating device 2 is provided as necessary during inspection.
9, the semiconductor wafer W can be heated to, for example, 150 ° C., and the cooling medium flowing through the circulation path 30 can cool the semiconductor wafer W to, for example, −10 ° C.
【００２５】また、上記ステージ２７はウエハチャック
２８を水平方向、上下方向及びθ方向で駆動させる駆動
機構（図示せず）を有し、半導体ウエハＷのアライメン
ト時に駆動機構の駆動によりステージ２７がレール３
１、３２上でＸ、Ｙ方向へ移動すると共にウエハチャッ
ク２８がθ方向で回転し、更に、上下方向へ昇降するよ
うになっている。更に、ウエハチャック２８にはターゲ
ット板３３が取り付けられており、その上方に配設され
た光学的撮像装置３４、３５及び静電容量センサ３６に
よりターゲット板３３及び所定のＩＣチップＴを検出
し、この検出信号に基づいてプローブカード５と半導体
ウエハＷ上のＩＣチップの位置を演算するようになって
いる。そして、この演算結果に基づいてステージ２７の
駆動機構が駆動制御されて半導体ウエハＷ上の検査すべ
きＩＣチップをプローブカード５にアライメントするよ
うにしてある。The stage 27 has a drive mechanism (not shown) for driving the wafer chuck 28 in the horizontal direction, the vertical direction and the θ direction, and the stage 27 is driven by the drive mechanism when the semiconductor wafer W is aligned. Three
The wafer chuck 28 moves in the X and Y directions on the Nos. 1 and 32, rotates in the θ direction, and further moves up and down. Further, a target plate 33 is attached to the wafer chuck 28, and the target plate 33 and a predetermined IC chip T are detected by the optical image pickup devices 34 and 35 and the capacitance sensor 36 arranged above the target plate 33, The positions of the probe card 5 and the IC chip on the semiconductor wafer W are calculated based on this detection signal. Then, the drive mechanism of the stage 27 is drive-controlled on the basis of this calculation result so that the IC chip to be inspected on the semiconductor wafer W is aligned with the probe card 5.
【００２６】次に、動作について説明する。例えば１５
０℃の温度下で半導体ウエハＷの電気的検査を行なう場
合には、加熱装置２９を作動させ半導体ウエハＷを加熱
し、例えば１５０℃に温度設定し、その温度を維持す
る。次いで、ターゲット板３３、光学的撮像装置３４、
３５及び静電容量センサ３６などから得られた検出デー
タに基づいてステージ２７が駆動して半導体ウエハＷを
プローブカード５に対してアライメントする。Next, the operation will be described. For example, 15
When the semiconductor wafer W is electrically inspected at a temperature of 0 ° C., the heating device 29 is operated to heat the semiconductor wafer W, and the temperature is set to 150 ° C., for example, and the temperature is maintained. Then, the target plate 33, the optical imaging device 34,
The stage 27 is driven based on the detection data obtained from the sensor 35 and the capacitance sensor 36, and the semiconductor wafer W is aligned with the probe card 5.
【００２７】アライメント終了後、テストヘッド１を下
降させると共にプローブカード５を上昇させる。これに
よりパフォーマンスボード２下面の接続端子８が接続リ
ング４上面のポゴピン１０と電気的に接続されると共
に、プローブカード５の接続端子１８が接続リング４下
面のポゴピン１１と電気的に接続される。その結果、テ
ストヘッド１のピンエレクトロニクス６とパフォーマン
スボード２の電子部品回路７が電気的に接続され、更に
これらは接続リング４のポゴピン１０、１１を介してプ
ローブカード５の接続端子１８に電気的に接続され、ピ
ンエレクトロニクス６とプローブ針１５とが導通可能な
状態になる。その後、ウエハチャック２８を上昇させて
図５に示すように半導体ウエハＷ上のＩＣチップＴの各
電極Ｐにプローブ針１５の針先を接触させ、更にウエハ
チャック２８を所定量オーバードライブさせてプローブ
針１５と電極パッドＰとを導通可能な状態にする。After the alignment is completed, the test head 1 is lowered and the probe card 5 is raised. As a result, the connection terminals 8 on the lower surface of the performance board 2 are electrically connected to the pogo pins 10 on the upper surface of the connection ring 4, and the connection terminals 18 of the probe card 5 are electrically connected to the pogo pins 11 on the lower surface of the connection ring 4. As a result, the pin electronics 6 of the test head 1 and the electronic component circuit 7 of the performance board 2 are electrically connected, and these are electrically connected to the connection terminal 18 of the probe card 5 via the pogo pins 10 and 11 of the connection ring 4. And the pin electronics 6 and the probe needle 15 are brought into a conductive state. Thereafter, the wafer chuck 28 is raised to bring the probe tips of the probe needles 15 into contact with the respective electrodes P of the IC chip T on the semiconductor wafer W, and the wafer chuck 28 is overdriven by a predetermined amount as shown in FIG. The needle 15 and the electrode pad P are brought into a conductive state.
【００２８】この状態でテストヘッド１から所定の電気
信号を送信し、パフォーマンスボード２、接続リング４
及びプローブ針１５及び電極パッドＰを介してＩＣチッ
プＴに電気信号を入力すると、この入力信号に基づいた
出力信号がＩＣチップＴから接続リング４及びパフォー
マンスボード２の電子部品回路７を介してピンエレクト
ロニクス６に取り込まれ、ＩＣチップＴの電気的検査が
行なわれる。このようにウエハチャック２８内の加熱装
置２９により半導体ウエハＷを例えば１５０℃に設定維
持した高温下でＩＣチップＴの電気的検査を行なうた
め、ＩＣチップＴについて信頼性の高い電気的検査を行
なうことができる。また、本実施例のプローブカード５
を用いれば上述のように片側で２列、両側で４列の電極
パッドＰに接触するプローブ針１５１、１５２を有して
いるため、例えば図６の（ａ）で示すように４列のＩＣ
チップＴにプローブ針１５１、１５２を同時に立てて検
査することができる。しかし、従来のプローブカードの
場合には、例えば同図の（ｂ）で示すように２列のＩＣ
シップＴにしかプローブ針を立てることができず、本実
施例と比較して一度で半分の個数しか検査することがで
きない。In this state, a predetermined electric signal is transmitted from the test head 1, the performance board 2 and the connection ring 4 are connected.
When an electric signal is input to the IC chip T via the probe needle 15 and the electrode pad P, an output signal based on this input signal is output from the IC chip T to the pin via the connection ring 4 and the electronic component circuit 7 of the performance board 2. It is taken into the electronics 6 and the IC chip T is electrically inspected. As described above, since the semiconductor wafer W is electrically inspected by the heating device 29 in the wafer chuck 28 at a high temperature of 150 ° C., the IC chip T is electrically inspected with high reliability. be able to. In addition, the probe card 5 of this embodiment
Since the probe needles 151 and 152 that contact the electrode pads P in two rows on one side and four rows on both sides are used as described above, for example, as shown in FIG.
The probe needles 151 and 152 can be simultaneously placed upright on the chip T for inspection. However, in the case of the conventional probe card, for example, as shown in FIG.
The probe needle can be set only on the ship T, and only half the number can be inspected at one time as compared with the present embodiment.
【００２９】このような高温下で検査すると、プローブ
カード５が半導体ウエハＷに近接しているため、検査時
に加熱された半導体ウエハＷからの放熱によりプローブ
カード５が加熱され、昇温する。これにより、プリント
基板１２が熱膨張してプリント基板１２が撓み、これに
反りが生じようとするが、本実施例では、プリント基板
１２を支持体１３により支持しているため、この支持体
１３によってプリント基板１２の反りを従来の１／５〜
１／３に抑制することができる。従って、従来のプロー
ブカードであれば、プリント基板が熱変形して撓むと、
安定するまでに２〜５分掛り、１枚の半導体ウエハＷ毎
に２〜５分のロスタイムがあったが、本実施例では常に
プローブ針の針先の平坦度が維持されているため、この
ようなロスタイムがなく検査のスループットを格段に高
めることができる。When the inspection is performed at such a high temperature, the probe card 5 is close to the semiconductor wafer W, so that the probe card 5 is heated by the heat radiation from the semiconductor wafer W heated at the time of the inspection, and the temperature rises. As a result, the printed circuit board 12 thermally expands, and the printed circuit board 12 bends and tends to warp. However, in the present embodiment, since the printed circuit board 12 is supported by the support body 13, this support body 13 is used. The warp of the printed circuit board 12 is reduced to 1/5 of the conventional one.
It can be suppressed to 1/3. Therefore, in the case of the conventional probe card, when the printed board is thermally deformed and bent,
It takes 2 to 5 minutes to stabilize, and there is a loss time of 2 to 5 minutes for each semiconductor wafer W. However, in this embodiment, the flatness of the probe tip is always maintained. There is no such loss time, and the inspection throughput can be significantly increased.
【００３０】また、支持体１３には貫通孔１９が設けら
れているため、貫通孔１９を介して装置本体内の熱を外
部へ放熱し、この際にプローブ針１５近傍で上昇気流を
作り、プローブ針１５の昇温を抑制することができる。
また、台座１４が熱伝導性に優れた支持体１３に直付け
されているため、半導体ウエハＷにより加熱された台座
１４及びプローブ針１５の熱を支持体１３を介して速や
かに外部へ伝達して放熱し、プローブ針１５の昇温を更
に抑制することができる。Further, since the support body 13 is provided with the through hole 19, the heat inside the apparatus main body is radiated to the outside through the through hole 19, and at this time, an ascending air current is generated in the vicinity of the probe needle 15, The temperature rise of the probe needle 15 can be suppressed.
Further, since the pedestal 14 is directly attached to the support 13 having excellent thermal conductivity, the heat of the pedestal 14 and the probe needle 15 heated by the semiconductor wafer W is quickly transmitted to the outside through the support 13. The temperature of the probe needle 15 can be further suppressed by radiating heat.
【００３１】また、台座１４外周とプリント基板１２の
開口部１７の縁部との間に隙間δがあって台座１４がプ
リント基板１２から独立しているため、プリント基板１
２の熱膨張の影響を台座１４に及ぼすことがなく、プロ
ーブ針１５の針先の初期の平坦度を維持できる。更に、
プローブ針１５の基部近傍には湾曲部２４、２５が設け
られているため、プリント基板１２の熱膨張により押し
付けられたりしても湾曲部２４、２５でこの時の力を吸
収することができる。Further, since there is a gap δ between the outer periphery of the pedestal 14 and the edge of the opening 17 of the printed circuit board 12, the pedestal 14 is independent of the printed circuit board 12, and thus the printed circuit board 1
It is possible to maintain the initial flatness of the probe tip of the probe needle 15 without affecting the pedestal 14 due to the thermal expansion of No. 2. Furthermore,
Since the curved portions 24 and 25 are provided in the vicinity of the base portion of the probe needle 15, even if the curved portions 24 and 25 are pressed by the thermal expansion of the printed circuit board 12, the force at this time can be absorbed.
【００３２】以上説明したように本実施例によれば、プ
リント基板１２を支持体１３により支持しているため、
この支持体１３によってプリント基板１２の反りを抑制
することができる。また、この支持体１３が貫通孔１９
を有し熱伝導性に優れており、この支持体１３に台座１
４が直付けされているため、内部の熱を貫通孔１９から
外部へ速やかに放熱し、しかも半導体ウエハＷにより加
熱された台座１４及びプローブ針１５の熱を支持体１３
を介して速やかに外部へ伝達してプローブ針１５の昇温
を抑制し、延いてはプローブ針の酸化を抑制することが
できる。従って、高温検査時であってもプローブ針１５
を半導体ウエハＷ上の電極パッドに対して、その場所に
関係なく均等に電気的な接続を得ることができ、針先の
Ｘ、Ｙ、Ｚ方向への位置ずれなく正確な検査を行なうこ
とができる。As described above, according to this embodiment, since the printed circuit board 12 is supported by the support 13,
The support 13 can suppress the warp of the printed circuit board 12. In addition, the support 13 has a through hole 19
It has excellent heat conductivity and has a pedestal 1 on this support 13.
Since 4 is directly attached, the internal heat is quickly radiated to the outside from the through hole 19, and the heat of the pedestal 14 and the probe needle 15 heated by the semiconductor wafer W is also transferred to the support 13.
It is possible to quickly transmit the temperature to the outside through the probe to suppress the temperature rise of the probe needle 15, and thus to suppress the oxidation of the probe needle. Therefore, even during the high temperature inspection, the probe needle 15
With respect to the electrode pads on the semiconductor wafer W, electrical connection can be evenly obtained irrespective of their locations, and accurate inspection can be performed without displacement of the needle tip in the X, Y, and Z directions. it can.
【００３３】また、本実施例によれば、台座１４外周と
プリント基板１２の開口部１７の縁部との間に隙間δが
あって台座１４がプリント基板１２から独立しているた
め、プリント基板１２の熱膨張の影響を台座１４及びプ
ローブ針１５が受けることがなく、プローブ針１５の針
先の平坦度を±１０μｍの範囲内に維持できる。更に、
プローブ針１５の基部近傍には湾曲部２４、２５が設け
られているため、プリント基板１２の熱膨張により押し
付けられたりしても湾曲部２４、２５でこの時の力を吸
収してプリント基板１２の熱膨張による影響がなくプロ
ーブ針１５の針先を一定の平坦度に維持することができ
る。Further, according to the present embodiment, since there is a gap δ between the outer periphery of the pedestal 14 and the edge of the opening 17 of the printed circuit board 12, the pedestal 14 is independent of the printed circuit board 12, and thus the printed circuit board 12 is independent. The pedestal 14 and the probe needle 15 are not affected by the thermal expansion of 12, and the flatness of the probe tip of the probe needle 15 can be maintained within a range of ± 10 μm. Furthermore,
Since the curved portions 24 and 25 are provided in the vicinity of the base portion of the probe needle 15, even if the curved portions 24 and 25 are pressed by the thermal expansion of the printed circuit board 12, the curved portions 24 and 25 absorb the force at this time and the printed circuit board 12 is absorbed. The probe tip of the probe needle 15 can be maintained at a constant flatness without being affected by the thermal expansion of the.
【００３４】尚、上記実施例では、支持体１３に細長形
状の貫通孔１９を設けたものについて説明したが、この
貫通孔は円形状のものを縦列に配列したものであっても
良く、また、支持体に放熱フィンを設けて放熱性を更に
高めるようにしても良い。また、上記実施例ではプロー
ブ針を上下２段で支持したものについて説明したが、１
段で支持したものあるいは３段以上で支持したものであ
っても良い。In the above embodiment, the support 13 is provided with the elongated through-holes 19, but the through-holes may be circular ones arranged in a column. The support may be provided with heat dissipation fins to further improve heat dissipation. Further, in the above-mentioned embodiment, the description has been given of the case where the probe needles are supported in the upper and lower two stages.
It may be supported in steps or may be supported in three or more steps.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１に
記載の発明によれば、プローブカードのプリント基板の
上面に、その中央部に形成された開口部を被うように熱
伝導性に優れた、貫通孔を有する支持体を設けると共
に、この支持体の下面に開口部より小さい台座を直付け
したため、温度変化によるプリント基板の熱変形を抑制
すると共にプローブ針の針先の初期の平坦度を維持し、
しかも加熱下におけるプローブ針の酸化を抑制し、高温
下であっても常に精度の高い電気的検査を行なうことが
できるプローブカードを提供することができる。As described above, according to the invention described in claim 1 of the present invention, the thermal conductivity is such that the upper surface of the printed board of the probe card covers the opening formed in the central portion thereof. In addition to providing an excellent support with through holes, and directly mounting a pedestal smaller than the opening on the lower surface of this support, thermal deformation of the printed circuit board due to temperature change is suppressed and the initial needle tip of the probe needle Maintain flatness,
Moreover, it is possible to provide a probe card that suppresses oxidation of the probe needle under heating and can always perform highly accurate electrical inspection even at high temperature.
【００３６】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、プリント基板の上面に、その中央部に形成された
開口部を被うように熱伝導性に優れた、貫通孔を有する
支持体を設けると共に、この支持体の下面に開口部より
小さい台座を直付けして台座の外周と開口部縁の間に隙
間を設け、且つ、各プローブ針の基部近傍に湾曲部を設
けたため、温度変化によるプリント基板の熱変形を抑制
すると共にプリント基板の熱変形による影響を台座及び
プローブ針に及ぼすことなくプローブ針の針先の初期の
平坦度をより確実に維持し、しかも加熱下におけるプロ
ーブ針の酸化を抑制し、高温下であっても常に精度の高
い電気的検査を行なうことができるプローブカードを提
供することができる。According to the second aspect of the present invention, the upper surface of the printed circuit board has a through hole which is excellent in thermal conductivity so as to cover the opening formed in the center thereof. Since a support is provided, a pedestal smaller than the opening is directly attached to the lower surface of the support to provide a gap between the outer periphery of the pedestal and the edge of the opening, and a curved portion is provided near the base of each probe needle. , It suppresses the thermal deformation of the printed circuit board due to the temperature change and more reliably maintains the initial flatness of the probe needle tip without affecting the pedestal and probe needle due to the thermal deformation of the printed circuit board, and further, under heating. It is possible to provide a probe card that suppresses oxidation of probe needles and can always perform highly accurate electrical inspection even at high temperatures.
【図１】本発明のプローブカードの一実施例を適用した
プローブ装置の要部を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a main part of a probe device to which an embodiment of a probe card of the present invention is applied.
【図２】図１に示す本実施例のプローブカードの上面を
示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an upper surface of the probe card of the present embodiment shown in FIG.
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ方向の断面図である。3 is a sectional view taken along the line III-III in FIG.
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ方向の断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
【図５】図３に示すプローブカードの要部を拡大して示
す断面図である。5 is a cross-sectional view showing an enlarged main part of the probe card shown in FIG.
【図６】プローブカードにより一度で検査できるＩＣチ
ップの配列を示す平面図で、同図（ａ）は図２に示すプ
ローブカードにより検査する場合のＩＣチップの配列を
示す図、同図（ｂ）は従来のプローブカードにより検査
する場合のＩＣチップの配列を示す図である。6 is a plan view showing an arrangement of IC chips that can be inspected at once by a probe card, and FIG. 6A is a diagram showing an arrangement of IC chips when inspecting by the probe card shown in FIG. 2; 8] is a diagram showing an arrangement of IC chips in the case of inspecting with a conventional probe card.
５ プローブカード １２ プリント基板 １３ 支持体 １４ 台座 １５ プローブ針 １６ プリント配線 １７ 開口部 ２４ 湾曲部 ２５ 湾曲部 １５１ プローブ針 １５２ プローブ針 Ｗ 半導体ウエハ Ｔ ＩＣチップ Ｐ 電極パッド 5 Probe Card 12 Printed Circuit Board 13 Support 14 Pedestal 15 Probe Needle 16 Printed Wiring 17 Opening 24 Curved Part 25 Curved Part 151 Probe Needle 152 Probe Needle W Semiconductor Wafer T IC Chip P Electrode Pad
Claims (2)
プローブ針と、これらのプローブ針をそれぞれ片持ちす
る台座とを備え、上記各プローブ針を被検査体の所定の
電極に接触させて電気的検査を行なうプローブカードに
おいて、上記プリント基板の上面に、その中央部に形成
された開口部を被うように熱伝導性に優れた、貫通孔を
有する支持体を設けると共に、この支持体の下面に上記
開口部より小さい上記台座を直付けしたことを特徴とす
るプローブカード。1. A plurality of probe needles connected to a wiring of a printed circuit board, and a pedestal that cantilevers each of these probe needles. The probe needles are brought into contact with a predetermined electrode of an object to be inspected to generate electricity. In a probe card for performing a dynamic inspection, a support having a through hole having excellent thermal conductivity is provided on the upper surface of the printed circuit board so as to cover an opening formed in the center thereof, and the support is A probe card characterized in that the pedestal smaller than the opening is directly attached to the lower surface.
プローブ針と、これらのプローブ針をそれぞれ片持ちす
る台座とを備え、上記各プローブ針を被検査体の所定の
電極に接触させて電気的検査を行なうプローブカードに
おいて、上記プリント基板の上面に、その中央部に形成
された開口部を被うように熱伝導性に優れた、貫通孔を
有する支持体を設けると共に、この支持体の下面に上記
開口部より小さい台座を直付けして上記台座の外周と上
記開口部縁の間に隙間を設け、且つ、上記各プローブ針
の基部近傍に湾曲部を設けたことを特徴とするプローブ
カード。2. A plurality of probe needles connected to the wiring of a printed circuit board, and a pedestal that cantilevers each of these probe needles. The probe needles are brought into contact with a predetermined electrode of an object to be inspected to generate electricity. In a probe card for performing a dynamic inspection, a support having a through hole having excellent thermal conductivity is provided on the upper surface of the printed circuit board so as to cover an opening formed in the center thereof, and the support is A probe characterized in that a pedestal smaller than the opening is directly attached to the lower surface to provide a gap between the outer periphery of the pedestal and the edge of the opening, and a curved portion is provided near the base of each probe needle. card.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13795794A JPH07321168A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13795794A JPH07321168A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Probe card |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321168A true JPH07321168A (en) | 1995-12-08 |
Family
ID=15210681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13795794A Pending JPH07321168A (en) | 1994-05-27 | 1994-05-27 | Probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07321168A (en) |
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