JPH1174455A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】シールドケースの接合構造に改良を加え、シー
ルドケースの接合工程が非常に簡略化され、且つ小型・
軽量化となり、動作的にも安定する電子部品を提供す
る。 【解決手段】アース電位の容器２３を有する電子部品素
子２が搭載された基板１上に、前記電子部品素子２を被
覆し、且つ前記電子部品素子２の容器の一部２３と溶融
接合されるシールドケース４を被覆した電子部品であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シールドケースを
有する電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、シールドケースを有する電子部品
としては、例えば、温度補償型水晶発振器、携帯用通信
機器に用いられる周波数選択装置など広く知られてい
る。

【０００３】このような電子部品である例えば温度補償
型水晶発振器は、気密容器を有する水晶振動子を振動
部、主に温度感応素子、抵抗、コンデンサからなる温度
補償回路、主にトランジスタからなる発振回路、主にコ
ンデンサからなる周波数調整回路を構成されている。例
えば、図７に示す電子部品７０は、セラミックやガラス
エポキシなどの実装基板７１上に、水晶振動子を含む上
述の各回路を構成する電子部品素子３が搭載され、これ
ら電子部品素子３が金属製のシールドケース７２に覆わ
れている。

【０００４】このようなシールドケース７２は、底面が
開口した筐体状を成し、少なくとも表面が半田接合可能
な金属材料から成っている。そして、シールドケース７
２の底面開口近傍の一部が実装基板７１の側面や表面周
囲に形成したアース電位の電極パターン７３と半田７４
を介して接合されて、実装基板７１とシールドケース７
２とが電気的、機械的に接合されていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このようなシールドケ
ース７２を実装基板７１に接合するためには、上述のよ
うに実装基板７１の側面や表面周囲にアース電位の電極
パターン７３を形成しなくてはならず、基板に形成する
配線パターンの引回しに制約が発生してしまい、シール
ドケース７２を有する電子部品全体が大型化してしま
う。同時に、シールドケース７２の半田付けの際、溶融
した半田７４がアース電位以外の配線パターンに接触
し、電気的ショートを引き起こし、他の電子部品素子３
を破壊したり、溶融した半田が不要な部分、例えば基板
の底面側にまで広がってしてまい、電子部品をプリント
配線基板上に実装する際の支障となったり、完成品外形
寸法等を要求寸法から外れたりすることがある。

【０００６】また、シールドケース７２を実装基板７１
の所定位置に配置するために、基板７１の一部とシール
ドケース７２の一部が互いに嵌合しあう構造を設けて、
仮保持される必要があり、実装基板７１の加工、シール
ドケース７２の加工が難しく、高価なものとなる。

【０００７】さらに、シールドケース７２と実装基板７
１とを半田７４を用いて接合するため、糸半田を用いる
場合には、その接合作業が煩雑となり、また、クリーム
半田などを用いる場合には、実装基板７１上に搭載した
電子部品素子３に熱履歴回数が増加して、電子部品素子
３自身の特性が不安定となってしまう。

【０００８】さらに、シールドケース７２は実装基板７
１上に搭載された電子部品素子３の上面とシールドケー
ス７２の天井面との最小間隔が１５０μｍ以上に保たれ
ていたため、通信機器等などの小型の要求に充分に応え
ることができない構造であった。これは、電子部品素子
３とシールドケース７２の近接部分は、シールドケース
７２がアース電位と接続する部分（シールドケース７２
の底面開口周囲の一部）から離れた部分となってしまう
ため、電子部品素子３とシールドケース７２との間で浮
遊容量成分が発生し易くなっている。この浮遊容量成分
の影響を抑えるため、電子部品素子３の上面とシールド
ケース７２の天井面との最小間隔が１５０μｍ以上に保
たれていた。

【０００９】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、シールドケースの接合構造に
改良を加え、シールドケースの接合工程が非常に簡略化
され、且つ小型・軽量化となる電子部品を提供するもの
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
電子部品素子が搭載された基板上に、前記電子部品素子
を被覆し、且つ前記電子部品素子の容器の一部と溶融接
合されるシールドケースを配置したことを特徴とする電
子部品である。

【００１１】第２の発明は、前記シールドケースの前記
容器との溶融接合領域に、内部側に凹んだ窪み部又は貫
く貫通孔が形成されており、該窪み部又は貫通孔でシー
ルドケースと前記容器との溶融接合が行われている電子
部品である。

【００１２】尚、電子部品素子の容器は、それを構成す
る蓋体や全体が回路基板上の動作中、アース電位となっ
ていることが望ましい。また、上述の溶融接合は、シー
ルドケースと電子部品素子のとが密接している状態で、
この密接部分にスポット的にエネルギービーム、例えば
レーザーを照射して、少なくともシールドケースの材料
が溶融する程度の高温にして、両者を接合するものであ
る。

【００１３】

【作用】本発明の第１の発明によれば、シールドケース
は、基板に搭載された電子部品素子の容器に溶融接合さ
れている。即ち、従来のように、シールドケースを、基
板に半田接合する必要がないため、この半田接合による
種々の問題点を一掃できる。

【００１４】例えば構造的には、基板にシールドケース
と接合する電極パターンを形成する必要がなくなり、基
板上の配線パターンの引回し自由度が向上し、電子部品
全体の小型化が可能となる。

【００１５】また、シールドケースの半田付けの際、溶
融した半田による配線パターンとの短絡が一切なくなる
ため、特性の信頼性の高い電子部品となる。また、電子
部品をプリント配線基板上に実装する際の支障が発生し
たりすることがなく、外形寸法が非常に安定化する。

【００１６】また、半田接合による困難な作業がなくな
り、シールドケースの接合作業が容易になったり、電子
部品素子に熱履歴回数が減少して特性が安定する。

【００１７】シールドケースや基板の構造が簡素化し、
基板の加工、シールドケースの加工が容易となる。

【００１８】基板上に搭載される電子部品の素子のうち
シールドケースと溶融接合する電子部品素子が搭載高さ
が最も高い場合には、電子部品素子とシールドケースと
の間隔を実質的に皆無とすることができるため、非常に
低背化の電子部品となる。

【００１９】同時に、他の電子部品素子とシールドケー
スとの間が近接しても、この電子部品素子の容器をアー
ス電位にしておけば、溶融接合された部位がアース電位
に接続する部位となるため、他の電子部品素子とシール
ドケースとの間の浮遊容量成分の発生を有効に抑えるこ
とができるため、特性的に安定した電子部品となる。

【００２０】また、第２の発明では、前記シールドケー
スの前記電子部品素子の容器との溶融接合領域には、少
なくともシールドケースの内部に凹んだ窪み部又はシー
ルドケースの厚みを貫く貫通孔が形成されているととも
に、該窪み部又は貫通孔でシールドケースと前記電子部
品素子の容器との溶融接合が行われている。

【００２１】上述のように、シールドケースの、電子部
品素子の容器の一部との溶融接合部分が、内部に向かっ
て窪んでいるため、この窪み部分がシールドケースの天
井面の最下部分となる。従って、シールドケースの天井
面が、加工精度や熱的な変形、反りが発生しても、この
窪み部分で確実に電子部品素子の容器の一部に接触させ
ることができる。即ち、シールドケースの上面側から窪
み部分に、少なくともシールドケースと電子部品素子の
容器とが溶融接合できるレーザーなどのエネルギービー
ムを照射すれば、確実な溶融接合が達成できる。

【００２２】尚、基板に搭載されている電子部品素子の
うち、溶融接合される電子部品素子の高さが最も高く無
い場合には、シールドケースに窪み部を形成して、強制
的に接合用電子部品素子と溶融接合させることができ
る。

【００２３】また、貫通孔を形成している場合には、窪
み部同様、レーザーなどのエネルギービームの照射位置
を特定することができ、しかも、溶融接合状態を目視で
確認することができる。

【００２４】何れにしても、第２の発明によれば、非常
に安定した溶融接合が可能となる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品を図面に
基づいて詳説する。

【００２６】図１は、本発明の電子部品の外観斜視図で
あり、図２はその断面図である。

【００２７】ここで、本発明の電子部品とは、１つの基
板（実装基板）に、コンデンサ、抵抗トランジスタ、Ｉ
Ｃ素子、水晶振動子、ＳＡＷフィルタなどの電子部品素
子を搭載して、所定動作を行わせる部品（モジール）を
言う。

【００２８】尚、以下の説明では、電子部品として温度
補償型水晶発振器を例にして説明する。即ち、電子部品
素子とは、温度補償型水晶発振器を構成する水晶振動
子、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、トランジスタとな
る。

【００２９】図において、１０は温度補償型水晶発振器
（電子部品）であり、１は実装基板、２、３は、水晶振
動子、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、トランジスタな
どの電子部品素子、４はシールドケースである。

【００３０】実装基板１は、単板構造、内部に所定配線
導体が形成された多層構造のセラミック基板、ガラスエ
ポキシ基板などの基板１１と、少なくとも基板１１の表
面に形成され、所定回路を構成する配線パターン１２
と、基板１１の底面や側面に形成され、配線パターン１
２に接続された端子電極１３とから構成されている。

【００３１】このような実装基板１は、公知の多層配線
基板、厚膜回路基板、ガラスエポキシ基板の製造方法に
よって作成される。

【００３２】電子部品素子２、３は、温度補償型水晶発
振器の概略回路構成、即ち、水晶振動子部、温度補償回
路部、周波数調整回路部、発振・増幅回路部を構成する
各種電子部品素子となる。例えば、水晶振動子部にあっ
ては、金属製気密容器や、金属蓋体を有する気密容器に
水晶振動片を収容した水晶振動子が例示でき、温度補償
回路部にあっては、コンデンサ、抵抗、サーミスタが例
示でき、周波数調整回路部にあっては、コンデンサが例
示でき、発振・増幅回路部にあっては、トランジスタ、
コンデンサ、抵抗、インダクタンス素子などが例示でき
る。

【００３３】これらの電子部品素子のうち、特に重要な
電子部品素子は、容器の一部がアース電位にして使用さ
れる電子部品素子２であり、上述の例示では水晶振動子
である。尚、その他の電子部品素子は、その周囲が絶縁
材料で保護被覆されているものが多く、これらを電子部
品素子３という。

【００３４】ここで、水晶振動子（接合用電子部品素
子）２について説明すると、水晶振動子２の気密容器の
種類も様々存在する。図では、実装基板１上に表面実装
されるＳＭＤパッケージを有する水晶振動子が用いられ
ている。

【００３５】水晶振動子（接合用電子部品素子）２は、
図３に示すように、底面から平板状セラミック層、水晶
振動片載置用枠状セラミック層、水晶振動片収納空間用
枠状セラミック層が積層された筺体状容器２１と、水晶
振動片２２、Ｆｅ−Ｎｉ合金（コバール）などの金属蓋
体２３とから構成されている。即ち、筺体状容器２１と
金属蓋体２３とで、水晶振動片２２を気密的に封止する
容器を構成する。

【００３６】筺体状容器２１の底面には、実装基板１の
配線パターン１２と半田接合される出力電極２４が形成
されている。また、筺体状容器２１の上面には、金属蓋
体２３をシーム溶接するための封止用導体膜、溶接金属
リング２５が配置されている。尚、金属蓋体２３と溶接
金属リング２５とのシーム溶接を行う作業性を考慮し
て、導体膜、溶接金属リング２５はアース電位にされる
ようになっている。封止用導体膜、溶接金属リング２５
は、容器２１の表面から側面及び底面に導出されたシー
ム溶接電流接点電極を有している。

【００３７】そして、接合用電子部品素子２を実装基板
１に搭載する際、封止用導体膜、溶接金属リング２５か
ら導出されたシーム溶接電流接点電極を、実装基板１の
アース電位の配線パターン１２に半田接合することによ
り、金属蓋体２３はアース電位となり、接合用電子部品
素子２は、アー電位となった金属蓋体２３を容器の一部
に有する電子部品素子となる。

【００３８】また、図には示していないが、円形、角形
のステム、円形、角形の金属キャップからなる容器内に
円板状、短冊状の水晶振動片を収納した水晶振動子もあ
るが、この場合、実装基板１に搭載する際、封止用導体
膜、溶接金属リング２５から導出されたシーム溶接電流
接点電極を、実装基板１のアース電位の配線パターン１
２と金属キャップとを電気的に接続することにより、ア
ー電位となった金属蓋体２３を容器の一部に有する電子
部品素子２となる。

【００３９】ここで、実装基板１上に搭載される電子部
品素子の高さを比較すると、抵抗、コンデンサ、トラン
ジスタなどはの電子部品素子３は、０．９ｍｍ程度であ
り、接合用電子部品素子２の高さは、１．０ｍｍ程度と
若干高くなっている。

【００４０】シールドケース４は、少なくとも電子部品
素子２、３を覆うような形状、例えば、底面側から開口
して筺体状となっており、ＳＵＳ３０４をプレス成型し
て形成される。即ち、シールドケース４は、天井面４
１、４つの側面４２・・・を有する形状であり、その厚
みは８０μｍ程度となっている。また、４つの側面４２
・・・の高さ方向の寸法は、接合用電子部品素子の搭載
高さに比較して若干短い寸法となっている。

【００４１】この厚み８０μｍは、例えば、電子部品を
組み込む移動体通信機器の軽量、小型化に応えるもので
あり、例えば、従来は、１５０μｍ程度のシールドケー
スが使用されていた。また、厚み８０μｍという薄さ
は、後述のシールドケースと接合用電子部品素子２との
溶融接合時、熱の拡散を防止し、熱容量を小さくして、
レーザーなどのエネルギービームを照射した時、瞬時に
すなくもとシールドケース４の材料であるＳＵＳ３０４
が溶融する約１２５０℃〜１３００℃にまで昇温できる
ようするためである。

【００４２】尚、シールドケース４は、その表面がカー
ボン（Ｃ）などの黒色顔料を有するメッキ槽でＮｉメッ
キされ、表面のみが黒色化されている。この表面の黒色
化は、以下の２点のために行われる。

【００４３】まず、上述のようにシールドケース４にレ
ーザーなどのエネルギービームを照射した時、シールド
ケース４の表面での光りの反射を抑制し、エネルギービ
ームが効率よく吸収し、レーザーなどのエネルギービー
ムのパワーの省力化を達成するためである。例えば、銀
白色のシールドケース４の場合には、エネルギービーム
のランプに１３Ａの電流を流さなくてはならないとこ
ろ、黒色系のシールドケース４の場合には、同一条件で
エネルギービームのランプに１１Ａの電流で安定して溶
融接合が達成できる。

【００４４】いま１つは、シールドケース４の表面に、
型番や特性を示すマークをエネルギービームの罫書きに
よって形成した際、この罫書き跡（マーク）を鮮明に示
すためである。即ち、従来、マークは、銀白色系のケー
ス上に黒色樹脂ペーストで印刷・硬化して、コントラス
ト性に劣っていたが、本発明では、エネルギービームの
罫書きによって、コントラストが向上し、しかも、微細
なマークが可能となる。尚、このマーク形成時のエネル
ギービームの強度は、表面の黒色系のＮｉメッキ層を焼
失できる程度の強さでよい。

【００４５】次に、上述の実装基板１、接合用電子部品
素子２、電子部品素子３、シールドケース４を用いた温
度補償型水晶発振器の組立方法及びシールドケース４の
接合構造を説明する。

【００４６】まず、公知の厚膜回路基板の製法で作成さ
れた実装基板１に、電子部品素子２、３が搭載される配
線パターン１２上にクリーム半田を塗布する。

【００４７】次に、クリーム半田が塗布された部分に、
所定電子部品素子２及び接合用電子部品素子３を搭載
し、リフロー処理によって接合する。尚、ここで、接合
用電子部品素子３は、実装基板１の中央部付近に配置す
ることが望ましい。この結果、実装基板１上に、接合用
電子部品素子３が、他の電子部品素子２に比較してその
上面が突出して搭載される。

【００４８】次に、接合用電子部品素子３、他の電子部
品素子２を搭載して、実装基板１の上面から、接合用電
子部品素子３、他の電子部品素子２を被覆するように、
筺体状シールドケース４を載置する。この状態で、筺体
状シールドケース４の天井面４１が接合用電子部品素子
３の上面、即ち、金属蓋体２３に載置された状態で保持
されることになる。

【００４９】次に、筺体状シールドケース４の所定表
面、即ち、接合用電子部品素子３の上面と接触している
領域内に、複数箇所にＹＡＧレーザーなどのエネルギー
ビームをスポット的に照射して、筺体状シールドケース
４の天井面４１と接合用電子部品素子３の金属蓋体２３
とを溶融接合する。この溶融接合した部分をＸで示す。

【００５０】これは、筺体状シールドケース４にエネル
ギービームをスポット的に照射することにより、シール
ドケース４が局地的に昇温し、例えば、ＳＵＳ３０４の
溶融温度である約１２５０℃以上となると、シールドケ
ース４が溶融し、その結果、接合用電子部品素子３のＦ
ｅ−Ｎｉ合金の金属蓋体２３とを溶融接合することにな
る。

【００５１】これにより、シールドケース４は、接合用
電子部品素子３の上面に強固に溶融接合して、実装基板
１に搭載された電子部品素子２、接合用電子部品素子３
を被覆することができる。しかも、上述したように、シ
ールドケース４が接合する接合用電子部品素子３の金属
蓋体２３は、アース電位となっているため、シールドケ
ース４全体がアース電位となり、シールド効果を持たせ
ることができる。

【００５２】尚、上述のレーザーなどのエネルギービー
ムによるマーク形成処理は、溶融接合処理の前後のいず
れかに行う。この時のエネルギービームは、シールドケ
ース４の表面の黒色系Ｎｉメッキを飛散させる程度の強
度でよい。

【００５３】上述のように電子部品１０において、構造
的には、シールドケース４を従来の約１５０μｍから約
８０μｍ程度にまで薄くなっている。しかも、実装基板
１上で最も搭載高さの高い接合用電子部品素子２とシー
ルドケース４とが密着している。さらに、シールドケー
スの接合が、従来のようにシールドケースと基板との間
で半田を介して行っていないため、シールドケース接合
用の半田に相当する厚みを減少させることができる。

【００５４】以上の点から、電子部品１０の全体の厚み
を非常に薄くできることになり、電子部品１０を実装す
る例えば移動体通信機器の小型化・軽量化に対応できる
ようになる。例えば、従来、図７に示された電子部品で
は、高さ２ｍｍ程度であたのに対して、本発明では、高
さ１．６ｍｍと約２０％も減少させることができる。

【００５５】また、接合構造としては、シールドケース
４の天井面４１と接合用電子部品素子２の金属蓋体２３
との溶融接合で行い、従来のような半田接合ではない。

【００５６】従って、実装基板１の周囲にシールドケー
スを半田接合させるためのアース電位の配線パターンを
形成する必要がなくなるため、実装基板上の配線パター
ン１２の引き回しの自由度が向上する。

【００５７】また、シールドケースを接合する半田の溶
融により発生していた所定信号配線パターンとの短絡が
一切発生せず、動作信頼性の高い電子部品となる。

【００５８】また、シールドケース側及び実装基板側
に、両者を仮保持する構造が不要となる。

【００５９】以上の点から、電子部品全体が非常に簡素
化されて、外形寸法が非常に安定化し、且つ小型化とな
る。

【００６０】また、接合作業としては、手作業を強いら
れる糸半田接合作業がなくなり、また、リフローによる
シールドケースの接合の場合に比較して、実装基板１に
搭載される電子部品素子２、３にかかる熱処理回数が減
少して、電子部品素子２、３自身の特性が安定する。

【００６１】シールドケースのシールド作用的には、シ
ールドケースは、その天井面４１の中央付近で接地され
ることになるため、電子部品素子２とシールドケース４
との間の間隔が、従来の電子部品に比較して狭くなった
としても、逆に浮遊容量成分の発生を有効に抑えること
ができるため、電子部品の所定動作が安定化する。

【００６２】上述の構造では、シールドケース４の天井
面は、実質的に平面状態であり、この平面部分で接合用
電子部品素子３のアース電位の金属蓋体２３と溶融接合
している。これに対して、図４に示すように、筺体状シ
ールドケース４の所定表面、即ち、接合用電子部品素子
２の上面と接触している領域内に、複数箇所に貫通孔４
３を形成し、この貫通孔４３から目視できる接合用電子
部品素子２の金属蓋体２３とシールドケース４との接触
部分に、レーザーなどのエネルギービームをスポット的
に照射して、筺体状シールドケース４の天井面４１と接
合用電子部品素子２の金属蓋体２３とを溶融接合させて
も構わない。

【００６３】このような構造であれば、レーザーなどの
エネルギービームを照射すべき位置が簡単に、且つ確実
に見出すことができ、しかも、溶融接合部分Ｘを目視で
確認することもできるとともに、レーザーのエネルギー
強度を低下させることができる。

【００６４】また、図５に示すように、筺体状シールド
ケース４の所定表面、即ち、接合用電子部品素子２の上
面と接触している領域内に、複数箇所に、例えば直径２
０〜１００μｍ程度で２０μｍ以上の窪み部４４を形成
し、このこの窪み部４４にレーザーなどのエネルギービ
ームをスポット的に照射して、筺体状シールドケース４
の天井面４１と接合用電子部品素子２の金属蓋体２３と
を溶融接合させても構わない。

【００６５】レーザーなどのエネルギービームを照射
を、複数の箇所に同時に照射して溶融接合することが望
ましいが、設備などの制約から複数の箇所を順次に照射
して溶融接合しなくてはならない。ここで、最初の箇所
で行う溶融接合時、昇温された熱によって、シールドケ
ース４に２０μｍ程度でうねりが生じてしまうことがあ
る。見掛け上、シールドケース４の天井面４１が平面状
であったとしても、２番目の箇所の溶融接合部分が、シ
ールドケース４の天井面４１と接合用電子部品素子２金
属蓋体２３とが接触していない場合もあり、また、シー
ルドケース４の加工精度によってもシールドケース４の
天井面４１と接合用電子部品素子２金属蓋体２３とが接
触していない場合もある。

【００６６】このような場合、シールドケース４が接合
用電子部品素子２の金属蓋体２３と接触する領域内に、
例えば２０μｍ以上の窪み部４４を形成することによ
り、うねりが発生して、即ち、溶接接合する箇所をシー
ルドケース４と接合用電子部品素子２の金属蓋体２３と
安定して接触させておくことができるため、溶接接合の
信頼性が向上する。

【００６７】また、図６には、筺体状シールドケース４
の所定表面、即ち、接合用電子部品素子２の上面と接触
している領域内に形成する窪み部４５として、接合用電
子部品素子２の上面と接触する領域を広くして、この領
域内に複数の接合部分Ｘを形成しても構わない。

【００６８】実装基板１上に搭載する電子部品素子２、
３のうち、接合用電子部品素子２が最も搭載高さが高い
電子部品素子とはかぎらない。このような場合には、シ
ールドケースの天井面にを一段凹んだ窪み部４５を形成
して、搭載高さが最も高い他の電子部品素子３とシール
ドケース４との当接を回避して、シールドケース４と接
合用電子部品素子２の金属蓋体２３と接触するようにし
ている。

【００６９】例えば、温度補償型水晶発振器において、
周波数調整回路にトリマーコンデンサを用いた場合に、
電子部品素子３であるこのトリマコンデンサが、接合用
電子部品素子２である水晶振動子よりも搭載高さが高く
なることがある。

【００７０】この場合、シールドケース４のトリマコン
デンサと当接しえる部分に、トリマーコンデンサの上部
（調整ピンの頭部部分）のみが突出されるように、開口
を形成してもよい。このようにすれば、シールドケース
４を接合用電子部品素子２に安定して溶接接合できると
ともに、トリマコンデンサの容量をシールドケース４を
接合した後であっも、簡単に調整することができる。

【００７１】上記の実施例では、電子部品１０として、
温度補償型水晶発振器で、且つ接合用電子部品素子２と
して、ＳＭＤ対応で上面にアース電位となる金属蓋体２
３（容易の一部）を有する水晶振動子を用いた例であ
る。

【００７２】しかし、デジタル型温度補償水晶発振器の
ように、水晶振動子の温度周波数をデジタル補償データ
に基づいて温度補償を行う場合には、デジタル補償デー
タを記憶するメモリ手段及びメモリ素子を制御する制御
手段が必要である。このようなＩＣに集積できる手段
が、アース電位の金属蓋体で封止さられている半導体素
子を用いる場合には、必要に応じて、接合用電子部品素
子２をアース電位の金属蓋体で封止さられている半導体
素子としても構わない。

【００７３】上述の実施例などから、接合用電子部品素
子２としては、アース電位の金属蓋体を有する電子部品
素子であればよいことが判る。

【００７４】従って、金属ステム上に電子部品素体を搭
載して、金属容器で封止して電子部品素子、例えば、円
板状水晶振動片用いて水晶振動子や圧電単結晶基板の表
面弾性波を用いて動作する電子部品素子（ＳＡＷデバイ
ス）を、接合用電子部品素子としても用いても構わな
い。

【００７５】例えば、ＳＡＷデバイスは、移動体通信機
器では、局発振回路部分や通信チッネル選択回路部分な
ど非常に高周波領域部分の回路に使用されるものであ
る。従って、本発明の電子部品とは、温度補償型水晶発
振器以外に、上述の局発振回路部分や通信チッネル選択
回路部分などを１つの電子部品として部品にも広く適用
できる。

【００７６】

【発明の効果】以上、本発明によれば、実装基板に搭載
した電子部品素子を覆うシールドケースの接合構造とし
て、実装基板に接合固定するのではなく、実装基板に搭
載した特定の電子部品素子に溶接接合でもってシールド
ケースを接合したため、シールドケースの接合工程が非
常に簡略化され、且つ小型・軽量化となり、動作的にも
安定する電子部品を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子部品の一例である温度補償型水晶
発振器の外観斜視図である。

【図２】本発明の電子部品の一例である温度補償型水晶
発振器の断面図である。

【図３】本発明の電子部品の一例である温度補償型水晶
発振器に用いる接合用電子部品素子の構造を示す断面図
である。

【図４】本発明の他の電子部品のシールドケース接合構
造部分の部分断面図である。

【図５】本発明の別の電子部品のシールドケース接合構
造部分の部分断面図である。

【図６】本発明のさらに別の電子部品のシールドケース
接合構造部分の部分断面図である。

【図７】従来の電子部品の一例である温度補償型水晶発
振器の断面図である。

【符号の説明】

１・・・・実装基板 ２・・・・接合用電子部品素子 ２３・・・アース電位の金属蓋体 ３・・・・電子部品素子 ４・・・・シールドケース ４１・・・天井面 ４３・・・貫通孔 ４４、４５・・窪み部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に搭載された電子部品素子の容器
   に、該電子部品素子を被覆するようにシールドケースを
   溶融接合したことを特徴とする電子部品。
2. 【請求項２】 前記シールドケースの前記容器との溶融
   接合領域に、内部側に凹んだ窪み部又は貫く貫通孔が形
   成されており、該窪み部又は貫通孔でシールドケースと
   前記容器との溶融接合が行われていることを特徴とする
   請求項１記載の電子部品。