JPH1174455A - 電子部品 - Google Patents
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- JPH1174455A JPH1174455A JP9233155A JP23315597A JPH1174455A JP H1174455 A JPH1174455 A JP H1174455A JP 9233155 A JP9233155 A JP 9233155A JP 23315597 A JP23315597 A JP 23315597A JP H1174455 A JPH1174455 A JP H1174455A
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
ルドケースの接合工程が非常に簡略化され、且つ小型・
軽量化となり、動作的にも安定する電子部品を提供す
る。 【解決手段】アース電位の容器23を有する電子部品素
子2が搭載された基板1上に、前記電子部品素子2を被
覆し、且つ前記電子部品素子2の容器の一部23と溶融
接合されるシールドケース4を被覆した電子部品であ
る。
Description
有する電子部品に関するものである。
としては、例えば、温度補償型水晶発振器、携帯用通信
機器に用いられる周波数選択装置など広く知られてい
る。
型水晶発振器は、気密容器を有する水晶振動子を振動
部、主に温度感応素子、抵抗、コンデンサからなる温度
補償回路、主にトランジスタからなる発振回路、主にコ
ンデンサからなる周波数調整回路を構成されている。例
えば、図7に示す電子部品70は、セラミックやガラス
エポキシなどの実装基板71上に、水晶振動子を含む上
述の各回路を構成する電子部品素子3が搭載され、これ
ら電子部品素子3が金属製のシールドケース72に覆わ
れている。
開口した筐体状を成し、少なくとも表面が半田接合可能
な金属材料から成っている。そして、シールドケース7
2の底面開口近傍の一部が実装基板71の側面や表面周
囲に形成したアース電位の電極パターン73と半田74
を介して接合されて、実装基板71とシールドケース7
2とが電気的、機械的に接合されていた。
ース72を実装基板71に接合するためには、上述のよ
うに実装基板71の側面や表面周囲にアース電位の電極
パターン73を形成しなくてはならず、基板に形成する
配線パターンの引回しに制約が発生してしまい、シール
ドケース72を有する電子部品全体が大型化してしま
う。同時に、シールドケース72の半田付けの際、溶融
した半田74がアース電位以外の配線パターンに接触
し、電気的ショートを引き起こし、他の電子部品素子3
を破壊したり、溶融した半田が不要な部分、例えば基板
の底面側にまで広がってしてまい、電子部品をプリント
配線基板上に実装する際の支障となったり、完成品外形
寸法等を要求寸法から外れたりすることがある。
の所定位置に配置するために、基板71の一部とシール
ドケース72の一部が互いに嵌合しあう構造を設けて、
仮保持される必要があり、実装基板71の加工、シール
ドケース72の加工が難しく、高価なものとなる。
1とを半田74を用いて接合するため、糸半田を用いる
場合には、その接合作業が煩雑となり、また、クリーム
半田などを用いる場合には、実装基板71上に搭載した
電子部品素子3に熱履歴回数が増加して、電子部品素子
3自身の特性が不安定となってしまう。
1上に搭載された電子部品素子3の上面とシールドケー
ス72の天井面との最小間隔が150μm以上に保たれ
ていたため、通信機器等などの小型の要求に充分に応え
ることができない構造であった。これは、電子部品素子
3とシールドケース72の近接部分は、シールドケース
72がアース電位と接続する部分(シールドケース72
の底面開口周囲の一部)から離れた部分となってしまう
ため、電子部品素子3とシールドケース72との間で浮
遊容量成分が発生し易くなっている。この浮遊容量成分
の影響を抑えるため、電子部品素子3の上面とシールド
ケース72の天井面との最小間隔が150μm以上に保
たれていた。
ものであり、その目的は、シールドケースの接合構造に
改良を加え、シールドケースの接合工程が非常に簡略化
され、且つ小型・軽量化となる電子部品を提供するもの
である。
電子部品素子が搭載された基板上に、前記電子部品素子
を被覆し、且つ前記電子部品素子の容器の一部と溶融接
合されるシールドケースを配置したことを特徴とする電
子部品である。
容器との溶融接合領域に、内部側に凹んだ窪み部又は貫
く貫通孔が形成されており、該窪み部又は貫通孔でシー
ルドケースと前記容器との溶融接合が行われている電子
部品である。
る蓋体や全体が回路基板上の動作中、アース電位となっ
ていることが望ましい。また、上述の溶融接合は、シー
ルドケースと電子部品素子のとが密接している状態で、
この密接部分にスポット的にエネルギービーム、例えば
レーザーを照射して、少なくともシールドケースの材料
が溶融する程度の高温にして、両者を接合するものであ
る。
は、基板に搭載された電子部品素子の容器に溶融接合さ
れている。即ち、従来のように、シールドケースを、基
板に半田接合する必要がないため、この半田接合による
種々の問題点を一掃できる。
と接合する電極パターンを形成する必要がなくなり、基
板上の配線パターンの引回し自由度が向上し、電子部品
全体の小型化が可能となる。
融した半田による配線パターンとの短絡が一切なくなる
ため、特性の信頼性の高い電子部品となる。また、電子
部品をプリント配線基板上に実装する際の支障が発生し
たりすることがなく、外形寸法が非常に安定化する。
り、シールドケースの接合作業が容易になったり、電子
部品素子に熱履歴回数が減少して特性が安定する。
基板の加工、シールドケースの加工が容易となる。
シールドケースと溶融接合する電子部品素子が搭載高さ
が最も高い場合には、電子部品素子とシールドケースと
の間隔を実質的に皆無とすることができるため、非常に
低背化の電子部品となる。
スとの間が近接しても、この電子部品素子の容器をアー
ス電位にしておけば、溶融接合された部位がアース電位
に接続する部位となるため、他の電子部品素子とシール
ドケースとの間の浮遊容量成分の発生を有効に抑えるこ
とができるため、特性的に安定した電子部品となる。
スの前記電子部品素子の容器との溶融接合領域には、少
なくともシールドケースの内部に凹んだ窪み部又はシー
ルドケースの厚みを貫く貫通孔が形成されているととも
に、該窪み部又は貫通孔でシールドケースと前記電子部
品素子の容器との溶融接合が行われている。
品素子の容器の一部との溶融接合部分が、内部に向かっ
て窪んでいるため、この窪み部分がシールドケースの天
井面の最下部分となる。従って、シールドケースの天井
面が、加工精度や熱的な変形、反りが発生しても、この
窪み部分で確実に電子部品素子の容器の一部に接触させ
ることができる。即ち、シールドケースの上面側から窪
み部分に、少なくともシールドケースと電子部品素子の
容器とが溶融接合できるレーザーなどのエネルギービー
ムを照射すれば、確実な溶融接合が達成できる。
うち、溶融接合される電子部品素子の高さが最も高く無
い場合には、シールドケースに窪み部を形成して、強制
的に接合用電子部品素子と溶融接合させることができ
る。
み部同様、レーザーなどのエネルギービームの照射位置
を特定することができ、しかも、溶融接合状態を目視で
確認することができる。
に安定した溶融接合が可能となる。
基づいて詳説する。
あり、図2はその断面図である。
板(実装基板)に、コンデンサ、抵抗トランジスタ、I
C素子、水晶振動子、SAWフィルタなどの電子部品素
子を搭載して、所定動作を行わせる部品(モジール)を
言う。
補償型水晶発振器を例にして説明する。即ち、電子部品
素子とは、温度補償型水晶発振器を構成する水晶振動
子、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、トランジスタとな
る。
(電子部品)であり、1は実装基板、2、3は、水晶振
動子、コンデンサ、抵抗、サーミスタ、トランジスタな
どの電子部品素子、4はシールドケースである。
導体が形成された多層構造のセラミック基板、ガラスエ
ポキシ基板などの基板11と、少なくとも基板11の表
面に形成され、所定回路を構成する配線パターン12
と、基板11の底面や側面に形成され、配線パターン1
2に接続された端子電極13とから構成されている。
基板、厚膜回路基板、ガラスエポキシ基板の製造方法に
よって作成される。
振器の概略回路構成、即ち、水晶振動子部、温度補償回
路部、周波数調整回路部、発振・増幅回路部を構成する
各種電子部品素子となる。例えば、水晶振動子部にあっ
ては、金属製気密容器や、金属蓋体を有する気密容器に
水晶振動片を収容した水晶振動子が例示でき、温度補償
回路部にあっては、コンデンサ、抵抗、サーミスタが例
示でき、周波数調整回路部にあっては、コンデンサが例
示でき、発振・増幅回路部にあっては、トランジスタ、
コンデンサ、抵抗、インダクタンス素子などが例示でき
る。
電子部品素子は、容器の一部がアース電位にして使用さ
れる電子部品素子2であり、上述の例示では水晶振動子
である。尚、その他の電子部品素子は、その周囲が絶縁
材料で保護被覆されているものが多く、これらを電子部
品素子3という。
子)2について説明すると、水晶振動子2の気密容器の
種類も様々存在する。図では、実装基板1上に表面実装
されるSMDパッケージを有する水晶振動子が用いられ
ている。
図3に示すように、底面から平板状セラミック層、水晶
振動片載置用枠状セラミック層、水晶振動片収納空間用
枠状セラミック層が積層された筺体状容器21と、水晶
振動片22、Fe−Ni合金(コバール)などの金属蓋
体23とから構成されている。即ち、筺体状容器21と
金属蓋体23とで、水晶振動片22を気密的に封止する
容器を構成する。
配線パターン12と半田接合される出力電極24が形成
されている。また、筺体状容器21の上面には、金属蓋
体23をシーム溶接するための封止用導体膜、溶接金属
リング25が配置されている。尚、金属蓋体23と溶接
金属リング25とのシーム溶接を行う作業性を考慮し
て、導体膜、溶接金属リング25はアース電位にされる
ようになっている。封止用導体膜、溶接金属リング25
は、容器21の表面から側面及び底面に導出されたシー
ム溶接電流接点電極を有している。
1に搭載する際、封止用導体膜、溶接金属リング25か
ら導出されたシーム溶接電流接点電極を、実装基板1の
アース電位の配線パターン12に半田接合することによ
り、金属蓋体23はアース電位となり、接合用電子部品
素子2は、アー電位となった金属蓋体23を容器の一部
に有する電子部品素子となる。
のステム、円形、角形の金属キャップからなる容器内に
円板状、短冊状の水晶振動片を収納した水晶振動子もあ
るが、この場合、実装基板1に搭載する際、封止用導体
膜、溶接金属リング25から導出されたシーム溶接電流
接点電極を、実装基板1のアース電位の配線パターン1
2と金属キャップとを電気的に接続することにより、ア
ー電位となった金属蓋体23を容器の一部に有する電子
部品素子2となる。
品素子の高さを比較すると、抵抗、コンデンサ、トラン
ジスタなどはの電子部品素子3は、0.9mm程度であ
り、接合用電子部品素子2の高さは、1.0mm程度と
若干高くなっている。
素子2、3を覆うような形状、例えば、底面側から開口
して筺体状となっており、SUS304をプレス成型し
て形成される。即ち、シールドケース4は、天井面4
1、4つの側面42・・・を有する形状であり、その厚
みは80μm程度となっている。また、4つの側面42
・・・の高さ方向の寸法は、接合用電子部品素子の搭載
高さに比較して若干短い寸法となっている。
組み込む移動体通信機器の軽量、小型化に応えるもので
あり、例えば、従来は、150μm程度のシールドケー
スが使用されていた。また、厚み80μmという薄さ
は、後述のシールドケースと接合用電子部品素子2との
溶融接合時、熱の拡散を防止し、熱容量を小さくして、
レーザーなどのエネルギービームを照射した時、瞬時に
すなくもとシールドケース4の材料であるSUS304
が溶融する約1250℃〜1300℃にまで昇温できる
ようするためである。
ボン(C)などの黒色顔料を有するメッキ槽でNiメッ
キされ、表面のみが黒色化されている。この表面の黒色
化は、以下の2点のために行われる。
ーザーなどのエネルギービームを照射した時、シールド
ケース4の表面での光りの反射を抑制し、エネルギービ
ームが効率よく吸収し、レーザーなどのエネルギービー
ムのパワーの省力化を達成するためである。例えば、銀
白色のシールドケース4の場合には、エネルギービーム
のランプに13Aの電流を流さなくてはならないとこ
ろ、黒色系のシールドケース4の場合には、同一条件で
エネルギービームのランプに11Aの電流で安定して溶
融接合が達成できる。
型番や特性を示すマークをエネルギービームの罫書きに
よって形成した際、この罫書き跡(マーク)を鮮明に示
すためである。即ち、従来、マークは、銀白色系のケー
ス上に黒色樹脂ペーストで印刷・硬化して、コントラス
ト性に劣っていたが、本発明では、エネルギービームの
罫書きによって、コントラストが向上し、しかも、微細
なマークが可能となる。尚、このマーク形成時のエネル
ギービームの強度は、表面の黒色系のNiメッキ層を焼
失できる程度の強さでよい。
素子2、電子部品素子3、シールドケース4を用いた温
度補償型水晶発振器の組立方法及びシールドケース4の
接合構造を説明する。
れた実装基板1に、電子部品素子2、3が搭載される配
線パターン12上にクリーム半田を塗布する。
所定電子部品素子2及び接合用電子部品素子3を搭載
し、リフロー処理によって接合する。尚、ここで、接合
用電子部品素子3は、実装基板1の中央部付近に配置す
ることが望ましい。この結果、実装基板1上に、接合用
電子部品素子3が、他の電子部品素子2に比較してその
上面が突出して搭載される。
品素子2を搭載して、実装基板1の上面から、接合用電
子部品素子3、他の電子部品素子2を被覆するように、
筺体状シールドケース4を載置する。この状態で、筺体
状シールドケース4の天井面41が接合用電子部品素子
3の上面、即ち、金属蓋体23に載置された状態で保持
されることになる。
面、即ち、接合用電子部品素子3の上面と接触している
領域内に、複数箇所にYAGレーザーなどのエネルギー
ビームをスポット的に照射して、筺体状シールドケース
4の天井面41と接合用電子部品素子3の金属蓋体23
とを溶融接合する。この溶融接合した部分をXで示す。
ギービームをスポット的に照射することにより、シール
ドケース4が局地的に昇温し、例えば、SUS304の
溶融温度である約1250℃以上となると、シールドケ
ース4が溶融し、その結果、接合用電子部品素子3のF
e−Ni合金の金属蓋体23とを溶融接合することにな
る。
電子部品素子3の上面に強固に溶融接合して、実装基板
1に搭載された電子部品素子2、接合用電子部品素子3
を被覆することができる。しかも、上述したように、シ
ールドケース4が接合する接合用電子部品素子3の金属
蓋体23は、アース電位となっているため、シールドケ
ース4全体がアース電位となり、シールド効果を持たせ
ることができる。
ムによるマーク形成処理は、溶融接合処理の前後のいず
れかに行う。この時のエネルギービームは、シールドケ
ース4の表面の黒色系Niメッキを飛散させる程度の強
度でよい。
的には、シールドケース4を従来の約150μmから約
80μm程度にまで薄くなっている。しかも、実装基板
1上で最も搭載高さの高い接合用電子部品素子2とシー
ルドケース4とが密着している。さらに、シールドケー
スの接合が、従来のようにシールドケースと基板との間
で半田を介して行っていないため、シールドケース接合
用の半田に相当する厚みを減少させることができる。
を非常に薄くできることになり、電子部品10を実装す
る例えば移動体通信機器の小型化・軽量化に対応できる
ようになる。例えば、従来、図7に示された電子部品で
は、高さ2mm程度であたのに対して、本発明では、高
さ1.6mmと約20%も減少させることができる。
4の天井面41と接合用電子部品素子2の金属蓋体23
との溶融接合で行い、従来のような半田接合ではない。
スを半田接合させるためのアース電位の配線パターンを
形成する必要がなくなるため、実装基板上の配線パター
ン12の引き回しの自由度が向上する。
融により発生していた所定信号配線パターンとの短絡が
一切発生せず、動作信頼性の高い電子部品となる。
に、両者を仮保持する構造が不要となる。
化されて、外形寸法が非常に安定化し、且つ小型化とな
る。
れる糸半田接合作業がなくなり、また、リフローによる
シールドケースの接合の場合に比較して、実装基板1に
搭載される電子部品素子2、3にかかる熱処理回数が減
少して、電子部品素子2、3自身の特性が安定する。
ールドケースは、その天井面41の中央付近で接地され
ることになるため、電子部品素子2とシールドケース4
との間の間隔が、従来の電子部品に比較して狭くなった
としても、逆に浮遊容量成分の発生を有効に抑えること
ができるため、電子部品の所定動作が安定化する。
面は、実質的に平面状態であり、この平面部分で接合用
電子部品素子3のアース電位の金属蓋体23と溶融接合
している。これに対して、図4に示すように、筺体状シ
ールドケース4の所定表面、即ち、接合用電子部品素子
2の上面と接触している領域内に、複数箇所に貫通孔4
3を形成し、この貫通孔43から目視できる接合用電子
部品素子2の金属蓋体23とシールドケース4との接触
部分に、レーザーなどのエネルギービームをスポット的
に照射して、筺体状シールドケース4の天井面41と接
合用電子部品素子2の金属蓋体23とを溶融接合させて
も構わない。
エネルギービームを照射すべき位置が簡単に、且つ確実
に見出すことができ、しかも、溶融接合部分Xを目視で
確認することもできるとともに、レーザーのエネルギー
強度を低下させることができる。
ケース4の所定表面、即ち、接合用電子部品素子2の上
面と接触している領域内に、複数箇所に、例えば直径2
0〜100μm程度で20μm以上の窪み部44を形成
し、このこの窪み部44にレーザーなどのエネルギービ
ームをスポット的に照射して、筺体状シールドケース4
の天井面41と接合用電子部品素子2の金属蓋体23と
を溶融接合させても構わない。
を、複数の箇所に同時に照射して溶融接合することが望
ましいが、設備などの制約から複数の箇所を順次に照射
して溶融接合しなくてはならない。ここで、最初の箇所
で行う溶融接合時、昇温された熱によって、シールドケ
ース4に20μm程度でうねりが生じてしまうことがあ
る。見掛け上、シールドケース4の天井面41が平面状
であったとしても、2番目の箇所の溶融接合部分が、シ
ールドケース4の天井面41と接合用電子部品素子2金
属蓋体23とが接触していない場合もあり、また、シー
ルドケース4の加工精度によってもシールドケース4の
天井面41と接合用電子部品素子2金属蓋体23とが接
触していない場合もある。
用電子部品素子2の金属蓋体23と接触する領域内に、
例えば20μm以上の窪み部44を形成することによ
り、うねりが発生して、即ち、溶接接合する箇所をシー
ルドケース4と接合用電子部品素子2の金属蓋体23と
安定して接触させておくことができるため、溶接接合の
信頼性が向上する。
の所定表面、即ち、接合用電子部品素子2の上面と接触
している領域内に形成する窪み部45として、接合用電
子部品素子2の上面と接触する領域を広くして、この領
域内に複数の接合部分Xを形成しても構わない。
3のうち、接合用電子部品素子2が最も搭載高さが高い
電子部品素子とはかぎらない。このような場合には、シ
ールドケースの天井面にを一段凹んだ窪み部45を形成
して、搭載高さが最も高い他の電子部品素子3とシール
ドケース4との当接を回避して、シールドケース4と接
合用電子部品素子2の金属蓋体23と接触するようにし
ている。
周波数調整回路にトリマーコンデンサを用いた場合に、
電子部品素子3であるこのトリマコンデンサが、接合用
電子部品素子2である水晶振動子よりも搭載高さが高く
なることがある。
デンサと当接しえる部分に、トリマーコンデンサの上部
(調整ピンの頭部部分)のみが突出されるように、開口
を形成してもよい。このようにすれば、シールドケース
4を接合用電子部品素子2に安定して溶接接合できると
ともに、トリマコンデンサの容量をシールドケース4を
接合した後であっも、簡単に調整することができる。
温度補償型水晶発振器で、且つ接合用電子部品素子2と
して、SMD対応で上面にアース電位となる金属蓋体2
3(容易の一部)を有する水晶振動子を用いた例であ
る。
ように、水晶振動子の温度周波数をデジタル補償データ
に基づいて温度補償を行う場合には、デジタル補償デー
タを記憶するメモリ手段及びメモリ素子を制御する制御
手段が必要である。このようなICに集積できる手段
が、アース電位の金属蓋体で封止さられている半導体素
子を用いる場合には、必要に応じて、接合用電子部品素
子2をアース電位の金属蓋体で封止さられている半導体
素子としても構わない。
子2としては、アース電位の金属蓋体を有する電子部品
素子であればよいことが判る。
載して、金属容器で封止して電子部品素子、例えば、円
板状水晶振動片用いて水晶振動子や圧電単結晶基板の表
面弾性波を用いて動作する電子部品素子(SAWデバイ
ス)を、接合用電子部品素子としても用いても構わな
い。
器では、局発振回路部分や通信チッネル選択回路部分な
ど非常に高周波領域部分の回路に使用されるものであ
る。従って、本発明の電子部品とは、温度補償型水晶発
振器以外に、上述の局発振回路部分や通信チッネル選択
回路部分などを1つの電子部品として部品にも広く適用
できる。
した電子部品素子を覆うシールドケースの接合構造とし
て、実装基板に接合固定するのではなく、実装基板に搭
載した特定の電子部品素子に溶接接合でもってシールド
ケースを接合したため、シールドケースの接合工程が非
常に簡略化され、且つ小型・軽量化となり、動作的にも
安定する電子部品を提供するものである。
発振器の外観斜視図である。
発振器の断面図である。
発振器に用いる接合用電子部品素子の構造を示す断面図
である。
造部分の部分断面図である。
造部分の部分断面図である。
接合構造部分の部分断面図である。
振器の断面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板に搭載された電子部品素子の容器
に、該電子部品素子を被覆するようにシールドケースを
溶融接合したことを特徴とする電子部品。 - 【請求項2】 前記シールドケースの前記容器との溶融
接合領域に、内部側に凹んだ窪み部又は貫く貫通孔が形
成されており、該窪み部又は貫通孔でシールドケースと
前記容器との溶融接合が行われていることを特徴とする
請求項1記載の電子部品。
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JP23315597A JP3537643B2 (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 電子部品 |
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JP23315597A Expired - Fee Related JP3537643B2 (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | 電子部品 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001083174A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
US6878563B2 (en) | 2000-04-26 | 2005-04-12 | Osram Gmbh | Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same |
JP2011029447A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Nec Toshiba Space Systems Ltd | 気密封止筐体および気密封止筐体製造方法 |
WO2019082363A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 日産自動車株式会社 | 電力変換装置 |
WO2019082364A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 日産自動車株式会社 | 電力変換装置 |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP23315597A patent/JP3537643B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001083174A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
US6878563B2 (en) | 2000-04-26 | 2005-04-12 | Osram Gmbh | Radiation-emitting semiconductor element and method for producing the same |
JP2011029447A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Nec Toshiba Space Systems Ltd | 気密封止筐体および気密封止筐体製造方法 |
WO2019082363A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 日産自動車株式会社 | 電力変換装置 |
WO2019082364A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-02 | 日産自動車株式会社 | 電力変換装置 |
JPWO2019082363A1 (ja) * | 2017-10-26 | 2020-10-22 | 日産自動車株式会社 | 電力変換装置 |
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