JPH1174101A - Resistor - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a resistor mountable on a mounting substrate by using either an upper surface and a lower surface of the substrate of the resistor by providing plated layers in such a way that the plated layers cover side-face electrode layers and at the same time, are protruded from a protective layer at the parts where upper- surface electrode layers overlap the side-face electrode layers. SOLUTION: A resistance layer 23 is provided on the upper surface of a substrate 21 in such a way that one layer 23 is electrically connected to upper-surface electrode layers 22 in an overlapped state. Then, a protective layer 24 is formed to cover the resistance layer 23, and in addition, side-face electrode layers 25 are provided on the side faces of the substrate 21, so that the layers 25 are connected electrically to parts of the electrode layers 22. Thereafter, first plated layers 26 composed of plated nickel, etc., are formed in such a state that the layers 26 cover the exposed parts of the upper-surface electrode layers 22 and the side-face electrode layers 25, and at the same time, are protruded from the protective layer 24. Moreover, a second plated layer 27 composed of a plated alloy of tin and lead is formed so as to cover the first plated layer 26. Therefore, a resistor can be mounted on a mounting substrate by using both the upper surface and the lower surface of the resistor.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高密度配線回路に
用いられる抵抗器に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resistor used in a high-density wiring circuit.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来の抵抗器は、特開平４−１０２３０
２号に開示されたものが知られている。2. Description of the Related Art A conventional resistor is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 4-10230.
No. 2 is known.

【０００３】以下、従来の抵抗器およびその製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。A conventional resistor and a method for manufacturing the same will be described below with reference to the drawings.

【０００４】図２２は従来の抵抗器の断面図である。図
２２において、１は絶縁基板である。２は絶縁基板１の
上面の左右両端部に設けられた第１の上面電極層であ
る。３は第１の上面電極層２に一部が重畳するように設
けられた抵抗層である。４は抵抗層３のみの全体を覆う
ように設けられた第１の保護層である。５は抵抗値を修
正するために抵抗層３および第１の保護層４に設けられ
たトリミング溝である。６は第１の保護層４の上面にの
み設けられた第２の保護層である。７は第１の上面電極
層２の上面に絶縁基板１の幅一杯まで延びるように設け
られた第２の上面電極層である。８は絶縁基板１の側面
に設けられた側面電極層である。９、１０は第２の上面
電極層７および側面電極層８の表面に設けられたニッケ
ルメッキ層、はんだメッキ層である。このとき、はんだ
メッキ層１０は、第２の保護層６よりも低く設けられて
いるものである。つまり、従来の抵抗器は、第２の保護
層６が一番高く設けられているものである。FIG. 22 is a sectional view of a conventional resistor. In FIG. 22, reference numeral 1 denotes an insulating substrate. Reference numeral 2 denotes a first upper electrode layer provided on both left and right ends of the upper surface of the insulating substrate 1. Reference numeral 3 denotes a resistance layer provided so as to partially overlap the first upper electrode layer 2. Reference numeral 4 denotes a first protective layer provided so as to cover only the entire resistive layer 3. Reference numeral 5 denotes a trimming groove provided in the resistance layer 3 and the first protection layer 4 for correcting the resistance value. Reference numeral 6 denotes a second protective layer provided only on the upper surface of the first protective layer 4. Reference numeral 7 denotes a second upper electrode layer provided on the upper surface of the first upper electrode layer 2 so as to extend to the full width of the insulating substrate 1. 8 is a side electrode layer provided on the side surface of the insulating substrate 1. Reference numerals 9 and 10 denote nickel plating layers and solder plating layers provided on the surfaces of the second upper electrode layer 7 and the side electrode layers 8, respectively. At this time, the solder plating layer 10 is provided lower than the second protective layer 6. That is, in the conventional resistor, the second protective layer 6 is provided highest.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、第２の保護層６がはんだメッキ層１０よ
りも高く設けられているため、抵抗器の絶縁基板１の下
面のみでしか実装基板（図示せず）に装着できず、この
抵抗器の上下面を問わずに実装するバルク実装等におけ
る一括実装機にて実装基板に自動実装できないという課
題を有していた。However, in the above conventional structure, the second protective layer 6 is provided higher than the solder plating layer 10, so that the mounting substrate is provided only on the lower surface of the insulating substrate 1 of the resistor. (Not shown), and there is a problem that the package cannot be automatically mounted on a mounting substrate by a bulk mounting machine in bulk mounting or the like for mounting the resistor regardless of the upper and lower surfaces of the resistor.

【０００６】本発明は、上記課題を解決するもので、抵
抗器の基板の上下面のいずれにおいても実装基板に装着
できる抵抗器を提供することを目的とするものである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a resistor which can be mounted on a mounting board on both upper and lower surfaces of the resistor board.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、少なくとも側面電極層を覆うとともに上面
電極層と側面電極層とが重畳した部位は保護層より突出
するように設けられたメッキ層とからなるか、または上
面電極層と側面電極層が重畳した部位は、下面電極層と
側面電極層が重畳した部位より長く重畳するとともに保
護層より突出するように設けられたものである。In order to achieve the above object, the present invention is provided so that at least a side electrode layer is covered and a portion where the upper surface electrode layer and the side electrode layer overlap is projected from the protective layer. The portion composed of the plating layer or where the upper electrode layer and the side electrode layer overlap is provided so as to overlap longer than the portion where the lower electrode layer and the side electrode layer overlap, and to protrude from the protective layer. .

【０００８】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板と、前記基板の上面の側部に設けられた一対の
上面電極層と、前記上面電極層と電気的に接続するよう
に設けられた抵抗層と、少なくとも前記抵抗層を覆うよ
うに設けられた保護層と、前記上面電極層の一部に重畳
するとともに前記基板の側面に設けられた側面電極層
と、少なくとも前記側面電極層を覆うとともに前記上面
電極層と側面電極層とが重畳した部位は前記保護層より
突出するように設けられたメッキ層とからなるものであ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS According to the first aspect of the present invention, a substrate, a pair of upper electrode layers provided on a side portion of an upper surface of the substrate, and an electrical connection with the upper electrode layer are provided. And a protective layer provided so as to cover at least the resistance layer, and a side electrode layer provided on a side surface of the substrate while overlapping a part of the upper electrode layer, and at least the A portion that covers the side electrode layer and overlaps the upper electrode layer and the side electrode layer is made of a plating layer provided so as to protrude from the protective layer.

【０００９】また、請求項２に記載の発明は、基板と、
前記基板の上面および下面の側部に設けられたそれぞれ
一対の上面電極層および下面電極層と、前記上面電極層
と電気的に接続するように設けられた抵抗層と、少なく
とも前記抵抗層を覆うように設けられた保護層と、前記
上面電極層の一部に重畳するとともに前記下面電極層と
電気的に接続するように前記基板の側面に設けられた側
面電極層と、少なくとも前記側面電極層を覆うとともに
前記上面電極層と側面電極層とが重畳した部位は保護層
より突出するように設けられたメッキ層とからなるもの
である。[0009] Further, the invention according to claim 2 comprises a substrate,
A pair of upper and lower electrode layers respectively provided on the upper and lower side surfaces of the substrate, a resistance layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer, and covering at least the resistance layer A side electrode layer provided on a side surface of the substrate so as to overlap a part of the upper electrode layer and to be electrically connected to the lower electrode layer, and at least the side electrode layer And a portion where the upper electrode layer and the side electrode layer overlap each other is formed of a plating layer provided so as to protrude from the protective layer.

【００１０】また、請求項３に記載の発明は、基板と、
前記基板の上面の側部に設けられた一対の上面電極層
と、前記上面電極層と電気的に接続するように設けられ
た抵抗層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設けら
れた保護層と、前記上面電極層の一部と前記基板の下面
の一部に重畳するとともに前記基板の側面に設けられた
側面電極層と、少なくとも前記側面電極層を覆うととも
に前記上面電極層と前記側面電極層が重畳した部位は、
前記基板の下面と前記側面電極層が重畳した部位より長
く重畳するとともに前記保護層より突出するように設け
られたものである。[0010] Further, the invention according to claim 3 comprises a substrate,
A pair of upper electrode layers provided on side portions of the upper surface of the substrate, a resistance layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer, and a protection layer provided to cover at least the resistance layer A side electrode layer overlapping a part of the upper electrode layer and a lower surface of the substrate and provided on a side surface of the substrate; and covering the at least the side electrode layer and covering the upper electrode layer and the side electrode. The area where the layers overlap is
The lower surface of the substrate and the side electrode layer are provided so as to be longer than a portion where the side electrode layer overlaps and to protrude from the protective layer.

【００１１】また、請求項４に記載の発明は、基板と、
前記基板の上面および裏面の側部に設けられたそれぞれ
一対の上面電極層および下面電極層と、前記上面電極層
と電気的に接続するように設けられた抵抗層と、少なく
とも前記抵抗層を覆うように設けられた保護層と、前記
上面電極層の一部と前記下面電極層の一部に重畳すると
ともに前記基板の側面に設けられた側面電極層と、少な
くとも前記側面電極層を覆うとともに前記上面電極層と
前記側面電極層が重畳した部位は、前記下面電極層と前
記側面電極層が重畳した部位より長く重畳するとともに
前記保護層より突出するように設けられたものである。[0011] Further, the invention according to claim 4 is characterized in that:
A pair of upper and lower electrode layers respectively provided on the upper and lower sides of the substrate, a resistance layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer, and at least covering the resistance layer The protective layer provided as described above, a side electrode layer provided on a side surface of the substrate while overlapping a part of the upper electrode layer and a part of the lower electrode layer, and covering at least the side electrode layer. The portion where the upper surface electrode layer and the side electrode layer overlap is provided so as to overlap longer than the portion where the lower electrode layer and the side electrode layer overlap, and to protrude from the protective layer.

【００１２】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
または２記載の半田層は、保護層より１０μｍ以上突出
したものである。The invention described in claim 5 is the first invention.
Alternatively, the solder layer described in 2 is one that protrudes by 10 μm or more from the protective layer.

【００１３】また、請求項６に記載の発明は、請求項３
または４記載の上面電極層と側面電極層が重畳した部位
は、保護層より１０μｍ以上高いものである。The invention described in claim 6 is the third invention.
Alternatively, the portion where the upper electrode layer and the side electrode layer overlap with each other in 4 is higher than the protective layer by 10 μm or more.

【００１４】以上の構成により、抵抗器の基板の上下面
のいずれにおいても実装基板に装着できるという作用を
有するものである。With the above configuration, the resistor can be mounted on the mounting substrate on both the upper and lower surfaces of the substrate of the resistor.

【００１５】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
または２記載の側面電極層は、少なくともガラスまたは
樹脂を含有しかつ上面電極層より比抵抗の高い導電性材
料からなるものである。The invention described in claim 7 is the first invention.
Alternatively, the side electrode layer described in 2 is made of a conductive material containing at least glass or resin and having higher specific resistance than the upper electrode layer.

【００１６】このように側面電極層の比抵抗を、上面電
極層の比抵抗より高くすると、上面電極層のメッキの析
出効率が相対的に高くなり、メッキが厚く付くという作
用を有するものである。When the specific resistance of the side electrode layer is made higher than the specific resistance of the upper electrode layer, the deposition efficiency of plating on the upper electrode layer becomes relatively high, and the plating becomes thicker. .

【００１７】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。Embodiment 1 Hereinafter, a resistor according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００１８】図１は本発明の実施の形態１における抵抗
器の断面図である。図１において、２１はアルミナ等か
らなる基板である。２２は基板２１の上面の側部に設け
られた銀とガラスとの混合材料等からなる一対の上面電
極層で、好ましくは基板２１の側端まで設けるものであ
る。２３は基板２１の上面に上面電極層２２に重畳して
電気的に接続するように設けられた酸化ルテニウムとガ
ラスとの混合材料等からなる抵抗層である。２４は少な
くとも抵抗層２３の上面を覆うように設けられたホウケ
イ酸鉛系ガラス等からなる保護層である。２５は基板２
１の側面に設けられた上面電極層２２の一部に電気的に
接続するように重畳する銀とガラスとの混合材料等から
なる側面電極層で、この側面電極層２５の稜線は、丸み
を有している。この側面電極層２５は、少なくともガラ
スまたは樹脂を含有しかつ上面電極層２２より比抵抗の
高い導電性材料等から形成されるものである。２６は側
面電極層２５を覆うように設けられたニッケルメッキ等
からなる第１のメッキ層で、保護層２４より突出するよ
うに設けられるものである。２７は第１のメッキ層２６
を覆うように設けられた第２のメッキ層で、好ましくは
この第２のメッキ層２７の稜線は丸みを有している。FIG. 1 is a sectional view of the resistor according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a substrate made of alumina or the like. Reference numeral 22 denotes a pair of upper electrode layers made of a mixed material of silver and glass or the like provided on the side of the upper surface of the substrate 21, and is preferably provided up to the side end of the substrate 21. Reference numeral 23 denotes a resistance layer made of a mixed material of ruthenium oxide and glass or the like provided on the upper surface of the substrate 21 so as to be electrically connected to the upper electrode layer 22 so as to overlap with the upper electrode layer 22. Reference numeral 24 denotes a protective layer made of a lead borosilicate glass or the like provided so as to cover at least the upper surface of the resistance layer 23. 25 is the substrate 2
A side electrode layer made of a mixed material of silver and glass or the like that overlaps so as to be electrically connected to a part of the upper electrode layer 22 provided on one side surface. Have. The side electrode layer 25 is formed of a conductive material containing at least glass or resin and having higher specific resistance than the upper electrode layer 22. Reference numeral 26 denotes a first plating layer made of nickel plating or the like provided so as to cover the side electrode layer 25, and provided so as to protrude from the protective layer 24. 27 is a first plating layer 26
Is preferably provided so as to cover the second plating layer 27. Preferably, the ridge line of the second plating layer 27 is rounded.

【００１９】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。Regarding the resistor configured as described above,
Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to the drawings.

【００２０】図２〜５は本発明の実施の形態１における
抵抗器の製造方法を示す工程図である。FIGS. 2 to 5 are process diagrams showing a method of manufacturing the resistor according to the first embodiment of the present invention.

【００２１】まず、図２（ａ）に示すように、縦横の分
割溝３１を有するアルミナ等からなるシート３２の分割
溝３１を跨ぐように銀とガラスとの混合ペースト材料を
スクリーン印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉によっ
て約８５０℃の温度で、約４５分のプロファイルによっ
て焼成し、上面電極層３３を形成する。First, as shown in FIG. 2A, a mixed paste material of silver and glass is screen-printed and dried so as to straddle the dividing grooves 31 of a sheet 32 made of alumina or the like having vertical and horizontal dividing grooves 31. Then, it is baked at a temperature of about 850 ° C. with a profile of about 45 minutes by a belt-type continuous firing furnace to form the upper electrode layer 33.

【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、上面電極
層３３間を電気的に接続するように、酸化ルテニウムと
ガラスとの混合ペースト材料を上面電極層３３の一部に
重畳するようにシート３２の上面にスクリーン印刷・乾
燥して、ベルト式連続焼成炉により約８５０℃の温度
で、約４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗層３
４を形成する。Next, as shown in FIG. 2B, a mixed paste material of ruthenium oxide and glass is superposed on a part of the upper electrode layer 33 so as to electrically connect the upper electrode layers 33 to each other. Is screen-printed and dried on the upper surface of the sheet 32 and baked in a belt-type continuous baking furnace at a temperature of about 850 ° C. with a profile of about 45 minutes to form a resistive layer 3
4 is formed.

【００２３】次に、図３（ａ）に示すように、抵抗層３
４の抵抗値を修正するために、レーザ等によりトリミン
グし、トリミング溝３５を形成する。このとき、トリミ
ングをする前に、少なくともガラス等によりプリコート
（図示せず）した後に、プリコートの上面よりレーザ等
によりプリコート及び抵抗層３４をトリミングしてトリ
ミング溝３５を形成してもよい。Next, as shown in FIG.
In order to correct the resistance value of No. 4, trimming is performed with a laser or the like to form a trimming groove 35. At this time, before performing the trimming, at least a precoat (not shown) with glass or the like may be performed, and then the precoat and the resistance layer 34 may be trimmed from the upper surface of the precoat with a laser or the like to form a trimming groove 35.

【００２４】次に、図３（ｂ）に示すように、抵抗層
（本図では、図示せず）の上面を完全に覆うように、ホ
ウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷・乾燥し
て、ベルト式連続焼成炉により約８５０℃の温度で、約
４５分のプロファイルによって焼成し、保護層３６を形
成する。Next, as shown in FIG. 3B, a lead borosilicate glass paste is screen-printed and dried so as to completely cover the upper surface of the resistance layer (not shown in this drawing). The protective layer 36 is formed by firing in a belt type continuous firing furnace at a temperature of about 850 ° C. with a profile of about 45 minutes.

【００２５】次に、図４（ａ）に示すように、基板側面
から上面電極層３３が露出するようにシート（本図で
は、図示せず）の分割溝（本図では、図示せず）に沿っ
て分割して、短冊状の基板３７を形成する。Next, as shown in FIG. 4A, division grooves (not shown in this drawing) of the sheet (not shown in this drawing) are formed so that the upper electrode layer 33 is exposed from the side surface of the substrate. And a strip-shaped substrate 37 is formed.

【００２６】次に、図４（ｂ）に示すように、短冊状の
基板３７の側面に、上面電極層３３の一部を電気的に接
続するように銀とガラスとの混合ペースト材料をローラ
ー転写印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉によって約
６００℃の温度で、約４５分のプロファイルによって焼
成し、一対の側面電極層３８を形成する。Next, as shown in FIG. 4B, a mixed paste material of silver and glass is rolled on the side surface of the strip-shaped substrate 37 so as to electrically connect a part of the upper electrode layer 33. Transfer printing, drying, and baking in a belt-type continuous baking furnace at a temperature of about 600 ° C. with a profile of about 45 minutes to form a pair of side electrode layers 38.

【００２７】次に、図４（ｃ）に示すように、短冊状の
基板（本図では、図示せず）を個片に分割して、個片状
の基板３９を形成する。Next, as shown in FIG. 4C, a strip-shaped substrate (not shown in this drawing) is divided into individual pieces to form an individual-shaped substrate 39.

【００２８】最後に、図５に示すように、上面電極層
（本図では、図示せず）の露出部および側面電極層（本
図では、図示せず）を覆うとともにニッケルメッキ等か
らなる第１のメッキ層４０が保護層３６より突出するよ
うに形成するとともに、この第１のメッキ層４０を覆う
ようにスズと鉛の合金メッキ等からなる第２のメッキ層
４１を形成して、抵抗器を製造するものである。Finally, as shown in FIG. 5, an exposed portion of the upper electrode layer (not shown in this drawing) and a side electrode layer (not shown in this drawing) are covered and a second layer made of nickel plating or the like is formed. The first plating layer 40 is formed so as to protrude from the protective layer 36, and a second plating layer 41 made of tin-lead alloy plating or the like is formed so as to cover the first plating layer 40, thereby forming a resistor. To manufacture vessels.

【００２９】なお、本実施の形態では保護層の材料はホ
ウケイ酸鉛系ガラスと説明したが、これはエポキシ系樹
脂材料等としても同様の効果が得られる。In this embodiment, the material of the protective layer is described as a lead borosilicate glass, but the same effect can be obtained by using an epoxy resin material or the like.

【００３０】また、本実施の形態では側面電極層の材料
は銀とガラスとの混合材料と説明したが、これはニッケ
ル系フェノール樹脂材料等としても同様の効果が得られ
る。In this embodiment, the material of the side electrode layer is described as a mixed material of silver and glass, but the same effect can be obtained by using a nickel-based phenol resin material or the like.

【００３１】また、本実施の形態では第１のメッキ層４
０を保護層３６より突出するように設けて説明したが、
これは第２のメッキ層４１を保護層３６より突出させて
設けるか、第１、第２のメッキ層４０、４１とを併せて
保護層３６より突出させても同様の効果が得られる。In the present embodiment, the first plating layer 4
0 is provided so as to protrude from the protective layer 36,
The same effect can be obtained by providing the second plating layer 41 so as to protrude from the protection layer 36 or by projecting the first and second plating layers 40 and 41 together from the protection layer 36.

【００３２】以上のように構成、製造された抵抗器につ
いて、以下にその特性を従来の抵抗器と比較したものを
説明する。The characteristics of the resistor constructed and manufactured as described above will be described below by comparing its characteristics with those of a conventional resistor.

【００３３】（実験方法）バルクカセットを用いて電子
部品を実装基板の所定の場所に一対一で自動実装できる
松下電器産業製のパナサートＭｖ２自動実装機で、本実
施の形態の抵抗器および従来の抵抗器を１００００個実
装した後、２００〜２５０℃で１０〜３０秒間のリフロ
ー半田付けした。(Experimental Method) A panasart Mv2 automatic mounting machine manufactured by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. capable of automatically mounting electronic components one-to-one on a predetermined position of a mounting board using a bulk cassette. After mounting 10,000 resistors, reflow soldering was performed at 200 to 250 ° C. for 10 to 30 seconds.

【００３４】このとき、約半数の抵抗器は基板の上面側
で実装されるものとする。 （良否判定）「チップ立ち」については、図６（ａ）に
示すとおり半田付けランドパターン１０１の片側にしか
半田１０２が付かない場合は「不良」とし、両側共に半
田１０２がついている場合は「良」とする。At this time, it is assumed that about half of the resistors are mounted on the upper surface side of the substrate. (Determining whether or not the chip is standing) As shown in FIG. 6 (a), when the solder 102 is attached to only one side of the soldering land pattern 101, it is determined to be "defective". Good. "

【００３５】「θズレ」については、図６（ｂ）に示す
とおり半田付けランドパターン１０１上で抵抗器１０３
が０．２度以上回転している場合は「不良」とし、それ
以下の場合は「良」とする。As for “θ shift”, as shown in FIG.
Is "poor" when rotated by 0.2 degrees or more, and "good" otherwise.

【００３６】以下、（表１）に側面電極層の保護層から
の突出寸法と実装不良数の実験結果を示す。The following Table 1 shows the experimental results of the dimensions of the side electrode layers protruding from the protective layer and the number of defective mountings.

【００３７】[0037]

【表１】 [Table 1]

【００３８】（表１）より明らかなように、本実施の形
態ではメッキ層が保護層から１０μｍ以上突出して設け
ているので、実装不良数が従来例より著しく少ない。As is clear from Table 1, in this embodiment, since the plating layer is provided so as to protrude from the protective layer by 10 μm or more, the number of defective mountings is significantly smaller than that of the conventional example.

【００３９】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。(Embodiment 2) Hereinafter, a resistor according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００４０】図７は本発明の実施の形態２における抵抗
器の断面図である。図７において、５１はアルミナ等か
らなる基板である。５２は基板５１の上面の側部に設け
られた銀とガラスとの混合材料等からなる一対の上面電
極層で、好ましくは基板５１の側端まで設けるものであ
る。５３は基板５１の下面の側部に設けられた銀とガラ
スとの混合材料等からなる一対の下面電極層で、好まし
くは基板５１の側端まで設けるものである。５４は基板
５１の上面に上面電極層５２に重畳して電気的に接続す
るように設けられた酸化ルテニウムとガラスとの混合材
料等からなる抵抗層である。５５は少なくとも抵抗層５
４の上面を覆うように設けられたホウケイ酸鉛系ガラス
等からなる保護層である。５６は基板５１の側面に設け
られた上面電極層５２の一部に電気的に接続するように
重畳する銀とガラスとの混合材料等からなる側面電極層
で、この側面電極層５６の稜線は、丸みを有している。
この側面電極層５６は、少なくともガラスまたは樹脂を
含有しかつ上面電極層５２より比抵抗の高い導電性材料
等から形成されるものである。５７は側面電極層５６を
覆うように設けられたニッケルメッキ等からなる第１の
メッキ層で、保護層５５より突出するように設けられる
ものである。５８は第１のメッキ層５７を覆うように設
けられた第２のメッキ層で、好ましくはこの第２のメッ
キ層５８の稜線は丸みを有している。FIG. 7 is a sectional view of a resistor according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 7, reference numeral 51 denotes a substrate made of alumina or the like. Reference numeral 52 denotes a pair of upper electrode layers made of a mixed material of silver and glass or the like provided on the side of the upper surface of the substrate 51, and is preferably provided up to the side end of the substrate 51. Reference numeral 53 denotes a pair of lower electrode layers made of a mixed material of silver and glass and the like provided on the side of the lower surface of the substrate 51, and is preferably provided up to the side edge of the substrate 51. Reference numeral 54 denotes a resistance layer made of a mixed material of ruthenium oxide and glass or the like, which is provided on the upper surface of the substrate 51 so as to be electrically connected to the upper electrode layer 52. 55 is at least the resistance layer 5
4 is a protective layer made of lead borosilicate glass or the like provided so as to cover the upper surface of No. 4. Reference numeral 56 denotes a side surface electrode layer made of a mixed material of silver and glass or the like which overlaps so as to be electrically connected to a part of the upper surface electrode layer 52 provided on the side surface of the substrate 51. , Rounded.
The side electrode layer 56 is formed of a conductive material containing at least glass or resin and having higher specific resistance than the upper electrode layer 52. Reference numeral 57 denotes a first plating layer made of nickel plating or the like provided so as to cover the side electrode layer 56 and provided so as to protrude from the protective layer 55. Reference numeral 58 denotes a second plating layer provided so as to cover the first plating layer 57. Preferably, the ridge line of the second plating layer 58 is rounded.

【００４１】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。With respect to the resistor configured as described above,
Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to the drawings.

【００４２】図８〜１１は本発明の実施の形態２におけ
る抵抗器の製造方法を示す工程図である。8 to 11 are process diagrams showing a method for manufacturing a resistor according to the second embodiment of the present invention.

【００４３】まず、図８（ａ）に示すように、上下面に
縦横の分割溝６１を有するアルミナ等からなるシート６
２の分割溝６１を跨ぐように銀とガラスとの混合ペース
ト材料をスクリーン印刷・乾燥し、このシート６２を反
転してシート６２の分割溝６１を跨ぐように銀とガラス
との混合ペースト材料をスクリーン印刷・乾燥して、ベ
ルト式連続焼成炉によって約８５０℃の温度で、約４５
分のプロファイルによって焼成し、上面電極層６３及び
下面電極層６４を形成する。First, as shown in FIG. 8A, a sheet 6 made of alumina or the like having vertical and horizontal dividing grooves 61 on the upper and lower surfaces.
The mixed paste material of silver and glass is screen-printed and dried so as to straddle the second dividing groove 61, and the mixed paste material of silver and glass is reversed so as to straddle the dividing groove 61 of the sheet 62. After screen printing and drying, a belt-type continuous firing furnace is used at a temperature of about 850 ° C. for about 45 ° C.
The upper surface electrode layer 63 and the lower surface electrode layer 64 are formed by firing according to the minute profile.

【００４４】次に、図８（ｂ）に示すように、上面電極
層６３間を電気的に接続するように、酸化ルテニウムと
ガラスとの混合ペースト材料を上面電極層６３の一部に
重畳するようにシート６２の上面にスクリーン印刷・乾
燥して、ベルト式連続焼成炉により約８５０℃の温度
で、約４５分のプロファイルによって焼成し、抵抗層６
５を形成する。Next, as shown in FIG. 8B, a mixed paste material of ruthenium oxide and glass is superimposed on a part of the upper electrode layer 63 so as to electrically connect the upper electrode layers 63. Is screen-printed and dried on the upper surface of the sheet 62 and baked in a belt-type continuous baking furnace at a temperature of about 850 ° C. with a profile of about 45 minutes to form a resistive layer 6
5 is formed.

【００４５】次に、図９（ａ）に示すように、抵抗層６
５の抵抗値を修正するために、レーザ等によりトリミン
グし、トリミング溝６６を形成する。このとき、トリミ
ングをする前に、少なくともガラス等によりプリコート
（図示せず）した後に、プリコートの上面よりレーザ等
によりプリコート及び抵抗層６５をトリミングしてトリ
ミング溝６６を形成してもよい。Next, as shown in FIG.
In order to correct the resistance value of No. 5, trimming is performed with a laser or the like to form a trimming groove 66. At this time, before the trimming, at least a precoat (not shown) with glass or the like may be performed, and then the precoat and the resistance layer 65 may be trimmed from the upper surface of the precoat with a laser or the like to form a trimming groove 66.

【００４６】次に、図９（ｂ）に示すように、少なくと
も抵抗層（本図では、図示せず）の上面を覆うように、
ホウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷・乾燥
して、ベルト式連続焼成炉により約８５０℃の温度で、
約４５分のプロファイルによって焼成し、保護層６７を
形成する。Next, as shown in FIG. 9B, at least the upper surface of the resistive layer (not shown in this drawing) is covered.
The screen printing and drying of the lead borosilicate glass paste is performed at a temperature of about 850 ° C. by a belt type continuous firing furnace.
The protective layer 67 is formed by baking with a profile of about 45 minutes.

【００４７】次に、図１０（ａ）に示すように、基板側
面から上面電極層６３が露出するようにシート（本図で
は、図示せず）の分割溝（本図では、図示せず）に沿っ
て分割して、短冊状の基板６８を形成する。Next, as shown in FIG. 10A, the sheet (not shown in this drawing) is divided into grooves (not shown in this drawing) so that the upper electrode layer 63 is exposed from the side surfaces of the substrate. To form a strip-shaped substrate 68.

【００４８】次に、図１０（ｂ）に示すように、短冊状
の基板６８の側面に、上面電極層６３の一部に重畳する
とともに、その重畳した部位が保護層６７より突出する
ように銀とガラスとの混合ペースト材料をローラー転写
印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉によって約６００
℃の温度で、約４５分のプロファイルによって焼成し、
一対の側面電極層６９を形成する。Next, as shown in FIG. 10B, on the side surface of the strip-shaped substrate 68, a part of the upper electrode layer 63 is overlapped, and the overlapped portion protrudes from the protective layer 67. Roller transfer printing and drying of the mixed paste material of silver and glass, and about 600 belt-type continuous firing furnace
Baking at a temperature of 0 ° C. with a profile of about 45 minutes,
A pair of side electrode layers 69 are formed.

【００４９】次に、図１０（ｃ）に示すように、短冊状
の基板（本図では、図示せず）を個片に分割して、個片
状の基板７０を形成する。Next, as shown in FIG. 10C, a strip-shaped substrate (not shown in this drawing) is divided into individual pieces to form an individual-shaped substrate 70.

【００５０】最後に、図１１に示すように、上面電極層
（本図では、図示せず）の露出部および側面電極層（本
図では、図示せず）を覆うとともにニッケルメッキ等か
らなる第１のメッキ層７１が保護層６７より突出するよ
うに形成するとともに、この第１のメッキ層７１を覆う
ようにスズと鉛の合金メッキ等からなる第２のメッキ層
７２を形成して、抵抗器を製造するものである。Finally, as shown in FIG. 11, an exposed portion of the upper electrode layer (not shown in this drawing) and a side electrode layer (not shown in this drawing) are covered and a second plating layer made of nickel plating or the like is formed. The first plating layer 71 is formed so as to protrude from the protective layer 67, and a second plating layer 72 made of a tin-lead alloy plating or the like is formed so as to cover the first plating layer 71. To manufacture vessels.

【００５１】なお、本実施の形態では保護層の材料はホ
ウケイ酸鉛系ガラスと説明したが、これはエポキシ系樹
脂材料等としても同様の効果が得られる。In this embodiment, the material of the protective layer is described as a lead borosilicate glass, but the same effect can be obtained by using an epoxy resin material or the like.

【００５２】また、本実施の形態では側面電極層の材料
は銀とガラスとの混合材料と説明したが、これはニッケ
ル系フェノール樹脂材料等としても同様の効果が得られ
る。In this embodiment, the material of the side electrode layer is described as a mixed material of silver and glass, but the same effect can be obtained by using a nickel-based phenol resin material or the like.

【００５３】また、本実施の形態では第１のメッキ層７
１を保護層６７より突出するように設けて説明したが、
これは第２のメッキ層７２を保護層６７より突出させて
設けるか、第１、第２のメッキ層７１、７２とを併せて
保護層６７より突出させても同様の効果が得られる。In this embodiment, the first plating layer 7
1 is provided so as to protrude from the protective layer 67,
The same effect can be obtained by providing the second plating layer 72 so as to protrude from the protective layer 67 or by projecting the first and second plating layers 71 and 72 together from the protective layer 67.

【００５４】以上のように構成、製造された抵抗器につ
いて、以下にその特性を従来の抵抗器と比較したものを
説明する。The characteristics of the resistor constructed and manufactured as described above will be described below by comparing its characteristics with those of a conventional resistor.

【００５５】ここで、「実験方法」および「良否判定」
は実施の形態１での特性を従来の抵抗器とを比較したも
のと同様なので、説明は省略する。Here, the "experimental method" and the "quality judgment"
Are the same as those obtained by comparing the characteristics of the first embodiment with those of the conventional resistor, and the description is omitted.

【００５６】[0056]

【表２】 [Table 2]

【００５７】（表２）より明らかなように、本実施の形
態ではメッキ層が保護層から１０μｍ以上突出して設け
ているので、実装不良数が従来例より著しく少ない。As is clear from Table 2, in this embodiment, since the plating layer is provided so as to protrude from the protective layer by 10 μm or more, the number of mounting defects is significantly smaller than that of the conventional example.

【００５８】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。(Embodiment 3) Hereinafter, a resistor according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００５９】図１２は本発明の実施の形態３における抵
抗器の断面図である。図１２において、２２１はアルミ
ナ等からなる基板である。２２２は基板２２１の上面の
側部に設けられた銀とガラスとの混合材料等からなる一
対の上面電極層で、好ましくは基板２２１の端部まで設
けるものである。２２３は基板２２１の上面に上面電極
層２２２に重畳して電気的に接続するように設けられた
酸化ルテニウムとガラスとの混合材料等からなる抵抗層
である。２２４は少なくとも抵抗層２２３の上面を覆う
ように設けられたホウケイ酸鉛系ガラス等からなる保護
層である。２２５は基板２２１の側面に設けられた上面
電極層２２２の一部に電気的に接続するように重畳する
とともに、基板２２１の下面の一部に重畳する銀とガラ
スとの混合材料等からなる側面電極層で、この側面電極
層２２５と上面電極層２２２とが重畳する部位は側面電
極層２２５と基板２２１の下面の一部に重畳する部位よ
り長く形成されるとともに、保護膜２２４より突出する
ように設けられたものである。２２６および２２７は側
面電極層２２５を覆うように設けられたニッケルメッキ
等からなる第１のメッキ層およびはんだメッキ等からな
る第２のメッキ層である。FIG. 12 is a sectional view of a resistor according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 12, reference numeral 221 denotes a substrate made of alumina or the like. Reference numeral 222 denotes a pair of upper electrode layers made of a mixed material of silver and glass or the like provided on the side of the upper surface of the substrate 221, and is preferably provided up to the end of the substrate 221. Reference numeral 223 denotes a resistance layer made of a mixed material of ruthenium oxide and glass or the like, which is provided on the upper surface of the substrate 221 so as to be electrically connected to the upper electrode layer 222. Reference numeral 224 denotes a protective layer made of lead borosilicate glass and the like provided so as to cover at least the upper surface of the resistance layer 223. 225 overlaps a part of the upper electrode layer 222 provided on the side surface of the substrate 221 so as to be electrically connected thereto, and overlaps a part of the lower surface of the substrate 221 and a side surface made of a mixed material of silver and glass or the like. In the electrode layer, the portion where the side electrode layer 225 and the upper electrode layer 222 overlap is formed longer than the portion where the side electrode layer 225 overlaps a part of the lower surface of the substrate 221 and protrudes from the protective film 224. It is provided in. Reference numerals 226 and 227 denote a first plating layer made of nickel plating or the like and a second plating layer made of solder plating or the like provided so as to cover the side electrode layer 225.

【００６０】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。With respect to the resistor configured as described above,
Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to the drawings.

【００６１】図１３〜１６は本発明の実施の形態３にお
ける抵抗器の製造方法を示す工程図である。FIGS. 13 to 16 are process diagrams showing a method of manufacturing a resistor according to the third embodiment of the present invention.

【００６２】まず、図１３（ａ）に示すように、縦横の
分割溝２３１を有するアルミナ等からなるシート２３２
の分割溝２３１を跨ぐように銀とガラスの混合ペースト
材料をスクリーン印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉
によって約８５０℃の温度で、約４５分のプロファイル
によって焼成し、上面電極層２３３を形成する。First, as shown in FIG. 13A, a sheet 232 made of alumina or the like having vertical and horizontal divided grooves 231 is formed.
The mixed paste material of silver and glass is screen-printed and dried so as to straddle the dividing groove 231, and is fired in a belt-type continuous firing furnace at a temperature of about 850 ° C. with a profile of about 45 minutes to form the upper electrode layer 233. Form.

【００６３】次に、図１３（ｂ）に示すように、上面電
極層２３３間を電気的に接続するように、酸化ルテニウ
ムとガラスとの混合ペースト材料を上面電極層２３３の
一部に重畳するようにシート２３２の上面にスクリーン
印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉により約８５０℃
の温度で、約４５分のプロファイルによって焼成し、抵
抗層２３４を形成する。Next, as shown in FIG. 13B, a mixed paste material of ruthenium oxide and glass is superposed on part of the upper electrode layer 233 so as to electrically connect the upper electrode layers 233. Screen printing and drying on the upper surface of the sheet 232, and about 850 ° C. by a belt type continuous firing furnace.
At a temperature of about 45 minutes to form a resistance layer 234.

【００６４】次に、図１４（ａ）に示すように、抵抗層
２３４の抵抗値を修正するために、レーザ等によりトリ
ミングし、トリミング溝２３５を形成する。このとき、
トリミングをする前に、少なくともガラス等によりプリ
コート（図示せず）した後に、プリコートの上面よりレ
ーザ等によりプリコート及び抵抗層２３４をトリミング
してトリミング溝２３５を形成してもよい。Next, as shown in FIG. 14A, in order to correct the resistance value of the resistance layer 234, trimming is performed with a laser or the like to form a trimming groove 235. At this time,
Before trimming, at least after pre-coating (not shown) with glass or the like, a trimming groove 235 may be formed by trimming the pre-coat and the resistance layer 234 from the upper surface of the pre-coat with a laser or the like.

【００６５】次に、図１４（ｂ）に示すように、抵抗層
（本図では、図示せず）の上面を完全に覆うように、ホ
ウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷・乾燥し
て、ベルト式連続焼成炉により約６００℃の温度で、約
４５分のプロファイルによって焼成し、保護層２３６を
形成する。Next, as shown in FIG. 14B, a lead borosilicate glass paste is screen-printed and dried so as to completely cover the upper surface of the resistance layer (not shown in this drawing). The protective layer 236 is formed by baking at a temperature of about 600 ° C. in a belt-type continuous baking furnace with a profile of about 45 minutes.

【００６６】次に、図１５（ａ）に示すように、基板側
面から上面電極層２３３が露出するようにシート（本図
では、図示せず）の分割溝（本図では、図示せず）に沿
って分割して、短冊状の基板２３７を形成する。Next, as shown in FIG. 15A, division grooves (not shown in this drawing) of the sheet (not shown in this drawing) are formed so that the upper electrode layer 233 is exposed from the side surface of the substrate. And a strip-shaped substrate 237 is formed.

【００６７】次に、図１５（ｂ）に示すように、短冊状
の基板２３７の側面に、上面電極層２３３の一部を電気
的に接続するとともに、基板２３７の下面の一部に回り
込むように銀とガラスとの混合ペースト材料をローラー
転写印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉により約６０
０℃の温度で、約４５分のプロファイルによって焼成
し、一対の側面電極層２３８を形成する。Next, as shown in FIG. 15B, a part of the upper electrode layer 233 is electrically connected to the side surface of the strip-shaped substrate 237, and a part of the lower surface of the substrate 237 is turned around. Roll-transfer printing and drying of the mixed paste material of silver and glass on the belt, and the belt-type continuous firing furnace is used for about 60
Baking is performed at a temperature of 0 ° C. according to a profile of about 45 minutes to form a pair of side electrode layers 238.

【００６８】次に、図１５（ｃ）に示すように、短冊状
の基板（本図では、図示せず）を個片に分割して、個片
状の基板２３９を形成する。Next, as shown in FIG. 15C, a strip-shaped substrate (not shown in this drawing) is divided into individual pieces, and an individual-shaped substrate 239 is formed.

【００６９】最後に、図１６に示すように、上面電極層
（本図では、図示せず）の露出部および側面電極層（本
図では、図示せず）を覆うとともにニッケルメッキ等か
らなる第１のメッキ層２４０を形成するとともに、この
第１のメッキ層２４０を覆うようにスズと鉛の合金メッ
キ等からなる第２のメッキ層２４１を形成する。このと
き第２のメッキ層２４１はメッキ下地の電極となる上面
電極層２３３と側面電極層２３３の重畳した部位が保護
層２３６より突出しているので、第２のメッキ層２４１
も結果的に保護層２３６より突出する。以上の工程によ
り本発明の実施の形態３の抵抗器を製造するものであ
る。Finally, as shown in FIG. 16, an exposed portion of the upper electrode layer (not shown in this drawing) and a side electrode layer (not shown in this drawing) are covered and a second plating layer made of nickel plating or the like is formed. The first plating layer 240 is formed, and a second plating layer 241 made of an alloy plating of tin and lead or the like is formed so as to cover the first plating layer 240. At this time, the portion of the second plating layer 241 where the upper electrode layer 233 and the side electrode layer 233, which are the electrodes of the base of plating, overlap with each other protrudes from the protective layer 236, so that the second plating layer 241 is formed.
Also protrude from the protective layer 236 as a result. The resistor according to the third embodiment of the present invention is manufactured by the above steps.

【００７０】なお、本発明の実施の形態では、保護層の
材料はホウケイ酸鉛系ガラスと説明したが、これはエポ
キシ系樹脂等としても同様の効果が得られる。In the embodiment of the present invention, the material of the protective layer is described as a lead borosilicate glass, but the same effect can be obtained by using an epoxy resin or the like.

【００７１】また、本発明の実施の形態では側面電極層
の材料は銀とガラスの混合材料と説明したが、これはニ
ッケル系フェノール樹脂材料等としても同様の効果が得
られる。In the embodiment of the present invention, the material of the side electrode layer is described as a mixed material of silver and glass, but the same effect can be obtained by using a nickel-based phenol resin material or the like.

【００７２】以上のように構成、製造された抵抗器につ
いて、以下にその特性を従来の抵抗器と比較したものを
説明する。The characteristics of the resistor constructed and manufactured as described above will be described below by comparing its characteristics with those of a conventional resistor.

【００７３】ここで、「実験方法」および「良否判定」
は実施の形態１での特性を従来の抵抗器とを比較したも
のと同様なので、説明は省略する。Here, the “experimental method” and the “quality judgment”
Are the same as those obtained by comparing the characteristics of the first embodiment with those of the conventional resistor, and the description is omitted.

【００７４】[0074]

【表３】 [Table 3]

【００７５】（表３）より明らかなように、本発明の実
施の形態では上面電極層２３３と側面電極層２３８の重
畳した部位が保護層２３６から１０μｍ以上突出して設
けられているので、実装不良数が従来例より著しく少な
い。As is clear from Table 3, in the embodiment of the present invention, the overlapping portion of the upper electrode layer 233 and the side electrode layer 238 is provided so as to protrude from the protective layer 236 by 10 μm or more. The number is significantly smaller than the conventional example.

【００７６】また、この実施の形態３で側面電極層２３
８と基板２２１の下面に重畳する長さを、上面電極層２
３３と側面電極層２３８の重畳する長さをほぼ同じ長さ
としても同様の効果が得られるが、基板２２１の下面と
側面電極層２３８の重畳した部位の長さを上面電極層２
３３と側面電極層２３８の重畳した部位の長さより短く
形成することにより、側面電極層２３８の材料使用量を
低減しながら同様の効果を得ることができる。In the third embodiment, the side electrode layer 23
8 and the length overlapping the lower surface of the substrate 221
The same effect can be obtained even if the overlap length of the upper electrode layer 238 and the side electrode layer 238 is substantially the same.
By forming the side electrode layer 238 to be shorter than the overlapping portion of the side electrode layer 238, the same effect can be obtained while reducing the amount of material used for the side electrode layer 238.

【００７７】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４における抵抗器について、図面を参照しながら説明
する。(Embodiment 4) A resistor according to Embodiment 4 of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【００７８】図１７は本発明の実施の形態４における抵
抗器の断面図である。図１７において、２５１はアルミ
ナ等からなる基板である。２５２は基板２５１の上面の
側部に設けられた銀とガラスとの混合材料等からなる一
対の上面電極層で、好ましくは基板２５１の端部まで設
けるものである。２５３は基板２５１の下面の側部に設
けられた銀とガラスとの混合材料等からなる一対の下面
電極層で、好ましくは基板２５１の端部まで設けるもの
である。２５４は基板２５１の上面に上面電極層２５２
に重畳して電気的に接続するように設けられた酸化ルテ
ニウムとガラスとの混合材料等からなる抵抗層である。
２５５は少なくとも抵抗層２５４の上面を覆うように設
けられたホウケイ酸鉛系ガラス等からなる保護層であ
る。２５６は基板２５１の側面に設けられた上面電極層
２５２の一部および下面電極層２５３に電気的に接続す
るように重畳する銀とガラスとの混合材料等からなる側
面電極層で、この側面電極層２５６と上面電極層２５２
とが重畳する部位は側面電極層２５６と下面電極層２５
３の一部に重畳する部位より長く形成されるとともに、
保護層２５５より突出するように設けられたものであ
る。２５７および２５８は側面電極層２５６を覆うよう
に設けられたニッケルメッキ等からなる第１のメッキ層
およびはんだメッキ等からなる第２のメッキ層である。FIG. 17 is a sectional view of a resistor according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 17, reference numeral 251 denotes a substrate made of alumina or the like. Reference numeral 252 denotes a pair of upper electrode layers made of a mixed material of silver and glass or the like provided on the side of the upper surface of the substrate 251, and is preferably provided up to the end of the substrate 251. Reference numeral 253 denotes a pair of lower electrode layers made of a mixed material of silver and glass or the like provided on the side of the lower surface of the substrate 251, and is preferably provided up to the end of the substrate 251. 254 denotes an upper electrode layer 252 on the upper surface of the substrate 251.
And a resistance layer made of a mixed material of ruthenium oxide and glass, etc., provided so as to be electrically connected to and superimposed on.
Reference numeral 255 denotes a protective layer made of lead borosilicate glass or the like provided so as to cover at least the upper surface of the resistance layer 254. Reference numeral 256 denotes a side electrode layer made of a mixed material of silver and glass or the like which overlaps with a part of the upper electrode layer 252 provided on the side surface of the substrate 251 and the lower electrode layer 253 so as to be electrically connected to the side electrode layer. Layer 256 and upper electrode layer 252
Are overlapped with the side electrode layer 256 and the lower electrode layer 25.
While being formed longer than the part overlapping part of 3,
This is provided so as to protrude from the protective layer 255. Reference numerals 257 and 258 denote a first plating layer made of nickel plating or the like and a second plating layer made of solder plating or the like provided so as to cover the side electrode layer 256.

【００７９】以上のように構成された抵抗器について、
以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。With respect to the resistor configured as described above,
Hereinafter, the manufacturing method will be described with reference to the drawings.

【００８０】図１８〜２１は本発明の実施の形態４にお
ける抵抗器の製造方法を示す工程図である。FIGS. 18 to 21 are process diagrams showing a method of manufacturing a resistor according to the fourth embodiment of the present invention.

【００８１】まず、図１８（ａ）に示すように、縦横の
分割溝２６１を有するアルミナ等からなるシート２６２
の分割溝２６１を跨ぐように銀とガラスの混合ペースト
材料をスクリーン印刷・乾燥し、このシート２６２を反
転してシート２６２の分割溝２６１を跨ぐように銀とガ
ラスの混合ペースト材料をスクリーン印刷・乾燥して、
ベルト式連続焼成炉によって約８５０℃の温度で、約４
５分のプロファイルによって焼成し、上面電極層２６３
及び下面電極層２６４を形成する。First, as shown in FIG. 18A, a sheet 262 made of alumina or the like having vertical and horizontal divided grooves 261 is formed.
Screen-printing and drying a mixed paste material of silver and glass so as to straddle the dividing groove 261 of the sheet, and invert the sheet 262 to screen-print a mixed paste material of silver and glass so as to straddle the dividing groove 261 of the sheet 262. Dry,
At a temperature of about 850 ° C by a belt type continuous firing furnace, about 4
Baking is performed according to a profile of 5 minutes, and the upper electrode layer 263 is fired.
And the lower electrode layer 264 is formed.

【００８２】次に、図１８（ｂ）に示すように、上面電
極層２６３間を電気的に接続するように、酸化ルテニウ
ムとガラスとの混合ペースト材料を上面電極層２６３の
一部に重畳するようにシート２６２の上面にスクリーン
印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉により約８５０℃
の温度で、約４５分のプロファイルによって焼成し、抵
抗層２６５を形成する。Next, as shown in FIG. 18B, a mixed paste material of ruthenium oxide and glass is superposed on a part of the upper electrode layer 263 so as to electrically connect the upper electrode layers 263. Screen 262 on the upper surface of the sheet 262, and then dried at about 850 ° C. by a belt type continuous firing furnace.
At a temperature of about 45 minutes to form a resistance layer 265.

【００８３】次に、図１９（ａ）に示すように、抵抗層
２６５の抵抗値を修正するために、レーザ等によりトリ
ミングし、トリミング溝２６６を形成する。このとき、
トリミングをする前に、少なくともガラス等によりプリ
コート（図示せず）した後に、プリコートの上面よりレ
ーザ等によりプリコート及び抵抗層２６５をトリミング
してトリミング溝２６６を形成してもよい。Next, as shown in FIG. 19A, in order to correct the resistance value of the resistance layer 265, trimming is performed with a laser or the like to form a trimming groove 266. At this time,
Before trimming, after at least pre-coating (not shown) with glass or the like, a trimming groove 266 may be formed by trimming the pre-coating and the resistance layer 265 from the upper surface of the pre-coating with a laser or the like.

【００８４】次に、図１９（ｂ）に示すように、抵抗層
（本図では、図示せず）の上面を完全に覆うように、ホ
ウケイ酸鉛系ガラスペーストをスクリーン印刷・乾燥し
て、ベルト式連続焼成炉により約６００℃の温度で、約
４５分のプロファイルによって焼成し、保護層２６７を
形成する。Next, as shown in FIG. 19B, a lead borosilicate glass paste is screen-printed and dried so as to completely cover the upper surface of the resistance layer (not shown in this drawing). The protective layer 267 is formed by baking at a temperature of about 600 ° C. in a belt type continuous baking furnace at a profile of about 45 minutes.

【００８５】次に、図２０（ａ）に示すように、基板側
面から上面電極層２６３が露出するようにシート（本図
では、図示せず）の分割溝（本図では、図示せず）に沿
って分割して、短冊状の基板２６８を形成する。Next, as shown in FIG. 20A, a dividing groove (not shown in this drawing) of a sheet (not shown in this drawing) is formed so that the upper electrode layer 263 is exposed from the side surface of the substrate. And a strip-shaped substrate 268 is formed.

【００８６】次に、図２０（ｂ）に示すように、短冊状
の基板２６８の側面に、上面電極層２６３の一部を電気
的に接続するとともに、下面電極層２６４の一部に重畳
するように銀とガラスの混合ペースト材料をローラー転
写印刷・乾燥して、ベルト式連続焼成炉により約６００
℃の温度で、約４５分のプロファイルによって焼成し、
一対の側面電極層２６９を形成する。Next, as shown in FIG. 20B, a part of the upper electrode layer 263 is electrically connected to the side surface of the strip-shaped substrate 268 and is overlapped with a part of the lower electrode layer 264. Transfer printing and drying the mixed paste material of silver and glass as in the above, and about 600
Baking at a temperature of 0 ° C. with a profile of about 45 minutes,
A pair of side electrode layers 269 is formed.

【００８７】次に、図２０（ｃ）に示すように、短冊状
の基板（本図では、図示せず）を個片に分割して、個片
状の基板２７０を形成する。Next, as shown in FIG. 20C, a strip-shaped substrate (not shown in this drawing) is divided into individual pieces to form an individual-shaped substrate 270.

【００８８】最後に、図２１に示すように、上面電極層
（本図では、図示せず）の露出部および側面電極層（本
図では、図示せず）を覆うとともにニッケルメッキ等か
らなる第１のメッキ層２７１を形成するとともに、この
第１のメッキ層２７１を覆うようにスズと鉛の合金メッ
キ等からなる第２のメッキ層２７２を形成する。このと
き第２のメッキ層２７２はメッキ下地の電極となる上面
電極層２６３と側面電極層２６９の重畳した部位が保護
層２６７より突出しているので、第２のメッキ層２７２
も結果的に保護層２６７より突出する。以上の工程によ
り本発明の実施の形態４の抵抗器を製造するものであ
る。Finally, as shown in FIG. 21, the exposed portion of the upper electrode layer (not shown in this drawing) and the side electrode layer (not shown in this drawing) are covered and a second layer made of nickel plating or the like is formed. A first plating layer 271 is formed, and a second plating layer 272 made of tin-lead alloy plating or the like is formed so as to cover the first plating layer 271. At this time, the portion of the second plating layer 272 where the upper electrode layer 263 and the side electrode layer 269, which are electrodes of the base of plating, overlap with each other protrudes from the protective layer 267, so that the second plating layer 272 is formed.
Also protrude from the protective layer 267 as a result. The resistor according to the fourth embodiment of the present invention is manufactured through the above steps.

【００８９】なお、本発明の実施の形態では、保護層の
材料はホウケイ酸鉛系ガラスと説明したが、これはエポ
キシ系樹脂材料等としても同様の効果が得られる。In the embodiment of the present invention, the material of the protective layer is described as a lead borosilicate glass, but the same effect can be obtained by using an epoxy resin material or the like.

【００９０】また、本発明の実施の形態では側面電極層
の材料は銀とガラスの混合材料と説明したが、これはニ
ッケル系フェノール樹脂材料等としても同様の効果が得
られる。In the embodiment of the present invention, the material of the side electrode layer is described as a mixed material of silver and glass, but the same effect can be obtained by using a nickel-based phenol resin material or the like.

【００９１】以上のように構成、製造された抵抗器につ
いて、以下にその特性を従来の抵抗器と比較したものを
説明する。The characteristics of the resistor constructed and manufactured as described above will be described below by comparing its characteristics with those of a conventional resistor.

【００９２】ここで、「実験方法」および「良否判定」
は実施の形態１での特性を従来の抵抗器とを比較したも
のと同様なので、説明は省略する。Here, the “experimental method” and the “pass / fail judgment”
Are the same as those obtained by comparing the characteristics of the first embodiment with those of the conventional resistor, and the description is omitted.

【００９３】[0093]

【表４】 [Table 4]

【００９４】（表４）より明らかなように、本発明の実
施の形態では上面電極層２６３と側面電極層２６９の重
畳した部位が保護層２６７から１０μｍ以上突出して設
けられているので、実装不良数が従来例より著しく少な
い。As is clear from Table 4, in the embodiment of the present invention, the overlapping portion of the upper surface electrode layer 263 and the side surface electrode layer 269 is provided so as to protrude from the protective layer 267 by 10 μm or more. The number is significantly smaller than the conventional example.

【００９５】また、この実施の形態４で側面電極層２６
９と下面電極層２６４に重畳する長さを、上面電極層２
６３と側面電極層２６９の重畳する長さをほぼ同じ長さ
としても同様の効果が得られるが、下面電極層２６４と
側面電極層２６９の重畳した部位の長さを上面電極層２
６３と側面電極層２６９の重畳した部位の長さより短く
形成することにより、側面電極層２６９の材料使用量を
低減しながら同様の効果を得ることができる。In the fourth embodiment, the side electrode layer 26
9 and the lower electrode layer 264 are overlapped with the upper electrode layer 2.
The same effect can be obtained even when the length of overlap between the side electrode layer 263 and the side electrode layer 269 is made substantially the same length.
By forming the side electrode layer 269 to be shorter than the overlapping portion of the side electrode layer 269, the same effect can be obtained while reducing the amount of material used for the side electrode layer 269.

【００９６】[0096]

【発明の効果】以上のように、本発明は、メッキ層が保
護層より突出して設けられているので、抵抗器の上下面
のいずれでも実装基板に実装できるという有利な効果を
有した抵抗器を提供することが可能である。As described above, according to the present invention, since the plating layer is provided so as to protrude from the protective layer, the resistor has an advantageous effect that it can be mounted on the mounting substrate on any of the upper and lower surfaces of the resistor. It is possible to provide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の形態１における抵抗器の断面図FIG. 1 is a sectional view of a resistor according to a first embodiment of the present invention.

【図２】同製造方法を示す工程図FIG. 2 is a process chart showing the manufacturing method.

【図３】同製造方法を示す工程図FIG. 3 is a process chart showing the manufacturing method.

【図４】同製造方法を示す工程図FIG. 4 is a process chart showing the manufacturing method.

【図５】同製造方法を示す工程図FIG. 5 is a process chart showing the manufacturing method.

【図６】本発明の実施の形態１における抵抗器と従来例
における抵抗器との特性を比較する実験方法と良否判定
を説明する図FIG. 6 is a diagram for explaining an experimental method for comparing characteristics of the resistor according to the first embodiment of the present invention with a resistor according to a conventional example and a pass / fail judgment.

【図７】本発明の実施の形態２における抵抗器の断面図FIG. 7 is a sectional view of a resistor according to a second embodiment of the present invention.

【図８】同製造方法を示す工程図FIG. 8 is a process chart showing the manufacturing method.

【図９】同製造方法を示す工程図FIG. 9 is a process chart showing the manufacturing method.

【図１０】同製造方法を示す工程図FIG. 10 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図１１】同製造方法を示す工程図FIG. 11 is a process chart showing the manufacturing method.

【図１２】本発明の実施の形態３における抵抗器の断面
図FIG. 12 is a sectional view of a resistor according to a third embodiment of the present invention.

【図１３】同製造方法を示す工程図FIG. 13 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図１４】同製造方法を示す工程図FIG. 14 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図１５】同製造方法を示す工程図FIG. 15 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図１６】同製造方法を示す工程図FIG. 16 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図１７】本発明の実施の形態４における抵抗器の断面
図FIG. 17 is a sectional view of a resistor according to a fourth embodiment of the present invention.

【図１８】同製造方法を示す工程図FIG. 18 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図１９】同製造方法を示す工程図FIG. 19 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図２０】同製造方法を示す工程図FIG. 20 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図２１】同製造方法を示す工程図FIG. 21 is a process chart showing the same manufacturing method.

【図２２】従来例における抵抗器の断面図FIG. 22 is a sectional view of a resistor in a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２１ 基板 ２２ 上面電極層 ２３ 抵抗層 ２４ 保護層 ２５ 側面電極層 ２６ 第１のメッキ層 ２７ 第２のメッキ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Substrate 22 Top electrode layer 23 Resistance layer 24 Protective layer 25 Side electrode layer 26 1st plating layer 27 2nd plating layer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板と、前記基板の上面の側部に設けら
れた一対の上面電極層と、前記上面電極層と電気的に接
続するように設けられた抵抗層と、少なくとも前記抵抗
層を覆うように設けられた保護層と、前記上面電極層の
一部に重畳するとともに前記基板の側面に設けられた側
面電極層と、少なくとも前記側面電極層を覆うとともに
前記上面電極層と側面電極層とが重畳した部位は前記保
護層より突出するように設けられたメッキ層とからなる
抵抗器。1. A substrate, a pair of upper electrode layers provided on side portions of an upper surface of the substrate, a resistance layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer, and at least the resistance layer. A protective layer provided so as to cover, a side surface electrode layer overlapping a part of the upper surface electrode layer and provided on a side surface of the substrate, and at least covering the side surface electrode layer and the upper surface electrode layer and the side surface electrode layer And a plated layer provided so as to protrude from the protective layer. 【請求項２】 基板と、前記基板の上面および下面の側
部に設けられたそれぞれ一対の上面電極層および下面電
極層と、前記上面電極層と電気的に接続するように設け
られた抵抗層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設
けられた保護層と、前記上面電極層の一部に重畳すると
ともに前記下面電極層と電気的に接続するように前記基
板の側面に設けられた側面電極層と、少なくとも前記側
面電極層を覆うとともに前記上面電極層と側面電極層と
が重畳した部位は保護層より突出するように設けられた
メッキ層とからなる抵抗器。2. A substrate, a pair of upper and lower electrode layers provided on the upper and lower sides of the substrate, respectively, and a resistive layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer. And a protective layer provided so as to cover at least the resistance layer, and a side electrode provided on a side surface of the substrate so as to overlap a part of the upper electrode layer and to be electrically connected to the lower electrode layer. A resistor comprising: a layer; and a plating layer that covers at least the side surface electrode layer and is provided so that a portion where the upper surface electrode layer and the side surface electrode layer overlap with each other protrudes from the protective layer. 【請求項３】 基板と、前記基板の上面の側部に設けら
れた一対の上面電極層と、前記上面電極層と電気的に接
続するように設けられた抵抗層と、少なくとも前記抵抗
層を覆うように設けられた保護層と、前記上面電極層の
一部と前記基板の下面の一部に重畳するとともに前記基
板の側面に設けられた側面電極層と、少なくとも前記側
面電極層を覆うとともに前記上面電極層と前記側面電極
層が重畳した部位は、前記基板の下面と前記側面電極層
が重畳した部位より長く重畳するとともに前記保護層よ
り突出するように設けられた抵抗器。3. A substrate, a pair of upper electrode layers provided on a side portion of an upper surface of the substrate, a resistance layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer, and at least the resistance layer. A protective layer provided so as to cover, a side electrode layer provided on a side surface of the substrate while overlapping a part of the upper electrode layer and a part of a lower surface of the substrate, and at least covering the side electrode layer A resistor provided such that a portion where the upper surface electrode layer and the side electrode layer overlap each other is longer than a portion where the lower surface of the substrate and the side electrode layer overlap each other and protrudes from the protective layer. 【請求項４】 基板と、前記基板の上面および裏面の側
部に設けられたそれぞれ一対の上面電極層および下面電
極層と、前記上面電極層と電気的に接続するように設け
られた抵抗層と、少なくとも前記抵抗層を覆うように設
けられた保護層と、前記上面電極層の一部と前記下面電
極層の一部に重畳するとともに前記基板の側面に設けら
れた側面電極層と、少なくとも前記側面電極層を覆うと
ともに前記上面電極層と前記側面電極層が重畳した部位
は、前記下面電極層と前記側面電極層が重畳した部位よ
り長く重畳するとともに前記保護層より突出するように
設けられた抵抗器。4. A substrate, a pair of upper and lower electrode layers provided on side surfaces of an upper surface and a rear surface of the substrate, respectively, and a resistance layer provided to be electrically connected to the upper electrode layer. And a protective layer provided so as to cover at least the resistance layer, a side electrode layer provided on a side surface of the substrate while overlapping a part of the upper electrode layer and a part of the lower electrode layer, and at least A portion that covers the side electrode layer and overlaps the upper electrode layer and the side electrode layer is provided so as to overlap longer than a portion where the lower electrode layer and the side electrode layer overlap and protrude from the protective layer. Resistor. 【請求項５】 メッキ層は、保護層より１０μｍ以上高
い請求項１または２記載の抵抗器。5. The resistor according to claim 1, wherein the plating layer is higher than the protective layer by 10 μm or more. 【請求項６】 上面電極層と側面電極層が重畳した部位
は、保護層より１０μｍ以上高い請求項３または４記載
の抵抗器。6. The resistor according to claim 3, wherein a portion where the upper electrode layer and the side electrode layer overlap is higher than the protective layer by 10 μm or more. 【請求項７】 側面電極層は、少なくともガラスまたは
樹脂を含有しかつ上面電極層より比抵抗の高い導電性材
料からなる請求項１または２記載の抵抗器。7. The resistor according to claim 1, wherein the side electrode layer is made of a conductive material containing at least glass or resin and having higher specific resistance than the upper electrode layer.