JPH1164377A - 積層型コネクターおよび回路基板検査用アダプター装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線部を大きい自由度でかつ容易に形成する
ことができ、基板の配線部のビアホールランドと絶縁層
の短絡部との接続を確実に達成することのできる積層型
コネクターおよびこれを具えた回路基板検査用アダプタ
ー装置の提供。 【解決手段】 積層型コネクターは、ビアホールランド
を有する配線部が上面に形成された基板と、この配線部
を含む基板上に積重して設けられた少なくとも１つの絶
縁層とを具えてなり、絶縁層には、基板の配線部におけ
るビアホールランドに接続された、絶縁層をその厚み方
向に貫通して伸びる短絡部が形成され、短絡部は、基板
の配線部におけるビアホールランドから上方に突出する
よう設けられたメタルポストと、絶縁層の上面から下方
に伸びてメタルポストの上部に接合された仲介用導電体
とよりなる。アダプター装置は、上記の積層型コネクタ
ーよりなるアダプター本体の上面に異方導電性エラスト
マー層が一体的に設けられてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型コネクター
およびこの積層型コネクターを具えた回路基板検査用ア
ダプター装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にプリント回路基板などの回路基板
においては、図２１に示すように、回路基板９０の中央
部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域
９１が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域９
１のための多数のリード電極９２が配列されてなるリー
ド電極領域９３が形成される。そして、現在において
は、機能素子領域９１の集積度の増大に伴ってリード電
極領域９３のリード電極数が増加し高密度化する傾向に
ある。

【０００３】このような回路基板のリード電極と、これ
に接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を達成
するために、従来、各リード電極領域上に異方導電性シ
ートを介在させることが行われている。この異方導電性
シートは、厚さ方向にのみ導電性を示すもの、あるいは
加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加
圧導電性導電部を有するものであり、種々の構造のもの
が例えば特公昭５６−４８９５１号公報、特開昭５１−
９３３９３号公報、特開昭５３−１４７７７２号公報、
特開昭５４−１４６８７３号公報などにより、知られて
いる。

【０００４】然るに、上記の異方導電性シートは、それ
自体が単独の製品として製造され、また単独で取り扱わ
れるものであって、電気的接続作業においては回路基板
に対して特定の位置関係をもって保持固定することが必
要である。しかしながら、独立した異方導電性シートを
利用して回路基板の電気的接続を達成する手段において
は、検査対象である回路基板におけるリード電極の配列
ピッチ（以下「電極ピッチ」という。) 、すなわち互い
に隣接するリード電極の中心間距離が小さくなるに従っ
て異方導電性シートの位置合わせおよび保持固定が困難
となる、という問題点がある。

【０００５】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が、検査対象である回路基板を構成する材料と
異方導電性シートを構成する材料との間で異なるため、
電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されな
い、という問題点がある。

【０００６】更に、検査対象である回路基板に対して安
定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度
の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパター
ンの被検査電極群を有する回路基板に対しては、当該被
検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成すること
が困難であるため、所要の検査を十分に行うことができ
ない、という問題点がある。

【０００７】そして、従来、以上のような問題を解決す
るために、下面に規格化された標準格子点上に配置され
た端子電極を有し、上面には検査対象回路基板の被検査
電極に対応する接続用電極が設けられたアダプター本体
を形成し、このアダプター本体の上面上に一体的に異方
導電性エラストマー層を設けることにより、回路基板検
査用アダプター装置を構成することが提案されている。

【０００８】このような構成によれば、検査対象である
回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、電極
ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパター
ンのものである場合にも、当該回路基板について所要の
電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化
による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的
接続状態が安定に維持され、従って接続信頼性が高い、
という点においてきわめて有利な回路基板検査用アダプ
ター装置が提供される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】而して、このような回
路基板検査用アダプター装置においては、検査対象であ
る回路基板の被検査電極に対応したパターンすなわち電
極ピッチが微小で複雑なパターンの接続用電極と、例え
ば電極ピッチが２．５４ｍｍ、１．８０ｍｍまたは１．
２７ｍｍの標準格子点上に配置された端子電極とを電気
的に接続することが必要であるため、アダプター本体と
して、上面に適宜の配線部を有する基板上に、当該基板
の配線部に接続された短絡部を有する絶縁層が積重され
てなる積層型コネクターが用いられている。そして、か
かる積層型コネクターにおいて、絶縁層に短絡部を形成
する方法としては、一般に、スルーホール法が採用され
ている。このスルーホール法は、基板と絶縁層とのコネ
クター用積層体を形成し、このコネクター用積層体に対
して例えばドリリング装置によってその厚み方向に貫通
するスルーホールを形成した上で、当該スルーホールの
内面に例えば銅メッキ法によって銅の堆積物を形成する
方法である。

【００１０】しかしながら、このようなスルーホール法
では、基板に、短絡部として使用されない導体が形成さ
れること、積層体全体を貫通するスルーホールを形成す
るためには、強度の高いドリルすなわち径の大きいドリ
ルを用いることが必要となる結果、絶縁層に外径の小さ
い短絡部を形成することが困難であること、などの理由
により、基板表面の配線部および絶縁層の上面の配線部
を大きい自由度で形成することができず、検査対象であ
る回路基板の被検査電極が極めて高密度のものである場
合において、これに対応する積層型コネクターを製造す
るためには、絶縁層の数を増やすことが必要となり、配
線設計に要する時間および費用、アダプター本体の製造
に要する時間および費用が多大なものとなる、という問
題がある。

【００１１】一方、スルーホール法の他に、絶縁層に短
絡部を形成する方法としては、いわゆるブラインドバイ
アホールによる方法（以下、「ブラインドバイアホール
法」という。）が知られている。このブラインドバイア
ホール法は、例えば数値制御型ドリリング装置によっ
て、前記コネクター用積層体における絶縁層のみにドリ
ル穴（ブラインドバイアホール）を形成し、このドリル
穴の内面に金属の堆積物を形成する方法である。然る
に、このようなブラインドバイアホール法によって、基
板の配線部のビアホールランドの直上位置に、絶縁層の
短絡部を形成する場合には、以下のような問題がある。 （１）絶縁層に形成されるドリル穴は、絶縁層の上面か
らビアホールランドに到達しかつ当該ビアホールランド
を貫通しない範囲の深さのものであることが必要であ
り、しかも、ビアホールランドの厚みは１０μｍ程度で
あるので、所要のドリル穴を確実に形成することは極め
て困難である。 （２）絶縁層の配線部を大きい自由度で形成するために
は、当該絶縁層に外径の小さい短絡部を形成することが
肝要であるが、絶縁層に外径の小さい短絡部を形成する
ために、ビアホールランドの内径より小さい内径のドリ
ル穴を形成すると、ビアホールランドに接続された短絡
部が形成されず、そのため、所要の層間接続を確実に達
成することが困難となる。

【００１２】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その第１の目的は、回路基板の検
査に用いられる積層型コネクターであって、検査対象で
ある回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、
電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパ
ターンのものである場合にも、配線部を大きい自由度で
かつ容易に形成することができ、しかも、基板の配線部
のビアホールランドと絶縁層の短絡部との接続を確実に
達成することのできる積層型コネクターを提供すること
にある。本発明の第２の目的は、検査対象である回路基
板におけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチ
が微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのも
のである場合にも、当該回路基板について所要の電気的
接続を確実に達成することができ、また温度変化による
熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状
態が安定に維持され、従って接続信頼性が高く、しかも
有利にかつ確実に製造することのできる回路基板検査用
アダプター装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の積層型コネクタ
ーは、ビアホールランドを有する配線部が上面に形成さ
れた基板と、この配線部を含む基板上に積重して設けら
れた少なくとも１つの絶縁層とを具えてなり、前記絶縁
層には、前記基板の配線部におけるビアホールランドに
接続された、当該絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び
る短絡部が形成されており、当該短絡部は、前記基板の
配線部におけるビアホールランドから上方に突出するよ
う設けられたメタルポストと、当該絶縁層の上面から下
方に伸びて前記メタルポストの上部に接合された仲介用
導電体とにより構成されていることを特徴とする。

【００１４】そして、上記の積層型コネクターは、基板
の上面に、ビアホールランドを有する配線部を形成した
後、当該配線部のビアホールランドから上方に突出する
ようメタルポストを形成する第１工程と、前記配線部お
よびメタルポストを含む基板の上面に、絶縁層を形成す
る第２工程と、前記絶縁層における前記メタルポストが
形成された位置に、当該メタルポストに到達する深さの
穴を形成し、この穴の内部に仲介用導電体を形成するこ
とにより、前記配線部のビアホールランドに接続され
た、当該絶縁層をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部
を形成する第３工程とを有する方法により製造すること
ができる。

【００１５】本発明の回路基板検査用アダプター装置
は、検査対象回路基板と電気的検査装置との間に介在さ
れて当該回路基板の被検査電極と電気的検査装置との電
気的接続を行う回路基板検査用アダプター装置であっ
て、下面に格子点上に配置された端子電極を有すると共
に、上面に検査対象回路基板の被検査電極に対応する接
続用電極を有するアダプター本体と、このアダプター本
体の上面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマ
ー層とよりなり、前記アダプター本体は、上記の積層型
コネクターを具えてなり、当該絶縁層に形成された短絡
部は、前記接続用電極に電気的に接続され、当該基板の
配線部は、前記端子電極に電気的に接続されていること
を特徴とする。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。図１は、本発明の積層型コネクターの一例におけ
る構成を示す説明用断面図であり、図２は積層型コネク
ターの各部の配置の状態を示す説明用部分平面図であ
り、図３は積層型コネクターの一部を拡大して示す説明
用断面図である。この積層型コネクターは、図１に示す
ように、基板１０と、この基板１０の上面に積重して設
けられた上部絶縁層２０と、基板１０の下面に積重して
設けられた下部絶縁層３０との積層体によって構成され
ている。基板１０の材質は寸法安定性の高い耐熱性材料
よりなる板状体であることが好ましく、各種の絶縁性樹
脂を使用することができるが、特にガラス繊維補強型エ
ポキシ樹脂が最適である。上部絶縁層２０および下部絶
縁層３０は、例えば熱圧着により設けられた熱硬化性樹
脂シートにより形成されている。この熱硬化性樹脂シー
トは寸法安定性の高い耐熱性樹脂よりなることが好まし
く、各種の樹脂シートを使用することができるが、ガラ
ス繊維補強型エポキシプリプレグ樹脂シート、ポリイミ
ドプリプレグ樹脂シート、エポキシプリプレグ樹脂シー
トが好ましい。

【００１７】基板１０の上面には、例えば円形のビアホ
ールランド１２を有する適宜のパターンの上部側配線部
１１が形成され、基板１０の下面には、例えば円形のビ
アホールランド１４を有する適宜のパターンの下部側配
線部１３が形成されており、上部側配線部１１および下
部側配線部１３は、基板１０をその厚み方向に貫通して
伸びる例えば円筒状の基板短絡部１５により電気的に接
続されている。この基板短絡部１５は、上部側配線部１
１のビアホールランド１２の直下の位置、下部側配線部
１３のビアホールランド１４の直上の位置および上部側
配線部１１と下部側配線部１３と間の適宜の位置に形成
されている。ここで、「ビアホールランド」とは、ビア
ホール上に形成されたランドすなわち基板短絡部上に形
成されたランドを意味する。

【００１８】上部側配線部１１を含む基板１０の上面に
は、上部絶縁層２０が形成されている。この上部絶縁層
２０の上面には、検査対象である回路基板の被検査電極
（図示せず）のパターンに対応した位置に、接続用電極
２１が、当該上面から突出する状態に形成されると共
に、適宜のパターンの上面配線部２２が形成されてい
る。そして、当該上部絶縁層２０には、その厚み方向に
貫通して伸びる例えば円筒状の短絡部２３が設けられて
いる。この短絡部２３の上端は、直接または上面配線部
２２を介して接続用電極２１に連結され、一方、当該短
絡部２３の下端は、上部側配線部１１のビアホールラン
ド１２または上部側配線部１１の適宜の個所に連結さ
れ、これにより接続用電極２１が上部側配線部１１に電
気的に接続されている。

【００１９】図３に示すように、上部絶縁層２０の短絡
部２３は、上部側配線部１１のビアホールランド１２お
よび上部側配線部１１の適宜の個所に、当該上部側配線
部１１から上方に突出するよう形成された微小円筒状の
メタルポスト２４と、上部側絶縁層２０の上面から下方
に伸びてメタルポスト２４の上部に接合された、当該メ
タルポスト２４の筒孔２４Ｈの内径より大きい外径を有
する円筒状の仲介用導電体２５とにより構成されてお
り、この仲介用導電体２５の上端が、接続用電極２１に
直接または上面配線部（図示省略）を介して連結されて
いる。

【００２０】下部側配線部１３を含む基板１０の下面に
は、下部絶縁層３０が形成されている。この下部絶縁層
３０の下面には、電気的検査装置すなわち検査用テスタ
ーに適宜の手段によって電気的に接続される端子電極３
１が格子点上に配置されて設けられており、この端子電
極３１は、下部絶縁層３０をその厚み方向に貫通して伸
びる例えば円筒状の短絡部３２によって、基板１０の下
部側配線部１３のビアホールランド１４または下部側配
線部１３の適宜の個所に電気的に接続されている。端子
電極３１に係る格子点間の距離、すなわち端子電極３１
の電極ピッチは、特に限定されるものではなく、種々の
条件に応じて適宜の大きさとすることができるが、例え
ば２．５４ｍｍ、１．８ｍｍまたは１．２７ｍｍであ
る。

【００２１】そして、接続用電極２１の各々は、上部絶
縁層２０の短絡部２３（仲介用導電体２５およびメタル
ポスト２４）、上部側配線部１１、基板短絡部１５、下
部側配線部１３および下部絶縁層３０の短絡部３２を介
して端子電極３１と電気的に接続されている。なお、基
板１０の上部側配線部１１および下部側配線部１３並び
に上部絶縁層２０の上面配線部２２は、図１において、
いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成され得る
ことは勿論であって、図２にはそのような状態が示され
ている。

【００２２】実際の構成において、接続用電極２１と端
子電極３１との電気的な接続は回路基板の検査目的に応
じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用
電極２１と端子電極３１とが必ず１対１の対応関係で接
続される必要はなく、接続用電極２１、上面配線部２
２、上部側配線部１１、下部側配線部１３および端子電
極３１について種々の要請される接続状態を実現するこ
とができる。例えば、上面配線部２２を利用して接続用
電極２１同士を接続すること、複数の接続用電極２１を
１つの上部側配線部１１に共通に接続すること、１つの
接続用電極２１を複数の上部側配線部１１に同時に接続
すること、その他が可能である。

【００２３】このような構成の積層型コネクターは、
（１）基板１０の上面に、ビアホールランド１２を有す
る上部側配線部１１を形成した後、当該上部側配線部１
１のビアホールランド１２から上方に突出するようメタ
ルポスト２４を形成する第１工程と、（２）上部側配線
部１１およびメタルポスト２４を含む基板１０の上面
に、上部絶縁層２０を形成する第２工程と、（３）上部
絶縁層２０におけるメタルポスト２４が形成された位置
に、当該メタルポスト２４に到達する深さの穴を形成
し、この穴の内部に仲介用導電体２５を形成することに
より、上部側配線部１１のビアホールランド１２に接続
された、上部絶縁層２０をその厚み方向に貫通して伸び
る短絡部２３を形成する第３工程とを経由して製造され
る。

【００２４】第１工程〜第３工程の詳細は次のとおりで
ある。 第１工程：この第１工程は、最終的には図６に示すよう
に、基板１０の上面に、ビアホールランド１２を有する
上部側配線部１１、並びに上部側配線部１１のビアホー
ルランド１２および上部側配線部１１の適宜の個所から
上方に突出するようメタルポスト２４を形成すると共
に、当該基板１０を厚み方向に貫通して伸びる基板短絡
部１５を形成し、更に、基板１０の下面に、ビアホール
ランド１４を有する下部側配線部１３を形成する工程で
ある。

【００２５】具体的には、図４に示すように、例えば銅
などよりなる金属薄層１１Ａおよび１３Ａが両面に積層
して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の絶縁性の基板
１０が用意され、この基板１０に、例えば数値制御型ド
リリング装置により、図５に示すように、当該基板１０
の厚み方向に貫通する基板短絡部形成用孔１５Ｈが形成
される。次いで、上記基板１０に対し、図６に示すよう
に、無電解銅メッキ、電解銅メッキを施すことにより、
基板短絡部形成用孔１５Ｈの内面に銅の堆積体を形成
し、これにより、基板１０をその厚み方向に貫通して伸
びる円筒状の基板短絡部１５が形成される。また、基板
１０の上面の金属薄層１１Ａに対してフォトリソグラフ
ィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去する
ことより、基板短絡部１５に接続された、ビアホールラ
ンド１２を有する所望の態様に応じたパターンに従う上
部側配線部１１が形成される。

【００２６】更に、図７にも拡大して示すように、上記
の基板１０の上面における上部側配線部１１のビアホー
ルランド１２および上部側配線部１１の適宜の個所にお
いて、フォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法
により、微小円筒柱状の金属堆積体よりなるメタルポス
ト２４が形成される。このメタルポスト２４の高さは、
後述する熱硬化性樹脂シートの厚みより小さいものとさ
れ、具体的には、２０〜１００μｍであって、かつ、上
部側配線部１１およびビアホールランド１２の厚みより
１０μｍ以上大きいものあることが好ましい。メタルポ
スト２４の高さが上部側配線部１１およびビアホールラ
ンド１２の厚みより１０μｍ以上のものでない場合に
は、後述する所要の導電体用ドリル穴を確実に形成する
ことが困難となることがある。一方、メタルポスト２４
の高さが１００μｍを超える場合には、熱硬化性樹脂シ
ートとして相当に厚みの大きいものを用いることが必要
となり、従って、形成される絶縁層の厚みが大きくなる
結果、得られる積層型コネクター全体が大型のものとな
るため、好ましくない。また、メタルポスト２４の筒孔
２４Ｈの内径は、８０μｍ以下であることが好ましく、
これにより、後述する仲介用導電体用ドリル穴の内径を
小さくすることが可能となり、その結果、絶縁層に外径
の小さい短絡部を形成することができるので、上部絶縁
層の配線部の形成において、より大きい自由度が得られ
る。

【００２７】一方、基板１０の下面の金属薄層１３Ａに
対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施
してその一部を除去することより、基板短絡部１５に接
続された、ビアホールランド１４を有する所望の態様に
応じたパターンに従う下部側配線部１３が形成される。

【００２８】第２工程：この第２工程は、最終的には図
９に示すように、上部側配線部１１およびメタルポスト
２４を含む基板１０の上面に、上部絶縁層２０を形成す
ると共に、この上部絶縁層２０の上面に接続用電極およ
び上面配線部を形成するための金属薄層２１Ａを形成
し、更に、下部側配線部１３を含む基板１０の下面に、
下部絶縁層３０を形成すると共に、この下部絶縁層３０
の下面に端子電極を形成するための金属薄層３１Ａを形
成する工程である。

【００２９】具体的には、図８に示すように、予めメタ
ルポスト２４と適合する径の貫通孔２３Ａをそれぞれ対
応する位置に形成した熱硬化性樹脂シート２０Ａが、基
板１０の上面に重ねられてメタルポスト２４が貫通孔２
３Ａ内に挿入された状態とされ、更に、この熱硬化性樹
脂シート２０Ａの上面に金属箔２１Ｂが重ねられる。一
方、熱硬化性樹脂シート３０Ａが、基板１０の下面に重
ねられ、更に、この熱硬化性樹脂シート３０Ａの下面に
金属箔３１Ｂが重ねられる。そして、この状態で、例え
ば真空プレス法によって熱圧着処理することにより、当
該熱硬化性樹脂シート２０Ａおよび熱硬化性樹脂シート
３０Ａが硬化して、基板１０の上面および下面を被着面
として一体的に被着され、更に、当該熱硬化性樹脂シー
ト２０Ａの上面に金属箔２１Ｂが一体的に被着されると
共に、熱硬化性樹脂シート３０Ａの下面に金属箔３１Ｂ
が一体的に被着され、これにより、図９に示すように、
金属薄層２１Ａ、上部絶縁層２０、基板１０、下部絶縁
層３０および金属薄層３１Ａがこの順で積層された圧着
積層体１Ａが形成される。このとき、熱硬化性樹脂シー
ト２０Ａに形成された貫通孔２３Ａは、図１０にも拡大
して示すように、熱圧着によって塞がれることとなり、
これにより、メタルポスト２４の上端面が上部絶縁層２
０により被覆された状態となる。

【００３０】以上において、上部絶縁層２０および下部
絶縁層３０を形成するための手段として、熱硬化性樹脂
シート２０Ａ，３０Ａを、被着面に対し、加熱下におい
て圧着する熱圧着手段が利用されるが、これにより、例
えば絶縁性樹脂層形成液を塗布し乾燥させる方法に比し
て、きわめて容易に均一な厚みを有する所要の絶縁層を
確実に形成することができる。熱硬化性樹脂シート２０
Ａとしては、その熱圧着時にメタルポスト２４が当該シ
ートを突き抜けない程度の十分な厚みを有するものを用
いることが必要であり、具体的には、形成される絶縁層
の厚みが例えば２０〜１００μｍとなる厚みのものが好
ましく用いられる。また、熱圧着により金属薄層２１
Ａ，３１Ａを形成するための金属箔２１Ｂ，３１Ｂの厚
みは、例えば９〜３５μｍであることが好ましい。

【００３１】熱硬化性樹脂シート２０Ａは、これに形成
された貫通孔２３Ａとメタルポスト３４とが位置合わせ
された状態で重ねられることが必要であるが、この位置
合わせは、例えばガイドピンなどによる位置調整手段に
より、容易に達成することができる。また、適当な材質
の熱硬化性樹脂シートを用いる場合には、メタルポスト
２４に対応する貫通孔を予め形成しておくことは必須の
ことではない。

【００３２】熱硬化性樹脂シート２０Ａ，３０Ａおよび
金属箔２１Ｂ，３１Ｂを熱圧着するための温度は、当該
熱硬化性樹脂シート２０Ａ，３０Ａの材質にもよるが、
当該熱硬化性樹脂シートが軟化して接着性を帯びる温度
以上であることが必要であり、通常、８０〜２５０℃、
好ましくは１４０〜２００℃程度とすることができる。
この熱圧着工程におけるプレス圧力は、例えば最高５〜
５０ｋｇ／ｃｍ2 程度であり、好ましくは２０〜４０ｋ
ｇ／ｃｍ2 程度である。この熱圧着工程は、常圧雰囲気
下で熱圧着することも可能であるが、実際上、例えば５
〜１００Ｐａ、好ましくは１０〜５０Ｐａ程度の減圧雰
囲気によるいわゆる真空プレス法によることが好まし
く、この場合には、当該熱硬化性樹脂シートと被着面と
の間に気泡が閉じ込められることが有効に防止される。

【００３３】第３工程：この第３工程は、最終的には図
１３に示すように、上部絶縁層２０の上面から下方に伸
びてメタルポスト２４の上部に接合された仲介用導電体
２５を形成することにより、上部絶縁層２０に、上端が
当該上部絶縁層２０の上面に形成された金属薄層２１に
電気的に接続され、下端が上部側配線部１１のビアホー
ルランド１２または上部側配線部１１の適宜の個所に電
気的に接続された状態の短絡部２３を形成する共に、下
部絶縁層３０に、下端が当該下部絶縁層３０の下面に形
成された金属薄層３１Ａに電気的に接続され、上端が下
部側配線部１３のビアホールランド１４または下部側配
線部１３の適宜の個所に電気的に接続された状態の短絡
部３２を形成する工程である。

【００３４】具体的には、上記の圧着積層体１Ａに、例
えば数値制御型ドリリング装置により、図１１に示すよ
うに、メタルポスト２４が形成された位置において、当
該圧着積層体１Ａの上面から当該メタルポスト２４に到
達する導電体形成用ドリル穴２５Ｈを形成されると共
に、下部側配線部１３に関連した位置（ビアホールラン
ド１４が形成された位置およびその他の適宜の位置）に
おいて、当該圧着積層体１Ａの下面から当該下部側配線
部１３に到達する短絡部形成用ドリル穴３２Ｈが形成さ
れる。

【００３５】以上において、導電体形成用ドリル穴２５
Ｈの深さは、メタルポスト２４に到達し、かつ、上部側
配線部１１およびビアホールランド１２を貫通しないも
のであればよく、従って、形成すべき導電体形成用ドリ
ル穴２５Ｈの深さの許容範囲が大きいので、数値制御型
ドリリング装置により形成される穴の深さの誤差範囲を
十分にカバーすることができ、その結果、所要の導電体
形成用ドリル穴２５Ｈを確実に形成することができる。
また、導電体形成用ドリル穴２５Ｈの内径は、メタルポ
スト２４における筒孔２４Ｈの内径より大きいものであ
って、形成される仲介用導電体の所要の電気的な接続が
達成されるものであれば特に制限されるものではない
が、例えば０．０３〜０．５ｍｍ、好ましくは０．０５
〜０．１５ｍｍ程度である。また、短絡部形成用ドリル
穴３２Ｈの内径は例えば０．１５ｍｍである。

【００３６】次に、上記の圧着積層体１Ａに、無電解銅
メッキ法、電解銅メッキ法などのメッキ処理を行うこと
により、図１２に示すように、導電体形成用ドリル穴２
５Ｈの内面に銅の堆積体が形成され、これにより、上部
絶縁層２０の厚み方向に伸びる円筒状の仲介用導電体２
５が形成され、以てポストメタル２４と仲介用導電体２
５とが接合されてなる短絡部２３が形成される。一方、
上記のメッキ処理により、短絡部形成用ドリル穴３２Ｈ
の内面に銅の堆積体が形成され、これにより、下部絶縁
層３０を厚み方向に貫通して伸びる円筒状の短絡部３２
が形成される。

【００３７】以上のようにして、図１３に示すように、
上部絶縁層２０には、その上面に形成された金属薄層２
１および基板１０の上部側配線部１１に電気的に接続さ
れた状態の短絡部２３が形成されると共に、下部絶縁層
３０には、その下面に形成された金属薄層３１Ａおよび
基板１０の下部側配線部１３に電気的に接続された状態
の短絡部３２が形成される。

【００３８】第４工程：この第４工程は、最終的には図
１５に示すように、上部絶縁層２０の上面に、基板１０
における上部側配線部１１のビアホールランド１２また
は上部側配線部１１の適宜の個所に電気的に接続された
状態の接続用電極２１を形成すると共に、下部絶縁層３
０の下面に、基板１０における下部側配線部１３のビア
ホールランド１４または下部側配線部１３の適宜の個所
に電気的に接続された状態の端子電極３１を形成する工
程である。

【００３９】具体的には、圧着積層体１Ａの上面の金属
薄層２１Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチ
ング処理を施してその一部を除去することより、図１４
に示すように、検査対象である回路基板の被検査電極に
対応したパターンの接続用電極基層２１Ｃおよび上面配
線部２２が形成される。この接続用電極基層２１Ｃは、
短絡部２３またはこれと上面配線部２２とを介して、基
板１０における上部側配線部１１のビアホールランド１
２または上部側配線部１１の適宜の個所に電気的に接続
された状態である。そして、図１５に示すように、上記
の接続用電極基層２１Ｃの上面に、例えばメッキ法によ
り金属を堆積させることにより、金属層としての厚みを
大きくして所要の接続用電極２１が形成される。

【００４０】また、下部絶縁層３０の下面の金属薄層３
１Ａに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処
理が施されることにより、格子点上に配置された端子電
極３１が短絡部３２に連結された状態で形成される。こ
の端子電極３１の電極ピッチは、例えば２．５４ｍｍ、
１．８ｍｍまたは１．２７ｍｍである。

【００４１】以上において、接続用電極２１または上面
配線部２２を形成する金属層の厚みを個別的に大きくす
ることが望まれる場合がある。例えば接続用電極２１
は、後述するエラストマー層４０の機能との関係から、
表面の配線層から更に２０μｍ以上突出していることが
好ましい。このような場合には、例えば増加させるべき
厚みに対応する膜厚のフォトレジスト膜を形成してこれ
に同一のパターニングを行うことにより、当該金属層の
表面を露出させる孔を形成し、この孔を介して当該金属
層の表面上にメッキ法などによって金属を充填して堆積
させ、その後にフォトレジスト膜を除去すればよい。こ
のような方法により、例えば接続用電極２１を表面から
突出した所期の状態に形成することが容易である。

【００４２】また、第４工程、すなわち上部絶縁層２０
の上面に接続用電極２１および上面配線部２２を形成す
ると共に、下部絶縁層３０の下面に端子電極３１を形成
する工程は独立して設けられる必要はなく、その一部ま
たは全部を第２工程または第３工程において行うことが
できる。

【００４３】このようにして、基板１０と、この基板１
０の上面に積重して設けられた上部絶縁層２０と、基板
１０の下面に積重して設けられた下部絶縁層３０との積
層体よりなり、上面および下面にそれぞれ接続用電極２
１および端子電極３１を有すると共に、当該接続用電極
２１が、短絡部２３（仲介用導電体２５およびメタルポ
スト２４）、ビアホールランド１２を含む上部側配線部
１１、基板短絡部２３、ビアホールランド１４を含む下
部側配線部１３および短絡部３２を介して端子電極３１
に電気的に接続された積層型コネクターが製造される。

【００４４】このような積層型コネクターによれば、上
部絶縁層２０の短絡部２３は、基板１０における上部側
配線部１１のビアホールランド１２または上部側配線部
１１の適宜の個所から上方に突出するよう設けられたメ
タルポスト２４と、上部絶縁層２０の上面から下方に伸
びてメタルポスト２４の上部に接合された仲介用導電体
２５とにより構成されており、当該積層型コネクター全
体を貫通するスルーホールによるものではないので、基
板１０の上部側配線部１１および下部側配線部１３を大
きい自由度でかつ容易に形成することができる。また、
仲介用導電体２５は、上部絶縁層２０に導電体用ドリル
穴２５Ｈを形成してその内部に設けることができ、この
導電体用ドリル穴２５Ｈの深さは、メタルポスト２４に
到達し、かつ、上部側配線部１１を貫通しないものであ
ればよく、従って、形成すべき導電体用ドリル穴２５Ｈ
の深さの許容範囲が大きいため、数値制御型ドリリング
装置により形成される穴の深さの誤差範囲を十分にカバ
ーすることができ、その結果、所要の導電体形成用ドリ
ル穴３５が確実に形成されるので、基板１０における上
部側配線部１１のビアホールランド１２および上部側配
線部１１の適宜の個所に接続された短絡部２３を確実に
形成することができる。更に、仲介用導電体２５の外径
は、メタルポスト２４の筒孔２４Ｈより大きくすること
が必要であるが、筒孔２４の内径が相当に小さいメタル
ポスト２４を形成することが可能であり、これにより、
外径の小さい仲介用導電体２５を形成することができる
ので、上部絶縁層２０の上面配線部２２を大きい自由度
で形成することができる。

【００４５】次に、本発明の回路基板検査用アダプター
装置について説明する。図１６は、本発明の回路基板検
査用アダプター装置の一例における構成を示す説明用断
面図である。この回路基板検査用アダプター装置は、ア
ダプター本体１と、このアダプター本体１の上面上に設
けられた異方導電性エラストマー層（以下、単に「エラ
ストマー層」という）４０とにより構成されている。

【００４６】具体的に説明すると、アダプター本体１
は、図１に示す構成の積層型コネクターよりなり、この
アダプター本体１の表面には、エラストマー層４０が一
体的に接着乃至密着した状態で形成されている。このエ
ラストマー層４０は、図１７に示すように、絶縁性の弾
性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが密に充填されてなる
多数の導電部４１が接続用電極２１上に位置された状態
で、かつ、隣接する導電部４１が相互に絶縁部４２によ
って絶縁された状態とされている。各導電部４１におい
ては、導電性粒子Ｐが厚さ方向に並ぶよう配向されてお
り、厚さ方向に伸びる導電路が形成されている。この導
電部４１は、厚さ方向に加圧されて圧縮されたときに抵
抗値が減少して導電路が形成される、加圧導電部であっ
てもよい。これに対して、絶縁部４２は、加圧されたと
きにも厚さ方向に導電路が形成されないものである。

【００４７】上記エラストマー層４０の導電部４１にお
いては、導電性粒子Ｐの充填率が１０体積％以上、特に
１５体積％以上であることが好ましい。導電部を加圧導
電部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いと
きには、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接
続を達成することができる点では好ましい。しかし、接
続用電極２１の電極ピッチが小さくなると、隣接する導
電部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあ
り、このため、導電部４１における導電性粒子Ｐの充填
率は４０体積％以下であることが好ましい。

【００４８】このような構成の回路基板検査用アダプタ
ー装置においては、その上面にエラストマー層４０が一
体的に形成されており、しかも当該上面の接続用電極２
１上にエラストマー層４０の導電部４１が配置されてい
るため、電気的接続作業時にエラストマー層４０の位置
合わせおよび保持固定を行うことが全く不要であり、従
ってリード電極領域の電極ピッチが微小である場合に
も、所要の電気的接続を確実に達成することができる。
また、エラストマー層４０はアダプター本体１と一体で
あるため、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
しても、良好な電気的接続状態が安定に維持され、従っ
て常に高い接続信頼性を得ることができる。

【００４９】図示の例においては、エラストマー層４０
の外面において、導電部４１が絶縁部４２の表面から突
出する突出部を形成している。このような例によれば、
加圧による圧縮の程度が絶縁部４２より導電部４１にお
いて大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導
電部４１に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変
動に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その
結果、エラストマー層４０に作用される加圧力が不均一
であっても、各導電部４１間における導電性のバラツキ
の発生を防止することができる。

【００５０】このように導電部４１が突出部を形成する
場合には、当該突出部の突出高さｈは、エラストマー層
４０の全厚ｔ（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部４２の厚さであ
る。）の８％以上であることが好ましい。また、エラス
トマー層４０の全厚ｔは、接続用電極２１の中心間距離
として定義される電極ピッチｐの３００％以下、すなわ
ちｔ≦３ｐであることが好ましい。このような条件が充
足されることにより、エラストマー層４０に作用される
加圧力が変化した場合にも、それによる導電部４１の導
電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。

【００５１】導電部４１が突出部を形成する場合におい
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電
極ピッチの２０％以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部４１間の離間距離ｒの
最小値は、当該導電部４１の幅Ｒの１０％以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部４１同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上の例にお
いて、導電部４１の平面形状は接続用電極２１と等しい
幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する
円形、その他の適宜の形状とすることができる。

【００５２】導電部４１の導電性粒子としては、例えば
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。後述する方法においては、ニッケル、鉄、またはこ
れらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用いられ、
また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で金メッキ
された粒子を好ましく用いることができる。また、磁気
ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁性体より
なる粒子も好ましく用いることができる。

【００５３】導電性粒子の粒径は、導電部４１の加圧変
形を容易にし、かつ導電部４１において導電性粒子間に
十分な電気的な接触が得られるよう、３〜２００μｍで
あることが好ましく、特に１０〜１００μｍであること
が好ましい。

【００５４】導電部４１を構成する絶縁性で弾性を有す
る高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が
好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることがで
きる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコ
ーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレ
ン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン
共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。具体的には、硬
化処理前には液状であって、硬化処理後にアダプター本
体１の上面と密着状態または接着状態を保持して一体と
なる高分子物質用材料が好ましい。このような観点か
ら、本発明に好適な高分子物質用材料としては、液状シ
リコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹
脂などを挙げることができる。高分子物質用材料には、
アダプター本体１の上面に対する接着性を向上させるた
めに、シランカップリング剤、チタンカップリング剤な
どの添加剤を添加することができる。

【００５５】絶縁部４２を構成する材料としては、導電
部４１を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体１の上面と密着状態または接着状態を保持し
てアダプター本体１と一体となるものが用いられる。

【００５６】このような絶縁部を形成することにより、
エラストマー層それ自体の一体性並びにそのアダプター
本体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター
装置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧
縮に対して優れた耐久性を得ることができる。

【００５７】以上のような構成の回路基板検査用アダプ
ター装置は、その上面に検査対象である回路基板が配置
されて接続用電極２１に回路基板の被検査電極が対接さ
れると共に、下面の端子電極３１が適宜の接続手段を介
してテスターに接続され、更に全体が厚み方向に圧縮す
るよう加圧された状態とされる。この状態においては、
アダプター装置のエラストマー層４０の導電部４１が導
電状態となり、これにより、被検査電極とテスターとの
所要の電気的な接続が達成される。

【００５８】上記の回路基板検査用アダプター装置は、
例えば次のようにしてアダプター本体１の上面にエラス
トマー層４０が設けられて製造される。先ず、硬化処理
によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材
料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よ
りなるエラストマー材料が調製され、図１８に示すよう
に、このエラストマー材料がアダプター本体１の上面に
塗布されることによりエラストマー材料層５０が形成さ
れ、これが金型のキャビティ内に配置される。

【００５９】この金型は、各々電磁石を構成する上型５
１と下型５２とよりなり、上型５１には、接続用電極２
１に対応するパターンの強磁性体部分（斜線を付して示
す）Ｍと、それ以外の非磁性体部分Ｎとよりなる、下面
が平坦面である磁極板５３が設けられており、当該磁極
板５３の平坦な下面がエラストマー材料層５０の表面か
ら離間されて間隙Ｇが形成された状態とされる。なお、
図１８および図１９においては、接続用電極２１を除
き、アダプター本体１の詳細は省略されている。

【００６０】この状態で上型５１と下型５２の電磁石を
動作させ、これにより、アダプター本体１の厚さ方向の
平行磁場を作用させる。その結果、エラストマー材料層
５０においては接続用電極２１上に位置する部分におい
て、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作用
されることとなり、この分布を有する平行磁場により、
図１９に示すように、エラストマー材料層５０内の導電
性磁性体粒子が、強磁性体部分Ｍによる磁力により接続
用電極２１上に位置する部分に集合して更に厚さ方向に
配向する。

【００６１】然るに、このとき、エラストマー材料層５
０の表面側には間隙Ｇが存在するため、導電性磁性体粒
子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動す
る結果、接続用電極２１上に位置する部分の高分子物質
用材料表面が***し、突出した導電部４１が形成され
る。従って、形成される絶縁部４２の厚さｔ1 は、初期
のエラストマー材料層５０の厚さｔ0 より小さいものと
なる。そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平
行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部
を形成する導電部４１と絶縁部４２とよりなるエラスト
マー層４０をアダプター本体１上に一体的に設けること
ができ、以てアダプター装置が製造される。

【００６２】磁極板５３としては、図２０に示すよう
に、上型５１が接続用電極２１に対応するパターンの強
磁性体部分Ｍとそれ以外の非磁性体部分Ｎよりなり、当
該上型５１の下面において強磁性体部分Ｍが非磁性体部
分Ｎより下方に突出した状態の磁極板５５を使用するこ
ともできる。更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であ
って、接続用電極２１に対応するパターンの部分が、そ
れ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いる
こともできる。これらの場合にも、エラストマー材料層
５０に対しては接続用電極２１の領域において、より強
い平行磁場が作用されることとなる。

【００６３】また、平行磁場を作用させたままで上型５
１と下型５２の間隔が可変の金型を用い、始めは上型５
１をエラストマー材料層５０のすぐ上に配置し、平行磁
場を作用させながら上型５１と下型５２の間隔を徐々に
広げ、これによってエラストマー材料層５０の***を生
じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。

【００６４】本発明においては、エラストマー層４０の
導電部４１が絶縁部４２より突出していることは必須の
ことではなく、平坦な表面を有するものとすることもで
きる。このような場合には、例えば図１８に示した構成
の金型を用い、間隙Ｇを形成せずに処理すればよい。

【００６５】エラストマー材料層５０の厚さは例えば
０．１〜３ｍｍとされる。このエラストマー材料層５０
のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動
が容易に行われるよう、その温度２５℃における粘度が
１０1 ｓｅｃ-1の歪速度の条件下において１０4 〜１０
7 センチポアズ程度であることが好ましい。エラストマ
ー材料層５０の硬化処理は、平行磁場を作用させたまま
の状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止
させた後に行うこともできる。

【００６６】また、磁極板５３の強磁性体部分Ｍは鉄、
ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Ｎ
は、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂
または空気層などにより形成することができる。エラス
トマー材料層５０に作用される平行磁場の強度は、金型
のキャビティの平均で２００〜２０，０００ガウスとな
る大きさが好ましい。

【００６７】硬化処理は、使用される材料によって適宜
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、エラストマー材料層５０
の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に
要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高
分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合
に、硬化処理は、室温で２４時間程度、４０℃で２時間
程度、８０℃で３０分間程度で行われる。

【００６８】以上、本発明の一例に従って説明したが、
本発明においては、ビアホールランドおよびこのビアホ
ールランドから厚み方向に貫通して伸びる基板短絡部を
有する基板上に、少なくとも１つの絶縁層が設けられ、
この絶縁層にその厚み方向に貫通して伸びる短絡部が形
成されており、この短絡部が、メタルポストとこの上端
に接合された仲介用導電体とにより構成されていること
を特徴とするものである。従って、上記の図示の例は、
基板上に１つの絶縁層が設けられる場合であるが、本発
明においては、当該絶縁層が２つ以上設けられていても
よく、この場合には、前述の第１工程〜第３工程を絶縁
層の数に対応する回数繰り返して行うことにより、当該
積層型コネクターを製造することができる。

【００６９】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

【００７０】〈実施例１〉 （１）積層型コネクターの製造 第１工程：各々の厚みが９μｍの銅金属薄層（１１Ａ，
１３Ａ）を厚さ０．５ｍｍのガラス繊維補強型エポキシ
樹脂よりなる基板（１０）の両面に積層してなる材料を
用意し、これを縦３３０ｍｍ、横５００ｍｍの矩形状に
裁断して、２軸ドリリング装置「ＮＤ−２Ｊ−１８」
（日立精工社製）を用いて、各々の内径が０．１５ｍｍ
の基板短絡部形成用孔（１５Ｈ）を形成した（図４およ
び図５参照）。

【００７１】次いで、銅メッキにより、基板短絡部形成
用孔（１５Ｈ）内に円筒状の基板短絡部（１５）を形成
すると共に、基板１０の上面の金属薄層（１１Ａ）に対
してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施す
ことにより、上面に、基板短絡部（１５）に接続され
た、ビアホールランド（１２）を有する上部側配線部
（１１）を形成した。その後、基板（１０）の上面に形
成された上部側配線部（１１）のビアホールランド（１
２）および上部側配線部（１１）の所定の個所に、フォ
トリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、上
部側配線部（１１）からの突出高さが２０μｍ、外径が
０．３０ｍｍ、筒孔（２４Ｈ）の内径が５０μｍの円筒
状のメタルポスト（２４）を形成した。一方、基板（１
０）の下面の金属薄層（１３Ａ）に対してフォトリソグ
ラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、基板
短絡部（１５）に接続された、ビアホールランド（１
４）を有する下部側配線部（１３）を形成した（図６お
よび図７参照）。

【００７２】第２工程：熱硬化性樹脂シート（２０Ａ）
におけるメタルポスト（２４）に対応する位置に、ＮＣ
ドリリリング装置により直径０．３５ｍｍの貫通孔（２
３Ａ）を形成し、この熱硬化性樹脂シート（２０Ａ）
を、当該貫通孔（２３Ａ）とメタルポスト（２４）とを
位置合わせした後、基板（１０）の上面に重ね、更に、
この熱硬化性樹脂シート（２０Ａ）の上面に、金属箔
（２１Ｂ）を配置すると共に、熱硬化性樹脂シート（３
０Ａ）を、基板（１０）の下面に重ね、更に、この熱硬
化性樹脂シート（３０Ａ）の下面に、金属箔（３１Ｂ）
を配置し、真空プレス機「ＭＨＰＣＶ−２００−７５
０」（名機製作所社製）により、１０Ｐａの減圧雰囲気
下において、最高プレス圧力４０Ｋｇ／ｃｍ²、最高温
度１８０℃で２時間プレスし、熱圧着することにより、
基板（１０）の上面に上部絶縁層（２０）および金属箔
層（２１Ａ）が積層され、基板（１０）の下面に下部絶
縁層（３０）および金属薄層（３１Ａ）が積層された圧
着積層体（１Ａ）を形成した（図８〜図１０参照）。以
上において、熱硬化性樹脂シート（２０Ａ，３０Ａ）と
しては、ガラス繊維補強プリプレグ「ナショナルマルチ
Ｒ１６６１」松下電工社製，厚さ６０μｍ）を用い、金
属箔（２１Ｂ，３１Ｂ）としては、厚さ７０μｍの支持
銅箔上に形成された、厚さ９μｍの剥離性電解銅箔「ピ
ーラブル銅箔」（古河電工社製）を用いた。

【００７３】第３工程：２軸ドリリング装置「ＮＤ−２
Ｊ−１８」（日立精工社製）を用い、上記の圧着積層体
（１Ａ）の上面に、メタルポスト（２４）が形成された
位置において、深さが５０μｍで内径が１００μｍの導
電体形成用ドリル穴（２５Ｈ）を形成すると共に、当該
圧着積層体（１Ａ）の下面に、下部配線部（１３）のビ
アホールランド（１４）が形成された位置およびその他
の所定の位置において、ピッチが１．２７ｍｍの格子点
上に配置された状態となるよう、各々深さが５０μｍで
内径が１５０μｍの短絡部形成用ドリル穴（３２Ｈ）を
形成した（図１１参照）。

【００７４】次いで、上記の圧着積層体１Ａに、無電解
銅メッキを行った後更に電解銅メッキを行うことによ
り、導電体形成用ドリル穴２５Ｈ内に、銅の堆積体より
なる円筒状の仲介用導電体２５を形成し、以てメタルポ
スト（２４）と仲介用導電体（２５）とが接合されてな
る短絡部（２３）を形成すると共に、短絡部形成用ドリ
ル穴（３２Ｈ）内に、銅の堆積体よりなる円筒状の短絡
部（３２）を形成した（図１２および図１３参照）。

【００７５】第４工程：上記の圧着積層体（１Ａ）の上
面の金属薄層（２１Ａ）に対してフォトリソグラフィー
およびエッチング処理を施してその一部を除去すること
より、上面に検査対象である回路基板の被検査電極に対
応したパターンの接続用電極基層（２１Ｃ）および上面
配線部（２２）を形成した（図１４参照）。

【００７６】更に、圧着積層体（１Ａ）の上面上に厚み
５０μｍのフォトレジスト膜「ＨＫ３５０」（日立化成
工業社製）を設け、これをフォトリソグラフィー法によ
り処理して検査対象回路基板の被検査電極に対応するパ
ターンに従って除去し、斯くして形成された穴部に銅メ
ッキ法により金属銅を充填し、その後フォトレジスト膜
を剥離することにより、突出高さが５０μｍの接続用電
極（２１）を形成し、更に各接続用電極（２２）に厚み
２μｍの金メッキを施した。一方、圧着積層体（１Ａ）
における下部絶縁層（３０）の下面の金属薄層（３１
Ａ）に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処
理を施すことにより、１．２７ｍｍの格子点上に配置さ
れた端子電極（３１）を形成し、以て積層型コネクター
を製造した（図１５参照）。

【００７７】以上の方法によって得られた積層型コネク
ターの接続用電極は、各電極の寸法が直径０．２５ｍｍ
及び直径０．３５ｍｍの円形で部分的に電極ピッチが
０．３ｍｍの電極群と、各電極の寸法が直径０．４５ｍ
ｍで電極ピッチが０．６ｍｍの電極群とを有するもので
あった。

【００７８】（２）アダプター装置の製造 上記の積層型コネクターをアダプター本体として用い、
このアダプター本体の上面に、次のようにしてエラスト
マーを形成した。室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径２
６μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を１５体積
％となる割合で混合してなるエラストマー材料を調製
し、これを上記のアダプター本体の表面に塗布したもの
を、基本的に図２０に示した金型を用いる方法に従って
処理した。すなわち、下面において強磁性体部分Ｍが非
磁性体部分Ｎより０．１ｍｍ突出する磁極板５５を用
い、強磁性体部分Ｍの下面とエラストマー材料層との間
に０．０３ｍｍの間隙を形成して平行磁場を作用させて
エラストマー材料層を***させ、この状態で室温で２４
時間放置して硬化させ、これにより、導電部の厚さｔが
０．３ｍｍ、絶縁部の厚さｄが０．２７ｍｍ、導電部の
突出割合（ｔ−ｄ）／ｔが１０％のエラストマー層を形
成し、もって回路基板検査用アダプター装置を製造し
た。

【００７９】実験例１ 以上のアダプター装置について、抵抗測定器「ミリオー
ムハイテスター」（日置電機社製）を用い、基板の下面
側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状
態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値
をプローブピンを利用して測定した。その結果、すべて
の接続用電極について、電気抵抗値は３０ｍΩ以下と非
常に小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との
間の電気的な接続が十分に達成されていることが確認さ
れた。

【００８０】実験例２ 更に当該アダプター装置について、上記と同様の抵抗測
定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続
用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定
したところ、電気抵抗値はいずれも２ＭΩ以上と非常に
大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認さ
れた。

【００８１】

【発明の効果】本発明の積層型コネクターによれば、絶
縁層の短絡部は、基板における配線部のビアホールラン
ドから上方に突出するよう設けられたメタルポストと、
当該絶縁層の上面から下方に伸びてメタルポストの上部
に接合された仲介用導電体とにより構成されており、当
該積層型コネクター全体を貫通するスルーホールによる
ものではないので、基板の配線部を大きい自由度でかつ
容易に形成することができる。また、仲介用導電体は、
絶縁層に穴部を形成してその内部に設けることができ、
この穴部の深さは、メタルポストに到達しかつ配線部を
貫通しないものであればよく、従って、形成すべき穴部
の深さの許容範囲が大きいため、数値制御型ドリリング
装置により形成される穴の深さの誤差範囲を十分にカバ
ーすることができ、その結果、所要の穴部が確実に形成
されるので、基板の配線部のビアホールランドと短絡部
との接続を確実に達成することができる。更に、筒孔の
内径が相当に小さいメタルポストを形成することによ
り、外径の小さい仲介用導電体を形成することができる
ので、絶縁層の配線部を大きい自由度で形成することが
できる。

【００８２】本発明の回路基板検査用アダプター装置
は、その基本的構成において、アダプター本体の上面
に、検査対象回路基板の被検査電極に対応して配置され
た接続用電極が形成されると共に、下面には格子点に配
置された端子電極が形成されており、かつアダプター本
体は、上記の積層型コネクターを具えてなり、しかもア
ダプター本体の上面上には異方導電性エラストマー層が
一体的に設けられているため、検査対象である回路基板
の被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で
高密度の複雑なパターンのパターンのものである場合に
も、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達
成することができ、また温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持
され、従って高い接続信頼性を得ることができ、しか
も、所望の配線構成を有するアダプター本体の形成がき
わめて容易であり、従ってきわめて有利にかつ確実に製
造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層型コネクターの一例における構成
を示す説明用断面図である。

【図２】本発明の積層型コネクターの一例における各部
の配置の状態を示す説明用部分平面図である。

【図３】図１における積層型コネクターの説明用拡大断
面図である。

【図４】本発明の積層型コネクターを製造する方法に用
いられる基板材料の説明用断面図である。

【図５】基板に基板短絡部形成用孔が形成された状態を
示す説明用断面図である。

【図６】基板に、ビアホールランドを有する上部側配線
部、メタルポスト、基板短絡部およびビアホールランド
を有する下部側配線部が形成された状態を示す説明用断
面図である。

【図７】図６における基板の一部を拡大して示す説明用
断面図である。

【図８】圧着積層体を形成する部材の配置状態を示す説
明用断面図である。

【図９】圧着積層体が形成された状態を示す説明用断面
図である。。

【図１０】図９における圧着積層体の一部を拡大して示
す説明用断面図である。

【図１１】圧着積層体に導電体用ドリル穴および短絡部
形成用ドリル穴が形成された状態を示す説明用断面図で
ある。

【図１２】導電体用ドリル穴の内部に仲介用導電体が形
成され、短絡部形成用ドリル穴の内部に短絡部が形成さ
れた状態を示す説明用断面図である。

【図１３】圧着積層体における上部絶縁層に短絡部が形
成された状態を示す説明用断面図である。

【図１４】圧着積層体の上面に接続用電極基層および上
面配線部が形成された状態を示す説明用断面図である。

【図１５】圧着積層体の上面に接続用電極が形成され、
圧着積層体の下面に端子電極が形成されて完成した積層
型コネクターの説明用断面図である。

【図１６】本発明の回路基板検査用アダプター装置の一
例における構成を示す説明用断面図である。

【図１７】本発明の回路基板検査用アダプター装置の一
例におけるエラストマー層部分の説明用拡大断面図であ
る。

【図１８】エラストマー材料層が形成されたアダプター
本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図であ
る。

【図１９】図１８において、平行磁場が作用された状態
を示す説明用断面図である。

【図２０】エラストマー層を形成するために用いられる
金型の他の例を示す説明用断面図である。

【図２１】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図
である。

【符号の説明】

１ アダプター本体 １Ａ 圧着積層
体 １０ 基板 １１ 上部側配
線部 １１Ａ 金属薄層 １２ ビアホー
ルランド １３ 下部側配線部 １３Ａ 金属薄
層 １４ ビアホールランド １５ 基板短絡
部 １５Ｈ 基板短絡部形成用孔 ２０ 上部絶縁
層 ２０Ａ 熱硬化性樹脂シート ２１ 接続用電
極 ２１Ａ 金属薄層 ２１Ｂ 金属箔 ２１Ｃ 接続用電極基層 ２２ 上面配線
部 ２３ 短絡部 ２３Ａ 貫通孔 ２４ メタルポスト ２４Ｈ 筒孔 ２５ 仲介用導電体 ２５Ｈ 導電体
形成用ドリル穴 ３０ 下部絶縁層 ３０Ａ 熱硬化
性樹脂シート ３１ 端子電極 ３１Ａ 金属薄
層 ３１Ｂ 金属箔 ３２ 短絡部 ３２Ｈ 短絡部形成用ドリル穴 ４０ 異方導電
性エラストマー層 ４１ 導電部 ４２ 絶縁部 Ｅ 弾性高分子物質 Ｐ 導電性粒子 ５０ エラストマー材料層 ５１ 上型 ５２ 下型 Ｍ 強磁性体部
分 Ｎ 非磁性体部分 ５３ 磁極板 Ｇ 間隙 ５５ 磁極板 ９０ 回路基板 ９１ 機能素子
領域 ９２ リード電極 ９３ リード電
極領域

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ビアホールランドを有する配線部が上面
   に形成された基板と、この配線部を含む基板上に積重し
   て設けられた少なくとも１つの絶縁層とを具えてなり、 前記絶縁層には、前記基板の配線部におけるビアホール
   ランドに接続された、当該絶縁層をその厚み方向に貫通
   して伸びる短絡部が形成されており、 当該短絡部は、前記基板の配線部におけるビアホールラ
   ンドから上方に突出するよう設けられたメタルポスト
   と、当該絶縁層の上面から下方に伸びて前記メタルポス
   トの上部に接合された仲介用導電体とにより構成されて
   いることを特徴とする積層型コネクター。
2. 【請求項２】 検査対象回路基板と電気的検査装置との
   間に介在されて当該回路基板の被検査電極と電気的検査
   装置との電気的接続を行う回路基板検査用アダプター装
   置であって、 下面に格子点上に配置された端子電極を有すると共に、
   上面に検査対象回路基板の被検査電極に対応する接続用
   電極を有するアダプター本体と、このアダプター本体の
   上面上に一体的に設けられた異方導電性エラストマー層
   とよりなり、 前記アダプター本体は、請求項１に記載の積層型コネク
   ターを具えてなり、当該絶縁層に形成された短絡部は、
   前記接続用電極に電気的に接続され、当該基板の配線部
   は、前記端子電極に電気的に接続されていることを特徴
   とする回路基板検査用アダプター装置。