JP3674123B2 - 回路基板検査用アダプター装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、異方導電性コネクター層を有する回路基板検査用アダプター装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般にプリント回路基板などの回路基板においては、第22図に示すように、回路基板90の中央部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域91が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域91のための多数のリード電極92が配列されてなるリード電極領域93が形成される。そして、現在においては、機能素子領域91の集積度の増大に伴ってリード電極領域93のリード電極数が増加し高密度化する傾向にある。
【0003】
このような回路基板のリード電極と、これに接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を達成するために、従来、各リード電極領域上に異方導電性シートを介在させることが行われている。この異方導電性シートは、厚さ方向にのみ導電性を示すもの、あるいは加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加圧導電性導電部を有するものであり、種々の構造のものが例えば特公昭56−48951号公報、特開昭51−93393号公報、特開昭53−147772号公報、特開昭54−146873号公報などにより、知られている。
【0004】
然るに、上記の異方導電性シートは、それ自体が単独の製品として製造され、また単独で取り扱われるものであって、電気的接続作業においては回路基板に対して特定の位置関係をもって保持固定することが必要である。
しかしながら、独立した異方導電性シートを利用して回路基板の電気的接続を達成する手段においては、検査対象である回路基板におけるリード電極の配列ピッチ(以下「電極ピッチ」という。) 、すなわち互いに隣接するリード電極の中心間距離が小さくなるに従って異方導電性シートの位置合わせおよび保持固定が困難となる、という問題点がある。
【0005】
また、一旦は所望の位置合わせおよび保持固定が実現された場合においても、温度変化による熱履歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応力の程度が、検査対象である回路基板を構成する材料と異方導電性シートを構成する材料との間で異なるため、電気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されない、という問題点がある。
【0006】
更に、検査対象である回路基板に対して安定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパターンの被検査電極群を有する回路基板に対しては、当該被検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成することが困難であるため、所要の検査を十分に行うことができない、という問題点がある。
【0007】
そして、従来、以上のような問題を解決するために、下面に格子点上に配置された端子電極を有する基板上に、適宜の配線部を有する絶縁層を有してなり、上面には検査対象回路基板の被検査電極に対応する接続用電極が設けられたアダプター本体を形成し、このアダプター本体の上面上に一体的に異方導電性コネクター層を設けることにより、回路基板検査用アダプター装置を構成することが提案されている。
【0008】
このような構成によれば、検査対象である回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って接続信頼性が高い、という点においてきわめて有利な回路基板検査用アダプター装置が提供される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成の回路基板検査用アダプター装置におけるアダプター本体のうち、例えば絶縁層の形成には、適宜の絶縁性樹脂溶液を塗布し乾燥する手段が採用され、また導電路形成部分の形成には、メッキ法などによって形成された金属薄層をリソグラフィー法およびエッチング法などによってパターニングする手段が採用されているが、これらの手段は、いずれもかなりの長時間を要するために製造効率が低く、しかも均一な厚みの絶縁層や金属薄層を形成することが困難であり、回路基板検査用アダプター装置としての高い信頼性が損なわれるおそれがある。
【0010】
このように、上記のような構成の回路基板検査用アダプター装置においては、導電路形成部分がその表面に形成される絶縁層を高い効率で形成する手段が提供されておらず、製造効率が低いという問題点がある。
本発明は、このような問題点を解決するものであって、その目的は、検査対象である回路基板におけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って接続信頼性が高く、しかも有利にかつ安価に製造することのできる回路基板検査用アダプター装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の回路基板検査用アダプター装置は、検査対象回路基板と電気的検査装置との間に介在されて当該回路基板の被検査電極と電気的検査装置との電気的接続を行う回路基板検査用アダプター装置であって、
下面に格子点上に配置された端子電極を有すると共に、上面に検査対象回路基板の被検査電極に対応する接続用電極を有するアダプター本体と、このアダプター本体の上面上に一体的に設けられた異方導電性コネクター層とよりなり、
アダプター本体は、上面の基板配線部に微小柱状の金属堆積体よりなるバイアポストが形成された基板と、この基板上に設けられた、上面に導電路形成部分が形成された少なくとも1つの絶縁層とを有してなり、
前記アダプター本体の絶縁層は、前記バイアポストと適合する貫通孔が対応する位置に形成された熱硬化性樹脂シートが、当該基板の上面上に重ねられて当該バイアポストが貫通孔内に挿入された状態で、基板の上面による被着面上に熱圧着されることにより形成されたものであることを特徴とする。
【0012】
本発明の回路基板検査用アダプター装置において、絶縁層を形成するための熱硬化性樹脂シートが、ガラス繊維補強型エポキシプリプレグ樹脂シート、ポリイミドプリプレグ樹脂シートおよびエポキシプリプレグ樹脂シートから選ばれたものであることが好ましい。
【0013】
本発明の回路基板検査用アダプター装置においては、アダプター本体において、導電路形成部分が、絶縁層上に熱圧着により設けられた金属箔によって形成されているものとすることができる。
また、アダプター本体における絶縁層を貫通するバイアポストは、低融点金属膜を介して導電路形成部分と連結されている構成とすることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的に説明する。
図1および図2は、それぞれ、本発明の一実施例に係る回路基板検査用アダプター装置10の構成を示す説明用断面図およびそのアダプター本体12の説明用断面図であり、図3はアダプター装置10の各部の配置の状態を示す説明用部分破断平面図、図4はコネクター層15部分の説明用拡大断面図である。
このアダプター装置10は、図1に示すように、全体が板状のアダプター本体12と、その上面上に設けられた異方導電性コネクター層(以下単に「コネクター層」という)15とにより構成されている。
【0015】
この例におけるアダプター本体12は、絶縁性基板20と、この基板20の上面に設けられた第1絶縁層23と、この第1絶縁層23上に設けられた第2絶縁層25との積層体によって構成されている。
基板20の材質は寸法安定性の高い耐熱性材料よりなる板状体であることが好ましく、各種の絶縁性樹脂を使用することができるが、特にガラス繊維補強型エポキシ樹脂が最適である。
【0016】
以上において、第1絶縁層23および第2絶縁層25は、いずれも、熱圧着により設けられた熱硬化樹脂シートにより形成されている。この熱硬化性樹脂シートは寸法安定性の高い耐熱性樹脂よりなることが好ましく、各種の樹脂シートを使用することができるが、ガラス繊維補強型エポキシプリプレグ樹脂シート、ポリイミドプリプレグ樹脂シート、エポキシプリプレグ樹脂シートが好ましい。
【0017】
アダプター本体12の下面を形成する基板20の下面には、電気的検査装置すなわち検査用テスターに適宜の手段によって電気的に接続される端子電極30が格子点上に配置されて設けられると共に、基板20の上面には適宜のパターンの基板配線部33が形成され、端子電極30と基板配線部33とは、基板20をその厚み方向に貫通して伸びる基板短絡部32により電気的に接続されている。
端子電極30に係る格子点間の距離、すなわち端子電極30の電極ピッチは、特に限定されるものではなく、種々の条件に応じて適宜の大きさとすることができるが、例えば2.54mmまたは1.8mmである。
【0018】
基板配線部33を含む基板20の上面には第1絶縁層23が形成されている。この第1絶縁層23の上面には適宜のパターンの導電路部分35が形成されると共に、当該第1絶縁層23をその厚み方向に貫通して伸びる微小柱状の金属堆積体よりなる第1貫通短絡部34が設けられ、この第1貫通短絡部34は、好ましくはその上端に形成された低融点合金皮膜38(図10参照)を介して、導電路部分35に連結され、これにより導電路部分35が基板配線部33に電気的に接続されている。
【0019】
導電路部分35を含む第1絶縁層23の上面には第2絶縁層25が設けられている。この第2絶縁層25の上面には、検査対象である回路基板の被検査電極(図示せず)のパターンに対応した位置に、接続用電極40が、当該上面から突出する状態に形成されている。そして、当該第2絶縁層25をその厚み方向に貫通して伸びる微小柱状の金属堆積体よりなる第2貫通短絡部36が設けられ、この第2貫通短絡部36は、好ましくは第1貫通短絡部34と同様にその上端に形成された低融点合金皮膜を介して、接続用電極40に連結され、これにより接続用電極40が導電路部分35に電気的に接続されている。
なお、基板配線部33および導電路部分35は、図1または図2において、いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成され得ることは勿論であって、図3にはそのような状態が示されている。
【0020】
以上において、導電路部分35および接続用電極40は、いずれも、第1絶縁層23および第2絶縁層25の上面に熱圧着により設けられた金属箔により形成されている。これらの金属箔は、対応する各絶縁層への密着性の高いものであることが好ましく、各種の金属箔を使用することができるが、電解銅箔、支持層上に形成された電解銅箔が好ましい。
【0021】
以上の構成のアダプター本体12においては、接続用電極40の各々が、第2貫通短絡部36、導電路部分35、第1貫通短絡部34、基板配線部33および基板短絡部32を介して端子電極30と電気的に接続されている。
【0022】
実際の構成において、接続用電極40と端子電極30との電気的な接続は回路基板の検査目的に応じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続用電極40と端子電極30とが必ず1対1の対応関係で接続される必要はなく、端子電極30、基板配線部33、導電路部分35および接続用電極40について種々の要請される接続状態を実現することができる。
例えば、基板配線部33または導電路部分35を利用して接続用電極40同士を接続すること、複数の接続用電極40を1つの基板配線部33または導電路部分35に共通に接続すること、1つの接続用電極40を複数の基板配線部33または導電路部分35に同時に接続すること、その他が可能である。
【0023】
また、面方向に伸びる導電路部分35または基板配線部33を介することなしに、直接に連続するよう第1絶縁層23または第2絶縁層25を貫通して伸びる短絡部を形成することにより、接続用電極40と基板配線部33、導電路部分35と端子電極30または接続用電極40と端子電極30を電気的に接続することも可能である。
【0024】
以上のようなアダプター本体12の表面には、コネクター層15が一体的に接着乃至密着した状態で形成されている。このコネクター層15は、図4に示すように、絶縁性の弾性高分子物質E中に導電性粒子Pが密に充填されてなる多数の導電部17が接続用電極40上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部17が相互に絶縁部18によって絶縁された状態とされている。各導電部17においては、導電性粒子Pが厚さ方向に並ぶよう配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が形成されている。この導電部17は、厚さ方向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成される、加圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁部18は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成されないものである。
【0025】
上記コネクター層15の導電部17においては、導電性粒子Pの充填率が10体積%以上、特に15体積%以上であることが好ましい。導電部を加圧導電部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いときには、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接続を達成することができる点では好ましい。しかし、接続用電極40の電極ピッチが小さくなると、隣接する導電部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあり、このため、導電部17における導電性粒子Pの充填率は40体積%以下であることが好ましい。
【0026】
このような構成の回路基板検査用アダプター装置においては、その上面にコネクター層15が一体的に形成されており、しかも当該上面の接続用電極40上にコネクター層15の導電部17が配置されているため、電気的接続作業時にコネクター層15の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不要であり、従ってリード電極領域の電極ピッチが微小である場合にも、所要の電気的接続を確実に達成することができる。
また、コネクター層15はアダプター本体12と一体であるため、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って常に高い接続信頼性を得ることができる。
【0027】
図示の例においては、コネクター層15の外面において、導電部17が絶縁部18の表面から突出する突出部を形成している。
このような例によれば、加圧による圧縮の程度が絶縁部18より導電部17において大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導電部17に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その結果、コネクター層15に作用される加圧力が不均一であっても、各導電部17間における導電性のバラツキの発生を防止することができる。
【0028】
このように導電部17が突出部を形成する場合には、当該突出部の突出高さhは、コネクター層15の全厚t(t=h+d、dは絶縁部18の厚さである。)の8%以上であることが好ましい。また、コネクター層15の全厚tは、接続用電極40の中心間距離として定義される電極ピッチpの300%以下、すなわちt≦3pであることが好ましい。このような条件が充足されることにより、コネクター層15に作用される加圧力が変化した場合にも、それによる導電部17の導電性の変化が十分に小さく抑制されるからである。
【0029】
導電部17が突出部を形成する場合においては、突出部の平面における全体が導電性を有することは必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電極ピッチの20%以下の導電路非形成部分が存在していてもよい。
また、隣接する導電部17間の離間距離rの最小値は、当該導電部17の幅Rの10%以上であることが好ましい。このような条件が満足されることにより、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が原因となって隣接する導電部17同士が電気的に接触するおそれを十分に回避することができる。
以上の例において、導電部17の平面形状は接続用電極40と等しい幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する円形、その他の適宜の形状とすることができる。
【0030】
導電部17の導電性粒子としては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子もしくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができる。
後述する方法においては、ニッケル、鉄、またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。また、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。
【0031】
導電性粒子の粒径は、導電部17の加圧変形を容易にし、かつ導電部17において導電性粒子間に十分な電気的な接触が得られるよう、3〜200μmであることが好ましく、特に10〜100μmであることが好ましい。
【0032】
導電部17を構成する絶縁性で弾性を有する高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げることができる。
具体的には、硬化処理前には液状であって、硬化処理後にアダプター本体12の上面と密着状態または接着状態を保持して一体となる高分子物質用材料が好ましい。このような観点から、本発明に好適な高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙げることができる。高分子物質用材料には、アダプター本体12の上面に対する接着性を向上させるために、シランカップリング剤、チタンカップリング剤などの添加剤を添加することができる。
【0033】
絶縁部18を構成する材料としては、導電部17を構成する高分子物質と同一のものまたは異なるものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダプター本体12の上面と密着状態または接着状態を保持してアダプター本体12と一体となるものが用いられる。
【0034】
このような絶縁部を形成することにより、コネクター層それ自体の一体性並びにそのアダプター本体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター装置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧縮に対して優れた耐久性を得ることができる。
【0035】
以上のような構成のアダプター装置は、その上面に検査対象である回路基板が配置されて接続用電極40に回路基板の被検査電極が対接されると共に、下面の端子電極30が適宜の接続手段を介してテスターに接続され、更に全体が厚み方向に圧縮するよう加圧された状態とされる。この状態においては、アダプター装置のコネクター層15の導電部17が導電状態となり、これにより、被検査電極とテスターとの所要の電気的な接続が達成される。
【0036】
次に、本発明の回路基板検査用アダプター装置を製造する方法を、図1に示したものと基本的に同一の構成を有する例について具体的に説明する。
この方法は、基本的に、アダプター本体12を形成する第1プロセスと、このアダプター本体12の上面上に異方導電性コネクター層15を一体的に設ける第2プロセスとよりなる。
【0037】
そして、第1プロセスは、
(1)下面の端子電極と電気的に接続される適宜のパターンによる基板配線部を上面に有する基板を形成する第1工程と、
(2)この基板の上面に、基板配線部と電気的に接続された導電路形成部分を上面に有する第1絶縁層を形成する第2工程と、
(3)必要に応じて、下層の導電路形成部分と電気的に接続された導電路形成部分を上面に有する第2絶縁層を形成し、あるいは更に同様の構成の絶縁層を形成する操作を繰り返し、最上層の絶縁層の上面の導電路形成部分により接続用電極を形成する第3工程と、
からなる。
【0038】
第1プロセスにおける第1工程〜第3工程の詳細は次のとおりである。
第1工程
この第1工程は、最終的には図7に示すように、下面に端子電極形成材層である金属薄層30Aを有すると共に、上面に当該金属薄層30Aと電気的に接続された状態の基板配線部33が形成された基板20を製作する工程である。
具体的には、図5に示すように、例えば銅などよりなる金属薄層30Aおよび33Aが両面に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の絶縁性基板20が用意され、この基板20に対し、例えば数値制御型ドリリング装置により、図6に示すようにスルーホール用ドリル穴20Hが形成される。このスルーホール用ドリル穴20Hのピッチは、後述する端子電極30のピッチに応じたものとされ、例えば2.54mmまたは1.8mm、孔径は例えば0.2mmである。
ここに、両面に金属薄層が設けられた基板は、例えば両面銅張り樹脂板として市販されているものを用いることもできる。
【0039】
次に、上記基板20に対し、図7に示すように、無電解銅メッキ法、電解銅メッキ法を行うことにより、スルーホール用ドリル穴20Hの内部を銅の堆積体によって充填し、これにより、基板20を貫通して伸びる基板短絡部32が形成される。
また、基板20の上面の金属薄層33Aに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施してその一部を除去することより、残存する金属薄層により所望の態様に応じたパターンに従う基板配線部33が形成される。
この状態において、基板配線部33は、基板短絡部32を介して、基板20の下面の金属薄層30Aと電気的に接続されている。
【0040】
第2工程
この第2工程は、最終的には図12に示すように、基板配線部33に電気的に接続された状態の導電路部分35を上面に有する熱硬化性樹脂シートによる第1絶縁層23が、上記の基板20の上面に形成される工程である。
具体的には、図8に示すように、上記の基板20の上面の基板配線部33における適宜の個所において、フォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、微小柱状の金属堆積体が形成されてバイアポスト34Hが形成される。
【0041】
そして、予め当該バイアポスト34Hと適合する径の貫通孔34Aをそれぞれ対応する位置に形成した熱硬化性樹脂シート23Aが、当該基板20の上面上に重ねられてバイアポスト34Hが貫通孔34A内に挿入された状態とされ、この状態で、当該熱硬化性樹脂シート23Aが、例えば真空プレス法により、基板配線部33を含む基板20の上面を被着面として、これに熱圧着により一体的に被着される。
ただし、この工程における熱硬化性樹脂シート23Aとして、その熱圧着時にバイアポスト34Hがシートを突き抜けるに十分に軟化する材質のもの、例えばエポキシプリプレグ樹脂よりなるシートを用いるときには、当該熱硬化性樹脂シート23Aに予め当該バイアポスト34Hと適合する径の貫通孔34Aを形成しておくことは必須のことではない。
このようにして、図9に示すように、バイアポスト34Hによる第1貫通短絡部34が形成された絶縁性樹脂よりなる第1絶縁層23が形成される。
【0042】
次に、図10に拡大して示すように、電解メッキ法により、第1貫通短絡部34を形成するバイアポスト34Hの頭頂面に低融点合金皮膜38が形成される。その後、図11に示すように、当該バイアポスト34Hの上面を含む第1絶縁層23の上面に、例えば電解銅箔よりなる金属箔を熱圧着することにより、当該金属箔による金属薄層35Aが形成される。
更に、この金属薄層35Aに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理が施されることにより、図12に示すように、金属薄層35Aの一部が除去されて所要のパターンの導電路部分35が形成される。この導電路部分35は、第1貫通短絡部34を介して基板配線部33に電気的に接続された状態である。
【0043】
第3工程
この第3工程は、最終的には図17に示すように、導電路部分35に電気的に接続された状態の接続用電極40を上面に有する熱硬化性樹脂シートによる第2絶縁層25が、上記の第1絶縁層23の上面に形成される工程である。
具体的には、図13に示すように、上記の第1絶縁層23の上面の導電路部分35における適宜の個所において、フォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、微小柱状の金属堆積体が形成されてバイアポスト36Hが形成される。
【0044】
そして、予め当該バイアポスト36Hと適合する径の貫通孔36Aをそれぞれ対応する位置に形成した熱硬化性樹脂シート25Aが、第1絶縁層23の上面上に重ねられてバイアポスト36Hが貫通孔36A内に挿入された状態とされ、この状態で、当該熱硬化性樹脂シート25Aが、例えば真空プレス法により、導電路部分35を含む第1絶縁層23の上面を被着面として、これに熱圧着により一体的に被着される。
ただし、この工程における熱硬化性樹脂シート25Aとして、その熱圧着時にバイアポスト36Hがシートを突き抜けるに十分に軟化する材質のもの、例えばエポキシプリプレグ樹脂よりなるシートを用いるときには、当該熱硬化性樹脂シート25Aに予め当該バイアポスト36Hと適合する径の貫通孔36Aを形成しておくことは必須のことではない。
このようにして、図14に示すように、バイアポスト36Hによる第2貫通短絡部36が形成された絶縁性樹脂よりなる第2絶縁層25が形成される。
【0045】
その後、バイアポスト34Hにおけると同様に、バイアポスト36Hの頭頂面に低融点合金皮膜を電解メッキ法により形成し、その後、図15に示すように、バイアポスト36Hの上面を含む第2絶縁層25の上面に、例えば電解銅箔よりなる金属箔を熱圧着することにより、当該金属箔による金属薄層40Aが形成される。
【0046】
この金属薄層40Aに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理が施されることにより、図16に示すように、金属薄層40Aの一部が除去されて検査対象である回路基板の被検査電極に対応したパターンの接続用電極基層40Bが形成される。この接続用電極基層40Bは、第2貫通短絡部36を介して導電路部分35に電気的に接続された状態である。
【0047】
そして、図17に示すように、上記の接続用電極基層40Bの上面に、例えばメッキ法により金属を堆積させることにより、金属層としての厚みを大きくして所要の接続用電極40が形成される。
また、基板20の下面の金属薄層30Aに対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理が施されることにより、格子点上に配置された端子電極30が各々基板短絡部32に連結された状態で形成される。この端子電極30の電極ピッチは基板短絡部32に係るスルーホール用ドリル穴20Hと同様であり、例えば2.54mmまたは1.8mmである。
【0048】
このようにして、基板20、第1絶縁層23および第2絶縁層25の積層体よりなり、上面および下面にそれぞれ接続用電極40および端子電極30を有すると共に、当該接続用電極40が、第2貫通短絡部36、導電路部分35、第1貫通短絡部34、基板配線部33および基板短絡部32を介して端子電極30に電気的に接続されたアダプター本体12が製造される。
【0049】
以上の第1プロセスにおいて、絶縁性樹脂層よりなる第1絶縁層23または第2絶縁層25を形成するための手段としては、熱硬化性樹脂シートを、被着面に対し、加熱下において圧着する熱圧着手段が利用され、これにより、例えば絶縁性樹脂層形成液を塗布し乾燥させる方法に比して、きわめて容易に均一な厚みを有する所要の絶縁層を確実に形成することができる。
熱硬化性樹脂シートとしては、形成される絶縁層の厚みが例えば20〜100μmとなる厚みのものが好ましく用いられる。
【0050】
この熱硬化性樹脂シートを熱圧着するための温度は、当該熱硬化性樹脂シートの材質にもよるが、当該熱硬化性樹脂シートが軟化して接着性を帯びる温度以上であることが必要であり、通常、80〜180℃、好ましくは140〜160℃程度とすることができる。
この熱圧着工程におけるプレス圧力は、例えば最高5〜50kg/cm2 程度であり、好ましくは20〜40kg/cm2 程度である。
この熱圧着工程は、常圧雰囲気下で熱圧着することも可能であるが、実際上、例えば5〜100Pa、好ましくは10〜50Pa程度の減圧雰囲気によるいわゆる真空プレス法によることが好ましく、この場合には、当該熱硬化性樹脂シートと被着面との間に気泡が閉じ込められることが有効に防止される。
【0051】
また、第1絶縁層23上に導電路部分35を形成するための金属薄層35Aを設けるための手段としては、当該第1絶縁層23を、加熱されたときに接着性を帯びる絶縁性樹脂層により形成しておき、その表面に対して適宜の金属箔を加熱下において圧着する熱圧着手段が利用される。
また、第2絶縁層25上に接続用電極40を形成するための金属薄層40Aを設けるための手段としても、同様に、第2絶縁層25を加熱されたときに接着性を帯びる絶縁性樹脂層により形成しておき、その表面に対して適宜の金属箔を加熱下において圧着する熱圧着手段が利用される。
【0052】
以上において、熱圧着により設けられる金属箔の厚みは、例えば9〜70μmであることが好ましい。
このように、絶縁層上の導電路形成部分、すなわち、導電路部分、配線部あるいは電極部などとして機能する金属膜を形成するための材料層である金属薄層を熱圧着により設けられた金属箔により形成する方法は、そのような金属薄層の形成が非常に容易であるので、きわめて高い製造効率が得られる。
【0053】
この金属箔を熱圧着するための温度は、当該金属箔が熱圧着される被着面を形成する絶縁層の材質にもよるが、当該絶縁層が軟化して接着性を帯びる温度以上であることが必要であり、通常、80〜200℃、好ましくは120〜190℃程度とすることができる。
また、この熱圧着工程におけるプレス圧力は、例えば5〜50kg/cm2 程度であり、好ましくは20〜40kg/cm2 程度である。
この熱圧着工程も、常圧雰囲気下で熱圧着することも可能であるが、実際上、例えば5〜100Pa、好ましくは10〜50Pa程度の減圧雰囲気によるいわゆる真空プレス法によることが好ましく、この場合には、当該金属箔と被着面との間に気泡が閉じ込められることが有効に防止される。
【0054】
熱硬化性樹脂シートを熱圧着により設け、更にこの熱硬化性樹脂シートの上面に金属箔を熱圧着により設ける場合においては、当該熱圧着における温度条件を緩和して当該熱硬化性樹脂シートの樹脂が完全に硬化しない温度でその熱圧着を行い、これにより当該熱硬化性樹脂シートの接着性を残留させておき、金属箔の熱圧着において、当該熱硬化性樹脂シートの接着性を利用することができる。具体的には、熱硬化性樹脂シートの熱圧着温度を低めに設定し、その後の金属箔の熱圧着温度をより高い温度に設定し、金属箔の熱圧着により、同時に熱硬化性樹脂シートが完全に熱圧着される方法を利用することができる。
【0055】
基板配線部33、導電路部分35または接続用電極40を形成する金属層の厚みを個別的に大きくすることが望まれる場合がある。例えば接続用電極40は、コネクター層15の機能との関係から、表面の配線層から更に20μm以上突出していることが好ましい。このような場合には、例えば増加させるべき厚みに対応する膜厚のフォトレジスト膜を形成してこれに同一のパターニングを行うことにより、当該金属層の表面を露出させる孔を形成し、この孔を介して当該金属層の表面上にメッキ法などによって金属を充填して堆積させ、その後にフォトレジスト膜を除去すればよい。このような方法により、例えば接続用電極40を表面から突出した所期の状態に形成することが容易である。
【0056】
以上のアダプター本体の形成において、基板20の下面の金属薄層30Aを加工して端子電極30を形成する工程は、いずれの段階において行うこともでき、例えば初期の基板配線部33の形成と同じ段階であってもよく、最終段階の接続用電極40の形成と同じ段階であってもよく、あるいはこれらの中間の段階であってもよい。なお、この金属薄層30Aは、各段階におけるメッキ法において、電極板として利用することが可能である。
【0057】
また、第1貫通短絡部34を形成するバイアポスト34Hおよび第2貫通短絡部36を形成するバイアポスト36Hは、所要の電気的な接続が達成されるものであれば特にその寸法が制限されるものではないが、例えばその直径は0.03〜0.5mm、好ましくは0.05〜0.1mm程度である。これらのバイアポストの高さは、当該バイアポストに係る絶縁層の厚みと同等以上であることが好ましい。
このバイアポストが形成された場合には、関連する熱硬化性樹脂シートが、これに形成された貫通孔と当該バイアポストとが位置合わせされた状態で重ねられることが必要であるが、この位置合わせは、例えばガイドピンなどによる位置調整手段により、容易に達成することができる。
また、適当な材質の熱硬化性樹脂シートを用いる場合には、バイアポストに対応する貫通孔を予め形成しておくことは必須のことではない。
【0058】
バイアポストによる貫通短絡部が形成された熱硬化性樹脂シートの上面に金属箔が熱圧着により設けられる場合には、当該熱硬化性樹脂シートの上面にバイアポストの頭頂面を露出させて当該頭頂面に低融点合金皮膜を設け、その上で金属箔を熱圧着することが好ましい。このような手法により、当該バイアポストによる貫通短絡部と、当該熱圧着された金属箔による導電路形成部分とが連結されることにより、両者の電気的な接続を確実に達成することができる。
ここに、低融点合金皮膜材料としては、金属箔が熱圧着されるときに溶融するものであればよく、公知の低融点合金、例えばビスマス、スズ、亜鉛、インジウムなどの低融点化金属成分を含有するハンダ合金を用いることができる。
この低融点合金皮膜38の厚みは特に限定されるものではないが、通常、例えば1〜5μmで十分である。
【0059】
以上のようにして得られるアダプター本体12に対して、第2プロセスによってコネクター層15が設けられる。
この第2プロセスにおいては、硬化処理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よりなるコネクター用材料が調製され、図18に示すように、このコネクター用材料がアダプター本体12の上面に塗布されることによりコネクター用材料層50が形成され、これが金型のキャビティ内に配置される。
【0060】
この金型は、各々電磁石を構成する上型51と下型52とよりなり、上型51には、接続用電極40に対応するパターンの強磁性体部分(斜線を付して示す)Mと、それ以外の非磁性体部分Nとよりなる、下面が平坦面である磁極板53が設けられており、当該磁極板53の平坦な下面がコネクター用材料層50の表面から離間されて間隙Gが形成された状態とされる。
なお、図18および図19においては、接続用電極40を除き、アダプター本体12の詳細は省略されている。
【0061】
この状態で上型51と下型52の電磁石を動作させ、これにより、アダプター本体12の厚さ方向の平行磁場を作用させる。その結果、コネクター用材料層50においては接続用電極40上に位置する部分において、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作用されることとなり、この分布を有する平行磁場により、図19に示すように、コネクター用材料層50内の導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Mによる磁力により接続用電極40上に位置する部分に集合して更に厚さ方向に配向する。
【0062】
然るに、このとき、コネクター用材料層50の表面側には間隙Gが存在するため、導電性磁性体粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動する結果、接続用電極40上に位置する部分の高分子物質用材料表面が***し、突出した導電部17が形成される。従って、形成される絶縁部18の厚さt1 は、初期のコネクター用材料層50の厚さt0 より小さいものとなる。
そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部を形成する導電部17と絶縁部18とよりなるコネクター層15をアダプター本体12上に一体的に設けることができ、以てアダプター装置が製造される。
【0063】
磁極板53としては、図20に示すように、上型51が接続用電極40に対応するパターンの強磁性体部分Mとそれ以外の非磁性体部分Nよりなり、当該上型51の下面において強磁性体部分Mが非磁性体部分Nより下方に突出した状態の磁極板55を使用することもできる。
更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であって、接続用電極40に対応するパターンの部分が、それ以外の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いることもできる。
これらの場合にも、コネクター用材料層50に対しては接続用電極40の領域において、より強い平行磁場が作用されることとなる。
【0064】
また、平行磁場を作用させたままで上型51と下型52の間隔が可変の金型を用い、始めは上型51をコネクター用材料層50のすぐ上に配置し、平行磁場を作用させながら上型51と下型52の間隔を徐々に広げ、これによってコネクター用材料層50の***を生じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。
【0065】
本発明においては、コネクター層15の導電部17が絶縁部18より突出していることは必須のことではなく、平坦な表面を有するものとすることもできる。このような場合には、例えば図18に示した構成の金型を用い、間隙Gを形成せずに処理すればよい。
【0066】
コネクター用材料層50の厚さは例えば0.1〜3mmとされる。このコネクター用材料層50のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動が容易に行われるよう、その温度25℃における粘度が101 sec-1の歪速度の条件下において104 〜107 センチポアズ程度であることが好ましい。
コネクター用材料層50の硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
【0067】
また、磁極板53の強磁性体部分Mは鉄、ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部分Nは、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂または空気層などにより形成することができる。
コネクター用材料層50に作用される平行磁場の強度は、金型のキャビティの平均で200〜20,000ガウスとなる大きさが好ましい。
【0068】
硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、コネクター用材料層50の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理は、室温で24時間程度、40℃で2時間程度、80℃で30分間程度で行われる。
【0069】
以上、本発明の一例に従って説明したが、本発明においては、アダプター本体を構成する絶縁層を熱圧着により設けられた熱硬化性樹脂シートにより形成すること、あるいはアダプター本体を構成する導電路形成部分を形成する金属薄層を熱圧着により設けられた金属箔により形成すること、またはその両方が行われることを特徴とする。
従って、絶縁層を熱圧着により設けられた熱硬化性樹脂シートにより形成する場合においては、導電路形成部分などを熱圧着により設けられた金属箔によって形成することは必須のことではなく、他の手法、例えばメッキ法、電解メッキ法などによって金属薄層を形成し、この金属薄層によって導電路形成部分などを形成することができる。
また、導電路形成部分を熱圧着により設けられた金属箔によって形成する場合においては、絶縁層を熱圧着により設けられた熱硬化性樹脂シートによって形成することは必須のことではなく、他の手法、例えば絶縁性樹脂溶液の塗布などによって絶縁層を形成することができる。
【0070】
しかし、本発明は、アダプター本体を構成する絶縁層を熱圧着により設けられた熱硬化性樹脂シートにより形成し、かつ、導電路形成部分を形成する金属薄層を熱圧着により設けられた金属箔により形成することにより、最大の効果が発揮される。
【0071】
また、本発明においては、図21に示すように、熱硬化性樹脂シートLの一面に金属箔Fを熱圧着により被着させることにより、予め熱硬化性樹脂シートLと金属箔Fとが一体的に接着されてなる積層材料Wを製作しておき、この積層材料Wを、その熱硬化性樹脂シート層Lが下面となる状態で被着面に熱圧着処理することにより、上面に金属薄層を有する絶縁層を形成することができる。
この場合には、熱硬化性樹脂シートLと金属箔Fとの接着工程を、基板から分離した状態で例えば熱圧着により行うことができるため、当該接着作業を容易にかつ高い効率で行うことができると共に、被着面を構成する基板を有する材料が受けるべき熱圧着のための熱処理が1回で済むため、熱硬化性樹脂シートと金属箔とを別個に熱圧着する場合に比して、基板などに生ずる熱劣化の程度が抑制される点で好ましい。
【0072】
また、上記の図示の例は、アダプター本体を構成する基板上に2つの絶縁層が設けられる場合であるが、本発明においては、当該絶縁層の数は1以上であればよい。そして、当該絶縁層が1層の場合には、当該絶縁層の上面に設けられる導電路形成部分はそのまま、またはその厚みが増加されて、接続用電極を形成するものとされる。当該絶縁層が2層以上設けられる場合には、いずれの絶縁層の形成またはいずれの絶縁層の上面の金属薄層の形成についても本発明を適用することができる。
【0073】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0074】
実施例1
(イ)第1プロセス
第1工程
各々の厚みが9μmの銅金属薄層(30A,33A)を厚さ0.5mmのガラス繊維補強型エポキシ樹脂よりなる基板(20)の両面に積層してなる材料を用意し、これを縦330mm、横500mmの矩形状に裁断したものにおいて、2軸ドリリング装置「ND−2J−18」(日立精工社製)を用いて、ピッチが1.8mmの格子点上に配置された状態となるよう、各々の内径が0.2mmのスルーホール用ドリル穴(20H)を形成した(図5および図6参照)。
【0075】
その後、銅メッキにより、スルーホール用ドリル穴内に基板短絡部を形成すると共に、基板の片面の金属薄層に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、上面に、基板短絡部(32)を介して電気的に接続された基板配線部(33)を形成した(図7参照)。
【0076】
第2工程
上記の基板配線部33の上面にフォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、直径0.08mm、高さ60μmの円柱状のバイアポスト(34H)を形成した(図8参照)。
一方、厚さ60μmの熱硬化性樹脂シート(ガラス繊維補強プリプレグ「ナショナルマルチR1661」松下電工社製)におけるバイアポスト(34H)に対応する位置に、NCドリリリング装置により直径0.2mmの貫通孔(34A)を形成し、この熱硬化性樹脂シート(23A)を、当該貫通孔とバイアポストとを位置合わせした後基板配線部を含む基板の表面に重ね、この熱硬化性樹脂シートの上に、厚さ50μmのフッ素樹脂製離型フィルム「アフレックス50N」(旭硝子社製)と、厚さ2.0mmのフッ素ゴム製クッションシート「キンヨーボードF−200」(金陽社製)をこの順に重ねた後、真空プレス機「MHPCV−200−750」(名機製作所社製)により、10Paの減圧雰囲気下において、最高プレス圧力30Kg/cm2 、最高温度150℃で2時間プレスして熱圧着し、フッ素樹脂製離型フィルムおよびクッションシートを剥離除去して第1絶縁層(23)を形成した。
【0077】
その後、第1絶縁層の上面を、バフ「#400」を装着したバフ研磨装置により2回処理してバイアポスト(34H)の先端の樹脂を除去した後、低融点合金メッキ液(レイボルド社製)を用いた電解メッキ法により、バイアポストの先端にビスマスとスズと鉛よりなる低融点合金の皮膜(38)を形成した。
そして、第1絶縁層の上面に、厚さ70μmの支持銅箔上に形成された、厚さ9μmの剥離性電解銅箔「ピーラブル銅箔」(古河電工社製)を配置し、真空プレス機により、10Paの減圧雰囲気下において、最高プレス圧力40Kg/cm2 、最高温度170℃で2時間プレスし、熱圧着することにより、第1絶縁層の上面に電解銅箔による金属薄層(35A)を形成し、当該金属薄層に対してフォトリソグラフィーおよびエッチング処理を施すことにより、バイアポスト(34H)による第1貫通短絡部(34)を介して基板配線部と電気的に接続された導電路部分(35)を形成した(図9〜図12参照)。
【0078】
第3工程
上記の導電路部分35の上面にフォトリソグラフィーおよび電解銅メッキの手法により、直径0.08mm、高さ60μmの円柱状のバイアポスト(36H)を形成した(図13参照)。
ここに得られる材料に対し、導電路部分を含む第1絶縁層の上面に、第2工程と同様に厚みが60μmの第2絶縁層(25)を形成すると共に、導電路部分に電気的に接続されたバイアポスト(36H)による第2貫通短絡部(36)を形成した(図14参照)。
【0079】
更に、第2絶縁層の上面に、第2工程と同様にして、検査対象回路基板の被検査電極に対応するパターン状の厚み18μmの銅箔層による接続用電極層(40B)を形成し、その上面上に厚み50μmのフォトレジスト膜「HK350」(日立化成工業社製)を設け、これをフォトリソグラフィー法により処理して検査対象回路基板の被検査電極に対応するパターンに従って除去し、斯くして形成された穴部に銅メッキ法により金属銅を充填し、その後フォトレジスト膜を剥離することにより、突出高さが50μmの接続用電極(40)を形成し、更に各接続用電極には厚み2μmの金メッキを施し、アダプター本体を製造した(図15〜図17参照)。
【0080】
以上の方法によって得られたアダプター本体の接続用電極は、各電極の面積が0.0225mm2 で電極ピッチが0.25mmの電極群と、各電極の寸法が幅0.2mm、長さ0.5mmの矩形で電極ピッチが0.6mmの電極群と、各電極の面積が1mm2 で電極ピッチが2mmの電極群とを有するものであった。
【0081】
第2プロセス
室温硬化型ウレタンゴムに平均粒径26μmのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を15体積%となる割合で混合してなるコネクター用材料を調製し、これを上記のアダプター本体の表面に塗布したものを、基本的に図20に示した金型を用いる方法に従って処理した。すなわち、下面において強磁性体部分Mが非磁性体部分Nより0.1mm突出する磁極板55を用い、強磁性体部分Mの下面とコネクター用材料層との間に0.03mmの間隙を形成して平行磁場を作用させてコネクター用材料層を***させ、この状態で室温で24時間放置して硬化させ、これにより、導電部の厚さtが0.3mm、絶縁部の厚さdが0.27mm、導電部の突出割合(t−d)/tが10%のコネクター層を形成し、もって回路基板検査用アダプター装置を製造した。
【0082】
実験例1
以上のアダプター装置について、抵抗測定器「ミリオームハイテスター」(日置電機社製)を用い、基板の下面側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定した。
その結果、すべての接続用電極について、電気抵抗値は30mΩ以下と非常に小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との間の電気的な接続が十分に達成されていることが確認された。
【0083】
実験例2
更に当該アダプター装置について、上記と同様の抵抗測定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定したところ、電気抵抗値はいずれも2MΩ以上と非常に大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認された。
【0084】
【発明の効果】
本発明の回路基板検査用アダプター装置は、その基本的構成において、アダプター本体の上面に、検査対象回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極が形成されると共に、下面には格子点に配置された端子電極が形成されており、かつアダプター本体は、基板と、この基板上に設けられた、上面に導電路形成部分が形成された少なくとも1つの絶縁層とを有してなり、しかもアダプター本体の上面上には異方導電性コネクター層が一体的に設けられているため、検査対象である回路基板の被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのパターンのものである場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って高い接続信頼性を得ることができる。
【0085】
そして、当該回路基板検査用アダプター装置は、アダプター本体の絶縁層が、被着面上に熱圧着により設けられた熱硬化性樹脂シートにより構成され、あるいは導電路形成部分が、絶縁層に熱圧着により設けられた金属箔によって形成されるので、所望の配線構成を有するアダプター本体の形成がきわめて容易であり、従ってきわめて有利にかつ安価に製造することができる。
【0086】
また、導電路形成部分が熱圧着により設けられた金属箔により形成される場合に、絶縁層における貫通短絡部を形成する金属堆積体が、低融点金属膜を介して当該導電路形成部分と連結される構成によれば、当該貫通短絡部と導電路形成部分との電気的な接続を確実に達成することができる。
【0087】
また、予め製作された、金属箔が接着された熱硬化性樹脂シートよりなる積層材料を熱圧着することにより、絶縁層および金属薄層が形成される場合には、絶縁層および金属薄層の形成をきわめて簡便に行うことができ、しかも、被着面を構成する材料が受けることとなる熱処理の回数が減少する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る回路基板検査用アダプター装置の構成を示す説明用断面図である。
【図2】図1におけるアダプター装置のアダプター本体の説明用断面図である。
【図3】本発明の一実施例に係るアダプター装置における各部の配置の状態を示す説明用部分破断平面図である。
【図4】本発明の一実施例に係るアダプター装置におけるコネクター層部分の説明用拡大断面図である。
【図5】本発明の一実施例に係る回路基板検査用アダプター装置の製造方法に用いられる基板材料の説明用断面図である。
【図6】基板にスルーホール用ドリル穴が形成された状態の説明用断面図である。
【図7】基板に基板短絡部と基板配線部が形成された状態の説明用断面図である。
【図8】基板配線部にバイアポストが形成された状態を、第1絶縁層のための貫通孔が形成された熱硬化性樹脂シートと共に示す説明用断面図である。
【図9】第1貫通短絡部を有する第1絶縁層が熱硬化性樹脂シートにより形成された状態の説明用断面図である。
【図10】第1貫通短絡部を形成するバイアポストの頭頂面に低融点金属膜が形成された状態の説明用拡大断面図である。
【図11】第1絶縁層の上面に熱圧着された金属箔により金属薄層が設けられた状態の説明用断面図である。
【図12】第1絶縁層の上面に導電路部分が形成された状態の説明用断面図である。
【図13】導電路部分にバイアポストが形成された状態を、第2絶縁層のための貫通孔が形成された熱硬化性樹脂シートと共に示す説明用断面図である。
【図14】第2貫通短絡部を有する第2絶縁層が熱硬化性樹脂シートにより形成された状態の説明用断面図である。
【図15】第2絶縁層の上面に熱圧着された金属箔により金属薄層が設けられた状態の説明用断面図である。
【図16】第2絶縁層の上面に接続用電極基層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図17】接続用電極が形成され、端子電極が形成されて完成したアダプター本体の説明用断面図である。
【図18】コネクター用材料層が形成されたアダプター本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図である。
【図19】図18において、平行磁場が作用された状態を示す説明用断面図である。
【図20】コネクター層を形成するために用いられる金型の他の例を示す説明用断面図である。
【図21】金属箔が一体に設けられた熱硬化性樹脂シートよりなる積層材料を示す説明図である。
【図22】プリント回路基板の一例の配置を示す説明図である。
【符号の説明】
10 アダプター装置 12 アダプター本体
15 異方導電性コネクター層 17 導電部
18 絶縁部 20 絶縁性基板
20H スルーホール用ドリル穴 23 第1絶縁層
23A 熱硬化性樹脂シート 25 第2絶縁層
25A 熱硬化性樹脂シート 30 端子電極
30A 金属薄層 32 基板短絡部
33 基板配線部 33A 金属薄層
34 第1貫通短絡部 34H バイアポスト
34A 貫通孔 35 導電路部分
35A 金属薄層 36 第2貫通短絡部
36H バイアポスト 36A 貫通孔
38 低融点合金皮膜 40 接続用電極
40A 金属薄層 40B 接続用電極基層
E 弾性高分子物質 P 導電性粒子
50 コネクター用材料層 51 上型
52 下型 M 強磁性体部分
N 非磁性体部分 53 磁極板
G 間隙 55 磁極板
L 熱硬化性樹脂シート F 金属箔
W 積層材料 90 回路基板
91 機能素子領域 92 リード電極
93 リード電極領域
Claims (4)
- 検査対象回路基板と電気的検査装置との間に介在されて当該回路基板の被検査電極と電気的検査装置との電気的接続を行う回路基板検査用アダプター装置であって、
下面に格子点上に配置された端子電極を有すると共に、上面に検査対象回路基板の被検査電極に対応する接続用電極を有するアダプター本体と、このアダプター本体の上面上に一体的に設けられた異方導電性コネクター層とよりなり、
アダプター本体は、上面の基板配線部に微小柱状の金属堆積体よりなるバイアポストが形成された基板と、この基板上に設けられた、上面に導電路形成部分が形成された少なくとも1つの絶縁層とを有してなり、
前記アダプター本体の絶縁層は、前記バイアポストと適合する貫通孔が対応する位置に形成された熱硬化性樹脂シートが、当該基板の上面上に重ねられて当該バイアポストが貫通孔内に挿入された状態で、基板の上面による被着面上に熱圧着されることにより形成されたものであることを特徴とする回路基板検査用アダプター装置。 - 絶縁層を形成するための熱硬化性樹脂シートが、ガラス繊維補強型エポキシプリプレグ樹脂シート、ポリイミドプリプレグ樹脂シートおよびエポキシプリプレグ樹脂シートから選ばれたものであることを特徴とする請求項1に記載の回路基板検査用アダプター装置。
- アダプター本体において、導電路形成部分が、絶縁層上に熱圧着により設けられた金属箔によって形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板検査用アダプター装置。
- アダプター本体における絶縁層を貫通するバイアポストは、低融点金属膜を介して導電路形成部分と連結されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の回路基板検査用アダプター装置。
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