JP3360679B2 - 回路基板検査用アダプター装置並びに回路基板の検査方法および検査装置 - Google Patents
回路基板検査用アダプター装置並びに回路基板の検査方法および検査装置Info
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Description
層を有する回路基板検査用アダプター装置並びに回路基
板の検査方法および検査装置に関する。
においては、図19に示すように、回路基板90の中央
部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域
91が設けられると共に、その周縁部に機能素子領域9
1のための多数のリード電極92が配列されてなるリー
ド電極領域93が形成される。そして、現在において
は、機能素子領域91の集積度の増大に伴ってリード電
極領域93のリード電極数が増加し高密度化する傾向に
ある。
に接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を達成
するために、従来、各リード電極領域上に異方導電性シ
ートを介在させることが行われている。この異方導電性
シートは、厚さ方向にのみ導電性を示すもの、あるいは
加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性を示す多数の加
圧導電性導電部を有するものであり、種々の構造のもの
が例えば特公昭56−48951号公報、特開昭51−
93393号公報、特開昭53−147772号公報、
特開昭54−146873号公報などにより、知られて
いる。
自体が単独の製品として製造され、また単独で取り扱わ
れるものであって、電気的接続作業においては回路基板
に対して特定の位置関係をもって保持固定することが必
要である。
た異方導電性シートを利用して回路基板の電気的接続を
達成する手段においては、検査対象である回路基板にお
けるリード電極の配列ピッチ(以下「電極ピッチ」とい
う。) 、すなわち互いに隣接するリード電極の中心間距
離が小さくなるに従って異方導電性シートの位置合わせ
および保持固定が困難となる、という問題点がある。
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が検査対象である回路基板を構成する材料と異
方導電性シートを構成する材料との間で異なるため、電
気的接続状態が変化して安定な接続状態が維持されな
い、という問題点がある。
定な接続状態が維持され得るとしても、例えば実装密度
の高いプリント回路基板のように、複雑で微細なパター
ンの被検査電極群を有する回路基板に対しては、当該被
検査電極の各々との電気的な接続を確実に達成すること
が困難であるため、所要の検査を十分に行うことができ
ない、という問題点がある。
ものであって、その目的は、検査対象である回路基板に
おけるリード電極などの被検査電極が、電極ピッチが微
小であり、かつ微細で高密度の複雑なパターンのもので
ある場合にも、当該回路基板について所要の電気的接続
を確実に達成することができ、また温度変化による熱履
歴などの環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が
安定に維持され、従って接続信頼性の高い回路基板検査
用アダプター装置を提供することにある。本発明の他の
目的は、当該アダプター装置を用いた回路基板の検査方
法および検査装置を提供することにある。
アダプター装置は、検査対象回路基板と電気的検査装置
との間に介在されて当該回路基板の電極の電気的接続を
行う回路基板検査用アダプター装置であって、材質が寸
法安定性の高い耐熱性材料である基板および基板の上面
に設けられた配線層部分を有するアダプター本体と、こ
のアダプター本体の配線層部分の表面上に一体的に接着
乃至密着した状態で形成された、絶縁性の弾性高分子物
質中に導電性粒子が充填されて厚さ方向に伸びる導電部
が形成される異方導電性コネクター層とよりなり、前記
アダプター本体の配線層部分の表面には、検査対象回路
基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極が形
成されると共に、基板の下面に格子点上に配置された端
子電極が形成され、前記配線層部分には、接続用電極と
端子電極とを電気的に接続するための2層以上の層内配
線部が形成されていることを特徴とする。
導電部は、アダプター本体の配線層部分の表面におけ
る、検査対象回路基板の被検査電極に対応した位置に形
成された接続用電極上に配置されていることが好まし
い。また、異方導電性コネクター層の外面において、導
電部が絶縁部の表面から突出する突出部を形成している
ことが好ましい。
路基板検査用アダプター装置を用い、その異方導電性コ
ネクター層の導電部を介して、検査対象回路基板の被検
査電極と電気的検査装置との電気的な接続を達成するこ
とにより、回路基板の検査を行うことを特徴とする。ま
た、本発明の回路基板の検査装置は、上記の回路基板検
査用アダプター装置を備えることを特徴とする。
ば、アダプター本体の配線層部分の表面には、検査対象
回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極
が形成されると共に、基板の下面には、格子点に配置さ
れた、電気的検査装置と接続される端子電極が形成され
ており、また配線層部分には接続用電極と端子電極とを
電気的に接続するための2層以上の層内配線部が形成さ
れており、しかもアダプター本体の配線層部分の表面上
には異方導電性コネクター層が一体的に設けられている
上、当該異方導電性コネクター層においては絶縁性の弾
性高分子物質中に導電性粒子が厚さ方向に並ぶよう配向
されて導電部が形成されているため、検査対象である回
路基板の被検査電極が、電極ピッチが微小であり、かつ
微細で高密度の複雑なパターンのパターンのものである
場合にも、厚み方向に圧縮されることにより、異方導電
性コネクター層において厚さ方向に伸びる導電部を介し
て、当該回路基板の被検査電極と電気的検査装置との所
要の電気的接続を確実に達成することができる。また、
異方導電性コネクター層がアダプター本体に一体的に設
けられているため、温度変化による熱履歴などの環境の
変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持さ
れ、従って高い接続信頼性を得ることができる。上記の
回路基板の検査方法および回路基板の検査装置によれ
ば、上記の構成の回路基板検査用アダプター装置を用い
ることにより、高い信頼性で回路基板について所要の検
査を行うことができる。
び図2は、それぞれ、本発明の一実施例に係る回路基板
検査用アダプター装置10の構成を示す説明用断面図お
よびそのアダプター本体12の説明用断面図であり、図
3はアダプター装置10の各部の配置の状態を示す説明
用平面図、図4はコネクター層15部分の説明用拡大断
面図である。このアダプター装置10は、図1に示すよ
うに、全体が板状のアダプター本体12と、その上面に
設けられた異方導電性コネクター層(以下単に「コネク
ター層」という)15とにより構成されている。
と、この基板20上に設けられた配線層部分21とより
なり、配線層部分21は、基板20の上面に形成された
第1絶縁層23とこの第1絶縁層23上に設けられた第
2絶縁層25との積層体によって構成されている。基板
20の材質は寸法安定性の高い耐熱性材料であることが
好ましく、各種の樹脂を使用することができるが、特に
ガラス繊維補強型エポキシ樹脂が最適である。また、第
1絶縁層23および第2絶縁層25は、いずれも、放射
線硬化樹脂により形成されている。
宜の手段によって電気的に接続される端子電極30が格
子点上に配置されて設けられると共に、基板20の上面
には適宜のパターンの第1配線部33が形成され、端子
電極30と第1配線部33とは、基板20をその厚み方
向に貫通して伸びる短絡部32により電気的に接続され
ている。端子電極30に係る格子点間の距離、すなわち
端子電極30の電極ピッチは、特に限定されるものでは
なく、検査の条件に応じて適宜の大きさとすることがで
きるが、例えば2.54mmまたは1.8mmである。
第1絶縁層23が形成されている。この第1絶縁層23
の上面には適宜のパターンの第2配線部35が形成され
ており、当該第1絶縁層23をその厚み方向に貫通して
伸びる短絡部34により、第2配線部35と第1配線部
33とが電気的に接続されている。
3の上面には第2絶縁層25が形成されている。この第
2絶縁層25の上面には、検査対象である回路基板の被
検査電極(図示せず)のパターンに対応した位置に接続
用電極40が、当該上面から突出する状態に形成されて
いる。そして、当該第2絶縁層25をその厚み方向に貫
通して伸びる短絡部36により、接続用電極40と第2
配線部35とが電気的に接続されている。なお、第1配
線部33および第2配線部35は、図1または図2にお
いて、いずれも紙面と交わる方向に伸びる状態に形成さ
れ得ることは勿論であって、図3にはそのような状態が
示されている。
は、接続用電極40の各々が、短絡部36、第2配線部
35、短絡部34、第1配線部33および短絡部32を
介して端子電極30と電気的に接続されている。
子電極30との電気的な接続は、回路基板の検査目的に
応じた態様で達成されればよい。従って、すべての接続
用電極40と端子電極30とが必ず1対1の対応関係で
接続される必要はなく、端子電極30、第1配線部3
3、第2配線部35および接続用電極40について種々
の要請される接続状態を実現することができる。例え
ば、第1配線部33または第2配線部35を利用して接
続用電極40同士を接続すること、複数の接続用電極4
0を1つの第1配線部33または第2配線部35に共通
に接続すること、1つの接続用電極40を複数の第1配
線部33または第2配線部35に同時に接続すること、
その他が可能である。
は第1配線部33を介することなしに、直接に連続する
短絡部を介して、接続用電極40と第1配線部33、第
2配線部35と端子電極30または接続用電極40と端
子電極30を電気的に接続することも可能である。
は、コネクター層15が一体的に接着乃至密着した状態
で形成されている。このコネクター層15は、図4に示
すように、絶縁性の弾性高分子物質E中に導電性粒子P
が密に充填されてなる多数の導電部17が接続用電極4
0上に位置された状態で、かつ、隣接する導電部17が
相互に絶縁部18によって絶縁された状態とされてい
る。各導電部17においては、導電性粒子Pが厚さ方向
に並ぶよう配向されており、厚さ方向に伸びる導電路が
形成されている。この導電部17は、厚さ方向に加圧さ
れて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電路が形成さ
れる、加圧導電部であってもよい。これに対して、絶縁
部18は、加圧されたときにも厚さ方向に導電路が形成
されないものである。
ては、導電性粒子Pの充填率が10体積%以上、特に1
5体積%以上であることが好ましい。導電部を加圧導電
部とする場合において、導電性粒子の充填率が高いとき
には、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気的接続
を達成することができる点では好ましい。しかし、接続
用電極40の電極ピッチが小さくなると、隣接する導電
部間に十分な絶縁性が確保されなくなるおそれがあり、
このため、導電部17における導電性粒子Pの充填率は
40体積%以下であることが好ましい。
ー装置においては、配線層部分21の上面にコネクター
層15が一体的に形成されており、しかも配線層部分2
1の接続用電極40上にコネクター層15の導電部17
が配置されているため、電気的接続作業時にコネクター
層15の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不
要であり、従ってリード電極領域の電極ピッチが微小で
ある場合にも、所要の電気的接続を確実に達成すること
ができる。
12と一体であるため、温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても、良好な電気的接続状態が安定に維
持され、従って常に高い接続信頼性を得ることができ
る。
外面において、導電部17が絶縁部18の表面から突出
する突出部を形成している。このような例によれば、加
圧による圧縮の程度が絶縁部18より導電部17におい
て大きいために十分に抵抗値の低い導電路が確実に導電
部17に形成され、これにより、加圧力の変化乃至変動
に対して抵抗値の変化を小さくすることができ、その結
果、コネクター層15に作用される加圧力が不均一であ
っても、各導電部17間における導電性のバラツキの発
生を防止することができる。
場合には、当該突出部の突出高さhは、コネクター層1
5の全厚t(t=h+d、dは絶縁部18の厚さであ
る。)の8%以上であることが好ましい。また、コネク
ター層15の全厚tは、接続用電極40の中心間距離と
して定義される電極ピッチpの300%以下、すなわち
t≦3pであることが好ましい。このような条件が充足
されることにより、コネクター層15に作用される加圧
力が変化した場合にも、それによる導電部17の導電性
の変化が十分に小さく抑制されるからである。
ては、突出部の平面における全体が導電性を有すること
は必ずしも必要ではなく、例えば突出部の周縁には、電
極ピッチの20%以下の導電路非形成部分が存在してい
てもよい。また、隣接する導電部17間の離間距離rの
最小値は、当該導電部17の幅Rの10%以上であるこ
とが好ましい。このような条件が満足されることによ
り、加圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が
原因となって隣接する導電部17同士が電気的に接触す
るおそれを十分に回避することができる。以上の例にお
いて、導電部17の平面形状は接続用電極40と等しい
幅の矩形状とすることができるが、必要な面積を有する
円形、その他の適宜の形状とすることができる。
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。
またはこれらの合金などよりなる導電性磁性体粒子が用
いられ、また接触抵抗が小さいなどの電気的特性の点で
金メッキされた粒子を好ましく用いることができる。ま
た、磁気ヒステリシスを示さない点から、導電性超常磁
性体よりなる粒子も好ましく用いることができる。
形を容易にし、かつ導電部17において導電性粒子間に
十分な電気的な接触が得られるよう、3〜200μmで
あることが好ましく、特に10〜100μmであること
が好ましい。
る高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が
好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることがで
きる硬化性の高分子物質用材料としては、例えばシリコ
ーンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソプレ
ン、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニト
リル−ブタジエン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン
共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、ク
ロロプレンゴム、エピクロルヒドリンゴム、軟質液状エ
ポキシ樹脂などを挙げることができる。
て、硬化処理後にアダプター本体12の配線層部分21
と密着状態または接着状態を保持して一体となる高分子
物質用材料が好ましい。このような観点から、本発明に
好適な高分子物質用材料としては、液状シリコーンゴ
ム、液状ウレタンゴム、軟質液状エポキシ樹脂などを挙
げることができる。高分子物質用材料には、アダプター
本体12の配線層部分21に対する接着性を向上させる
ために、シランカップリング剤、チタンカップリング剤
などの添加剤を添加することができる。
部17を構成する高分子物質と同一のものまたは異なる
ものを用いることができるが、同様に硬化処理後にアダ
プター本体12の配線層部分21と密着状態または接着
状態を保持してアダプター本体12と一体となるものが
用いられる。
コネクター層それ自体の一体性並びにそのアダプター本
体に対する一体性が確実に高くなるため、アダプター装
置全体としての強度が大きくなり、従って繰り返し圧縮
に対して優れた耐久性を得ることができる。
の上面に検査対象である回路基板が配置されて接続用電
極40に回路基板の被検査電極が対接されると共に、下
面の端子電極30が適宜の接続手段を介してテスターに
接続され、更に全体が厚み方向に圧縮するよう加圧され
た状態とされる。この状態においては、アダプター装置
のコネクター層15の導電部17が導電状態となり、こ
れにより、被検査電極とテスターとの所要の電気的な接
続が達成される。
ター装置の製造方法について説明する。この方法は、基
本的に、アダプター本体を形成する第1プロセスとこの
アダプター本体の表面上に異方導電性コネクター層を一
体的に設ける第2プロセスとよりなる。
程を含む。 第1工程 この第1工程は、基板の下面に端子電極を形成すると共
に、上面に当該端子電極と電気的に接続された第1配線
部を形成する工程である。具体的には、図5に示すよう
に、例えば銅などよりなる金属薄層30Aおよび33A
が両面に積層して設けられた硬質樹脂よりなる平板状の
基板20が用意され、この基板20に対し、例えば数値
制御型ドリリング装置により、図6に示すようにスルー
ホール20Hが形成される。このスルーホール20Hの
ピッチは例えば2.54mm、孔径は例えば0.5mm
である。
うに、無電解銅メッキ法、電解銅メッキ法によりスルー
ホール20H内が銅メッキされて基板20を貫通して伸
びる短絡部32が形成される。また、基板20の下面の
金属薄層30Aがフォトエッチング処理されて、格子点
上に配置された端子電極30が形成される。この端子電
極30の電極ピッチはスルーホール20Hと同様であ
り、例えば2.54mmである。更に、基板20の上面
の金属薄層33Aがフォトエッチング処理されて、最終
的に得るべき態様に応じたパターンの第1配線部33が
形成される。
樹脂による第1絶縁層と、この第1絶縁層の上面に位置
された、当該第1絶縁層を貫通して第1配線部に電気的
に接続された第2配線部とを形成する工程である。具体
的には、図8に示すように、上記の基板20の上面上
に、放射線の照射によって硬化する硬化性樹脂層23A
が、例えばそのような樹脂シートを真空ラミネート法に
よって一体的に被覆させることによって形成される。そ
の後、硬化性樹脂層23Aに対し、当該硬化性樹脂層2
3Aが感応する放射線の照射を含むフォトリソグラフィ
法を行うことにより、図9に示すように、バイアホール
23Hが形成された硬化樹脂よりなる第1絶縁層23が
形成される。
キ法、電解銅メッキ法によりバイアホール23H内が銅
メッキされて第1絶縁層23を貫通して伸びる短絡部3
4が形成される。バイアホール23Hがスルーホール2
0Hの直上に位置されている場合には、短絡部32上に
短絡部34が連続して伸びる状態となる。そして、更に
第1絶縁層23の上面に銅メッキによる金属薄層35A
が形成され、フォトメッキ処理後、図11に示すよう
に、エッチング処理により、金属薄層35Aの一部が除
去されて所要のパターンの第2配線部35が形成され
る。
線硬化樹脂による第2絶縁層と、この第2絶縁層の上面
に位置された、当該第2絶縁層を貫通して第2配線部に
電気的に接続された接続用電極とを形成する工程であ
る。具体的には、図12に示すように、第2配線部35
を含む第1絶縁層23の上面に、放射線の照射によって
硬化する硬化性樹脂液が塗布されることによって硬化性
樹脂層25Aが形成される。その後、硬化性樹脂層25
Aに対し、当該硬化性樹脂層25Aが感応する放射線の
照射を含むフォトリソグラフィ法を行うことにより、図
13に示すように、バイアホール25Hが形成された硬
化樹脂よりなる第2絶縁層25が形成される。
キ法、無電解メッキ法によりバイアホール25H内が銅
メッキされて第2絶縁層25を貫通して伸びる短絡部3
6が形成される。バイアホール25Hがバイアホール2
3Hの直上に位置されている場合には、短絡部34上に
短絡部36が連続して伸びる状態となる。そして、更に
第2絶縁層25の上面に銅メッキによる金属薄層が形成
され、フォトメッキ処理後、エッチング処理により、当
該金属薄層の一部が除去されて、図15に示すように、
検査対象である回路基板の被検査電極に対応したパター
ンの接続用電極40が形成され、斯くしてアダプター本
体12が製造される。
23または第2絶縁層25を形成するための硬化性樹脂
層を設ける手段は特に限定されるものではなく、硬化性
樹脂シートを真空ラミネート法によって形成する手段、
硬化性樹脂液をスクリーン印刷技術などの塗布法を利用
して塗布する手段、その他の手段を利用することができ
る。
側の第1絶縁層23の厚みは、上面側の第2絶縁層25
の厚みより大きいことが好ましい。この場合において
は、上面側の第2絶縁層25の厚みが比較的小さいの
で、当該第2絶縁層25を形成するためのパターニング
をフォトリソグラフィーによって行う場合におけるいわ
ゆる解像性がよく、このため、高密度の接続用電極40
のパターンに十分に対応する高密度の導電路を、その各
々が確実に絶縁された状態で形成することが可能とな
る。また、下面側の第1絶縁層23の厚みが比較的大き
いことにより、第1配線部33と第2配線部35との間
の絶縁性を容易に確保することができる。当該第1絶縁
層23を形成するためのパターニングをフォトリソグラ
フィーによって行う場合における解像性は比較的悪い
が、基板20に形成される端子電極30の電極ピッチは
それほど高密度ではないため、実際上、解像性が問題と
なることがない。
厚みは例えば50〜100μmとされ、第2絶縁層25
の厚みは例えば40〜60μmとされるのが好ましい。
そして、第1絶縁層23の形成のように、厚みが50μ
m以上の硬化性樹脂層を設ける場合には、そのような硬
化性樹脂のシートを真空ラミネート法によって設けるこ
とは高い製造効率が得られる点で有利である。そのよう
な厚みの層を塗布法によって形成する場合には、多数回
にわたって重ね塗りを行うことが必要となり、均一な層
の形成が容易ではないからである。一方、第2絶縁層2
5の形成のように、50μm以下の硬化性樹脂層をを設
ける場合には、そのような硬化性樹脂の液体を塗布法に
よって有利に設けることができる。
続用電極40を形成する金属層の厚みを大きくする場合
には、必要な厚みに対応する膜厚のフォトレジスト膜を
形成してパターニングを行うことにより、当該金属層を
形成する部分に孔を形成し、この孔内に金属をメッキ法
などによって充填し、然る後にフォトレジスト膜を除去
すればよい。このような方法により、表面から突出した
状態の接続用電極40を容易に形成することができる。
たは25H内に短絡部を形成する際には、メッキに先行
してサンドブラスト処理を行うことが好ましく、これに
よってバイアホールの底面を確実に露出させることがで
き、短絡部による電気的な接続を確実に達成することが
できる。また、絶縁層の上面に金属層を形成する際に
も、当該絶縁層の表面をサンドブラスト処理することに
より、当該金属層の付着性を向上させることができる。
12に対して、第2プロセスによってコネクター層15
が設けられる。この第2プロセスにおいては、硬化処理
によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用材
料中に導電性磁性体粒子を分散させて流動性の混合物よ
りなるコネクター用材料が調製され、図16に示すよう
に、このコネクター用材料がアダプター本体12の上面
に塗布されることによりコネクター用材料層50が形成
され、これが金型のキャビティ内に配置される。
1と下型52とよりなり、上型51には、接続用電極4
0に対応するパターンの強磁性体部分(斜線を付して示
す)Mと、それ以外の非磁性体部分Nとよりなる、下面
が平坦面である磁極板53が設けられており、当該磁極
板53の平坦な下面がコネクター用材料層50の表面か
ら離間されて間隙Gが形成された状態とされる。なお、
図16および図17においては、接続用電極40を除
き、アダプター本体12の詳細は省略されている。
動作させ、これにより、アダプター本体12の厚さ方向
の平行磁場を作用させる。その結果、コネクター用材料
層50においては接続用電極40上に位置する部分にお
いて、それ以外の部分より強い平行磁場が厚さ方向に作
用されることとなり、この分布を有する平行磁場によ
り、図17に示すように、コネクター用材料層50内の
導電性磁性体粒子が、強磁性体部分Mによる磁力により
接続用電極40上に位置する部分に集合して更に厚さ方
向に配向する。
0の表面側には間隙Gが存在するため、導電性磁性体粒
子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に移動す
る結果、接続用電極40上に位置する部分の高分子物質
用材料表面が***し、突出した導電部17が形成され
る。従って、形成される絶縁部18の厚さt1 は、初期
のコネクター用材料層50の厚さt0 より小さいものと
なる。そして、平行磁場を作用させたまま、あるいは平
行磁場を除いた後、硬化処理を行うことにより、突出部
を形成する導電部17と絶縁部18とよりなるコネクタ
ー層15をアダプター本体12上に一体的に設けること
ができ、以てアダプター装置が製造される。
型51が接続用電極40に対応するパターンの強磁性体
部分Mとそれ以外の非磁性体部分Nよりなり、当該上型
51の下面において強磁性体部分Mが非磁性体部分Nよ
り下方に突出した状態の磁極板55を使用することもで
きる。更に、全体が強磁性体よりなる磁極板であって、
接続用電極40に対応するパターンの部分が、それ以外
の部分より下方に突出した状態の磁極板を用いることも
できる。これらの場合にも、コネクター用材料層50に
対しては接続用電極40の領域において、より強い平行
磁場が作用されることとなる。
1と下型52の間隔が可変の金型を用い、始めは上型5
1をコネクター用材料層50のすぐ上に配置し、平行磁
場を作用させながら上型51と下型52の間隔を徐々に
広げ、これによってコネクター用材料層50の***を生
じさせ、その後に硬化処理を行うこともできる。
電部17が絶縁部18より突出していることは必須のこ
とではなく、平坦な表面を有するものとすることもでき
る。このような場合には、例えば図16に示した構成の
金型を用い、間隙Gを形成せずに処理すればよい。
0.1〜3mmとされる。このコネクター用材料層50
のための高分子物質用材料は、導電性磁性体粒子の移動
が容易に行われるよう、その温度25℃における粘度が
101 sec-1の歪速度の条件下において104 〜10
7 センチポアズ程度であることが好ましい。コネクター
用材料層50の硬化処理は、平行磁場を作用させたまま
の状態で行うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止
させた後に行うこともできる。
は鉄、ニッケルなどの強磁性体により、また非磁性体部
分Nは、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性
樹脂または空気層などにより形成することができる。コ
ネクター用材料層50に作用される平行磁場の強度は、
金型のキャビティの平均で200〜20,000ガウス
となる大きさが好ましい。
選定されるが、通常、熱処理によって行われる。具体的
な加熱温度および加熱時間は、コネクター用材料層50
の高分子物質用材料の種類、導電性磁性体粒子の移動に
要する時間などを考慮して適宜選定される。例えば、高
分子物質用材料が室温硬化型シリコーンゴムである場合
に、硬化処理は、室温で24時間程度、40℃で2時間
程度、80℃で30分間程度で行われる。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
を厚さ0.5mmのガラス繊維補強型エポキシ樹脂より
なる基板(20)の両面に積層してなる材料を用意し、
これを縦330mm、横610mmの矩形状に裁断し、
これに、2軸ドリリング装置「ND−2J−18」(日
立精工社製)を用いてピッチが2.45mmの格子点上
に配置された状態となるよう、各々の内径が0.5mm
のスルーホール(20H)を形成した(図5および図6
参照)。
に短絡部を形成すると共に、基板の両面の金属薄層に対
してフォトエッチング処理することにより、下面には端
子電極(30)を形成し、上面には、短絡部(32)を
介して電気的に接続された第1配線部(33)を形成し
た(図7参照)。
硬化性樹脂シートを真空ラミネート法によって積層させ
て硬化性樹脂層(23A)を形成し、この硬化性樹脂層
に対し、プリント基板用露光装置(ハイテックコーポレ
ーション社製)を用い、パターンフィルムマスクを介し
て245mJ/cm2 のエネルギーで露光処理し、温度
30℃、濃度1%の炭酸水素ナトリウム水溶液によりス
プレー現像して、硬化した樹脂層により第1絶縁層(2
3)を形成した。
層に形成されたバイアホール(23H)内に金属銅を充
填して短絡部(34)を形成すると共に、第1絶縁層の
上面の全面に無電解銅メッキ法により金属薄層(35
A)を形成し、フォトメッキ法により配線部を形成した
後、当該金属薄層に対してエッチング処理することによ
り、短絡部を介して第1配線部と電気的に接続された第
2配線部(35)を形成した(図8〜図11参照)。そ
の後、硬化樹脂層に対してコンベアー式紫外線露光装置
(オーク製作所製)を用い、2000mJ/cm2 のエ
ネルギーで露光処理し、熱風乾燥機を用いて150℃、
30分間の熱処理を行った。
第2配線部を含む第1絶縁層の上面に、二液型紫外線硬
化性樹脂「NPR−60−5P」(日本ポリテック社
製)を、スクリーン印刷機「MELODY−MARKII
MR−60」により、ポリエステルクリーンメッシュ
を張ったスクリーン印刷用版を介して、スキージー速度
10mm/secの条件で3回塗布し、温度80℃の熱
風乾燥機炉で15分間乾燥させる工程を2回繰り返し、
これにより厚みが40μmの硬化性樹脂層(25A)を
形成した。そして、他は第2工程と同様の処理を行っ
て、硬化した樹脂層による第2絶縁層(25)を形成す
ると共に、第2配線部に電気的に接続された短絡部(3
6)を形成した(図12〜図14参照)。
メッキ層を形成した上、厚みが50μmのフォトレジス
ト膜を設け、これをフォトリソグラフィ法により処理し
て検査対象回路基板の被検査電極に対応するパターンに
従って除去し、斯くして形成された穴部に銅メッキ法に
より金属銅を充填し、その後フォトレジスト膜を剥離す
ることにより、突出高さが50μmの接続用電極(4
0)を形成し、更に各接続用電極の被検査電極には厚み
2μmの金メッキを施し、アダプター本体を製造した。
極は、各電極の寸法が0.15mm平方で電極ピッチが
0.25mmの電極群と、各電極の寸法が幅0.2mm
長さ0.5mmの矩形で電極ピッチが0.6mmの電極
群と、各電極の寸法が1mm平方で電極ピッチが2mm
の電極群とを有するものであった。
よりなる導電性磁性体粒子を15体積%となる割合で混
合してなるコネクター用材料を調製し、これを上記のア
ダプター本体の表面に塗布したものを、基本的に図18
に示した金型を用いる方法に従って処理した。すなわ
ち、下面において強磁性体部分Mが非磁性体部分Nより
0.1mm突出する磁極板55を用い、強磁性体部分M
の下面とコネクター用材料層との間に0.03mmの間
隙を形成して平行磁場を作用させてコネクター用材料層
を***させ、この状態で室温で24時間放置して硬化さ
せ、これにより、導電部の厚さtが0.3mm、絶縁部
の厚さdが0.27mm、導電部の突出割合(t−d)
/tが10%のコネクター層を形成し、もって回路基板
検査用アダプター装置を製造した。
ムハイテスター」(日置電機社製)を用い、基板の下面
側に共通の導電板を配置してすべての端子電極を短絡状
態とし、この導電板と各接続用電極との間の電気抵抗値
をプローブピンを利用して測定した。その結果、すべて
の接続用電極について、電気抵抗値は33mΩ以下と非
常に小さく、接続されるべき端子電極と接続用電極との
間の電気的な接続が十分に達成されていることが確認さ
れた。
定器を用い、互いに絶縁状態とされるべき隣接する接続
用電極の間の電気抵抗値をプローブピンを利用して測定
したところ、電気抵抗値はいずれも2MΩ以上と非常に
大きく、十分な絶縁状態が達成されていることが確認さ
れた。
によれば、アダプター本体の配線層部分の表面には、検
査対象回路基板の被検査電極に対応して配置された接続
用電極が形成されると共に、基板の下面には、格子点に
配置された、電気的検査装置と接続される端子電極が形
成されており、また配線層部分には接続用電極と端子電
極とを電気的に接続するための2層以上の層内配線部が
形成されており、しかもアダプター本体の配線層部分の
表面上には異方導電性コネクター層が一体的に設けられ
ている上、当該異方導電性コネクター層においては絶縁
性の弾性高分子物質中に導電性粒子が厚さ方向に並ぶよ
う配向されて導電部が形成されているため、検査対象で
ある回路基板の被検査電極が、電極ピッチが微小であ
り、かつ微細で高密度の複雑なパターンのものである場
合にも、厚み方向に圧縮されることにより、異方導電性
コネクター層において厚さ方向に伸びる導電部を介し
て、当該回路基板の被検査電極と電気的検査装置との所
要の電気的接続を確実に達成することができる。また、
異方導電性コネクター層がアダプター本体に一体的に設
けられているため、温度変化による熱履歴などの環境の
変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持さ
れ、従って高い接続信頼性を得ることができる。
板の検査装置によれば、上記の構成の回路基板検査用ア
ダプター装置を用いることにより、高い信頼性で回路基
板について所要の検査を行うことができる。
ター装置の構成を示す説明用断面図である。
の説明用断面図である。
る各部の配置の状態を示す説明用平面図である。
るコネクター層部分の説明用拡大断面図である。
ター装置の製造方法に用いられる基板材料の説明用断面
図である。
明用断面図である。
た状態の説明用断面図である。
状態の説明用断面図である。
説明用断面図である。
の金属薄層が形成された状態の説明用断面図である。
である。
た状態の説明用断面図である。
の説明用断面図である。
説明用断面図である。
本体の説明用断面図である。
本体が金型にセットされた状態を示す説明用断面図であ
る。
を示す説明用断面図である。
型の他の例を示す説明用断面図である。
である。
ー本体 15 異方導電性コネクター層 17 導電部 18 絶縁部 20 絶縁性基
板 21 配線層部分 23 第1絶縁
層 25 第2絶縁層 30 端子電極 32 短絡部 33 第1配線
部 34 短絡部 35 第2配線
部 36 短絡部 40 接続用電
極 E 弾性高分子物質 P 導電性粒子 30A 金属薄層 33A 金属薄
層 20H スルーホール 23A 硬化性
樹脂層 23H バイアホール 35A 金属薄
層 25A 硬化性樹脂層 25H バイア
ホール 50 コネクター用材料層 51 上型 52 下型 M 強磁性体部
分 N 非磁性体部分 53 磁極板 G 間隙 55 磁極板 90 回路基板 91 機能素子
領域 92 リード電極 93 リード電
極領域
Claims (5)
- 【請求項1】 検査対象回路基板と電気的検査装置との
間に介在されて当該回路基板の電極の電気的接続を行う
回路基板検査用アダプター装置であって、材質が寸法安定性の高い耐熱性材料である 基板および基
板の上面に設けられた配線層部分を有するアダプター本
体と、このアダプター本体の配線層部分の表面上に一体
的に接着乃至密着した状態で形成された、絶縁性の弾性
高分子物質中に導電性粒子が充填されて厚さ方向に伸び
る導電部が形成される異方導電性コネクター層とよりな
り、 前記アダプター本体の配線層部分の表面には、検査対象
回路基板の被検査電極に対応して配置された接続用電極
が形成されると共に、基板の下面に格子点上に配置され
た端子電極が形成され、前記配線層部分には、接続用電
極と端子電極とを電気的に接続するための2層以上の層
内配線部が形成されていることを特徴とする回路基板検
査用アダプター装置。 - 【請求項2】 異方導電性コネクター層の導電部が、ア
ダプター本体の配線層部分の表面における、検査対象回
路基板の被検査電極に対応した位置に形成された接続用
電極上に配置されていることを特徴とする請求項1に記
載の回路基板検査用アダプター装置。 - 【請求項3】 異方導電性コネクター層の外面におい
て、導電部が絶縁部の表面から突出する突出部を形成し
ていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載
の回路基板検査用アダプター装置。 - 【請求項4】 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の
回路基板検査用アダプター装置を用い、その異方導電性
コネクター層の導電部を介して、検査対象回路基板の被
検査電極と電気的検査装置との電気的な接続を達成する
ことにより、回路基板の検査を行うことを特徴とする回
路基板の検査方法。 - 【請求項5】 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の
回路基板検査用アダプター装置を備えてなることを特徴
とする回路基板の検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000218275A JP3360679B2 (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 回路基板検査用アダプター装置並びに回路基板の検査方法および検査装置 |
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JP04253528A Division JP3111688B2 (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 回路基板検査用アダプター装置の製造方法並びに回路基板の検査方法および検査装置 |
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---|---|
JP2001085085A JP2001085085A (ja) | 2001-03-30 |
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- 2000-07-19 JP JP2000218275A patent/JP3360679B2/ja not_active Expired - Lifetime
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