JPH116055A - Manufacture of thin film - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form the thin film uniform in thickness in the longitudinal direction of a traveling base film while an electronic gun is prevented from being polluted by evaporating the deposition material in a crucible with the electronic beam from the electronic gun, and positioning the center of a muzzle of the electronic gun lower than the inner bottom surface of the crucible. SOLUTION: The electronic beam from a pierce gun 12 of an electronic gun is deflected by the magnetic field, the deposition material 14 stored in a crucible 13 is irradiated with the electronic beam to be melted and evaporated, and deposited on a base film 15 traveling along a can roll 18 to form a thin film. The center of a muzzle of the pierce gun 12 is positioned lower than the inner bottom surface of the crucible 13 in the manufacturing method of the thin film. The distance (d) in the vertical direction between the center of the muzzle and the inner bottom surface is preferably 0<d<=300 cm, more preferably d=5 to 100 cm. The pierce gun is prevented from being polluted with the evaporated material, its output is kept stable, and the shielding of the vapor with the electronic beam is reduced to improve the efficiency of high deposition in forming the film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜の製造方法に関
する。特に本発明は、電子ビームを用いてベースフィル
ム長手方向に一様な膜厚を有する薄膜を製造する方法に
関する。The present invention relates to a method for producing a thin film. In particular, the present invention relates to a method for producing a thin film having a uniform thickness in the longitudinal direction of a base film using an electron beam.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ベースフィルム上に薄膜を形成する技術
は多方面で利用されている。工業的規模で薄膜を製造す
る場合には、同規格の製品あるいは１つのロット内の製
品において、一様な特性を示すことが求められる。一様
な特性を示すには、一様な層を形成することが必要であ
り、例えば層を構成する物質が組成のゆらぎを持たない
ことや、層を構成する膜の厚みが一様である等が必要で
ある。特に磁気テープの製造等を目的として薄膜を製造
する場合には、膜厚を一様とすることが重要である。2. Description of the Related Art A technique for forming a thin film on a base film is used in various fields. When a thin film is manufactured on an industrial scale, it is required that products having the same standard or products in one lot have uniform characteristics. In order to exhibit uniform characteristics, it is necessary to form a uniform layer.For example, the material constituting the layer does not have composition fluctuation, and the thickness of the film constituting the layer is uniform. Is necessary. In particular, when a thin film is manufactured for the purpose of manufacturing a magnetic tape, it is important to make the film thickness uniform.

【０００３】一方、膜の特性の向上あるいは薄膜化への
要求から、真空成膜法による高品位膜の形成が成膜法の
主流となっている。真空成膜法の中でも電子ビームによ
り蒸着材料を溶融して成膜を行う真空蒸着法は、装置が
簡便であり、制御しやすく、他の真空成膜法よりも低コ
ストで薄膜の製造が行なえる等の理由から広く使用され
ている。On the other hand, formation of a high-quality film by a vacuum film forming method has become the mainstream of the film forming method due to a demand for improving the characteristics of the film or reducing the film thickness. Among the vacuum deposition methods, the vacuum deposition method in which an evaporation material is melted by an electron beam to form a film is simple in equipment, easy to control, and can produce a thin film at a lower cost than other vacuum film formation methods. It is widely used for such reasons.

【０００４】ところで電子ビームを使用した真空蒸着に
は、電子ビームの発生源として一般にピアスガンあるい
は偏向ガンが用いられる。ピアスガンは加熱したフィラ
メントによりタングステンなどの高融点の板を加熱し、
この板から発生する熱電子により蒸着材料を加熱するた
め、電子ビームが安定するが、一方偏向ガンは加熱した
フィラメントから発生する熱電子により蒸着材料を加熱
するため、フィラメントが徐々にやせ、それにより電子
ビームが不安定となる。したがって偏向ガンを使用する
よりも、ピアスガンを使用する方がベースフィルム長手
方向に安定した膜厚を得ることができる。しかしながら
従来のピアスガンによる真空蒸着法では、蒸着材料蒸気
を電子ビームで遮ることが多いために、高い蒸着効率で
成膜を行うことができず、また電子ビームの発生源であ
るピアスガンが蒸着材料の蒸気にさらされることによ
り、ピアスガンが汚染されるといった問題がある。こう
した問題は、長時間にわたってピアスガンの出力を安定
に保つことを困難にする。これはベースフィルム上に薄
膜を形成する場合に、長手方向の広い範囲において膜厚
が徐々に変化する原因ともなる。またピアスガンから照
射される電子ビームが蒸着材料の蒸気を通過すること
は、蒸着材料の蒸発量の変動の原因ともなり、長手方向
の狭い範囲において膜厚が変化する原因となり得る。In vacuum deposition using an electron beam, a pierce gun or deflection gun is generally used as a source of the electron beam. The piercing gun heats a high melting point plate such as tungsten with a heated filament,
The electron beam is stabilized by heating the vapor deposition material by the thermoelectrons generated from this plate, while the deflection gun heats the vapor deposition material by the thermoelectrons generated by the heated filament, so that the filament gradually becomes thinner. The electron beam becomes unstable. Therefore, using a piercing gun can obtain a more stable film thickness in the longitudinal direction of the base film than using a deflection gun. However, in the conventional vacuum evaporation method using a piercing gun, the evaporation material vapor is often blocked by an electron beam, so that film formation cannot be performed with high evaporation efficiency. There is a problem that piercing guns are contaminated by exposure to steam. These problems make it difficult to keep the output of the piercing gun stable for a long time. This causes the film thickness to gradually change over a wide range in the longitudinal direction when a thin film is formed on the base film. In addition, the passage of the electron beam emitted from the piercing gun through the vapor of the vapor deposition material causes a change in the evaporation amount of the vapor deposition material, and may cause a change in the film thickness in a narrow range in the longitudinal direction.

【０００５】こうした膜厚の変化という問題に対処する
ため、本発明者らは先に磁気テープの製造に関して、磁
性材料の溶融を均一にして一様な磁性層を形成するため
の提案を行っている。例えば特開平７−29171号は、ル
ツボの中央領域を第１の電子銃により照射し、その周辺
領域を第２の電子銃により照射することにより、溶融面
を平らにすることを提案している。また特願平８−1767
21号においては、ベースフィルムの幅方向及び長手方向
における磁気特性を均一化するために、ベースフィルム
の幅方向及び長手方向に電子ビームを走査させ、ルツボ
内の材料を全面的に同一の溶融状態とすることを提案し
ている。In order to cope with the problem of such a change in film thickness, the present inventors have previously proposed a method for forming a uniform magnetic layer by uniformly melting a magnetic material with respect to the production of a magnetic tape. I have. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-29171 proposes flattening a molten surface by irradiating a central region of a crucible with a first electron gun and irradiating a peripheral region with a second electron gun. . Also, Japanese Patent Application Hei 8-1767
In No. 21, in order to make the magnetic properties uniform in the width direction and the longitudinal direction of the base film, an electron beam is scanned in the width direction and the longitudinal direction of the base film, and the material in the crucible is completely in the same molten state. It is proposed that.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな手法によっても、電子銃の射出口の汚染、及びそれ
による出力の不安定化といった問題は解決することがで
きない。また電子ビームが蒸着材料の蒸気を遮ることに
よる問題の解決も完全とは言えない。そこで本発明者ら
は、より簡便な手法により、これらの問題点の解決を図
り、ベースフィルム長手方向の広い範囲及び狭い範囲の
何れにおいても膜厚を一様とすることを可能にすること
を課題としている。However, even with the above-described method, it is not possible to solve the problems of contamination of the exit of the electron gun and the resulting instability of the output. Also, the solution of the problem caused by the electron beam blocking the vapor of the deposition material is not perfect. Therefore, the present inventors have attempted to solve these problems by a simpler technique, and have made it possible to make the film thickness uniform in both a wide range and a narrow range in the longitudinal direction of the base film. It is an issue.

【０００７】特に本発明では、電子ビームによりルツボ
内の蒸着材料を溶融して薄膜を製造する際に、電子銃が
長時間にわたり安定した出力を保ち、かつ電子ビームが
蒸着材料の蒸気を遮ることによる影響を極力抑えること
により、ベースフィルム長手方向の膜厚を一様とするこ
とができる薄膜の製造方法を提供することを課題として
いる。In particular, according to the present invention, when a thin film is produced by melting a deposition material in a crucible with an electron beam, an electron gun maintains a stable output for a long time and the electron beam blocks vapor of the deposition material. It is an object of the present invention to provide a method for producing a thin film capable of making the film thickness in the longitudinal direction of the base film uniform by minimizing the influence of the film.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討の結果、電子銃の射出口中心
とルツボとの上下の位置関係によって、電子銃の射出口
の汚れ具合や蒸着材料の蒸発量の変動が大きく左右され
ることを見出した。すなわち本発明者らは、電子銃の射
出口中心をルツボよりも下方に位置せしめることによ
り、蒸着材料の蒸気によって電子銃が汚れることを抑制
し、また蒸発蒸気を遮ることも少なくなることを見出
し、本発明を完成するに至ったものである。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, the contamination of the exit of the electron gun has been determined by the vertical positional relationship between the center of the exit and the crucible. It has been found that the fluctuation of the condition and the evaporation amount of the evaporation material is greatly affected. That is, the present inventors have found that, by positioning the center of the exit of the electron gun below the crucible, the electron gun is prevented from being contaminated by the vapor of the vapor deposition material, and that the evaporation vapor is less blocked. Thus, the present invention has been completed.

【０００９】しかして本発明は、電子ビームによりルツ
ボ内の蒸着材料を溶融することにより、走行するベース
フィルム上に薄膜を製造する方法において、電子ビーム
を発生させる電子銃の射出口中心を、ルツボの内側底面
よりも下方に位置させることを特徴とする薄膜の製造方
法を提供する。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a thin film on a running base film by melting a vapor deposition material in a crucible with an electron beam. A method for producing a thin film, wherein the method is located below the inner bottom surface of the thin film.

【００１０】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の薄膜の製造方法は、電子
ビームによりルツボ内の蒸着材料を溶融することによ
り、走行するベースフィルム上に薄膜を製造するための
方法であって、電子銃の射出口中心がルツボの内側底面
よりも下方に位置することを特徴とする。電子銃の射出
口中心をルツボの内側底面よりも下方に位置させること
により、電子銃の射出口が蒸着材料の蒸気により汚染さ
れるのを防ぎ、それによりベースフィルム長手方向の広
い範囲での膜厚の変動を防ぐことが可能になる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The thin film manufacturing method of the present invention is a method for manufacturing a thin film on a running base film by melting a deposition material in a crucible with an electron beam. The center of the injection port is located below the inner bottom surface of the crucible. By positioning the center of the exit of the electron gun below the inner bottom surface of the crucible, the exit of the electron gun is prevented from being contaminated by the vapor of the vapor deposition material, and thereby, the film can cover a wide area in the longitudinal direction of the base film. It is possible to prevent the thickness from fluctuating.

【００１１】電子ビームの射出口中心とルツボの内側底
面の間の垂直方向の距離をｄ（図１）とすると、ｄは０
＜ｄ≦300cm、特に５〜100cmであることが好ましい。ｄ
が０cm以下、すなわち電子銃の射出口中心がルツボの内
側底面と同じか、又はそれよりも上側に位置すると、電
子銃の射出口が汚染されることにより蒸着効率が低下
し、また300cmよりも大きいと電子ビームを効率的に照
射することが困難になる。電子銃の角度は、ルツボとの
相対位置関係に応じて適宜選択される。Assuming that the vertical distance between the center of the exit of the electron beam and the inner bottom surface of the crucible is d (FIG. 1), d is 0.
<D ≦ 300 cm, preferably 5 to 100 cm. d
Is 0 cm or less, that is, when the center of the exit of the electron gun is the same as or higher than the inner bottom surface of the crucible, the exit of the electron gun is contaminated, the vapor deposition efficiency is reduced, If it is large, it becomes difficult to efficiently irradiate the electron beam. The angle of the electron gun is appropriately selected according to the relative positional relationship with the crucible.

【００１２】本発明の薄膜の製造方法において、電子銃
は特に指定しないが、電子ビームのパワーが安定してい
るピアスガンを使用することにより、ベースフィルム長
手方向の狭い範囲での膜厚の変動を防ぐことが可能とな
る。また本発明に使用されるピアスガンは、真空蒸着法
において加熱源として使用される公知のピアスガンを使
用することができる。In the method of manufacturing a thin film according to the present invention, the electron gun is not particularly specified, but the use of a piercing gun in which the power of the electron beam is stable allows the variation of the film thickness in a narrow range in the longitudinal direction of the base film. Can be prevented. Further, as the piercing gun used in the present invention, a known piercing gun used as a heating source in a vacuum evaporation method can be used.

【００１３】本発明の製造方法において用いられるベー
スフィルムは、従来公知のものを使用することができ
る。例えばプラスチックフィルムであれば、ポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレー
ト（ＰＥＮ）のようなポリエステル；ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン；セルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート等のセルロース誘導
体；ポリカーボネート；ポリ塩化ビニル；ポリイミド；
芳香族ポリアミド等をあげることができる。しかし価格
の点からはＰＥＴが好ましい。As the base film used in the production method of the present invention, a conventionally known base film can be used. For example, in the case of a plastic film, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN); polyolefins such as polyethylene and polypropylene; cellulose derivatives such as cellulose triacetate and cellulose diacetate; polycarbonate; polyvinyl chloride;
And aromatic polyamides. However, PET is preferred in terms of price.

【００１４】本発明の薄膜の製造方法によれば、所望と
する薄膜を電子ビームによる真空蒸着法で形成すること
ができる。例えば金属薄膜型の磁性層や、バックコート
層などを形成することができる。例えば磁性層を形成す
る場合には、磁性材料としては、通常の金属薄膜型の磁
気記録媒体の製造に用いられる強磁性金属材料、例えば
Co、Ni、Fe等の強磁性金属、あるいはFe-Co、Fe-Ni、Co
-Ni、Fe-Co-Ni、Fe-Cu、Co-Cu、Co-Au、Co-Y、Co-La、C
o-Pr、Co-Gd、Co-Sm、Co-Pt、Ni-Cu、Mn-Bi、Mn-Sb、Mn
-Al、Fe-Cr、Co-Cr、Ni-Cr、Fe-Co-Cr、Ni-Co-Cr等の強
磁性合金を使用することができる。特に磁気記録媒体に
使用する磁性材料の磁気特性の点からは、Co、Ni、Feを
主体とする強磁性合金およびこれらの窒化物もしくは炭
化物から選ばれる少なくとも一種類が好ましい。また真
空成膜の際に酸化性ガスを導入して磁性層表面に酸化物
層を形成することにより、耐久性の向上を図ることがで
きる。真空成膜法による磁性層は一層でも二層以上の多
層でも良いが、高密度記録のためには多層とすることが
好ましく、実用的な範囲としては２〜３層が適当であ
る。また非磁性支持体上に斜め蒸着により磁気記録媒体
の磁性層が形成されることが好ましい。斜め蒸着の方法
は特に限定されず、従来よりの公知の方法に準ずる。金
属薄膜型磁性層の厚さは限定されないが、50〜500nmが
好ましく、特に実用範囲としては80〜300nmが好まし
い。なお二層の場合には、下層が20〜200nm程度、上層
が10〜100nm程度が好ましく、三層の場合には下層が20
〜200nm程度、中層が20〜200nm程度、上層が10〜100nm
程度が好ましい。According to the method of manufacturing a thin film of the present invention, a desired thin film can be formed by a vacuum deposition method using an electron beam. For example, a metal thin film type magnetic layer, a back coat layer, or the like can be formed. For example, in the case of forming a magnetic layer, as the magnetic material, a ferromagnetic metal material used for manufacturing a normal metal thin film type magnetic recording medium, for example,
Ferromagnetic metals such as Co, Ni, Fe, or Fe-Co, Fe-Ni, Co
-Ni, Fe-Co-Ni, Fe-Cu, Co-Cu, Co-Au, Co-Y, Co-La, C
o-Pr, Co-Gd, Co-Sm, Co-Pt, Ni-Cu, Mn-Bi, Mn-Sb, Mn
Ferromagnetic alloys such as -Al, Fe-Cr, Co-Cr, Ni-Cr, Fe-Co-Cr, and Ni-Co-Cr can be used. Particularly, from the viewpoint of the magnetic properties of the magnetic material used for the magnetic recording medium, at least one selected from ferromagnetic alloys mainly containing Co, Ni, and Fe and nitrides or carbides thereof is preferable. In addition, the durability can be improved by introducing an oxidizing gas during vacuum film formation to form an oxide layer on the surface of the magnetic layer. The magnetic layer formed by the vacuum film formation method may be a single layer or a multilayer of two or more layers, but is preferably a multilayer for high-density recording, and a practical range of two to three layers is appropriate. It is preferable that the magnetic layer of the magnetic recording medium is formed on the non-magnetic support by oblique evaporation. The method of oblique deposition is not particularly limited, and follows a conventionally known method. The thickness of the metal thin film type magnetic layer is not limited, but is preferably 50 to 500 nm, and particularly preferably 80 to 300 nm as a practical range. In the case of two layers, the lower layer is preferably about 20 to 200 nm, the upper layer is preferably about 10 to 100 nm, and in the case of three layers, the lower layer is about 20 to 200 nm.
~ 200nm, middle layer about 20 ~ 200nm, upper layer about 10 ~ 100nm
The degree is preferred.

【００１５】本発明の製造方法をバックコート層の形成
に用いる場合も、金属または半金属を蒸着するのに好適
に用いることができる。バックコート層の厚さは特に限
定されないが、一例を挙げれば0.05〜1.0μｍ程度であ
る。When the manufacturing method of the present invention is used for forming a back coat layer, it can be suitably used for depositing a metal or a metalloid. The thickness of the back coat layer is not particularly limited, but is, for example, about 0.05 to 1.0 μm.

【００１６】なお、本発明の製造方法により磁性層やバ
ックコート層を成膜した場合、さらに磁気記録媒体の耐
久性および耐食性を向上させる目的で、高硬度薄膜の保
護層を設けることができる。このような保護層は、例え
ばダイヤモンドライクカーボン、炭化ホウ素、炭化珪
素、窒化ホウ素、窒化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウ
ム等の炭化物、窒化物、酸化物のような非磁性材料から
なり、ＣＶＤ法やＰＶＤ法により成膜される。保護層の
厚さは保護層の機能の点から5〜30nmであることが好ま
しい。また加えて、適当な潤滑剤からなる潤滑層を形成
しても良い。潤滑層は、潤滑剤を適当な溶剤に溶解させ
たものを塗布して形成しても良いし、真空中で潤滑剤を
噴霧する方法により形成しても良い。潤滑剤としては、
塗布あるいは噴霧いずれの場合にも、パーフルオロポリ
エーテル等のフッ素系潤滑剤が潤滑性の点から好まし
く、例えばパーフルオロポリエーテルとしては分子量20
00〜5000のものが好適である。潤滑剤の塗布量あるいは
噴霧量は、磁気記録媒体の用途や潤滑剤の種類により適
宜決定されるが、形成される潤滑層の厚さは0.5〜10nm
程度である。When a magnetic layer or a back coat layer is formed by the manufacturing method of the present invention, a protective layer of a high hardness thin film can be provided for the purpose of further improving the durability and corrosion resistance of the magnetic recording medium. Such a protective layer is made of a non-magnetic material such as carbide, nitride, or oxide such as diamond-like carbon, boron carbide, silicon carbide, boron nitride, silicon nitride, silicon oxide, or aluminum oxide. The film is formed by the PVD method. The thickness of the protective layer is preferably 5 to 30 nm from the viewpoint of the function of the protective layer. In addition, a lubricating layer made of a suitable lubricant may be formed. The lubricating layer may be formed by applying a solution obtained by dissolving a lubricant in an appropriate solvent, or may be formed by spraying the lubricant in a vacuum. As a lubricant,
In either case of coating or spraying, a fluorine-based lubricant such as perfluoropolyether is preferable from the viewpoint of lubricity.
Those of from 00 to 5000 are preferred. The amount of the lubricant applied or the amount of the spray is appropriately determined depending on the use of the magnetic recording medium and the type of the lubricant, but the thickness of the formed lubricating layer is 0.5 to 10 nm.
It is about.

【００１７】図１は、本発明による薄膜製造方法を具体
化する真空蒸着装置の一例を示す概略図である。真空蒸
着装置11には、ピアスガン12、蒸着材料14を収容するル
ツボ13が配置され、ベースフィルム15は巻き出しロール
16からキャンロール18を経て、巻き取りロール17へと走
行し巻き取られる。ピアスガン12からの電子ビームによ
りルツボ13内の蒸着材料14は溶融され、蒸着材料14の蒸
気が発生する。ベースフィルム15は、キャンロール18上
を走行中蒸着材料14の蒸気を付着され、膜が形成され
る。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a vacuum deposition apparatus for realizing the thin film manufacturing method according to the present invention. A piercing gun 12 and a crucible 13 containing a vapor deposition material 14 are arranged in the vacuum vapor deposition device 11, and the base film 15 is unrolled.
From 16, it passes through a can roll 18, travels to a take-up roll 17, and is taken up. The deposition material 14 in the crucible 13 is melted by the electron beam from the piercing gun 12, and vapor of the deposition material 14 is generated. The base film 15 is coated with the vapor of the vapor deposition material 14 while traveling on the can roll 18 to form a film.

【００１８】本発明によれば、ピアスガン12はルツボ13
の下方に位置する。これにより電子ビームが蒸着材料14
の蒸気を遮ることにより生じる蒸発量の変動とピアスガ
ン12自身の蒸着材料14の蒸気による汚染を抑制すること
ができる。結果としてベースフィルム長手方向の狭い範
囲及び広い範囲の双方において、厚みの変化のない膜を
形成することができ、長手方向に一様な成膜を行うこと
ができる。According to the present invention, the piercing gun 12 is
Located below. This causes the electron beam to evaporate
The variation in the amount of evaporation caused by blocking the vapor and the contamination of the vapor deposition material 14 of the pierce gun 12 itself with the vapor can be suppressed. As a result, a film having no change in thickness can be formed in both a narrow range and a wide range in the longitudinal direction of the base film, and a uniform film can be formed in the longitudinal direction.

【００１９】[0019]

【実施例】【Example】

実施例１ 図１に示す如き装置を用いて、6.3μmの厚みのＰＥＴ上
に磁性層を成膜した。ピアスガン12の電子ビームの射出
口中心とルツボ13の内側底面との間の垂直距離ｄは10cm
とした。ベースフィルムの走行速度は10m／min、酸素供
給量は200SCCM、電子銃の出力は30kWとした。蒸着材料
は金属Coを使用し、成膜開始時の設定膜厚を180nmとし
た。Example 1 Using a device as shown in FIG. 1, a magnetic layer was formed on PET having a thickness of 6.3 μm. The vertical distance d between the center of the electron beam exit of the piercing gun 12 and the inner bottom surface of the crucible 13 is 10 cm.
And The running speed of the base film was 10 m / min, the supply amount of oxygen was 200 SCCM, and the output of the electron gun was 30 kW. Metal Co was used as the evaporation material, and the set film thickness at the start of film formation was 180 nm.

【００２０】実施例２ 実施例１と同様の条件により成膜を行った。但し垂直距
離ｄは20cm、ベースフィルムの走行速度は12m／min、酸
素供給量は215SCCMとした。Example 2 A film was formed under the same conditions as in Example 1. However, the vertical distance d was 20 cm, the running speed of the base film was 12 m / min, and the oxygen supply amount was 215 SCCM.

【００２１】比較例１ 実施例１で用いたピアスガンに代えて、ルツボに付属す
る偏向ガンを用いて、実施例１と同様の条件によって成
膜を行った。但し偏向ガンはルツボの内側底面よりも上
方に位置し、その電子ビーム射出口中心とルツボの内側
底面との間の垂直距離ｄは５cm、ベースフィルムの走行
速度は９m／min、酸素供給量は190SCCM、偏向ガンの出
力は30kWとした。Comparative Example 1 A film was formed under the same conditions as in Example 1 except that a piercing gun used in Example 1 was replaced with a deflection gun attached to a crucible. However, the deflection gun is located above the inner bottom surface of the crucible, the vertical distance d between the center of the electron beam exit and the inner bottom surface of the crucible is 5 cm, the running speed of the base film is 9 m / min, and the oxygen supply amount is The output of the deflection gun was 190 kW, and the output of the deflection gun was 30 kW.

【００２２】比較例２ 実施例１で用いたピアスガン射出口中心をルツボの内側
底面よりも上方に配置し、実施例１と同様の条件により
成膜を行った。但しベースフィルムの走行速度は10m／m
in、酸素供給量は200SCCM、ピアスガンの出力は30kWと
した。またピアスガンの電子ビーム射出口中心とルツボ
の内側底面との間の垂直距離ｄは20cmであった。Comparative Example 2 The center of the piercing gun injection port used in Example 1 was arranged above the inner bottom surface of the crucible, and a film was formed under the same conditions as in Example 1. However, the running speed of the base film is 10m / m
In, the oxygen supply was 200 SCCM, and the output of the piercing gun was 30 kW. The vertical distance d between the center of the electron beam emission port of the piercing gun and the inner bottom surface of the crucible was 20 cm.

【００２３】評価 成膜したテープに対して、磁気特性（飽和磁束密度Ｂ
ｓ、保磁力Ｈｃ）と膜厚の測定を行った。磁気特性は、
テープ長手方向０〜300mにおいて100m毎の位置でのＢｓ
とＨｃを測定し、またその各位置から50cm毎に５点測定
を行ない最大値と最小値の差をとりΔＢｓとΔＨｃとし
た。測定は理研電子製のＶＳＭにより行なった。Evaluation The magnetic properties (saturation flux density B
s, coercive force Hc) and film thickness were measured. The magnetic properties are
Bs at the position of every 100m in the tape longitudinal direction 0-300m
And Hc were measured, and five points were measured at intervals of 50 cm from the respective positions, and the difference between the maximum value and the minimum value was taken as ΔBs and ΔHc. The measurement was performed by VSM manufactured by Riken Denshi.

【００２４】膜厚は、０〜300mにおいて100m毎の位置に
おける値を測定した。測定はランクテーラーボブソン社
製のタリステップを使用した。The film thickness was measured at a position of every 100 m from 0 to 300 m. For the measurement, Taristep manufactured by Rank Taylor Bobson was used.

【００２５】測定の結果はＢｓとＨｃを表１に、ΔＢｓ
とΔＨｃを表２に、膜厚を表３に示す。なお表１、２中
の単位は飽和磁束密度はガウス、保磁力はエルステッド
であり、表３中の単位はnmである。本願発明により成膜
されたテープは長手方向に特性が変動せず、また膜厚も
一様であるが、これらは電子銃が汚染されなかったこと
を示すものである。Table 1 shows Bs and Hc, and ΔBs
And ΔHc are shown in Table 2, and the film thickness is shown in Table 3. The units in Tables 1 and 2 are Gauss for saturation magnetic flux density and Oersted for coercive force, and the units in Table 3 are nm. The tape formed according to the present invention does not change its characteristics in the longitudinal direction and has a uniform film thickness, which indicates that the electron gun was not contaminated.

【００２６】[0026]

【表１】 [Table 1]

【００２７】[0027]

【表２】 [Table 2]

【００２８】[0028]

【表３】 [Table 3]

【００２９】[0029]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、電子ビー
ムによりルツボ内の蒸着材料を溶融して走行するベース
フィルム上に薄膜を製造する方法において、電子ビーム
が電子銃により発生され、電子銃の射出口中心がルツボ
の内側底面よりも下方に位置する。これにより、蒸着材
料の蒸気によって電子銃の射出口が汚れることを抑える
ことができ、また蒸発量の変動を防ぐことができる、か
くしてベースフィルム長手方向に一様な膜厚を有する薄
膜を得ることができる。As described above, according to the present invention, in a method of manufacturing a thin film on a running base film by melting a deposition material in a crucible with an electron beam, an electron beam is generated by an electron gun. The center of the outlet of the gun is located below the inner bottom surface of the crucible. Thereby, it is possible to suppress the emission port of the electron gun from being contaminated by the vapor of the vapor deposition material, and to prevent the fluctuation of the evaporation amount. Thus, it is possible to obtain a thin film having a uniform film thickness in the longitudinal direction of the base film. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明による薄膜製造方法を具現化するための
真空蒸着装置の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a vacuum deposition apparatus for realizing a thin film manufacturing method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11：真空蒸着装置 12：ピアスガン 13：ルツボ 14：蒸着材料 15：ベースフィルム 16：巻き出しロール 17：巻き取りロール 18：キャンロール 11: Vacuum evaporation equipment 12: Pierce gun 13: Crucible 14: Evaporation material 15: Base film 16: Unwind roll 17: Take-up roll 18: Can roll

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町赤羽2606 花王株式会 社研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hirohide Mizunoya 2606 Kabane-cho, Akaga, Tochigi Pref.Katsumi Endo 2606 Kaiga-cho, Akabane, Haga-gun, Tochigi

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 電子ビームによりルツボ内の蒸着材料を
溶融することにより、走行するベースフィルム上に薄膜
を製造するための方法であって、電子銃の射出口中心が
前記ルツボの内側底面よりも下方に位置することを特徴
とする薄膜の製造方法。1. A method for producing a thin film on a running base film by melting a vapor deposition material in a crucible by an electron beam, wherein the center of the exit of an electron gun is positioned more than the inner bottom surface of the crucible. A method for producing a thin film, which is located below. 【請求項２】 前記電子銃の射出口中心が前記ルツボの
内側底面よりも下側に位置し、前記射出口中心と前記内
側底面の間の垂直方向の距離ｄが０＜ｄ≦300cmの範囲
にあることを特徴とする、請求項１の薄膜の製造方法。2. The center of the exit of the electron gun is located below the inner bottom surface of the crucible, and the vertical distance d between the center of the exit and the inner bottom is in the range of 0 <d ≦ 300 cm. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein: 【請求項３】 前記距離ｄが５〜100cmの範囲にあるこ
とを特徴とする、請求項１又は２に記載の薄膜の製造方
法。3. The method according to claim 1, wherein the distance d is in a range of 5 to 100 cm. 【請求項４】 前記電子銃がピアスガンであることを特
徴とする、請求項１〜３の何れか１の薄膜の製造方法。4. The method for producing a thin film according to claim 1, wherein said electron gun is a pierce gun.