JP2003089867A - Method for producing vapor-deposited thin film - Google Patents
Method for producing vapor-deposited thin filmInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム加熱方
式を用いた蒸着薄膜の製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a vapor-deposited thin film using an electron beam heating system.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空成膜法による蒸着薄膜の作成は、均
一な薄膜が形成でき、かつ、高品位な蒸着薄膜が得られ
るために主流となっている。その中でも電子ビームによ
って蒸着原材料を加熱溶融もくしは昇華させて成膜を行
う真空蒸着法は、装置が比較的簡単な構造で、制御性が
良く、成膜速度が他の真空成膜法に比べ速いため、低コ
ストで蒸着薄膜の製造が行える等の理由から広く利用さ
れている。2. Description of the Related Art The formation of a vapor-deposited thin film by a vacuum film formation method is the mainstream because a uniform thin film can be formed and a high-quality vapor-deposited thin film can be obtained. Among them, the vacuum vapor deposition method in which a vapor deposition raw material is heated and melted or sublimated by an electron beam to form a film has a relatively simple structure, has good controllability, and has a film formation speed that is different from other vacuum film formation methods. Since it is faster than the conventional method, it is widely used for the reason that a vapor-deposited thin film can be manufactured at low cost.
【０００３】このような蒸着薄膜の形成を工業的規模で
行うときには、プラスチックフィルム上に成膜すること
が多く、ロット内もしくはロット間で一様な特性が要求
される。ここで一様な特性というのは、蒸着薄膜の膜質
や膜厚などで薄膜自体の特性を示していて、成膜状態が
安定していることが求められる。When such a vapor-deposited thin film is formed on an industrial scale, it is often formed on a plastic film, and uniform characteristics are required within a lot or between lots. Here, the uniform property indicates the property of the thin film itself by the film quality and film thickness of the deposited thin film, and it is required that the film formation state is stable.
【０００４】そのため、電子ビーム加熱方式を使用した
真空蒸着法においては、安定して電子を発生できる電子
銃が好ましい。加熱したフィラメントから発生する熱電
子を利用した電子銃の場合は、フィラメントが徐々に減
るため電子ビームが不安定となる。その点、ピアース形
平面陰極形電子銃は加熱したフィラメントによりタング
ステンなどの高融点の板を加熱して、その板より熱電子
が発生して電子ビームを形成するため、安定した電子ビ
ームを長時間供給することが出来る。工業的に見てもピ
アース形平面陰極形電子銃を用いることで、成膜加工す
るプラスチックフィルムの長さを長くすることが可能で
あり、安定した膜厚も得ることができる。Therefore, in the vacuum vapor deposition method using the electron beam heating method, an electron gun which can stably generate electrons is preferable. In the case of an electron gun using thermoelectrons generated from a heated filament, the filament is gradually reduced, and the electron beam becomes unstable. In this respect, the Pierce type flat cathode electron gun heats a high melting point plate such as tungsten with a heated filament, and thermoelectrons are generated from the plate to form an electron beam, so that a stable electron beam is generated for a long time. Can be supplied. From the industrial point of view, by using the pierce type flat cathode type electron gun, it is possible to increase the length of the plastic film to be processed and to obtain a stable film thickness.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ピアース形平
面陰極形電子銃等による電子ビームで蒸着原材料を加熱
していると、電子の運動エネルギーによって二次電子、
もしくは反射電子となり、それらの電子が成膜対象の基
材まで到達し、基材の帯電を増長させて膜質に悪影響を
与えるなどの問題がある。特に、放電破壊が発生し、成
膜する蒸着薄膜のみならず基材にもダメージを与えてし
まう。そのため、除電設備を設けて帯電を中和すること
などが多く実施されている。However, when the vapor deposition raw material is heated by an electron beam from a pierce type flat cathode type electron gun or the like, secondary electrons are generated by the kinetic energy of the electrons.
Alternatively, there is a problem in that they become reflected electrons, and these electrons reach the base material of the film formation target, which increases the charging of the base material and adversely affects the film quality. In particular, discharge breakdown occurs and damages not only the deposited thin film to be formed but also the substrate. Therefore, it is often practiced to provide static elimination equipment to neutralize the charge.
【０００６】このような手段で除電を行っても、二次電
子もしくは反射電子のような高エネルギーを持った電子
は、基材として多く用いられるプラスチックフィルム内
に入り込むと、フィルム外部から行う中和による除電が
できない等の問題があった。Even if the charge is removed by such means, electrons having high energy such as secondary electrons or backscattered electrons enter the plastic film, which is often used as the base material, and are neutralized from the outside of the film. There was a problem such as not being able to eliminate static electricity.
【０００７】上記の問題を解決するために、電子銃とル
ツボの間の電子ビームを偏向する偏向磁石に注目し、電
子ビームを曲げることができるのであれば、同じ電子で
ある二次電子または反射電子も曲げられることに着目し
た。すなわち、磁場と電場の関係から生じる電子の円運
動がルツボ上を回転させることで、電子がフィルム基材
に到達する量を減少させることができることを見出し、
本発明に至ったものである。In order to solve the above-mentioned problems, attention is paid to a deflection magnet for deflecting an electron beam between an electron gun and a crucible, and if the electron beam can be bent, secondary electrons or reflection electrons which are the same electron are reflected. We paid attention to the fact that electrons can also be bent. That is, it is found that the amount of electrons reaching the film substrate can be reduced by rotating the crucible by the circular motion of electrons caused by the relationship between the magnetic field and the electric field.
The present invention has been achieved.
【０００８】本発明の課題は、ルツボ内の蒸着原材料を
電子ビームにより加熱するときに発生する二次電子もし
くは反射電子が、プラスチックフィルム基材に到達する
のを極力抑えることで、フィルム帯電による悪影響を未
然に防ぐことができる蒸着薄膜の製造方法を提供するこ
とにある。An object of the present invention is to prevent secondary electrons or backscattered electrons generated when the vapor deposition raw material in the crucible is heated by an electron beam from reaching the plastic film substrate as much as possible, thereby adversely affecting film charging. It is an object of the present invention to provide a method for producing a vapor-deposited thin film, which can prevent the above phenomenon.
【０００９】[0009]
【発明を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
発明は、電子ビーム加熱方式により蒸着薄膜を形成させ
る場合において、電子銃の開口部分から電子ビームを偏
向させてルツボ内の蒸着原材料を加熱する時に、電子銃
に付随する偏向磁石と電子の加速電圧によって決まるラ
ーマ半径rと、蒸着原材料と基材間の距離dとの関係がｄ
＞２ｒであることを特徴とする蒸着薄膜の製造方法であ
る。The invention according to claim 1 of the present invention is, in the case of forming a vapor deposition thin film by an electron beam heating system, deflecting an electron beam from an opening portion of an electron gun to deposit a vapor deposition raw material in a crucible. The relationship between the radius r determined by the deflection magnet attached to the electron gun and the acceleration voltage of the electrons when heating the electron gun and the distance d between the vapor deposition raw material and the substrate are d.
> 2r is a method for producing a vapor-deposited thin film.
【００１０】次に、請求項２に係る発明は、上記請求項
１に係る発明において、前記電子ビームのパスが１８０
°〜２７０°間の任意の角度をもった弧であることを特
徴とする蒸着薄膜の製造方法である。Next, the invention according to claim 2 is the same as the invention according to claim 1, wherein the path of the electron beam is 180 degrees.
It is a method for producing a vapor-deposited thin film, which is an arc having an arbitrary angle between ° and 270 °.
【００１１】次に、請求項３に係る発明は、上記請求項
１又は請求項２に係る発明において、前記電子銃がピア
ース形平面陰極形電子銃であることを特徴とする蒸着薄
膜の製造方法である。Next, the invention according to claim 3 is, in the invention according to claim 1 or claim 2, characterized in that the electron gun is a pierce type flat cathode type electron gun. Is.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の蒸着薄膜の製造方
法を実施の形態に沿って詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for producing a vapor-deposited thin film of the present invention will be described below in detail with reference to the embodiments.
【００１３】図１は本発明の蒸着薄膜の製造方法で成膜
するための真空蒸着装置の一例であり、真空蒸着装置１
１は巻出軸１３、ガイドロール１４、メインドラム１
５、巻取軸１６、金属ロール１７からなる巻取室２４
と、ルツボ１８、ピアース形平面陰極形電子銃２０、偏
向磁石２１からなる蒸着室２５が仕切板２３で分けられ
ており、さらに装置の内部を真空にする為の真空ポンプ
２２が備えられている。上部の巻出軸１３から基材１２
がガイドロール１４を介してメインドラム１５に向かっ
て走行する。その時にはピアース形平面陰極形電子銃２
０からの電子ビームが偏向磁石２１の磁場によって曲げ
られ、ルツボ１８の中に置かれた蒸着原材料１９を加熱
している。加熱が続くと蒸着原材料１９は溶融し、メイ
ンドラム１５を走行する基材１２の表面に蒸着され、薄
膜を形成する。その後、基材１２は蒸着薄膜面と接する
金属ロール１７を介して、巻取軸１６によって巻き取ら
れる。FIG. 1 shows an example of a vacuum vapor deposition apparatus for forming a film by the method for producing a vapor deposited thin film according to the present invention.
1 is an unwinding shaft 13, a guide roll 14, a main drum 1
5, a winding chamber 24 including a winding shaft 16 and a metal roll 17
A vapor deposition chamber 25 including a crucible 18, a pierce type flat cathode electron gun 20 and a deflection magnet 21 is divided by a partition plate 23, and a vacuum pump 22 for evacuating the inside of the apparatus is provided. . From the upper unwinding shaft 13 to the substrate 12
Travels toward the main drum 15 via the guide rolls 14. At that time, the pierce type flat cathode electron gun 2
The electron beam from 0 is bent by the magnetic field of the deflection magnet 21 and heats the vapor deposition raw material 19 placed in the crucible 18. When heating is continued, the vapor deposition raw material 19 melts and is vapor-deposited on the surface of the base material 12 running on the main drum 15 to form a thin film. After that, the substrate 12 is wound by the winding shaft 16 via the metal roll 17 that is in contact with the vapor-deposited thin film surface.
【００１４】ガイドロール１４が電気的に浮いた状態で
あるなら、メインドラム１５の直後にある金属ロール１
７によって、蒸着された面の電子を測定することができ
る。具体的に言えば、金属ロール１７に電流計を接続す
ることで蒸着薄膜表面の電流測定が行える。このときに
は、基材１２の蒸着薄膜面側に導電性のフィルムをラミ
ネートしたものを使用することで、二次電子もしくは反
射電子の基材１２への流入量を電流値として得ることが
できる。If the guide roll 14 is in an electrically floating state, the metal roll 1 immediately after the main drum 15
By means of 7, it is possible to measure the electrons on the deposited surface. Specifically, by connecting an ammeter to the metal roll 17, the current on the surface of the deposited thin film can be measured. At this time, the amount of secondary electrons or backscattered electrons flowing into the base material 12 can be obtained as a current value by using a material obtained by laminating a conductive film on the vapor deposition thin film surface side of the base material 12.
【００１５】本発明の蒸着薄膜の製造方法は、電子ビー
ムによってルツボ内の蒸着原材料を加熱し、溶融もしく
は昇華させることによって行う真空蒸着法であって、電
子銃より発生する電子ビームがルツボ内に照射するため
に用いられる偏向磁場を利用して、ルツボ内の蒸着原材
料に当たった電子が二次電子もしくは反射電子となった
ものを磁場中で回転運動させることで、基材に入射する
電子を減少させるものである。The method for producing a vapor-deposited thin film of the present invention is a vacuum vapor-deposition method in which a vapor deposition raw material in a crucible is heated by an electron beam to be melted or sublimated, and an electron beam generated by an electron gun is generated in the crucible. By using the deflection magnetic field used to irradiate, the electrons hitting the vapor deposition raw material in the crucible become secondary electrons or reflected electrons, and the electrons incident on the substrate are rotated by rotating the electrons in the magnetic field. To reduce.
【００１６】このような磁場中における荷電粒子（電
子、イオン）の回転運動はその半径をｒ[ｍ]とするなら
次式（１）で表される。Rotational motion of charged particles (electrons, ions) in such a magnetic field is expressed by the following equation (1) if its radius is r [m].
【００１７】ｒ＝ｍｖ／ｅＢ………(1)
（ただし、ｍ：荷電粒子の質量[ｋｇ] 、ｖ：荷電粒子
の速度[ｍ／ｓ] 、ｅ:電気素量１．６×１０−１９
[ｃ] 、Ｂ:磁束密度[Ｔ]）で表せる。これより電子の
質量、速度および磁束密度でその半径が決まる。これは
ラーマ(もしくはラーモア)半径と呼ばれる一般的な式で
ある。電子の質量は一定であるので、可変可能なパラメ
ータは電子の速度または磁束密度である。しかしなが
ら、電子の速度を決定する加速電圧はピアース形平面陰
極形電子銃の構造上可変することが難しいので、磁束密
度を変えることでラーマ半径を決定する。R = mv / eB (1) (where, m: mass of charged particles [kg], v: velocity of charged particles [m / s], e: elementary charge 1.6 × 10 − 19
[c], B: magnetic flux density [T]). From this, the radius is determined by the mass, velocity and magnetic flux density of the electron. This is a general formula called Rama (or Larmor) radius. Since the electron mass is constant, the variable parameter is the electron velocity or magnetic flux density. However, it is difficult to change the accelerating voltage that determines the velocity of electrons due to the structure of the pierce type flat cathode type electron gun, so the Rama radius is determined by changing the magnetic flux density.
【００１８】すなわち、磁束密度が高いところではラー
マ半径ｒが小さくなり電子ビームは急激に曲がることに
なる。そして、電子ビームが照射された材料から二次電
子もしくは反射電子が放出しても、その電子が磁場によ
って回転運動を行うが磁場強度が強ければ、小さな半径
で回転運動を行う。それによって、ルツボと基材間の距
離ｄ＞回転運動の直径２ｒとなれば、二次電子もしくは
反射電子が基材まで到達できないので、電子ビームによ
る帯電を防ぐことができる。That is, at a high magnetic flux density, the Larmor radius r becomes small and the electron beam sharply bends. Then, even if secondary electrons or reflected electrons are emitted from the material irradiated with the electron beam, the electrons make a rotational motion by the magnetic field, but if the magnetic field strength is strong, they make a rotational motion with a small radius. As a result, if the distance d between the crucible and the base material> the diameter 2r of the rotational movement is 2r, secondary electrons or backscattered electrons cannot reach the base material, and thus charging by the electron beam can be prevented.
【００１９】電子銃を偏向する磁石は、ほとんどが電磁
石である。電磁石を構成するコイルに流す電流値を増減
することで、電子を偏向する磁場の強度を容易に変える
ことができる。よって、自在に電子ビームの偏向量を制
御できる。しかも、電子ビームを１８０°以上偏向させ
ることはそれだけで強い磁場を必要とするので、必然的
にラーマ半径ｒは小さくすることができる。そのため、
ルツボと基材間の距離ｄがそれほど大きくなくともｄ＞
２ｒの関係を満たすため、比較的容易に実施可能となる
ので好ましい。Most of the magnets that deflect the electron gun are electromagnets. The strength of the magnetic field that deflects the electrons can be easily changed by increasing or decreasing the value of the current flowing through the coil that constitutes the electromagnet. Therefore, the deflection amount of the electron beam can be freely controlled. In addition, since deflecting the electron beam by 180 ° or more requires a strong magnetic field, the Larmor radius r can inevitably be reduced. for that reason,
Even if the distance d between the crucible and the base material is not so large, d>
Since the relationship of 2r is satisfied, it is relatively easy to carry out, which is preferable.
【００２０】本発明の製造方法において、電子銃の種類
は特に指定しないが、プラスチックフィルムからなる基
材上に連続的に長時間成膜を行うなどの耐久性や安定性
を考えるとピアース形平面陰極形電子銃が好ましい。安
定した電子ビームが得られれば、公知の平面陰極形電子
銃を使用することができる。In the manufacturing method of the present invention, the type of electron gun is not particularly specified, but in consideration of durability and stability such as continuous film formation on a substrate made of a plastic film, a pierce type flat surface is considered. A cathode electron gun is preferred. If a stable electron beam can be obtained, a known plane cathode type electron gun can be used.
【００２１】本発明において、基材としてはプラスチッ
クフィルムが好ましく、例えばポリオレフィン系樹脂
（ポリエチレン、ポリプロピレン等）、ポリエステル系
樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等）、ポリアミド系樹脂（ナイロンー６、ナイ
ロンー６６等）のフィルム、ポリスチレン、エチレンビ
ニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビ
ニルアルコール、ポリカーボネイト、ポリエーテルスル
ホン、アクリル、セルロース系（トリアセチルセルロー
ス、ジアセチルセルロース等）などの樹脂フィルムが挙
げられるが、特に限定しない。In the present invention, the substrate is preferably a plastic film, for example, a polyolefin resin (polyethylene, polypropylene etc.), a polyester resin (polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate etc.), a polyamide resin (nylon-6, nylon-66 etc.). ), Polystyrene, ethylene vinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyimide, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polyether sulfone, acryl, and cellulose-based (triacetyl cellulose, diacetyl cellulose, etc.) resin films, but not particularly limited. .
【００２２】本発明の製造方法によれば、電子ビーム加
熱方式による真空蒸着法により、目的とする蒸着薄膜を
良好に形成することができる。例えば、セラミック薄膜
として酸化珪素又は酸化アルミニウムの蒸着薄膜を形成
することができる。このようなとき、例えば酸化アルミ
ニウム薄膜を形成するとき、高融点である酸化アルミニ
ウムを長時間加熱するよりは、それより融点の低い金属
アルミニウムを使用して溶融させ、蒸発させた金属蒸気
中に酸素を導入して反応させ、酸化アルミニウムの蒸着
薄膜を基材上に形成させる反応性蒸着法が主流となって
いる。According to the manufacturing method of the present invention, the desired vapor-deposited thin film can be formed well by the vacuum vapor deposition method using the electron beam heating method. For example, a vapor-deposited thin film of silicon oxide or aluminum oxide can be formed as the ceramic thin film. In such a case, for example, when forming an aluminum oxide thin film, rather than heating aluminum oxide having a high melting point for a long time, metal aluminum having a lower melting point is used for melting, and oxygen is contained in the evaporated metal vapor. The reactive vapor deposition method is mainly used, in which a vapor-deposited thin film of aluminum oxide is formed on a substrate by introducing and reacting with.
【００２３】[0023]
【実施例】本発明の蒸着薄膜の製造方法を具体的な実施
例を挙げて詳細に説明する。EXAMPLES The method for producing a vapor-deposited thin film of the present invention will be described in detail with reference to specific examples.
【００２４】＜実施例１＞図１に示す真空蒸着装置１１
において、基材１２として、厚さ１２μｍのポリエチレ
ンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに、厚さ２５μｍ
のアルミニウム箔をラミネートした積層フィルムを使用
し、真空蒸着装置１１内の金属ロール１７以外のすべて
のロールはアルミニウム箔から絶縁されており、蒸着部
からの電子が全て金属ロール１７に流れ込むようにし
た。なお、この時、ガイドロール１４は電気的に浮いた
状態となっている。ピアース形平面陰極形電子銃２０の
加速電圧３０ｋＶで、エミッション（放出）電流値は
０．１〜０．４Ａとし、蒸着原材料１９は金属アルミニ
ウムを使用した。メインドラム１５とルツボ１８内の蒸
着原材料１９との距離ｄは２３ｃｍにし、偏向磁石２１
の磁束密度は電子ビームが通過する中心部で６０ガウス
となるように設定し、この磁界中では電子ビームの回転
半径rが１０ｃｍ未満になるようにして、蒸着加工を実
施した時に、基材１２のＰＥＴフイルムに流入する電流
値を測定した。<Embodiment 1> Vacuum deposition apparatus 11 shown in FIG.
In the above, as the base material 12, a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 12 μm and a thickness of 25 μm is used.
All the rolls except the metal roll 17 in the vacuum vapor deposition device 11 were insulated from the aluminum foil by using the laminated film laminated with the aluminum foil, and all the electrons from the vapor deposition section were allowed to flow into the metal roll 17. . At this time, the guide roll 14 is in an electrically floating state. The acceleration voltage of the Pierce type flat cathode electron gun 20 was 30 kV, the emission (emission) current value was 0.1 to 0.4 A, and the vapor deposition raw material 19 was metallic aluminum. The distance d between the main drum 15 and the vapor deposition raw material 19 in the crucible 18 is set to 23 cm, and the deflection magnet 21
The magnetic flux density of is set to be 60 Gauss in the central portion where the electron beam passes, and the turning radius r of the electron beam is set to be less than 10 cm in this magnetic field. The current value flowing into the PET film was measured.
【００２５】＜比較例１＞実施例１において、使用した
ピアース形平面陰極形電子銃２０を真空成膜装置１１の
下部から側面に移動させ、偏向磁石の磁束密度は電子ビ
ームが通過する中心部で３００ガウスとなるように設定
し、電子ビームを９０°偏向させる形にした。その他の
加工条件はすべて同様にして、蒸着加工を実施し、基材
１２のＰＥＴフイルムに流入する電流値を測定した。<Comparative Example 1> The pierce type planar cathode electron gun 20 used in Example 1 was moved from the lower portion of the vacuum film forming apparatus 11 to the side surface thereof, and the magnetic flux density of the deflection magnet was at the central portion through which the electron beam passed. Was set to 300 Gauss and the electron beam was deflected by 90 °. All other processing conditions were the same, vapor deposition processing was carried out, and the current value flowing into the PET film of the substrate 12 was measured.
【００２６】＜評価＞実施例１及び比較例１の蒸着加工
時に、ピアース形平面陰極形電子銃２０のエミッション
（放出）電流値と、ＰＥＴフイルムに流入した電流値を
測定し、比較した。その結果を表１に示す。なお、表中
の符号に関しては、金属ロール１７からアースに向けて
流れる電流を正としたため、電子電流が電流計に流れ込
むとマイナス（−）表示となる。<Evaluation> During the vapor deposition processing of Example 1 and Comparative Example 1, the emission (emission) current value of the pierce type flat cathode electron gun 20 and the current value flowing into the PET film were measured and compared. The results are shown in Table 1. Regarding the reference numerals in the table, the current flowing from the metal roll 17 toward the ground is positive, so that a negative (-) sign is displayed when the electronic current flows into the ammeter.
【００２７】[0027]
【表１】 [Table 1]
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によって、磁場中に二次電子や反
射電子を半径の小さい回転運動させることで、基材に到
達する電子を大幅に減らすことが実現できた。よって、
電子ビーム加熱方式による真空蒸着法において、帯電防
止の根本的な方法を知らしめ、帯電による放電破壊等を
防止できる。さらに、蒸着原材料から見えないところに
電子銃を置くことから、電子銃自体が蒸着原材料によっ
て汚染されずに、安定した電子ビームを供給することが
できる。According to the present invention, it is possible to significantly reduce the number of electrons that reach the substrate by rotating the secondary electrons and the reflected electrons in a magnetic field with a small radius. Therefore,
In the vacuum deposition method using the electron beam heating method, the fundamental method for preventing electrification is known, and discharge breakdown due to electrification can be prevented. Further, since the electron gun is placed in a place invisible to the vapor deposition raw material, the electron gun itself can be supplied with a stable electron beam without being contaminated by the vapor deposition raw material.
【図１】本発明の蒸着薄膜の製造方法で成膜するための
真空蒸着装置の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of a vacuum vapor deposition apparatus for forming a film by a method for producing a vapor deposited thin film of the present invention.
１１…真空蒸着装置 １２…基材 １３…巻出軸 １４…ガイドロール １５…メインドラム １６…巻取軸 １７…金属ロール １８…ルツボ １９…蒸着原材料 ２０…ピアース形平面陰極形電子銃 ２１…偏向磁石 ２２…真空ポンプ ２３…仕切板 ２４…巻取室 ２５…蒸着室 11 ... Vacuum deposition apparatus 12 ... Base material 13 ... Unwinding shaft 14 ... Guide roll 15 ... Main drum 16 ... Winding shaft 17 ... Metal roll 18 ... crucible 19 ... Vapor deposition raw material 20 ... Pierce type flat cathode electron gun 21 ... Deflection magnet 22 ... Vacuum pump 23 ... Partition board 24 ... Winding room 25 ... Deposition chamber
Claims (3)
させる場合において、電子銃の開口部分から電子ビーム
を偏向させてルツボ内の蒸着原材料を加熱する時に、電
子銃に付随する偏向磁石と電子の加速電圧によって決ま
るラーマ半径ｒと、蒸着原材料と基材間の距離dとの関
係がｄ＞２ｒであることを特徴とする蒸着薄膜の製造方
法。1. When a vapor-deposited thin film is formed by an electron beam heating method, when a vapor deposition raw material in a crucible is heated by deflecting an electron beam from an opening portion of the electron gun, a deflection magnet and an electron attached to the electron gun are used. A method for producing a vapor-deposited thin film, characterized in that the relationship between the Rama radius r determined by the acceleration voltage and the distance d between the vapor deposition raw material and the substrate is d> 2r.
°の間の任意の角度をもった弧であることを特徴とする
請求項１記載の蒸着薄膜の製造方法。2. The path of the electron beam is 180 ° to 270.
The method for producing a vapor-deposited thin film according to claim 1, wherein the arc is an arc having an arbitrary angle between °.
であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のの
蒸着薄膜の製造方法。3. The method of manufacturing a vapor-deposited thin film according to claim 1, wherein the electron gun is a pierce type flat cathode type electron gun.
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| JP (1) | JP2003089867A (en) |
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