JPH1154806A - ペルチエクーラ及び光素子モジュール - Google Patents

ペルチエクーラ及び光素子モジュール

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JPH1154806A
JPH1154806A JP9208818A JP20881897A JPH1154806A JP H1154806 A JPH1154806 A JP H1154806A JP 9208818 A JP9208818 A JP 9208818A JP 20881897 A JP20881897 A JP 20881897A JP H1154806 A JPH1154806 A JP H1154806A
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JP
Japan
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package
cooler
peltier
peltier cooler
wiring
Prior art date
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Pending
Application number
JP9208818A
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English (en)
Inventor
英之 ▲桑▼野
Hideyuki Kuwano
Akio Oishi
昭夫 大石
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ペルチエクーラの基板上面に電流供給用電極を
備え、ペルチエクーラのリード配線を排除し接続作業時
間の短いAuワイヤ配線とすることにより、接続作業時間
を短縮を図る。 【解決手段】レーザダイオード4、サーミスタ6、モニタ
用キャリア搭載フォトダイオード3のそれぞれの電極
は、パッケージ接続基板8の配線パターンにAuワイヤ7に
て接続されている。ペルチエクーラ9も同様に、マイナ
ス電極12、プラス電極13がそれぞれパッケージ接続基板
8の配線パターンにAuワイヤ7にて接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用光素子モ
ジュールにおいて、特に光素子の温度を制御するための
ペルチエクーラ及びペルチエクーラを内蔵した光素子モ
ジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の技術として、特開平4−332186号
公報に開示されている装置がある。パッケージの内部底
面にペルチエクーラの高温側が固定されており、冷却側
に半導体レーザダイオード、モニタ用フォトダイオー
ド、サーミスタ、光ファイバを搭載したサブキャリアが
固定されている。ペルチエクーラは、高温側基板の表面
に電流供給用リードを備えている。パッケージ内部端子
とレーザダイオード、フォトダイオード、サーミスタは
ワイヤボンディングにて配線されており、ペルチエクー
ラはリードにて配線されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来技術では、
ペルチエクーラへの電流供給をリード配線により行い、
その他はワイヤボンディングにより行っているため、パ
ッケージ内部配線工程を2工程に分割せざるを得ない。
また、リード配線工程は機械化、自動化が困難であり手
作業で行うため、ワイヤ配線工程と比較し作業時間が長
いという欠点がある。
【0004】本発明の目的は、パッケージ内部配線工程
の単一化及び配線作業時間の短縮である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、ペルチエクー
ラの低温側あるいは高温側基板表面に電流供給用電極を
備え、光素子モジュールに前記ペルチエクーラを内蔵す
ることにより、ペルチエクーラのパッケージ内部配線を
ワイヤボンディングにて行い、上記目的を達成してい
る。
【0006】即ち、ペルチエクーラの低温側あるいは高
温側基板表面に電流供給用電極を備え、光素子モジュー
ルに前記ペルチエクーラを内蔵することにより、配線作
業時間の長いリード配線工程を排除し、レーザダイオー
ド、モニタフォトダイオード、サーミスタ等の他素子の
配線工程と同一工程においてワイヤボンディング配線を
行うことが可能となり、それらの結果パッケージ内部配
線作業時間を短縮している。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図1に示す。図1
はリードレスペルチエクーラ内蔵レーザダイオードモジ
ュールの内部構造を示す。レーザダイオード4、レンズ
5、サーミスタ6、モニタ用のキャリア搭載フォトダイオ
ード3がサブキャリア2上に搭載されており、サブキャリ
ア2はペルチエクーラ9の低温基板11に固定されている。
ペルチエクーラ9はパッケージ1に収納されており、高温
基板10はパッケージ1の底面に固定されている。低温基
板11の上面にはマイナス電極12、プラス電極13が備えら
れており、それぞれスルーホール14を介してペルチエ素
子に電気的に直列接続されている。レーザダイオード4
、サーミスタ6、モニタ用キャリア搭載フォトダイオー
ド3のそれぞれの電極は、パッケージ接続基板8の配線パ
ターンにAuワイヤ7にて接続されている。ペルチエクー
ラ9も同様に、マイナス電極12、プラス電極13がそれぞ
れパッケージ接続基板8の配線パターンにAuワイヤ7にて
接続されている。
【0008】以上のように、ペルチエクーラのリード配
線を排除しAuワイヤ配線とすることにより、全ての素子
の配線を接続作業時間の短いワイヤボンディング配線と
し、単一工程作業とすることを可能にした。上記実施例
では、マイナス電極12、プラス電極13を低温基板11の上
面に備え付けたが、高温基板10の上面に備え付けても良
い。
【0009】
【発明の効果】Auワイヤ配線を1本当たりに要する作業
時間は約15秒/本、リード配線を1本当たりに要する作業
時間は約60秒/本を要する。従って、図1に示す本発明の
実施例のパッケージ内部配線に要する作業時間は約120
秒となり、ペルチエクーラの接続を従来のリード配線と
した場合の作業時間約210秒に対し43%短縮した。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるパッケージ内部構造を
示す。
【符号の説明】
1…パッケージ、 2…サブキャリア、3…キャリア搭
載フォトダイオード、4…レーザダイオード、 5…レ
ンズ、6…サーミスタ、7…Auワイヤ、 8…パッケ
ージ接続基板、 9…ペルチエクーラ、10…高温側
基板、11…低温側基板、 12…マイナス電
極、13…プラス電極、14…スルーホール。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数のペルチエ素子と、前記ペルチエ素子
    を電気的に直列接続するために前記ペルチエ素子の両側
    に配置された金属電極と、前記金属電極を挟持するよう
    に配置されたセラミック基板からなるペルチエクーラに
    おいて、前記セラミック基板の表面にワイヤボンディン
    グにて配線が可能となるような電流供給用電極を備えた
    ことを特徴とするペルチエクーラ。
  2. 【請求項2】請求項1記載のペルチエクーラを内蔵し、
    ペルチエクーラのケース内部配線をワイヤボンディング
    にて行うことを特徴とする光素子モジュール。
JP9208818A 1997-08-04 1997-08-04 ペルチエクーラ及び光素子モジュール Pending JPH1154806A (ja)

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040203