JPH1153942A

JPH1153942A - 異方導電性組成物

Info

Publication number: JPH1153942A
Application number: JP21146197A
Authority: JP
Inventors: Akinori Yokoyama; 明典横山
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1997-08-06
Filing date: 1997-08-06
Publication date: 1999-02-26
Anticipated expiration: 2017-08-06
Also published as: JP3660787B2

Abstract

(57)【要約】【課題】低圧での接続可能であり、高導電性、高信頼
性の異方導電性組成物及びフィルムを提供する。【解決手段】１ｇｆ／粒子の加重で、変形率が８〜６
０％で有ることを特徴とする導電性金属粉末を０．１〜
２５体積％と、有機バインダーからなる異方導電性組成
物及び異方導電性フィルムである。【効果】金属粉末でありながら低圧で接続が可能であ
り、高導電性、高信頼性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は異方導電性組成物に
関し、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＥＬ
ディスプレイ等のパネル、携帯電話、パーソナルコンピ
ュータ、テレビ、モニター、カーナビゲーションシステ
ム、ＰＣＭＣＩＡ、ＩＣカード、フォトダイオードやＭ
ＣＭ、プリント基板、フレキシブル基板へのＬＳＩ実装
などに利用することができる。

【０００２】

【従来の技術】従来から、多くの異方導電性フィルムが
開示されてきた。例えば、特開平７−１９７００１号公
報、特開平４−２４２００１号公報には、樹脂ボール上
に金属メッキを施した導電性粒子を用いた異方導電性フ
ィルムが開示されている。また、例えば、特開昭６１ー
５５８０９号公報、特開平５−４０４０２号公報、特開
平７−７３７４０号公報、特開平７−６５０２８号など
には、ニッケル粉、はんだ粉、金メッキニッケル粉など
の金属粉を用いた異方導電性フィルムが開示されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】樹脂ボール上に金属メ
ッキを施した導電粒子を用いた場合には、熱応力の緩和
に対して効果は発揮されるが、加圧接続時に圧力が数百
本はある接続端子に均一にかかるものではなく、端子に
よっては、導電粒子に過度に圧力がかかることがあり、
このために、圧力がかかりすぎた端子においては樹脂ボ
ールが破壊してしまい接続が安定して得られず、環境性
は悪くなる。

【０００４】ニッケル粉や金メッキニッケル粉の場合に
は、硬すぎて、変形しずらく、十分な接触面積が得られ
ない。そのため、ガラス基板への接続などにもちいた場
合には、かなりの圧力が必要であり、ガラス基板が壊れ
てしまうことがしばしばあった。接続する条件として
は、これまでは１８０℃以上を必要としていたが、最近
のファインピッチ接続の流れの中では熱膨張差によるピ
ッチずれの問題が顕在化してきており、低温度化が叫ば
れている。また、圧力に関しては、パネルの大型化の流
れの中で、従来のＮｉ紛のような３０ｋｇ／ｃｍ²以上
の圧力ではロードセルが大きくなりすぎて限界にきてい
る。そのため低圧化が必要とされている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、前述し
た課題を解決するためになされたものであり、有機バイ
ンダーと０．２〜２５体積％の導電性金属粒子とからな
り、該導電性粒子は、３〜２０μ粒子の加重１ｇｆにお
ける変形率（変位量／変形前の粒径）が８〜６０％であ
ることを特徴とする異方導電性組成物を提供するもので
ある。

【０００６】本発明で用いることのできる導電性金属粒
子は有機バインダーに対して０．３〜２５体積％含有す
るが、０．２未満であると、接続に寄与する導電性粒子
の数が少なすぎて安定した接続抵抗が得られない。ま
た、２５体積％を越える場合には、導電金属粒子の数が
多すぎて、隣接電極間での絶縁性が低下する。好ましく
は、０．２〜１５体積％である。

【０００７】本発明で用いる導電性金属粒子は、３〜９
μの大きさの粒子において、加重１ｇｆをかけて押しつ
ぶしたときの粒子の変位量／変形前の粒径が８〜６０％
であることを特徴とする。このときの加重としては、島
津製作所製微小圧縮試験機ＭＣＴＭを用いて平面圧子５
０ミクロン径を用いて速度０．７９ｇ／ｓでガラス板上
に分散させた導電性金属粒子の一つを圧縮変形させたと
きの変形量を圧縮前の粒子径の変形率、すなわち圧縮で
変形した粒径の変形量／圧縮前の粒子径を測定したもの
である。このとき、加重１ｇｆでの変形率が８％未満で
あると、１０〜２０ｋｇｆ／ｃｍ²の低圧力においても
導電粒子の十分な変形が得られず、電極との接触面積が
不足する。

【０００８】逆に、変形率が６０％を越える場合には、
異方導電性組成物の仮圧着時に導電性金属粒子の変形が
起こり、仮付け後の本圧着時に、有機バインダーの排除
性不足や電極との接続面が不安定になりやすくなる。好
ましくは、９〜４０％であり、さらに好ましくは、１２
〜３５％である。このとき用いる導電性金属粒子として
は、接続に最も寄与しやすい３〜９μの範囲の導電性粒
子に関するものであるが、好ましくは３〜８μ、さらに
好ましくは、４〜８μである。最も好ましくは、４．５
〜７μ粒子に関する値である。

【０００９】また、導電性金属粒子も粒子分布を有して
いることが好ましい。つまり、圧接時には、圧接ヘッド
の平衡度にバラツキが有り、粒度分布が有るとヘッドの
平衡度がずれても、かならず端子に接続できるため、端
子間のバラツキが無くなり、且つ、圧接されていく過程
で、小粒子径の粉末でヘッドのクッションになりヘッド
のバラツキ性が押さえられる利点がある。粒度分布とし
ては、平均粒子径±２μの範囲のものが３０％以上存在
する場合が好ましい。さらに好ましくは、最小粒子径／
最大粒子径比が０．００１〜０．４９で有ることが好ま
しい。ここで言う最大粒子径とは、体積積算粒度分布に
おいて３％積算値時の粒子径を最小粒子径、９７％積算
値時の粒子径を最大粒子径と言う。ここで言う平均粒子
径とは、体積積算平均粒子径であり、測定は、レーザー
回折型測定装置ＲＯＤＯＳＳＲ型（ＳＹＭＰＡＴＥＣ
ＨＥＲＯＳ＆ＲＯＤＯＳ）を用いた。

【００１０】また、本発明で用いる導電性金属粒子は、
十分な導電性を確保するために金属銀、金、銅、はん
だ、すず、鉛、インジウムより選ばれた１種類以上の成
分を有する金属粉（合金を含む）が好ましい。この場合
には、アトマイズ粉、電解メッキ粉、無電解メッキ粉、
化学還元粉、蒸着粉、メカニカルアロイニング粉、ＣＶ
Ｄ粉及び熱処理などを組み合わせ調製される金属粉が好
ましい。

【００１１】さらに、導電性金属粉としては、固溶体
層、金属間化合物層を含んでいても構わない。本発明で
用いる導電性金属粒子により、適度の加圧力で変形性を
有するために、圧接時に適度に変形して電極との接触面
積が充分にとれる。そのため、ガラス基板の破壊が起こ
らなく、また、柔らかい有機基板などを用いる場合、硬
い粒子でおこる基板を変形するなどの問題が少ない利点
がある。特に大型のパネルにおける接続では、ロードセ
ルの負担を少なくすることができ、圧着ずれや基板ダメ
ージを少なくできる。

【００１２】また、本発明で用いる導電性金属粒子の場
合には、導電粒子内に結晶粒界を有している状態が好ま
しく、すなわち圧接時に粒界に沿ってスムーズに変形し
やすくなるためである。結晶粒の大きさは、８０〜５０
００Å程度であるのが好ましい。さらに、８０〜３００
０Å、１００〜２０００Åがより好ましい。結晶粒の大
きさは、導電性金属粒子の断面の電子顕微鏡観察におい
ての観察によって得られるものである。結晶粒径は最大
結晶ピークについてのＸ線回折による結晶ピークの高さ
と半値幅の関係から求めた。

【００１３】８０Å未満であると、結晶粒界が少なく加
圧時の変形性が悪い。５０００Åを越える場合には、粒
界が大きすぎて変形性のスムーズ性が無くなる。本発明
で用いる導電性金属粉末の調製法としては、例えば、前
記の様に、所定量組成の金属成分を混合して、高温度
（融点より１００℃以上）で溶解する。溶融金属をヘリ
ウム、窒素、水素、アルゴンガスを吹き付けて微粉末化
しながら急冷凝固する。急冷凝固をさせすぎると、結晶
の成長が抑制されるため、適度な急冷速度を選ぶことが
需要である。これは、融液と冷却ガスとの供給速度量で
コントロールし、さらに、急冷凝固後に熱処理するのが
好ましい。本発明で用いる急冷凝固の好ましい条件とし
ては、融液の噴出速度に対して、冷却ガス噴出速度が
０．０５〜１０重量比であることが好ましい。あまり冷
却しすぎると結晶径が小さくなりすぎる。冷却ガスは、
融液との衝突前に１５０℃以下でコントロールしている
と、冷却能力を充分にとれることになる。

【００１４】また、急冷凝固後に熱処理するのがさらに
好ましい。得られた導電性金属粉末を凝固後に不活性ガ
ス雰囲気中（例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン中で）
５０℃まで１〜５時間かけて徐冷させて結晶をある程度
成長させることが必要である。そのために、冷却ガスを
凝固後にすぐに新鮮な不活性ガスでパージすることな
く、粉末との熱交換で暖まった不活性ガスを系内に封入
しておくことが大事である。このとき、凝固粉末を捕集
容器中で堆積させて、熱を保存しながら徐冷すると均一
な結晶性を持つ導電性粒子が得られる。あまり、早く冷
却しすぎると結晶内のひずみが残留したままであり、異
方導電性組成物として加熱圧縮接続したときに、スムー
ズな変形が得られない。

【００１５】熱処理後に導電性金属粉末の表面にメッキ
をかけても構わない。メッキとしては、無電解、電解メ
ッキなどの組み合わせを用いることができる。メッキ成
分としては、金、スズ、はんだ、ニッケル、銀、インジ
ウムを用いることができる。メッキ層の厚みとしては、
１０〜３０００Å程度が好ましい。また、本発明で用い
る導電性金属粉末は、粒子表面に酸化性が少ない成分を
多く含んでいることが好ましい。例えば、金、銀などが
好ましく、これらの成分が平均組成より高濃度に粒子表
面に存在するとさらに、マイグレーション性、耐環境性
を向上できる。たとえば、銅銀合金系で粒子表面に銀濃
度が高い粉末や、金濃度が高い銅合金粉末などである。
粒子表面の銀濃度や金濃度は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光
分析法）で各元素の最も高強度が得られるピークで測定
される値で構わない。仕込みの濃度は、ＩＣＰ（高周波
誘導結合型プラズマ分析計）で粉末を完全に溶解して測
定されるのが好ましい。

【００１６】本発明で用いることができる有機バインダ
ーとしては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹
脂、電子線硬化性樹脂から選ばれた１種類以上の樹脂を
含むものである。これらの樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン
樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ＳＢＲ、ＳＢＳ、ＮＢ
Ｒ、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリエーテルテレフ
タレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリエーテルオキシド樹脂、ポリアセタール
樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリイソ
ブチレン樹脂、アルキルフェノール樹脂、スチレンブタ
ジエン樹脂、カルボキシル変性ニトリル樹脂、ポリフェ
ニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエー
テルケトン樹脂等又はそれらの変性樹脂が挙げられる。
特に基板との接着性を必要とする場合には、エポキシ樹
脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂を用いる場合に
は、必要に応じてリペアー性を持たせるために、フェノ
キ樹脂、ポリエステル樹脂、アクリルゴム、ＳＢＲ、Ｎ
ＢＲ、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ウ
レタン樹脂、ポリアセタール樹脂、メラミン樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＳＢＳ、シアノアクリレ
ート、カルボキシル基、ヒドロシキシル基、ビニル基、
アミノ基などの官能基を含有するゴム、エラストマー類
を混合して用いることが好ましい。

【００１７】エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ
型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ノボラ
ック型、脂環式、複素環式、アルキル多価フェノール
型、フェニルグリシジルエーテル型、多官能ポリエーテ
ル型、臭素化フェノールノボラック型、ナフタレン型、
変性ビスフェノールＳ型、ジグリシジルアニリン型、ジ
グリシジルオルソトルイジン型、ウレタン変性型、ゴム
変性型、シリコーン変性型、鎖状変性タイプなどのエポ
キシ樹脂を用いることが好ましい。

【００１８】本発明の異方導電性組成物は、有機バイン
ダーに対して導電性粒子０．１〜２５体積％含有するこ
とを特徴とするが、好ましくは０．２〜１５体積％、さ
らに好ましくは０．２〜１０体積％である。０．１体積
％未満の場合には、接続に寄与する導電粒子の数が足り
なくて、端子のバラツキが生じる。２５体積％を越える
場合には、端子間での電流リークの問題が発生する。

【００１９】有機バインダーとしてエポキシ樹脂を用い
る場合には、硬化剤として潜在性硬化剤を用いるのが好
ましい。潜在性硬化剤としては、ホウ素化合物、ヒドラ
ジド、３級アミン、イミダゾール、ジシアンジアミド、
無機酸、カルボン酸無水物、チオール、イソシアネー
ト、ホウ素錯塩及びそれらの誘導体が好ましい。潜在性
硬化剤の中でも、マイクロカプセル型の硬化剤が好まし
い。マイクロカプセル型硬化剤は、前記硬化剤の表面を
熱可塑性樹脂などでコーテイングしたもので、接続作業
時の温度や圧力でマイクロカプセルが破壊され、硬化剤
が有機バインダー中に急速に拡散して硬化促進する。マ
イクロカプセル型潜在性硬化剤の中でもマイクロカプセ
ル型イミダゾール誘導体エポキシ化合物がより好まし
い。

【００２０】マイクロカプセル型イミダゾール誘導体エ
ポキシ化合物としては、イミダゾール誘導体とエポキシ
化合物との反応生成物を粉砕等により微粉末としたもの
をさらに、例えばイソシアネート化合物などと反応して
カプセル化し、常温での安定性を高めたものである。イ
ミダゾール誘導体としては、イミダゾール、２−メチル
イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−
４メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２
−フェニル−４メチルイミダゾール、１−ベンジル−２
−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２エチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−エチル−５−メチルイミダ
ゾール、２−フェニル−４−メチル−５ヒドロキシメチ
ルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール等が挙げられる。

【００２１】また、これらの硬化剤を用いる場合には、
エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型、ビスフ
ェノールＦ型、フェノールノボラック型、臭化ビスフェ
ノールＡ等のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ダイ
マー酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエ
ステル、ナフタレン型等が挙げられる。これらのエポキ
シ樹脂を用いる場合には、マイクロカプセル型硬化剤
は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、５〜２５０重
量部の量で用いることができる。マイクロカプセル型硬
化剤が５重量部未満であると硬化不足になりやすく、２
５０重量部を越える場合には、保存安定性が不足する。

【００２２】マイクロカプセル型硬化剤の粒子径は、平
均粒子径で１〜１０μで有ることが好ましい。平均粒子
径が１０μを越える場合には、異方導電性組成物のフィ
ルム化した場合（異方導電性フィルムと呼ぶ）、塗膜の
厚みムラを生じる。本発明の異方導電性組成物を塗布す
る場合には、必要に応じて適当な溶剤を用いることがで
きる。マイクロカプセル型硬化剤に損傷を与えない溶剤
が好ましい。例えば、ＭＥＫ、トルエン、ベンゼン、キ
シレン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、芳香族系炭化水素、エーテル、ケトン、エステル
などが好ましい。

【００２３】本発明の異方導電性組成物には、導電粒子
の分散性と接続後の耐湿度性を向上させるために、公知
のシランカプリング剤、チタンカップリング剤、アルミ
カップリング剤等を配合することができる。カップリン
グ剤を用いるときには、導電粒子１００重量部に対し
て、５重量部まで添加することができる。好ましくは、
導電粒子を予めカップリング剤で処理しておくことが好
ましい。

【００２４】本発明の異方導電性組成物は以下のように
作成される。導電粒子及び有機バインダ−（必要に応じ
て溶剤に溶解させた状態）、必要に応じて硬化剤を適量
混合する。混合には、プラネタリーミキサー、三本ロー
ル、ニーダー、脱泡機、羽根付き撹拌機、ボールミルな
ど公知の装置を用いて混合する。このとき導電粒子を充
分分散させることが好ましい。こうして得られた言う異
方導電性組成物は、粘度１０００ＣＰＳ〜２０万ＣＰＳ
程度であるのが好ましいが、必ずしもこの範囲である必
要はない。得られた異方導電性組成物は、このまま接続
基板上の電極や端子上にディスペンサーやスクリーン印
刷等の印刷法で塗布することもできる。また、異方導電
性組成物をベ−スフィルム上にコートした状態のフィル
ム状（異方導電性フィルムという）のものでも構わな
い。ベースフィルム上にコートする場合には、ブレー
ド、ダイコーター等の公知の方法を用いることができ
る。塗布された異方導電性フィルムが溶剤を含んでいる
場合には、充分に乾燥するのが好ましい。乾燥温度とし
ては室温から８０℃までの範囲で調整されるのが好まし
い。異方導電性フィルムの厚みとしては、５〜５００
μ程度であり、幅は特に制限はない。異方導電性フィル
ムを接続に用いる場合には、これをスリッテイングして
用いることができる。例えば、０．２〜２００ｍｍ幅程
度の異方導電性フィルムをリール巻きにした状態から引
き出して基板の接続端子上に貼り付けて用いるのが好ま
しい。

【００２５】本発明の異方導電性組成物は、これまでに
硬すぎて圧接時の導電性粒子が変形しづらく、導通面積
が充分とれなかったことで、大型パネルへの応用ができ
なかった問題や、樹脂粒子のように、変形性は良いが、
金属配線等の酸化皮膜を破壊できなかった問題が無く、
適度な硬度を有し、圧接過程でうまく圧力を緩和でき、
ガラスなどの破壊を防止でき充分な接触面積を有し、金
属配線上の酸化皮膜を塑性変形時に削り取り、配線の金
属成分との安定なコンタクトを有する利点を持つもので
ある。また、さらに平均粒子径が２〜１５μであり、粒
度分布を有していると、圧力の緩衝性が良好で圧力の偏
りがある時でも緩衝効果を有する。さらに、最大粒子径
と最小粒子径が少なくとも１μ以上差が有ることが電極
間ギャップ（圧力の変位）をうまく埋め合わせることが
でき好ましい。

【００２６】本発明の異方導電性組成物及び異方導電性
フィルムは、基板上端子同士の接続や、チップ電極と基
板端子との接続にも用いることができる。接続基板とし
ては、液晶ディスプレイ（アモルファスシリコン、高温
ポリシリコン、低温ポリシリコン）、プラズマディスプ
レイ、エレクトロルミネッサンス等のパネル、プリント
基板、ＩＣカード基板、ビルドアップ基板（絶縁層、導
体回路層を交互あるいは一括して多層化した基板）、低
温焼成用基板の電気配線が施されている基板などを用い
ることができる。被接続基板または被接続チップとして
は、フレキシブルまたは硬質な配線基板、コンデンサ
ー、磁気センサー、抵抗器、ＬＳＩチップ、コイルや、
ＬＳＩパッケージ（ＱＦＰ、ＤＩＰ、ＳＯＰ、ＢＧＡ、
ＣＳＰ等）などが挙げられる。

【００２７】接続基板又は被接続基板の材質は特に制限
はなく、材質としては例えば、ポリイミド、ガラスエポ
キシ、感光性エポキシ、紙フェノール、ポリエステル、
ガラス、シリコン、石英、ポリフェニレンエーテル、ポ
リエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリフェニレンスルフォン、アルミ
ナ、窒化アルミナ、ポリアミドイミド、テトラフルオロ
エチレン、ポリフェニレンテレフタレート、ＢＴレジン
や、それらに誘導体、単層、積層板（ビルドアップ基
板）、セラミックス基板等が挙げられる。

【００２８】接続基板あるいは被接続基板上に形成され
ている接続用電極（端子）の導体は特に制限はなく、そ
の例としては、ＩＴＯ、ＩＯ、銅、銀、銅銀合金、銀パ
ラジウム、金、白金、ニッケル、アルミニウム、銀白
金、すず鉛はんだ、すず銀はんだ、スズ、クロム、イン
ジウム合金及びこれらに導体上に金メッキ、すずメッ
キ、ニッケルメッキ、スズ鉛メッキ、クロムメッキなど
のメッキを施した導体等の公知の導体が挙げられる。導
体の形成は、公知の方法により作成する事ができる。例
えば、導体はメッキ、蒸着、リフロー、導体ペースト、
ワイヤーボンデイング、フォトリソグラフで作製され
る。

【００２９】本発明の異方導電性組成物及び異方導電性
フィルムは、リペアーする場合には、不良の接続基板
（例えばＴＡＢ等）やチップを機械的にはがし、基板上
に残存する異方導電性組成物又は異方導電性フィルムの
一部を溶剤を用いて繰り返し剥ぎ取る。接続端子上の異
方導電性組成物又は異方導電性フィルムがある程度除去
さるまで繰り返し行う。

【００３０】接続条件は、従来では、温度に関しては、
１８０℃を越えることが多く、熱膨張率の差により接続
ムラが生じたりして低温度化が必要であった。圧力もＮ
ｉ紛を導電性粉末とする場合などには３０ｋｇ／ｃｍ²
以上の圧力を必要とし、今後期待されている大型パネル
などの接続にはロードセルの限界を越えるようになって
きたため、低圧化に対応できる異方導電性フィルムが必
要になってきている。これに対して、本発明の異方導電
性組成物及び異方導電子フィルムは、適度な変形性と、
硬さを合わせ持つために、低圧でも充分な高導電性接続
可能な優れて特性を発揮できるものであり、且つ酸化皮
膜を有する導体の酸化皮膜も充分に破ることで、接続信
頼性にも優れる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に本発明の異方導電性組成物
及び異方導電性フィルムの実施例を示し、更に詳細に本
発明を説明する。

【００３２】

【実施例】実施例及び比較例で用いる導電性金属粉末を
表１に示す。また、表２の異方導電性組成物及び異方導
電性フィルムを示す。常温で固形の樹脂については、溶
剤を加えて酢酸エチル、トルエン混合溶液で調製した。
異方導電性フィルムについては、ベースフィルムとして
はＰＥＴフィルム上に塗工した。塗工後、６０℃で連続
炉で乾燥した。表３に異方導電性組成物及びフィルムの
評価結果を示す。導通性については、４端子抵抗測定
し、接続抵抗値が２００ｍオーム以下を○とした。２０
０〜５００ｍオームを△、それを越える場合を×とし
た。

【００３３】バラツキについては、接続抵抗値が１０端
子測定して接続抵抗の平均値に対して３倍以上の値が無
い場合を○とし、３倍を越える端子がある場合を×とし
た。環境性については、−５５〜１２５℃（各３０分）
１０００ヒートサイクルで抵抗値が５倍を越える場合を
×、２〜５倍を△、２倍未満を○とした。絶縁性につい
ては、端子と端子間で絶縁抵抗１０¹⁵オーム以上を○と
し、それ以下を×とした。表４に比較例に用いた異方導
電性組成物を示す。表５に比較例の評価例を示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３６】

【表３】

【００３７】

【表４】

【００３８】

【表５】

【００３９】

【発明の効果】本発明の異方導電性組成物は、これまで
に硬すぎて圧接時の導電性粒子が変形しづらく、導通面
積が充分とれなかったことで、大型パネルへの応用がで
きなかった問題や、樹脂粒子のように、変形性は良い
が、金属配線等の酸化皮膜を破壊できなかった問題がな
く、適度な硬度を有し、圧接過程でうまく圧力を緩和で
き、ガラスなどの破壊を防止でき充分な接触面積を有
し、金属配線上の酸化皮膜を塑性変形時に削り取り、配
線の金属成分との安定なコンタクトを有する利点を持つ
ものである。さらに、適度の結晶粒子、粒界を含むため
に、圧接時に低圧でもうまく粒径に沿って変形が進み、
圧接ムラが少ないものである。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機バインダーと０．１〜２５体積％の
導電性金属粒子とからなり、該導電性金属粒子は、３〜
９μの範囲の粒子１個の加重１ｇｆにおける変形率（変
位量／変形前の粒径）が８〜６０％であることを特徴と
する異方導電性組成物。
【請求項２】導電性金属粒子が結晶性粒子であり、導
電性金属粒子内部に存在する結晶粒の大きさが８０〜５
０００Åであることを特徴とする請求項１記載の異方導
電性組成物。
【請求項３】導電性金属粒子が、銅、銀、金、スズか
ら選ばれた１種類以上の成分を有する金属粉末であるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の異方導電性組成
物。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の異方導
電性組成物よりなる異方導電性フィルム。