JPH11509956A - 面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ - Google Patents
面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサInfo
- Publication number
- JPH11509956A JPH11509956A JP9542685A JP54268597A JPH11509956A JP H11509956 A JPH11509956 A JP H11509956A JP 9542685 A JP9542685 A JP 9542685A JP 54268597 A JP54268597 A JP 54268597A JP H11509956 A JPH11509956 A JP H11509956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transducer
- layer
- pinned
- spin valve
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
トランスデューサはスピンバルブ(「SV」)構造を含み、このスピンバルブ構造は、その第1の端部に近接するピン止めされた強磁性層(98)と、対向して配置された、その第2の端部に近接する自由に回転する強磁性層(94)とを含む。第1および第2の電流導体(92,104)は、面垂直電流形態(「cpp」)においてそれぞれスピンバルブ構造の第1および第2の端部に近接する。ここに開示される特定的な実施例において、差動CPPトランスデューサ(120)は1対のSV構造(SV1,SV2)を含み、これらの1対のSV構造は、第1および第2の電流導体(132,152)を有し、共通の電流導体(142)がこれらのSV構造間に介在する。
Description
【発明の詳細な説明】
面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ関連出願への相互参照
本発明は、1996年1月16日付でJ.ラマー ニックス(J.Lamar Nix)
他に発行された「バルクハウゼン雑音抑制が向上した磁気抵抗デバイスおよび方
法(Magnetoresistive Device and Method Having Improved Barkhausen Noise
Suppression)」と題された米国特許第5,485,334号の主題、ならびに
1995年3月9日付でヤング カン キム(Young Keun Kim)により出願され
た「ドメイン安定化技術を採用した成形スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデ
ューサおよびその製造方法(Shaped Spin Valve Type Magnetoresistive Transd
ucer and Method for Fabricating the Same Incorporating Domain Stabilizat
ion Technique)」と題された米国特許出願第08/401,553号に関する
。上記米国特許および特許出願は本発明およびその開示の譲受人であるクウォン
タム・ペリフェラルズ・コロラド・インコーポレイテッド(Quantum Peripheral
s Colorado,Inc.)に譲渡され、特に本明細書に引用により援用する。発明の背景
本発明は包括的に、磁気抵抗(MR)スピンバルブ(SV)デバイスの分野に
関する。より特定的には、本発明は磁気大量記憶媒体に符号化されたデータ信号
を読出すために、たとえば磁気トランスデューサまたは「ヘッド」として使用す
るための、面垂直電流(CPP)スピンバルブデバイス設計、およびその代替の
差動センシング実施例に関する。
いわゆる巨大磁気抵抗効果(GMR)を示す磁気抵抗デバイスまたはヘッドは
、磁気コンピュータ大量記憶ディスクドライブおよびテープに、より面積密度の
高い記録を行なおうとする試みにおいては現在技術的に重要である。このGMR
効果は、Phys.Rev.Lett.61,2472(1988)において初めて、M.N.ベイビッ
ヒ(M.N.Baibich)、J.M.ブロト(J.M.Broto)、A.フェルト(A.Fert
)、F.ニュイアン バン ド(F.Nguyen Van Dau)、F.ペトロフ(F.Petr
off)、P.エイティエン(P.Etienne)、G.クロイツェット(G.Creuzet)
、
A.フリードリック(A.Friederich)およびJ.シャゼラス(J.Chazelas)に
より記載された。典型的には、GMR材料に対する磁気抵抗比(ΔR/R)の大
きさは、現在磁気読出トランスデューサとして一般に使用されている異方性磁気
抵抗(AMR)材料のものを上回っている。スピンバルブ効果は、Phys.Rev.B
43,1297(1991)でB.ディーニ(B.Dieny)、V.S.スペリオス(V.S.Sper
iosu)、S.S.P.パーキン(S.S.P.Parkin)、B.A.ガーニー(B.A.Gu
rney)、D.R.ウィルホイト(D.R.Wilhoit)およびD.モーリ(D.Mauri)
により記載されているように、GMRを利用する既知の方法である。典型的なス
ピンバルブMRデバイスは、非磁性金属スペーサ(100A未満のオーダ)によ
り分離される2つの薄い強磁性層(100A未満のオーダ)を含む。一方の強磁
性層の磁化は自由に動くことができるが、他方は近接する反強磁性または永久磁
気層によりピン止めされる。いかなるタイプのGMR構造の動作にも重要なこと
は、MR応答が、センシングフィールドに対応する2つの磁化ベクトル間の角度
の関数であることである。
スピンバルブ効果を利用した種々のデバイスの実現について述べた特許は今ま
で数多くある。例として、1992年10月27日発行の「スピンバルブ効果に
基づく磁気抵抗センサ(Magnetoresistive Sensor Based on the Spin Valve Ef
fect)」と題されたディーニ他への米国特許第5,159,513号、1993
年4月27日に発行された「スピンバルブ効果に基づく磁気抵抗センサ」と題さ
れたディーニ他への第5,206,590号、1994年2月15日に発行され
た「二重スピンバルブ磁気抵抗センサ(Dual Spin Valve Magnetoresistive Sen
sor)」と題されたバウムガート(Baumgart)他への第5,287,238号、
および1994年4月5日に発行された「電流がバイアスされた磁気抵抗スピン
バルブセンサ(Current Biased Magnetoresistive Spin Valve Sensor)」と題
されたケイン(Cain)他への第5,301,079号を参照されたい。これらは
すべてインターナショナルビジネスマシンズコーポレイション(International
Business Machines Corporation)に譲渡される。
これら特許に記載された、種々のデバイス実現における積層された直交する構
造では、下側の強磁性層(この上には自由に回転する磁化ベクトルがある)が、
基板の上方ではあるが、磁化ベクトルが近接する反強磁性のピン止め層によりピ
ン止めされた上側の強磁性層の下方に設けられる。さらに、すべての場合におい
て、センス電流はスピンバルブ構造を含む層の面を流れMR応答を制限すると示
されている。電流密度は磁気抵抗構造の膜の面内にあるため、これは面内電流(
CIP)ジオメトリとして知られている。
1995年11月のIEEE 磁気学議事録(IEEE Transactions on Magneti
cs)第31巻のロットマイヤー,R.(Rottmayer,R.)およびズー,J.(Zh
u,J.)による「CPPモードでGMRセンサを用いた超高密度磁気記録ヘッド
の新設計(A New Design for an Ultra-High Density Magnetic Recording Head
Using a GMR Sensor In the CPP Mode)」では、面垂直電流モードで動作し、
永久磁石のように作用する交換結合された軟性膜によりバイアスされ、従来のM
RおよびSVヘッド設計とは明らかに異なる、書込ヘッドギャップ内のGMR多
層読出エレメントが提案されている。多層読出エレメントは、上記のようにピン
止めされたおよび自由に回転する強磁性層双方を含むスピンバルブタイプGMR
トランスデューサとは大きく異なる層構造の繰返しからなる。さらに、ロットマ
イヤー他の文献では、読出/書込ヘッドの書込ギャップ内の多層センサを反強磁
性磁石に交換結合される軟性バイアス磁石とともに設けて、センサを線形的な動
作範囲にバイアスすることが意図される。読出センサは書込電流バースト中に発
生するフィールドに繰返しさらされることにより大幅な劣化を受ける可能性があ
るため、書込ギャップ内に読出センサを設けることは、未だに明らかにされてい
ない構成である。発明の概要
本発明は対照的に、以前提案されたような多層GMRセンサではなく、面垂直
電流構成で動作するスピンバルブタイプトランスデューサを好都合に提供すると
いう点において特に有用性がある。スピンバルブタイプGMRトランスデューサ
は本質的に自己バイアスされているため、ロットマイヤー他により提案されてい
るように反強磁性磁石に交換結合される軟性バイアス磁石を必要としない。さら
に、本明細書で開示されるSVトランスデューサは、標準的な読出/書込ヘッド
に対する構成と関連付けると、書込エレメントを読出エレメントの上に、書込電
流バースト中発生するフィールドにさらされることなく設けることができ、特に
有用性がある。
本明細書で具体的に開示されているのは、第1の端部に近接するピン止めされ
た強磁性層と、対向して設けられた第2の端部に近接する自由に回転する強磁性
層とを含むスピンバルブ構造を備えるトランスデューサである。第1および第2
の電流導体はスピンバルブ構造の第1および第2の端部にそれぞれ面垂直電流構
成で近接する。
本明細書で開示される具体的な実施例では、差動データトランスデューサは第
1および第2のスピンバルブ構造を含み、各々は、それぞれの第1の端部に近接
するピン止めされた強磁性層と、それぞれ対向して設けられた第2の端部に近接
する自由に回転する強磁性層とを含む。第1および第2の電流導体は第1および
第2のスピンバルプ構造それぞれの第1および第2の端部に近接し、共通電流導
体は第1および第2のスピンバルブ構造それぞれの第2および第1の端部に近接
する。図面の簡単な説明
本発明の上記およびその他の特徴および目的、ならびにそれらを達成する態様
は、添付の図面と関連付けて以下の好ましい実施例の説明を参照することにより
より明らかになりかつ発明そのものも最もよく理解されるであろう。
図1は、先行技術によるスピンバルブデバイスの概略的な断面の空気ベアリン
グ面(ABS)を示しており、読出トラック幅「TW1」は、ピン止めされた上
側のピン止め層の上にある面内電流ジオメトリのリード線のメタライゼーション
により規定される。
図2は、面内電流構造を示す米国特許出願第08/401,553号に従う特
に有利なスピンバルブデバイス設計の概略断面ABSの図であり、読出トラック
幅「TW2」は、最上部の強磁性層の上にある永久磁石層部分により規定され、
下にあるデバイス構造は以下で開示される面垂直電流と関連付けて利用し得るも
のである。
図3Aは、本発明の実施例に従う面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トラ
ンスデューサの部分的なABSの図であり、ピン止め層がピン止めされた層の上
にあり、この層の組合せが今度は自由に回転する強磁性層の上にあり、スピンバ
ルブ構造そのものが1対の電流導体および近接するシールドに挟まれた単一スピ
ンバルブ構造を示す。
図3Bは、図3Aのスピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサの部分的な
側面図であり、単一スピンバルブ構造およびこれを部分的に取囲むギャップ誘電
層を通る電流経路を示す。
図4は、本発明に従うスピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサの代替実
施例のさらなる部分側面図であり、差動信号センサとして使用するための面垂直
電流構成で形成された1対のスピンバルブ構造(「SV1」および「SV2」)を
示す。
図5は、磁気「読出」ヘッドとして本発明の面垂直電流トランスデューサを応
用するものを構成する従来のディスクドライブの簡単な部分平面図である。好ましい実施例の説明
図1を参照して、先行技術によるスピンバルブセンサ10構造が、典型的な面
内電流デバイス構成で示されている。先行技術によるスピンバルブセンサ10は
、直接関係のある部分では、基板12およびその上の下層14を含む。活性スピ
ンバルブ構造そのものは、非磁性スペーサ層18(Cu、AgまたはAuといっ
た貴金属からなる)により分離された下側の強磁性層16および上側の強磁性層
24として示される2つの強磁性層(遷移金属またはパーマロイといった合金か
らなる)を含む。FeMn、NiMnまたはNi−Co酸化物といった反強磁性
磁石を含み得るピン止め層26が、上側の強磁性層24の上に設けられ、数百エ
ルステッド(Oe)のオーダの異方***換結合をもたらす。したがって、上側の
強磁性層24の磁化の方向は、空気ベアリング面(ABS)に垂直な容易軸でピ
ン止めされる。
下層14(Taなど)およびキャップ層28(Taを含み得る)が設けられ、
活性構造を保護する。永久磁石層20および22は、実質的に垂直な積層構造の
側部に形成され、下側の強磁性層16に対するドメイン制御をもたらす。
先行技術のスピンバルブセンサ10はまた、自由強磁性層を挟む2つのピン止
めされた強磁性層を備える二重構成で設けることができる。このような構造によ
り、図1に示す構造よりも応答が約50%増大する。
それにもかかわらず、先行技術のスピンバルブセンサ10および二重設計双方
には、MR応答による本質的な劣化が生じる。スピンバルブまたは何らかのGM
R材料におけるMR応答の原因は主として、伝導電子のスピン依存散乱である。
CIPジオメトリを利用すれば、伝導電子の中には、スペース層18といったス
ピン依存散乱中心がない層に沿う分路により、スピン依存散乱を受けないように
されるものがある。さらに、図1の設計は、本質的に抵抗の高い非磁性のピン止
めおよびキャップ層26および28を通して電流をスピンバルブ構造に送るよう
に大量の電流密度が必要とされる限り、製造上再生可能な磁気読出ヘッド製品と
いう点では潜在的に不利である。さらに、読出トラック幅(TW1)は正確に定
められないかもしれない。なぜなら、導体(または電流リード線30、32)層
は、活性磁気センサ構造と比較して相対的に厚みが大きく、電流リード線30、
32および永久磁石層20、22がトラック幅を規定する可能性があるためであ
る。これは安定した読出ヘッド動作という点では望ましくない。さらに、バルク
ハウゼン雑音抑制を目的として1対の永久磁石層20、22の厚みを正確に制御
することは、数十オングストローム(Å)のオーダでしかないこれらの限られた
厚みのスケールのために非常に困難である。たとえば、安定化の強さを決定する
ことになる、全磁気モーメント(残留磁気と膜の厚みを乗算したもの、Mr・t
)を調整するためにより厚みの大きな永久磁石層20、22が必要とされるとき
、永久磁石層20、22の厚みは、スペーサと上側の強磁性層18、24とを組
合せた厚みよりも大きくなり得る。これは本質的に望ましくない、というのも、
さもなければしっかりとピン止めされる上側の強磁性層24の磁化が変わる可能
性があるためである。
図2を参照して、米国特許出願第08/401,553号の開示に従う成形さ
れたスピンバルブセンサ50が示される。この成形スピンバルブセンサ50の設
計では、基板52はその上に形成される下層54を備え、抵抗の高いピン止め層
56が強磁性層よりも前に堆積される。ピン止め層56の堆積の次には、薄い下
の強磁性層58の堆積が行なわれる。スペーサ層60および第2の上強磁性層6
2が次に設けられ、先細りにされた(テーパ)側部を有するメサ状の構造にパタ
ーニングされる。テーパ角度(実質的に45°以下のオーダ)が浅いということ
は、製造において全体的に滑らかなデバイストポグラフィとするには有利である
。薄い非磁性分離層64、66(Crなど)が、永久磁石層68、70に先行し
て、下の強磁性層58の上かつメサの側部(および先細りにされた側部に近接す
るメサの上表面の部分)に設けられ、下の強磁性層58のピン止めされた磁化方
向を回転させる可能性がある交換結合を防止する。電流リード線72、74を面
内電流構成で形成した後には、永久磁石層68、70との直接のコンタクトが設
けられる。キャップ層76は電流リード線72、永久磁石層68、70の一部、
および上の強磁性層62の覆われていない部分の上にあり、メサ構造の最上部を
形成する。
図示の成形スピンバルブセンサ50では、読出トラック幅(TW2)を規定す
るのは永久磁石層68、70であり、電流リード線72、74ではない。この態
様で、再生可能なトラック幅制御が可能になる。なぜなら、永久磁石層68、7
0は典型的に、電流リード線72、74を形成する導体層よりも薄いため、後者
にとってはフォトグラフィ上非常に困難ではなくなるからである。さらに、電流
が直接永久磁石層68、70および薄い分離層64、66を通して活性の上強磁
性層62に流れる可能性があるため、先行技術によるCIP設計よりも電流密度
を高めることが可能である。
さらに図3Aおよび3Bを参照して、本発明の具体的な実施例に従う面垂直電
流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ80の部分的なABSが示され
る。なお、ピン止め層56およびピン止めされた強磁性層58が活性強磁性層6
2の下にある図2のスピンバルブ構造が、図示の活性のピン止めされた層のより
従来的な配置の代わりに使用され得る。
トランスデューサ80は直接関係のある部分としては、基板82を含みその上
には下層84がある。下層84の上には絶縁ギャップ層86がある。第1の磁気
シールド88は図示のようにギャップ層86の上にある。酸化アルミニウム(A
l2O3)または二酸化シリコン(SiO2)を含み得る任意のギャップ層90を
第1の磁気シールド88の上に形成してもよい。シールド層は、ニッケル鉄(N
iFe)、コバルトジルコニウムタンタル(CoZrTa)、窒化鉄(FeN)
または他の軟磁性材料あるいはその合金を含んでもよい。シールド層の厚みは2
ミクロン以下のオーダで、ギャップ層90の場合は100と1000Å間であり
得る。
第1の電流導体92は、ギャップ層90の上に形成される。第1の電流導体9
2は100から1000オングストロームの間のロジウム(Rh)、アルミニウ
ム(Al)、金(Au)、タンタル(Ta)あるいは銀(Ag)またはこれらの
合金を含み得る。自由に回転する(「自由」または「活性」)層94は第1の電
流導体92の上にある。非磁性スペーサ層96は自由層94の上にあり、ピン止
めされた層98がスペーサ層96の上に形成される。ピン止め層100はピン止
めされた層98の上にあり、第1の電流導体92を形成するのに用いられたもの
と同様の材料からなる第2の電流導体104がその上に形成される。第1および
第2の電流導体92、104は自由層94、スペーサ層96、ピン止めされた層
98、およびピン止め層100と関連付けられ図示のようなスピンバルブ構造1
02を構成する。
同様の態様で、任意のギャップ層106が第2の電流導体104の上にあり、
その上には第2の磁気シールド108がある。誘電体ギャップ材料110が、図
示のようにスピンバルブ構造102ならびに第1および第2の電流導体92、1
04の部分を囲んでいる。
トランスデューサ80は例示としてのみ、単一スピンバルブ構造102として
示され、この構造では、ピン止め層100がピン止めされた層98の上にあり、
これらの層の組合せが自由に回転する(「自由」または「活性」)強磁性層94
の上にあり、スピンバルブ構造102そのものが1対の第1および第2の電流導
体92および94の間ならびに近接する第1および第2の磁気シールド88およ
び108の間に挟まれている。
特定的には図3Bを参照して、部分的に包囲するギャップ誘電材料110に加
えて、単一のスピンバルブ構造102を通る電流経路が示される。トランスデュ
ーサ80にCPPジオメトリを用いると、スピンバルブ構造102の各層を電流
が通ることが余儀なくされ、それにより、さもなくばスピン依存散乱と、したが
って磁気抵抗応答とを低減し得る分路電流を防ぐ。したがって、CPPジオメト
リのトランスデューサ80は、比類のCIPデバイスよりも大きな磁気抵抗応答
を示すこととなる。示していないが、ドメイン制御をもたらすようトランスデュ
ーサ80の構造に永久磁石を加えてもよく、用途によっては、導体92および1
04を排除して、トランスデューサ80の導通経路としてシールド88および1
08を代わりに用いてもよい。
スピンバルブ構造102は実質的に例示のとおりであるか、または代替的な実
施例においては、図2のスピンバルブ構造をそれと置換してもよいことに留意す
べきである。さらに、スピンバルブ構造102は、比較的厚い導体スペース層に
よって隔てられた2つまたはそれ以上のスピンバルブを含む二重スピンバルブ型
デバイスであってもよい。二重スピンバルブデバイスのそれぞれのピン止め層を
適切に配向すると、直列に配置された2つのスピンバルブが二重ストライプAM
R磁気抵抗センサと同様に機能し得る。
次に図4をさらに参照して、差動読出ヘッドとして用いられ得るスピンバルブ
トランスデューサ120の代替的な実施例が示される。トランスデューサ120
は基板122と、上にある下層124と、その上にあるギャップ層126と、第
1の磁気シールド128とを含む。図3Aおよび図3Bにおける前述の実施例と
同様に、第1の磁気シールド128の上にオプションとしてのギャップ層130
が設けられてもよい。
同様に、第1のスピンバルブ構造(「SV1」)は第1の電流導体132と、
自由層134と、スペーサ層136と、ピン止めされた層138と、ピン止め層
140とを含む。第1のスピンバルブ構造SV1のピン止め層の上には共通の電
流導体(「導体C」)142がある。共通の導体142の上には、自由層144
と、スペーサ層146と、ピン止めされた層148と、ピン止め層150とを含
む第2のスピンバルブ構造(「SV2」)の構造が形成される。第2の電流導体
152は第2のスピンバルブ構造SV2のピン止め層150の上に形成される。
同様に、オプションとしてのギャップ層154が第2の電流導体152の上に形
成され、その後第2の磁気シールド156が形成されてもよい。
以上の図3A、図3Bおよび図4に関して説明して示したCPPスピンバルブ
トランスデューサはまた、従来のCIP設計よりも製造および加工が容易である
。なぜなら、このトランスデューサは本質的に平らであるため、フォトリソグラ
フィによる加工作業が容易であるからである。さらに、先に開示したCPPスピ
ンバルブトランスデューサは、少ない加工工程を用いて製造することができる。
次に、付加的に図5を参照して、この発明の、面垂直電流トランスデューサに
関連して用いることが可能な、ディスクドライブ170の、切り取られた概略上
面図が示される。ディスクドライブ170は、関連した部分に、中央軸を中心に
回転する多くのディスク172を含む。「読出」エレメントとして、この発明に
従ったトランスデューサを含み得る読出/書込ヘッド174は、ディスク172
の表面178上の多くの同心データトラックに対してポジショナ176によって
位置付けられ、その、磁化しにくい表面178へのデータの書込またはそれから
のデータの読出を可能にする。以上に開示したトランスデューサはテープドライ
ブおよび他のコンピュータ大容量記憶装置に関連して用いられてもよい。
このように、開示したCPPスピンバルブトランスデューサは、ΔR/R応答
を(従来のCIPジオメトリの約2倍に)高め、平らな加工をもたらし、製造工
程の数を減らすという点で、従来のCIPの設計よりも優れている。
以上に、特定的なデバイス構造および製造技術に関連してこの発明の原理を説
明したが、以上の説明は例示によるものであり、発明の範囲を制限するものでは
ないことを明らかに理解すべきである。特に、以上の開示の教示は関連技術にお
ける当業者に他の変形を提案し得ることが認められる。このような変形は、それ
自体が既に公知であり、かつここに既に記載した特徴の代わりに、またはその特
徴に加えて用いられ得る、他の特徴にかかわるであろう。この出願において、請
求の範囲は、特定的な特徴の組合せになるよう作成されているが、ここにおける
開示の範囲には、いかなる新しい特徴や明確にまたは潜在的に開示されている特
徴の、いかなる新しい組合せが含まれてもよく、または、それがいずれかの請求
項においてここで請求されている同じ発明に関するかどうかにかかわらず、かつ
この発明が直面する同じ技術上の問題のいずれかまたはすべてを軽減するかどう
かにかかわらず、当業者には明らかであろうその概念または変形が含まれる。こ
れによって、出願人は、この発明またはそこから引出されるさらなる出願の審査
時に、このような特徴および/またはこのような特徴の組合せに対して新しい請
求項を作成する権利を留保する。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 キム,ヤング・コーン
アメリカ合衆国、80302 コロラド州、ボ
ウルダー、フォウルサム・ストリート、
1475、アパートメント・186
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.スピンバルブ構造を含み、前記スピンバルブ構造は、その第1の端部に近接 するピン止めされた強磁性層と、対向して配置された、その第2の端部に近接す る、自由に回転する強磁性層とを含み、さらに 前記スピンバルブ構造の前記第1および第2の端部にそれぞれ近接する第1お よび第2の電流導体を含む、トランスデューサ。 2.前記スピンバルブ構造の前記第1の端部において、前記ピン止めされた層の 上にあるピン止め層をさらに含む、請求項1に記載のトランスデューサ。 3.前記ピン止めされた磁気性層と自由に回転する磁気性層との間に介在するス ペーサ層をさらに含む、請求項1に記載のトランスデューサ。 4.前記第1および第2の電流導体に関して横方向に配置された、一般的に平行 でありかつスペースをあけられた第1および第2の磁気シールドをさらに含む、 請求項1に記載のトランスデューサ。 5.前記第1および第2の電流導体と前記第1および第2の磁気シールドとの間 に介在するよう配置された第1および第2のギャップ層をさらに含む、請求項4 に記載のトランスデューサ。 6.前記第1および第2の磁気シールドのうちの選択されたものに関して横方向 に配置された基板およびその上にある下層をさらに含む、請求項4に記載のトラ ンスデューサ。 7.前記下層と、前記第1および第2の磁気シールドのうちの前記選択されたも のとの間に配置された中間ギャップ層をさら含む。請求項6に記載のトランスデ ューサ。 8.前記ピン止めされた強磁性層および自由に回転する強磁性層が遷移金属を含 む、請求項1に記載のトランスデューサ。 9.前記遷移金属がパーマロイを含む、請求項8に記載のトランスデューサ。 10.前記ピン止めされた強磁性層および自由に回転する強磁性層が、実質的に 20A以上200A以下の厚さである、請求項1に記載のトランスデューサ。 11.前記ピン止めされた強磁性層および自由に回転する強磁性層が、実質的に 100Aの厚さである、請求項10に記載のトランスデューサ。 12.前記ピン止め層が、交換結合された反強磁性磁石を含む、請求項2に記載 のトランスデューサ。 13.前記交換結合された反強磁性磁石が、FeMN、NiMn、NiOおよび NiCoOを含むグループから選択される、請求項12に記載のトランスデュー サ。 14.前記ピン止め層が永久磁石層を含む、請求項2に記載のトランスデューサ 。 15.前記永久磁石層が、Crおよびその合金を含むグループから選択される、 請求項14に記載のトランスデューサ。 16.前記永久磁石層が、実質的に50A以上500A以下の厚さである、請求 項14に記載のトランスデューサ。 17.前記スペーサ層が非磁性材料を含む、請求項3に記載のトランスデューサ 。 18.前記非磁性材料が貴金属を含む、請求項17に記載のトランスデューサ。 19.前記スペーサ層が、実質的に20A以上50A以下の厚さである、請求項 3に記載のトランスデューサ。 20.前記下層が、TaならびにAlおよびSiの酸化物を含むグループから選 択される、請求項6に記載のトランスデューサ。 21.前記第1および第2の電流導体の間にある、前記スピンバルブ構造を実質 的に取り囲む誘電体をさらに含む、請求項1に記載のトランスデューサ。 22.前記第1および第2の電流導体が、Rh、Al、Au、Ta、Agおよび それらの合金を含むグループから選択される、請求項1に記載のトランスデュー サ。 23.前記第1および第2のの電流導体が、実質的に100A以上1000A以 下の厚さである、前記22に記載のトランスデューサ。 24.前記第1および第2の磁気シールドが、比較的軟性である磁気材料を含む 、請求項4に記載のトランスデューサ。 25.前記比較的軟性である磁気材料が、パーマロイ、NiFe、CoZrTa およびそれらの合金を含むグループから選択される、請求項24に記載のトラン スデューサ。 26.前記第1および第2の磁気シールドが、実質的に2μ以下の厚さである、 請求項4に記載のトランスデューサ。 27.前記第1および第2のギャップ層が、Al2O3およびSiO2を含むグル ープから選択される、請求項5に記載のトランスデューサ。 28.前記第1および第2のギャップ層が、実質的に100A以上1000A以 下の厚さである、請求項27に記載のトランスデューサ。 29.ヘッドディスクアセンブリと、 それに符号化可能であるデータを有する、前記ヘッドディスクアセンブリ内に 回転可能に含まれる少なくとも1つの磁気記憶媒体と、 前記ヘッドディスクアセンブリ内に可動式に含まれて、前記記憶媒体に対して 前記トランスデューサを位置付け、前記データの、選択された部分の読出を可能 にする少なくとも1つのポジショナ機構とをさらに備える、請求項1に記載のト ランスデューサ。 30.第1および第2のスピンバルブ構造を含み、前記第1および第2のスピン バルブ構造の各々は、そのそれぞれの第1の端部に近接するピン止めされた強磁 性層と、そのそれぞの、対向して配置された第2の端部に近接する自由に回転す る強磁性層とを備え、さらに 前記第1および第2のスピンバルブ構造の前記第1および第2の端部にそれぞ れ近接する第1および第2の電流導体と、 前記第1および第2のスピンバルブ構造の前記第2および第1の端部にそれぞ れ近接する共通の電流導体とを含む、トランスデューサ。 31.前記第1および第2のスピンバルブ構造の前記第1の端部において、前記 ピン止めされた層の上にあるピン止め層をさらに含む、請求項30に記載のトラ ンスデューサ。 32.前記第1および第2のスピンバルブ構造の前記ピン止めされた磁気性層お よび自由に回転する磁気性層間に介在するスペーサ層をさらに含む、請求項30 に記載のトランスデューサ。 33.前記第1および第2の電流導体に関して横方向に配置された、一般的に平 行であり、かつスペースがあけられた第1および第2の磁気シールドをさらに含 む、請求項30に含むトランスデューサ。 34.前記第1および第2の電流導体と前記第1および第2の磁気シールドとの 間に介在するよう配置された第1および第2のギャップ層をさらに含む、請求項 33に記載のトランスデューサ。 35.前記第1および第2の磁気シールドのうちの選択されたものに関して横方 向に配置された基板と、その上にある下層とをさらに含む、請求項33に記載の トランスデューサ。 36.前記下層と、前記第1および第2の磁気シールドのうちの前記選択された ものとの間に配置された中間ギャップ層をさらに含む、請求項35に記載のトラ ンスデューサ。 37.前記第1および第2のスピンバルブ構造の、前記ピン止めされた強磁性層 および前記自由に回転する強磁性層が遷移金属を含む、請求項30に記載のトラ ンスデューサ。 38.前記遷移金属がパーマロイを含む、請求項37に記載のトランスデューサ 。 39.前記第1および第2のスピンバルブ構造の、前記ピン止めされた強磁性層 および自由に回転する強磁性層が、実質的に20A以上200A以下の厚さであ る、請求項30に記載のトランスデューサ。 40.前記ピン止めされた強磁性層および自由に回転する強磁性層が、実質的に 100Aの厚さである、請求項39に記載のトランスデューサ。 41.前記ピン止め層が、交換結合された反強磁性磁石を含む、請求項31に記 載のトランスデューサ。 42.前記交換結合された反強磁性磁石が、FeMN、NiMn、NiOおよび NiCoOを含むグループから選択される、請求項41に記載のトランスデュー サ。 43.前記ピン止め層が永久磁石層を含む、請求項31に記載のトランスデュー サ。 44.前記永久磁石層が、Crおよびその合金を含むグループから選択される、 請求項43に記載のトランスデューサ。 45.前記永久磁石層が、実質的に50A以上500A以下の厚さである、請求 項44に記載のトランスデューサ。 46.前記スペーサ層が非磁性材料を含む、請求項32に記載のトランスデュー サ。 47.前記非磁性材料が貴金属を含む、請求項46に記載のトランスデューサ。 48.前記スペーサ層が、実質的に10A以上50A以下の厚さである、請求項 32に記載のトランスデューサ。 49.前記下層が、TaならびにAlおよびSiの酸化物を含むグループから選 択される、請求項35に記載のトランスデューサ。 50.前記第1および第2の電流導体と前記共通の電流導体との間にある、前記 第1および第2のスピンバルブ構造を実質的に取り囲む誘電層をさらに含む、請 求項30に記載のトランスデューサ。 51.前記第1および第2の電流導体ならびに前記共通の電流導体が、Rh、A l、Au、Ta、Agおよびそれらの合金を含むグループから選択される、請求 項30に記載のトランスデューサ。 52.前記第1および第2の電流導体ならびに前記共通の電流導体が、実質的に 100A以上1000A以下の厚さである、請求項51に記載のトランスデュー サ。 53.前記第1および第2の磁気シールドが、比較的に軟性である磁気材料を含 む、請求項33に記載のトランスデューサ。 54.前記比較的軟性である磁気材料が、パーマロイ、NiFe、CoZrTa およびそれらの合金を含むグループから選択される、請求項53に記載のトラン スデューサ。 55.前記第1および第2の磁気シールドが、実質的に2μ以下の厚さである、 請求項33に記載のトランスデューサ。 56.前記第1および第2のギャップ層が、Al2O3およびSiO2を含むグル ープから選択される、請求項34に記載のトランスデューサ。 57.前記第1および第2のギャップ層が、実質的に100A以上1000A以 下の厚さである、請求項56に記載のトランスデューサ。 58.ヘッドディスクアセンブリと、 その上に符号化可能なデータを有する、前記ヘッドディスクアセンブリ内に回 転可能に含まれる少なくとも1つの磁気記憶媒体と、 前記ヘッドディスクアセンブリ内に可動式に含まれて、前記記憶媒体に対して 前記トランスデューサを位置付け、前記データの、選択された部分の読出を可能 にする、少なくとも1つのポジショナ機構とをさらに含む、請求項30に記載の トランスデューサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/653,322 US5668688A (en) | 1996-05-24 | 1996-05-24 | Current perpendicular-to-the-plane spin valve type magnetoresistive transducer |
US08/653,322 | 1996-05-24 | ||
PCT/US1997/008601 WO1997044781A1 (en) | 1996-05-24 | 1997-05-20 | Current perpendicular-to-the-plane spin valve type magnetoresistive transducer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11509956A true JPH11509956A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=24620390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9542685A Pending JPH11509956A (ja) | 1996-05-24 | 1997-05-20 | 面垂直電流スピンバルブタイプ磁気抵抗トランスデューサ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5668688A (ja) |
EP (1) | EP0840925A1 (ja) |
JP (1) | JPH11509956A (ja) |
KR (1) | KR19990035913A (ja) |
CN (1) | CN1196814A (ja) |
AU (1) | AU3073697A (ja) |
CA (1) | CA2227798A1 (ja) |
WO (1) | WO1997044781A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717780B2 (en) | 2000-05-10 | 2004-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and/or multi-magnetoresistive device |
WO2004034382A1 (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Fujitsu Limited | Cpp構造磁気抵抗効果素子およびヘッドスライダ |
US6876523B2 (en) | 2002-02-27 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head, and the magnetic read-write devices, and the magnetic memory with magnetic sensors |
US6995960B2 (en) | 2000-09-21 | 2006-02-07 | Fujitsu Limited | Spin valve magnetoresistive sensor having CPP structure |
US7253995B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and magnetic recording/reproducing device |
US7274540B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-09-25 | Tdk Corporation | Magnetoresistive head having an MR element between a pair of shields and including first and second underlayers |
US7280322B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-10-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic sensor and magnetic head with the magnetic sensor |
Families Citing this family (153)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6590750B2 (en) | 1996-03-18 | 2003-07-08 | International Business Machines Corporation | Limiting magnetoresistive electrical interaction to a preferred portion of a magnetic region in magnetic devices |
TW369649B (en) * | 1997-02-20 | 1999-09-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Single-channel magnetoresistive magnetic head and device including such a magnetic head |
US6064552A (en) * | 1997-03-18 | 2000-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode |
US5768071A (en) * | 1997-06-19 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with improved magnetic stability of the pinned layer |
US5898547A (en) * | 1997-10-24 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with sensing layer as flux guide |
US6099699A (en) * | 1998-04-22 | 2000-08-08 | Matsushita-Kotobuki Electronics Industries, Ltd. | Thin encapsulation process for making thin film read/write heads |
US6127045A (en) * | 1998-05-13 | 2000-10-03 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with optimized ferromagnetic layer |
JP2000057538A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗センサを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
US6185078B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Spin valve read head with antiferromagnetic oxide film as longitudinal bias layer and portion of first read gap |
US6219212B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction head structure with insulating antiferromagnetic layer |
US6156487A (en) * | 1998-10-23 | 2000-12-05 | Matsushita-Kotobuki Electronics Industries, Ltd. | Top surface imaging technique for top pole tip width control in magnetoresistive read/write head processing |
US6118638A (en) * | 1998-11-02 | 2000-09-12 | Read-Rite Corporation | CPP magnetoresistive device and method for making same |
US6198609B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-03-06 | Read-Rite Corporation | CPP Magnetoresistive device with reduced edge effect and method for making same |
US6542342B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-04-01 | Nec Corporation | Magnetoresistive effect transducer having longitudinal bias layer directly connected to free layer |
US6567246B1 (en) * | 1999-03-02 | 2003-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element and method for producing the same, and magnetoresistance effect type head, magnetic recording apparatus, and magnetoresistance effect memory element |
US6134089A (en) * | 1999-03-11 | 2000-10-17 | Read-Rite Corporation | Current perpendicular to plane magnetoresistive device with low resistance lead |
US6181537B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction structure with junction layer embedded in amorphous ferromagnetic layers |
US6433970B1 (en) | 1999-06-07 | 2002-08-13 | Read-Rite Corporation | Structure and method for redeposition free thin film CPP read sensor fabrication |
US6292335B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-09-18 | International Business Machines Corporation | Continuous junction spin valve read head stabilized without hard bias layers |
US6381094B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-04-30 | Hardayal Singh Gill | Shield structure with a heat sink layer for dissipating heat from a read sensor |
US6204071B1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-03-20 | Headway Technologies, Inc. | Method of fabrication of striped magnetoresistive (SMR) and dual stripe magnetoresistive (DSMR) heads with anti-parallel exchange configuration |
US6385017B1 (en) | 1999-09-30 | 2002-05-07 | Headway Technologies, Inc. | Continuous free layer spin valve sensor with patterned exchange underlayer stabilization |
US6381105B1 (en) | 1999-10-22 | 2002-04-30 | Read-Rite Corporation | Hybrid dual spin valve sensor and method for making same |
US6519119B1 (en) | 1999-11-03 | 2003-02-11 | Seagate Technology, Llc | Structure for current perrpendicular to plane giant magnetoresistive read heads |
US6770382B1 (en) | 1999-11-22 | 2004-08-03 | Headway Technologies, Inc. | GMR configuration with enhanced spin filtering |
US6460243B1 (en) | 1999-11-22 | 2002-10-08 | International Business Machines Corporation | Method of making low stress and low resistance rhodium (RH) leads |
US6480365B1 (en) * | 1999-12-09 | 2002-11-12 | International Business Machines Corporation | Spin valve transistor using a magnetic tunnel junction |
US6233172B1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-05-15 | Motorola, Inc. | Magnetic element with dual magnetic states and fabrication method thereof |
US6643103B1 (en) * | 2000-01-05 | 2003-11-04 | Seagate Technology Llc | Very high linear resolution CPP differential dual spin valve magnetoresistive head |
US6807032B1 (en) | 2000-02-04 | 2004-10-19 | Seagate Technology Llc | Magnetic read head wherein the shields are used as electrical leads and have a minimized anisotropic magneto-resistance effect |
US6621664B1 (en) | 2000-02-28 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Perpendicular recording head having integrated read and write portions |
US6396668B1 (en) | 2000-03-24 | 2002-05-28 | Seagate Technology Llc | Planar double spin valve read head |
US6717770B1 (en) | 2000-03-24 | 2004-04-06 | Seagate Technology Llc | Recording head for applying a magnetic field perpendicular to the magnetizations within magnetic storage media |
US6466419B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-15 | Seagate Technology Llc | Current perpendicular to plane spin valve head |
US6700760B1 (en) | 2000-04-27 | 2004-03-02 | Seagate Technology Llc | Tunneling magnetoresistive head in current perpendicular to plane mode |
JP2001312803A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法 |
US6587317B2 (en) * | 2000-05-03 | 2003-07-01 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor having a pinned layer structure composed of cobalt iron vanadium (CoFeV) |
US6496334B1 (en) * | 2000-05-26 | 2002-12-17 | Read-Rite Corportion | Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having planarized extra gap and shield layers and method of fabrication thereof |
US6982854B2 (en) | 2000-06-22 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect head comprising the same, and magnetic recording/reproducing apparatus |
JP2002025017A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
JP2002025018A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
JP3562447B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2004-09-08 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
US6914749B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-07-05 | Seagate Technology Llc | Magnetic anisotropy of soft-underlayer induced by magnetron field |
US6512660B1 (en) | 2000-08-07 | 2003-01-28 | Tdk Corporation | Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read head with longitudinal or transverse bias provided by current |
US6680827B2 (en) | 2000-08-07 | 2004-01-20 | Tdk Corporation | Dual spin valve CPP MR with flux guide between free layers thereof |
US6563679B1 (en) | 2000-08-08 | 2003-05-13 | Tdk Corporation | Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read heads with transverse magnetic bias |
US20020036876A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-28 | Yasuhiro Kawawake | Magnetoresistive element, method for manufacturing the same, and magnetic device using the same |
JP3647736B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
US6885527B1 (en) * | 2000-10-26 | 2005-04-26 | Headway Technologies, Inc. | Process to manufacture a top spin valve |
JP2002150512A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-24 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
JP3995072B2 (ja) | 2000-11-16 | 2007-10-24 | 富士通株式会社 | Cpp構造スピンバルブヘッド |
JP2002163809A (ja) | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
JP3760095B2 (ja) | 2000-12-14 | 2006-03-29 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 2素子型再生センサ、垂直磁気記録再生用薄膜磁気ヘッド及び垂直磁気記録再生装置 |
US6724583B2 (en) | 2000-12-19 | 2004-04-20 | Seagate Technology Llc | Adjustable permanent magnet bias |
US6654209B2 (en) | 2001-01-10 | 2003-11-25 | Seagate Technology Llc | Low resistance lead structure for a low resistance magnetic read head |
US6724582B2 (en) | 2001-01-19 | 2004-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current perpendicular to plane type magnetoresistive device, magnetic head, and magnetic recording/reproducing apparatus |
US6809900B2 (en) | 2001-01-25 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | Write head with magnetization controlled by spin-polarized electron current |
US6905780B2 (en) * | 2001-02-01 | 2005-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Current-perpendicular-to-plane-type magnetoresistive device, and magnetic head and magnetic recording-reproducing apparatus using the same |
US6798623B2 (en) | 2001-02-08 | 2004-09-28 | Seagate Technology Llc | Biased CPP sensor using spin-momentum transfer |
JP3583079B2 (ja) | 2001-03-26 | 2004-10-27 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置 |
US6704175B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-09 | Tdk Corporation | Current perpendicular-to-the-plane magnetoresistance read head |
US20020145832A1 (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-10 | Seagate Technology Llc | Perpendicular magnetic recording head with soft underlayer biasing |
JP4282249B2 (ja) | 2001-04-13 | 2009-06-17 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果型素子およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置ならびに磁気ディスク装置 |
JP3563375B2 (ja) * | 2001-06-19 | 2004-09-08 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出素子及び前記磁気検出素子を用いた薄膜磁気ヘッド |
JP4043438B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-02-06 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 高度異方性メディア用の書き込みヘッド |
JP2003045007A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド |
US6636389B2 (en) | 2001-08-03 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | GMR magnetic transducer with nano-oxide exchange coupled free layers |
JP3937388B2 (ja) | 2001-08-10 | 2007-06-27 | 富士通株式会社 | 磁気センサ及び磁気ヘッド |
JP3971140B2 (ja) | 2001-08-14 | 2007-09-05 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気ヘッド及びヘッドサスペンションアセンブリ |
JP3877985B2 (ja) * | 2001-08-15 | 2007-02-07 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗ヘッド及びその製造方法 |
US6661620B2 (en) | 2001-08-28 | 2003-12-09 | Seagate Technology Llc | Differential CPP sensor |
US7587809B2 (en) * | 2001-09-12 | 2009-09-15 | Seagate Technology Llc | Method for forming a MR reader with reduced shield topography and low parasitic resistance |
JP3958947B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2007-08-15 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出素子及びその製造方法 |
US6888703B2 (en) * | 2001-09-17 | 2005-05-03 | Headway Technologies, Inc. | Multilayered structures comprising magnetic nano-oxide layers for current perpindicular to plane GMR heads |
US6636400B2 (en) | 2001-09-18 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive head having improved hard biasing characteristics through the use of a multi-layered seed layer including an oxidized tantalum layer and a chromium layer |
US6731477B2 (en) | 2001-09-20 | 2004-05-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-plane spin-valve sensor with metallic oxide barrier layer and method of fabrication |
JP2003152239A (ja) * | 2001-11-12 | 2003-05-23 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッド並びにドライブ |
US6624985B1 (en) | 2002-01-07 | 2003-09-23 | International Business Machines Corporation | Pinning layer seeds for CPP geometry spin valve sensors |
US6856493B2 (en) * | 2002-03-21 | 2005-02-15 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with in-stack biased free layer and antiparallel (AP) pinned layer pinned without a pinning layer |
JP2003318460A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
US6953601B2 (en) * | 2002-06-11 | 2005-10-11 | Headway Technologies, Inc. | Synthetic free layer for CPP GMR |
US6683762B2 (en) | 2002-06-11 | 2004-01-27 | Headway Technologies, Inc. | CPP GMR device with inverse GMR material |
US6713800B2 (en) * | 2002-06-27 | 2004-03-30 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor with reduced side-reading effect |
JP4487472B2 (ja) | 2002-07-05 | 2010-06-23 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果素子、及びこれを備える磁気ヘッド、磁気記録装置、磁気メモリ |
US7133264B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-11-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | High resistance sense current perpendicular-to-plane (CPP) giant magnetoresistive (GMR) head |
US20050099737A1 (en) * | 2002-10-09 | 2005-05-12 | Fujitsu Limited | Current-perpendicular-to-the-plane structure magnetoresistive element and head slider including the same |
US6903904B2 (en) * | 2002-10-22 | 2005-06-07 | Headway Technologies, Inc. | CPP GMR synthetic spin valve enhancement |
JP2004193439A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
US7016163B2 (en) * | 2003-02-20 | 2006-03-21 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensor |
US6998150B2 (en) * | 2003-03-12 | 2006-02-14 | Headway Technologies, Inc. | Method of adjusting CoFe free layer magnetostriction |
JP4316508B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2009-08-19 | 富士通株式会社 | Cpp構造磁気抵抗効果素子およびヘッドスライダ |
US6873501B2 (en) * | 2003-04-03 | 2005-03-29 | Headway Technologies, Inc. | CPP spin valve head with bias point control |
JP3961497B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2007-08-22 | アルプス電気株式会社 | Cpp型巨大磁気抵抗効果ヘッド |
US6987650B2 (en) * | 2003-05-22 | 2006-01-17 | Headway Technologies, Inc. | Device with thermoelectric cooling |
US6759084B1 (en) | 2003-06-05 | 2004-07-06 | Headway Technologies, Inc. | Process to form NOL structure for CPP GMR |
US7394086B2 (en) * | 2003-07-18 | 2008-07-01 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor and manufacturing method therefor |
US7330339B2 (en) * | 2003-07-25 | 2008-02-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Structure providing enhanced self-pinning for CPP GMR and tunnel valve heads |
JP2005078750A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Toshiba Corp | 磁気記録再生装置 |
US7075758B2 (en) * | 2003-09-08 | 2006-07-11 | Headway Technologies, Inc. | Supplementary shield for CPP GMR read head |
JP2005086112A (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-31 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、および磁気再生装置 |
JP2005136309A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアッセンブリ、磁気再生装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、および、磁気抵抗効果素子製造装置 |
US7016160B2 (en) | 2003-11-18 | 2006-03-21 | Seagate Technology Llc | Differential CPP reader for perpendicular magnetic recording |
US7118680B2 (en) * | 2003-11-20 | 2006-10-10 | Headway Technologies, Inc. | Self-alignment scheme for enhancement of CPP-GMR |
US7016168B2 (en) * | 2003-11-20 | 2006-03-21 | Headway Technologies, Inc. | Method of increasing CPP GMR in a spin valve structure |
US7093347B2 (en) * | 2003-12-05 | 2006-08-22 | Seagate Technology Llc | Method of making a current-perpendicular to the plane (CPP) magnetoresistive (MR) sensor |
US7279269B2 (en) * | 2003-12-12 | 2007-10-09 | Headway Technologies, Inc. | CPP head with parasitic shunting reduction |
US7141314B2 (en) * | 2004-02-25 | 2006-11-28 | Headway Technologies, Inc. | CPP GMR and magnetostriction improvement by laminating Co90Fe10 free layer with thin Fe50Co50 layers |
US7180716B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-02-20 | Headway Technologies, Inc. | Fabrication method for an in-stack stabilized synthetic stitched CPP GMR head |
US7323215B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-01-29 | Headway Technologies, Inc. | Free layer design for CPP GMR enhancement |
US7390529B2 (en) * | 2004-05-26 | 2008-06-24 | Headway Technologies, Inc. | Free layer for CPP GMR having iron rich NiFe |
US7242556B2 (en) * | 2004-06-21 | 2007-07-10 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | CPP differential GMR sensor having antiparallel stabilized free layers for perpendicular recording |
US7436632B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-10-14 | Seagate Technology Llc | Differential/dual CPP recording head |
US7331100B2 (en) * | 2004-07-07 | 2008-02-19 | Headway Technologies, Inc. | Process of manufacturing a seed/AFM combination for a CPP GMR device |
US7288281B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-10-30 | Headway Technologies, Inc. | CPP spin valve with ultra-thin CoFe(50%) laminations |
US7382589B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-06-03 | Headway Technologies, Inc. | CPP with elongated pinned layer |
US7352543B2 (en) * | 2005-01-26 | 2008-04-01 | Headway Technologies, Inc. | Ta based bilayer seed for IrMn CPP spin valve |
US7355823B2 (en) * | 2005-01-26 | 2008-04-08 | Head Way Technologies, Inc. | Ta based bilayer seed for IrMn CPP spin valve |
US7382584B2 (en) * | 2005-07-06 | 2008-06-03 | Headway Technologies, Inc. | Method to increase CCP-CPP GMR output by thermoelectric cooling |
US7918014B2 (en) * | 2005-07-13 | 2011-04-05 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a CPP structure with enhanced GMR ratio |
US7333306B2 (en) * | 2005-08-23 | 2008-02-19 | Headway Technologies, Inc. | Magnetoresistive spin valve sensor with tri-layer free layer |
US7583481B2 (en) * | 2005-09-23 | 2009-09-01 | Headway Technologies, Inc. | FCC-like trilayer AP2 structure for CPP GMR EM improvement |
JP2007096105A (ja) | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ |
US7639456B2 (en) * | 2005-10-06 | 2009-12-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Double mill process for patterning current perpendicular to plane (CPP) magnetoresistive devices to minimize barrier shorting and barrier damage |
JP4786331B2 (ja) | 2005-12-21 | 2011-10-05 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4514721B2 (ja) | 2006-02-09 | 2010-07-28 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶装置 |
EP1830407B1 (en) * | 2006-03-03 | 2010-12-01 | Ricoh Company, Ltd. | Magnetoresistance effect element and manufacturing method thereof |
JP2007299880A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子,および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP4550777B2 (ja) | 2006-07-07 | 2010-09-22 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気メモリ |
JP2008052885A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | 磁気センサ及び磁気ディスク装置 |
US20080112095A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Dual current-perpendicular-to-the-plane (cpp) magnetoresistive sensor with heusler alloy free layer and minimal current-induced noise |
JP2008192222A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気検出素子及びその製造方法 |
JP2008192832A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気検出素子及びその製造方法 |
JP4388093B2 (ja) | 2007-03-27 | 2009-12-24 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置 |
US8031441B2 (en) * | 2007-05-11 | 2011-10-04 | Headway Technologies, Inc. | CPP device with an enhanced dR/R ratio |
US8325449B2 (en) | 2007-08-27 | 2012-12-04 | Headway Technologies, Inc. | CPP device with improved current confining structure and process |
US7881018B2 (en) * | 2007-09-05 | 2011-02-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Differential current perpendicular to plane giant magnetoresistive sensor structure having improved robustness against spin torque noise |
US20090168235A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Kochan Ju | Enhanced cpp read sensors with lateral spin transport |
US8289663B2 (en) * | 2008-04-25 | 2012-10-16 | Headway Technologies, Inc. | Ultra low RA (resistance x area) sensors having a multilayer non-magnetic spacer between pinned and free layers |
JP5039007B2 (ja) | 2008-09-26 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 |
JP5039006B2 (ja) | 2008-09-26 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 |
JP2010080839A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置 |
SG178945A1 (en) * | 2009-09-07 | 2012-04-27 | Agency Science Tech & Res | A sensor arrangement |
US8692343B2 (en) | 2010-04-26 | 2014-04-08 | Headway Technologies, Inc. | MR enhancing layer (MREL) for spintronic devices |
US8557610B2 (en) | 2011-02-14 | 2013-10-15 | Qualcomm Incorporated | Methods of integrated shielding into MTJ device for MRAM |
US9230578B2 (en) * | 2013-12-23 | 2016-01-05 | HGST Netherlands B.V. | Multiple readers for high resolution and SNR for high areal density application |
US9263068B1 (en) * | 2014-11-05 | 2016-02-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic read head having a CPP MR sensor electrically isolated from a top shield |
US9280991B1 (en) | 2015-01-07 | 2016-03-08 | International Business Machines Corporation | TMR head design with insulative layers for shorting mitigation |
US9607635B1 (en) | 2016-04-22 | 2017-03-28 | International Business Machines Corporation | Current perpendicular-to-plane sensors having hard spacers |
US9947348B1 (en) | 2017-02-28 | 2018-04-17 | International Business Machines Corporation | Tunnel magnetoresistive sensor having leads supporting three-dimensional current flow |
US9997180B1 (en) | 2017-03-22 | 2018-06-12 | International Business Machines Corporation | Hybrid dielectric gap liner and magnetic shield liner |
US10803889B2 (en) | 2019-02-21 | 2020-10-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus with data reader sensors more recessed than servo reader sensor |
US11074930B1 (en) | 2020-05-11 | 2021-07-27 | International Business Machines Corporation | Read transducer structure having an embedded wear layer between thin and thick shield portions |
US11114117B1 (en) | 2020-05-20 | 2021-09-07 | International Business Machines Corporation | Process for manufacturing magnetic head having a servo read transducer structure with dielectric gap liner and a data read transducer structure with an embedded wear layer between thin and thick shield portions |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5390061A (en) * | 1990-06-08 | 1995-02-14 | Hitachi, Ltd. | Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head |
US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
US5159513A (en) * | 1991-02-08 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
US5287238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve magnetoresistive sensor |
US5301079A (en) * | 1992-11-17 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Current biased magnetoresistive spin valve sensor |
US5576915A (en) * | 1993-03-15 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive head with antiferromagnetic sublayers interposed between first and second spin-valve units to exchange bias inner magnetic films thereof |
-
1996
- 1996-05-24 US US08/653,322 patent/US5668688A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-20 WO PCT/US1997/008601 patent/WO1997044781A1/en not_active Application Discontinuation
- 1997-05-20 JP JP9542685A patent/JPH11509956A/ja active Pending
- 1997-05-20 AU AU30736/97A patent/AU3073697A/en not_active Abandoned
- 1997-05-20 CA CA002227798A patent/CA2227798A1/en not_active Abandoned
- 1997-05-20 CN CN97190777A patent/CN1196814A/zh active Pending
- 1997-05-20 EP EP97925665A patent/EP0840925A1/en not_active Withdrawn
- 1997-05-20 KR KR1019980700574A patent/KR19990035913A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717780B2 (en) | 2000-05-10 | 2004-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and/or multi-magnetoresistive device |
US6995960B2 (en) | 2000-09-21 | 2006-02-07 | Fujitsu Limited | Spin valve magnetoresistive sensor having CPP structure |
US7116533B2 (en) | 2000-09-21 | 2006-10-03 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive sensor |
US6876523B2 (en) | 2002-02-27 | 2005-04-05 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head, and the magnetic read-write devices, and the magnetic memory with magnetic sensors |
WO2004034382A1 (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Fujitsu Limited | Cpp構造磁気抵抗効果素子およびヘッドスライダ |
US7280322B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-10-09 | Hitachi, Ltd. | Magnetic sensor and magnetic head with the magnetic sensor |
US7253995B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head and magnetic recording/reproducing device |
US7274540B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-09-25 | Tdk Corporation | Magnetoresistive head having an MR element between a pair of shields and including first and second underlayers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2227798A1 (en) | 1997-11-27 |
US5668688A (en) | 1997-09-16 |
KR19990035913A (ko) | 1999-05-25 |
EP0840925A1 (en) | 1998-05-13 |
CN1196814A (zh) | 1998-10-21 |
AU3073697A (en) | 1997-12-09 |
WO1997044781A1 (en) | 1997-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5668688A (en) | Current perpendicular-to-the-plane spin valve type magnetoresistive transducer | |
US6262869B1 (en) | Spin valve sensor with encapsulated keeper layer and method of making | |
US5608593A (en) | Shaped spin valve type magnetoresistive transducer and method for fabricating the same incorporating domain stabilization technique | |
US7436638B1 (en) | Ferromagnetic pinning structure including a first section antiferromagnetically coupled to a pinned layer and a second section elongated relative to the first section in a stripe height direction | |
US6980403B2 (en) | Magnetic sensing element with side shield layers | |
US6185077B1 (en) | Spin valve sensor with antiferromagnetic and magnetostatically coupled pinning structure | |
US6600638B2 (en) | Corrosion resistive GMR and MTJ sensors | |
US6636389B2 (en) | GMR magnetic transducer with nano-oxide exchange coupled free layers | |
EP0611033B1 (en) | A magnetoresistive spin valve sensor and magnetic storage system incorporating such a sensor | |
US7719799B2 (en) | Magnetoresistive element, magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
US6680827B2 (en) | Dual spin valve CPP MR with flux guide between free layers thereof | |
US6721147B2 (en) | Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus | |
US6456469B1 (en) | Buffer layer of a spin valve structure | |
US20010055185A1 (en) | Spin-valve thin-film magnetic element and method for fabricating the same | |
US7218485B2 (en) | GMR element having fixed magnetic layer provided on side surface of free magnetic layer | |
US20020008948A1 (en) | Magnetic transducer and thin film magnetic head | |
CN100367352C (zh) | 磁阻磁头以及磁记录-复制装置 | |
US6452762B1 (en) | Magneto-resistive element and production method thereof, magneto-resistive head, and magnetic recording/reproducing apparatus | |
US6665153B1 (en) | Magnetoresistance element, head, sensing system, and magnetic storing system | |
JP2000315305A (ja) | 磁気再生ヘッド、磁気ヘッド組立体および磁気ディスク駆動装置並びに磁気ヘッド組立体の製造方法 | |
US6927950B2 (en) | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same, head gimbal assembly, and hard disk drive |