JPH1141792A - 温度保護回路 - Google Patents
温度保護回路Info
- Publication number
- JPH1141792A JPH1141792A JP9207359A JP20735997A JPH1141792A JP H1141792 A JPH1141792 A JP H1141792A JP 9207359 A JP9207359 A JP 9207359A JP 20735997 A JP20735997 A JP 20735997A JP H1141792 A JPH1141792 A JP H1141792A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- bipolar transistor
- schottky barrier
- barrier diode
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 価格の安いショットキーバリアダイオードを
用い、部品点数が少なく、かつ、簡単な回路で、電源装
置に用いられるメイン素子の温度保護を計り得る温度保
護回路を提供すること。 【解決手段】 電源装置１０に用いられるメイン素子の
温度保護回路において、この回路中に、設定温度を超え
ると、ショートモードで破壊するショットキーバリアダ
イオードＤ１を配設させた。
用い、部品点数が少なく、かつ、簡単な回路で、電源装
置に用いられるメイン素子の温度保護を計り得る温度保
護回路を提供すること。 【解決手段】 電源装置１０に用いられるメイン素子の
温度保護回路において、この回路中に、設定温度を超え
ると、ショートモードで破壊するショットキーバリアダ
イオードＤ１を配設させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源装置に用いら
れるメイン素子（バイポーラ・トランジスタ、ＭＯＳＦ
ＥＴなど）の温度保護回路に関するものである。
れるメイン素子（バイポーラ・トランジスタ、ＭＯＳＦ
ＥＴなど）の温度保護回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、電源装置に用いられているメイン
素子の温度保護回路は、サーミスタや温度ヒューズを用
いた回路より構成されている。このメイン素子の保護温
度は、メイン素子の接合部温度が１５０℃であることか
ら、通常、１２５℃で保護をしている。
素子の温度保護回路は、サーミスタや温度ヒューズを用
いた回路より構成されている。このメイン素子の保護温
度は、メイン素子の接合部温度が１５０℃であることか
ら、通常、１２５℃で保護をしている。
【０００３】図２に、サーミスタを用いた例を示す（サ
ーミスタは、メイン素子と密着させて実装する）。サー
ミスタＴＨ１に２５℃時、１００ＫΩとなるものを用い
た場合〔例えば、石塚電子（株）製の１０４ＧＴ〕、１
２５℃では、２．７ＫΩとなるので、抵抗Ｒ１＝Ｒ３＝
１００ＫΩ、抵抗Ｒ２＝２．７ＫΩとすれば、増幅器Ｚ
１の出力は、メイン素子の温度が１２５℃以下では、高
く（ＨＩＧＨ）なり、１２５℃を超えると、低く（ＬＯ
Ｗ）なる。
ーミスタは、メイン素子と密着させて実装する）。サー
ミスタＴＨ１に２５℃時、１００ＫΩとなるものを用い
た場合〔例えば、石塚電子（株）製の１０４ＧＴ〕、１
２５℃では、２．７ＫΩとなるので、抵抗Ｒ１＝Ｒ３＝
１００ＫΩ、抵抗Ｒ２＝２．７ＫΩとすれば、増幅器Ｚ
１の出力は、メイン素子の温度が１２５℃以下では、高
く（ＨＩＧＨ）なり、１２５℃を超えると、低く（ＬＯ
Ｗ）なる。
【０００４】すなわち、１２５℃以下では、バイポーラ
・トランジスタＱ２がオン（ＯＮ）し、バイポーラトラ
ンジスタＱ１がオン（ＯＮ）することにより入力を供給
する。一方、１２５℃を超えると、バイポーラ・トラン
ジスタＱ２がオフ（ＯＦＦ）し、バイポーラ・トランジ
スタＱ１がオフ（ＯＦＦ）することにより入力を遮断す
る。図３は、温度ヒューズを用いた例を示す（温度ヒュ
ーズは、メイン素子と密着させて実装する）。温度ヒュ
ーズＦ１に１２５℃で切断するものを用いることによ
り、メイン素子が１２５℃を超えた場合には、入力を遮
断する。
・トランジスタＱ２がオン（ＯＮ）し、バイポーラトラ
ンジスタＱ１がオン（ＯＮ）することにより入力を供給
する。一方、１２５℃を超えると、バイポーラ・トラン
ジスタＱ２がオフ（ＯＦＦ）し、バイポーラ・トランジ
スタＱ１がオフ（ＯＦＦ）することにより入力を遮断す
る。図３は、温度ヒューズを用いた例を示す（温度ヒュ
ーズは、メイン素子と密着させて実装する）。温度ヒュ
ーズＦ１に１２５℃で切断するものを用いることによ
り、メイン素子が１２５℃を超えた場合には、入力を遮
断する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のサーミスタ
を用いたものは、価格が高いことや部品点数が多くなる
などの問題があり、温度ヒューズを用いたものは、価格
が高いことやハンダ付けの時の温度で切断してしまうな
どの問題があった。本発明は、これらの問題を解消すべ
くなされたものであり、価格が安く、部品点数が少な
く、かつ、簡単な回路で、電源装置に用いられるメイン
素子の温度保護を計り得る温度保護回路を提供すること
にある。
を用いたものは、価格が高いことや部品点数が多くなる
などの問題があり、温度ヒューズを用いたものは、価格
が高いことやハンダ付けの時の温度で切断してしまうな
どの問題があった。本発明は、これらの問題を解消すべ
くなされたものであり、価格が安く、部品点数が少な
く、かつ、簡単な回路で、電源装置に用いられるメイン
素子の温度保護を計り得る温度保護回路を提供すること
にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決し得る
本発明の温度保護回路は、電源装置に用いられるメイン
素子の温度保護回路中に、設定温度を超えると、ショー
トモードで破壊するショットキーバリアダイオード（Ｄ
１）を配設させている。このように、電源装置に用いら
れるメイン素子の温度保護回路中に、設定温度を超える
と、ショートモードで破壊するショットキーバリアダイ
オード（Ｄ１）を配設させると、ショットキーバリアダ
イオード（Ｄ１）の接合部温度が１２５℃を超えると、
ショートモードで破壊し、温度保護回路への電力の入力
を遮断する。
本発明の温度保護回路は、電源装置に用いられるメイン
素子の温度保護回路中に、設定温度を超えると、ショー
トモードで破壊するショットキーバリアダイオード（Ｄ
１）を配設させている。このように、電源装置に用いら
れるメイン素子の温度保護回路中に、設定温度を超える
と、ショートモードで破壊するショットキーバリアダイ
オード（Ｄ１）を配設させると、ショットキーバリアダ
イオード（Ｄ１）の接合部温度が１２５℃を超えると、
ショートモードで破壊し、温度保護回路への電力の入力
を遮断する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明の実施の
形態を説明する。図１に示すように、抵抗Ｒ７およびシ
ョットキーバリアダイオードＤ１は、互いに、直列に接
続されているが、これらの器材Ｒ７，Ｄ１は、電源装置
１０に対して並列に接続されている。すなわち、ショッ
トキーバリアダイオードＤ１に接続していない方の抵抗
Ｒ７の接続端２３は、電源装置１０に接続している一方
の配線２１に接続し、抵抗Ｒ７に接続していない方のシ
ョットキーバリアダイオードＤ１の接続端２４は、電源
装置１０に接続している他の一方の配線２２に接続して
いる。
形態を説明する。図１に示すように、抵抗Ｒ７およびシ
ョットキーバリアダイオードＤ１は、互いに、直列に接
続されているが、これらの器材Ｒ７，Ｄ１は、電源装置
１０に対して並列に接続されている。すなわち、ショッ
トキーバリアダイオードＤ１に接続していない方の抵抗
Ｒ７の接続端２３は、電源装置１０に接続している一方
の配線２１に接続し、抵抗Ｒ７に接続していない方のシ
ョットキーバリアダイオードＤ１の接続端２４は、電源
装置１０に接続している他の一方の配線２２に接続して
いる。
【０００８】さらに、抵抗Ｒ７の接続端２３と電源装置
１０との間には、電源装置１０に対してバイポーラ・ト
ランジスタＱ３が直列に接続されている。そして、この
バイポーラ・トランジスタＱ３のベースＢに抵抗Ｒ６を
介してバイポーラ・トランジスタＱ４のコレクタＣが接
続されている。このバイポーラ・トランジスタＱ４は、
そのベースＢが、抵抗Ｒ７とショットキーバリアダイオ
ードＤ１との間に接続し、エミッタＥが上記配線２２に
接続している。上記のショットキーバリアダイオードＤ
１は、電源装置１０のメイン素子と密着させて実装され
ている。
１０との間には、電源装置１０に対してバイポーラ・ト
ランジスタＱ３が直列に接続されている。そして、この
バイポーラ・トランジスタＱ３のベースＢに抵抗Ｒ６を
介してバイポーラ・トランジスタＱ４のコレクタＣが接
続されている。このバイポーラ・トランジスタＱ４は、
そのベースＢが、抵抗Ｒ７とショットキーバリアダイオ
ードＤ１との間に接続し、エミッタＥが上記配線２２に
接続している。上記のショットキーバリアダイオードＤ
１は、電源装置１０のメイン素子と密着させて実装され
ている。
【０００９】しかして、メイン素子が１２５℃以下で
は、ショットキーバリアダイオードＤ１は、正常なの
で、バイポーラ・トランジスタＱ４がオン（ＯＮ）し、
バイポーラ・トランジスタＱ３がオン（ＯＮ）すること
により入力を供給する。メイン素子が１２５℃を超える
と、ショットキーバリアダイオードＤ１がショートする
ため、バイポーラ・トランジスタＱ４がオフ（ＯＦＦ）
し、バイポーラ・トランジスタＱ３がオフ（ＯＦＦ）す
ることにより入力を遮断する。
は、ショットキーバリアダイオードＤ１は、正常なの
で、バイポーラ・トランジスタＱ４がオン（ＯＮ）し、
バイポーラ・トランジスタＱ３がオン（ＯＮ）すること
により入力を供給する。メイン素子が１２５℃を超える
と、ショットキーバリアダイオードＤ１がショートする
ため、バイポーラ・トランジスタＱ４がオフ（ＯＦＦ）
し、バイポーラ・トランジスタＱ３がオフ（ＯＦＦ）す
ることにより入力を遮断する。
【００１０】
【発明の効果】以上のごとく、本発明によれば、サーミ
スタを用いた従来の温度保護回路に比べて部品点数がほ
ぼ半減する。その結果、回路も非常に簡単なものにな
る。そして、回路が簡単になったことと、安価なショッ
トキーバリアダイオードを用いることとが相まって価格
の安い温度保護回路を提供することができる。
スタを用いた従来の温度保護回路に比べて部品点数がほ
ぼ半減する。その結果、回路も非常に簡単なものにな
る。そして、回路が簡単になったことと、安価なショッ
トキーバリアダイオードを用いることとが相まって価格
の安い温度保護回路を提供することができる。
【図１】ショットキーバリアダイオードを用いた本発明
にかかる温度保護回路である。
にかかる温度保護回路である。
【図２】サーミスタを用いた従来の温度保護回路であ
る。
る。
【図３】温度ヒューズを用いた従来の温度保護回路であ
る。
る。
１０ 電源装置 Ｄ１ ショットキーバリアダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】 電源装置に用いられるメイン素子の温度
保護回路において、この回路中に、設定温度を超える
と、ショートモードで破壊するショットキーバリアダイ
オード（Ｄ１）を配設させたことを特徴とする温度保護
回路。 - 【請求項２】 電源装置（１０）に対して抵抗（Ｒ７）
およびショットキーバリアダイオード（Ｄ１）が並列に
接続され、電源装置（１０）の一方の配線（２２）に接
続する抵抗（Ｒ７）の接続端（２３）と電源装置（１
０）との間には、電源装置（１０）に対してバイポーラ
・トランジスタ（Ｑ３）が直列に接続され、このバイポ
ーラ・トランジスタ（Ｑ３）のベース（Ｂ）に抵抗（Ｒ
６）を介してバイポーラ・トランジスタ（Ｑ４）のコレ
クタ（Ｃ）が接続され、さらに、バイポーラ・トランジ
スタ（Ｑ４）は、そのベース（Ｂ）が抵抗（Ｒ７）とシ
ョットキーバリアダイオード（Ｄ１）との間に接続し、
バイポーラ・トランジスタ（Ｑ４）のエミッタ（Ｅ）が
電源装置（１０）の他の一方の配線（２２）に接続して
いる請求項１記載の温度保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207359A JPH1141792A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 温度保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207359A JPH1141792A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 温度保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1141792A true JPH1141792A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16538435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9207359A Pending JPH1141792A (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | 温度保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1141792A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006033970A1 (de) * | 2006-07-22 | 2008-01-24 | Braun Gmbh | Temperaturschutzschaltung zum Schutz eines elektronischen Bauelements vor Übertemperatur |
| JP2018517600A (ja) * | 2015-04-29 | 2018-07-05 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｏｎｔｉｎｅｎｔａｌ Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ＧｍｂＨ | 電子制御装置を監視する方法および自動車用の制御装置 |
| CN112234057A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 芜湖启源微电子科技合伙企业(有限合伙) | 一种带有保护结构的SiC MOSFET器件 |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP9207359A patent/JPH1141792A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006033970A1 (de) * | 2006-07-22 | 2008-01-24 | Braun Gmbh | Temperaturschutzschaltung zum Schutz eines elektronischen Bauelements vor Übertemperatur |
| JP2018517600A (ja) * | 2015-04-29 | 2018-07-05 | コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＣｏｎｔｉｎｅｎｔａｌ Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ＧｍｂＨ | 電子制御装置を監視する方法および自動車用の制御装置 |
| US10691117B2 (en) | 2015-04-29 | 2020-06-23 | Vitesco Technologies GmbH | Method for monitoring an electronic control unit and control unit for a motor vehicle |
| CN112234057A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-01-15 | 芜湖启源微电子科技合伙企业(有限合伙) | 一种带有保护结构的SiC MOSFET器件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021022 |