JPH1140475A - 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents
露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体Info
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- JPH1140475A JPH1140475A JP9193851A JP19385197A JPH1140475A JP H1140475 A JPH1140475 A JP H1140475A JP 9193851 A JP9193851 A JP 9193851A JP 19385197 A JP19385197 A JP 19385197A JP H1140475 A JPH1140475 A JP H1140475A
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子線リソグラフィ工程時間を最小限に抑え、
高いスループットが得られ、かつ高い寸法精度が得られ
る露光描画装置を提供する。 【解決手段】この露光描画装置は、マスクパターン開口
部１０を備えた露光用マスク６と、マスクパターンデー
タを記憶するバッファメモリ４と、描画パターンデータ
を記憶するデータメモリ３と、そのデータメモリ３に記
憶されている描画パターンデータを読み出して複数のパ
ターンデータ群に分割する描画パターン分割部１２と、
その描画パターン分割部１２によって分割されたパター
ンデータ群とバッファメモリ４に記憶されているマスク
パターンデータとを照合するデータ照合部１３と、一致
したパターンデータについては、対応するマスクパター
ン開口部１１を用いて露光を行い、一致しないパターン
データについては、電子線２を可変成形して露光を行う
ように制御する選択偏向部１４と、を有する。
高いスループットが得られ、かつ高い寸法精度が得られ
る露光描画装置を提供する。 【解決手段】この露光描画装置は、マスクパターン開口
部１０を備えた露光用マスク６と、マスクパターンデー
タを記憶するバッファメモリ４と、描画パターンデータ
を記憶するデータメモリ３と、そのデータメモリ３に記
憶されている描画パターンデータを読み出して複数のパ
ターンデータ群に分割する描画パターン分割部１２と、
その描画パターン分割部１２によって分割されたパター
ンデータ群とバッファメモリ４に記憶されているマスク
パターンデータとを照合するデータ照合部１３と、一致
したパターンデータについては、対応するマスクパター
ン開口部１１を用いて露光を行い、一致しないパターン
データについては、電子線２を可変成形して露光を行う
ように制御する選択偏向部１４と、を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いて半
導体基板（以下、ウェハという。）等の感光基板を露光
して、感光基板に所望の描画パターンを形成するための
露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラ
ムを記録した記録媒体に関し、特に、繰り返しパターン
が少ないＡＳＩＣ（Application Specific Integrated
Circuit）、マイクロコンピュータ等のロジックデバイ
ス等の製造に適用される露光描画装置、露光描画方法及
び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体に関す
る。
導体基板（以下、ウェハという。）等の感光基板を露光
して、感光基板に所望の描画パターンを形成するための
露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラ
ムを記録した記録媒体に関し、特に、繰り返しパターン
が少ないＡＳＩＣ（Application Specific Integrated
Circuit）、マイクロコンピュータ等のロジックデバイ
ス等の製造に適用される露光描画装置、露光描画方法及
び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体の製造において、微細パ
ターンをウェハ上に形成するリソグラフィ工程では、露
光用マスクを用いた露光方法と可変成形電子線による露
光方法が知られている。
ターンをウェハ上に形成するリソグラフィ工程では、露
光用マスクを用いた露光方法と可変成形電子線による露
光方法が知られている。
【０００３】露光用マスクを用いた露光方法は、例え
ば、特開平６ー１４０３０５号公報、特開平７ー５６３
１８号公報等に開示されているように、光源から電子線
を出射し、露光用マスクに形成されたパターン像を投影
光学系を介してウェハ上に投影して露光する方法であ
る。この露光方法は、主に、繰り返しパターンが多く存
在するＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、Ｓ
ＲＡＭ（Static Random Access Memory）等のメモリデ
バイスに適用される。
ば、特開平６ー１４０３０５号公報、特開平７ー５６３
１８号公報等に開示されているように、光源から電子線
を出射し、露光用マスクに形成されたパターン像を投影
光学系を介してウェハ上に投影して露光する方法であ
る。この露光方法は、主に、繰り返しパターンが多く存
在するＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、Ｓ
ＲＡＭ（Static Random Access Memory）等のメモリデ
バイスに適用される。
【０００４】一方、可変成形電子線による露光方法は、
主に、繰り返しパターンが少ないＡＳＩＣ、マイクロコ
ンピュータ等のロジックデバイスに適用される。図６
は、従来の可変成形電子線露光方法を説明するための説
明図である。
主に、繰り返しパターンが少ないＡＳＩＣ、マイクロコ
ンピュータ等のロジックデバイスに適用される。図６
は、従来の可変成形電子線露光方法を説明するための説
明図である。
【０００５】従来の可変成形電子線露光方法は、例え
ば、図６（Ａ）に示すように、まず、第１の可変成形用
開口部３０を備えた第１の電子線通過部材３１と、第２
の可変成形用開口部３２を備えた第２の電子線通過部材
３３とを所定の間隔を隔てて平行に配置する。次いで、
第１の電子線通過部材３１と第２の電子線通過部材３３
とを水平方向に相対移動させ、図６（Ｂ）に示すよう
に、第１の可変成形用開口部３０及び第２の可変成形用
開口部３２によって成形される矩形電子線３４を用いて
所望の描画パターンを順次露光する。その際、描画パタ
ーンを成形される電子線の最大照射領域３５（図６
（Ｃ）参照）より狭いパターンに分割しなければならな
い。
ば、図６（Ａ）に示すように、まず、第１の可変成形用
開口部３０を備えた第１の電子線通過部材３１と、第２
の可変成形用開口部３２を備えた第２の電子線通過部材
３３とを所定の間隔を隔てて平行に配置する。次いで、
第１の電子線通過部材３１と第２の電子線通過部材３３
とを水平方向に相対移動させ、図６（Ｂ）に示すよう
に、第１の可変成形用開口部３０及び第２の可変成形用
開口部３２によって成形される矩形電子線３４を用いて
所望の描画パターンを順次露光する。その際、描画パタ
ーンを成形される電子線の最大照射領域３５（図６
（Ｃ）参照）より狭いパターンに分割しなければならな
い。
【０００６】例えば、図７に示すような描画パターンを
可変成形電子線を用いて露光する楊合、矩形分割ライン
３６を用いて、最大照射領域３５より狭い矩形パターン
群に分割し、この矩形パターンを順次露光する。この例
では、所望の描画パターンは３３個の矩形パターン群に
分割され、第１の可変成形用開口部３０と第２の可変成
形用開口部３２とにより、各矩形パターンに応じた矩形
電子線３４を成形し、その成形した電子線３４により順
次露光する。
可変成形電子線を用いて露光する楊合、矩形分割ライン
３６を用いて、最大照射領域３５より狭い矩形パターン
群に分割し、この矩形パターンを順次露光する。この例
では、所望の描画パターンは３３個の矩形パターン群に
分割され、第１の可変成形用開口部３０と第２の可変成
形用開口部３２とにより、各矩形パターンに応じた矩形
電子線３４を成形し、その成形した電子線３４により順
次露光する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、ロジックデパイ
スの多品種化、少量生産化に伴い、デパイス製造期間の
短時間化が要求されており、電子線リソグラフィ工程時
間を最小限に抑えることが必要になっている。
スの多品種化、少量生産化に伴い、デパイス製造期間の
短時間化が要求されており、電子線リソグラフィ工程時
間を最小限に抑えることが必要になっている。
【０００８】しかし、ロジックデバイスの製造に適用さ
れる可変成形電子線による露光方法では、上述したよう
に、所望の描画パターンを最大照射領域より狭い矩形パ
ターン群に分割し、順次電子線露光が行われるため、分
割されるパターン群の数が多くなる。その結果、電子線
リソグラフィ工程時間が大幅に増加し、スループットが
低下するという問題がある。
れる可変成形電子線による露光方法では、上述したよう
に、所望の描画パターンを最大照射領域より狭い矩形パ
ターン群に分割し、順次電子線露光が行われるため、分
割されるパターン群の数が多くなる。その結果、電子線
リソグラフィ工程時間が大幅に増加し、スループットが
低下するという問題がある。
【０００９】また、複雑な描画パターンの場合、細かく
分割しなければならないので、全体の寸法誤差が大きく
なり、描画寸法精度が低下するという問題がある。
分割しなければならないので、全体の寸法誤差が大きく
なり、描画寸法精度が低下するという問題がある。
【００１０】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、電子線リソグラフィ工程時間を最小限
に抑え、高いスループットが得られ、かつ高い寸法精度
が得られる露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処
理プログラムを記録した記録媒体を提供することを目的
とする。
れたものであり、電子線リソグラフィ工程時間を最小限
に抑え、高いスループットが得られ、かつ高い寸法精度
が得られる露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処
理プログラムを記録した記録媒体を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の露光描画装置
は、電子線を用いて感光基板を露光し、その感光基板に
描画パターンを形成する露光描画装置であって、マスク
パターン開口部を備えた露光用マスクと、マスクパター
ンデータを記憶するマスクパターン記憶手段と、描画パ
ターンデータを記憶する描画パターン記憶手段と、その
描画パターン記憶手段に記憶されている描画パターンデ
ータを読み出して複数のパターンデータ群に分割する描
画パターン分割手段と、その描画パターン分割手段によ
って分割されたパターンデータ群とマスクパターン記憶
手段に記憶されているマスクパターンデータとを照合
し、一致したパターンデータについては、対応するマス
クパターン開口部を用いて露光を行い、一致しないパタ
ーンデータについては、電子線を可変成形して露光を行
うように制御する制御手段と、を有する。
は、電子線を用いて感光基板を露光し、その感光基板に
描画パターンを形成する露光描画装置であって、マスク
パターン開口部を備えた露光用マスクと、マスクパター
ンデータを記憶するマスクパターン記憶手段と、描画パ
ターンデータを記憶する描画パターン記憶手段と、その
描画パターン記憶手段に記憶されている描画パターンデ
ータを読み出して複数のパターンデータ群に分割する描
画パターン分割手段と、その描画パターン分割手段によ
って分割されたパターンデータ群とマスクパターン記憶
手段に記憶されているマスクパターンデータとを照合
し、一致したパターンデータについては、対応するマス
クパターン開口部を用いて露光を行い、一致しないパタ
ーンデータについては、電子線を可変成形して露光を行
うように制御する制御手段と、を有する。
【００１２】本発明によれば、描画パターンに関する描
画パターンデータを複数のパターンデータ群に分割し、
分割されたパターンデータ群と露光用マスクに形成され
たマスクパターン開口部に関するマスクパターンデータ
とを照合し、一致したパターンデータについては、対応
したマスクパターン開口部を用いて露光を行い、一致し
ないパターンデータについては、電子線を可変成形して
露光を行うので、分割されるパターン群の数が少なくな
る。
画パターンデータを複数のパターンデータ群に分割し、
分割されたパターンデータ群と露光用マスクに形成され
たマスクパターン開口部に関するマスクパターンデータ
とを照合し、一致したパターンデータについては、対応
したマスクパターン開口部を用いて露光を行い、一致し
ないパターンデータについては、電子線を可変成形して
露光を行うので、分割されるパターン群の数が少なくな
る。
【００１３】本発明の露光描画装置は又、電子線を用い
て感光基板を露光し、その感光基板に描画パターンを形
成する露光描画装置であって、第１の可変成形用開口部
を備えた第１の電子線通過部材と、その第１の電子線通
過部材と所定間隔を隔てて配置され、第２の可変成形用
開口部及びマスクパターン開口部を備えた第２の電子線
通過部材と、マスクパターンデータを記憶するマスクパ
ターン記憶手段と、描画パターンデータを記憶する描画
パターン記憶手段と、その描画パターン記憶手段に記憶
されている描画パターンデータを読み出して複数のパタ
ーンデータ群に分割する描画パターン分割手段と、その
描画パターン分割手段によって分割されたパターンデー
タ群とマスクパターン記憶手段に記憶されているマスク
パターンデータとを照合し、一致したパターンデータに
ついては、対応するマスクパターン開口部を用いて露光
を行い、一致しないパターンデータについては、第１の
可変成形用開口部及び第２の可変成形用開口部によって
電子線を可変成形して露光を行うように制御する制御手
段と、を有する。
て感光基板を露光し、その感光基板に描画パターンを形
成する露光描画装置であって、第１の可変成形用開口部
を備えた第１の電子線通過部材と、その第１の電子線通
過部材と所定間隔を隔てて配置され、第２の可変成形用
開口部及びマスクパターン開口部を備えた第２の電子線
通過部材と、マスクパターンデータを記憶するマスクパ
ターン記憶手段と、描画パターンデータを記憶する描画
パターン記憶手段と、その描画パターン記憶手段に記憶
されている描画パターンデータを読み出して複数のパタ
ーンデータ群に分割する描画パターン分割手段と、その
描画パターン分割手段によって分割されたパターンデー
タ群とマスクパターン記憶手段に記憶されているマスク
パターンデータとを照合し、一致したパターンデータに
ついては、対応するマスクパターン開口部を用いて露光
を行い、一致しないパターンデータについては、第１の
可変成形用開口部及び第２の可変成形用開口部によって
電子線を可変成形して露光を行うように制御する制御手
段と、を有する。
【００１４】上記マスクパターン開口部は複数有しても
よく、また、上記制御手段は、電子線を偏向することに
より制御してもよい。
よく、また、上記制御手段は、電子線を偏向することに
より制御してもよい。
【００１５】本発明の露光描画方法は、電子線を用いて
感光基板を露光し、その感光基板に描画パターンを形成
する露光描画方法であって、（１）描画パターンに関す
る描画パターンデータを複数のパターンデータ群に分割
する工程と、（２）分割されたパターンデータ群と露光
用マスクに形成されたマスクパターン開口部に関するマ
スクパターンデータとを照合する工程と、（３）照合し
た結果、一致したパターンデータについては、対応する
マスクパターン開口部を用いて露光を行い、一致しない
パターンデータについては、電子線を可変成形して露光
を行うように制御する工程と、を有することを特徴とす
るものである。
感光基板を露光し、その感光基板に描画パターンを形成
する露光描画方法であって、（１）描画パターンに関す
る描画パターンデータを複数のパターンデータ群に分割
する工程と、（２）分割されたパターンデータ群と露光
用マスクに形成されたマスクパターン開口部に関するマ
スクパターンデータとを照合する工程と、（３）照合し
た結果、一致したパターンデータについては、対応する
マスクパターン開口部を用いて露光を行い、一致しない
パターンデータについては、電子線を可変成形して露光
を行うように制御する工程と、を有することを特徴とす
るものである。
【００１６】本発明の記録媒体は、電子線を用いて感光
基板を露光し、その感光基板に描画パターンを形成する
ための露光描画処理プログラムを記録した記録媒体であ
って、描画パターンに関する描画パターンデータを複数
のパターンデータ群に分割する処理と、分割されたパタ
ーンデータ群と露光用マスクに形成されたマスクパター
ン開口部に関するマスクパターンデータとを照合する処
理と、照合した結果、一致したパターンデータについて
は、対応するマスクパターン開口部を用いて露光を行
い、一致しないパターンデータについては、電子線を可
変成形して露光を行うように制御する処理と、をコンピ
ュータに実行させるためのプログラムを記憶したことを
特徴とするものである。
基板を露光し、その感光基板に描画パターンを形成する
ための露光描画処理プログラムを記録した記録媒体であ
って、描画パターンに関する描画パターンデータを複数
のパターンデータ群に分割する処理と、分割されたパタ
ーンデータ群と露光用マスクに形成されたマスクパター
ン開口部に関するマスクパターンデータとを照合する処
理と、照合した結果、一致したパターンデータについて
は、対応するマスクパターン開口部を用いて露光を行
い、一致しないパターンデータについては、電子線を可
変成形して露光を行うように制御する処理と、をコンピ
ュータに実行させるためのプログラムを記憶したことを
特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明の露光描画装
置を示す構成図である。
を参照しながら説明する。図１は、本発明の露光描画装
置を示す構成図である。
【００１８】図１に示すように、本発明の露光描画装置
は、電子銃１から出射される電子線２を用いて、ウェハ
Ｗを露光し、ウェハＷに所望の描画パターンを形成する
ものである。この露光描画装置は、描画パターンデータ
を記憶するデータメモリ３と、マスクパターンデータを
記憶するバッファメモリ４と、平板状の第１の電子線通
過部材５と、平板状の第２の電子線通過部材６と、第１
の電子線通過部材５と第２の電子線通過部材６との間に
配置され、第１の電子線通過部材５を通過した電子線２
を偏向する偏向器７と、データメモリ３及びバッファメ
モリ４に記憶されているデータに基づいて、偏向器７に
よる電子線偏向を制御する制御部８と、を有する。
は、電子銃１から出射される電子線２を用いて、ウェハ
Ｗを露光し、ウェハＷに所望の描画パターンを形成する
ものである。この露光描画装置は、描画パターンデータ
を記憶するデータメモリ３と、マスクパターンデータを
記憶するバッファメモリ４と、平板状の第１の電子線通
過部材５と、平板状の第２の電子線通過部材６と、第１
の電子線通過部材５と第２の電子線通過部材６との間に
配置され、第１の電子線通過部材５を通過した電子線２
を偏向する偏向器７と、データメモリ３及びバッファメ
モリ４に記憶されているデータに基づいて、偏向器７に
よる電子線偏向を制御する制御部８と、を有する。
【００１９】第１の電子線通過部材５は、その略中央部
に方形状の第１の可変成形用開口部９が形成される。
に方形状の第１の可変成形用開口部９が形成される。
【００２０】第２の電子線通過部材６は、第１の電子線
通過部材５と所定間隔を隔てて平行に配置される。図３
は、第２の電子線通過部材６を示す平面図である。図３
に示すように、第２の電子線通過部材６は、その略中央
部に方形状の第２の可変成形用開口部１０が形成され、
その第２の可変成形用開口部１０の周囲に、５つの異な
る形状のマスクパターン開口部１１ａ、１１ｂ、１１
ｃ、１１ｄ、１１ｅが形成される。
通過部材５と所定間隔を隔てて平行に配置される。図３
は、第２の電子線通過部材６を示す平面図である。図３
に示すように、第２の電子線通過部材６は、その略中央
部に方形状の第２の可変成形用開口部１０が形成され、
その第２の可変成形用開口部１０の周囲に、５つの異な
る形状のマスクパターン開口部１１ａ、１１ｂ、１１
ｃ、１１ｄ、１１ｅが形成される。
【００２１】偏向器７は、一対の偏向電極板７ａ、７ｂ
を有し、偏向電極板７ａ、７ｂ間の電界を利用して電子
線２の進行方向を曲げる。なお、偏向器７は、磁界を利
用して電子線２を偏向するようにしてもよい。
を有し、偏向電極板７ａ、７ｂ間の電界を利用して電子
線２の進行方向を曲げる。なお、偏向器７は、磁界を利
用して電子線２を偏向するようにしてもよい。
【００２２】制御部８は、データメモリ３に記憶されて
いる描画パターンデータを読み出して複数のパターンデ
ータ群に分割する描画パターン分割部１２と、描画パタ
ーン分割部１２によって分割されたパターンデータ群と
バッファメモリ４に記憶されているマスクパターンデー
タとを照合するデータ照合部１３と、データ照合部１３
による照合の結果、一致したパターンデータについて
は、マスクパターン開口部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１
１ｄ、１１ｅのうち対応する開口部を用いて露光を行
い、一致しないパターンデータについては、第１の可変
成形用開口部９及び第２の可変成形用開口部１０によっ
て電子線２を可変成形して露光を行うように偏向器７を
制御する選択偏向部１４と、を有する。
いる描画パターンデータを読み出して複数のパターンデ
ータ群に分割する描画パターン分割部１２と、描画パタ
ーン分割部１２によって分割されたパターンデータ群と
バッファメモリ４に記憶されているマスクパターンデー
タとを照合するデータ照合部１３と、データ照合部１３
による照合の結果、一致したパターンデータについて
は、マスクパターン開口部１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１
１ｄ、１１ｅのうち対応する開口部を用いて露光を行
い、一致しないパターンデータについては、第１の可変
成形用開口部９及び第２の可変成形用開口部１０によっ
て電子線２を可変成形して露光を行うように偏向器７を
制御する選択偏向部１４と、を有する。
【００２３】ウェハＷは、ウェハＷを露光位置に移動さ
せ位置決めするためのウェハステージ（図示せず）上に
載置される。
せ位置決めするためのウェハステージ（図示せず）上に
載置される。
【００２４】電子銃１から出射された電子線２は、第１
の電子線通過部材５の第１の可変成形用開口部９を通過
し、制御部８の選択偏向部１４によって制御される偏向
器７により偏向され、第２の電子線通過部材６の第２の
可変成形用開口部１０、５つのマスクパターン開口部１
１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅのうち選択され
た開口部を通過した後、ウェハＷ上に照射される。
の電子線通過部材５の第１の可変成形用開口部９を通過
し、制御部８の選択偏向部１４によって制御される偏向
器７により偏向され、第２の電子線通過部材６の第２の
可変成形用開口部１０、５つのマスクパターン開口部１
１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅのうち選択され
た開口部を通過した後、ウェハＷ上に照射される。
【００２５】次に、本発明の露光描画装置の動作を説明
する。図２は、本発明の露光描画装置の動作を説明する
ためのフローチャートである。
する。図２は、本発明の露光描画装置の動作を説明する
ためのフローチャートである。
【００２６】まず、データメモリ３に記憶されている描
画パターンに関する描画パターンデータを読み出す（ス
テップＳ１）。
画パターンに関する描画パターンデータを読み出す（ス
テップＳ１）。
【００２７】次いで、描画パターン分割部１２によっ
て、読み出した描画パターンデータを複数のパターンデ
ータ群に分割する（ステップＳ２）。
て、読み出した描画パターンデータを複数のパターンデ
ータ群に分割する（ステップＳ２）。
【００２８】次いで、バッファメモリ４に記憶されてい
るマスクパターンデータを読み出して（ステップＳ
３）、描画パターン分割部１２によって分割されたパタ
ーンデータ群とマスクパターンデータとが一致するか否
かをデータ照合部１３で照合する（ステップＳ４）。
るマスクパターンデータを読み出して（ステップＳ
３）、描画パターン分割部１２によって分割されたパタ
ーンデータ群とマスクパターンデータとが一致するか否
かをデータ照合部１３で照合する（ステップＳ４）。
【００２９】次いで、データ照合部１３による照合の結
果、一致したパターンデータについては、対応するマス
クパターン開口部１１を用いて露光を行うように、選択
偏向部１４は偏向器７を制御して、電子線２を偏向する
（ステップＳ５）。
果、一致したパターンデータについては、対応するマス
クパターン開口部１１を用いて露光を行うように、選択
偏向部１４は偏向器７を制御して、電子線２を偏向する
（ステップＳ５）。
【００３０】一致しないパターンデータについては、第
１の可変成形用開口部９及び第２の可変成形用開口部１
０によって電子線２を可変成形して露光を行うように、
選択偏向部１４は偏向器７を制御して、電子線２を偏向
する（ステップＳ６）。
１の可変成形用開口部９及び第２の可変成形用開口部１
０によって電子線２を可変成形して露光を行うように、
選択偏向部１４は偏向器７を制御して、電子線２を偏向
する（ステップＳ６）。
【００３１】ウェハＷの露光が終了されるまで上記動作
は繰り返される（ステップＳ７）。
は繰り返される（ステップＳ７）。
【００３２】なお、上記データの照合は、電子線２によ
る露光前に全ての所望のマスクパターンに対して処理し
てもよく、また、実際の露光中に順次照合しながら処理
してもよい。
る露光前に全ての所望のマスクパターンに対して処理し
てもよく、また、実際の露光中に順次照合しながら処理
してもよい。
【００３３】露光終了後は、現像工程、外観チェック工
程が行われる。
程が行われる。
【００３４】図４は、本発明により描画パターンを分割
した状態を説明するための説明図である。例えば、図４
に示すような描画パターンを電子線露光する場合、分割
されたパターン群のうち、パターンＰ１はマスクパター
ン開口部１１ａによって、パターンＰ２はマスクパター
ン開口部１１ｂによって、パターンＰ３はマスクパター
ン開口部１１ｃによって、パターンＰ４はマスクパター
ン開口部１１ｄによって、パターンＰ５はマスクパター
ン開口部１１ｅによってそれぞれ露光される。
した状態を説明するための説明図である。例えば、図４
に示すような描画パターンを電子線露光する場合、分割
されたパターン群のうち、パターンＰ１はマスクパター
ン開口部１１ａによって、パターンＰ２はマスクパター
ン開口部１１ｂによって、パターンＰ３はマスクパター
ン開口部１１ｃによって、パターンＰ４はマスクパター
ン開口部１１ｄによって、パターンＰ５はマスクパター
ン開口部１１ｅによってそれぞれ露光される。
【００３５】また、マスクパターンと一致しないその他
のパターンＰ６は、第２の可変成形用開口部１０によっ
て電子線２を可変成形して露光される。電子線２を可変
成形するために、例えば、第１の電子線通過部材５と第
２の電子線通過部材６とを水平方向に相対移動させる。
のパターンＰ６は、第２の可変成形用開口部１０によっ
て電子線２を可変成形して露光される。電子線２を可変
成形するために、例えば、第１の電子線通過部材５と第
２の電子線通過部材６とを水平方向に相対移動させる。
【００３６】図４に示す所望の描画パターンは、従来技
術では３３回の電子線照射を繰り返す必要があったが、
本発明では、１７回の電子線照射回数で露光される。
術では３３回の電子線照射を繰り返す必要があったが、
本発明では、１７回の電子線照射回数で露光される。
【００３７】本発明によれば、描画パターンに関する描
画パターンデータを複数のパターンデータ群に分割し、
分割されたパターンデータ群と第２の電子線通過部材６
に形成されたマスクパターン開口部１１に関するマスク
パターンデータとを照合し、一致したパターンデータに
ついては、対応するマスクパターン開口部１１を用いて
露光を行い、一致しないパターンデータについては、電
子線２を可変成形して露光を行うので、分割されるパタ
ーン群の数が少なくなり、電子線リソグラフィ工程時間
が減少し、スループットが向上する。
画パターンデータを複数のパターンデータ群に分割し、
分割されたパターンデータ群と第２の電子線通過部材６
に形成されたマスクパターン開口部１１に関するマスク
パターンデータとを照合し、一致したパターンデータに
ついては、対応するマスクパターン開口部１１を用いて
露光を行い、一致しないパターンデータについては、電
子線２を可変成形して露光を行うので、分割されるパタ
ーン群の数が少なくなり、電子線リソグラフィ工程時間
が減少し、スループットが向上する。
【００３８】また、複雑な描画パターンであっても、分
割されるパターン群の数が少なくなるので、全体の寸法
誤差が小さくなり、描画寸法精度が向上する。
割されるパターン群の数が少なくなるので、全体の寸法
誤差が小さくなり、描画寸法精度が向上する。
【００３９】図５は、本発明の他の形態を示す構成図で
ある。図５に示すように、本発明の他の形態は、上記説
明された露光描画処理をコンピュータに実行させるため
のプログラム（露光描画処理プログラム）を記録した記
録媒体２０を有する。この記録媒体２０は、磁気ディス
ク、ＣＤ−ＲＯＭ、半導体メモリその他の記録媒体であ
ってもよい。
ある。図５に示すように、本発明の他の形態は、上記説
明された露光描画処理をコンピュータに実行させるため
のプログラム（露光描画処理プログラム）を記録した記
録媒体２０を有する。この記録媒体２０は、磁気ディス
ク、ＣＤ−ＲＯＭ、半導体メモリその他の記録媒体であ
ってもよい。
【００４０】露光描画処理プログラムは、記録媒体２０
から制御部８に読み込まれ、制御部８は、その露光描画
処理プログラムに従い処理を実行する。
から制御部８に読み込まれ、制御部８は、その露光描画
処理プログラムに従い処理を実行する。
【００４１】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
【００４２】例えば、第１の電子線通過部材５を下側
に、第２の電子線通過部材６を上側に配置してもよい。
また、マスクパターン開口部１１の形状は、図３に示す
ものに限らず、他の形状であってもよい。
に、第２の電子線通過部材６を上側に配置してもよい。
また、マスクパターン開口部１１の形状は、図３に示す
ものに限らず、他の形状であってもよい。
【００４３】
【発明の効果】本発明によれば、次のような優れた効果
を奏する。 （１）描画パターンに関する描画パターンデータを複数
のパターンデータ群に分割し、分割されたパターンデー
タ群と露光用マスクに形成されたマスクパターン開口部
に関するマスクパターンデータとを照合し、一致したパ
ターンデータについては、対応するマスクパターン開口
部を用いて露光を行い、一致しないパターンデータにつ
いては、電子線を可変成形して露光を行うので、分割さ
れるパターン群の数が少なくなり、電子線リソグラフィ
工程時間が減少し、スループットが向上する。 （２）複雑な描画パターンであっても、分割されるパタ
ーン群の数が少なくなるので、全体の寸法誤差が小さく
なり、描画寸法精度が向上する。
を奏する。 （１）描画パターンに関する描画パターンデータを複数
のパターンデータ群に分割し、分割されたパターンデー
タ群と露光用マスクに形成されたマスクパターン開口部
に関するマスクパターンデータとを照合し、一致したパ
ターンデータについては、対応するマスクパターン開口
部を用いて露光を行い、一致しないパターンデータにつ
いては、電子線を可変成形して露光を行うので、分割さ
れるパターン群の数が少なくなり、電子線リソグラフィ
工程時間が減少し、スループットが向上する。 （２）複雑な描画パターンであっても、分割されるパタ
ーン群の数が少なくなるので、全体の寸法誤差が小さく
なり、描画寸法精度が向上する。
【図１】本発明の露光描画装置を示す構成図である。
【図２】本発明の露光描画装置の動作を説明するための
フローチャートである。
フローチャートである。
【図３】第２の電子線通過部材を示す平面図である。
【図４】本発明により描画パターンを分割した状態を説
明するための説明図である。
明するための説明図である。
【図５】本発明の他の形態を示す構成図である。
【図６】従来の可変成形電子線露光方法を説明するため
の説明図である。
の説明図である。
【図７】従来の可変成形電子線露光方法により描画パタ
ーンを分割した状態を説明するための説明図である。
ーンを分割した状態を説明するための説明図である。
Ｗ：ウェハ（感光基板） １：電子銃 ２：電子線 ３：データメモリ（描画パターン記憶手段） ４：バッファメモリ（マスクパターン記憶手段） ５：第１の電子線通過部材 ６：第２の電子線通過部材（露光用マスク） ７：偏向器 ８：制御部 ９：第１の可変成形用開口部 １０：第２の可変成形用開口部 １１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ）：マ
スクパターン開口部 １２：描画パターン分割部 １３：データ照合部 １４：選択偏向部 ２０：記録媒体
スクパターン開口部 １２：描画パターン分割部 １３：データ照合部 １４：選択偏向部 ２０：記録媒体
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｓ
Claims (6)
- 【請求項１】電子線を用いて感光基板を露光し、その感
光基板に描画パターンを形成する露光描画装置であっ
て、 マスクパターン開口部を備えた露光用マスクと、 マスクパターンデータを記憶するマスクパターン記憶手
段と、 描画パターンデータを記憶する描画パターン記憶手段
と、 その描画パターン記憶手段に記憶されている描画パター
ンデータを読み出して複数のパターンデータ群に分割す
る描画パターン分割手段と、 その描画パターン分割手段によって分割されたパターン
データ群と前記マスクパターン記憶手段に記憶されてい
るマスクパターンデータとを照合し、一致したパターン
データについては、対応するマスクパターン開口部を用
いて露光を行い、一致しないパターンデータについて
は、電子線を可変成形して露光を行うように制御する制
御手段と、 を有することを特徴とする露光描画装置。 - 【請求項２】電子線を用いて感光基板を露光し、その感
光基板に描画パターンを形成する露光描画装置であっ
て、 第１の可変成形用開口部を備えた第１の電子線通過部材
と、 その第１の電子線通過部材と所定間隔を隔てて配置さ
れ、第２の可変成形用開口部及びマスクパターン開口部
を備えた第２の電子線通過部材と、 マスクパターンデータを記憶するマスクパターン記憶手
段と、 描画パターンデータを記憶する描画パターン記憶手段
と、 その描画パターン記憶手段に記憶されている描画パター
ンデータを読み出して複数のパターンデータ群に分割す
る描画パターン分割手段と、 その描画パターン分割手段によって分割されたパターン
データ群と前記マスクパターン記憶手段に記憶されてい
るマスクパターンデータとを照合し、一致したパターン
データについては、対応するマスクパターン開口部を用
いて露光を行い、一致しないパターンデータについて
は、前記第１の可変成形用開口部及び第２の可変成形用
開口部によって電子線を可変成形して露光を行うように
制御する制御手段と、 を有することを特徴とする露光描画装置。 - 【請求項３】前記マスクパターン開口部は複数有するこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の露光描画装置。 - 【請求項４】前記制御手段は、電子線を偏向することに
より制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か１つの項に記載の露光描画装置。 - 【請求項５】電子線を用いて感光基板を露光し、その感
光基板に描画パターンを形成する露光描画方法であっ
て、（１）描画パターンに関する描画パターンデータを
複数のパターンデータ群に分割する工程と、（２）分割
されたパターンデータ群と露光用マスクに形成されたマ
スクパターン開口部に関するマスクパターンデータとを
照合する工程と、（３）照合した結果、一致したパター
ンデータについては、対応するマスクパターン開口部を
用いて露光を行い、一致しないパターンデータについて
は、電子線を可変成形して露光を行うように制御する工
程と、 を有することを特徴とする露光描画方法。 - 【請求項６】電子線を用いて感光基板を露光し、その感
光基板に描画パターンを形成するための露光描画処理プ
ログラムを記録した記録媒体であって、 描画パターンに関する描画パターンデータを複数のパタ
ーンデータ群に分割する処理と、 分割されたパターンデータ群と露光用マスクに形成され
たマスクパターン開口部に関するマスクパターンデータ
とを照合する処理と、 照合した結果、一致したパターンデータについては、対
応するマスクパターン開口部を用いて露光を行い、一致
しないパターンデータについては、電子線を可変成形し
て露光を行うように制御する処理と、 をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶し
たことを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9193851A JPH1140475A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 |
| US09/118,086 US6232612B1 (en) | 1997-07-18 | 1998-07-17 | Variable shaped electron beam exposure system and method of writing a pattern by a variable shaped electron beam |
| KR1019980029045A KR100279386B1 (ko) | 1997-07-18 | 1998-07-18 | 가변형 전자빔 노광시스템 및 가변형 전자빔에 의한패턴기록방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9193851A JPH1140475A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140475A true JPH1140475A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16314816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9193851A Pending JPH1140475A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6232612B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1140475A (ja) |
| KR (1) | KR100279386B1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057086A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 描画データ作成方法及び装置 |
| KR20020023640A (ko) * | 2000-09-22 | 2002-03-29 | 가네꼬 히사시 | 전자빔 마스크를 설계하는 방법 및 장치 |
| JP2002093698A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-03-29 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 電子線リソグラフィー方法および電子光学的リソグラフィーシステム |
| JP2003059794A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | 描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
| US6732351B2 (en) | 2001-03-05 | 2004-05-04 | Nec Electronics Corporation | Method of forming mask for charged particle beam exposure and processing program of pattern data for forming mask for charged particle beam exposure |
| JP2008524864A (ja) * | 2004-12-21 | 2008-07-10 | ヴィステック・リソグラフィー・リミテッド | 二重モード電子ビームカラム |
| US7847270B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and method thereof |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000030647A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置 |
| KR20010019158A (ko) * | 1999-08-25 | 2001-03-15 | 유경운 | 공중용 전자우편 단말기 제어 방법 |
| JP4558240B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2010-10-06 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置 |
| JP2006128564A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光装置および荷電ビーム制御方法 |
| KR20210032139A (ko) | 2019-09-16 | 2021-03-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526326B2 (ja) | 1990-08-31 | 1996-08-21 | 富士通株式会社 | 露光処理システム装置 |
| JP3295855B2 (ja) | 1991-09-30 | 2002-06-24 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
| JPH0590144A (ja) | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Toshiba Corp | 荷電ビーム露光方法及び露光装置 |
| JP3085206B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | 電子線露光装置及びその露光方法 |
| JP3478058B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2003-12-10 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線描画装置 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP9193851A patent/JPH1140475A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-17 US US09/118,086 patent/US6232612B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-18 KR KR1019980029045A patent/KR100279386B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093698A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-03-29 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | 電子線リソグラフィー方法および電子光学的リソグラフィーシステム |
| JP2002057086A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 描画データ作成方法及び装置 |
| KR20020023640A (ko) * | 2000-09-22 | 2002-03-29 | 가네꼬 히사시 | 전자빔 마스크를 설계하는 방법 및 장치 |
| US6732351B2 (en) | 2001-03-05 | 2004-05-04 | Nec Electronics Corporation | Method of forming mask for charged particle beam exposure and processing program of pattern data for forming mask for charged particle beam exposure |
| JP2003059794A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Sony Corp | 描画用パターンの分割処理方法、描画用パターンの分割処理装置、描画方法、マスク、マスクの作成方法、半導体装置、半導体装置の製造方法、描画用パターンの分割処理プログラム及びこのプログラムを記録したコンピュータ読みとり可能な記録媒体 |
| JP2008524864A (ja) * | 2004-12-21 | 2008-07-10 | ヴィステック・リソグラフィー・リミテッド | 二重モード電子ビームカラム |
| US7847270B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor manufacturing apparatus and method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6232612B1 (en) | 2001-05-15 |
| KR100279386B1 (ko) | 2001-03-02 |
| KR19990013996A (ko) | 1999-02-25 |
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