JPH1138428A - Electrode substrate and its production - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electrode substrate comprising an electrode having such a structure that a silver alloy thin film is held between oxide thin films formed on a substrate, and to obtain the above described electrode substrate having high moisture resistance and high conductivity even when the electrode consists of a thin film and having high transmittance or reflectance for visible rays and no changes with time, by using a substrate containing no alkali metal elements. SOLUTION: This electrode substrate is produced by forming an electrode having such a structure that a silver alloy thin film is held between oxide thin films on a substrate, and the substrate contains no alkali metal elements. For example, a transparent substrate 10 consists of a nonalkali glass substrate 11 of specified thickness on which a transparent oxide thin film 12, silver alloy thin film 13, and transparent oxide thin film 14 are successively deposited as the main structure. The transparent oxide thin films 12, 14 consist of mixture oxides comprising indium oxide as the main component with addition of cerium oxide, tin oxide and titanium oxide. The silver allay thin film 13 consists of a silver alloy of silver with addition of a specified amt. of gold and copper.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
装置等の出力表示装置、あるいは、表示画面から直接入
力を行う入出力表示装置または、太陽電池等に使用され
る、透過型電極（透明電極）や反射型電極（反射電極）
等の電極を備えた基板に関し、特に薄膜で導電性が高
く、しかも保存安定性に優れた電極基板に係わる。The present invention relates to a transmissive electrode (transparent electrode) used for an output display device such as a liquid crystal display device, an input / output display device for directly inputting from a display screen, a solar cell or the like. And reflective electrodes (reflective electrodes)
In particular, the present invention relates to an electrode substrate having a thin film, high conductivity, and excellent storage stability.

【０００２】[0002]

【従来の技術】ガラス、プラスチックフィルム等の透明
基板上に、可視光線を透過する電極形状の透明導電膜が
設けられた電極基板は、液晶ディスプレイ装置等の各種
表示装置（表示画面）の表示用電極に用いられ、また、
反射型液晶ディスプレイ等の、自発光機能を持たないた
め外部光を反射して画像を表示する装置においては、電
極板と光反射板を兼ねた表示用電極が広く用いられてい
る。2. Description of the Related Art An electrode substrate in which a transparent conductive film having an electrode shape that transmits visible light is provided on a transparent substrate such as a glass or plastic film is used for displaying various display devices (display screens) such as a liquid crystal display device. Used for electrodes,
2. Description of the Related Art In a device such as a reflection type liquid crystal display which does not have a self-luminous function and reflects an external light to display an image, a display electrode serving also as an electrode plate and a light reflection plate is widely used.

【０００３】一般に、液晶を用いたディスプレイ装置
は、透明電極が配置された一対の電極基板と、これら電
極基板間に封印された液晶物質とで、その主要部が構成
されており、この電極基板に用いられる透明電極として
は、その高い導電性に着目して、酸化インジウム中に酸
化スズを添加したＩＴＯ薄膜が広く利用されている。In general, a display device using liquid crystal has a main part composed of a pair of electrode substrates on which transparent electrodes are arranged and a liquid crystal material sealed between the electrode substrates. As a transparent electrode used for ITO, an ITO thin film in which tin oxide is added to indium oxide is widely used, paying attention to its high conductivity.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ディス
プレイ装置においては、近年、画素密度を増大させて緻
密な画面を表示させることが求められており、これに伴
って上記電極パターンの緻密化が要求されているもので
ある。By the way, in the above-mentioned display device, in recent years, it has been required to display a fine screen by increasing the pixel density. Is what is being done.

【０００５】また、液晶ディスプレイ装置において、電
極基板に液晶駆動用ＩＣ（集積回路チップ）が直接に接
続される方式（ＣＯＧ方式）では、配線の引き回しが、
幅20〜50μｍ程度と細線となる部分があり、電極パター
ンは従来にない高度のエッチング加工適性と高い導線性
（低い抵抗率）が要求されている。Further, in a liquid crystal display device, in which a liquid crystal driving IC (integrated circuit chip) is directly connected to an electrode substrate (COG method), the wiring is routed.
There is a part of a thin line having a width of about 20 to 50 μm, and the electrode pattern is required to have an unprecedented high degree of etching processability and a high conductivity (low resistivity).

【０００６】また、その一方で表示画面の大型化も求め
られているものである。表示画面を大型化した際、上述
したような緻密パターンの透明電極を形成し、しかも液
晶に十分な駆動電圧を印加できるようにするためには、
上記透明電極を、面積抵抗率５Ω／□以下という高い導
電性にすることが必要となるものである。On the other hand, there is also a demand for a larger display screen. When the display screen is enlarged, in order to form a transparent electrode having a dense pattern as described above and to be able to apply a sufficient driving voltage to the liquid crystal,
It is necessary to make the transparent electrode highly conductive with a sheet resistivity of 5Ω / □ or less.

【０００７】さらに、ＳＴＮ液晶等を利用した単純マト
リクス駆動方式の液晶表示装置においては、１６階調以
上の多階調表示を行う場合には、面積抵抗率３Ω／□以
下というさらに低い面積抵抗が要求されているものであ
る。Further, in a liquid crystal display device of a simple matrix drive system using an STN liquid crystal or the like, when a multi-gradation display of 16 gradations or more is performed, a lower sheet resistance of 3 Ω / □ or less is required. Is what is required.

【０００８】このため、１９８２年、日本で開催された
第７回ＩＣＶＭにおいて、銀系導電膜の表裏に、ＩＴＯ
薄膜または酸化インジウム薄膜等の酸化物薄膜を積層し
て構成される、３層構造の透明導電膜が提案されたもの
である。この３層構造の透明導電膜は低い面積抵抗であ
り、その高い導電性を生かして、上記透明電極への応用
が期待されたものである。[0008] For this reason, at the seventh ICVM held in Japan in 1982, ITO was placed on the front and back of the silver-based conductive film.
There has been proposed a transparent conductive film having a three-layer structure formed by laminating a thin film or an oxide thin film such as an indium oxide thin film. The transparent conductive film having the three-layer structure has a low sheet resistance, and is expected to be applied to the transparent electrode by utilizing its high conductivity.

【０００９】しかし、上記提案の３層構造の透明電極に
おいても、高々５Ω／□程度の面積抵抗率が得られたに
過ぎず、要求される十分な導電性を確保できないという
問題があった。上記提案の透明電極でも十分な導電性を
確保するため、銀系導電膜の厚さを、例えば16〜18nm程
度に厚くすることにより、その面積抵抗率を約３Ω／□
程度に低下させることは可能といえる。しかし、その場
合、可視光線透過率（特に、波長 610nm程度の長波長側
の可視光線透過率）が75％程度にまで低下し、透明電極
としての機能が損なわれてしまうものである。However, even with the proposed transparent electrode having a three-layer structure, a sheet resistivity of at most about 5 Ω / □ was obtained, and there was a problem that required sufficient conductivity could not be secured. In order to ensure sufficient conductivity even with the transparent electrode proposed above, the thickness of the silver-based conductive film is increased, for example, to about 16 to 18 nm, so that the area resistivity is about 3Ω / □.
It can be said that it can be reduced to a degree. However, in this case, the visible light transmittance (in particular, the visible light transmittance on the long wavelength side of about 610 nm) is reduced to about 75%, and the function as a transparent electrode is impaired.

【００１０】さらに、上記３層構造の透明導電膜を用い
た透明電極においては、銀の薄膜が、積層界面等から侵
入した空気中の水分と反応しやすく、その表面に反応物
を生成してシミ状の欠陥を生じるものである。このた
め、上記３層構造の透明電極を形成した電極基板を、例
えば液晶表示装置に適用した場合には、その表面に表示
欠陥等を生じやすいという問題があった。Further, in a transparent electrode using the above-mentioned three-layered transparent conductive film, the silver thin film easily reacts with moisture in the air that has entered from the lamination interface or the like, and a reactant is generated on the surface. This causes stain-like defects. For this reason, when the electrode substrate on which the transparent electrode having the three-layer structure is formed is applied to, for example, a liquid crystal display device, there is a problem that a display defect or the like easily occurs on the surface thereof.

【００１１】このため、本発明者らは、３層構造の透明
電極を形成した電極基板の耐湿性向上の解決手段とし
て、酸化物薄膜にて挟持する銀薄膜を、銀に金を添加し
た銀合金とすることで、耐湿性向上の効果が得られるこ
とを見いだし、特願平７−３３３２２４号にて提案して
いるものである。なお、このとき、金の添加量は４at％
（原子パーセント）以下、さらにいえば 0.1〜 3.0at％
の範囲で特に効果のあることを見いだしたものである。For this reason, the inventors of the present invention have proposed a method for improving the moisture resistance of an electrode substrate on which a transparent electrode having a three-layer structure is formed, by using a silver thin film sandwiched by an oxide thin film and a silver obtained by adding gold to silver. It has been found that an effect of improving moisture resistance can be obtained by using an alloy, and this is proposed in Japanese Patent Application No. 7-333224. At this time, the amount of gold added was 4 at%.
(Atomic percent) or less, 0.1 ~ 3.0at%
Are particularly effective in the range.

【００１２】しかし、近年、液晶表示装置等の大型画面
化に伴い、更なる高い表示品位が求められているもので
ある。このため、表示欠陥を回避するため、透明電極を
形成した電極基板への耐湿性向上の要求もより一層高ま
っているといえる。しかるに、上述した従来の電極基板
では、要求される耐性を十分に満足しているとはいえな
かった。However, in recent years, with the increase in the size of a liquid crystal display device or the like, a higher display quality has been demanded. For this reason, it can be said that the demand for improving the moisture resistance of the electrode substrate on which the transparent electrode is formed has been further increased in order to avoid display defects. However, the above-described conventional electrode substrate has not been sufficiently satisfied with the required durability.

【００１３】本発明は、上記の問題点に鑑みなされたも
ので、その課題とするところは、酸化物薄膜にて銀合金
薄膜を挟持する３層構成とした透明電極または反射電極
を基板上に形成した電極基板において、耐湿性が高く、
さらに電極が薄膜でも高い導電性を有し、かつ、可視光
透過率または反射率が高く、しかも経時変化が無く保存
安定性に優れた、透過型、または、反射型の表示装置用
電極基板を提供することに或る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a transparent or reflective electrode having a three-layer structure in which a silver alloy thin film is sandwiched between oxide thin films. In the formed electrode substrate, high moisture resistance,
In addition, even if the electrode is a thin film, it has a high conductivity, a high visible light transmittance or a high reflectance, and has no change over time and excellent storage stability. It is in providing.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を行ったものである。その結果、
酸化物薄膜にて銀合金薄膜を挟持する３層構成とした電
極を基板上に形成した電極基板の耐性、特に耐湿性を劣
化させる要因として、本発明者らは、Ｎａ（ナトリウ
ム）、Ｋ（カリウム）等のアルカリ金属元素に着目した
ものである。Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above problems. as a result,
As a factor for deteriorating the resistance, particularly the moisture resistance, of an electrode substrate in which a three-layered electrode sandwiching a silver alloy thin film between oxide thin films is formed on the substrate, the present inventors consider that Na (sodium), K ( It focuses on alkali metal elements such as potassium.

【００１５】なぜならば、アルカリ金属元素を含むソー
ダガラスを基板として３層構成の電極を形成した場合
と、アルカリ金属元素を含まない無アルカリガラス（例
えば、コーニング社製、７０５９材）を基板として３層
構成の電極を形成した場合とでは、アルカリ金属元素を
含むソーダガラスを基板とした電極の方が耐湿性が劣る
ことを、本発明者らは経験的に見いだしたものである。
その結果、本発明者らは、電極基板の耐湿性にアルカリ
金属元素、特に基板に含まれるアルカリ金属元素が影響
を及ぼすと推測したものである。This is because three-layer electrodes are formed using soda glass containing an alkali metal element as a substrate, and three-layer electrodes are formed using non-alkali glass containing no alkali metal element (for example, 7059 manufactured by Corning). The present inventors have empirically found that an electrode using a soda glass containing an alkali metal element as a substrate is inferior in moisture resistance when a layered electrode is formed.
As a result, the present inventors speculated that the alkali metal element, particularly the alkali metal element contained in the substrate, would affect the moisture resistance of the electrode substrate.

【００１６】本発明者らは、この推測を確かめるべく、
以下に記すテストを行った。まず、アルカリ金属元素を
含むソーダガラスをガラス基板とし、後述する（実施例
１）に記したと同様にして、３層構造の導電膜をガラス
基板上に形成した電極基板を得たものであり、３層構造
の導電膜の結晶状態を示す薄膜Ｘ線回折データ51を、図
５に示す。なお、図５および、後述する図６のグラフ図
において、横軸は、Ｘ線の回折角２θ（°）を、また、
縦軸は回折強度（ＣＰＳ）を示している。次いで、上記
電極基板に、温度 120℃、湿度 100％の雰囲気中に 100
時間放置するプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を
行ったものであり、ＰＣＴ後の３層構造の導電膜の結晶
状態を示す薄膜Ｘ線回折データ52を、図５に示す。The present inventors have confirmed this guess,
The tests described below were performed. First, an electrode substrate was obtained in which a soda glass containing an alkali metal element was used as a glass substrate and a conductive film having a three-layer structure was formed on the glass substrate in the same manner as described later (Example 1). FIG. 5 shows thin-film X-ray diffraction data 51 indicating the crystal state of the conductive film having a three-layer structure. In FIG. 5 and the graph of FIG. 6 described below, the horizontal axis represents the X-ray diffraction angle 2θ (°),
The vertical axis indicates the diffraction intensity (CPS). Then, the electrode substrate is placed in an atmosphere at a temperature of 120 ° C and a humidity of 100% for 100 hours.
FIG. 5 shows thin-film X-ray diffraction data 52 showing the crystal state of the three-layered conductive film after the pressure cooker test (PCT) in which the film was left for a while.

【００１７】図５より分かるように、ＰＣＴ前の３層構
造の導電膜の結晶状態を示す薄膜Ｘ線回折データ51で
は、なだらかなピークが観察できるが顕著なピークは認
められず、導電膜に結晶化が進んでいるとは言えないも
のである。それに対し、ＰＣＴ後の３層構造の導電膜の
結晶状態を示す薄膜Ｘ線回折データ52では、θを回折角
として、２θが28°となる付近に、明らかに顕著なピー
ク81（図５中の点線部）が現れており、３層構造の導電
膜に何らかの結晶が出来ていることが分かった。As can be seen from FIG. 5, in the thin-film X-ray diffraction data 51 showing the crystal state of the three-layered conductive film before PCT, a gentle peak can be observed, but no remarkable peak is observed. It cannot be said that crystallization is progressing. On the other hand, in the thin-film X-ray diffraction data 52 showing the crystal state of the three-layered conductive film after the PCT, a clearly remarkable peak 81 (see FIG. (Dotted line portion) appeared, indicating that some crystals were formed in the conductive film having a three-layer structure.

【００１８】そこで、本発明者らは、顕著なピーク81を
発生させた結晶としてアルカリ金属元素を想定したもの
であり、確認テストとして、更に以下に記すテストを行
ったものである。Therefore, the present inventors assumed that an alkali metal element was used as the crystal that generated the remarkable peak 81, and performed the following test as a confirmation test.

【００１９】すなわち、硝酸インジウム粉末を、温度 4
00℃にて３時間熱処理し、酸化インジウム（Ｉｎ
₂ Ｏ₃ ）とした後の薄膜Ｘ線回折データ61と、硝酸イン
ジウムと水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）とを混合し、こ
の混合物に、上述したと同じく温度400℃にて３時間熱
処理した後の薄膜Ｘ線回折データ62とを得たものであ
る。図６に、薄膜Ｘ線回折データ61と、薄膜Ｘ線回折デ
ータ62とを合わせて記す。That is, the indium nitrate powder was heated at a temperature of 4.
Heat treatment at 00 ° C. for 3 hours to remove indium oxide (In
A thin film X-ray diffraction data 61 after the ₂ O _3), mixed with indium nitrate and sodium hydroxide (NaOH), a thin film after this mixture was heat treated 3 hours at same temperature 400 ° C. to that described above X-ray diffraction data 62 are obtained. FIG. 6 shows the thin film X-ray diffraction data 61 and the thin film X-ray diffraction data 62 together.

【００２０】図６より明らかなように、硝酸インジウム
と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）との混合物は、２θが
28°となる付近に顕著なピーク91（図６中の点線部）が
現れており、これは、図５に示した、薄膜Ｘ線回折デー
タ52の顕著なピーク81と一致している。これより、図５
の薄膜Ｘ線回折データ52の顕著なピーク81は、Ｎａ（ナ
トリウム）等のアルカリ金属が直接ないし間接的に作用
した化合物の結晶化により現れたものと判明した。As apparent from FIG. 6, the mixture of indium nitrate and sodium hydroxide (NaOH) has a 2θ of 2θ.
A prominent peak 91 (dotted line in FIG. 6) appears near 28 °, which coincides with the prominent peak 81 of the thin-film X-ray diffraction data 52 shown in FIG. Thus, FIG.
The remarkable peak 81 of the thin film X-ray diffraction data 52 was found to have appeared due to crystallization of a compound on which an alkali metal such as Na (sodium) acted directly or indirectly.

【００２１】さらに本発明者らは、上述したＰＣＴ後の
３層構造の導電膜に、ＳＩＭＳ分析を行ったものであ
り、その結果、導電膜表面や、薄膜の界面にアルカリ金
属元素が集中して検出されたものである。Further, the present inventors have performed SIMS analysis on the above-mentioned three-layered conductive film after PCT, and as a result, the alkali metal element is concentrated on the surface of the conductive film and the interface of the thin film. Is detected.

【００２２】以上のテスト等より、本発明者らは、酸化
物薄膜にて銀合金薄膜を挟持する３層構成とした電極を
支持する基板が、アルカリ金属元素を含んでいた場合
（例えば基板が、アルカリ金属元素であるＮａ（ナトリ
ウム）を含むソーダガラスであった場合）、周辺雰囲気
中の水分（湿気）のもとに、基板よりアルカリ金属元素
が溶けだし、アルカリ金属元素が３層構造の電極に拡散
していくことを見いだしたものである。さらには、アル
カリ金属元素が３層構造の電極に拡散すると、アルカリ
金属元素が電極を構成する銀合金薄膜にマイグレーショ
ンを引き起こし、結果として３層構成を破壊してしま
い、電極にシミ状の欠陥を生じさせることをも、本発明
者らは見いだしたものである。From the above tests and the like, the present inventors have found that a substrate supporting an electrode having a three-layer structure in which a silver alloy thin film is sandwiched between oxide thin films contains an alkali metal element (for example, when the substrate is In the case of soda glass containing Na (sodium) as an alkali metal element), the alkali metal element is dissolved from the substrate under the moisture (moisture) in the surrounding atmosphere, and the alkali metal element has a three-layer electrode. It is found that it spreads to the world. Furthermore, when the alkali metal element diffuses into the three-layered electrode, the alkali metal element causes migration in the silver alloy thin film constituting the electrode, thereby destroying the three-layered structure and causing stain-like defects on the electrode. The inventors have also found out what happens.

【００２３】このため、本発明者らは、３層構成とした
電極を支持する基板がアルカリ金属元素を殆ど含まな
い、さらに好ましくはアルカリ金属元素を全く含まなけ
れば、電極基板の周辺雰囲気中に水分（湿気）があって
も、銀合金薄膜へのマイグレーションが抑制され、シミ
状の欠陥が生じにくい、すなわち、電極基板の耐湿性が
向上すると考え本発明に至ったものである。すなわち、
請求項１に係わる発明は、酸化物薄膜にて銀合金薄膜を
挟持する構成の電極を基板上に設けた電極基板であっ
て、前記基板がアルカリ金属元素を含まない基板である
ことを特徴とする電極基板としたものである。For this reason, the present inventors have found that if the substrate supporting the three-layered electrode contains almost no alkali metal element, and more preferably contains no alkali metal element at all, the substrate in the atmosphere around the electrode substrate may be used. Even when there is moisture (moisture), migration to the silver alloy thin film is suppressed, and stain-like defects are less likely to occur, that is, it is thought that the moisture resistance of the electrode substrate is improved. That is,
The invention according to claim 1 is an electrode substrate in which an electrode having a configuration in which a silver alloy thin film is sandwiched between oxide thin films is provided on the substrate, wherein the substrate is a substrate containing no alkali metal element. Electrode substrate.

【００２４】本発明の電極基板に用いる基板として、ア
ルカリ金属元素を含まない無アルカリガラス基板が考え
られるが、これに限定されるものではなく、他に、ＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）、ＴＡＣ（トリアセ
チルセルロース）等の樹脂製フィルム、プラスチックボ
ード、または、偏光フィルム、導光板、反射型液晶表示
装置に用いられる散乱用の凹凸を形成した基板、カラー
フィルター等、アルカリ金属元素を実質的に含まない素
材であれば何でも良い。また、基板には予め、カラーフ
ィルターや光の散乱膜、マイクロレンズ、１／４λ波長
板等の光機能フィルムを配設してあっても構わない。The substrate used for the electrode substrate of the present invention may be a non-alkali glass substrate containing no alkali metal element, but is not limited thereto.
T (polyethylene terephthalate), TAC (triacetyl cellulose) and other resin films, plastic boards, or polarizing films, light guide plates, substrates with scattering irregularities used in reflective liquid crystal display devices, color filters, etc. Any material that does not substantially contain an alkali metal element may be used. Further, an optical functional film such as a color filter, a light scattering film, a microlens, a １ ／ λ wavelength plate, or the like may be provided on the substrate in advance.

【００２５】また、上記３層構成の電極は、酸化物薄膜
にて挟持される銀合金薄膜の膜厚を５〜30nmの範囲とす
ることで可視光を透過する透過型電極として、または、
膜厚を30〜 200nmとすることで、可視光を反射する反射
型電極として用いることができる。なお、反射型電極で
あった場合、銀合金薄膜の膜厚は 200nmより厚くても構
わないが、材料費がかさみ無駄であるため膜厚は 200nm
以下が好ましく、さらにいえば、実用性を考慮し、膜厚
は 150nm以下が好ましいといえる。The three-layered electrode may be a transparent electrode that transmits visible light by setting the thickness of the silver alloy thin film sandwiched between the oxide thin films to 5 to 30 nm, or
By setting the thickness to 30 to 200 nm, it can be used as a reflective electrode that reflects visible light. In the case of a reflective electrode, the thickness of the silver alloy thin film may be thicker than 200 nm.
The following is preferable, and more specifically, in consideration of practicality, it can be said that the film thickness is preferably 150 nm or less.

【００２６】次いで、銀合金薄膜は、銀に、金、白金、
パラジウム、ニッケルもしくは銅のうちから１種以上を
添加した銀合金にて形成すると、混合酸化物で銀合金薄
膜を挟持する３層の導電膜の信頼性を向上せしめること
ができるといえる。すなわち、金、白金、パラジウム、
ニッケルもしくは銅のうちから１種以上を添加した銀合
金にて銀系薄膜を成膜することで、スパッタ成膜時の雰
囲気の影響が少なくでき、導電膜の光透過率（あるいは
光反射率）や導電性に大きな影響を与えずに、３層構成
の導電膜を、高信頼性かつ基板との高い密着性をもって
提供でき、ひいては電極基板の耐湿性が向上すること
を、本発明者らは見いだしたものである。Next, the silver alloy thin film is formed by adding gold, platinum,
When formed of a silver alloy to which at least one of palladium, nickel, and copper is added, it can be said that the reliability of the three-layer conductive film sandwiching the silver alloy thin film with the mixed oxide can be improved. That is, gold, platinum, palladium,
By forming a silver-based thin film using a silver alloy to which at least one of nickel and copper is added, the influence of the atmosphere during sputtering film formation can be reduced, and the light transmittance (or light reflectance) of the conductive film can be reduced. The present inventors have shown that a conductive film having a three-layer structure can be provided with high reliability and high adhesion to a substrate without significantly affecting the conductivity of the electrode substrate, thereby improving the moisture resistance of the electrode substrate. That is what I found.

【００２７】すなわち、請求項２に係わる発明は、銀合
金薄膜が、銀に、金、白金、パラジウム、ニッケルもし
くは銅のうちから１種以上を添加した銀合金であること
を特徴とするものである。That is, the invention according to claim 2 is characterized in that the silver alloy thin film is a silver alloy obtained by adding at least one of gold, platinum, palladium, nickel and copper to silver. is there.

【００２８】なお、銀への添加は、金や白金のほうが銅
よりも少ない添加量で上記効果を得られるといえる。銀
への金や白金の添加量を多くするに従って耐湿性が向上
する傾向があるが、高価な金や白金の使用による材料費
のコストアップ、または、パターニング加工性等の問題
から、銀合金の金や白金の含有割合は、 0.1〜10at％
（原子パーセント）が好ましいといえる。In addition, it can be said that the above effects can be obtained by adding gold or platinum to silver in a smaller amount than copper. Moisture resistance tends to increase as the amount of gold or platinum added to silver increases.However, the use of expensive gold or platinum increases material costs, or the patterning processability causes problems. The content ratio of gold and platinum is 0.1-10at%
(Atomic percent) is preferred.

【００２９】次いで、３層構成の電極を、透過型の表示
装置用電極基板（透明電極）に用いる場合、銀合金薄膜
を挟持する透明酸化物薄膜として、２．１より高い屈折
率を有する高屈折率酸化物を混合した混合酸化物を用い
れば、透明電極の透過率を向上でき、かつ、耐湿性を向
上しうることを本発明者らは見いだしたものである。す
なわち、請求項３に係わる発明として、酸化物薄膜を、
屈折率が２．１より高い酸化物を添加した混合酸化物と
することを提案するものである。Next, when an electrode having a three-layer structure is used for a transmission-type display device electrode substrate (transparent electrode), the transparent oxide thin film sandwiching the silver alloy thin film has a refractive index higher than 2.1. The present inventors have found that the use of a mixed oxide obtained by mixing a refractive index oxide can improve the transmittance of the transparent electrode and can improve the moisture resistance. That is, as the invention according to claim 3, an oxide thin film is formed by:
It is proposed to use a mixed oxide to which an oxide having a refractive index higher than 2.1 is added.

【００３０】ここで、請求項３に係わる混合酸化物は、
酸化インジウム、酸化スズ、または酸化亜鉛を主材と
し、これらに、高屈折率酸化物として酸化セリウム、酸
化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフ
ニウム、または酸化ビスマス等を添加した透明な混合酸
化物であり、これを用い銀合金薄膜を挟持する薄膜層と
するものである。Here, the mixed oxide according to claim 3 is:
A transparent mixed oxide containing indium oxide, tin oxide, or zinc oxide as the main material, and cerium oxide, titanium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, or bismuth oxide added thereto as a high refractive index oxide This is used to form a thin film layer sandwiching a silver alloy thin film.

【００３１】上述したように本発明の電極基板は、アル
カリ金属元素を含まない基板を支持体として用いること
により、耐湿性が向上した電極基板とすることができる
ものである。しかし、いかにアルカリ金属元素を含まな
い基板を用いて本発明の電極基板を得たとしても、電極
基板の製造工程中に電極基板にアルカリ金属元素が付着
し、また、製造終了後も電極基板にアルカリ金属元素が
付着残留したままになった場合、周辺雰囲気中の水分
（湿気）のもとに、電極基板に付着したアルカリ金属元
素が３層構造の電極に拡散していくものである。このた
め、アルカリ金属元素による銀合金薄膜のマイグレーシ
ョンが発生するものである。As described above, the electrode substrate of the present invention can be an electrode substrate having improved moisture resistance by using a substrate containing no alkali metal element as a support. However, no matter how the electrode substrate of the present invention is obtained using a substrate that does not contain an alkali metal element, the alkali metal element adheres to the electrode substrate during the manufacturing process of the electrode substrate, and also remains on the electrode substrate even after the production is completed. When the alkali metal element remains attached, the alkali metal element adhered to the electrode substrate diffuses into the three-layer electrode under the moisture (humidity) in the surrounding atmosphere. Therefore, migration of the silver alloy thin film due to the alkali metal element occurs.

【００３２】このため、本発明者らは、本発明の電極基
板を製造する際、電極基板へのアルカリ金属元素の付着
残留を防止するため、アルカリ金属元素を含まない薬品
材料にて本発明の電極基板を製造することを提案するも
のである。Therefore, when the present inventors manufacture the electrode substrate of the present invention, in order to prevent adhesion of the alkali metal element to the electrode substrate, the present invention uses a chemical material containing no alkali metal element. It is proposed to manufacture an electrode substrate.

【００３３】すなわち、請求項４の発明は、請求項１、
２または３に記載の電極基板を製造する際、アルカリ金
属元素を含有しない薬品材料を用いることを特徴とする
電極基板の製造方法としたものである。That is, the invention of claim 4 is based on claim 1,
2. A method of manufacturing an electrode substrate according to item 2 or 3, wherein a chemical material containing no alkali metal element is used when manufacturing the electrode substrate.

【００３４】なお、従来の電極基板の製造工程におい
て、アルカリ金属元素を含有する薬品材料が使われやす
く、上述したアルカリ金属元素による電極の劣化に影響
を及ぼしやすい工程として、基板への膜付け前の洗浄工
程、および、膜付けした薄膜をパターン化すべくフォト
リソ法を行う場合、フォトレジストを塗布する前に行う
洗浄工程、フォトレジストの現像工程、フォトレジスト
の剥膜工程等があげられ、特に、上記の工程でアルカリ
金属元素を含有しない薬品材料を用いることが望まし
い。In the conventional manufacturing process of an electrode substrate, a chemical material containing an alkali metal element is easily used, and the above-mentioned process that easily affects the deterioration of the electrode due to the alkali metal element is performed before the film is formed on the substrate. In the case of performing a photolithography method to pattern a thin film with a film, a cleaning process performed before applying a photoresist, a photoresist development process, a photoresist stripping process, and the like. It is desirable to use a chemical material that does not contain an alkali metal element in the above steps.

【００３５】[0035]

【発明の実施の形態】本発明の実施形態の例を以下に記
す。 ＜実施例１＞図１に示すように、本実施例１に係わる透
明電極基板10は、厚さ 0.7mmの無アルカリガラス基板11
（コーニング社製、７０５９材）上に順次積層成膜され
た、透明酸化物薄膜12（膜厚35nm）と、銀合金薄膜13
（膜厚14nm）と、透明酸化物薄膜14（膜厚35nm）とで、
その主要部が構成されている。Embodiments of the present invention will be described below. <Embodiment 1> As shown in FIG. 1, a transparent electrode substrate 10 according to the present embodiment 1 is a non-alkali glass substrate 11 having a thickness of 0.7 mm.
A transparent oxide thin film 12 (35 nm thick) and a silver alloy thin film 13
(Thickness 14 nm) and the transparent oxide thin film 14 (thickness 35 nm)
Its main part is configured.

【００３６】ここで、本実施例１では、上記透明酸化物
薄膜12および透明酸化物薄膜14はいずれも、主材とする
酸化インジウムに、酸化セリウム、酸化スズ、および酸
化チタンを添加した混合酸化物を用いた。なお、混合酸
化物の組成比は、酸素元素をノーカウントとする金属元
素換算で、インジウム66.5at％（原子パーセント）、セ
リウム32at％、スズ１at％、チタン 0.5at％（原子パー
セント）とした。また、銀合金薄膜13は、銀に、金を
1.0at％（原子パーセント）、銅を 0.5at％（原子パー
セント）添加した銀合金とした。In the first embodiment, each of the transparent oxide thin film 12 and the transparent oxide thin film 14 is a mixed oxide obtained by adding cerium oxide, tin oxide and titanium oxide to indium oxide as a main material. Was used. The composition ratio of the mixed oxide was 66.5 at% (atomic percent) of indium, 32 at% of cerium, 1 at% of tin, and 0.5 at% (atomic percent) of titanium in terms of a metal element in which the oxygen element was not counted. In addition, the silver alloy thin film 13 is formed by adding gold to silver.
A silver alloy containing 1.0 at% (at.%) And 0.5 at% (at.%) Of copper was used.

【００３７】以下に、上述した本実施例１に係わる透明
電極基板10の成膜工程を記す。まず、厚さ 0.7mmの、ア
ルカリ金属元素を含まない無アルカリガラス基板11（コ
ーニング社製、７０５９材）を70重量％硫酸液に浸漬
し、ガラス基板11表面の汚れを除去した後、純水で十分
に洗浄した。The process of forming the transparent electrode substrate 10 according to the first embodiment will be described below. First, a 0.7 mm-thick alkali-free glass substrate 11 containing no alkali metal element (7059 manufactured by Corning Incorporated) is immersed in a 70% by weight sulfuric acid solution to remove dirt on the surface of the glass substrate 11, and then purified water Washed thoroughly.

【００３８】次いで、ガラス基板11に加熱を行うことな
く、ガラス基板11の温度を室温（23℃程度）に維持した
状態にて、スパッタリング法により、透明酸化物薄膜12
（膜厚35nm）と、銀合金薄膜13（膜厚14nm）と、透明酸
化物薄膜14（膜厚35nm）とを順次成膜し、ガラス基板11
上に３層構成の透明導電膜を形成した。Next, without heating the glass substrate 11, keeping the temperature of the glass substrate 11 at room temperature (about 23 ° C.), the transparent oxide thin film 12 is formed by sputtering.
(Thickness 35 nm), a silver alloy thin film 13 (thickness 14 nm), and a transparent oxide thin film 14 (thickness 35 nm) are sequentially formed.
A transparent conductive film having a three-layer structure was formed thereon.

【００３９】次いで、成膜した透明導電膜を所定の形状
とするため、透明導電膜上にフォトレジスト液（東京応
化工業（株）製、商品名「ＰＭＥＲ４０３０」）にてフ
ォトレジスト層を形成後、所定のパターンを有する露光
用パターンマスクを介しフォトレジスト層にパターン露
光を行った。次いで、現像液（東京応化工業（株）製、
商品名「ＮＭＤ−Ｗ」）を用い、フォトレジスト層を現
像し、所定のパターンに従って透明導電膜を露出するフ
ォトレジスト層を得た。Next, in order to form the formed transparent conductive film into a predetermined shape, a photoresist layer is formed on the transparent conductive film using a photoresist solution (trade name “PMER4030” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.). Then, pattern exposure was performed on the photoresist layer through an exposure pattern mask having a predetermined pattern. Next, a developer (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
The photoresist layer was developed using a trade name “NMD-W”) to obtain a photoresist layer exposing the transparent conductive film according to a predetermined pattern.

【００４０】次いで、熱硫酸系エッチング液を用い、フ
ォトレジスト層より露出した透明導電膜部位にエッチン
グを行った。次いで、剥膜液（パーカーコーポレーショ
ン社製、商品名「ＣＲマックス」）を用いフォトレジス
ト層を剥膜した後、所定のパターン形状とした透明導電
膜、すなわち透明電極を有するガラス基板11を水洗し
た。最後に、ガラス基板11にアニール処理（温度 250℃
にて１時間の加熱処理を行う）を施し、図１に示す本発
明の透明電極基板10を得た。Next, the portion of the transparent conductive film exposed from the photoresist layer was etched using a hot sulfuric acid-based etchant. Next, after the photoresist layer was stripped using a stripping solution (manufactured by Parker Corporation, trade name: “CR MAX”), the transparent conductive film having a predetermined pattern, that is, the glass substrate 11 having a transparent electrode was washed with water. . Finally, the glass substrate 11 is annealed (at a temperature of 250 ° C.
For 1 hour) to obtain a transparent electrode substrate 10 of the present invention shown in FIG.

【００４１】上述した工程で得られた透明電極の面積抵
抗値は約 3.3Ω／□であった。また、その透明電極の可
視光線透過率は実用上十分なものであった。The sheet resistance of the transparent electrode obtained in the above-mentioned process was about 3.3 Ω / □. The visible light transmittance of the transparent electrode was sufficient for practical use.

【００４２】上記透明電極基板10を、温度60℃、湿度95
％の雰囲気中に 500時間保持する耐湿性試験を施した
後、透明電極の表面の観察を行った。しかし、観察の結
果、透明電極には何ら外観変化は生じていなかった。な
お、透明酸化物薄膜12および透明酸化物薄膜14の屈折率
を測定したところ、屈折率は2.24であった。The transparent electrode substrate 10 was heated at a temperature of 60 ° C. and a humidity of 95
%, The surface of the transparent electrode was observed. However, as a result of the observation, no change in the appearance of the transparent electrode occurred. When the refractive indices of the transparent oxide thin film 12 and the transparent oxide thin film 14 were measured, the refractive index was 2.24.

【００４３】なお、図示しないが、本実施例１に係わる
透明電極基板10を、カラー画像液晶表示装置用の電極基
板として用いる場合、基板と透明電極との間、または、
透明電極上に、表示画素毎に所定の色、例えば赤、緑、
青に着色したマトリクス状のカラーフィルター層をパタ
ーン形成し、その上に画素電極用の透明電極を形成する
ものである。Although not shown, when the transparent electrode substrate 10 according to the first embodiment is used as an electrode substrate for a color image liquid crystal display device, the distance between the substrate and the transparent electrode, or
On the transparent electrode, a predetermined color for each display pixel, for example, red, green,
A pattern of a matrix-like color filter layer colored in blue is formed, and a transparent electrode for a pixel electrode is formed thereon.

【００４４】＜実施例２＞図２に示すように、本実施例
２に係わる電極基板20は、厚さ 0.7mmの無アルカリガラ
ス基板21（コーニング社製、７０５９材）上に順次積層
成膜された、透明酸化物薄膜22（膜厚25nm）と、銀合金
薄膜23（膜厚 150nm）と、透明酸化物薄膜24（膜厚75n
m）とで、その主要部が構成されている。なお、本実施
例２で形成した銀合金薄膜23は、膜厚が 150nmであるた
め透明とはならないものである。<Embodiment 2> As shown in FIG. 2, an electrode substrate 20 according to the present embodiment 2 is formed by sequentially laminating a 0.7 mm thick non-alkali glass substrate 21 (7059, manufactured by Corning Incorporated). The transparent oxide thin film 22 (thickness 25 nm), the silver alloy thin film 23 (thickness 150 nm), and the transparent oxide thin film 24 (thickness 75 n
m) constitutes the main part. The silver alloy thin film 23 formed in the second embodiment is not transparent because its thickness is 150 nm.

【００４５】ここで、本実施例２の透明酸化物薄膜22、
24および、銀合金薄膜23は、各々、上記の実施例１に用
いた透明酸化物薄膜および銀合金薄膜と同じ組成とし、
実施例１と同様に積層成膜を行った。すなわち、ガラス
基板21に加熱を行うことなく、ガラス基板21の温度を室
温（23℃程度）に維持した状態にて、スパッタリング法
により、透明酸化物薄膜22、24および銀合金薄膜23を順
次積層成膜したものである。Here, the transparent oxide thin film 22 of Example 2
24 and the silver alloy thin film 23 have the same composition as the transparent oxide thin film and the silver alloy thin film used in Example 1 above, respectively.
Laminated film formation was performed in the same manner as in Example 1. That is, without heating the glass substrate 21, the transparent oxide thin films 22, 24 and the silver alloy thin film 23 are sequentially laminated by the sputtering method while maintaining the temperature of the glass substrate 21 at room temperature (about 23 ° C.). It is a film formed.

【００４６】本実施例２の３層構成の導電膜の面積抵抗
は約 0.3Ω／□であった。また、銀合金薄膜23の膜厚を
150nmとし、かつ、透明酸化物薄膜24の膜厚を75nmとし
たことで、短波長側での光反射率の低下を生じることな
く、良好な光反射性を有する電極基板20となった。The area resistance of the three-layered conductive film of Example 2 was about 0.3 Ω / □. Also, the thickness of the silver alloy thin film 23 is
By setting the thickness of the transparent oxide thin film 24 to 150 nm and the thickness of the transparent oxide thin film 24 to 75 nm, the electrode substrate 20 having good light reflectivity was obtained without a decrease in light reflectivity on the short wavelength side.

【００４７】なお、本実施例２に係わる３層構成の導電
膜を所定のパターン形状とする工程は、上記の実施例１
と同様としたものである。すなわち、本実施例２に係わ
る３層構成の導電膜上に、フォトレジスト液（東京応化
工業（株）製、商品名「ＰＭＥＲ４０３０」）にてフォ
トレジスト層を形成後、所定のパターンを有する露光用
パターンマスクを介しフォトレジスト層にパターン露光
を行った。次いで、現像液（東京応化工業（株）製、商
品名「ＮＭＤ−Ｗ」）を用い、フォトレジスト層を現像
し、所定のパターンに従って導電膜部位を露出したフォ
トレジスト層を得た。The step of forming the three-layered conductive film according to the second embodiment into a predetermined pattern shape is performed in the same manner as in the first embodiment.
It is the same as. That is, after a photoresist layer (trade name “PMER4030”, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is formed on the three-layered conductive film according to the second embodiment, exposure having a predetermined pattern is performed. Pattern exposure was performed on the photoresist layer through the pattern mask for use. Next, the photoresist layer was developed using a developing solution (trade name “NMD-W” manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) to obtain a photoresist layer in which a conductive film portion was exposed according to a predetermined pattern.

【００４８】次いで、熱硫酸系エッチング液を用い、フ
ォトレジスト層より露出した導電膜部位にエッチングを
行った。次いで、剥膜液（パーカーコーポレーション社
製、商品名「ＣＲマックス」）を用いフォトレジスト層
を剥膜した後、所定のパターン形状となった導電膜を有
するガラス基板21を水洗した。最後に、ガラス基板21に
アニール処理（温度 220℃にて１時間の加熱処理を行
う）を施し、図２に示す本発明の電極基板20を得た。Next, using a hot sulfuric acid-based etchant, the conductive film portion exposed from the photoresist layer was etched. Next, after the photoresist layer was stripped using a stripping solution (trade name “CR MAX” manufactured by Parker Corporation), the glass substrate 21 having the conductive film having a predetermined pattern shape was washed with water. Finally, the glass substrate 21 was subjected to an annealing treatment (heating treatment at a temperature of 220 ° C. for one hour) to obtain an electrode substrate 20 of the present invention shown in FIG.

【００４９】＜比較例＞本発明の電極基板と従来の電極
基板との比較例を以下に記す。<Comparative Example> A comparative example of the electrode substrate of the present invention and a conventional electrode substrate will be described below.

【００５０】本比較例においては、アルカリ金属元素を
含まない無アルカリガラス基板31と、アルカリ金属元素
を含有するアルカリガラス基板41との２種類の基板を用
い、各々の基板につき電極基板を得たものである。In this comparative example, two types of substrates, an alkali-free glass substrate 31 containing no alkali metal element and an alkali glass substrate 41 containing an alkali metal element, were used, and an electrode substrate was obtained for each substrate. Things.

【００５１】すなわち、無アルカリガラス基板31として
石英ガラスを、また、アルカリ金属元素を含有するアル
カリガラス基板41としてソーダガラスを用いたものであ
る。各々の基板に対し、上述した実施例１に記したと同
じ３層構成の透明導電膜を成膜形成し、しかる後、上記
の実施例１と同様の工程にて透明導電膜のパターン化、
およびアニール処理等を行い、基板の異なる２種類の電
極基板を得たものである。That is, quartz glass is used as the non-alkali glass substrate 31, and soda glass is used as the alkali glass substrate 41 containing an alkali metal element. On each of the substrates, a transparent conductive film having the same three-layer structure as that described in Example 1 described above was formed and then patterned in the same steps as in Example 1 described above.
Then, an annealing process and the like were performed to obtain two types of electrode substrates having different substrates.

【００５２】次いで、石英ガラスを基板とする電極基板
（本発明の電極基板）を、温度 120℃、湿度 100％、圧
力２ atmとした高温多湿高圧試験器内に12時間放置した
ものであり、放置後の電極基板の形状を模式的に示す図
面が図３である。また、同様に、従来の電極基板と同様
にアルカリガラスを基板とした電極基板を、温度 120
℃、湿度 100％、圧力２ atmとした高温多湿高圧試験器
内に12時間放置したものであり、放置後の従来の電極基
板の形状を模式的に示す図面が図４である。なお、図
３、図４ともに、例えばストライプ状にパターン化した
透明電極71部位を部分的に拡大（1000倍）した平面図を
示しているものであり、パターン化した透明電極 71aお
よび 71bの間より、下地となったガラス基板31面およ
び、ガラス基板41面が露出して見えているものである。Next, an electrode substrate using quartz glass as a substrate (the electrode substrate of the present invention) was left for 12 hours in a high-temperature, high-humidity, high-pressure tester at a temperature of 120 ° C., a humidity of 100% and a pressure of 2 atm. FIG. 3 schematically shows the shape of the electrode substrate after being left. Similarly, an electrode substrate made of alkali glass as in the case of the conventional electrode substrate was heated to a temperature of 120 ° C.
FIG. 4 schematically shows the shape of a conventional electrode substrate after leaving for 12 hours in a high-temperature, high-humidity, high-pressure tester at 100 ° C., a humidity of 100%, and a pressure of 2 atm. 3 and 4 are plan views in which a portion of the transparent electrode 71 patterned in, for example, a stripe shape is partially enlarged (1000 times), and the portion between the patterned transparent electrodes 71a and 71b is shown. This shows that the surfaces of the glass substrate 31 and the glass substrate 41 serving as the base are exposed and visible.

【００５３】図３に示すように、本発明の電極基板で
は、透明電極 71a、 71bのパターンエッジ 101部位に変
化は見られない。しかし、図４に示すアルカリガラスを
基板41とした電極基板では、透明電極 71a、 71bのパタ
ーンエッジ 102部位は、アルカリガラスから溶けだした
アルカリ金属元素により劣化を生じており、シミ状の欠
陥となったものである。As shown in FIG. 3, in the electrode substrate of the present invention, there is no change in the pattern edge 101 of the transparent electrodes 71a and 71b. However, in the electrode substrate shown in FIG. 4 in which the alkali glass is used as the substrate 41, the pattern edges 102 of the transparent electrodes 71a and 71b are deteriorated by the alkali metal element dissolved from the alkali glass, resulting in spot-like defects. It is a thing.

【００５４】なお、本発明の実施例では、酸化インジウ
ムを基材とする混合酸化物で示したが、基材とする酸化
物は、酸化亜鉛や酸化スズなど他の酸化物であっても良
い。混合酸化物の薄膜は、銀の粒界拡散を抑えるため、
非晶質（アモルファス）ないし微結晶である方が好まし
い。In the embodiments of the present invention, the mixed oxide containing indium oxide as a base material is shown, but the oxide used as a base material may be another oxide such as zinc oxide or tin oxide. . The mixed oxide thin film suppresses silver grain boundary diffusion,
It is preferably amorphous or microcrystalline.

【００５５】[0055]

【発明の効果】上述したように、本発明の表示装置用電
極基板は、アルカリ金属元素を全く含まない、例えば無
アルカリガラス等の基板上に、少量の、金、白金、パラ
ジウム、ニッケルもしくは銅を、１種類以上銀に添加し
た銀合金薄膜を用いて３層構成の電極を形成している。
また、電極パターンの形成工程等の電極基板の製造工程
においても、アルカリ金属元素を含まない薬液を用いる
ものである。これにより、経時劣化が無く、保存安定性
に優れた透過型または反射型の電極基板を得ることがで
きる。As described above, the electrode substrate for a display device of the present invention can be obtained by forming a small amount of gold, platinum, palladium, nickel or copper on a substrate containing no alkali metal element, such as alkali-free glass. And a three-layer electrode is formed using a silver alloy thin film in which one or more kinds of silver are added to silver.
Also, in a process of manufacturing an electrode substrate such as a process of forming an electrode pattern, a chemical solution containing no alkali metal element is used. As a result, it is possible to obtain a transmissive or reflective electrode substrate that has no deterioration over time and has excellent storage stability.

【００５６】さらに、本発明は、高屈折率かつ高導電性
である酸化セリウムと酸化インジウムを少なくとも混合
酸化物の材料として用いるため、酸等のエッチャントに
より容易にパターン形成が可能であり、かつ、電気的な
接続（例えば、ＴＡＢ等への実装）も可能であり、ま
た、高い透過率で低抵抗の透明電極を提供できる。Further, in the present invention, since cerium oxide and indium oxide having high refractive index and high conductivity are used as at least a mixed oxide material, a pattern can be easily formed by an etchant such as an acid. Electrical connection (for example, mounting on TAB or the like) is also possible, and a transparent electrode with high transmittance and low resistance can be provided.

【００５７】すなわち、本発明の表示用電極基板は、電
極のパターン導電膜として３層構成の導電膜を備えてい
るため、低抵抗の面積抵抗値を発揮し、かつ、高い光透
過率を有し、さらには、経時劣化が無く保存安定性に優
れた、透過型透明電極基板あるいは、高い反射率を有す
る反射型電極基板を提供できる。That is, since the display electrode substrate of the present invention includes a three-layered conductive film as a patterned conductive film for the electrode, it exhibits a low sheet resistance and a high light transmittance. Further, it is possible to provide a transmission-type transparent electrode substrate or a reflection-type electrode substrate having a high reflectance, which is excellent in storage stability without deterioration over time.

【００５８】また、本発明に係わる透明電極や反射電極
は極めて低抵抗であるため、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）等のアクティブ素子の信号線やゲート線等の配線
と、表示用電極とを兼用させて、ＴＦＴ等の構成を簡略
化できるメリットも付与できる。Further, since the transparent electrode and the reflective electrode according to the present invention have extremely low resistance, the wiring such as a signal line and a gate line of an active element such as a TFT (thin film transistor) is used as a display electrode. An advantage that the structure of the TFT and the like can be simplified can also be provided.

【００５９】さらに、本発明の表示装置用電極基板は、
光透過率が高く、かつ、低抵抗であるため、その優れた
特性により、表示素子の分野以外にも応用することが可
能であり、例えば太陽電池の分野にも応用が可能であ
る。さらには、本発明の電極基板は、熱線反射性、電磁
波シールド性等の機能をも有しているため、窓ガラス用
の熱線反射膜、高反射率の光の反射板やミラー等にも応
用できる等、産業界への寄与が大といえる。Further, the electrode substrate for a display device of the present invention comprises:
Since it has high light transmittance and low resistance, it can be applied to fields other than the display element field due to its excellent characteristics, and can be applied to, for example, a solar cell field. Furthermore, since the electrode substrate of the present invention also has functions such as heat ray reflection properties and electromagnetic wave shielding properties, it is also applied to a heat ray reflection film for window glass, a light reflection plate or a mirror having a high reflectance. It can be said that the contribution to the industry is large.

【００６０】[0060]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の電極基板の一実施例を示す説明図。FIG. 1 is an explanatory view showing one embodiment of an electrode substrate of the present invention.

【図２】本発明の電極基板の他の実施例を示す説明図。FIG. 2 is an explanatory view showing another embodiment of the electrode substrate of the present invention.

【図３】本発明の電極基板に耐性テストを実施した後の
様子を示す拡大平面図。FIG. 3 is an enlarged plan view showing a state after a resistance test is performed on the electrode substrate of the present invention.

【図４】従来の電極基板に耐性テストを実施した後の様
子を示す拡大平面図。FIG. 4 is an enlarged plan view showing a state after a resistance test is performed on a conventional electrode substrate.

【図５】Ｘ線回折データの一例を示すグラフ図。FIG. 5 is a graph showing an example of X-ray diffraction data.

【図６】Ｘ線回折データの他の例を示すグラフ図。FIG. 6 is a graph showing another example of X-ray diffraction data.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20 電極基板 11、21、31、41 基板 12、14、22、24 酸化物薄膜 13、23 銀合金薄膜 51、52、61、62 Ｘ線回折データ 71 透明電極 81、91 ピーク 101、 102 パターンエッジ 10, 20 Electrode substrate 11, 21, 31, 41 Substrate 12, 14, 22, 24 Oxide thin film 13, 23 Silver alloy thin film 51, 52, 61, 62 X-ray diffraction data 71 Transparent electrode 81, 91 Peak 101, 102 Pattern edge

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢澤 一郎 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Ichiro Yazawa 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo Letterpress Printing Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】酸化物薄膜にて銀合金薄膜を挟持する構成
の電極を基板上に設けた電極基板であって、前記基板が
アルカリ金属元素を含まない基板であることを特徴とす
る電極基板。1. An electrode substrate provided with an electrode having a structure in which a silver alloy thin film is sandwiched between oxide thin films on a substrate, wherein the substrate is a substrate containing no alkali metal element. . 【請求項２】銀合金薄膜が、銀に、金、白金、パラジウ
ム、ニッケルもしくは銅のうちから１種以上を添加した
銀合金であることを特徴とする請求項１に記載の電極基
板。2. The electrode substrate according to claim 1, wherein the silver alloy thin film is a silver alloy obtained by adding at least one of gold, platinum, palladium, nickel and copper to silver. 【請求項３】酸化物薄膜が、屈折率が２．１より高い酸
化物を添加した混合酸化物であることを特徴とする請求
項１または２に記載の電極基板。3. The electrode substrate according to claim 1, wherein the oxide thin film is a mixed oxide to which an oxide having a refractive index higher than 2.1 is added. 【請求項４】請求項１、２または３に記載の電極基板を
製造する際、アルカリ金属元素を含有しない薬品材料を
用いることを特徴とする電極基板の製造方法。4. A method of manufacturing an electrode substrate according to claim 1, wherein a chemical material containing no alkali metal element is used when manufacturing the electrode substrate according to claim 1, 2 or 3.