JPH11282383A - Electrode substrate and its manufacture - Google Patents
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- JPH11282383A JPH11282383A JP447199A JP447199A JPH11282383A JP H11282383 A JPH11282383 A JP H11282383A JP 447199 A JP447199 A JP 447199A JP 447199 A JP447199 A JP 447199A JP H11282383 A JPH11282383 A JP H11282383A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置もし
くはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）等に用いられる
表示装置用電極基板、太陽電池用透明電極もしくは反射
電極、電磁波シールド膜、または、反射防止膜等に応用
可能な、酸化物にて銀系薄膜を挟持した多層構成の導電
膜からなる電極を基板上に配設した電極基板に係わり、
中でも特に、耐湿性に富み、電気的接続抵抗が低く、高
信頼性かつ高性能の導電膜を有する電極基板に関し、ま
た、導電膜の構成をほぼ同じとしつつ、銀系薄膜の膜厚
を調整することで、透過型または反射型としうる応用範
囲の広い導電膜を有した電極基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode substrate for a display device used for a liquid crystal display device or EL (electroluminescence), a transparent electrode or a reflective electrode for a solar cell, an electromagnetic wave shielding film, or an antireflection film. Applicable to an electrode substrate in which an electrode composed of a multilayered conductive film sandwiching a silver-based thin film with an oxide is disposed on the substrate,
In particular, it relates to an electrode substrate having a highly reliable and high-performance conductive film having high moisture resistance, low electrical connection resistance, and adjusting the thickness of the silver-based thin film while keeping the structure of the conductive film almost the same. Accordingly, the present invention relates to an electrode substrate having a conductive film having a wide application range that can be of a transmission type or a reflection type.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガラス基板上、プラスチック基板上また
は、半導体素子を形成した基板上に、所定の電極形状パ
ターンとした光を透過する透明導電膜を配設した電極板
は、液晶ディスプレイ等の各種表示装置の表示用電極
や、表示装置の表示画面から直接に入力を行える入出力
電極等に広く使用されている。2. Description of the Related Art An electrode plate provided with a transparent conductive film having a predetermined electrode shape and transmitting light on a glass substrate, a plastic substrate, or a substrate on which a semiconductor element is formed is used for various types of liquid crystal displays and the like. It is widely used as a display electrode of a display device, an input / output electrode capable of directly inputting from a display screen of the display device, and the like.
【０００３】図４は、液晶表示装置に用いる透明電極板
４１の一例を示す断面説明図である。図４に示すよう
に、透明電極板４１は少なくとも、ガラス基板４０と、
このガラス基板４０上の画素部位に設けられ画素毎にそ
の透過光を、例えばＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）
色にそれぞれ着色するカラーフィルター４２層と、上記
ガラス基板４０上の画素と画素との間の部位（画素間部
位）に設けられ、この画素間部位からの光透過を防止す
る遮光膜４７と、上記カラーフィルター４２層の全面に
設けられた保護層４５と、この保護層４５上に成膜され
た透明電極４３と、この透明電極４３上に成膜された配
向膜４４とでその主要部が構成されている。FIG. 4 is a sectional explanatory view showing an example of a transparent electrode plate 41 used for a liquid crystal display device. As shown in FIG. 4, the transparent electrode plate 41 includes at least a glass substrate 40,
The transmitted light for each pixel provided in the pixel portion on the glass substrate 40 is, for example, R (red), G (green), and B (blue).
A color filter 42 layer for coloring each color, a light-shielding film 47 provided at a portion (inter-pixel portion) between the pixels on the glass substrate 40 and preventing light transmission from the inter-pixel portion, A main part of a protective layer 45 provided on the entire surface of the color filter 42 layer, a transparent electrode 43 formed on the protective layer 45, and an alignment film 44 formed on the transparent electrode 43 It is configured.
【０００４】そして、上記透明電極４３は、スッパタリ
ングにより成膜された後に所定のパターン形状にエッチ
ング加工された、透明導電被膜により構成されている。
この透明導電被膜としては、その高い導電性に着目し
て、酸化インジウム中に酸化錫を添加したＩＴＯ薄膜が
広く利用されている。ＩＴＯ薄膜の比抵抗はおよそ２．
４×１０-4Ω・ｃｍ程度であり、透明電極として通常に
利用される２４０ｎｍ程度の膜厚の場合、その面積抵抗
はおよそ１０Ω／□程度である。[0004] The transparent electrode 43 is formed of a transparent conductive film which is formed by sputtering and then etched into a predetermined pattern.
As this transparent conductive film, an ITO thin film obtained by adding tin oxide to indium oxide is widely used, paying attention to its high conductivity. The specific resistance of the ITO thin film is about 2.
It is about 4 × 10 −4 Ω · cm, and in the case of a film thickness of about 240 nm normally used as a transparent electrode, the sheet resistance is about 10 Ω / □.
【０００５】また、透明導電被膜としてはこの他にも、
酸化錫薄膜、酸化錫に酸化アンチモンを添加して構成さ
れる薄膜（ネサ膜）、または、酸化亜鉛に酸化アルミニ
ウムを添加して構成される薄膜等が知られている。しか
し、これらはいずれも上記ＩＴＯ薄膜よりその導電性が
劣り、また、酸やアルカリ等に対する耐薬品性あるいは
耐水性等が不十分なため一般には普及していない。[0005] In addition to the transparent conductive film,
A thin film formed by adding antimony oxide to tin oxide, a thin film formed by adding antimony oxide to tin oxide, and a thin film formed by adding aluminum oxide to zinc oxide are known. However, these are not widely used because they are inferior in conductivity to the above-mentioned ITO thin film, and have insufficient chemical resistance or water resistance against acids and alkalis.
【０００６】一方、１９８２年日本で開催された第７回
ＩＣＶＭにおいて、熱線反射膜として銀薄膜の表裏面に
ＩＴＯ薄膜又は酸化インジウム薄膜（ＩＯ薄膜）を積層
させて構成される３層構造の透明導電膜が提案されてい
る。この３層構造の透明導電膜はおよそ５Ω／□程度の
低い面積抵抗率を有しており、その高い導電性を生かし
て上記透明電極への応用が期待された。On the other hand, at the seventh ICVM held in Japan in 1982, a three-layered transparent structure in which an ITO thin film or an indium oxide thin film (IO thin film) is laminated on the front and back surfaces of a silver thin film as a heat ray reflective film. Conductive films have been proposed. The transparent conductive film having the three-layer structure has a low sheet resistivity of about 5 Ω / □, and is expected to be applied to the transparent electrode by utilizing its high conductivity.
【０００７】また、液晶表示装置は、バックライトとし
て光源（ランプ）を内蔵する透過型液晶表示装置が一般
的である。しかし、これら透過型液晶表示装置は、バッ
クライト用ランプによる消費電力が大きく、電池駆動の
場合は使用時間が短いため、本来液晶表示装置が有すべ
き携帯用としての特徴を活かしきれていないという問題
があった。このため、近年、外光を利用する（すなわ
ち、バックライト用ランプを内蔵しない）反射型の液晶
表示装置の開発が活発となっている。A liquid crystal display device is generally a transmissive liquid crystal display device having a light source (lamp) as a backlight. However, these transmissive liquid crystal display devices consume a large amount of power due to a backlight lamp and have a short operating time when driven by a battery, and thus cannot fully utilize the characteristics of a liquid crystal display device that should be possessed as a portable device. There was a problem. For this reason, in recent years, the development of a reflective liquid crystal display device using external light (that is, not incorporating a backlight lamp) has been actively developed.
【０００８】図５は、反射型液晶表示装置５０の概略構
成の一例を示している。同図において、当該反射型液晶
表示装置５０は、反射電極板５１と透明電極板５２とか
らなる一対の基板を、透明電極５０５と透明電極５０７
とが液晶５０９を挟んで対向するように、シール材５１
０によって配設している。前記反射電極板５１は、反射
膜５０２およびカラーフィルター５０３がガラス等の背
面基板５０１に順次積層され、さらに、当該カラーフィ
ルター５０３の保護および当該カラーフィルター５０３
表面を平坦化する保護層５０４と、ＩＴＯ等の透明電極
５０５が順次積層された構成になっている。なお、カラ
ーフィルター５０３は、例えばＲ（赤）色、Ｇ（緑）
色、Ｂ（青）色等に着色された光透過性の画素（以下、
単に画素と記す）が、所定のパターンに従って複数形成
されているものである。また、反射膜５０２は、液晶駆
動用の電極を兼ねた、反射電極として用いる場合もあ
る。FIG. 5 shows an example of a schematic configuration of a reflection type liquid crystal display device 50. In the figure, the reflection type liquid crystal display device 50 includes a pair of substrates including a reflection electrode plate 51 and a transparent electrode plate 52, and a transparent electrode 505 and a transparent electrode 507.
Are opposed to each other with the liquid crystal 509 interposed therebetween.
Arranged by 0. In the reflective electrode plate 51, a reflective film 502 and a color filter 503 are sequentially laminated on a rear substrate 501 made of glass or the like, and further, protection of the color filter 503 and the color filter 503 are performed.
A protective layer 504 for flattening the surface and a transparent electrode 505 such as ITO are sequentially laminated. The color filter 503 is, for example, an R (red) color, a G (green) color.
Light-transmitting pixels (hereinafter, referred to as B (blue) colors)
Are simply formed in accordance with a predetermined pattern. In some cases, the reflective film 502 is used as a reflective electrode that also serves as an electrode for driving a liquid crystal.
【０００９】次いで、透明電極板５２は、ガラス基板等
である透明基板５１１の一方の面側に偏光膜５０８を配
置し、他方の面側にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）５０６
と接続した透明電極５０７を、周期的に配置した構成に
なっている。Next, the transparent electrode plate 52 has a polarizing film 508 disposed on one side of a transparent substrate 511 such as a glass substrate, and a TFT (thin film transistor) 506 disposed on the other side.
The transparent electrode 507 connected to the terminal is periodically arranged.
【００１０】従来、図５に示す、背面基板５０１に形成
する反射膜５０２として、アルミニウム薄膜が広く利用
されていた。これは、アルミニウムが可視域の光の反射
率が高い金属であることによる。しかし、近年、液晶表
示装置の表示品位の向上が要求されているものであり、
アルミニウム薄膜の反射率は、必ずしも満足すべきもの
とはいえなくなってきている。また、アルミニウムは、
液晶やガラス基板と接触した場合、反射率が低下すると
いう問題もあった。Conventionally, an aluminum thin film has been widely used as a reflection film 502 formed on a back substrate 501 shown in FIG. This is because aluminum is a metal having a high reflectance of light in the visible region. However, in recent years, improvement in display quality of liquid crystal display devices has been demanded,
The reflectivity of aluminum thin films has not always been satisfactory. Aluminum is
There is also a problem that the reflectance is reduced when it comes into contact with a liquid crystal or a glass substrate.
【００１１】このため、反射膜の素材として銀を用いる
ことが提案されているものである。銀は、アルミニウム
と比較すると、光の反射率がおよそ１０％程度優れてい
るといえる。For this reason, it has been proposed to use silver as a material of the reflection film. It can be said that silver has an excellent light reflectance of about 10% as compared with aluminum.
【００１２】しかし銀は、ガラスやプラスチック等を素
材とする基板に対し密着力が低く、銀薄膜として基板上
に形成した場合、基板から剥がれやすいという問題があ
る。また、純度の高い銀にて基板上に形成された銀薄膜
は、熱と酸素の影響で凝集、白濁しやすく、そのため、
光の反射率や透過率が低下しやすいという問題もある。
加えて、銀薄膜が露出し、直接外気と触れる構成では、
銀薄膜の表面に硫化銀や酸化銀が形成されて変色すると
いう欠点も有しているものである。さらに、ガラス基板
等の基板上に銀薄膜を形成すると、当該基板からのアル
カリ金属の拡散により銀が白濁し反射率や透過率が低下
するという問題もあった。However, silver has a problem that it has a low adhesion to a substrate made of glass, plastic, or the like, and is easily peeled off from the substrate when formed on the substrate as a silver thin film. In addition, a silver thin film formed on a substrate with high-purity silver is likely to aggregate and become cloudy under the influence of heat and oxygen.
There is also a problem that light reflectance and transmittance are apt to decrease.
In addition, in the configuration where the silver thin film is exposed and comes into direct contact with the outside air,
Another disadvantage is that silver sulfide and silver oxide are formed on the surface of the silver thin film to cause discoloration. Furthermore, when a silver thin film is formed on a substrate such as a glass substrate, there is a problem that silver is clouded due to diffusion of an alkali metal from the substrate, and the reflectance and the transmittance are reduced.
【００１３】銀薄膜を用いた場合に生じる上述した問題
点や欠点を補う技術として、銀薄膜を酸化物（酸化物
層）にて挟持する３層構成の導電膜とする技術が提案さ
れている。しかし、この技術では、エッチング液を用い
て導電膜を所定のパターン形状に加工する場合、エッチ
ングによるダメージ（特に、銀薄膜と酸化物層との界面
へのダメージ）を受け、特に上側の酸化物層が剥がれや
すくなるという問題がある。加えて、この３層構成の導
電膜にて透過型の透明電極を形成する場合、光学特性の
最適化のため、上側酸化物層（銀薄膜上に形成する酸化
物層）を非晶質状態とし、また、４０ｎｍ前後の厚めの
膜厚にて上下の酸化物層を各々形成する必要が生じるも
のである。すなわち、上側酸化物層を非晶質状態とせ
ず、酸化物層に結晶やグレインがあった場合、その粒界
を銀が移動しやすく、この３層構成の導電膜の信頼性を
大きく低下させてしまうためである。As a technique for compensating the above-mentioned problems and disadvantages caused when a silver thin film is used, a technique of forming a three-layered conductive film in which a silver thin film is sandwiched between oxides (oxide layers) has been proposed. . However, in this technique, when the conductive film is processed into a predetermined pattern shape using an etchant, the conductive film is damaged by etching (particularly, damage to the interface between the silver thin film and the oxide layer), and particularly the upper oxide layer is damaged. There is a problem that the layer is easily peeled. In addition, when a transmission type transparent electrode is formed with the three-layered conductive film, the upper oxide layer (oxide layer formed on the silver thin film) is in an amorphous state in order to optimize optical characteristics. In addition, it is necessary to form the upper and lower oxide layers with a relatively large thickness of about 40 nm. That is, when the upper oxide layer is not made to be in an amorphous state and crystals or grains are present in the oxide layer, silver easily moves along the grain boundaries, and the reliability of the three-layered conductive film is greatly reduced. This is because
【００１４】酸化物として安定な非晶質の膜とするため
には、異種の酸化物を混合した混合酸化物層とすること
が望ましいが、その場合、この導電膜に対する電気的な
接続抵抗が大きくなり、導電膜として好ましくないもの
となる。さらに上述した、銀薄膜と酸化物層との界面へ
のダメージがあるため、耐湿性等の信頼性が大きく低下
し、実用レベルにまで至っていなかった。In order to form an amorphous film that is stable as an oxide, it is desirable to form a mixed oxide layer in which different kinds of oxides are mixed. In this case, the electrical connection resistance to this conductive film is low. It becomes undesired as a conductive film. Furthermore, since the interface between the silver thin film and the oxide layer is damaged as described above, the reliability such as moisture resistance is greatly reduced, and has not reached a practical level.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点に鑑みなされたもので、優れた光学特性（透過率、反
射率）、低い電気的接続抵抗、良好なパターニング性、
および高い信頼性を全て兼ね備えた導電膜が形成された
電極基板を得ようとするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has excellent optical characteristics (transmittance and reflectivity), low electrical connection resistance, good patternability,
Another object of the present invention is to obtain an electrode substrate on which a conductive film having both high reliability is formed.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を行い、本発明に至ったものであ
る。なお、以下の記述において、下側非晶質酸化物層と
は銀系薄膜形成前に基板上に形成する酸化物層とし、銀
系薄膜形成後銀系薄膜上に積層形成する酸化物層を上側
非晶質酸化物層もしくは上側酸化物層としている。Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and have reached the present invention. In the following description, the lower amorphous oxide layer is an oxide layer formed on the substrate before the formation of the silver-based thin film, and an oxide layer formed on the silver-based thin film after the formation of the silver-based thin film. The upper amorphous oxide layer or the upper oxide layer is used.
【００１７】すなわち、請求項１に係わる発明は、基板
と所定のパターン形状とした多層導電膜とを具備する表
示装置用電極基板であって、前記多層導電膜は、銀系薄
膜との界面における銀の動きを抑制する非晶質ないし非
晶質様な酸化物からなる下側非晶質酸化物層と、銀系薄
膜と、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制する非
晶質ないし非晶質様な酸化物からなる上側非晶質酸化物
層とを備え、少なくとも前記上側非晶質酸化物層の膜厚
は２０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置用電極
基板としたものである。That is, the invention according to claim 1 is an electrode substrate for a display device comprising a substrate and a multilayer conductive film having a predetermined pattern shape, wherein the multilayer conductive film is formed at an interface with a silver-based thin film. A lower amorphous oxide layer made of an amorphous or amorphous-like oxide that suppresses the movement of silver, a silver-based thin film, and an amorphous material that suppresses the movement of silver at the interface between the silver-based thin film and the silver-based thin film Or an upper amorphous oxide layer made of an amorphous-like oxide, wherein at least the upper amorphous oxide layer has a thickness of 20 nm or less. Things.
【００１８】さらに、請求項２に係わる発明において
は、基板と所定のパターン形状とした多層導電膜とを具
備する表示装置用電極基板であって、前記多層導電膜
は、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制する非晶
質ないし非晶質様な酸化物からなる下側非晶質酸化物層
と、銀系薄膜と、上側酸化物層とを備え、前記上側酸化
物層は、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制する
膜厚が２０ｎｍ以下の非晶質ないし非晶質様な上側非晶
質酸化物と、酸化物層とを備えていることを特徴とする
表示装置用電極基板としたものである。Further, in the invention according to claim 2, there is provided an electrode substrate for a display device comprising a substrate and a multilayer conductive film having a predetermined pattern shape, wherein the multilayer conductive film has an interface with a silver-based thin film. A lower amorphous oxide layer made of an amorphous or amorphous-like oxide that suppresses the movement of silver in, a silver-based thin film, and an upper oxide layer, wherein the upper oxide layer is A display comprising an amorphous or amorphous upper amorphous oxide having a thickness of 20 nm or less for suppressing silver movement at an interface with a silver-based thin film, and an oxide layer. This is a device electrode substrate.
【００１９】このような構成によれば、前記上側非晶質
酸化物層および下側非晶質酸化物層は、前記銀系薄膜と
の界面における銀の動きを抑制する機能（いわば、銀の
動きを固定する錨としての役割）を有し、高温、高湿下
での銀の動きを原因とする凝集、白濁、及びこれに伴う
反射率あるいは透過率の低下等を抑制することができ
る。According to this structure, the upper amorphous oxide layer and the lower amorphous oxide layer have a function of suppressing the movement of silver at the interface with the silver-based thin film (in other words, a function of silver). (A role as an anchor for fixing the movement), and it is possible to suppress aggregation, white turbidity caused by silver movement under high temperature and high humidity, and a decrease in reflectance or transmittance accompanying the movement.
【００２０】この点につき、さらに説明する。銀は動き
やすく、銀系薄膜の表面が空気（ａｉｒ）中に露出した
状態で熱を加えると、例えば２００℃〜３００℃程度の
加熱の場合、銀系薄膜の表面へ拡散、移動した銀原子が
再結晶化し成長することで大きな結晶塊となる。これに
より銀表面に凝集、白濁が生じ、銀系薄膜の反射率もし
くは透過率が低下する。ここで、銀系薄膜の表面（ミク
ロ的にいえば、再結晶前の微細な個々の銀結晶の表面）
に、スパッタリング等の成膜手段で数分子の酸化物の核
を植え込んだとする。その場合、植え込まれた酸化物の
核が銀原子の移動を抑制する錨の役割を果たし、銀原子
の銀系薄膜表面への拡散を防ぐことになり、銀系薄膜表
面での銀原子の再結晶化を抑え、銀系薄膜の光学特性の
劣化を防止することになる。すなわち、銀系薄膜の表面
に酸化物の核を植え込むことで、例えば液晶表示装置の
製造の際に加熱処理が行われても、銀系薄膜の光学特性
が劣化することを防止できることになる。This point will be further described. Silver is easy to move, and when heat is applied while the surface of the silver-based thin film is exposed to air, for example, in the case of heating at about 200 ° C. to 300 ° C., silver atoms diffused and moved to the surface of the silver-based thin film Recrystallizes and grows into a large crystal mass. As a result, aggregation and cloudiness occur on the silver surface, and the reflectance or transmittance of the silver-based thin film decreases. Here, the surface of the silver-based thin film (microscopically, the surface of each fine silver crystal before recrystallization)
Here, it is assumed that several molecules of oxide nuclei are implanted by film forming means such as sputtering. In this case, the implanted oxide nucleus serves as an anchor that suppresses the movement of silver atoms, preventing the diffusion of silver atoms to the surface of the silver-based thin film, and causing silver atoms on the surface of the silver-based thin film to diffuse. This suppresses recrystallization and prevents deterioration of the optical characteristics of the silver-based thin film. That is, by implanting oxide nuclei on the surface of the silver-based thin film, it is possible to prevent the optical characteristics of the silver-based thin film from deteriorating even if a heat treatment is performed, for example, during the manufacture of a liquid crystal display device.
【００２１】この、銀系薄膜の表面に植え込んだ酸化物
の核の並びが、前記上側非晶質酸化物層および下側非晶
質酸化物層である。すなわち、前記上側非晶質酸化物層
および下側非晶質酸化物層は、銀系薄膜との界面におけ
る銀の動きを錨のように固定する固定層といえる。従っ
て、前記下側非晶質酸化物層は下側の固定層、前記上側
非晶質酸化物層は上側の固定層としての機能を有する。
なお、信頼性の観点から、固定層は、銀系薄膜と電気化
学的性質（例えば、腐蝕電位）が近いことが望ましく、
また、銀の粒界拡散を防ぐため、非晶質（アモルファ
ス）もしくは非晶質様（アモルファスライク）であるこ
とが望ましい。さらに、当該固定層は、銀系薄膜と密着
力が高いものであることが望ましい。The arrangement of the nuclei of the oxide implanted on the surface of the silver-based thin film is the upper amorphous oxide layer and the lower amorphous oxide layer. That is, the upper amorphous oxide layer and the lower amorphous oxide layer can be said to be fixed layers that fix the movement of silver at the interface with the silver-based thin film like an anchor. Therefore, the lower amorphous oxide layer functions as a lower fixed layer, and the upper amorphous oxide layer functions as an upper fixed layer.
In addition, from the viewpoint of reliability, the fixed layer desirably has a similar electrochemical property (for example, corrosion potential) to the silver-based thin film,
In order to prevent the grain boundary diffusion of silver, it is desirable that the material is amorphous (amorphous) or amorphous-like (amorphous like). Further, the fixing layer desirably has high adhesion to the silver-based thin film.
【００２２】また、固定層となる非晶質酸化物は、透明
で耐アルカリ性に富む材質であることが望ましく、成膜
後に所定のパターン形状に加工することを考慮し、エッ
チングに用いる酸等のエッチャントに可溶であることが
望ましい。なお、本発明に係わる液晶表示装置用電極基
板を液晶駆動用の電極基板として用いる場合は、導電性
の酸化物を基材とした混合酸化物が固定層の材料として
望ましい。The amorphous oxide serving as the fixed layer is desirably a transparent and highly alkali-resistant material. Considering that the amorphous oxide is processed into a predetermined pattern after film formation, an acid such as an acid used for etching may be used. Desirably, it is soluble in an etchant. When the electrode substrate for a liquid crystal display device according to the present invention is used as an electrode substrate for driving a liquid crystal, a mixed oxide containing a conductive oxide as a base material is preferable as a material for the fixed layer.
【００２３】本発明に係わる多層導電膜は、前記固定層
としての機能を有する上側非晶質酸化物層および下側非
晶質酸化物層にて銀系薄膜を挟持した３層構成であって
もよく、または、多層導電膜に反射、透過という所定の
光学特性を持たせるため、銀系薄膜を挟持する上側非晶
質酸化物層もしくは下側非晶質酸化物層の銀系薄膜と接
する面とは反対側の面に酸化物層（例えば、透明な酸化
物層）を積層した構成であってもよい。当該多層導電膜
の構成は、本発明に係わる液晶表示装置用電極基板の用
途に応じて適宜選択して構わない。The multilayer conductive film according to the present invention has a three-layer structure in which a silver-based thin film is sandwiched between an upper amorphous oxide layer and a lower amorphous oxide layer having a function as the fixed layer. Or in order to make the multilayer conductive film have predetermined optical characteristics such as reflection and transmission, in contact with the silver-based thin film of the upper amorphous oxide layer or the lower amorphous oxide layer sandwiching the silver-based thin film. A structure in which an oxide layer (for example, a transparent oxide layer) is stacked on a surface opposite to the surface may be employed. The configuration of the multilayer conductive film may be appropriately selected depending on the use of the electrode substrate for a liquid crystal display device according to the present invention.
【００２４】次いで、前記固定層としての役割を持つ上
側非晶質酸化物層および下側非晶質酸化物層の膜厚は、
耐熱耐湿性のみを対象とすれば、１ｎｍ前後でも固定層
としての役割（すなわち、界面における銀の動きを抑制
する、いわば銀の動きを固定する錨（アンカー）として
の役割）を果たすのに十分といえる。非晶質酸化物層
（固定層）の膜厚が薄いほうが、非晶質酸化物層（固定
層）を所定のパターン形状とするために行われるエッチ
ングに要する時間が短縮でき、銀系薄膜と酸化物との界
面へのダメージが小さくなるため、非晶質酸化物層（固
定層）の膜厚は薄いほど良いといえる。しかし、膜厚１
ｎｍ前後では、成膜時の膜厚のバラつきや、アルカリ液
等を用いた洗浄の際に生じる膜の流れ落ち等を考慮する
とやや不安定といえる。このため、非晶質酸化物層（固
定層）の膜厚は２ｎｍ以上として形成したほうが好まし
い。Next, the thicknesses of the upper amorphous oxide layer and the lower amorphous oxide layer serving as the fixed layer are as follows:
If only heat and moisture resistance is considered, even about 1 nm is sufficient to serve as a fixing layer (that is, to suppress movement of silver at the interface, that is, to function as an anchor for fixing movement of silver). It can be said that. When the thickness of the amorphous oxide layer (fixed layer) is smaller, the time required for etching performed to form the amorphous oxide layer (fixed layer) into a predetermined pattern shape can be reduced, and the thickness of the silver-based thin film can be reduced. Since the damage to the interface with the oxide is reduced, the thinner the amorphous oxide layer (fixed layer), the better. However, the film thickness 1
When the thickness is around nm, it can be said that the film is somewhat unstable in consideration of variations in the film thickness at the time of film formation, and the flow-down of the film that occurs during cleaning using an alkaline solution or the like. Therefore, it is preferable to form the amorphous oxide layer (fixed layer) with a thickness of 2 nm or more.
【００２５】ここで、非晶質酸化物層（固定層）の膜厚
の上限は、成膜後に所定のパターン形状とするために行
われるエッチングの際に銀系薄膜と酸化物との界面に受
けるダメージの程度、および、光学特性（透過率、反射
率）の二つの要因を考慮して決定することが望ましいと
いえるが、本発明者らは、エッチング時に受ける銀系薄
膜と酸化物との界面でのダメージの程度をまず考慮した
ものである。Here, the upper limit of the thickness of the amorphous oxide layer (fixed layer) is set at the interface between the silver-based thin film and the oxide during etching performed to form a predetermined pattern after the film formation. It can be said that it is desirable to consider the two factors of the degree of damage to be received and the optical characteristics (transmittance and reflectance). First, the degree of damage at the interface is considered.
【００２６】すなわち、本発明者らは、エッチングによ
るダメージの程度を、信頼性の一つの大きな指標である
高温、高湿下での接続抵抗の変化の程度で判断すること
が適当であることを見いだした。このため、耐久性試験
にて行われる一般的な条件（温度７０℃〜９０℃、湿度
９０％〜９５％の雰囲気中に１０００時間放置を行う）
下にて、非晶質酸化物層（固定層）の膜厚を種々に変化
させて接続抵抗の変化を試した。その結果、非晶質酸化
物層（固定層）の膜厚を２０ｎｍ以下、さらに好ましく
は１０ｎｍ以下とすれば接続抵抗の安定性が得られるこ
とを見いだした。That is, the present inventors find that it is appropriate to judge the degree of damage due to etching based on the degree of change in connection resistance under high temperature and high humidity, which is one of the great indicators of reliability. I found it. For this reason, the general conditions used in the durability test (leave in an atmosphere at a temperature of 70 ° C. to 90 ° C. and a humidity of 90% to 95% for 1000 hours)
Below, the change in connection resistance was tested by changing the thickness of the amorphous oxide layer (fixed layer) in various ways. As a result, it has been found that if the thickness of the amorphous oxide layer (fixed layer) is 20 nm or less, more preferably 10 nm or less, the connection resistance can be stabilized.
【００２７】なお、酸化物層および銀系薄膜の材料や、
下地となる層（例えば、基板等）の表面状態にもよる
が、非晶質酸化物層（固定層）の膜厚が２〜１０ｎｍの
範囲では、酸化物は均質な膜になることなく島状に着膜
し、また、光学的には、ボイドを含み、バルクより低屈
折率の膜になる。その場合、本発明の電極基板を反射型
とすると、非晶質酸化物層（固定層）の屈折率が低いた
め、高い反射率を得ることが可能となる。The materials of the oxide layer and the silver-based thin film,
If the thickness of the amorphous oxide layer (fixed layer) is in the range of 2 to 10 nm, depending on the surface condition of the underlying layer (for example, the substrate or the like), the oxide will not become a uniform film and It is a film having a refractive index lower than that of a bulk, including voids optically. In that case, when the electrode substrate of the present invention is of a reflection type, a high reflectance can be obtained because the refractive index of the amorphous oxide layer (fixed layer) is low.
【００２８】本発明の電極基板に形成する多層導電膜
は、非晶質酸化物層（固定層）で挟持する銀系薄膜の膜
厚を例えば１００〜２００ｎｍ程度、あるいはこれより
厚く形成することにより、実用上良好な反射電極とな
る。ここで本発明者らは、光学特性の観点より、銀系薄
膜を使用した反射型電極板と、従来のアルミニウム薄膜
を使用した反射型電極板との反射率の比較を行った。上
述したように、銀系薄膜の耐熱耐湿性を確保するために
は、２０ｎｍ以下の非晶質酸化物層（固定層）の形成が
必要となる。反射率という光学特性でこの膜厚を検討す
ると、次のようになる。すなわち、銀はアルミニウムよ
り１０％程度反射率の高い良好な金属といえるが、酸化
物である固定層の膜厚、あるいは合金元素の銀への添加
量によっては、短波長側の反射率が低下しやすいもので
ある。In the multilayer conductive film formed on the electrode substrate of the present invention, the thickness of the silver-based thin film sandwiched between the amorphous oxide layers (fixed layers) is, for example, about 100 to 200 nm or larger. It becomes a practically good reflective electrode. Here, the present inventors compared the reflectance of a reflective electrode plate using a silver-based thin film with the reflectance of a conventional reflective electrode plate using an aluminum thin film from the viewpoint of optical characteristics. As described above, it is necessary to form an amorphous oxide layer (fixed layer) having a thickness of 20 nm or less in order to secure the heat resistance and moisture resistance of the silver-based thin film. When this film thickness is examined in terms of an optical characteristic called reflectance, the following is obtained. That is, silver can be said to be a good metal having a reflectance of about 10% higher than that of aluminum, but the reflectance on the short wavelength side decreases depending on the thickness of the fixed layer, which is an oxide, or the amount of alloying element added to silver. It is easy to do.
【００２９】アルミニウムの４３０ｎｍ（ブルー域の波
長）での反射率は約８５％程度である。このため、本発
明者らは、本発明の電極基板では、４３０ｎｍの波長で
アルミニウムより高い反射率を確保することを目標とし
た。本発明者らは多くの検討をした結果、膜厚（単位は
ｎｍ）と屈折率との積である光学的膜厚の値にて、非晶
質酸化物層（固定層）の光学的膜厚が２０ｎｍ以下であ
れば、４３０ｎｍの波長で反射率８５％以上をほぼ確保
できることを見いだしたものである。すなわち、請求項
３に係わる発明は、上側非晶質酸化物層が、膜厚と屈折
率との積である光学的膜厚の値を２０ｎｍ以下とした酸
化物層であることを特徴とする表示装置用電極基板とし
たものである。このような構成によれば、当該電極板を
反射型とした場合、前記上側非晶質酸化物層（上側の固
定層）の屈折率を低くすることができ、反射率を向上さ
せることができる。The reflectance of aluminum at 430 nm (blue wavelength) is about 85%. For this reason, the present inventors aimed at securing a higher reflectance than aluminum at a wavelength of 430 nm in the electrode substrate of the present invention. As a result of many studies, the present inventors have found that the optical film thickness of the amorphous oxide layer (fixed layer) is determined by the value of the optical film thickness which is the product of the film thickness (unit: nm) and the refractive index. It has been found that when the thickness is 20 nm or less, a reflectance of 85% or more can be almost secured at a wavelength of 430 nm. That is, the invention according to claim 3 is characterized in that the upper amorphous oxide layer is an oxide layer in which the value of the optical film thickness, which is the product of the film thickness and the refractive index, is 20 nm or less. This is an electrode substrate for a display device. According to such a configuration, when the electrode plate is of a reflection type, the refractive index of the upper amorphous oxide layer (the upper fixed layer) can be reduced, and the reflectance can be improved. .
【００３０】次いで、本発明の電極基板に形成する多層
導電膜は、非晶質酸化物層（固定層）で挟持する銀系薄
膜の膜厚を例えば７〜２５ｎｍ程度の範囲で形成するこ
とにより、実用上良好な透明電極となる。しかし、この
銀系薄膜を挟持する非晶質酸化物層（固定層）の膜厚が
２０ｎｍ以下の場合、銀系薄膜からの光の反射成分が強
くなり、十分な透過率を確保できない。屈折率が２前後
の酸化物で銀系薄膜を挟持する３層構成の導電膜では、
酸化物の膜厚をおよそ４０〜４５ｎｍ程度に設定しない
と高い透過率を確保しにくい。このため、本発明に係わ
る電極基板を透過型として用いる場合、固定層上に酸化
物層を積層し、所定の光学特性（例えば、透過率）とす
ることが望ましい。Next, the multilayer conductive film formed on the electrode substrate of the present invention is formed by forming the thickness of the silver-based thin film sandwiched between the amorphous oxide layers (fixed layers) to, for example, about 7 to 25 nm. It becomes a practically good transparent electrode. However, when the thickness of the amorphous oxide layer (fixed layer) sandwiching the silver-based thin film is 20 nm or less, the reflection component of light from the silver-based thin film becomes strong, and a sufficient transmittance cannot be secured. In a three-layer conductive film sandwiching a silver-based thin film with oxides having a refractive index of about 2,
Unless the oxide film thickness is set to about 40 to 45 nm, it is difficult to secure a high transmittance. Therefore, when the electrode substrate according to the present invention is used as a transmission type, it is desirable that an oxide layer is laminated on the fixed layer to have predetermined optical characteristics (for example, transmittance).
【００３１】本発明者らは、こうした一般的な構成部材
の膜厚、屈折率を最適化して利用する形の電極基板を提
案するものである。The present inventors have proposed an electrode substrate in which the thickness and refractive index of such general constituent members are optimized and used.
【００３２】すなわち、請求項４に係わる発明は、上側
非晶質酸化物層または、上側非晶質酸化物層と酸化物層
とが積層された上側酸化物層の上に保護層を備え、上側
非晶質酸化物層または上側酸化物層と保護層との合計の
光学的膜厚が７０ｎｍ以上であることを特徴とする表示
装置用電極基板としたものである。このような構成によ
れば、当該電極板を透過型とした場合、電極板の透過率
を向上させることができる。That is, the invention according to claim 4 includes a protective layer on the upper amorphous oxide layer or the upper oxide layer in which the upper amorphous oxide layer and the oxide layer are stacked, An electrode substrate for a display device, wherein the total optical film thickness of the upper amorphous oxide layer or the upper oxide layer and the protective layer is 70 nm or more. According to such a configuration, when the electrode plate is of a transmission type, the transmittance of the electrode plate can be improved.
【００３３】さらに、本発明者らは、本発明の表示装置
用電極基板を透過型とし、屈折率の異なる酸化物層を積
層した多層の酸化物層で銀系薄膜を挟持する構成とした
場合、銀系薄膜に接する側の酸化物層の屈折率を高くし
ないと、電極基板の透過率を高くしにくいことを見いだ
した。Further, the present inventors have proposed a case where the electrode substrate for a display device of the present invention is of a transmissive type and a silver-based thin film is sandwiched between multilayer oxide layers in which oxide layers having different refractive indices are stacked. It has been found that it is difficult to increase the transmittance of the electrode substrate unless the refractive index of the oxide layer in contact with the silver-based thin film is increased.
【００３４】すなわち、請求項５に係わる発明は、保護
層が、上側非晶質酸化物層と等しい、もしくは、上側非
晶質酸化物層より低い屈折率の酸化物層であることを特
徴とする表示装置用電極基板としたものである。また、
請求項６に係わる発明は、下側非晶質酸化物層が、下側
非晶質酸化物層と等しい、もしくは、下側非晶質酸化物
層より低い屈折率の酸化物よりなる下引き層を含む構成
であることを特徴とする表示装置用電極基板としたもの
である。このような構成によれば、当該表示装置用電極
基板を透過型とした場合、上側非晶質酸化物層および下
側非晶質酸化物層の屈折率が高くなり、その結果、より
電極基板の透過率を向上させることができる。That is, the invention according to claim 5 is characterized in that the protective layer is an oxide layer having a refractive index equal to or lower than that of the upper amorphous oxide layer. This is an electrode substrate for a display device. Also,
The invention according to claim 6 is characterized in that the lower amorphous oxide layer is equal to the lower amorphous oxide layer, or the lower amorphous oxide layer is made of an oxide having a lower refractive index than the lower amorphous oxide layer. An electrode substrate for a display device characterized by having a structure including a layer. According to such a configuration, when the display device electrode substrate is of a transmission type, the refractive indexes of the upper amorphous oxide layer and the lower amorphous oxide layer are increased, and as a result, the electrode substrate Can be improved.
【００３５】ここで、保護層の材料として、耐薬品性、
耐熱性、耐光性等に優れた材料を用いることにより高信
頼性の電極基板を提供することができる。なお、上述し
た下引き層は、基板の材質がソーダガラスであった場
合、基板からのアルカリ金属の拡散を防ぐアルカリバリ
ヤー層の役目を有する。また、基板と下側非晶質酸化物
層との密着性が低いものであった場合、下引き層は、接
着層の役目も兼ねることになる。Here, as the material of the protective layer, chemical resistance,
By using a material having excellent heat resistance, light resistance, and the like, a highly reliable electrode substrate can be provided. When the material of the substrate is soda glass, the undercoat layer serves as an alkali barrier layer for preventing diffusion of alkali metal from the substrate. When the adhesion between the substrate and the lower amorphous oxide layer is low, the undercoat layer also functions as an adhesive layer.
【００３６】また、従来の銀系薄膜を酸化物で挟持する
３層構成の導電膜では、動きやすい銀を安定化させるた
め、３at％（原子パーセント）を超える合金元素を銀に
添加し、このため導電性の低下等を生じていた。しか
し、本発明においては、銀系薄膜を固定層で挟持した形
態とするため銀の動きが少なくなり、銀への合金元素の
添加量を減らしても、フォトリソグラフィー等の製造プ
ロセスでも安定して基板を流せ、かつ、パターン形成
後、保護層の形成を行うことができる。すなわち、本発
明の電極基板では、合金元素の銀への添加量を最小限に
抑えることが可能になり、その結果、導電膜の性能をよ
り高いものにすることができるものである。In a conventional conductive film having a three-layer structure in which a silver-based thin film is sandwiched between oxides, an alloying element exceeding 3 at% (atomic percent) is added to silver in order to stabilize easily movable silver. As a result, the conductivity has been reduced. However, in the present invention, since the silver-based thin film is sandwiched between the fixed layers, the movement of silver is reduced, and even if the amount of alloying elements added to silver is reduced, the production process such as photolithography is stable. After flowing the substrate and forming the pattern, the protective layer can be formed. That is, in the electrode substrate of the present invention, the amount of the alloying element added to silver can be minimized, and as a result, the performance of the conductive film can be further improved.
【００３７】すなわち、請求項７に係わる発明は、銀系
薄膜が、銀に、白金、パラジウム、金、銅、ニッケルか
ら１種以上選択された金属を合わせて３at％（原子パー
セント）以下添加した銀合金からなることを特徴とする
表示装置用電極基板としたものである。That is, in the invention according to claim 7, in the silver-based thin film, silver and at least one metal selected from platinum, palladium, gold, copper, and nickel are added in an amount of 3 at% (atomic percent) or less. An electrode substrate for a display device, comprising a silver alloy.
【００３８】上述したように、本発明においては、非晶
質酸化物層（固定層）で銀系薄膜を挟持し、また、少な
くとも上側非晶質酸化物層の膜厚を２０ｎｍ以下とした
構成としており、導電膜を所定の電極形状とする際、フ
ォトリソグラフィーのプロセスを流すことができるた
め、エッチング加工を行いやすく、また、非晶質酸化物
層（固定層）と銀系薄膜との界面部位へのエッチングに
よるダメージを生じることなく、高い精度でパターン加
工できるようになる。As described above, in the present invention, the silver-based thin film is sandwiched between the amorphous oxide layers (fixed layers), and the thickness of at least the upper amorphous oxide layer is set to 20 nm or less. When a conductive film is formed into a predetermined electrode shape, a photolithography process can be flowed, so that etching can be easily performed, and an interface between the amorphous oxide layer (fixed layer) and the silver-based thin film can be formed. Pattern processing can be performed with high accuracy without causing damage to the site due to etching.
【００３９】従って、請求項８に係わる発明は、基板
と、銀の動きを抑制する非晶質もしくは非晶質様な酸化
物よりなる非晶質酸化物層にて銀系薄膜を挟持した多層
構成の導電膜とを具備する表示装置用電極基板の製造方
法において、下側非晶質酸化物層と、銀系薄膜と、膜厚
２０ｎｍ以下の上側非晶質酸化物層とを少なくとも積層
形成した後にパターン加工して電極とする工程と、電極
として最適の光学特性となるよう膜厚を調節した保護層
を前記電極上に積層着膜する工程とを少なくとも有する
ことを特徴とする表示装置用電極基板の製造方法とした
ものである。Accordingly, the invention according to claim 8 provides a multilayer structure in which a silver-based thin film is sandwiched between a substrate and an amorphous oxide layer made of an amorphous or amorphous-like oxide which suppresses silver movement. In a method of manufacturing an electrode substrate for a display device having a conductive film having a structure, at least a lower amorphous oxide layer, a silver-based thin film, and an upper amorphous oxide layer having a thickness of 20 nm or less are formed by stacking at least. A process for forming an electrode by patterning after forming, and a step of laminating and depositing a protective layer having a thickness adjusted so as to have optimal optical characteristics as an electrode on the electrode. This is a method for manufacturing an electrode substrate.
【００４０】ここで、表示装置を構成した際、本発明の
電極基板と、対向する基板とが、電気的短絡を生じると
正常な動作をなさなくなる。このため、本発明の電極基
板と、対向する基板との電気的短絡を防止し、表示装置
の動作の以上をなくすため、保護層は電気的絶縁性を有
することが望ましい。しかるに、形成された電極パター
ン各々については外部と電気的接続をとる必要がある
が、電極基板上に保護層を形成する際、外部との電気的
接続を行なう電極パターン部位にまで保護層を形成する
と、電気的接続が行えなくなるため、外部との電気的接
続を必要とする電極パターン部位には保護層を形成しな
いことが望ましい。従って、請求項９に係わる発明は、
保護層が電気的絶縁材料であり、かつ、前記電極の電気
的接続をとる部位を除き、保護に十分な膜厚にて電極上
に保護層を積層することを特徴とする表示装置用電極基
板の製造方法としたものである。Here, when the display device is constructed, if the electrode substrate of the present invention and the opposing substrate are electrically short-circuited, normal operation is not performed. For this reason, in order to prevent an electrical short circuit between the electrode substrate of the present invention and the opposing substrate, and to eliminate the above-mentioned operation of the display device, it is desirable that the protective layer has electrical insulation. However, each of the formed electrode patterns needs to be electrically connected to the outside, but when forming the protection layer on the electrode substrate, the protection layer is formed up to the electrode pattern portion where the external connection is made. Then, since electrical connection cannot be made, it is preferable that a protective layer is not formed at an electrode pattern portion that requires electrical connection with the outside. Therefore, the invention according to claim 9 is
An electrode substrate for a display device, wherein the protective layer is an electrically insulating material, and a protective layer is laminated on the electrode with a thickness sufficient for protection except for a portion where the electrode is electrically connected. This is a method of manufacturing.
【００４１】次いで、請求項１０に係わる発明は、多層
導電膜を所定の電極パターンとするパターン加工手段
が、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィー法で
あり、かつ、フォトリソグラフィー法のプロセスにて電
極のパターンを形成した後にフォトレジストを除去する
際、電気的接続をとる電極部位のレジストを残し、これ
を保護層を積層着膜する際のマスクとして用い、しかる
後、レジストを除去することで、電気的接続をとる電極
部位を保護層より露出させたことを特徴とする表示装置
用電極基板の製造方法としたものであり、また、請求項
１１に係わる発明は、多層導電膜を所定の電極パターン
とするパターン加工手段が、マスクスパッタリング法で
あることを特徴とする表示装置用電極基板の製造方法と
したものである。According to a tenth aspect of the present invention, the pattern processing means for forming the multilayer conductive film into a predetermined electrode pattern is a photolithography method using a photoresist, and the electrode is formed by a photolithography process. When the photoresist is removed after the pattern is formed, the resist at the electrode portion for making electrical connection is left, and this is used as a mask when depositing the protective layer, and then the resist is removed to remove the electric current. 12. A method of manufacturing an electrode substrate for a display device, wherein electrode portions for making electrical connections are exposed from a protective layer. The invention according to claim 11, wherein the multilayer conductive film is formed by a predetermined electrode pattern. Wherein the pattern processing means is a mask sputtering method.
【００４２】このような構成によって、選択的に電極基
板上に保護層を形成する方法を、フォトレジストを用い
たフォトグラフィー法とすれば、高精度なパターン形状
を有する保護層の形成が可能となり、液晶表示装置等の
高精細なものに向いた製造方法とすることができ、ま
た、マスクスパッタ法とすれば、前記フォトグラフィー
法よりやや精度を落として簡便に保護層を形成すること
ができ、太陽電池のような比較的粗いパターンに向いた
製造方法とすることができる。With such a configuration, if the method of selectively forming the protective layer on the electrode substrate is a photographic method using a photoresist, it is possible to form a protective layer having a highly accurate pattern shape. A manufacturing method suitable for a high-definition device such as a liquid crystal display device can be used.If the mask sputtering method is used, a protective layer can be easily formed with a slightly lower accuracy than the photolithography method. And a manufacturing method suitable for a relatively coarse pattern such as a solar cell.
【００４３】次いで、本発明の表示装置用電極基板に用
いる基板は、透明である必要はなく、表示装置の用途に
応じて、白色、黒色、またはその他の色に着色された基
板であっても構わない。さらに、基板自体が、電気回路
の形成された基板、太陽電池が形成されたシリコンウェ
ファー基板、または、耐熱性有機フィルムであっても良
く、アモルファスシリコン、ポリシリコン、または、Ｍ
ＩＭ（ダイオード素子）等の半導体素子が形成された基
板であっても良い。Next, the substrate used for the electrode substrate for a display device of the present invention does not need to be transparent, and may be a substrate colored white, black, or other colors depending on the use of the display device. I do not care. Further, the substrate itself may be a substrate on which an electric circuit is formed, a silicon wafer substrate on which a solar cell is formed, or a heat-resistant organic film, such as amorphous silicon, polysilicon, or M
A substrate on which a semiconductor element such as an IM (diode element) is formed may be used.
【００４４】さらには、偏光素子、回折格子、ホログラ
ム、光散乱膜、λ／４波長板、位相差フィルム、マイク
ロレンズ、またはカラーフィルター等を、本発明の表示
装置用電極基板上に直接もしくは間接的に形成しても良
い。Further, a polarizing element, a diffraction grating, a hologram, a light scattering film, a λ / 4 wavelength plate, a retardation film, a micro lens, a color filter, or the like is directly or indirectly provided on the electrode substrate for a display device of the present invention. May be formed.
【００４５】また、本発明に係わる導電膜は低抵抗であ
るため、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＭＩＭ等の素子
の信号線やバスラインに使用でき、これらと画素電極と
に同時に用いることが出来る。Since the conductive film according to the present invention has a low resistance, it can be used for signal lines and bus lines of elements such as TFTs (thin film transistors) and MIMs, and can be used simultaneously with these and pixel electrodes.
【００４６】本発明を構成する、非晶質酸化物層（固定
層）、上側酸化物層、および下側酸化物層は、透明で耐
アルカリ性に富む材料であることが望ましく、エッチン
グ液を用いて所定のパターンに加工形成する場合には、
エッチングに用いる酸等のエッチャントに可溶であるこ
とが必要である。さらにまた、その酸化物の望まれる光
学的特性、中でも特に屈折率は、本発明の電極基板に形
成する電極が反射型であるか、あるいは透過型であるか
によって異なる。すなわち、反射型であった場合、電極
が高い反射率を得るためには上側非晶質酸化物層（上側
の固定層）の屈折率は低い方が良い。また、透過型であ
った場合には、上側非晶質酸化物層（上側の固定層）、
上側非晶質酸化物層の上に形成する透明な酸化物層、お
よび下側非晶質酸化物層（下側の固定層）の屈折率はい
ずれも高い方が、電極は高い透過率を確保できる。The amorphous oxide layer (fixed layer), the upper oxide layer, and the lower oxide layer constituting the present invention are desirably made of a transparent and alkali-resistant material. When processing into a predetermined pattern by
It must be soluble in an etchant such as an acid used for etching. Furthermore, the desired optical properties of the oxide, especially the refractive index, differ depending on whether the electrode formed on the electrode substrate of the present invention is of a reflection type or a transmission type. That is, in the case of the reflection type, the refractive index of the upper amorphous oxide layer (the upper fixed layer) is preferably lower in order to obtain a high reflectance of the electrode. In the case of a transmission type, an upper amorphous oxide layer (an upper fixed layer),
The higher the refractive index of the transparent oxide layer formed on the upper amorphous oxide layer and the lower amorphous oxide layer (the lower fixed layer), the higher the transmittance of the electrode. Can be secured.
【００４７】また、下引き層は、基板と下側非晶質酸化
物層（下側の固定層）との密着性の良い材料から選択す
れば良く、例えばＳｉＯ2 等があげられる。また、基板
としてソーダガラスを使用する場合、下引き層や下側非
晶質酸化物層（下側の固定層）は、アルカリバリヤー層
を兼ねても良い。The undercoat layer may be selected from a material having good adhesion between the substrate and the lower amorphous oxide layer (lower fixed layer), for example, SiO 2 or the like. When soda glass is used as the substrate, the undercoat layer or the lower amorphous oxide layer (the lower fixed layer) may also serve as an alkali barrier layer.
【００４８】次いで、保護層は、耐薬品性や耐絶縁性等
を有する信頼性（耐久性）の高い材料から選択されるの
が望ましいが、酸化物以外に、窒化物、有機樹脂、フッ
素樹脂、テフロン樹脂、あるいはシリコン樹脂等を用い
ても良く、あるいはこれらに透明顔料を混ぜた塗膜を用
いても良い。さらに、保護層上に反射防止膜や撥水層を
積層しても良い。Next, the protective layer is desirably selected from materials having high resistance (durability) having chemical resistance, insulation resistance, and the like. In addition to oxides, nitrides, organic resins, and fluororesins are used. , A Teflon resin, a silicone resin, or the like, or a coating film in which a transparent pigment is mixed therewith may be used. Further, an antireflection film or a water-repellent layer may be laminated on the protective layer.
【００４９】なお、太陽電池向けに本発明の電極基板を
用いる場合（この場合、基板上にアモルファスシリコン
等の半導体素子が形成されている）、高信頼性（高耐久
性）を確保する上で、十分に厚く保護層を形成しても良
い。さらには、一般的にオーバーコートと呼称される、
液晶基板上に形成される層の形成手段に用いられるゾル
ゲル法にて、保護層を形成しても良い。さらに、当該保
護層は、強誘電性液晶や反強誘電性液晶、あるいはＴＦ
Ｔ等、液晶の駆動上高い誘電率が好ましいときは、高い
誘電率の材料にて形成しても構わない。When the electrode substrate of the present invention is used for a solar cell (in this case, a semiconductor element such as amorphous silicon is formed on the substrate), in order to ensure high reliability (high durability). Alternatively, a sufficiently thick protective layer may be formed. Furthermore, generally called an overcoat,
The protective layer may be formed by a sol-gel method used for forming a layer formed on a liquid crystal substrate. Further, the protective layer is made of a ferroelectric liquid crystal, an antiferroelectric liquid crystal, or TF.
When a high dielectric constant is preferable for driving the liquid crystal, such as T, a material having a high dielectric constant may be used.
【００５０】次いで、本発明にかかる電極板を液晶表示
装置等に使用する場合、多層膜を構成する酸化物層の材
料は、屈折率、導電性の観点から、以下のものが使用可
能である。すなわち、低屈折率の酸化物にしたければ、
例えば、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、Ａｌ 2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 等や軽元素の酸化物があげられる。また、高屈
折率の酸化物にしたければ、ＴｉＯ2 、ＣｅＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、ＨｆＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ5 等が使用可能
である。導電性を考慮する場合は、導電性酸化物であ
る、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等があげられる。ま
た、上記以外の酸化物、あるいは、酸素の付加数を調整
した上記の酸化物等を２種以上選択して混合した混合酸
化物を、上側非晶質酸化物層（上側の固定層）や、上側
の酸化物層、下側非晶質酸化物層（下側の固定層）とし
て用いても良い。Next, the electrode plate according to the present invention is used for liquid crystal display.
When used in equipment, etc., the material of the oxide layer that constitutes the multilayer film
The following materials can be used from the viewpoint of refractive index and conductivity.
Noh. In other words, if you want a low refractive index oxide,
For example, SiOTwo, MgO, Al TwoOThree, GeOTwo, B
iTwoOThreeAnd oxides of light elements. Also high bending
If you want to make the oxide of the fold rateTwo, CeOTwo, Zr
OTwo, HfOTwo, NbTwoOFive, TaTwoOFiveEtc. can be used
It is. When considering conductivity, use conductive oxide.
InTwoOThree, SnOTwo, ZnO and the like. Ma
Adjust the number of added oxides or oxygen other than the above
Mixed acid obtained by selecting and mixing two or more of the above oxides and the like
The upper amorphous oxide layer (upper fixed layer) or upper
Oxide layer, lower amorphous oxide layer (lower fixed layer)
May be used.
【００５１】なお、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯを基材とした混
合酸化物を用いれば、容易にエッチッグ加工を行うこと
ができる。また、混合酸化物にＺｎＯやＭｇＯ等の酸に
溶けやすい酸化物を少量添加し、混合酸化物の酸化還元
電位を銀系薄膜に近づけることで、本発明の電極基板に
形成した電極パターンの形状や電極の信頼性をさらに向
上させることも可能である。If a mixed oxide based on In 2 O 3 and ZnO is used, the etching process can be easily performed. Also, by adding a small amount of an oxide easily soluble in an acid such as ZnO or MgO to the mixed oxide and bringing the oxidation-reduction potential of the mixed oxide closer to the silver-based thin film, the shape of the electrode pattern formed on the electrode substrate of the present invention can be improved. Also, it is possible to further improve the reliability of the electrodes.
【００５２】さらに、屈折率の観点から、本発明の電極
基板に用いる銀系薄膜の厚み方向の中央部位に、高屈折
率の層を挿入することであっても構わない。透過型の導
電膜であった場合、銀系薄膜の間に高屈折率の層を挿入
することで、より低反射率の導電膜とすることが出来
る。なお、このとき、透過率が向上する場合もある。Further, from the viewpoint of the refractive index, a high-refractive-index layer may be inserted at the center in the thickness direction of the silver-based thin film used for the electrode substrate of the present invention. In the case of a transmission-type conductive film, a conductive film having a lower reflectance can be obtained by inserting a layer having a high refractive index between silver-based thin films. At this time, the transmittance may be improved.
【００５３】本発明の電極基板は、導電膜の形成後、あ
るいは、エッチングによる所定のパターンの形成後に熱
処理（いわゆる、アニール処理）を施すことにより、よ
り一層の信頼性向上を得ることが可能である。The electrode substrate of the present invention can be further improved in reliability by performing a heat treatment (a so-called annealing treatment) after forming the conductive film or after forming a predetermined pattern by etching. is there.
【００５４】[0054]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の例
につき、図面に基づいて説明する。（実施例１）図１
は、実施例１に係わる電極基板の概略構成図を示してい
る。図１において、本実施例１に係わる電極基板９は、
厚さ０．７ｍｍのガラス基板１０（コーニング社製、１
７３７材）と、ガラス基板１０上に順次積層形成した、
厚み２９ｎｍの下引き層１、厚み１０ｎｍの下側非晶質
酸化物層２（下側の固定層）、厚み１５ｎｍの銀系薄膜
３、厚み１０ｎｍの上側非晶質酸化物層４（上側の固定
層）、および厚み２９ｎｍの保護層５とで、その主要部
が構成されている。なお、本実施例１に係わる電極基板
９は、銀系薄膜３の膜厚が１５ｎｍ（７〜２５ｎｍ程度
の範囲内）であることから、光透過型の電極基板であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Example 1) FIG.
1 shows a schematic configuration diagram of an electrode substrate according to the first embodiment. In FIG. 1, the electrode substrate 9 according to the first embodiment includes:
0.7 mm thick glass substrate 10 (Corning Co., 1
737 materials) and sequentially laminated on the glass substrate 10.
An undercoat layer 1 having a thickness of 29 nm, a lower amorphous oxide layer 2 having a thickness of 10 nm (lower fixed layer), a silver-based thin film 3 having a thickness of 15 nm, and an upper amorphous oxide layer 4 having a thickness of 10 nm The main part is composed of the fixed layer) and the protective layer 5 having a thickness of 29 nm. The electrode substrate 9 according to the first embodiment is a light transmission type electrode substrate since the thickness of the silver-based thin film 3 is 15 nm (within a range of about 7 to 25 nm).
【００５５】本実施例１に係わる電極基板９は、以下の
製造プロセスにて作成したものである。すなわち、ま
ず、洗浄したガラス基板１０を真空槽（スパッタリング
装置）内に収納し、真空引きした。次いで、スッパタリ
ングの手法で、下引き層１を成膜する。次いで、ガラス
基板１０を真空槽（スパッタリング装置）より取り出
し、３００℃で１時間加熱しアニール処理を施す。次い
で、ガラス基板１０を真空槽（スパッタリング装置）内
に収納し、真空引きする。次に、スッパタリングの手法
で、下側非晶質酸化物層２、銀系薄膜３、上側非晶質酸
化物層４を連続して積層成膜した。次いで、ガラス基板
１０を真空槽（スパッタリング装置）から取り出し、フ
ォトリソグラフの手法で、上側非晶質酸化物層４上に所
定の形状パターン（例えば平面視でストライプ状のパタ
ーン）としたレジストパターンを形成した。次いで、硝
酸および硝酸鉄を合わせて１重量％含む硫酸系エッチャ
ントをエッチング液として用い、レジストパターンより
露出した部位にある下側非晶質酸化物層２、銀系薄膜
３、上側非晶質酸化物層４の３層を同時にエッチング除
去した。次いで、図１中に示す、表示面１６に相当する
レジストパターン部位に再露光を行った（このとき、端
子部１７部位には露光は行わない）後、この表示面１６
部位のレジストパターンを有機アルカリ液にて除去し
た。The electrode substrate 9 according to the first embodiment is manufactured by the following manufacturing process. That is, first, the washed glass substrate 10 was housed in a vacuum chamber (sputtering apparatus) and evacuated. Next, the undercoat layer 1 is formed by sputtering. Next, the glass substrate 10 is taken out from the vacuum chamber (sputtering apparatus), and is heated at 300 ° C. for 1 hour to perform an annealing process. Next, the glass substrate 10 is housed in a vacuum chamber (sputtering apparatus) and evacuated. Next, the lower amorphous oxide layer 2, the silver-based thin film 3, and the upper amorphous oxide layer 4 were successively laminated by sputtering. Next, the glass substrate 10 is taken out of the vacuum chamber (sputtering apparatus), and a resist pattern having a predetermined shape pattern (for example, a stripe pattern in plan view) is formed on the upper amorphous oxide layer 4 by photolithography. Formed. Next, a sulfuric acid-based etchant containing 1% by weight of nitric acid and iron nitrate is used as an etchant, and the lower amorphous oxide layer 2, the silver-based thin film 3, and the upper amorphous oxide are exposed at positions exposed from the resist pattern. The three material layers 4 were simultaneously removed by etching. Next, re-exposure is performed on the resist pattern portion corresponding to the display surface 16 shown in FIG. 1 (at this time, no exposure is performed on the terminal portion 17).
The resist pattern at the site was removed with an organic alkaline solution.
【００５６】次いで、真空槽（スパッタリング装置）を
用いて保護層５をガラス基板１０の全面に成膜した。そ
の後、再度基板に露光を行った後、有機アルカリ液にて
端子部１７部位にあるレジストパターンを除去し、しか
る後、２００℃の温度で基板を１時間加熱するアニール
処理（加熱処理）を行い、本実施例１の電極基板９を得
た。Next, the protective layer 5 was formed on the entire surface of the glass substrate 10 using a vacuum chamber (sputtering apparatus). Then, after exposing the substrate again, the resist pattern at the terminal portion 17 is removed with an organic alkali solution, and then an annealing process (heating process) of heating the substrate at 200 ° C. for 1 hour is performed. Thus, an electrode substrate 9 of Example 1 was obtained.
【００５７】上述した製造プロセスにより、端子部１７
部位では、膜厚の薄い上側非晶質酸化物層４を介して銀
系薄膜３と低い接続抵抗にて外部と電気的接続がとれ
る。また、表示面１６上の保護層５は、良好な絶縁性の
保護層となり（この保護層５は、ＳＴＮ等の液晶表示装
置にあっては、対向基板との電気的な短絡を防止する膜
となるものである）、電気的に信頼性の高い電極板を実
現することができる。By the above-described manufacturing process, the terminal portion 17 is formed.
In the portion, electrical connection with the outside can be obtained with a low connection resistance with the silver-based thin film 3 through the thin upper amorphous oxide layer 4. Further, the protective layer 5 on the display surface 16 becomes a good insulating protective layer. (In a liquid crystal display device such as STN, the protective layer 5 is a film for preventing an electric short circuit with the opposite substrate. ), It is possible to realize an electrode plate with high electrical reliability.
【００５８】上述した製造プロセスにおいて、下引き層
１と保護層５は、各々、酸化錫、酸化セリウム、および
酸化ガリウムよりなる混合酸化物のスッパタリングター
ゲットを用いて成膜したものである。スパッタリングタ
ーゲットの組成は、金属原子換算の原子パーセント（酸
素原子はノーカウントとする）にて、錫８０ａｔ％（原
子パーセント）、セリウム１０ａｔ％（原子パーセン
ト）、ガリウム１０ａｔ％（原子パーセント）とした。In the above-described manufacturing process, the undercoat layer 1 and the protective layer 5 are each formed using a sputtering target of a mixed oxide composed of tin oxide, cerium oxide, and gallium oxide. The composition of the sputtering target was 80 at% of tin (at%), 10 at% of cerium (at%), and 10 at% of gallium (at%) in terms of atomic percentage in terms of metal atoms (oxygen atoms are no count).
【００５９】次いで、下側非晶質酸化物層２および上側
非晶質酸化物層４の成膜には、酸化インジウム、酸化セ
リウム、酸化スズ、および酸化チタンよりなる混合酸化
物のスッパタリングターゲットを用いたものであり、そ
の組成は、金属原子換算の原子パーセント（酸素原子は
ノーカウントとする）にて、インジウム８８ａｔ％、セ
リウム８．５ａｔ％、スズ３．０ａｔ％、チタン０．５
ａｔ％とした。さらに、銀系薄膜３の成膜に用いた銀合
金ターゲットは、銀９８．５ａｔ％、金１ａｔ％、銅
０．５ａｔ％の組成とした。Next, a sputtering target of a mixed oxide composed of indium oxide, cerium oxide, tin oxide and titanium oxide is used for forming the lower amorphous oxide layer 2 and the upper amorphous oxide layer 4. The composition is 88 atomic% of indium, 8.5 atomic% of cerium, 3.0 atomic% of tin, and 0.5 atomic% of titanium in atomic percent in terms of metal atoms (oxygen atoms are no count).
at%. Further, the silver alloy target used for forming the silver-based thin film 3 had a composition of 98.5 at% of silver, 1 at% of gold, and 0.5 at% of copper.
【００６０】本発明者らは、上述した保護層５（あるい
は下引き層１）および、下側非晶質酸化物層２（あるい
は上側非晶質酸化物層４）と同じ材料で、各々膜厚１０
０ｎｍの膜を成膜し、その膜の屈折率を測定した。その
結果、５５０ｎｍの波長のところで、前者の屈折率は
２．０６であり、後者の屈折率は２．１０であった。The present inventors have made the same material as the above-mentioned protective layer 5 (or undercoating layer 1) and lower amorphous oxide layer 2 (or upper amorphous oxide layer 4), respectively. Thickness 10
A 0 nm film was formed, and the refractive index of the film was measured. As a result, at a wavelength of 550 nm, the refractive index of the former was 2.06 and the refractive index of the latter was 2.10.
【００６１】一方、膜厚２９ｎｍの保護層５（もしくは
下引き層１）の光学的膜厚と、膜厚１０ｎｍの上側非晶
質酸化物層４（もしくは下側非晶質酸化物層２）の光学
的膜厚を合計した光学的膜厚は、（２９×２．０６＋１
０×２．１０）＝（５９．７４＋２１．０）＝８０．７
４であった。これらの光学的特性の下、電極基板９の波
長５５０ｎｍにおける透過率は、保護層５の形成された
表示面１６部位では９６％（ガラス基板１０単体をリフ
ァレンス（基準）とする）と、高い透過率であることを
確認できた。On the other hand, the optical thickness of the protective layer 5 (or undercoat layer 1) having a thickness of 29 nm and the upper amorphous oxide layer 4 (or lower amorphous oxide layer 2) having a thickness of 10 nm. The optical film thickness obtained by summing the optical film thicknesses of (29 × 2.06 + 1)
0 × 2.10) = (59.74 + 21.0) = 80.7
It was 4. Under these optical characteristics, the transmittance of the electrode substrate 9 at a wavelength of 550 nm is as high as 96% at the display surface 16 portion where the protective layer 5 is formed (the glass substrate 10 alone is used as a reference). The rate was confirmed.
【００６２】従って、下引き層１、保護層５、下側非晶
質酸化物層２、上側非晶質酸化物層４の各層が、上述し
た材料、および当該材料の組成、膜厚を有すれば、上記
各屈折率及び各光学的膜厚となり、その結果、高い透過
率である電極基板を実現できた。また、この銀系薄膜３
を挟持する下側非晶質酸化物層２、上側非晶質酸化物層
４は共に非晶質であり、銀系薄膜３との界面における銀
の動きを原因とする凝集、白濁、及びこれに伴う銀系薄
膜３の透過率の低下等を抑制することができる。Therefore, each of the undercoat layer 1, the protective layer 5, the lower amorphous oxide layer 2, and the upper amorphous oxide layer 4 has the above-described material, and the composition and thickness of the material. By doing so, the above-mentioned refractive index and optical film thickness are obtained, and as a result, an electrode substrate having high transmittance can be realized. The silver-based thin film 3
The lower amorphous oxide layer 2 and the upper amorphous oxide layer 4 sandwiching are both amorphous, and the aggregation and white turbidity caused by the movement of silver at the interface with the silver-based thin film 3 , Etc., the transmittance of the silver-based thin film 3 can be suppressed.
【００６３】なお本実施例１では、保護層５（もしくは
下引き層１）の光学的膜厚と、膜厚１０ｎｍの上側非晶
質酸化物層４（もしくは下側非晶質酸化物層２）の光学
的膜厚の合計値を８０．７４ｎｍとしたが、当該値が、
７０ｎｍ以上であれば同様の効果をうることができる。In the first embodiment, the optical film thickness of the protective layer 5 (or the undercoat layer 1) and the upper amorphous oxide layer 4 (or the lower amorphous oxide layer 2 ) Was set to 80.74 nm, but the value was
If it is 70 nm or more, the same effect can be obtained.
【００６４】（実施例２）図２は、実施例２に係わる電
極基板の概略構成図である。図２において、電極基板１
９は、厚さ０．７ｍｍのガラス基板２０（日本板硝子
（株）社製、Ｈコート品）の上に、ＳｉＯ2 よりなる膜
厚４０ｎｍの下引き層２１を形成した後、順次、膜厚２
０ｎｍの下側非晶質酸化物層２２（下側の固定層）、膜
厚１５０ｎｍの銀系薄膜２３、膜厚７ｎｍの上側非晶質
酸化物層２４（上側の固定層）を積層し主要部を構成し
たものである。なお、本実施例２に係わる電極基板１９
は、銀系薄膜の膜厚が１５０ｎｍ（１００〜２００ｎｍ
程度の範囲内）であることから、光反射型の電極基板で
ある。(Embodiment 2) FIG. 2 is a schematic structural view of an electrode substrate according to Embodiment 2. In FIG. 2, the electrode substrate 1
Reference numeral 9 denotes an undercoat layer 21 made of SiO 2 having a thickness of 40 nm formed on a 0.7 mm thick glass substrate 20 (manufactured by Nippon Sheet Glass Co., Ltd., H-coated product). 2
A lower amorphous oxide layer 22 (lower fixed layer) of 0 nm, a silver-based thin film 23 having a thickness of 150 nm, and an upper amorphous oxide layer 24 (upper fixed layer) having a thickness of 7 nm are laminated. It constitutes a part. In addition, the electrode substrate 19 according to the second embodiment
Indicates that the silver-based thin film has a thickness of 150 nm (100 to 200 nm).
Therefore, it is a light reflection type electrode substrate.
【００６５】本実施例２に係わる電極基板１９は、以下
の製造プロセスにて作成したものである。すなわち、ま
ず、洗浄したガラス基板２０を真空槽（スパッタリング
装置）内に収納し、真空引きした。次いで、スッパタリ
ングの手法で、下引き層２１を成膜する。次いで、ガラ
ス基板２０を真空槽（スパッタリング装置）より取り出
し、３００℃で１時間加熱しアニール処理を施す。The electrode substrate 19 according to the second embodiment is manufactured by the following manufacturing process. That is, first, the washed glass substrate 20 was housed in a vacuum chamber (sputtering apparatus) and evacuated. Next, the undercoat layer 21 is formed by a sputtering method. Next, the glass substrate 20 is taken out from the vacuum chamber (sputtering apparatus), heated at 300 ° C. for 1 hour, and subjected to an annealing treatment.
【００６６】次いで、ガラス基板２０を真空槽（スパッ
タリング装置）内に収納し、真空引きする。次いで、ス
パッタリングの手法で、下側非晶質酸化物層２２、銀系
薄膜２３、上側非晶質酸化物層２４を連続して積層成膜
した。次いで、ガラス基板２０を真空槽から取り出し、
フォトリソグラフの手法で、上側非晶質酸化物層２４上
に所定の形状パターン（例えば平面視でストライプ状の
パターン）としたレジストパターンを形成した。次い
で、硝酸および硝酸鉄を合わせて１重量％含む硫酸系エ
ッチャントをエッチング液として用い、レジストパター
ンより露出した部位にある下側非晶質酸化物層２２、銀
系薄膜２３、上側非晶質酸化物層２４の３層を同時にエ
ッチング除去した。Next, the glass substrate 20 is housed in a vacuum chamber (sputtering apparatus) and evacuated. Next, a lower amorphous oxide layer 22, a silver-based thin film 23, and an upper amorphous oxide layer 24 were successively deposited by sputtering. Next, the glass substrate 20 is taken out of the vacuum chamber,
A resist pattern having a predetermined shape pattern (for example, a stripe pattern in plan view) was formed on the upper amorphous oxide layer 24 by a photolithographic technique. Next, a sulfuric acid-based etchant containing 1% by weight of nitric acid and iron nitrate is used as an etchant, and the lower amorphous oxide layer 22, the silver-based thin film 23, and the upper amorphous oxide at portions exposed from the resist pattern are exposed. The three material layers 24 were simultaneously removed by etching.
【００６７】次いで、レジストパターン全面に再露光を
行った後、有機アルカリ液にてレジストパターンを除去
した。しかる後、２００℃の温度で基板を１時間加熱す
るアニール処理（加熱処理）を行い、本実施例２に係わ
る電極基板１９を得た。Next, after the entire resist pattern was re-exposed, the resist pattern was removed with an organic alkali solution. Thereafter, an annealing process (heating process) of heating the substrate at a temperature of 200 ° C. for one hour was performed to obtain the electrode substrate 19 according to the second embodiment.
【００６８】上記製造プロセスにおいて、下引き層２１
は、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）のスパッタリングターゲット
を用いて成膜したものであり、下引き層２１は、アルカ
リバリアー層としての機能を有している。また、下側非
晶質酸化物層２２は、下引き層２１と銀系薄膜２３の密
着層の役目も有する。In the above manufacturing process, the undercoat layer 21
Is formed using a sputtering target of silicon oxide (SiO 2 ), and the undercoat layer 21 has a function as an alkali barrier layer. Further, the lower amorphous oxide layer 22 also has a role of an adhesion layer between the undercoat layer 21 and the silver-based thin film 23.
【００６９】下側非晶質酸化物層２２、上側非晶質酸化
物層２４の成膜に用いた混合酸化物ターゲットは酸化イ
ンジウム、酸化セリウムおよび、酸化錫で構成したもの
で、その組成は、金属原子換算の原子パーセント（酸素
原子はノーカウントとする）にて、７７ａｔ％、セリウ
ム２０ａｔ％、錫３ａｔ％とした。さらに、銀系薄膜２
３の成膜に用いた銀合金ターゲットは、銀９８．５ａｔ
％、金１ａｔ％、銅０．５ａｔ％の組成とした。The mixed oxide target used for forming the lower amorphous oxide layer 22 and the upper amorphous oxide layer 24 was composed of indium oxide, cerium oxide, and tin oxide. In terms of atomic percentage in terms of metal atoms (oxygen atoms are assumed to be no count), the ratio was 77 at%, cerium at 20 at%, and tin at 3 at%. Furthermore, a silver-based thin film 2
The silver alloy target used for the film formation of No. 3 was silver 98.5 at.
%, 1 at% gold, and 0.5 at% copper.
【００７０】本発明者らは、上記材料及び組成の上側非
晶質酸化物層２４の屈折率を測定したところ、５５０ｎ
ｍの波長で１．４４７、４３０ｎｍの波長で１．４８８
であった。この上側非晶質酸化物層２４は、膜厚７ｎｍ
と薄く（上部に酸化物の積層も無いため）、バルクの屈
折率より低い値となった。The present inventors measured the refractive index of the upper amorphous oxide layer 24 having the above-mentioned material and composition.
1.447 at a wavelength of m and 1.488 at a wavelength of 430 nm
Met. The upper amorphous oxide layer 24 has a thickness of 7 nm.
It was thin (because there was no oxide layer on top) and had a value lower than the bulk refractive index.
【００７１】また、銀系薄膜２３と上側非晶質酸化物層
２４との積層膜の反射率を、硫酸バリウムをリファレン
ス（基準）として、積分球にて上側非晶質酸化物層２４
側から測定したところ、波長５５０ｎｍで９６％、波長
４３０ｎｍで８８％と、高い反射率であった。また、膜
厚７ｎｍ、屈折率１．４４７（波長５５０ｎｍ）の上側
非晶質酸化物層２４の光学的膜厚は、７×１．４４７＝
１０．１２９ｎｍであった。なお、本実施例２に係わる
上記上側非晶質酸化物層２４の光学的膜厚（膜厚と屈折
率の積の値）は１０．１２９ｎｍであったが、同様の効
果を得るための光学的膜厚の閾値は、２０ｎｍ以下であ
ると考えられる。Further, the reflectance of the laminated film of the silver-based thin film 23 and the upper amorphous oxide layer 24 is measured by using an integrating sphere with barium sulfate as a reference.
When measured from the side, the reflectance was high at 96% at a wavelength of 550 nm and 88% at a wavelength of 430 nm. The optical thickness of the upper amorphous oxide layer 24 having a thickness of 7 nm and a refractive index of 1.447 (wavelength: 550 nm) is 7 × 1.447 =
10.129 nm. The optical thickness (the value of the product of the thickness and the refractive index) of the upper amorphous oxide layer 24 according to the second embodiment was 10.129 nm, but the optical thickness for obtaining the same effect was obtained. The threshold value of the target film thickness is considered to be 20 nm or less.
【００７２】次いで、信頼性の確認を行うため、本実施
例１に係わる電極基板９および、本実施例２に係わる電
極基板１９を各々、温度７０℃、湿度９５％の雰囲気と
した高温高湿槽中に１０００時間保管して変化を調べ
た。その結果、光学的特性（透過率、あるいは、反射
率）および、電極パターンの密着性に変化は見られず、
信頼性（耐久性）は極めて良好であった。従って、電極
基板９、電極基板１９によれば、耐久性のある電極を実
現できる。Next, in order to confirm the reliability, the electrode substrate 9 according to the first embodiment and the electrode substrate 19 according to the second embodiment were each heated to a high temperature and a high humidity of 70 ° C. and 95% humidity. The samples were stored in a bath for 1000 hours and examined for changes. As a result, the optical characteristics (transmittance or reflectance) and the adhesion of the electrode pattern did not change,
The reliability (durability) was extremely good. Therefore, according to the electrode substrate 9 and the electrode substrate 19, a durable electrode can be realized.
【００７３】また、本実施例１に係わる電極基板９およ
び、本実施例２に係わる電極基板１９の耐熱性を確認す
るために、電極基板９および、電極基板１９に、温度２
５０℃で１時間加熱、あるいは、温度３００℃で１時間
加熱を行い、電極基板９および、電極基板１９の耐熱性
を調べた。その結果、耐久性と同じく変化は観察され
ず、良好な耐熱性を有していることが分かった。従っ
て、電極基板９、電極基板１９によれば、耐久性のある
電極を実現できる。In order to confirm the heat resistance of the electrode substrate 9 according to the first embodiment and the electrode substrate 19 according to the second embodiment, the temperature of the electrode substrate 9 and the electrode substrate 19 was set to 2 degrees.
Heating was performed at 50 ° C. for 1 hour or at a temperature of 300 ° C. for 1 hour, and the heat resistance of the electrode substrates 9 and 19 was examined. As a result, the same change as in the durability was not observed, and it was found that the material had good heat resistance. Therefore, according to the electrode substrate 9 and the electrode substrate 19, a durable electrode can be realized.
【００７４】さらに、本実施例１に係わる電極基板９お
よび、本実施例２に係わる電極基板１９の耐アルカリ性
を確認するために、電極基板９および、電極基板１９
を、各々、液温４０℃のアルカリ水溶液（ＮａＯＨを１
重量％含む）に１０分間浸漬して、耐アルカリ性を調べ
たが、共に変化は観察されず、本実施例に係わる電極基
板９および、電極基板１９は、実用上十分な耐アルカリ
性を有することが示された。従って、電極基板９、電極
基板１９によれば、耐アルカリ性のある電極を実現でき
る。Further, in order to confirm the alkali resistance of the electrode substrate 9 according to the first embodiment and the electrode substrate 19 according to the second embodiment, the electrode substrate 9 and the electrode substrate 19 were checked.
Are each dissolved in an aqueous alkali solution (NaOH at 40 ° C.).
(Including% by weight) for 10 minutes, and the alkali resistance was examined. No change was observed, and the electrode substrates 9 and 19 according to the present example had sufficient alkali resistance for practical use. Indicated. Therefore, according to the electrode substrate 9 and the electrode substrate 19, an electrode having alkali resistance can be realized.
【００７５】また、この銀系薄膜２３を挟持する下側非
晶質酸化物層２２、上側非晶質酸化物層２４は共に非晶
質であり、銀系薄膜２３との界面における銀の動きを原
因とする凝集、白濁、及びこれに伴う銀系薄膜２３の反
射率の低下等を抑制することができる。The lower amorphous oxide layer 22 and the upper amorphous oxide layer 24 sandwiching the silver-based thin film 23 are both amorphous, and the movement of silver at the interface with the silver-based thin film 23. Aggregation and white turbidity due to this, and a decrease in the reflectance of the silver-based thin film 23 due to the aggregation and the like can be suppressed.
【００７６】以上のように、本実施例に係わる電極基板
（すなわち、本発明の電極基板）は、高い信頼性と高い
光学的特性を持つことが示されたものである。As described above, the electrode substrate according to the present embodiment (that is, the electrode substrate of the present invention) has been shown to have high reliability and high optical characteristics.
【００７７】次いで、ＳＴＮ等の液晶表示装置における
電気的な実装を考慮して、本実施例１に係わる電極基板
９及び本実施例２に係わる電極基板１９の接続抵抗を測
ったところ（評価は、ベリリウム−銅合金の針を当てて
測定）、およそ０．５〜１Ω程度であり、これは通常使
用される透明電極（ＩＴＯ）より低い接続抵抗であっ
た。従って、本実施例１に係わる電極基板９及び本実施
例２に係わる電極基板１９は、接続抵抗の面でも優れて
いることが分かった。Next, the connection resistance between the electrode substrate 9 according to the first embodiment and the electrode substrate 19 according to the second embodiment was measured in consideration of electrical mounting in a liquid crystal display device such as an STN (evaluation was made). , Measured with a beryllium-copper alloy needle), which was about 0.5 to 1 Ω, which was lower than the commonly used transparent electrode (ITO). Therefore, it was found that the electrode substrate 9 according to the first embodiment and the electrode substrate 19 according to the second embodiment were also excellent in connection resistance.
【００７８】（実施例３）図３は、実施例３に係わる電
極基板の概略構成図を示している。図３において、本実
施例３に係わる電極基板３０は、ＳｉＯ2 （酸化珪素）
層が表面にコートされ、アルカリバリア機能を有するソ
ーダガラス基板３１上に積層膜３７を形成している。積
層膜３７は、下側非晶質酸化物層３２（下側の固定
層）、銀系薄膜３３及び上側酸化物層３４から構成さ
れ、上側酸化物層３４は、上側非晶質酸化物層３５（上
側の固定層）と、上側非晶質酸化物層３５に積層した非
晶質酸化物層３６との多層となっている。また、下側非
晶質酸化物層３２の膜厚は２５ｎｍ、銀系薄膜３３の膜
厚は１５ｎｍ、上側非晶質酸化物層３５の膜厚は１０ｎ
ｍ、非晶質酸化物層３６の膜厚は３０ｎｍとした。従っ
て、本実施例３に係わる電極基板３０は、銀系薄膜３３
の膜厚が１５ｎｍ（７〜２５ｎｍ程度の範囲内）である
ことから、光透過型の電極基板である。(Embodiment 3) FIG. 3 is a schematic structural view of an electrode substrate according to Embodiment 3. In FIG. 3, the electrode substrate 30 according to the third embodiment is made of SiO 2 (silicon oxide).
A layer is coated on the surface, and a laminated film 37 is formed on a soda glass substrate 31 having an alkali barrier function. The laminated film 37 is composed of a lower amorphous oxide layer 32 (lower fixed layer), a silver-based thin film 33 and an upper oxide layer 34, and the upper oxide layer 34 is an upper amorphous oxide layer. 35 (upper fixed layer) and an amorphous oxide layer 36 laminated on the upper amorphous oxide layer 35. The thickness of the lower amorphous oxide layer 32 is 25 nm, the thickness of the silver-based thin film 33 is 15 nm, and the thickness of the upper amorphous oxide layer 35 is 10 n.
m, and the thickness of the amorphous oxide layer 36 was 30 nm. Therefore, the electrode substrate 30 according to the third embodiment has a silver-based thin film 33.
Is a light-transmitting electrode substrate because its thickness is 15 nm (within a range of about 7 to 25 nm).
【００７９】ここで、下側非晶質酸化物層３２は、酸化
セリウムを主材とし、これに酸素原子を数に含めない金
属原子のみのａｔ％（原子パーセント）にて、酸化ニオ
ブを１５ａｔ％添加した混合酸化物で形成した。また、
上側非晶質酸化物層３５は、酸化インジウム、酸化セリ
ウム、酸化スズ及び酸化チタンからなる混合酸化物と
し、その組成は、酸素原子を含めない金属原子のみのａ
ｔ％（原子パーセント）にて、酸化インジウムを８８ａ
ｔ％（原子パーセント）、酸化セリウムを８．５ａｔ
％、酸化スズを３．０ａｔ％、酸化チタンを０．５ａｔ
％とした。Here, the lower amorphous oxide layer 32 is composed mainly of cerium oxide, and is composed of at least 15 atomic% of niobium oxide in terms of at% (atomic percentage) of only metal atoms not including oxygen atoms. % Mixed oxide. Also,
The upper amorphous oxide layer 35 is a mixed oxide composed of indium oxide, cerium oxide, tin oxide and titanium oxide, and has a composition of only metal atoms excluding oxygen atoms.
At t% (atomic percent), indium oxide is 88a
t% (atomic percent), cerium oxide 8.5 at
%, Tin oxide 3.0at%, titanium oxide 0.5at
%.
【００８０】非晶質酸化物層３６は、酸化セリウムを主
材とし、これに酸素原子を数に含めない金属原子のみの
ａｔ％（原子パーセント）にて、酸化ニオブを１５ａｔ
％添加した混合酸化物とした。銀系薄膜３３は、銀に金
及び銅を添加した銀合金にて形成したもので、その組成
は、銀９８．５ａｔ％（原子パーセント）、金１．０ａ
ｔ％、銅０．５ａｔ％とした。The amorphous oxide layer 36 is mainly composed of cerium oxide, and is composed of at least 15 atomic% of niobium oxide at at% (atomic percent) of metal atoms not including oxygen atoms.
% Mixed oxide. The silver-based thin film 33 is formed of a silver alloy obtained by adding gold and copper to silver, and has a composition of 98.5 at% (atomic percent) of silver and 1.0 a of gold.
t% and copper 0.5 at%.
【００８１】次いで、本実施例３に係わる電極基板３０
は、以下の製造プロセスにて製造した。まず、ソーダガ
ラス基板３１に脱脂、洗浄、乾燥処理を行った後、ソー
ダガラス基板３１をスパッタリング装置内に投入し、装
置内を真空引きした。Next, the electrode substrate 30 according to the third embodiment
Was manufactured by the following manufacturing process. First, the soda glass substrate 31 was degreased, washed, and dried, and then the soda glass substrate 31 was put into a sputtering apparatus, and the inside of the apparatus was evacuated.
【００８２】スパッタリング装置内の真空度が５×１０
-4Ｐａとなった段階でＡｒ（アルゴン）ガス及びＯ
2 （酸素）ガスを導入し、スパッタリング装置内のガス
圧を０．３５Ｐａに調整した。このとき、導入ガス中の
Ｏ2 （酸素）は、導入ガス中のＯ 2 ％で１０％（例え
ば、導入Ａｒガス１００ＳＣＣＭに対し、導入Ｏ2 ガス
を１０ＳＣＣＭの割合）とするよう調整した。The degree of vacuum in the sputtering apparatus is 5 × 10
-FourWhen the pressure reaches Pa, Ar (argon) gas and O
Two(Oxygen) gas is introduced and gas in the sputtering device
The pressure was adjusted to 0.35 Pa. At this time,
OTwo(Oxygen) is O Two% To 10% (for example,
If the introduced Ar gas is 100 SCCM, the introduced OTwogas
Was adjusted to 10 SCCM).
【００８３】次に、上記ガスを導入後、上記組成とした
混合酸化物（酸化セリウムおよび酸化ニオブ）ターゲッ
トに電圧を印加し、ＲＦ（高周波）スパッタリングにて
ソーダガラス基板３１に下側非晶質酸化物層３２を形成
した。Next, after introducing the above gas, a voltage is applied to the mixed oxide (cerium oxide and niobium oxide) target having the above composition, and the lower amorphous material is applied to the soda glass substrate 31 by RF (high frequency) sputtering. An oxide layer 32 was formed.
【００８４】下側非晶質酸化物層３２の形成が終了した
段階で放電及びガスの導入を停止し、スパッタリング装
置内を真空度５×１０-4Ｐａまで排気した。次に、スパ
ッタリング装置内にＡｒガスを導入し、ガス圧を０．４
Ｐａとなるよう調整し、上記組成とした銀合金（銀、
金、銅）ターゲットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパ
ッタリングにて銀系薄膜３３を形成した。When the formation of the lower amorphous oxide layer 32 was completed, the discharge and gas introduction were stopped, and the inside of the sputtering apparatus was evacuated to a degree of vacuum of 5 × 10 −4 Pa. Next, Ar gas was introduced into the sputtering apparatus, and the gas pressure was increased to 0.4.
Adjusted to Pa, and the silver alloy (silver,
A voltage was applied to a (gold, copper) target, and a silver-based thin film 33 was formed by DC (direct current) sputtering.
【００８５】銀系薄膜３３の形成が終了した段階で放電
及びガスの導入を停止し、スパッタリング装置内を真空
度５×１０-4Ｐａまで排気した。スパッタリング装置内
の真空度が５×１０-4Ｐａとなった段階でＡｒ（アルゴ
ン）ガス及びＯ2 （酸素）ガスを導入し、スパッタリン
グ装置内のガス圧を０．３５Ｐａに調整した。このと
き、導入ガス中のＯ2 （酸素）は、導入ガス中のＯ 2 ％
で０．７５％（例えば、導入Ａｒガス１００ＳＣＣＭに
対し、導入Ｏ2 ガスを０．７５ＳＣＣＭの割合）とする
よう調整した。At the stage when the formation of the silver-based thin film 33 has been completed, discharge is performed.
And the introduction of gas are stopped, and the inside of the sputtering device is evacuated.
Degree 5 × 10-FourIt exhausted to Pa. In sputtering equipment
Vacuum degree of 5 × 10-FourAr (Argo)
G) Gas and OTwo(Oxygen) gas is introduced and sputtered
The gas pressure in the fueling apparatus was adjusted to 0.35 Pa. This and
And O in the introduced gasTwo(Oxygen) is O Two%
At 0.75% (for example, 100 SCCM of Ar gas introduced)
On the other hand, introduction OTwoGas is 0.75 SCCM)
Was adjusted as follows.
【００８６】次に、上記ガスを導入後、上記組成とした
混合酸化物（酸化インジウム及び酸化セリウム）ターゲ
ットに電圧を印加し、ＤＣ（直流）スパッタリングにて
銀系薄膜３３上に上側非晶質酸化物層３５を形成した。Next, after introducing the above gas, a voltage is applied to the mixed oxide (indium oxide and cerium oxide) target having the above composition, and the upper amorphous layer 33 is formed on the silver-based thin film 33 by DC (direct current) sputtering. An oxide layer 35 was formed.
【００８７】次に、スパッタリング装置よりソーダガラ
ス基板３１を搬出し、ソーダガラス基板３１に以下に記
すフォトリソプロセスを行った。まず、ソーダガラス基
板３１上に、光感光性樹脂（ポジ型レジスト）をスピン
コーターにて膜厚１μｍにて塗布した後、オーブンにて
９０℃、２０分間の乾燥を行った。次に、所定のパター
ン（例えば、平面視でストライプ状のパターン）を有す
る露光用フォトマスクを用い、露光装置にて光感光性樹
脂にパターン露光を行った後、アルカリ現像液（水酸化
カリウム１０重量％）にて現像を行った。これにより、
パターン露光された光感光性樹脂部位を溶解し、所定の
部位に光感光性樹脂を残存させた。次いで、再びオーブ
ンにて９０℃、２０分間の乾燥を行った。Next, the soda glass substrate 31 was unloaded from the sputtering apparatus, and the soda glass substrate 31 was subjected to the following photolithography process. First, a photosensitive resin (positive resist) was applied to a thickness of 1 μm on a soda glass substrate 31 by a spin coater, and then dried in an oven at 90 ° C. for 20 minutes. Next, using a photomask for exposure having a predetermined pattern (for example, a stripe pattern in plan view), pattern exposure is performed on the photosensitive resin with an exposure apparatus, and then an alkali developer (potassium hydroxide 10 % By weight). This allows
The photosensitive resin portion exposed to the pattern exposure was dissolved, and the photosensitive resin was left at a predetermined portion. Next, drying was performed again in an oven at 90 ° C. for 20 minutes.
【００８８】次いで、硫酸、硝酸、及び酢酸を混合した
エッチング液を用い、液温４０℃のエッチング液中に約
３０秒間ソーダガラス基板３１を浸漬し、光感光性樹脂
より露出した積層膜部位をエッチングした。なお、エッ
チングの際に下側非晶質酸化物層３２はエッチングされ
ず成膜時の状態で膜状に残留していたが、上記組成とし
た下側非晶質酸化物層３２は導電性を持たないため、膜
状に残留しても電極パターンに電気的短絡をもたらすこ
とはない。エッチング後に基板全体に光照射した後、ア
ルカリ剥膜液（水酸化カリウム１重量％）を用い、光感
光性樹脂パターンを剥膜した。Next, the soda glass substrate 31 is immersed in an etching solution at a liquid temperature of 40 ° C. for about 30 seconds using an etching solution in which sulfuric acid, nitric acid and acetic acid are mixed, and the laminated film portion exposed from the photosensitive resin is removed. Etched. Although the lower amorphous oxide layer 32 was not etched during the etching and remained in a film-like state at the time of film formation, the lower amorphous oxide layer 32 having the above composition has a conductive property. Therefore, even if it remains in the form of a film, it does not cause an electrical short circuit in the electrode pattern. After the entire substrate was irradiated with light after etching, the photosensitive resin pattern was stripped using an alkali stripping solution (1% by weight of potassium hydroxide).
【００８９】次に、ソーダガラス基板３１を再度スパッ
タリング装置内に投入した後、装置内を真空引きし、上
記組成とした混合酸化物（酸化セリウム及び酸化ニオ
ブ）ターゲットに電圧を印加し、ＲＦ（高周波）スパッ
タリングにてソーダガラス基板３１に非晶質酸化物層３
６を形成した。なお、このときのスパッタリング装置内
の雰囲気は、上述した下側非晶質酸化物層３２の形成時
と同様とした（すなわち、ＡｒとＯ2 の混合ガスのガス
圧を０．３５Ｐａとし、Ｏ2 ％を１０％とした）。次
に、非晶質酸化物層３６を形成した後、スパッタリング
装置より搬出したソーダガラス基板３１に、１８０℃、
１時間の乾燥を行い、図３の電極基板３０を得た。な
お、上述したスパッタリング成膜中、基板への加熱は行
わず、成膜は真空を保ったまま連続して行った。Next, after the soda glass substrate 31 is put into the sputtering apparatus again, the inside of the apparatus is evacuated, and a voltage is applied to the mixed oxide (cerium oxide and niobium oxide) target having the above composition, and RF ( Amorphous oxide layer 3 on soda glass substrate 31 by (high frequency) sputtering
6 was formed. Note that the atmosphere in the sputtering apparatus at this time was the same as that at the time of forming the lower amorphous oxide layer 32 described above (that is, the gas pressure of the mixed gas of Ar and O 2 was 0.35 Pa, 2 % was 10%). Next, after forming the amorphous oxide layer 36, the soda glass substrate 31 carried out from the sputtering apparatus was placed at 180 ° C.
Drying was performed for one hour to obtain the electrode substrate 30 shown in FIG. Note that, during the above-described sputtering film formation, the substrate was not heated, and the film formation was continuously performed while maintaining the vacuum.
【００９０】本実施例３で得られた電極基板３０の透過
率は、可視域の波長（４００〜７００ｎｍ）で７０％以
上と高透過率であり、また、面積抵抗値は２．７Ω／□
と低抵抗であった。従って、本実施例３に係わる電極基
板３０は、高透過率であり、低抵抗である電極基板を実
現できる。さらに、この銀系薄膜３３を挟持する下側非
晶質酸化物層３２、上側非晶質酸化物層３５はともに非
晶質であるから、銀系薄膜３３との界面における銀の動
きを原因とする凝集、白濁、及びこれに伴う銀系薄膜３
３の透過率の低下等を抑制することができる。また、非
晶質酸化物層３６は、本実施例３においては非晶質であ
るとした。しかし、当該酸化物層は、屈折率の調節によ
る透過性の向上、銀系薄膜の保護機能を果たすものであ
るから、同様の機能を有するものであれば、非晶質に限
定されるものではない。なお、本実施例３に係わる非晶
質酸化物層３６は導電性を持たず、保護層の役目を有す
る。また、本実施例３で得られた積層膜３７は、透明電
極として形成したものであり、エッチングの際のサイド
エッチングが小さく抑えられているものである。The transmittance of the electrode substrate 30 obtained in Example 3 is as high as 70% or more at a wavelength in the visible region (400 to 700 nm), and the sheet resistance is 2.7 Ω / □.
And low resistance. Therefore, the electrode substrate 30 according to the third embodiment can realize an electrode substrate having high transmittance and low resistance. Further, since both the lower amorphous oxide layer 32 and the upper amorphous oxide layer 35 sandwiching the silver-based thin film 33 are amorphous, the movement of silver at the interface with the silver-based thin film 33 is a cause. Aggregation, white turbidity, and accompanying silver-based thin film 3
3 can be suppressed from decreasing. The amorphous oxide layer 36 is assumed to be amorphous in the third embodiment. However, since the oxide layer fulfills the function of protecting the silver-based thin film by improving the transmittance by adjusting the refractive index, it is not limited to amorphous as long as it has the same function. Absent. Note that the amorphous oxide layer 36 according to the third embodiment has no conductivity and has a role of a protective layer. Further, the laminated film 37 obtained in Example 3 is formed as a transparent electrode, and the side etching at the time of etching is suppressed to be small.
【００９１】[0091]
【発明の効果】上述したように、本発明により、透過型
の電極基板においては高い透過率であり、また、反射型
の電極基板においては高い反射率の電極基板を高信頼性
にて提供することが可能となる。さらに本発明において
は、光学特性の変化が少なく、電気的接続においても接
続抵抗が低く、また、良好なパターニング性を有する電
極基板を実用レベルで提供することが可能である。As described above, according to the present invention, a transmissive electrode substrate having a high transmittance and a reflective electrode substrate having a high reflectivity can be provided with high reliability. It becomes possible. Further, in the present invention, it is possible to provide an electrode substrate having a small change in optical characteristics, a low connection resistance in electrical connection, and a good patterning property at a practical level.
【００９２】本発明においては、銀の移動を抑制する非
晶質酸化物層（固定層）を極めて薄く形成しているた
め、電極基板の耐熱性の確保とともに、電極基板の製造
の際に、高精度のパターン加工を可能としている。な
お、非晶質酸化物層（固定層）を厚く形成した場合、エ
ッチングの際にパターン形状が悪くなるものである。さ
らに本発明においては、電極上に絶縁膜としての機能を
有する保護層を、光学的特性を最適化する形で積層する
ことが出来るため、従来の電極基板に必要とされたオー
バーコートと呼称される絶縁膜の形成プロセスを省略で
き、製造工程を簡略化することが出来るというメリット
も有するものである。In the present invention, since the amorphous oxide layer (fixed layer) for suppressing the movement of silver is formed extremely thin, the heat resistance of the electrode substrate can be ensured and the production of the electrode substrate can be improved. High precision pattern processing is possible. Note that when the amorphous oxide layer (fixed layer) is formed thick, the pattern shape deteriorates during etching. Further, in the present invention, since a protective layer having a function as an insulating film can be laminated on the electrode in a form that optimizes the optical characteristics, it is called an overcoat required for a conventional electrode substrate. This has the advantage that the formation process of the insulating film can be omitted, and the manufacturing process can be simplified.
【００９３】本発明の電極基板に形成する、銀の移動を
抑制する非晶質酸化物層（固定層）は、膜厚２０ｎｍ以
下、さらに好ましくは膜厚２〜１０ｎｍの極めて薄い膜
厚ながら、この固定層により電極基板は３００℃付近ま
での耐温耐熱性を有することとなる。また、通常の銀の
薄膜では、表面に硫化銀や酸化銀が形成され、その反射
率または透過率が低下してしまうものであるが、本発明
においては、銀系薄膜の経時変化による変色が生じず、
安定性が高く品質の良い電極基板の提供が可能となる。The amorphous oxide layer (fixed layer) formed on the electrode substrate of the present invention, which suppresses the movement of silver, has a very small thickness of 20 nm or less, more preferably 2 to 10 nm. With this fixing layer, the electrode substrate has temperature and heat resistance up to around 300 ° C. Further, in a normal silver thin film, silver sulfide or silver oxide is formed on the surface, and the reflectance or transmittance is reduced, but in the present invention, the discoloration of the silver-based thin film due to aging changes. Does not occur,
An electrode substrate with high stability and high quality can be provided.
【００９４】[0094]
【図１】本発明に係わる電極基板の一実施例の要部を示
す断面説明図。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a main part of an embodiment of an electrode substrate according to the present invention.
【図２】本発明に係わる電極基板の他の実施例の要部を
示す断面説明図。FIG. 2 is an explanatory sectional view showing a main part of another embodiment of the electrode substrate according to the present invention.
【図３】本発明に係わる電極基板のその他の実施例の要
部を示す断面説明図。FIG. 3 is an explanatory sectional view showing a main part of another embodiment of the electrode substrate according to the present invention.
【図４】液晶表示装置に用いる透明電極板の一例を示す
断面説明図。FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view illustrating an example of a transparent electrode plate used for a liquid crystal display device.
【図５】反射型液晶表示装置の一例の要部を示す断面説
明図。FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing a main part of an example of a reflection type liquid crystal display device.
１、２１ 下引き層 ２、２２、３２ 下側非晶質酸化物層 ３、２３、３３ 銀系薄膜 ４、２４、３５ 上側非晶質酸化物層 ５ 保護層 ９、１９、３０ 電極基板 １０、２０、３１ 基板 １６ 表示面 １７ 端子部 ３４ 上側酸化物層 ３６ 酸化物層 ３７ 積層膜 ４０ 基板 ４１、５１、５２ 電極板 ４２、５０３ カラーフィルター ４３ 透明電極 ４４ 配向膜 ４５、５０４ 保護層 ４７ 遮光膜 ５０ 液晶表示装置 ５０１ 背面基板 ５０２ 反射膜 ５０５、５０７ 透明電極 ５０６ ＴＦＴ ５０８ 偏光膜 ５０９ 液晶 ５１０ シール材 ５１１ 基板 1, 21 Undercoat layer 2, 22, 32 Lower amorphous oxide layer 3, 23, 33 Silver-based thin film 4, 24, 35 Upper amorphous oxide layer 5 Protective layer 9, 19, 30 Electrode substrate 10 , 20, 31 Substrate 16 Display surface 17 Terminal portion 34 Upper oxide layer 36 Oxide layer 37 Laminated film 40 Substrate 41, 51, 52 Electrode plate 42, 503 Color filter 43 Transparent electrode 44 Alignment film 45, 504 Protective layer 47 Light shielding Film 50 Liquid crystal display device 501 Back substrate 502 Reflective film 505, 507 Transparent electrode 506 TFT 508 Polarizing film 509 Liquid crystal 510 Sealant 511 Substrate
Claims (11)
膜とを具備する表示装置用電極基板であって、前記多層
導電膜は、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制す
る非晶質ないし非晶質様な酸化物からなる下側非晶質酸
化物層と、銀系薄膜と、銀系薄膜との界面における銀の
動きを抑制する非晶質ないし非晶質様な酸化物からなる
上側非晶質酸化物層とを備え、少なくとも前記上側非晶
質酸化物層の膜厚は２０ｎｍ以下であることを特徴とす
る表示装置用電極基板。1. An electrode substrate for a display device comprising a substrate and a multilayer conductive film having a predetermined pattern shape, wherein the multilayer conductive film is an amorphous substrate for suppressing movement of silver at an interface with a silver-based thin film. Amorphous or amorphous-like oxide that suppresses the movement of silver at the interface between the lower amorphous oxide layer composed of a crystalline or amorphous-like oxide, a silver-based thin film, and an interface between the silver-based thin film and the silver-based thin film And an upper amorphous oxide layer comprising: an upper amorphous oxide layer, wherein at least the upper amorphous oxide layer has a thickness of 20 nm or less.
膜とを具備する表示装置用電極基板であって、前記多層
導電膜は、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制す
る非晶質ないし非晶質様な酸化物からなる下側非晶質酸
化物層と、銀系薄膜と、上側酸化物層とを備え、前記上
側酸化物層は、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑
制する膜厚が２０ｎｍ以下の非晶質ないし非晶質様な上
側非晶質酸化物と、酸化物層とを備えていることを特徴
とする表示装置用電極基板。2. An electrode substrate for a display device, comprising: a substrate; and a multilayer conductive film having a predetermined pattern shape, wherein the multilayer conductive film is an amorphous film for suppressing movement of silver at an interface with a silver-based thin film. A lower amorphous oxide layer made of a crystalline or amorphous-like oxide, a silver-based thin film, and an upper oxide layer, wherein the upper oxide layer is formed of silver at an interface with the silver-based thin film. An electrode substrate for a display device, comprising: an amorphous or amorphous upper amorphous oxide having a thickness of 20 nm or less for suppressing movement, and an oxide layer.
積である光学的膜厚の値を２０ｎｍ以下とした酸化物層
であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示
装置用電極基板。3. The oxide layer according to claim 1, wherein the upper amorphous oxide layer has an optical thickness of 20 nm or less, which is a product of the thickness and the refractive index. 4. The electrode substrate for a display device according to item 1.
上に保護層を備え、上側非晶質酸化物層または上側酸化
物層と保護層との合計の光学的膜厚が７０ｎｍ以上であ
ることを特徴とする請求項１、２または３に記載の表示
装置用電極基板。4. A protective layer is provided on the upper amorphous oxide layer or the upper oxide layer, and the total optical thickness of the upper amorphous oxide layer or the upper oxide layer and the protective layer is 70 nm. The electrode substrate for a display device according to claim 1, 2 or 3, wherein:
もしくは、上側非晶質酸化物層より低い屈折率の酸化物
層であることを特徴とする請求項１、２、３または４に
記載の表示装置用電極基板。5. The method of claim 1, wherein the protective layer is equal to the upper amorphous oxide layer.
5. The display device electrode substrate according to claim 1, wherein the electrode substrate is an oxide layer having a lower refractive index than the upper amorphous oxide layer. 6.
層と等しい、もしくは、下側非晶質酸化物層より低い屈
折率の酸化物よりなる下引き層を含む構成であることを
特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の表示
装置用電極基板。6. The lower amorphous oxide layer includes an undercoat layer made of an oxide having a refractive index equal to or lower than that of the lower amorphous oxide layer. The electrode substrate for a display device according to claim 1, wherein the electrode substrate has a configuration.
金、銅、ニッケルから１種以上選択された金属を合わせ
て３at％（原子パーセント）以下添加した銀合金からな
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６
に記載の表示装置用電極基板。7. A silver-based thin film comprising silver, platinum, palladium,
7. A silver alloy containing at least 3 at% (atomic percent) of a metal selected from the group consisting of gold, copper, and nickel.
4. The electrode substrate for a display device according to item 1.
は非晶質様な酸化物よりなる非晶質酸化物層にて銀系薄
膜を挟持した多層構成の導電膜とを具備する表示装置用
電極基板の製造方法において、 下側非晶質酸化物層と、銀系薄膜と、膜厚２０ｎｍ以下
の上側非晶質酸化物層とを少なくとも積層形成した後に
パターン加工して電極とする工程と、電極として最適の
光学特性となるよう膜厚を調節した保護層を前記電極上
に積層着膜する工程とを少なくとも有することを特徴と
する表示装置用電極基板の製造方法。8. A multi-layer conductive film comprising a substrate and a silver-based thin film sandwiched by an amorphous oxide layer made of an amorphous or amorphous-like oxide for suppressing silver movement. In the method of manufacturing an electrode substrate for a display device, the electrode is formed by patterning after forming at least a lower amorphous oxide layer, a silver-based thin film, and an upper amorphous oxide layer having a thickness of 20 nm or less. A method of manufacturing an electrode substrate for a display device, comprising at least a step of forming a protective layer having a film thickness adjusted so as to have optimal optical characteristics as an electrode on the electrode.
記電極の電気的接続をとる部位を除き、保護に十分な膜
厚にて電極上に保護層を積層することを特徴とする請求
項８に記載の表示装置用電極基板の製造方法。9. The method according to claim 1, wherein the protective layer is an electrically insulating material, and the protective layer is laminated on the electrode in a thickness sufficient for protection except for a portion where the electrode is electrically connected. A method for manufacturing an electrode substrate for a display device according to claim 8.
パターン加工手段が、フォトレジストを用いたフォトリ
ソグラフィー法であり、かつ、フォトリソグラフィー法
のプロセスにて電極のパターンを形成した後にフォトレ
ジストを除去する際、電気的接続をとる電極部位のレジ
ストを残し、これを保護層を積層着膜する際のマスクと
して用い、しかる後、レジストを除去することで、電気
的接続をとる電極部位を保護層より露出させたことを特
徴とする請求項８または９に記載の表示装置用電極基板
の製造方法。10. A pattern processing means for forming a multilayer conductive film into a predetermined electrode pattern is a photolithography method using a photoresist, and after forming an electrode pattern by a photolithography process, the photoresist is formed. At the time of removal, the resist at the electrode portion for electrical connection is left, and this is used as a mask when depositing a protective layer, and then the resist is removed to protect the electrode portion for electrical connection. The method of manufacturing an electrode substrate for a display device according to claim 8, wherein the electrode substrate is exposed from a layer.
パターン加工手段が、マスクスパッタリング法であるこ
とを特徴とする請求項８または９に記載の表示装置用電
極基板の製造方法。11. The method of manufacturing an electrode substrate for a display device according to claim 8, wherein the pattern processing means for forming the multilayer conductive film into a predetermined electrode pattern is a mask sputtering method.
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