JPH11340153A - 化合物半導体の気相成長装置 - Google Patents
化合物半導体の気相成長装置Info
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- JPH11340153A JPH11340153A JP16612298A JP16612298A JPH11340153A JP H11340153 A JPH11340153 A JP H11340153A JP 16612298 A JP16612298 A JP 16612298A JP 16612298 A JP16612298 A JP 16612298A JP H11340153 A JPH11340153 A JP H11340153A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】製造効率が高く、製造が容易な良質な結晶を得
ることができる気相成長装置を提供すること 【解決手段】有機金属化合物ガスを用いた化合物半導体
薄膜を気相成長させる装置において、基板を載置するサ
セプタ２１を覆い、反応ガスを化合物半導体薄膜の成長
する基板５０の上部まで導く導入管１２を有し、導入管
において、少なくとも反応ガスによる反応生成物が発生
する領域２４の内面を粗面とした。これにより反応生成
物がこの粗面に強く付着する結果、基板上に落下しな
い。よって、導入管１２の清掃回数を減少させることが
できる。
ることができる気相成長装置を提供すること 【解決手段】有機金属化合物ガスを用いた化合物半導体
薄膜を気相成長させる装置において、基板を載置するサ
セプタ２１を覆い、反応ガスを化合物半導体薄膜の成長
する基板５０の上部まで導く導入管１２を有し、導入管
において、少なくとも反応ガスによる反応生成物が発生
する領域２４の内面を粗面とした。これにより反応生成
物がこの粗面に強く付着する結果、基板上に落下しな
い。よって、導入管１２の清掃回数を減少させることが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体の気相
成長装置に関する。特に、結晶成長させる基板に対して
ガスを導く導入管を有した装置に関し、良質な結晶成長
を行うことができる導入管の交換までの期間を長くした
装置に関する。
成長装置に関する。特に、結晶成長させる基板に対して
ガスを導く導入管を有した装置に関し、良質な結晶成長
を行うことができる導入管の交換までの期間を長くした
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機金属化合物気相成長法（以下
「ＭＯＶＰＥ」と記す）を用いて、窒化ガリウム系化合
物半導体（ＡｌX Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ；０≦ｘ≦１，０
≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）薄膜をサファイア基板上に
気相成長させることや、その窒化ガリウム系化合物半導
体薄膜を用いた発光素子が研究されている。
「ＭＯＶＰＥ」と記す）を用いて、窒化ガリウム系化合
物半導体（ＡｌX Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ；０≦ｘ≦１，０
≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）薄膜をサファイア基板上に
気相成長させることや、その窒化ガリウム系化合物半導
体薄膜を用いた発光素子が研究されている。
【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体の単結晶ウエ
ハーが容易に得られないことから、窒化ガリウム系化合
物半導体をそれと格子定数の近いサファイア基板上にエ
ピタキシャル成長させることが行われている。
ハーが容易に得られないことから、窒化ガリウム系化合
物半導体をそれと格子定数の近いサファイア基板上にエ
ピタキシャル成長させることが行われている。
【０００４】ところが、窒化ガリウム系化合物半導体を
異物質で格子定数の異なるサファイア基板に結晶成長さ
せる場合には、結晶成長が困難であるため、反応ガスの
微妙な乱れが直ちに格子欠陥につながる。又、窒化ガリ
ウム系化合物半導体の気相成長の場合には、Ｖ族元素、
即ち、窒素(N) の供給源であるアンモニア(NH3) の分解
温度が高く、その結果、化学量論数のバランスがくずれ
やすく、均質な大面積の結晶膜を得ることが困難であ
る。均質な大面積の結晶膜を得るためには、反応ガスの
層流をくずさずに、流速を向上させることが必要とな
り、このために、特開平２−２９１１３号公報に記載の
ような形状で基板を収納した導入管が用いられている。
異物質で格子定数の異なるサファイア基板に結晶成長さ
せる場合には、結晶成長が困難であるため、反応ガスの
微妙な乱れが直ちに格子欠陥につながる。又、窒化ガリ
ウム系化合物半導体の気相成長の場合には、Ｖ族元素、
即ち、窒素(N) の供給源であるアンモニア(NH3) の分解
温度が高く、その結果、化学量論数のバランスがくずれ
やすく、均質な大面積の結晶膜を得ることが困難であ
る。均質な大面積の結晶膜を得るためには、反応ガスの
層流をくずさずに、流速を向上させることが必要とな
り、このために、特開平２−２９１１３号公報に記載の
ような形状で基板を収納した導入管が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようする課題】しかし、上記の導入管は
基板の加熱のために高温になり、反応ガスが導入管内壁
付近で反応して反応生成物が導入管内壁に付着し、この
反応生成物が落下又は飛行して基板上に付着するという
問題があった。このために、均質な結晶を維持するため
には、何回かの結晶成長の後に、導入管を取り外して清
掃するという作業を必要とした。このため、結晶の製造
効率が悪いという問題があった。
基板の加熱のために高温になり、反応ガスが導入管内壁
付近で反応して反応生成物が導入管内壁に付着し、この
反応生成物が落下又は飛行して基板上に付着するという
問題があった。このために、均質な結晶を維持するため
には、何回かの結晶成長の後に、導入管を取り外して清
掃するという作業を必要とした。このため、結晶の製造
効率が悪いという問題があった。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、均質な結
晶を高製造効率で得られる気相成長装置を提供すること
である。
されたものであり、その目的とするところは、均質な結
晶を高製造効率で得られる気相成長装置を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の発明の構成は、有機金属化合物ガスを用いた化合物半
導体薄膜を気相成長させる装置において、基板を載置す
るサセプタを覆い、反応ガスを化合物半導体薄膜の成長
する基板の上部まで導く導入管を有し、導入管におい
て、少なくとも反応ガスによる反応生成物が発生する領
域の内面を粗面としたことを特徴とする。
の発明の構成は、有機金属化合物ガスを用いた化合物半
導体薄膜を気相成長させる装置において、基板を載置す
るサセプタを覆い、反応ガスを化合物半導体薄膜の成長
する基板の上部まで導く導入管を有し、導入管におい
て、少なくとも反応ガスによる反応生成物が発生する領
域の内面を粗面としたことを特徴とする。
【０００８】又、請求項２の発明は、粗面とする領域を
基板の上部の導入管の内面としたことであり、請求項３
の発明は、粗面とする領域を加熱により高温となる導入
管の内面としたことである。さらに、請求項４の発明
は、粗面の凹凸の山と谷の高低差は１μｍ〜１００μｍ
の範囲としたことを特徴とする。
基板の上部の導入管の内面としたことであり、請求項３
の発明は、粗面とする領域を加熱により高温となる導入
管の内面としたことである。さらに、請求項４の発明
は、粗面の凹凸の山と谷の高低差は１μｍ〜１００μｍ
の範囲としたことを特徴とする。
【０００９】
【発明の作用及び効果】請求項１の発明によれば、導入
管の少なくとも反応生成物が生成される領域の内面が粗
面に形成されているため、その表面積が増大し反応生成
物が付着しても、付着強度が増大するため離脱し難くな
る。従って、反応生成物の基板上への落下や基板上への
飛行により、基板上に反応生成物が付着することが効率
良く防止される。この結果、導入管の清掃回数が減少
し、次の清掃や交換までに結晶成長に使用できる時間が
長るなる。よって、効率の高い、製造の容易な、均質な
結晶を得ることができる製造装置を提供することができ
る。
管の少なくとも反応生成物が生成される領域の内面が粗
面に形成されているため、その表面積が増大し反応生成
物が付着しても、付着強度が増大するため離脱し難くな
る。従って、反応生成物の基板上への落下や基板上への
飛行により、基板上に反応生成物が付着することが効率
良く防止される。この結果、導入管の清掃回数が減少
し、次の清掃や交換までに結晶成長に使用できる時間が
長るなる。よって、効率の高い、製造の容易な、均質な
結晶を得ることができる製造装置を提供することができ
る。
【００１０】請求項２の発明によれば、基板の上部の導
入管の内面を粗面とすることで、効果的に上記の効果を
達成することができる。
入管の内面を粗面とすることで、効果的に上記の効果を
達成することができる。
【００１１】同様に、請求項３の発明によれば、加熱に
より高温となる導入管の内面が粗面となるため、その高
温下において発生する反応生成物の落下を効率良く防止
することができる。よって、効果的に上記の効果を達成
することができる。
より高温となる導入管の内面が粗面となるため、その高
温下において発生する反応生成物の落下を効率良く防止
することができる。よって、効果的に上記の効果を達成
することができる。
【００１２】請求項４の発明では、粗面の凹凸の山と谷
の高低差は１μｍ〜１００μｍの範囲としたことで、反
応生成物の離脱が容易に防止できる。１μｍより小さい
と反応生成物の離脱防止の効果がなく、１００μｍ以上
となると層流を乱すことになるため望ましくない。１〜
２０μｍの範囲で最も望ましい結果が得られている。
の高低差は１μｍ〜１００μｍの範囲としたことで、反
応生成物の離脱が容易に防止できる。１μｍより小さい
と反応生成物の離脱防止の効果がなく、１００μｍ以上
となると層流を乱すことになるため望ましくない。１〜
２０μｍの範囲で最も望ましい結果が得られている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。図１において、石英管１０はその左
端でＯリング１５でシールされてフランジ１４に当接
し、緩衝材３８と固定具３９を用い、ボルト４６，４７
とナット４８，４９等により数箇所にてフランジ１４に
固定されている。又、石英管１０の右端はＯリング４０
でシールされてフランジ２７に螺子締固定具４１，４２
により固定されている。
基づいて説明する。図１において、石英管１０はその左
端でＯリング１５でシールされてフランジ１４に当接
し、緩衝材３８と固定具３９を用い、ボルト４６，４７
とナット４８，４９等により数箇所にてフランジ１４に
固定されている。又、石英管１０の右端はＯリング４０
でシールされてフランジ２７に螺子締固定具４１，４２
により固定されている。
【００１４】石英管１０で囲われた内室１１には、反応
ガスを導く導入管１２が配設されている。その導入管１
２のガス流入口側の一端１３はフランジ１４に固設され
た保持プレート１７で保持され、その他端１６の底部１
８は保持脚１９で石英管１０に保持されている。そし
て、導入管１２は−Ｚ方向に傾斜している。
ガスを導く導入管１２が配設されている。その導入管１
２のガス流入口側の一端１３はフランジ１４に固設され
た保持プレート１７で保持され、その他端１６の底部１
８は保持脚１９で石英管１０に保持されている。そし
て、導入管１２は−Ｚ方向に傾斜している。
【００１５】石英管１０の長軸（Ｘ軸）に垂直な導入管
１２の断面は、図２〜図５に示すように、Ｘ軸方向での
位置によって異なり、その平面形状は図６に示すように
下流側に進行するにつれ拡大されている。即ち、反応ガ
スはＸ軸方向に流れるが、導入管１２の断面は、ガス流
の上流側では図２に示すように円形であり、下流側（Ｘ
軸正方向）に進むに従って、Ｙ軸方向を長軸とし、長軸
方向に拡大され、短軸方向に縮小された楕円形状とな
り、サセプタ２０を載置するやや上流側のＡ位置では第
４図に示すように上下方向（Ｚ軸）方向に薄くＹ軸方向
に長い偏平楕円形状となっている。Ａ位置におけるIV−
IV矢視方向断面図における開口部のＹ軸方向の長さは 7
cmであり、Ｚ軸方向の長さは1.2 cmである。このＡ位置
が導入管１２の絞り部を構成している。
１２の断面は、図２〜図５に示すように、Ｘ軸方向での
位置によって異なり、その平面形状は図６に示すように
下流側に進行するにつれ拡大されている。即ち、反応ガ
スはＸ軸方向に流れるが、導入管１２の断面は、ガス流
の上流側では図２に示すように円形であり、下流側（Ｘ
軸正方向）に進むに従って、Ｙ軸方向を長軸とし、長軸
方向に拡大され、短軸方向に縮小された楕円形状とな
り、サセプタ２０を載置するやや上流側のＡ位置では第
４図に示すように上下方向（Ｚ軸）方向に薄くＹ軸方向
に長い偏平楕円形状となっている。Ａ位置におけるIV−
IV矢視方向断面図における開口部のＹ軸方向の長さは 7
cmであり、Ｚ軸方向の長さは1.2 cmである。このＡ位置
が導入管１２の絞り部を構成している。
【００１６】導入管１２の下流側には、サセプタ２０を
載置するＸ軸に垂直な断面形状が長方形の試料載置室２
１が一体的に連設されている。その試料載置室２１の底
部２２にサセプタ２０が載置される。そのサセプタ２０
はＸ軸に垂直な断面は長方形であるが、その上面２３は
Ｘ軸に対して緩やかにＺ軸正方向に傾斜している。その
サセプタ２０の上面２３に試料、即ち、長方形のサファ
イア基板５０が載置されるが、そのサファイア基板５０
とそれに面する導入管１２の上部管壁２４との間隙は、
サファイア基板５０の上流部で12mm，下流部で４mmであ
る。この上部管壁２４と間隙とで案内部が形成されてい
る。
載置するＸ軸に垂直な断面形状が長方形の試料載置室２
１が一体的に連設されている。その試料載置室２１の底
部２２にサセプタ２０が載置される。そのサセプタ２０
はＸ軸に垂直な断面は長方形であるが、その上面２３は
Ｘ軸に対して緩やかにＺ軸正方向に傾斜している。その
サセプタ２０の上面２３に試料、即ち、長方形のサファ
イア基板５０が載置されるが、そのサファイア基板５０
とそれに面する導入管１２の上部管壁２４との間隙は、
サファイア基板５０の上流部で12mm，下流部で４mmであ
る。この上部管壁２４と間隙とで案内部が形成されてい
る。
【００１７】サセプタ２０には操作棒２６が接続されて
おり、フランジ２７を取り外してその操作棒２６によ
り、サファイア基板５０を載置したサセプタ２０を試料
載置室２１へ設置したり、結晶成長の終わった時に、試
料載置室２１からサセプタ２０を取り出せるようになっ
ている。
おり、フランジ２７を取り外してその操作棒２６によ
り、サファイア基板５０を載置したサセプタ２０を試料
載置室２１へ設置したり、結晶成長の終わった時に、試
料載置室２１からサセプタ２０を取り出せるようになっ
ている。
【００１８】又、導入管１２の上流側には、第１ガス管
２８と第２ガス管２９とが開口している。第１ガス管２
８は第２ガス管２９の内部にあり、それらの両管２８，
２９は同軸状に２重管構造をしている。第１ガス管２８
の第２ガス管２９で覆われていない部分の周辺部には多
数の穴３０が開けられており、第２ガス管２９にも多数
の穴３０が開けられている。そして、第１ガス管２８に
より導入された反応ガスは導入管１２内へ吹出し、その
場所で、第２ガス管２９により導入されたガスと初めて
混合される。
２８と第２ガス管２９とが開口している。第１ガス管２
８は第２ガス管２９の内部にあり、それらの両管２８，
２９は同軸状に２重管構造をしている。第１ガス管２８
の第２ガス管２９で覆われていない部分の周辺部には多
数の穴３０が開けられており、第２ガス管２９にも多数
の穴３０が開けられている。そして、第１ガス管２８に
より導入された反応ガスは導入管１２内へ吹出し、その
場所で、第２ガス管２９により導入されたガスと初めて
混合される。
【００１９】その第１ガス管２８は第１マニホールド３
１に接続され、第２ガス管２９は第２マニホールド３２
に接続されている。そして、第１マニホールド３１には
キャリアガス（H2,N2 ）の供給系統Ｉと、トリメチルガ
リウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) の供給系統Ｊ
と、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA」
と記す) の供給系統Ｋと、シラン(SiH4)の供給系統Ｌ
と、シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以
下「CP2Mg 」と記す）の供給系統Ｍと、トリメチルイン
ジウム(In(CH3)3(以下、「TMI 」と記す）供給系統Ｏと
が接続されている。そして、第２マニホールド３２には
NH3 の供給系統Ｈとキャリアガスの供給系統Ｉとが接続
されている。
１に接続され、第２ガス管２９は第２マニホールド３２
に接続されている。そして、第１マニホールド３１には
キャリアガス（H2,N2 ）の供給系統Ｉと、トリメチルガ
リウム(Ga(CH3)3)（以下「TMG 」と記す) の供給系統Ｊ
と、トリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)（以下「TMA」
と記す) の供給系統Ｋと、シラン(SiH4)の供給系統Ｌ
と、シクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5H5)2)(以
下「CP2Mg 」と記す）の供給系統Ｍと、トリメチルイン
ジウム(In(CH3)3(以下、「TMI 」と記す）供給系統Ｏと
が接続されている。そして、第２マニホールド３２には
NH3 の供給系統Ｈとキャリアガスの供給系統Ｉとが接続
されている。
【００２０】又、石英管１０の外周部には冷却水を循環
させる冷却管３３が形成され、その外周部には高周波電
界を印加するための高周波コイル３４が配設されてい
る。
させる冷却管３３が形成され、その外周部には高周波電
界を印加するための高周波コイル３４が配設されてい
る。
【００２１】又、導入管１２はフランジ１４を介して外
部管３５と接続されており、その外部管３５からはキャ
リアガスが導入されるようになっている。又、試料載置
室２１には、側方から導入管３６がフランジ１４を通過
して外部から伸びており、その導入管３６内に試料の温
度を測定する熱電対４３とその導線４４，４５が配設さ
れており、試料温度を外部から測定できるように構成さ
れている。
部管３５と接続されており、その外部管３５からはキャ
リアガスが導入されるようになっている。又、試料載置
室２１には、側方から導入管３６がフランジ１４を通過
して外部から伸びており、その導入管３６内に試料の温
度を測定する熱電対４３とその導線４４，４５が配設さ
れており、試料温度を外部から測定できるように構成さ
れている。
【００２２】このような装置構成により、第１ガス管２
８で導かれたとTMG と、必要によりTMA ，TMI と、必要
によりシラン又はCP2Mg とH2との混合ガスと、第２ガス
管２９で導かれたNH3 とH2との混合ガスがそれらの管の
出口付近で混合され、その混合反応ガスは導入管１２に
より試料載置室２１へ導かれ、サファイア基板５０と導
入管１２の上部管壁２４との間で形成された間隙を通過
する。この時、サファイア基板５０上の反応ガスの流れ
は、Ａ位置における絞り部の作用によりＹ方向に均一化
され、サファイア基板５０を覆う上部管壁２４による案
内部の作用により、Ｘ方向にも均一化された層流とな
る。この結果、基板上での場所依存性の少ない良質な結
晶が成長する。
８で導かれたとTMG と、必要によりTMA ，TMI と、必要
によりシラン又はCP2Mg とH2との混合ガスと、第２ガス
管２９で導かれたNH3 とH2との混合ガスがそれらの管の
出口付近で混合され、その混合反応ガスは導入管１２に
より試料載置室２１へ導かれ、サファイア基板５０と導
入管１２の上部管壁２４との間で形成された間隙を通過
する。この時、サファイア基板５０上の反応ガスの流れ
は、Ａ位置における絞り部の作用によりＹ方向に均一化
され、サファイア基板５０を覆う上部管壁２４による案
内部の作用により、Ｘ方向にも均一化された層流とな
る。この結果、基板上での場所依存性の少ない良質な結
晶が成長する。
【００２３】上記の導入管１２は、サファイア基板５０
が載置された上部に当たる上部管壁２４が強く加熱さ
れ、この部分が高温となる。本実施例では、この上部管
壁２４の内面にサンドブラスト６０で粗面加工を施し
た。これにより、この上部管壁２４の内面に付着した反
応生成物がサファイア基板５０上に落下することが防止
された。内面に粗面加工を施さない場合には、３〜６回
の結晶成長毎に、導入管１２を交換して、内面に付着し
た生成物を除去、清掃する必要があった。しかし、上記
のように内面に粗面加工とすることで、１５〜２０回の
結晶成長毎に導入管１２の交換と清掃をすれば良く、清
掃のためのタイムスパンを延長させることができた。
が載置された上部に当たる上部管壁２４が強く加熱さ
れ、この部分が高温となる。本実施例では、この上部管
壁２４の内面にサンドブラスト６０で粗面加工を施し
た。これにより、この上部管壁２４の内面に付着した反
応生成物がサファイア基板５０上に落下することが防止
された。内面に粗面加工を施さない場合には、３〜６回
の結晶成長毎に、導入管１２を交換して、内面に付着し
た生成物を除去、清掃する必要があった。しかし、上記
のように内面に粗面加工とすることで、１５〜２０回の
結晶成長毎に導入管１２の交換と清掃をすれば良く、清
掃のためのタイムスパンを延長させることができた。
【００２４】尚、上記実施例では、サファイア基板５０
の上部に位置する上部管壁２４の内面にのみ粗面加工を
施したが、導入管１２の内面全体に渡って、粗面加工を
施しても良い。
の上部に位置する上部管壁２４の内面にのみ粗面加工を
施したが、導入管１２の内面全体に渡って、粗面加工を
施しても良い。
【００２５】変形例 １）導入管１２は石英ガラスで構成したが、金属であっ
ても良い。 ２）ガスの供給は横方向からサファイア基板５０に供給
したが、縦方向からガスを供給する場合にも、その導入
管の内壁に粗面加工を施しても良い。 ３）加熱方式は高周波加熱に限定されず、抵抗加熱方式
でも良い。 ４）特に、高周波加熱を行う場合には、導入管１２が高
温となる部分の内面に粗面加工を施すことが、加工手間
と効果との関係上効率が良い。 ５）粗面加工の方法は、サンドブラスト、サンドペー
パ、プラズマエッチング、化学エッチング等でも良い。 ６）導入管１２の断面形状は任意である。 ７）導入管１２は、実施例のようにサセプタ２１を内部
に収納する他、サセプタ１２の上面の部分だけその上部
を覆う蓋形状としても良い。この場合には、サセプタ２
１の上面で反応ガスの漏れは防止される。 ８）基板はサファイア基板に限定されず、シリコン、Ｓ
ｉＣ等、ＧａＮ等でも良い。 ９）基板上に気相成長させる結晶の組成比や種類には限
定されない。しかし、ＡｌＧａＩｎＮ系のような成長温
度の高い化合物半導体の気相成長に特に有効である。
ても良い。 ２）ガスの供給は横方向からサファイア基板５０に供給
したが、縦方向からガスを供給する場合にも、その導入
管の内壁に粗面加工を施しても良い。 ３）加熱方式は高周波加熱に限定されず、抵抗加熱方式
でも良い。 ４）特に、高周波加熱を行う場合には、導入管１２が高
温となる部分の内面に粗面加工を施すことが、加工手間
と効果との関係上効率が良い。 ５）粗面加工の方法は、サンドブラスト、サンドペー
パ、プラズマエッチング、化学エッチング等でも良い。 ６）導入管１２の断面形状は任意である。 ７）導入管１２は、実施例のようにサセプタ２１を内部
に収納する他、サセプタ１２の上面の部分だけその上部
を覆う蓋形状としても良い。この場合には、サセプタ２
１の上面で反応ガスの漏れは防止される。 ８）基板はサファイア基板に限定されず、シリコン、Ｓ
ｉＣ等、ＧａＮ等でも良い。 ９）基板上に気相成長させる結晶の組成比や種類には限
定されない。しかし、ＡｌＧａＩｎＮ系のような成長温
度の高い化合物半導体の気相成長に特に有効である。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る気相成長装置
の構成図。
の構成図。
【図２】その装置の導入管の軸方向における各位置での
断面図。
断面図。
【図３】同じく導入管の断面図。
【図４】同じく導入管の断面図。
【図５】サセプタが置かれる部分の導入管の断面図。
１０…石英管 １２…導入管 ２０…サセプタ ２１…試料載置室 ２８…第１ガス管 ２９…第２ガス管 ５０…サファイア基板 Ｈ…ＮＨ3 の供給系統 Ｉ…キャリアガスの供給系統 Ｊ…ＴＭＧの供給系統 Ｋ…ＴＭＡの供給系統 Ｌ…シランの供給系統 Ｏ…TMI の供給系統
Claims (4)
- 【請求項１】 有機金属化合物ガスを用いた化合物半導
体薄膜を気相成長させる装置において、 前記基板を載置するサセプタを覆い、反応ガスを化合物
半導体薄膜の成長する基板の上部まで導く導入管を有
し、 前記導入管の少なくとも前記反応ガスによる反応生成物
が発生する領域の内面を粗面としたことを特徴とする化
合物半導体の気相成長装置。 - 【請求項２】粗面とする領域は前記基板の上部の導入管
の内面であることを特徴とする請求項１に記載の化合物
半導体の気相成長装置。 - 【請求項３】粗面とする領域は加熱により高温となる導
入管の内面であることを特徴とする請求項１に記載の化
合物半導体の気相成長装置。 - 【請求項４】粗面の凹凸の山と谷の高低差は１μｍ〜１
００μｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至請
求項３の何れか１項に記載の化合物半導体の気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16612298A JPH11340153A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16612298A JPH11340153A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340153A true JPH11340153A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15825448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16612298A Pending JPH11340153A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 化合物半導体の気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340153A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243616A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2013191768A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Sharp Corp | 成膜装置、成膜方法及び半導体素子 |
-
1998
- 1998-05-28 JP JP16612298A patent/JPH11340153A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011243616A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2013191768A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Sharp Corp | 成膜装置、成膜方法及び半導体素子 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040824 |