JPH11339957A - 発光ディスプレイの製造方法 - Google Patents
発光ディスプレイの製造方法Info
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- JPH11339957A JPH11339957A JP10144901A JP14490198A JPH11339957A JP H11339957 A JPH11339957 A JP H11339957A JP 10144901 A JP10144901 A JP 10144901A JP 14490198 A JP14490198 A JP 14490198A JP H11339957 A JPH11339957 A JP H11339957A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】有機ＥＬ材料ポリパラフェニレンビニレンを用
いた発光ディスプレイにおいて、発光波長がシフトし、
発光輝度が落ちるか、発光しなくなる現象があった。 【解決手段】ポリパラフェニレンビニレンの前駆体溶液
を塗布後、焼成前に、真空下、低温で高沸点溶媒を飛ば
す工程を入れる。
いた発光ディスプレイにおいて、発光波長がシフトし、
発光輝度が落ちるか、発光しなくなる現象があった。 【解決手段】ポリパラフェニレンビニレンの前駆体溶液
を塗布後、焼成前に、真空下、低温で高沸点溶媒を飛ば
す工程を入れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ディスプレイの
製造方法に係わり、更に詳しくは、吐出装置を用い、発
光材料を吐出することにより発光層を形成する発光ディ
スプレイの製造方法に関する。
製造方法に係わり、更に詳しくは、吐出装置を用い、発
光材料を吐出することにより発光層を形成する発光ディ
スプレイの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年液晶表示体がワードプロセッサー、
パーソナルコンピュータ等の表示部として盛んに用いら
れている。この液晶表示体は非発光素子であり明るさの
点、特に反射型ディスプレイで用いるとき問題となって
いる。ここへきて薄型、軽量の特徴を有する有機の発光
材料（以後有機ＥＬという）を用いた発光ディスプレイ
が注目されている。この発光ディスプレイの断面図を図
１に示す。図において１はアルミニウム電極を、２は有
機ＥＬ材料を、３はＩＴＯ透明電極を、４はガラス基板
を、５は電源をそれぞれ示す。この発光ディスプレイの
作成方法は以下の通りである。まず、透明基板上にスパ
ッター法、又は蒸着法等によりＩＴＯ透明電極を付け
る。この後、ホトリソグラフィー法により所望の形状の
電極とする。しかる後、スピンコート法、蒸着法、吐出
法等により有機ＥＬ材をコートし、発光層とする。
パーソナルコンピュータ等の表示部として盛んに用いら
れている。この液晶表示体は非発光素子であり明るさの
点、特に反射型ディスプレイで用いるとき問題となって
いる。ここへきて薄型、軽量の特徴を有する有機の発光
材料（以後有機ＥＬという）を用いた発光ディスプレイ
が注目されている。この発光ディスプレイの断面図を図
１に示す。図において１はアルミニウム電極を、２は有
機ＥＬ材料を、３はＩＴＯ透明電極を、４はガラス基板
を、５は電源をそれぞれ示す。この発光ディスプレイの
作成方法は以下の通りである。まず、透明基板上にスパ
ッター法、又は蒸着法等によりＩＴＯ透明電極を付け
る。この後、ホトリソグラフィー法により所望の形状の
電極とする。しかる後、スピンコート法、蒸着法、吐出
法等により有機ＥＬ材をコートし、発光層とする。
【０００３】コートの仕方は上記方法が主であるが、最
近はパターニングできる吐出法が注目されている。
近はパターニングできる吐出法が注目されている。
【０００４】このようにして得た発光層の上に仕事関数
の低い金属、例えばマグネシウム、アルミニウム、リチ
ウム、カルシュウム、銀、あるいはこれらの合金を蒸着
法、スパッター法等によりとばすことにより対向電極を
得る。以上が基本の工程であるが、発光効率を上げるた
めに、ＩＴＯ透明電極を付けた後更に、ホール輸送材
料、例えばＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（２，４
−ジメチルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンを蒸着法により付けても良い。また有機
ＥＬ材料を付けた後、電子輸送材料を、例えば２−（４
−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキシジアゾールを付けても良い。
の低い金属、例えばマグネシウム、アルミニウム、リチ
ウム、カルシュウム、銀、あるいはこれらの合金を蒸着
法、スパッター法等によりとばすことにより対向電極を
得る。以上が基本の工程であるが、発光効率を上げるた
めに、ＩＴＯ透明電極を付けた後更に、ホール輸送材
料、例えばＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（２，４
−ジメチルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンを蒸着法により付けても良い。また有機
ＥＬ材料を付けた後、電子輸送材料を、例えば２−（４
−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−１，３，４−オキシジアゾールを付けても良い。
【０００５】この対向する２種の電極に電界を印加する
ことにより発光させることができる。この発光ディスプ
レイの特徴として、１０ボルト以下の低電圧で駆動でき
ることがある。
ことにより発光させることができる。この発光ディスプ
レイの特徴として、１０ボルト以下の低電圧で駆動でき
ることがある。
【０００６】この有望な技術に吐出装置を組み合わせる
ことにより有機ＥＬ材料のパターニングが可能となり、
フルカラーの発光ディスプレイを得ることが出来る。す
なわち従来のホトリソグラフィー法による赤、緑、青の
パターニングの代わりに、ディスペンサー、インクジェ
ットプリンティング装置等の吐出装置を用い、赤、緑、
青の有機ＥＬ材料を溶かした溶液を、適当なＩＴＯ透明
電極上に吐出し、溶媒を気散させパターニングした後、
対向電極を蒸着（スパッター）する事により、フルカラ
ーの発光ディスプレイを得ることが出来る。この吐出法
による概念を図２を用い説明する。図において１１はガ
ラス基板を、１２はＴＦＴ素子を、１３はＩＴＯ電極
を、１４は溶液を吐出するノズルを示す。図に示すノズ
ルにより、赤、緑、青に対応した有機ＥＬ材料をＩＴＯ
電極上に、例えば、図に示すＴＦＴ素子により個々別々
に駆動できるように形成されたＩＴＯ電極上に、交互に
赤、緑、青の有機ＥＬ材料が並置するように、吐出する
事によりフルカラーディスプレイを作成できる。
ことにより有機ＥＬ材料のパターニングが可能となり、
フルカラーの発光ディスプレイを得ることが出来る。す
なわち従来のホトリソグラフィー法による赤、緑、青の
パターニングの代わりに、ディスペンサー、インクジェ
ットプリンティング装置等の吐出装置を用い、赤、緑、
青の有機ＥＬ材料を溶かした溶液を、適当なＩＴＯ透明
電極上に吐出し、溶媒を気散させパターニングした後、
対向電極を蒸着（スパッター）する事により、フルカラ
ーの発光ディスプレイを得ることが出来る。この吐出法
による概念を図２を用い説明する。図において１１はガ
ラス基板を、１２はＴＦＴ素子を、１３はＩＴＯ電極
を、１４は溶液を吐出するノズルを示す。図に示すノズ
ルにより、赤、緑、青に対応した有機ＥＬ材料をＩＴＯ
電極上に、例えば、図に示すＴＦＴ素子により個々別々
に駆動できるように形成されたＩＴＯ電極上に、交互に
赤、緑、青の有機ＥＬ材料が並置するように、吐出する
事によりフルカラーディスプレイを作成できる。
【０００７】吐出装置を組み合わせてパターニングする
方法の欠点として、極細のノズルから溶液を吐出するた
め、溶液の乾燥により、溶質が析出しノズルが詰まる欠
点がある。この欠点を克服するために、グリセリンやジ
エチレングリコール、ジアミン、糖、あるいはこれら溶
媒の誘導体等の高沸点の親水性溶媒を加えるている。
方法の欠点として、極細のノズルから溶液を吐出するた
め、溶液の乾燥により、溶質が析出しノズルが詰まる欠
点がある。この欠点を克服するために、グリセリンやジ
エチレングリコール、ジアミン、糖、あるいはこれら溶
媒の誘導体等の高沸点の親水性溶媒を加えるている。
【０００８】この発光ディスプレイに用いられる有機Ｅ
Ｌ材料としては低分子系有機ＥＬ材料、高分子系有機Ｅ
Ｌ材料がある。高分子系材料としてはポリパラフェニレ
ンビニレン系（以後ＰＰＶと略記する）の材料がその材
料の安定性、発光効率、輝度等の点で優れており、注目
されている。この材料は前駆体を用いることを特徴とし
ており、溶液状態で原料を扱えることができ、スピンコ
ート法、ディッピング法等により薄膜化出来る特徴があ
る。そして得られた膜を焼成することにより一重結合が
二重結合となり溶媒に不溶となり、安定な膜となる。こ
のときの二重結合のでき具合により、発光効率、輝度に
差がでる。
Ｌ材料としては低分子系有機ＥＬ材料、高分子系有機Ｅ
Ｌ材料がある。高分子系材料としてはポリパラフェニレ
ンビニレン系（以後ＰＰＶと略記する）の材料がその材
料の安定性、発光効率、輝度等の点で優れており、注目
されている。この材料は前駆体を用いることを特徴とし
ており、溶液状態で原料を扱えることができ、スピンコ
ート法、ディッピング法等により薄膜化出来る特徴があ
る。そして得られた膜を焼成することにより一重結合が
二重結合となり溶媒に不溶となり、安定な膜となる。こ
のときの二重結合のでき具合により、発光効率、輝度に
差がでる。
【０００９】このＰＰＶ系材料を溶かした溶液を用い、
吐出装置でパターニングしようとすると、一般的な水、
メタノール等の低沸点溶媒では乾燥しやすく、ノズルの
目詰まりを起こしやすい。このためグリセリンやエチレ
ングリコール等の親水性高沸点溶媒を添加していた。こ
れがＰＰＶ系材料を用い、吐出装置によりパターニング
する場合の従来の例である。従来例の通りグリセリン等
を入れたＰＰＶ系材料を溶かした溶液を吐出装置により
吐出し、焼成するとグリセリン等の高沸点溶媒がなかな
か抜けなく、一重結合が二重結合になりがたく、共役化
しない現象が見られ、得られた発光材料は目的とする波
長の光より短波長にシフトするか、ほとんど発光しない
等の欠点があった。
吐出装置でパターニングしようとすると、一般的な水、
メタノール等の低沸点溶媒では乾燥しやすく、ノズルの
目詰まりを起こしやすい。このためグリセリンやエチレ
ングリコール等の親水性高沸点溶媒を添加していた。こ
れがＰＰＶ系材料を用い、吐出装置によりパターニング
する場合の従来の例である。従来例の通りグリセリン等
を入れたＰＰＶ系材料を溶かした溶液を吐出装置により
吐出し、焼成するとグリセリン等の高沸点溶媒がなかな
か抜けなく、一重結合が二重結合になりがたく、共役化
しない現象が見られ、得られた発光材料は目的とする波
長の光より短波長にシフトするか、ほとんど発光しない
等の欠点があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、吐出装置に
よるＰＰＶ材料を用いた有機ＥＬ発光ディスプレイの製
造において、発光波長が低波長側にシフトし、ほとんど
光らなくなるという問題を解決するためになされたもの
で、その目的は従来の製造方法をあまり変えることな
く、ＰＰＶ系の有機ＥＬ材料を吐出装置を用い吐出し、
パターニングすることによりフルカラー発光ディスプレ
イを作成する製造方法を提供するためになされたもので
ある。
よるＰＰＶ材料を用いた有機ＥＬ発光ディスプレイの製
造において、発光波長が低波長側にシフトし、ほとんど
光らなくなるという問題を解決するためになされたもの
で、その目的は従来の製造方法をあまり変えることな
く、ＰＰＶ系の有機ＥＬ材料を吐出装置を用い吐出し、
パターニングすることによりフルカラー発光ディスプレ
イを作成する製造方法を提供するためになされたもので
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の本発明の発光ディスプレイの製造方法
は、吐出装置によりポリフェニレンビニレンの前駆体材
料と高沸点溶媒を含む溶液を基板上に吐出した後、該基
板を焼成する前に、室温での溶媒除去の工程、および乾
燥する工程を入れることを特徴とする。乾燥温度は１２
０度Ｃ以下が好適であり、この温度以下でポリパラフェ
ニレンビニレン前駆体を処理すると二重結合を形成させ
ることなく溶媒を除去できることがわかった。この温度
以上で行うと反応が進み発光波長が低波長側にシフトし
発光効率が極端に落ちることがわかった。
に、請求項１の本発明の発光ディスプレイの製造方法
は、吐出装置によりポリフェニレンビニレンの前駆体材
料と高沸点溶媒を含む溶液を基板上に吐出した後、該基
板を焼成する前に、室温での溶媒除去の工程、および乾
燥する工程を入れることを特徴とする。乾燥温度は１２
０度Ｃ以下が好適であり、この温度以下でポリパラフェ
ニレンビニレン前駆体を処理すると二重結合を形成させ
ることなく溶媒を除去できることがわかった。この温度
以上で行うと反応が進み発光波長が低波長側にシフトし
発光効率が極端に落ちることがわかった。
【００１２】そして請求項２は、この高沸点溶媒がグリ
セリン、ジエチレングリコール、トリエタノールアミ
ン、糖であるか、こらら溶媒の誘導体であるか又はこれ
ら溶媒の混合物であることを特徴としている。これら溶
媒を加えることにより吐出装置のノズル中を常に湿潤に
しておけるためノズルの目詰まりを起こすことなく長時
間の使用に耐える。
セリン、ジエチレングリコール、トリエタノールアミ
ン、糖であるか、こらら溶媒の誘導体であるか又はこれ
ら溶媒の混合物であることを特徴としている。これら溶
媒を加えることにより吐出装置のノズル中を常に湿潤に
しておけるためノズルの目詰まりを起こすことなく長時
間の使用に耐える。
【００１３】請求項３は溶媒の除去を室温、真空下で行
うことを特徴としている。室温、真空下で行うため、Ｐ
ＰＶの前駆体の反応を起こさせることなく、高沸点溶媒
を除去でき、発光波長のシフトがなく発光効率の良い発
光ディスプレイを製造できる。
うことを特徴としている。室温、真空下で行うため、Ｐ
ＰＶの前駆体の反応を起こさせることなく、高沸点溶媒
を除去でき、発光波長のシフトがなく発光効率の良い発
光ディスプレイを製造できる。
【００１４】請求項４は真空度を制限したもので、１ｍ
ｍＨｇ以下の真空下で処理することにより、ほとんどの
高沸点溶媒を高沸点溶媒の沸点以下の温度で処理できる
ようになり更に好適である。
ｍＨｇ以下の真空下で処理することにより、ほとんどの
高沸点溶媒を高沸点溶媒の沸点以下の温度で処理できる
ようになり更に好適である。
【００１５】請求項５は溶媒除去後、痕跡の高沸点溶媒
を除去するための工程であり、この工程をいれることに
より、表示体の寿命や発光強度を更に増加させることが
できる。温度はあまり高いと、ＰＰＶの反応が進み良く
なく、温度が低いと除去に時間がかかり良くない、１２
０度Ｃ以下であれば可能であるが、７０度Ｃ以下であれ
ば尚よい。
を除去するための工程であり、この工程をいれることに
より、表示体の寿命や発光強度を更に増加させることが
できる。温度はあまり高いと、ＰＰＶの反応が進み良く
なく、温度が低いと除去に時間がかかり良くない、１２
０度Ｃ以下であれば可能であるが、７０度Ｃ以下であれ
ば尚よい。
【００１６】請求項６は吐出装置がインクジェットプリ
ンティング装置であることを特徴としている。吐出装置
としてはディスペンサー、インクジェットプリンティン
グ装置等あるが、微細化、高速化の点でインクジェット
プリンティング装置が好適である。
ンティング装置であることを特徴としている。吐出装置
としてはディスペンサー、インクジェットプリンティン
グ装置等あるが、微細化、高速化の点でインクジェット
プリンティング装置が好適である。
【００１７】
【発明の実施の形態】（実施例１）ポリパラフェニレン
ビニレンの前駆体である高分子電解質を０．５重量パー
セント含む下記溶液を吐出装置にとり、ＩＴＯ透明電極
の付いた基板上に吐出した。
ビニレンの前駆体である高分子電解質を０．５重量パー
セント含む下記溶液を吐出装置にとり、ＩＴＯ透明電極
の付いた基板上に吐出した。
【００１８】溶液 水・・・・・・・・・・９０重量パーセント グリセリン・・・・・・１０重量パーセント 吐出後該基板を１ｍｍＨｇの真空下で１００度Ｃで１時
間乾燥した。乾燥後、１ｍｍＨｇの真空下、１７０度Ｃ
に昇温し、１７０度Ｃで４時間焼成した。しかる後、蒸
着機によりアルミニウム金属を２０００オングストロー
ム蒸着した。えられたパネルの蛍光スペクトルを調べた
ところ、蛍光スペクトルの最大発光波長は５３５ｎｍで
あった。またこの発光ディスプレイを駆動したところ６
ボルトで駆動できた、発光スペクトルはほぼ蛍光スペク
トルと一致した。
間乾燥した。乾燥後、１ｍｍＨｇの真空下、１７０度Ｃ
に昇温し、１７０度Ｃで４時間焼成した。しかる後、蒸
着機によりアルミニウム金属を２０００オングストロー
ム蒸着した。えられたパネルの蛍光スペクトルを調べた
ところ、蛍光スペクトルの最大発光波長は５３５ｎｍで
あった。またこの発光ディスプレイを駆動したところ６
ボルトで駆動できた、発光スペクトルはほぼ蛍光スペク
トルと一致した。
【００１９】（比較例）実施例１と同様の方法により、
吐出装置によりＩＴＯ透明電付き極基板にポリパラフェ
ニレンビニレンの前駆体溶液を吐出した後、直接１ｍｍ
Ｈｇの真空下、１７０度Ｃで焼成した、このパネルの蛍
光スペクトルの最大発光波長は４８５ｎｍであり、発光
強度は実施例１にくらべ一桁ほど悪かった。また２０ボ
ルトで駆動しても発光は観測されなかった。 （実施例２）実施例１の前駆体溶液にポリパラフェニレ
ンビニレンの前駆体内容物に対して、１，１，４，４−
テトラフェニルブタジエン、ローダミンＢを２重量パー
セント添加した溶液を作った。この溶液と無添加の溶液
をあわせて３原色の有機ＥＬ材料としインクジェットプ
リンティング装置のインクタンクに充填し、図２に示す
ように、ＴＦＴ基板上に並置したＩＴＯ電極上に赤、
緑、青とモザイク上に打ち分けた。この後１ｍｍＨｇの
真空下で１００度ｃで１時間乾燥した。乾燥後、他の乾
燥機において窒素雰囲気下、大気圧中で４時間焼成し
た。
吐出装置によりＩＴＯ透明電付き極基板にポリパラフェ
ニレンビニレンの前駆体溶液を吐出した後、直接１ｍｍ
Ｈｇの真空下、１７０度Ｃで焼成した、このパネルの蛍
光スペクトルの最大発光波長は４８５ｎｍであり、発光
強度は実施例１にくらべ一桁ほど悪かった。また２０ボ
ルトで駆動しても発光は観測されなかった。 （実施例２）実施例１の前駆体溶液にポリパラフェニレ
ンビニレンの前駆体内容物に対して、１，１，４，４−
テトラフェニルブタジエン、ローダミンＢを２重量パー
セント添加した溶液を作った。この溶液と無添加の溶液
をあわせて３原色の有機ＥＬ材料としインクジェットプ
リンティング装置のインクタンクに充填し、図２に示す
ように、ＴＦＴ基板上に並置したＩＴＯ電極上に赤、
緑、青とモザイク上に打ち分けた。この後１ｍｍＨｇの
真空下で１００度ｃで１時間乾燥した。乾燥後、他の乾
燥機において窒素雰囲気下、大気圧中で４時間焼成し
た。
【００２０】焼成後、リチウム含有アルミニウムを２０
００オングストロームスパッタをし、対向電極とした。
００オングストロームスパッタをし、対向電極とした。
【００２１】（実施例３）ポリパラフェニレンビニレン
の前駆体である高分子電解質を０．５重量パーセント含
む下記溶液を吐出装置にとり、ＩＴＯ透明電極の付いた
基板上に吐出した。
の前駆体である高分子電解質を０．５重量パーセント含
む下記溶液を吐出装置にとり、ＩＴＯ透明電極の付いた
基板上に吐出した。
【００２２】溶液 水・・・・・・・・・・９０重量パーセント グリセリン・・・・・・１０重量パーセント 吐出後該基板を０．０１ｍｍＨｇの真空下、室温で４時
間溶媒除去した。溶媒除去後、そのまま、４０度Ｃに温
度を上げで３０分間、乾燥した。乾燥後、窒素雰囲気
下、１７０度Ｃで４時間焼成した。しかる後、蒸着機に
よりアルミニウム金属を２０００オングストローム蒸着
した。えられたパネルの蛍光スペクトルを調べたとこ
ろ、蛍光スペクトルの最大発光波長は５３５ｎｍであっ
た。またこの発光ディスプレイを駆動したところ６ボル
トで駆動できた、発光スペクトルはほぼ蛍光スペクトル
と一致した。
間溶媒除去した。溶媒除去後、そのまま、４０度Ｃに温
度を上げで３０分間、乾燥した。乾燥後、窒素雰囲気
下、１７０度Ｃで４時間焼成した。しかる後、蒸着機に
よりアルミニウム金属を２０００オングストローム蒸着
した。えられたパネルの蛍光スペクトルを調べたとこ
ろ、蛍光スペクトルの最大発光波長は５３５ｎｍであっ
た。またこの発光ディスプレイを駆動したところ６ボル
トで駆動できた、発光スペクトルはほぼ蛍光スペクトル
と一致した。
【００２３】（実施例４）実施例１の前駆体溶液にポリ
パラフェニレンビニレンの前駆体内容物に対して、１，
１，４，４−テトラフェニルブタジエン、ローダミンＢ
をそれぞれ２重量パーセント添加した溶液を作った。こ
の溶液と無添加の溶液をあわせて３原色の有機ＥＬ材料
としインクジェットプリンティング装置のインクタンク
に充填し、図２に示すように、ＴＦＴ基板上に並置した
ＩＴＯ電極上に赤、緑、青とモザイク上に打ち分けた。
この後、０．０１ｍｍＨｇの真空下、室温で４時間溶媒
を除去した。除去後、０．０１ｍｍＨｇの真空下、４０
度Ｃで３０分間乾燥した。乾燥後、窒素雰囲気下、大気
圧中で４時間焼成した。
パラフェニレンビニレンの前駆体内容物に対して、１，
１，４，４−テトラフェニルブタジエン、ローダミンＢ
をそれぞれ２重量パーセント添加した溶液を作った。こ
の溶液と無添加の溶液をあわせて３原色の有機ＥＬ材料
としインクジェットプリンティング装置のインクタンク
に充填し、図２に示すように、ＴＦＴ基板上に並置した
ＩＴＯ電極上に赤、緑、青とモザイク上に打ち分けた。
この後、０．０１ｍｍＨｇの真空下、室温で４時間溶媒
を除去した。除去後、０．０１ｍｍＨｇの真空下、４０
度Ｃで３０分間乾燥した。乾燥後、窒素雰囲気下、大気
圧中で４時間焼成した。
【００２４】焼成後、アルミニウムを２０００オングス
トロームスパッタをし、対向電極とした。
トロームスパッタをし、対向電極とした。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本
発明によれば簡単な工程を従来の工程に加えることによ
り、従来の方法により作成された発光ディスプレイの発
光スペクトルのピークが作成方法により適当に移動した
り、発光強度が小さかったのに対し、発光強度を大きく
でき、スペクトルの移動も少なくできる。またこの方法
によりフルカラー発光ディスプレイが簡単に、安く提供
出来る。
発明によれば簡単な工程を従来の工程に加えることによ
り、従来の方法により作成された発光ディスプレイの発
光スペクトルのピークが作成方法により適当に移動した
り、発光強度が小さかったのに対し、発光強度を大きく
でき、スペクトルの移動も少なくできる。またこの方法
によりフルカラー発光ディスプレイが簡単に、安く提供
出来る。
【図１】有機ＥＬを用いた発光ディスプレイの断面図。
【図２】ＴＦＴ基板上に有機ＥＬ材料を吐出する場合の
概念図。
概念図。
１・・・アルミニウム電極 ２・・・有機ＥＬ材料 ３・・・ＩＴＯ透明電極 ４・・・ガラス基板 ５・・・電源 １１・・ガラス基板 １２・・ＴＦＴ素子 １３・・ＩＴＯ電極 １４・・ノズル
Claims (6)
- 【請求項１】ポリパラフェニレンビニレン系発光材料と
該発光材料を挟む電極材料よりなる発光ディスプレイの
製造方法において、少なくともポリパラフェニレンビニ
レンの前駆体を溶かした溶液と親水性の高沸点溶媒より
なる溶液を、一方の透明電極を有する基板上に、吐出装
置を用い吐出した後、室温で溶媒を除去した後、該基板
を１２０度Ｃ以下で乾燥し、しかる後昇温、焼成し、発
光層とした後、対向電極を形成する事を特徴とする発光
ディスプレイの製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の高沸点溶媒がエチレングリ
コール、グリセリン、エタノールアミン、糖であるか、
あるいはこれらの誘導体、又はこれら溶媒の混合物であ
ることを特徴とする発光ディスプレイの製造方法。 - 【請求項３】請求項１記載の製造方法において、室温、
真空下で溶媒を除去した後、真空下で、加熱乾燥し、し
かる後、昇温、焼成する事を特徴とする発光ディスプレ
イの製造方法。 - 【請求項４】請求項３記載の製造方法において、１ｍｍ
Ｈｇ以下の真空で溶媒の除去をする事を特徴とする発光
ディスプレイの製造方法。 - 【請求項５】請求項３、４記載の製造方法において、溶
媒の除去後、７０度Ｃ以下の温度、１ｍｍＨｇ以下の真
空下で加熱乾燥をする事を特徴とする発光ディスプレイ
の製造方法。 - 【請求項６】請求項１の吐出装置がインクジェットプリ
ンティング装置であることを特徴とする発光ディスプレ
イの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14490198A JP3812144B2 (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 発光ディスプレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14490198A JP3812144B2 (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 発光ディスプレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11339957A true JPH11339957A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3812144B2 JP3812144B2 (ja) | 2006-08-23 |
Family
ID=15372955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14490198A Expired - Lifetime JP3812144B2 (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 発光ディスプレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3812144B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1209744A2 (en) | 2000-11-27 | 2002-05-29 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith |
| US6610552B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-08-26 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element |
| US6623097B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-23 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method by ink jet method, ink jet apparatus, production method of organic EL device, and organic EL device |
| JP2004171943A (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US6852994B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device and method of manufacturing organic EL device |
| JP2006164905A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置を製造するための塗布装置 |
| JP2007188779A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| US7300686B2 (en) | 2000-11-28 | 2007-11-27 | Seiko Epson Corporation | Organic electro-luminescent device, manufacturing method for the same, and electronic equipment |
| US7368145B2 (en) | 2002-09-19 | 2008-05-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing organic EL display and color filter by ink jet method |
| JP2008226686A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機トランジスタの製造方法 |
| JP2010278028A (ja) * | 2000-01-31 | 2010-12-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP14490198A patent/JP3812144B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6610552B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-08-26 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element |
| US6623097B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-23 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method by ink jet method, ink jet apparatus, production method of organic EL device, and organic EL device |
| US6727513B2 (en) | 2000-03-31 | 2004-04-27 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing organic EL element |
| CN100435601C (zh) * | 2000-03-31 | 2008-11-19 | 精工爱普生株式会社 | 有机场致发光元件的制造方法、有机场致发光元件 |
| US6852994B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device and method of manufacturing organic EL device |
| US7390693B2 (en) | 2000-03-31 | 2008-06-24 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device and method of manufacturing organic EL device |
| US7303274B2 (en) | 2000-03-31 | 2007-12-04 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method by ink jet method, ink jet apparatus, production method of organic EL device, and organic EL device |
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| US7521709B2 (en) | 2000-11-27 | 2009-04-21 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith |
| EP2760049A1 (en) | 2000-11-27 | 2014-07-30 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith |
| US7186581B2 (en) | 2000-11-27 | 2007-03-06 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith |
| US8698136B2 (en) | 2000-11-27 | 2014-04-15 | Seiko Epson Corporation | Methods of manufacturing an organic electroluminescent device |
| US8454403B2 (en) | 2000-11-27 | 2013-06-04 | Seiko Epson Corporation | Methods of manufacturing an organic electroluminescent device |
| US6924593B2 (en) | 2000-11-27 | 2005-08-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for organic electroluminescent device including an effectively optical area and an organic electroluminescent layer, organic electroluminescent device, and electronic devices therewith |
| US8128448B2 (en) | 2000-11-27 | 2012-03-06 | Seiko Epson Corporation | Methods of manufacturing an organic electroluminescent device |
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|---|---|
| JP3812144B2 (ja) | 2006-08-23 |
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