JPH11339672A

JPH11339672A - 画像表示装置の製造方法

Info

Publication number: JPH11339672A
Application number: JP10148600A
Authority: JP
Inventors: Hideo Yamanaka; 英雄山中
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1998-05-29
Filing date: 1998-05-29
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上への電極形成に伴う不都合を改善し
た、画像表示装置の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】画像表示装置を形成する基板３１の電極
２８を、電解メッキ法、又は無電解メッキ法、又は無電
解メッキ法と電解メッキ法とによりエッチングレスで形
成する画像表示装置の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルやプラズマアドレス型液晶ディスプレ
イ等の画像表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＡＣ型プラズマディスプレイパネル（Ｐ
ＤＰ）やプラズマアドレス型液晶ディスプレイ（ＰＡＬ
Ｃ）等の画像表示装置のうち、例えばＡＣ型カラープラ
ズマディスプレイパネルとしては、図１０に示すように
対をなす放電用の透明電極（放電用電極）１ａ、１ｂを
有した前面基板２と、情報を書き込むためのデータ電極
３を有した背面基板４とを対向させ、貼合封着して構成
する３電極構造の面放電型のものが現在のところ一般的
である。

【０００３】このＡＣ型カラープラズマディスプレイパ
ネルにおいて前面基板２には、透明ガラス基板５の内面
に前述した対をなす放電用の透明電極１ａ、１ｂ…が並
列した状態で多数対ストライプ状に形成され、さらにこ
れら対のそれぞれの間にブラックマスク６…がやはり並
列した状態でストライプ状に形成されている。透明電極
１ａ、１ｂの上（内面側）には、その長さ方向に沿って
該透明電極１ａ、１ｂの側端部にそれぞれバス電極７が
形成されている。バス電極７は、これが形成された透明
電極１ａ（１ｂ）の配線抵抗を下げるために形成された
ものである。

【０００４】そして、これら透明電極１ａ、１ｂ…、ブ
ラックマスク６…、バス電極７…を覆って透明の誘電体
層８が形成されており、さらに該誘電体層８を覆ってＭ
ｇＯからなる保護膜９が形成されている。ここで、誘電
体層８は放電電流を制限するもので、コンデンサのた
め、放電をすると自動的に放電を停止する機能をもった
ものである。また、このような機能を発揮するべく、誘
電体層８は高い透過率と高い絶縁耐圧とを有したものと
なっている。保護膜９は、放電の電圧を下げ、寿命を延
ばす役割を果たすように機能するものである。

【０００５】一方、背面基板４には、透明ガラス基板１
０の内面に前述したデータ電極３…が並列した状態でス
トライプ状に形成されており、さらにこれらデータ電極
３…を覆って誘電体材料からなる白色グレーズ１１が形
成されている。この白色グレーズ１１上には、バリアリ
ブ１２…が並列した状態でストライプ状に形成され、さ
らにこれらバリアリブ１２、１２間には、該バリアリブ
１２の側面および前記白色グレーズ１１上を覆った状態
に蛍光体１３が設けられている。また、バリアリブ１２
の上面には黒リブトップ１４が設けられている。

【０００６】なお、バリアリブ１２は前記データ電極３
…の、隣り合うデータ電極３、３間の直上位置となるよ
うに配置されている。また、蛍光体１３については、
赤、緑、青の３色のものが繰り返し配列した状態に形成
配置されている。そして、このような構成からなる前面
基板２と背面基板４とが、前記透明電極１ａ、１ｂとデ
ータ電極３とが直交するように対向させられ、前述した
ように貼合され封着されることにより、ＡＣ型カラープ
ラズマディスプレイパネルが形成されているのである。

【０００７】このような構成のＡＣ型カラープラズマデ
ィスプレイパネルにおいて、その前面基板を形成するに
は、通常、透明ガラス基板５として高歪み点ガラスまた
はソーダライムガラスを用意し、これにスパッタでＩＴ
Ｏを成膜し、さらにウェットエッチングでパターニング
して０．２〜０．４μｍ程度の透明電極１ａ、１ｂ…を
形成する。

【０００８】次に、透明電極１ａ、１ｂ…上にＣｒ／Ｃ
ｕ／Ｃｒからなる３層のスパッタ膜を形成し、さらにこ
れをエッチングによりパターニングしてバス電極７を形
成する。ここで、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層からなる電極
構造は、導電率の高いＣｕと透明ガラス基板５との密着
性改善のために、Ｃｕの下層にＣｒ膜を設け、また、Ｃ
ｕと低融点鉛ガラスからなる誘電体層８とが反応してし
まうのを防止するため、Ｃｕの上層にＣｒ膜を設けてい
る。なお、このバス電極７としては、可視光の取り出し
をできるだけ妨げることがないように細く形成する必要
がある。

【０００９】次いで、これら透明電極１ａ、１ｂ…、ブ
ラックマスク６…、バス電極７…を覆って例えば透明の
低融点鉛ガラスをスクリーン印刷し、続いてこれを乾燥
しさらに焼成して、厚さ３０μｍ程度の誘電体層８を形
成する。その後、この誘電体層８上にＭｇＯを０．５〜
１．０μｍ程度の厚さに蒸着し、保護膜９を形成する。

【００１０】また、背面基板４を形成するには、通常、
透明ガラス基板１０上へのＡｇペーストのスクリーン印
刷、あるいは感光性Ａｇペーストのフォトリソグラフィ
ーによってデータ電極３を形成し次いで、低融点鉛ガラ
スペーストを用いた厚膜印刷法で白色グレーズ１１を形
成する。続いて、低融点鉛ガラスペーストを用いた厚膜
印刷法でリブ１２…を形成する。その後、リブ１２…内
に蛍光体１３を形成し、また外周にフリットシール層
（図示略）を厚膜印刷法で形成する。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな画像表示装置（ＡＣ型カラープラズマディスプレイ
パネル）では、その製造方法において以下に述べる不都
合がある。前面基板２にバス電極７を形成する際、この
バス電極７を形成するＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層からなる
電極構造のうち、Ｃｒは不動態化し易い金属であり空気
中に長期間放置すると表面に不導態層が形成されること
から、このＣｒのエッチングがしにくくなり、したがっ
て成膜からエッチングまでの時間管理が難しいものとな
っている。

【００１２】また、エッチング廃液処理等の環境問題も
あり、装置の安全衛生についてのコストが高くなってい
る。さらに、下層のＣｒをエッチングした際、バス電極
７の下方に形成されているＩＴＯからなる透明電極１
ａ、１ｂがＣｒエッチング液にさらされるので、これら
透明電極１ａ、１ｂ表面にダメージが与えられるおそれ
がある。

【００１３】一方、背面基板４の形成においては、Ａｇ
ペーストのスクリーン印刷や、感光性Ａｇペーストのフ
ォトリソグラフィーによるデータ電極３の形成では、い
ずれも乾燥および焼成作業が必要であり、作業性、ゴミ
不良、高温焼成による材料に問題がある。また、ペース
ト材は粘度、粒径、樹脂成分、溶剤成分の品質管理に難
がある。

【００１４】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、基板上への電極形成に伴
う不都合を改善した、画像表示装置の製造方法を提供す
ることにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の画像表示装置の
製造方法は、画像表示装置を形成する基板の電極を、メ
ッキ法で形成してなることを前記課題の解決手段とし
た。

【００１６】この製造方法によれば、電極をメッキ法に
よりエッチングレスで形成するので、エッチング処理に
伴う種々の問題が解消され、また生産性が高まってコス
トが低減する。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像表示装置の製
造方法を詳しく説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明
の画像表示装置の製造方法を、ＡＣ型カラープラズマデ
ィスプレイパネルの前面基板の製造に適用した場合の一
実施形態例を示す図であり、これらの図において符号２
０は透明ガラス基板である。

【００１８】この例では、まず、図１（ａ）に示すよう
に透明ガラス基板２０表面の全面にスパッタ法によって
ＩＴＯ膜２１を１５０〜２００ｎｍ程度の厚さに形成す
る。続いて、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチン
グ技術によってＩＴＯ膜２１を所定のストライプ形状に
パターニングし、図１（ｂ）に示すように同一方向に並
列してなる多数の透明電極２２…を形成する。エッチン
グについては、例えば少量の硝酸を含有させた塩酸水溶
液や、塩化第２鉄系（ＦｅＣｌ₂：ＨＣｌ＝２：１）の
エッチング液を用いたウェットエッチングが採用され
る。なお、パターニングの際に用いるレジストについて
は、ポジ型、ネガ型のいずれも使用可能である。

【００１９】次に、透明電極２２を覆ってレジスト層
（図示略）を形成し、さらにこのレジスト層をパターニ
ングして、図１（ｃ）に示すように透明電極２２の側端
部にこれの長さ方向に沿って透明電極２２表面を臨ませ
てなる開口パターン２３を有したレジストパターン２４
を形成する。ここで、このレジストパターン２４につい
ては、その開口パターン２３を、隣り合って対をなす透
明電極２２、２２のそれぞれの外側の側端部に位置する
ように形成配置している。

【００２０】次いで、電解メッキを施し、図１（ｄ）に
示すようにレジストパターン２４の開口パターン２３内
に臨む透明電極２２上に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉの順にこれ
ら各金属を析出させ、Ｎｉ層２５、Ｃｕ層２６、Ｎｉ層
２７の３層構造からなるバス電極２８を形成する。ここ
で、Ｎｉ層２５は主に透明ガラス基板２０とＣｕ層２６
との密着性向上のためのもので、１〜２μｍ程度の厚さ
に形成される。Ｃｕ層２６は主に低抵抗化のためのもの
で、５〜１０μｍ程度の厚さに形成される。Ｎｉ層２７
は主に後工程で形成する誘電体層とＣｕ層２６との反応
防止のためのもので、１〜２μｍ程度の厚さに形成され
る。この後、レジストパターン２４を剥離しさらに洗浄
し、２００℃で１時間程度ベークする。

【００２１】次いで、前記バス電極２８および透明電極
２２を覆って透明ガラス基板２０上に低融点鉛系ガラス
ペーストを厚さ３５〜４０μｍ程度にスクリーン印刷す
る。続いて、１２０〜１３０℃で１０分程度乾燥処理
し、さらに４５０〜５００℃で１時間程度焼成処理して
図１（ｅ）に示すように誘電体層２９を形成する。な
お、この誘電体層２９の形成にあたっては、低融点鉛系
ガラスペーストをスクリーン印刷するのに代えて、例え
ばスパッタ法によりＴａ₂Ｏ₅を厚さ１００ｎｍ程度成
膜するようにしてもよく、その場合には該Ｔａ₂Ｏ₅と
Ｃｕとが反応しにくいため、前記バス電極２８における
上側のＮｉ層２７の形成を省略することができる。

【００２２】その後、前記誘電体層２９上に蒸着法ある
いはスパッタ法によってＭｇＯを厚さ１００ｎｍ程度に
成膜し、図１（ｆ）に示すようにＭｇＯからなる保護膜
３０を形成することによって前面基板３１を得る。な
お、前記バス電極２８の下側のＮｉ層２５については、
これに代えてＣｒからなる層としてもよく、その場合に
は低反射によりコントラストが向上するとともに、透明
電極２２とＣｕ層２６との密着力も向上する。

【００２３】このような前面基板３１の製造方法にあっ
ては、バス電極２８を電解メッキ法によってエッチング
レスで形成するので、エッチング処理に伴う種々の問題
を無くすことができ、また生産性が高まることによりコ
スト低減化を図ることができる。

【００２４】図２（ａ）〜（ｆ）は本発明の画像表示装
置の製造方法を、ＡＣ型カラープラズマディスプレイパ
ネルの前面基板の製造に適用した場合の他の実施形態例
を示す図であり、これらの図において符号３２は透明ガ
ラス基板である。この例では、まず、図１（ａ）に示す
ように透明ガラス基板３２の一方の表面全面にスパッタ
法によってＣｒＯ₂を１００〜２００ｎｍ程度の厚さに
成膜し、黒色絶縁膜３３を形成する。続いて、この黒色
絶縁膜３３上に感光性ドライフィルムレジストラミネー
ト（図示略）を貼合し、これを所定寸法のストライプ状
のマスクを用いて露光処理し、さらに現像処理、ポスト
ベーク処理をすることによって所定幅のストライプパタ
ーン３４…をリブ形成位置に形成する。

【００２５】次に、ストライプパターン３４…をマスク
にして前記黒色絶縁膜３３および透明ガラス基板３２の
表層部をサンドブラスト法で研削し、図２（ｂ）に示す
ように透明ガラス基板３２の表層部に高さ５０μｍ程度
の横断面が略台形状であるストライプ状のリブ３５…を
形成する。続いて、ＨＦ系エッチング液で透明ガラス基
板３２の表面を５μｍ程度ライトエッチングし、前記研
削処理によって透明ガラス基板３２に生じたガラスマイ
クロクラックを除去する。なお、このようなサンドブラ
スト及びエッチング処理によって透明ガラス基板３２の
表面は粗面となるが、このように粗面となることによ
り、後述するように該表面に無電解メッキによって金属
が析出し成長し易くなる。

【００２６】次いで、透明ガラス基板３２のリブ３５形
成面全面にフォトレジストを塗布し、さらにこれを公知
のフォトリソグラフィー技術、エッチング技術によって
パターニングして図２（ｃ）に示すようにリブ３５、３
５間の透明ガラス基板３２上にのみフォトレジストパタ
ーン３６を形成する。

【００２７】次いで、無電解メッキを施し、図２（ｄ）
に示すようにリブ３５…の側面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉの
順にこれら各金属を析出させ、Ｎｉ層３７、Ｃｕ層３
８、Ｎｉ層３９の３層構造からなるバス電極４０を形成
する。ここで、Ｎｉ層３７は主に透明ガラス基板３２と
Ｃｕ層３８との密着性向上のためのもので、１〜２μｍ
程度の厚さに形成される。Ｃｕ層３８は主に低抵抗化の
ためのもので、５〜１０μｍ程度の厚さに形成される。
Ｎｉ層３９は主に後工程で形成する誘電体層とＣｕ層３
８との反応防止のためのもので、１〜２μｍ程度の厚さ
に形成される。

【００２８】なお、このような無電解メッキを行うと、
前述したようにフォトレジストパターン３６が形成され
ていない、粗面のリブ３５…側面にのみ選択的に金属が
析出成長し、平滑面のストライプパターン３４およびフ
ォトレジストパターン３６上には金属が析出しにくく、
例えば析出した金属でも密着力が弱いのでフォトレジス
ト剥離洗浄で除去される。続いて、ストライプパターン
３４、フォトレジストパターン３６を除去する。

【００２９】次いで、透明ガラス電極３２のリブ３５形
成側の面全面にＩＴＯ等からなる透明導電膜（図示略）
をスパッタ法によって厚さ０．１３〜０．１５μｍ程度
に形成し、続いて公知のリソグラフィー技術、エッチン
グ技術により、この透明導電膜の、前記黒色絶縁膜３３
の上面と隣り合うリブ３５、３５間の一部を除去し、図
２（ｅ）に示すように隣り合うリブ３５、３５間におい
て対をなして放電用電極として機能する透明電極４１を
形成する。なお、ここでの透明導電膜のエッチングにつ
いては、そのエッチング液として例えば、図１（ａ）〜
（ｆ）に示した例と同様のものを用いることができる。

【００３０】このように形成することによって透明電極
４１は、隣り合う一対のリブ３５、３５のうちの一方の
リブ３５における内側の側面に形成されたバス電極４０
上からこれらリブ３５、３５間における透明ガラス基板
３２表面にかけて、対をなす透明電極（放電用電極）４
１、４１のうちの一方が形成されるとともに、これら隣
り合う一対のリブ３５、３５のうちの他方のリブ３５に
おける内側の側面に形成されたバス電極４０上からこれ
らリブ３５、３５間における透明ガラス基板３２の表面
にかけて、対をなす透明電極（放電用電極）４１、４１
のうちの他方が前記透明電極（放電電極）４１、４１の
うちの一方と連続しない状態で形成されたものとなる。

【００３１】次いで、図１（ａ）〜（ｆ）に示した例と
同様にして図２（ｆ）に示すように誘電体層４２を形成
し、その後、これの上に保護層４３を形成することによ
って前面基板４４を得る。

【００３２】このような前面基板４４の製造方法にあっ
ては、バス電極４０を無電解メッキ法によってエッチン
グレスで形成するので、エッチング処理に伴う種々の問
題を無くすことができ、また生産性が高まることにより
コスト低減化を図ることができる。また、リブ３５の上
面に形成した黒色絶縁膜３３がＣｒＯ₂からなっている
ので、この黒色絶縁膜３３が遮光膜として機能するとと
もに、低反射によるコントラスト向上、および隣接する
透明電極４１間の電気的絶縁膜としても機能する。

【００３３】なお、誘電体層４２を、例えばスパッタ法
でＴａ₂Ｏ₅を厚さ１００ｎｍ程度成膜することによっ
て形成すれば、該Ｔａ₂Ｏ₅とＣｕとが反応しにくいた
め、前記バス電極４０における上側のＮｉ層３９の形成
を省略することがきる。また、バス電極４０の形成を、
Ｎｉ層３７、Ｃｕ層３８、Ｎｉ層３９の３層とも無電解
メッキ法で形成したが、下側のＮｉ層３７を無電解メッ
キ法で形成し、得られたＮｉ層３７を電極としてＣｕ層
３８、Ｎｉ層３９を電解メッキ法で形成するようにして
もよく、このようにＣｕ層３８、Ｎｉ層３９を電解メッ
キ法で形成することにより、バス電極４０の形成時間を
短縮することができる。

【００３４】図３（ａ）〜（ｄ）は本発明の画像表示装
置の製造方法を、ＡＣ型カラープラズマディスプレイパ
ネルの背面基板の製造に適用した場合の一実施形態例を
示す図であり、これらの図において符号４５は透明ガラ
ス基板である。この例では、まず、図３（ａ）に示すよ
うに透明ガラス基板４５表面に感光性ドライフィルムレ
ジストラミネート（図示略）を貼合し、これを所定寸法
のストライプ状のマスクを用いて露光処理し、さらに現
像処理、ポストベーク処理をすることにより、形成する
データ電極に対応したストライプ状の開口パターン４６
を有したレジストパターン４７を形成する。続いて、開
口パターン４６内に臨む透明ガラス基板４５の表面、お
よび該透明基板４５の裏面を軽くサンドブラスト処理
し、これらの面を凹凸化する。なお、必要に応じてその
表面を軽くライトエッチング処理してガラス歪みを除去
する。

【００３５】次に、無電解メッキを施し、図３（ｂ）に
示すように開口パターン４６内に臨む透明ガラス基板４
５の表面、および該透明基板４５の裏面にＮｉを析出成
長させ、厚さ５〜１０μｍ程度のＮｉ層４８を形成す
る。このとき、これら透明ガラス基板４５の表面および
該透明基板４５の裏面には、先にサンドブラスト処理に
よる凹凸化を行っているため、Ｎｉが析出成長し易くな
っており、一方、平滑面のレジストパターン４７上には
Ｎｉが析出しないようになっている。

【００３６】続いて、開口パターン４６内に形成したＮ
ｉ層４８を電極として電解メッキを施し、該Ｎｉ層４８
上に低抵抗化のため厚さ１〜２μｍ程度のＡｇ層４９を
形成し、これによりＮｉ層４８とＡｇ層４９とからなる
データ電極５０を形成する。そして、レジストパターン
４７を剥離し、さらに洗浄した後、２００℃で１時間程
度ベーク処理する。なお、透明ガラス基板４５の裏面に
形成したＮｉ層４８は、ＥＭＩ（電磁波障害）シール
ド、コントラスト向上に寄与するとともに、該裏面から
の漏れ光を遮断する効果も奏する。

【００３７】次いで、前記データ電極５０を覆って透明
ガラス基板４５上に白色顔料入りの低融点鉛ガラスペー
ストを厚さ２０〜３０μｍ程度にスクリーン印刷する。
続いて、１２０〜１３０℃で１０〜１５分程度乾燥処理
し、さらに４５０〜５００℃で１時間程度焼成処理して
図３（ｃ）に示すように白色の誘電体層５１を形成す
る。

【００３８】次いで、誘電体層５１上の前記データ電極
５０、５０間に、黒色顔料入りの低融点鉛または亜鉛系
ガラスペーストを厚さ２０〜３０μｍ程度にスクリーン
印刷し、続いてこれを乾燥する。そして、これらスクリ
ーン印刷、乾燥の一連の工程を１０〜１１回繰り返し、
さらに焼成することによって図３（ｄ）に示すように約
２００μｍの高さのリブ５２を形成する。

【００３９】その後、リブ５２、５２間にＲ、Ｇ、Ｂ用
の蛍光体５３をそれぞれ対応する位置にスクリーン印刷
で塗布し、さらに乾燥し焼成することにより、背面基板
５４を得る。なお、蛍光体５３については、Ｒ（赤）用
のものとしては例えば（Ｙ，Ｇａ）ＢＯ₃：Ｅｕが用い
られ、Ｂ（青）用のものとしては例えばＢａＭｇＡｌ₂
Ｏ₃：Ｅｕが用いられ、Ｇ（緑）用のものとしては例え
ばＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎが用いられる。また、蛍光体５
３の形成については、感光性蛍光体ペーストや光粘着法
で行ってもよい。

【００４０】このような背面基板５３の製造方法にあっ
ては、データ電極５０を無電解メッキ法および電解メッ
キ法によってエッチングレスで形成するので、エッチン
グ処理に伴う種々の問題を無くすことができ、また生産
性が高まることによりコスト低減化を図ることができ
る。

【００４１】なお、この例ではデータ電極５０をＮｉ層
４８とＡｇ層４９とによって形成したが、図４に示すよ
うに厚さ１〜２μｍ程度のＮｉ層４８と、厚さ５〜１０
μｍ程度のＣｕ層５５ａと、厚さ１〜２μｍ程度のＮｉ
層５５ｂとからなる３メッキによる層構造のものとして
もよい。

【００４２】図５（ａ）〜（ｆ）は本発明の画像表示装
置の製造方法を、ＡＣ型カラープラズマディスプレイパ
ネルの背面基板の製造に適用した場合の他の実施形態例
を示す図であり、これらの図において符号５６は透明ガ
ラス基板である。この例では、まず、図５（ａ）に示す
ように透明ガラス基板５６の一方の表面全面にスパッタ
法によってＣｒＯ₂を１００〜２００ｎｍ程度の厚さに
成膜し、黒色絶縁膜５７を形成する。続いて、この黒色
絶縁膜５７上に感光性ドライフィルムレジストラミネー
ト（図示略）を貼合し、これを所定寸法のストライプ状
のマスクを用いて露光処理し、さらに現像処理、ポスト
ベーク処理をすることによって所定幅のストライプレジ
ストパターン５８…をリブ形成位置に形成する。

【００４３】次に、ストライプレジストパターン５８…
をマスクにして前記黒色絶縁膜５７および透明ガラス基
板５６の表層部をサンドブラスト法で研削し、図５
（ｂ）に示すように透明ガラス基板５７の表層部に高さ
１５０〜２００μｍ程度の横断面が略台形状であるスト
ライプ状のリブ５９…を形成する。またこのとき、透明
ガラス基板５６の裏面もサンドブラスト法で研削し、該
裏面を凹凸面にしておく。続いて、ＨＦ系エッチング液
で透明ガラス基板５６の表面を５μｍ程度ライトエッチ
ングし、前記研削処理によって透明ガラス基板５６に生
じたガラスマイクロクラックを除去する。なお、このよ
うなエッチング処理によって透明ガラス基板５６の表面
は粗面（凹凸面）となるが、このように粗面となること
により、後述するように該表面に無電解メッキによって
金属が析出し成長し易くなる。

【００４４】次いで、ストライプレジストパターン５８
…を設けた状態のままで透明ガラス基板５６両面に無電
解メッキを施し、図５（ｃ）に示すようにリブ５９…の
上面を除いた位置、すなわち透明ガラス基板５６表面
（リブ５９形成面）におけるリブ５９の側面とリブ５
９、５９間、および透明ガラス基板５６裏面にＮｉを析
出成長させ、厚さ５〜１０μｍ程度のＮｉ層６０ａおよ
びＮｉ層６０ｂを形成する。このとき、これら透明ガラ
ス基板５６の表面および該透明基板５６の裏面には、先
にサンドブラスト処理等によって凹凸化しているため、
Ｎｉが析出成長し易くなっており、一方、平滑面のスト
ライプレジストパターン５８上にはＮｉが析出しないよ
うになっている。

【００４５】続いて、リブ５９形成面のＮｉ層６０ａを
電極として電解メッキを施し、あるいは該Ｎｉ層６０ａ
の形成と同様に無電解メッキを施し、図５（ｄ）に示す
ようにリブ５９を形成した側の面のＮｉ層６０ａ上に厚
さ１〜２μｍ程度のＡｇ層６１を形成し、これによりＮ
ｉ層６０ａとＡｇ層６１とからなるデータ電極６２を形
成する。ここで、Ａｇ層６１は、低抵抗化に寄与すると
ともに、後述する蛍光体の反射率アップによる輝度向上
にも寄与するものとなっている。そして、ストライプレ
ジストパターン５８を剥離し、さらに洗浄した後、２０
０℃で１時間程度ベーク処理する。なお、透明ガラス基
板４５の裏面に形成したＮｉ層４８は、ＥＭＩ（電磁波
障害）シールド、コントラスト向上に寄与するととも
に、該裏面からの漏れ光を遮断する効果も奏する。

【００４６】次いで、前記データ電極６２を覆って透明
ガラス基板５６上に透明の高誘電体材料であるＴａ₂Ｏ
₅をスパッタ法で０．１μｍ程度の厚さに成膜し、図５
（ｅ）に示すように誘電体層６３を形成する。また、こ
のスパッタ法による形成に代えて、透明の低融点鉛ガラ
スペーストを厚さ３０〜４０μｍ程度にスクリーン印刷
し、続いて、１２０〜１３０℃で１０〜１５分程度乾燥
処理し、さらに４５０〜５００℃で１時間程度焼成処理
して透明の誘電体層６３を形成してもよい。

【００４７】その後、リブ５９、５９間にＲ、Ｇ、Ｂ用
の蛍光体６４をそれぞれ対応する位置に図３（ａ）〜
（ｄ）に示した例と同様にしてスクリーン印刷で塗布
し、さらに乾燥し焼成することにより、背面基板６５を
得る。

【００４８】このような背面基板６５の製造方法にあっ
ても、データ電極６２を主に無電解メッキ法によってエ
ッチングレスで形成するので、エッチング処理に伴う種
々の問題を無くすことができ、また生産性が高まること
によりコスト低減化を図ることができる。

【００４９】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の画像表示装
置の製造方法を、プラズマアドレス型液晶ディスプレイ
のプラズマ基板の製造に適用した場合の一実施形態例を
示す図であり、これらの図において符号７０は透明ガラ
ス基板である。この例では、まず、図６（ａ）に示す
ように透明ガラス基板７０表面に感光性ドライフィルム
レジストラミネート（図示略）を貼合し、これを所定寸
法のストライプ状のマスクを用いて露光処理し、さらに
現像処理、ポストベーク処理をすることにより、形成す
る放電電極に対応したストライプ状の開口パターン７１
ａ、７１ｂを交互に配したレジストパターン７２を形成
する。続いて、開口パターン７１ａ、７１ｂ内に臨む透
明ガラス基板７０の表面を軽くサンドブラスト処理し、
この面を凹凸化する。なお、必要に応じて軽くライトエ
ッチング処理し、ガラスのマイクロクラックを除去す
る。

【００５０】次に、無電解メッキを施し、図６（ｂ）に
示すように開口パターン７１ａ、７１ｂ内に臨む透明ガ
ラス基板４５の表面にＮｉを析出成長させ、厚さ１〜２
μｍ程度の緻密状のＮｉ層７３を形成する。続いて、無
電解メッキあるいは電解メッキによってこのＮｉ層７３
上に厚さ５〜１０μｍ程度の緻密状のＣｕ層７４を形成
し、さらにこのＣｕ層７４上に厚さ１０〜２０μｍ程度
のポーラス状のＮｉ層７５を形成し、これによりＮｉ層
７３、Ｃｕ層７４、Ｎｉ層７５の３層構造からなる放電
電極７６ａ、７６ｂを形成する。続いて、レジストパタ
ーン７２を剥離し、さらに洗浄した後、密着力向上のた
め２００℃で１時間程度ベーク処理する。

【００５１】次いで、一方の開口パターン７１ａ内に形
成した放電電極７６ａ上に黒色顔料入りの低融点鉛また
は亜鉛系ガラスペーストを厚さ２０〜３０μｍ程度にス
クリーン印刷し、続いてこれを１２０〜１３０℃で１０
〜１５分間程度乾燥する。そして、これらスクリーン印
刷、乾燥の一連の工程を１０〜１１回繰り返し、さらに
５５０℃で２０分、５８０℃で２０分焼成することによ
り、図６（ｃ）に示すように約２５０〜２８０μｍの高
さのリブ７７を形成する。

【００５２】次いで、リブ７７の頂部（上面）をアルミ
ナ研磨剤（＃３０００、＃１００００）によって研磨
し、１μｍ平坦性に形成するとともに該リブ７７の高さ
を２５０μｍとする。なお、このようなリブ７７の形成
と同時に、図７に示すように取り出し電極部においては
ダミーリブ７８を形成しておく。また、これとは別にフ
リットシール７９等も形成しておく。ここで、フリット
シール７９より外部に位置する取り出し電極部について
は無電解メッキまたは電解メッキで形成する。具体的に
は、緻密状のＮｉ層７３と緻密状のＣｕ層７４とについ
ては放電電極７６ａ、７６ｂと共通にし、その上に緻密
状のＡｕ層８０を形成する。

【００５３】このようなプラズマ基板の製造方法にあっ
ては、放電電極７６ａ、７６ｂを主に無電解メッキ法に
よってエッチングレスで形成するので、エッチング処理
に伴う種々の問題を無くすことができ、また生産性が高
まることによりコスト低減化を図ることができる。

【００５４】図８（ａ）〜（ｅ）は本発明の画像表示装
置の製造方法を、プラズマアドレス型液晶ディスプレイ
のプラズマ基板の製造に適用した場合の他の実施形態例
を示す図であり、これらの図において符号８１は透明ガ
ラス基板である。この例では、まず、図８（ａ）に示す
ように透明ガラス基板８１の一方の表面全面にスパッタ
法によってＣｒＯ₂を１００〜２００ｎｍ程度の厚さに
成膜し、黒色絶縁膜８２を形成する。続いて、この黒色
絶縁膜８２上に感光性ドライフィルムレジストラミネー
ト（図示略）を貼合し、これを所定寸法のストライプ状
のマスクを用いて露光処理し、さらに現像処理、ポスト
ベーク処理をすることによって所定幅のストライプレジ
ストパターン８３…をリブ形成位置に形成する。

【００５５】次に、ストライプレジストパターン８３…
をマスクにして前記黒色絶縁膜８２および透明ガラス基
板８１の表層部をサンドブラスト法で研削し、図８
（ｂ）に示すように透明ガラス基板８１の表層部に高さ
１５０〜２００μｍ程度の横断面が略台形状であるスト
ライプ状のリブ８４…を形成する。続いて、ＨＦ系エッ
チング液で透明ガラス基板８１の表面を５μｍ程度ライ
トエッチングし、前記研削処理によって透明ガラス基板
８１に生じたガラスマイクロクラックを除去する。な
お、このようなエッチング処理によって透明ガラス基板
８１の表面は粗面（凹凸面）となるが、このように粗面
となることにより、後述するように該表面に無電解メッ
キによって金属が析出し成長し易くなる。ただし、偏光
された外部光が散乱されるのを低減するために、ＰＤＰ
の場合よりも粗面（凹凸面）レベルは小さくする必要が
ある。

【００５６】次いで、透明ガラス基板８１のリブ８４形
成面全面にフォトレジストを塗布し、さらにこれを公知
のフォトリソグラフィー技術、エッチング技術によって
パターニングして図８（ｃ）に示すようにリブ８４、８
４間の透明ガラス基板３２上にストライプ状の開口パタ
ーン８５を有してなるフォトレジストパターン８６を形
成する。

【００５７】次いで、無電解メッキを施し、図８（ｄ）
に示すようにリブ８４…の側面、および開口パターン８
５内に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉの順にこれら各金属を析出さ
せ、緻密状のＮｉ層、緻密状のＣｕ層、ポーラス状のＮ
ｉ層の３層構造からなる放電電極（アノード電極）８７
ａ、および放電電極（カソード電極）８７ｂを形成す
る。そして、ストライプレジストパターン８３およびフ
ォトレジストパターン８６を剥離し、さらに洗浄した
後、２００℃で１時間程度ベーク処理する。ここで、下
側のＮｉ層は主に透明ガラス基板８１とＣｕ層との密着
性向上のためのもので、１〜２μｍ程度の厚さに形成さ
れる。Ｃｕ層は主に低抵抗化のためのもので、５〜１０
μｍ程度の厚さに形成される。上側のＮｉ層はポーラス
状に形成されていることによって主に放電に寄与するた
めのもので、１０〜２０μｍ程度の厚さに形成される。

【００５８】なお、図９に示すようにフリットシール７
９より外部の取り出し電極部については、図７に示した
例と同様に形成される。このようなプラズマ基板の製造
方法にあっても、放電電極（アノード電極）８７ａ、放
電電極（カソード電極）８７ｂを主に無電解メッキ法に
よってエッチングレスで形成するので、エッチング処理
に伴う種々の問題を無くすことができ、また生産性が高
まることによりコスト低減化を図ることができる。

【００５９】なお、図６、図８の実施形態例では、ＤＣ
型プラズマアドレス型液晶表示装置のために放電ガスと
の接触表面積を多くして放電し易くするために、最表面
にポーラス状Ｎｉ電極を形成する。しかし、ＡＣ型プラ
ズマアドレス型液晶表示装置の場合にはポーラス状Ｎｉ
電極は不要であり、緻密状のＮｉ＋Ｃｕ電極を形成し、
ＰＤＰ同様に、その上に誘電体層Ｔａ₂Ｏ₅１００ｎｍ
をスパッタリングで形成し、保護膜ＭｇＯ１００ｎｍを
蒸着またはスパッタリングで形成する。また、以上に述
べた電解メッキや無電解メッキでは、公知のそれぞれの
メッキ建浴とメッキ条件とを使用することが可能であ
る。さらに、ＤＣ型プラズマアドレス型液晶表示装置の
場合、放電し易く、かつカソード放電電極のスパッタリ
ングによるダメージ低減のために、メッキで形成したＮ
ｉ＋Ｃｕ電極の上に、電子放射効率の高い六ほう化ラン
タン（ＬａＢ₆）等を電着などで形成してもよい。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の画像表示装
置の製造方法は、電極をメッキ法によりエッチングレス
で形成する方法であるから、エッチング処理に伴う種々
の問題を無くすことができ、また生産性が高まることに
よりコスト低減化を図ることができる。

【００６１】また、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル
のバス電極を、電解または無電解メッキによるエッチン
グレスのＮｉ−Ｃｕ−Ｎｉからなる３層構造で形成すれ
ば、従来のスパッタリングおよびエッチングによるクロ
ム−銅−クロム３層構造に対して、クロムエッチング時
の廃液処理、環境問題、エッチング不安定性等の問題が
なく、歩留および生産性を向上することができ、また、
スパッタリングおよびエッチングよりも歩留および生産
性が高く、製造設備が安くなることから、コストダウン
を図ることができる。

【００６２】また、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル
のデータ電極を、無電解または電解メッキによるＮｉ−
Ｃｕ−ＮｉまたはＮｉ−Ａｇ膜で形成すれば、従来のＡ
ｇペーストのスクリーン印刷および焼成に対して歩留お
よび生産性が高くなり、したがってコストダウンを図る
ことができる。

【００６３】また、プラズマアドレス型液晶ディスプレ
イの放電電極を、無電解および電解メッキによるＮｉ
（緻密状）−Ｃｕ（緻密状）−Ｎｉ（ポーラス状）膜で
形成すれば、従来のＮｉペーストのスクリーン印刷およ
び焼成に対して歩留および生産性が高くなり、コストダ
ウンを図ることができる。

【００６４】また、従来のごとくＮｉペーストやＡｇペ
ースト材を用いる場合にその粘度や粒径、樹脂および溶
剤成分等の品質管理が大変であったのに対し、本発明で
は電解または無電解メッキ建浴の管理が容易であり、ま
た形成したメッキ膜質の均一性、安定性に優れており、
これによって歩留、品質および信頼性の向上を図ること
ができる。

【００６５】また、従来のごとくＮｉペーストやＡｇペ
ーストの高温焼成作業がないので、高価な焼成炉が不要
となるとともに加熱電力およびパージガスも不要とな
り、さらに耐熱性の低い安価なガラスが採用可能となる
ことなどにより、コストダウンを図ることができる。

【００６６】また、ＡＣ型プラズマディスプレイパネル
の裏面に無電解メッキでＮｉ等のメタル膜を形成すれ
ば、ＥＭＩシールドと裏面からの漏れ光防止によるコン
トラスト向上を容易になすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の画像表示装置の製
造方法をＡＣ型カラープラズマディスプレイパネルの前
面基板の製造に適用した場合の一実施形態例を、工程順
に説明するための要部側断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の画像表示装置の製
造方法をＡＣ型カラープラズマディスプレイパネルの前
面基板の製造に適用した場合の他の実施形態例を、工程
順に説明するための要部側断面図である。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の画像表示装置の製
造方法をＡＣ型カラープラズマディスプレイパネルの背
面基板の製造に適用した場合の一実施形態例を、工程順
に説明するための要部側断面図である。

【図４】図３に示した例の変形例を説明するための図で
ある。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の画像表示装置の製
造方法をＡＣ型カラープラズマディスプレイパネルの背
面基板の製造に適用した場合の他の実施形態例を、工程
順に説明するための要部側断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の画像表示装置の製
造方法をプラズマアドレス型液晶ディスプレイのプラズ
マ基板の製造に適用した場合の一実施形態例を、工程順
に説明するための要部側断面図である。

【図７】図６に示したプラズマ基板の、取り出し電極部
の状態を説明するための要部側断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の画像表示装置の製
造方法をプラズマアドレス型液晶ディスプレイのプラズ
マ基板の製造に適用した場合の他の実施形態例を、工程
順に説明するための要部側断面図である。

【図９】図８に示したプラズマ基板の、取り出し電極部
の状態を説明するための要部側断面図である。

【図１０】従来のＡＣ型カラープラズマディスプレイパ
ネルの一例の概略構成を示す、分解斜視図である。

【符号の説明】

２０，３２，４５，５６，７０，８１…透明ガラス基
板、２２，４１…透明電極、２８，４０…バス電極、３
１，４４…前面基板、５０，６２…データ電極、５４，
６５…背面基板、７６ａ，７６ｂ，８７ａ，８７ｂ…放
電電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像表示装置を形成する基板の電極を、
電解メッキ法、又は無電解メッキ法、又は無電解メッキ
法と電解メッキ法とによりエッチングレスで形成してな
ることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】前記基板がＡＣ型プラズマディスプレイ
パネル用の前面基板であり、前記電極がバス電極であることを特徴とする請求項１記
載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】前記バス電極が、前記基板上に形成され
たストライプ状のリブの側面に形成されてなることを特
徴とする請求項２記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】前記基板がＡＣ型プラズマディスプレイ
パネル用の背面基板であり、前記電極がデータ電極であることを特徴とする請求項１
記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】前記データ電極が、前記基板上に形成さ
れた複数のストライプ状リブにおける、隣り合う二つの
リブ間の一方のリブの内側面から他方のリブの内側面に
かけて形成されていることを特徴とする請求項４記載の
画像表示装置の製造方法。
【請求項６】前記基板がプラズマアドレス型液晶ディ
スプレイ用のプラズマ基板であり、前記電極が放電電極であることを特徴とする請求項１記
載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】前記放電電極がアノード電極とカソード
電極とからなり、これらアノード電極とカソード電極と
のうちの少なくとも一方が、前記基板上に形成された複
数のストライプ状リブの内側面に形成されていることを
特徴とする請求項６記載の画像表示装置の製造方法。