JPH1133560A - Cmp排液の凝集処理方法 - Google Patents

Cmp排液の凝集処理方法

Info

Publication number
JPH1133560A
JPH1133560A JP19012797A JP19012797A JPH1133560A JP H1133560 A JPH1133560 A JP H1133560A JP 19012797 A JP19012797 A JP 19012797A JP 19012797 A JP19012797 A JP 19012797A JP H1133560 A JPH1133560 A JP H1133560A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cmp
added
soln
flocculant
reaction tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19012797A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Furukawa
征弘 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Kurita Water Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kurita Water Industries Ltd filed Critical Kurita Water Industries Ltd
Priority to JP19012797A priority Critical patent/JPH1133560A/ja
Publication of JPH1133560A publication Critical patent/JPH1133560A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Separation Of Suspended Particles By Flocculating Agents (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アルミニウム塩または鉄塩の無機系凝集剤で
は凝集しないCMP(Chemical Mechanical Polishin
g)排液を、簡単な操作で凝集処理する。 【解決手段】 半導体製造工程の研磨工程から排出され
るSiO2微粒子が懸濁したCMP排液10をカルシウ
ム反応槽1に導入し、Ca(OH)2、CaCl2などのカ
ルシウムイオン源11を添加した後、無機系凝集剤反応
槽2に導入し、無機系凝集剤15を添加して凝集処理す
る。さらに高分子凝集剤反応槽3において高分子凝集剤
22を添加し、フロック生長槽4において大形のフロッ
クを形成させる。沈殿槽5で固液分離した分離液は処理
水32として系外に排出し、分離固形分は脱水装置6で
脱水処理する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程の
研磨工程などから排出されるCMP(Chemical Mechani
cal Polishing)排液の凝集処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体基板またはその上に形成された被
膜の研磨にCMP(Chemical Mechanical Polishing)
が行われている。例えば半導体ウエハはCMPにより研
磨され、鏡面仕上が行われている。また半導体の高集積
化に伴って多層配線構造が採用されるようになっている
が、多層配線の高信頼性および高歩留を実現するには多
層配線用層間絶縁層の平坦化が重要であり、このため層
間絶縁層の研磨としてCMPが行われている。
【0003】CMPは化学研磨と機械研磨とを複合した
研磨であり、研磨剤としてアルカリ水溶液に砥粒を懸濁
させたCMP液が用いられている。従来このようなCM
P液としては、KOH水溶液にSiO2微粒子を懸濁さ
せた、いわゆるコロイダルシリカからなるCMP液(以
下、KOH系CMP液という場合がある)やアンモニア
水溶液にSiO2微粒子を懸濁させた、いわゆるコロイ
ダルシリカからなるCMP液(以下、NH4系CMP液
という場合がある)、その他中性系CMP液などが用い
られている。
【0004】半導体製造工程の研磨工程から排出される
CMP排液中には、砥粒として懸濁させたSiO2粒子
のほかに、ウエハや被膜および研磨パッドが削られて生
成する研磨屑粒子などが含まれており、CMP排液の処
理では凝集沈殿によりこれらの粒子の除去が行われてい
る。一般的には、CMP液を用いる研磨工程から排出さ
れるCMP排液に、アルミニウム塩または鉄塩などの無
機系凝集剤を添加して急速攪拌したのち、高分子凝集剤
を添加して緩速攪拌を行い、これによりSiO 2等の懸
濁粒子を凝集させてフロックを形成し、これを沈降分離
し、分離汚泥は脱水機により脱水処理している。
【0005】しかし、CMP液の組成や配合は各種各様
であり、無機系凝集剤を添加しても全く凝集しない場合
がある。このため、アルミニウム塩または鉄塩などの無
機系凝集剤では凝集しないCMP排液を簡単な操作で効
率よく凝集処理することができる方法が要望されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、アル
ミニウム塩または鉄塩の無機系凝集剤では凝集しないC
MP排液を簡単な操作で凝集処理することができるCM
P排液の凝集処理方法を提案することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、CMP排液に
カルシウムイオンを添加した後、無機系凝集剤を添加し
攪拌して凝集処理を行うことを特徴とするCMP排液の
凝集処理方法である。
【0008】本発明で処理の対象となるCMP排液は、
KOH水溶液、アンモニア水溶液、その他の分散媒にS
iO2微粒子を懸濁させて研磨剤として用いるCMP液
の排液であり、具体的なものとしては、半導体製造工程
の研磨工程やリンス工程等から排出されるCMP排液な
どがあげられる。このようなCMP排液の中でも、アル
ミニウム塩または鉄塩などの無機系凝集剤では凝集しな
い、または凝集が十分に進行しないCMP排液を対象と
するのが好ましいが、無機系凝集剤で凝集するCMP排
液を対象とすることもできる。
【0009】本発明においてカルシウムイオンを添加す
るには、CMP排液中にカルシウムイオンを供給するこ
とができるカルシウムイオン源を添加する方法などが採
用できる。上記カルシウムイオン源としては、水に可溶
で、水に添加するだけで容易にカルシウムイオンが解離
するカルシウム化合物、または水に難溶ではあるが、酸
等を添加することによりカルシウムイオンが解離してカ
ルシウムイオンを供給しうるカルシウム化合物などがあ
げられる。
【0010】カルシウムイオン源の具体的なものとして
は、塩化カルシウム(CaCl2)または水酸化カルシ
ウム(Ca(OH)2)などがあげられる。カルシウムイ
オンの添加量はCMP排液の種類により異なるが、カル
シウムイオン源として通常200〜500mg/l、好
ましくは200〜300mg/lとするのが望ましい。
【0011】上記カルシウムイオン源は、従来無機系凝
集剤として使用されている化合物であるが、本発明では
後述の無機系凝集剤と併用することにより、これらの相
乗効果により優れた凝集作用が発揮される。
【0012】本発明で用いる無機系凝集剤としては、従
来から使用されている無機系凝集剤が使用でき、例えば
ポリ塩化アルミニウム(PAC)、硫酸バンド等のアル
ミニウム塩;硫酸第一鉄、硫酸第二鉄、塩化第二鉄等の
鉄塩;その他塩化マグネシウムなどのカルシウムイオン
源以外の化合物があげられる。これらの中ではポリ塩化
アルミニウム(PAC)、硫酸バンド、塩化第二鉄など
が好ましい。無機系凝集剤は市販品を使用することもで
きる。
【0013】無機系凝集剤の添加量はコロイドシリカの
濃度により異なるが、一般的に100〜20000mg
/l、好ましくは300〜10000mg/lとするの
が望ましい。例えば、コロイドシリカの濃度が17gS
S/l程度である場合、無機系凝集剤の添加量は400
〜600mg/lとするのが望ましく、コロイドシリカ
の濃度にほぼ比例して無機系凝集剤の添加量を増減する
のが好ましい。
【0014】本発明では、前記無機系凝集剤を添加する
前にカルシウムイオンをCMP排液に添加する。添加後
は5〜15分間攪拌するのが好ましい。攪拌はカルシウ
ムイオンが解離して均一な液となるように攪拌すればよ
く、急速攪拌または緩速攪拌のいずれでもよい。攪拌
は、攪拌手段の形状や大きさ等によっても異なるが、通
常10〜400rpm程度で行うのが好ましい。またカ
ルシウムイオン添加後のpHは7〜11、好ましくは7
〜9に調整するのが望ましい。pH調整は塩酸等の酸、
水酸化ナトリウム等のアルカリを添加することにより行
うことができる。
【0015】次に前記無機系凝集剤を添加し、攪拌して
凝集処理を行い、フロックを形成させる。この場合、排
液のpHは添加する無機系凝集剤に適したpHとなるよ
うにpH調整するのが好ましい。例えば、無機系凝集剤
としてポリ塩化アルミニウムを使用する場合は、pH6
〜8、好ましくは6.5〜7に調整するのが望ましい。
また無機系凝集剤の添加後は、5〜15分間急速攪拌を
行い反応させるのが好ましい。急速攪拌は攪拌手段の形
状や大きさ等によっても異なるが、通常は100〜40
0rpm程度で行うのが好ましい。このようにして凝集
処理を行うことにより、CMP排液中に懸濁しているS
iO2微粒子およびその他の粒子が凝集してフロックが
形成される。なお、急速攪拌に続いて緩速攪拌を行って
もよい。
【0016】このように、CMP排液にカルシウムイオ
ンを添加した後、無機系凝集剤を添加して凝集処理する
ことにより、アルミニウム塩または鉄塩などの無機系凝
集剤単独では凝集が起らないCMP排液においても、S
iO2微粒子を凝集させ、フロックを形成させることが
できる。この理由は明確ではないが、カルシウムイオン
がCMP排液中の有機酸と反応し、これによりアルミニ
ウム塩または鉄塩の有機酸による凝集能の低下が防止さ
れるためではないかと推測される。
【0017】本発明では、無機系凝集剤を添加して凝集
処理を行った後、高分子凝集剤を添加し、攪拌してさら
に凝集処理を行うのが好ましい。上記高分子凝集剤とし
ては公知の高分子凝集剤が使用でき、例えばアミノアル
キル(メタ)アクリレート4級塩(共)重合体、ポリア
ミノメチルアクリルアミドの塩もしくは4級塩、ポリア
クリルアミドのマンニッヒ変性物、キトサン、ポリビニ
ルアミジン等のカチオン系高分子凝集剤;ポリアクリル
酸ナトリウム、マレイン酸共重合物塩、ポリアクリルア
ミド部分加水分解物塩等のアニオン系高分子凝集剤;ポ
リアクリルアミド、ポリオキシエチレン等のノニオン系
高分子凝集剤などがあげられる。高分子凝集剤の添加量
はコロイドシリカの濃度により異なるが、一般的には
0.1〜3mg/l、好ましくは0.5〜1.5mg/
lとするのが望ましい。
【0018】高分子凝集剤を添加する場合、CMP排液
のpHは添加する高分子凝集剤に適したpHとなるよう
にpH調整するのが好ましい。また高分子凝集剤添加後
は、5〜15分間急速攪拌を行って反応させ、次に5〜
30分間緩速攪拌を行ってフロックを生長させるのが望
ましい。上記急速攪拌は攪拌手段の形状や大きさ等によ
っても異なるが、通常100〜400rpm程度、緩速
攪拌も攪拌手段の形状や大きさ等によっても異なるが、
通常10〜100rpm程度で行うのが好ましい。
【0019】高分子凝集剤を添加して凝集処理すること
により、無機系凝集剤を添加することにより生成したフ
ロックが大形のフロックに生長し、これにより分離性、
脱水性などに優れたフロックが形成される。
【0020】本発明における操作は連続式でもバッチ式
でも行うことができる。連続式で行う場合、前記攪拌時
間は攪拌処理における平均滞留時間である。なおバッチ
式で行う場合、急速攪拌および緩速攪拌は同一の凝集槽
で行うことができるが、連続式で行う場合は別々の槽で
行うのが好ましい。
【0021】本発明の方法により処理された凝集処理液
は、通常沈降分離、濾過分離等により固液分離され、分
離液は処理水として系外に排出され、分離固形分は脱水
処理されて脱水ケーキとされる。
【0022】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例を図面により
説明する。図1は本発明の処理方法を連続式で実施する
排液凝集処理装置の系統図であり、1はカルシウム反応
槽、2は無機系凝集剤反応槽、3は高分子凝集剤反応
槽、4はフロック生長槽、5は沈殿槽、6は脱水装置で
ある。
【0023】図1の装置でCMP排液を処理するには、
CMP排液10をカルシウム反応槽1に連続的に導入
し、カルシウムイオン源11およびpH調整剤12を添
加して攪拌機13により攪拌して反応させる。このカル
シウム反応液14は無機系凝集剤反応槽2に連続的に導
入し、無機系凝集剤15およびpH調整剤16を添加し
て攪拌機17により急速攪拌して反応させ、凝集処理を
行う。これにより排液10中のSiO2微粒子、その他
の粒子が凝集してフロックが形成される。
【0024】この無機系凝集剤反応液21は高分子凝集
剤反応槽3に連続的に導入し、高分子凝集剤22および
pH調整剤23を添加して攪拌機24により急速攪拌し
て反応させ、凝集処理を行う。この高分子凝集剤反応液
25はフロック生長槽4に連続的に導入し、攪拌機26
により緩速攪拌してフロックを生長させ、さらに大形の
フロックを形成させる。
【0025】このフロック生長液31は沈殿槽5に連続
的に導入し、沈降分離により固液分離する。分離液は処
理水32として系外に排出し、分離固形分は脱水装置6
に送る。脱水装置6としては、フィルタープレス、ベル
トフィルターなどが用いられ、これによりフロックを機
械的に脱水する。脱水した脱水ケーキ33は系外に排出
し、ろ液34は無機系凝集剤反応槽2に循環する。
【0026】図1において、脱水装置6で脱水したろ液
34は高分子凝集剤反応槽3に循環することもできる。
またCMP排液10をバッチ式で処理する場合は、フロ
ック生長槽4を省略することもできる。さらに処理水3
2は、ろ過装置(図示せず)に導入してろ過し、残留す
る少量のSSをさらに高度に除去することもできる。
【0027】
【実施例】
比較例1 下記CMP排液をカルシウムイオンを添加しないで凝集
処理した。 種類:NH4系CMP排液 外観:白濁濃厚スラリー pH:9.5 SS濃度:16.8g/l SS主成分:SiO2コロイド TOC:4.8mg/l
【0028】上記CMP排液に鉄塩としてFeCl3
200mg/l添加し、pH7で急速攪拌した。しか
し、凝集は全く起らず、スラリー全体が黄白濁になっ
た。そこでFeCl3の添加量を段階的に1000mg
/lまで増加させ、pH範囲もpH7〜10まで変化さ
せたが、凝集は全く起らなかった。
【0029】比較例2 比較例1のNH4系CMP排液にポリ塩化アルミニウム
(PAC)を200mg/l添加し、pH7で急速攪拌
したが、凝集は全く起らなかった。
【0030】実施例1 比較例1のNH4系CMP排液にカルシウムイオン源と
してCa(OH)2を200mg/l添加し、pH8付近
に調整して5分間急速攪拌した。次に無機系凝集剤とし
てFeCl3を400mg/l添加し、pHを7.0付
近に調整し、5分間急速攪拌した。その結果、凝集が生
じ、フロックが形成された。次に、高分子凝集剤として
ポリアクリル酸部分加水分解物を1mg/l添加し、1
5分間緩速攪拌した。その結果、上澄水は無色透明(濁
度3以下)で、凝集性のよいフロックが得られた。
【0031】実施例2 実施例1において、Ca(OH)2の添加量を500mg
/lにした以外は同様にして行った。その結果、実施例
1と同様の結果が得られた。
【0032】実施例3 実施例1において、FeCl3の添加量を600mg/
lにした以外は同様にして行った。その結果、実施例1
と同様の結果が得られた。
【0033】実施例4 実施例1において、Ca(OH)2の代わりにCaCl2
200〜500mg/l用いた以外は同様に行った。そ
の結果、実施例1と同様の結果が得られた。
【0034】実施例5 実施例1において、FeCl3の代わりにPACを40
0〜600mg/l用いた以外は同様に行った。その結
果、実施例1と同様の結果が得られた。ただし、スラッ
ジボリュームは実施例1の30〜40%であった。
【0035】
【発明の効果】本発明のCMP排液の凝集処理方法は、
CMP排液にカルシウムイオンを添加した後、無機系凝
集剤を添加して凝集処理しているので、これらの相乗効
果により、アルミニウム塩または鉄塩の無機系凝集剤で
は凝集しないCMP排液であっても、簡単な操作で凝集
処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の処理方法を連続式で実施する排液凝集
処理装置の系統図である。
【符号の説明】
1 カルシウム反応槽 2 無機系凝集剤反応槽 3 高分子凝集剤反応槽 4 フロック生長槽 5 沈殿槽 6 脱水装置 10 排液 11 カルシウムイオン源 13、17、24、26 攪拌機 14 カルシウム反応液 15 無機系凝集剤 12、16、23 pH調整剤 21 無機系凝集剤反応液 22 高分子凝集剤 25 高分子凝集剤反応液 31 フロック生長液 32 処理水 33 脱水ケーキ 34 ろ液

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 CMP排液にカルシウムイオンを添加し
    た後、無機系凝集剤を添加し攪拌して凝集処理を行うこ
    とを特徴とするCMP排液の凝集処理方法。
JP19012797A 1997-07-15 1997-07-15 Cmp排液の凝集処理方法 Pending JPH1133560A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19012797A JPH1133560A (ja) 1997-07-15 1997-07-15 Cmp排液の凝集処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19012797A JPH1133560A (ja) 1997-07-15 1997-07-15 Cmp排液の凝集処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1133560A true JPH1133560A (ja) 1999-02-09

Family

ID=16252851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19012797A Pending JPH1133560A (ja) 1997-07-15 1997-07-15 Cmp排液の凝集処理方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1133560A (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2800367A1 (fr) * 1999-11-03 2001-05-04 Air Liquide Electronics Sys Procede pour eliminer les particules solides notamment de silice et/ou d'alumine d'effluents aqueux
WO2001085619A1 (de) * 2000-05-10 2001-11-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur reinigung von abwasser aus der chipproduktion
KR100362066B1 (ko) * 2000-08-16 2002-11-23 한국과학기술연구원 화학적 기계적 연마의 폐수 처리 방법
JP2003320375A (ja) * 2002-04-26 2003-11-11 Yokogawa Electric Corp 濁水処理システム及びこれを搭載した濁水処理用自動車
JP2004283723A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Nihon Hels Industry Corp 固形物を含有する懸濁液の処理方法およびそれに用いる処理装置
JP2005152879A (ja) * 2003-11-06 2005-06-16 Sanyo Electric Co Ltd 流体の凝集処理装置およびそれを用いた凝集処理方法
JP2006527067A (ja) * 2003-04-30 2006-11-30 株式会社荏原製作所 廃水の処理方法および装置
WO2007023874A1 (ja) * 2005-08-24 2007-03-01 Tokuyama Corporation ヒュームドシリカ含有排水の処理方法
US7722841B2 (en) * 2006-04-25 2010-05-25 General Electric Company Polymeric chelant and coagulant to treat metal-containing wastewater
CN102107942A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械研磨废液的处理方法
US7988867B2 (en) 2005-08-24 2011-08-02 Tokuyama Corporation Method of treating silicon powder-containing drainage water
JP2013116455A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Kurita Water Ind Ltd 凝集処理方法
WO2013122123A1 (ja) * 2012-02-17 2013-08-22 コニカミノルタ株式会社 研磨材再生方法
WO2014178280A1 (ja) * 2013-04-30 2014-11-06 コニカミノルタ株式会社 ダイヤモンド砥粒の回収方法
WO2018105680A1 (ja) * 2016-12-09 2018-06-14 オルガノ株式会社 シリカ含有水の処理装置および処理方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1097906A1 (fr) * 1999-11-03 2001-05-09 Air Liquide Electronics Systems Procédé pour éliminer les particles solides, notamment de silice et/ou d'alumine, d'effuents aqueux
FR2800367A1 (fr) * 1999-11-03 2001-05-04 Air Liquide Electronics Sys Procede pour eliminer les particules solides notamment de silice et/ou d'alumine d'effluents aqueux
WO2001085619A1 (de) * 2000-05-10 2001-11-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur reinigung von abwasser aus der chipproduktion
KR100362066B1 (ko) * 2000-08-16 2002-11-23 한국과학기술연구원 화학적 기계적 연마의 폐수 처리 방법
JP2003320375A (ja) * 2002-04-26 2003-11-11 Yokogawa Electric Corp 濁水処理システム及びこれを搭載した濁水処理用自動車
JP2004283723A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Nihon Hels Industry Corp 固形物を含有する懸濁液の処理方法およびそれに用いる処理装置
JP2006527067A (ja) * 2003-04-30 2006-11-30 株式会社荏原製作所 廃水の処理方法および装置
JP2005152879A (ja) * 2003-11-06 2005-06-16 Sanyo Electric Co Ltd 流体の凝集処理装置およびそれを用いた凝集処理方法
US7988866B2 (en) 2005-08-24 2011-08-02 Tokuyama Corporation Method of treating fumed silica-containing drainage water
WO2007023874A1 (ja) * 2005-08-24 2007-03-01 Tokuyama Corporation ヒュームドシリカ含有排水の処理方法
US7988867B2 (en) 2005-08-24 2011-08-02 Tokuyama Corporation Method of treating silicon powder-containing drainage water
US7722841B2 (en) * 2006-04-25 2010-05-25 General Electric Company Polymeric chelant and coagulant to treat metal-containing wastewater
CN102107942A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 安集微电子(上海)有限公司 一种化学机械研磨废液的处理方法
JP2013116455A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Kurita Water Ind Ltd 凝集処理方法
WO2013122123A1 (ja) * 2012-02-17 2013-08-22 コニカミノルタ株式会社 研磨材再生方法
JPWO2013122123A1 (ja) * 2012-02-17 2015-05-18 コニカミノルタ株式会社 研磨材再生方法
US9802337B2 (en) 2012-02-17 2017-10-31 Konica Minolta, Inc. Abrasive regeneration method
WO2014178280A1 (ja) * 2013-04-30 2014-11-06 コニカミノルタ株式会社 ダイヤモンド砥粒の回収方法
JPWO2014178280A1 (ja) * 2013-04-30 2017-02-23 コニカミノルタ株式会社 ダイヤモンド砥粒の回収方法
US9868187B2 (en) 2013-04-30 2018-01-16 Konica Minolta, Inc. Diamond abrasive recovery method
WO2018105680A1 (ja) * 2016-12-09 2018-06-14 オルガノ株式会社 シリカ含有水の処理装置および処理方法
JP2018094482A (ja) * 2016-12-09 2018-06-21 オルガノ株式会社 シリカ含有水の処理装置および処理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1133560A (ja) Cmp排液の凝集処理方法
JP3169899B2 (ja) フッ素含有排水の処理方法とその装置
JP5440199B2 (ja) シリコンウエハエッチング排水の処理方法及び処理装置
JP4168520B2 (ja) Cmp排液の処理方法
JP5157040B2 (ja) フッ素含有排水の処理方法及び処理装置
JP2004261708A (ja) シリコン微粒子及び/又はコロイドシリカ含有排水の凝集処理方法
JP4508600B2 (ja) フッ素含有排水の処理方法及び処理装置
JP2002316173A (ja) 砒素及び過酸化水素を含有する排水の処理方法
JP4272122B2 (ja) 凝集沈殿水処理方法及び装置
JP2000140861A (ja) 微細砥粒子分散研磨液を含む排水の処理方法
JP3325689B2 (ja) 金属含有排水の処理方法
JP4689186B2 (ja) フッ素含有水の処理方法
JP2010075928A (ja) フッ素含有排水の処理方法及び処理装置
JP2003047971A (ja) 排水処理方法
JP2004041900A (ja) コロイダルシリカ含有水の処理方法
JPH10118665A (ja) Nh4系cmp廃液の処理方法
JP4524796B2 (ja) フッ素含有排水の処理方法及び処理装置
JP3412641B2 (ja) 発電所の低濁度排水の凝集処理法
JP7509357B2 (ja) 水処理方法
JP5874359B2 (ja) 凝集処理方法
JPH10286577A (ja) フッ素含有排水及び研磨排水の処理装置及びその方法
JP7117101B2 (ja) 水処理方法及び装置
JPH1076275A (ja) 廃水処理剤
JP2000325965A (ja) 研磨廃液の処理法
JP4894139B2 (ja) リン酸含有液の処理方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040511

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070206

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070605