JPH11330179A - 半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ寿命の測定方法 - Google Patents
半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ寿命の測定方法Info
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- JPH11330179A JPH11330179A JP11084549A JP8454999A JPH11330179A JP H11330179 A JPH11330179 A JP H11330179A JP 11084549 A JP11084549 A JP 11084549A JP 8454999 A JP8454999 A JP 8454999A JP H11330179 A JPH11330179 A JP H11330179A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 迅速で正確かつ非破壊的な少数キャリヤ拡散
長及び少数キャリヤ寿命の測定方法を提供すること。 【解決手段】 半導体デバイスを逆バイアスし、半導体
デバイスの長手方向に沿って放射エネルギの集束ビーム
で走査し、信号波形形成のために半導体デバイスの走査
長手方向に沿って逐点的に通過するビームにより半導体
デバイス中の誘導電流を検出し、前記信号波形から半導
体デバイス中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャ
リヤ寿命を検出する。
長及び少数キャリヤ寿命の測定方法を提供すること。 【解決手段】 半導体デバイスを逆バイアスし、半導体
デバイスの長手方向に沿って放射エネルギの集束ビーム
で走査し、信号波形形成のために半導体デバイスの走査
長手方向に沿って逐点的に通過するビームにより半導体
デバイス中の誘導電流を検出し、前記信号波形から半導
体デバイス中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャ
リヤ寿命を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスに
おける少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ寿命を非破壊
的に測定するための方法に関する。
おける少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ寿命を非破壊
的に測定するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ｐｎ接合部又はショットキーバリヤ（金
属−半導体整流性コンタクト）を有する半導体におい
て、半導体ボディ上に上方バンドギャップエネルギーの
放射における集束ビームや光ビーム、電子ビームの照射
によって、誘導電流が形成されることは公知である。そ
のようなビームの形成とそれらをデバイスアンダーテス
ト（ＤＵＴ）に亘って走査する装置は、市場で入手でき
る。ここにおいてＤＵＴが微細なものならば（すなわち
ミクロンよりも小さい）、電子ビームを用いた走査形電
子顕微鏡とバキュームチャンバが典型的にはデバイス検
査に用いられる。領域の広いデバイスのケース、例えば
高電圧ＨＶＬＤＭＯＳトランジスタ（これは典型的には
１０ミクロン以上の長さである）などでは、装置の照明
と走査のために顕微鏡を通したレーザービーム照射が慣
用的に用いられる。そのようなレーザー光学機器も市場
で入手できる。しかしながらいくつかのケース、例えば
ｐｎ接合部を有する半導体が適正な波長と強度の照射ビ
ームによって照明される場合では、微少電流が半導体中
に形成される。電子ビームの場合では、“コンプトン効
果”によって電流が形成される。レーザービームに対し
ては電流はホト効果による。これらの２つの効果は周知
である。
属−半導体整流性コンタクト）を有する半導体におい
て、半導体ボディ上に上方バンドギャップエネルギーの
放射における集束ビームや光ビーム、電子ビームの照射
によって、誘導電流が形成されることは公知である。そ
のようなビームの形成とそれらをデバイスアンダーテス
ト（ＤＵＴ）に亘って走査する装置は、市場で入手でき
る。ここにおいてＤＵＴが微細なものならば（すなわち
ミクロンよりも小さい）、電子ビームを用いた走査形電
子顕微鏡とバキュームチャンバが典型的にはデバイス検
査に用いられる。領域の広いデバイスのケース、例えば
高電圧ＨＶＬＤＭＯＳトランジスタ（これは典型的には
１０ミクロン以上の長さである）などでは、装置の照明
と走査のために顕微鏡を通したレーザービーム照射が慣
用的に用いられる。そのようなレーザー光学機器も市場
で入手できる。しかしながらいくつかのケース、例えば
ｐｎ接合部を有する半導体が適正な波長と強度の照射ビ
ームによって照明される場合では、微少電流が半導体中
に形成される。電子ビームの場合では、“コンプトン効
果”によって電流が形成される。レーザービームに対し
ては電流はホト効果による。これらの２つの効果は周知
である。
【０００３】本発明以前の問題は、非破壊的な定量的測
定において、転位、酸化による積層欠陥（ＯＳＦＳ）、
熱やストレスによるずれ、ミスマッチ、点在的凝集/析
出欠陥、バルクミクロン欠陥（ＢＭＤＳ）等である。少
数キャリヤ寿命は、半導体材料、例えばシリコンウエハ
などの全品質の良好な測定である。多数のプロセスステ
ップ（例えば１００以上）とほぼ９００度以上の熱処理
の後で、プロセスに起因する欠陥がウエハ上で二次加工
されるデバイスに核形成される。このような欠陥が生じ
れば半導体において多かれ少なかれ少数キャリヤ寿命の
減損が現われる。この少数キャリヤの再結合特性は、シ
リコンとシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）材料の
基本電子特性によって定まり、シリコン及びシリコンオ
ンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイスの変化能力を制御
する。それ故にそのようなデバイスの少数キャリヤの再
結合特性を簡単かつ正確にそして非破壊的に測定できる
ことが望まれている。その際重要なことは新たなシリコ
ン及びシリコンオンインシュレータテクノロジの正当で
迅速な評価である。ここでは新規な複合材料系が用いら
れ、これは完全結晶格子の変動率と未知の欠陥内容を有
している。
定において、転位、酸化による積層欠陥（ＯＳＦＳ）、
熱やストレスによるずれ、ミスマッチ、点在的凝集/析
出欠陥、バルクミクロン欠陥（ＢＭＤＳ）等である。少
数キャリヤ寿命は、半導体材料、例えばシリコンウエハ
などの全品質の良好な測定である。多数のプロセスステ
ップ（例えば１００以上）とほぼ９００度以上の熱処理
の後で、プロセスに起因する欠陥がウエハ上で二次加工
されるデバイスに核形成される。このような欠陥が生じ
れば半導体において多かれ少なかれ少数キャリヤ寿命の
減損が現われる。この少数キャリヤの再結合特性は、シ
リコンとシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）材料の
基本電子特性によって定まり、シリコン及びシリコンオ
ンインシュレータ（ＳＯＩ）デバイスの変化能力を制御
する。それ故にそのようなデバイスの少数キャリヤの再
結合特性を簡単かつ正確にそして非破壊的に測定できる
ことが望まれている。その際重要なことは新たなシリコ
ン及びシリコンオンインシュレータテクノロジの正当で
迅速な評価である。ここでは新規な複合材料系が用いら
れ、これは完全結晶格子の変動率と未知の欠陥内容を有
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、迅速
で正確かつ非破壊的な少数キャリヤ拡散長及び少数キャ
リヤ寿命の測定方法を提供することである。
で正確かつ非破壊的な少数キャリヤ拡散長及び少数キャ
リヤ寿命の測定方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によ
り、半導体デバイスを逆バイアスし、半導体デバイスの
長手方向に沿って放射エネルギの集束ビームで走査し、
信号波形形成のために半導体デバイスの走査長手方向に
沿って逐点的に通過するビームにより半導体デバイス中
の誘導電流を検出し、前記信号波形から半導体デバイス
中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリヤ寿命を
検出するようにして解決される。
り、半導体デバイスを逆バイアスし、半導体デバイスの
長手方向に沿って放射エネルギの集束ビームで走査し、
信号波形形成のために半導体デバイスの走査長手方向に
沿って逐点的に通過するビームにより半導体デバイス中
の誘導電流を検出し、前記信号波形から半導体デバイス
中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリヤ寿命を
検出するようにして解決される。
【０００６】本発明は、半導体デバイスにおける迅速で
正確かつ非破壊的な少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ
寿命の測定を実現可能にする。本発明以前では、半導体
デバイス中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリ
ヤ寿命の測定に対して、電子ピーム誘導電流（ＥＢＩ
Ｃ）走査システム又は光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）走
査システムを用いることは行われていなかった。
正確かつ非破壊的な少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ
寿命の測定を実現可能にする。本発明以前では、半導体
デバイス中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリ
ヤ寿命の測定に対して、電子ピーム誘導電流（ＥＢＩ
Ｃ）走査システム又は光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）走
査システムを用いることは行われていなかった。
【０００７】本発明は、ｐ形伝導領域とｎ形伝導領域の
間にｐｎ接合部を有する高電圧トランジスタなどのよう
な半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡散長と少数キ
ャリヤ寿命を測定する方法に関している。
間にｐｎ接合部を有する高電圧トランジスタなどのよう
な半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡散長と少数キ
ャリヤ寿命を測定する方法に関している。
【０００８】本発明の１つの実施例では、半導体デバイ
スにおける少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ寿命の測
定方法において、半導体デバイスを逆バイアスし、半導
体デバイスの長手方向に沿って放射エネルギの集束ビー
ムで走査し、信号波形形成のために半導体デバイスの走
査長手方向に沿って逐点的に通過するビームにより半導
体デバイス中の誘導電流を検出し、前記信号波形から半
導体デバイス中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キ
ャリヤ寿命を検出するステップが含まれている。
スにおける少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ寿命の測
定方法において、半導体デバイスを逆バイアスし、半導
体デバイスの長手方向に沿って放射エネルギの集束ビー
ムで走査し、信号波形形成のために半導体デバイスの走
査長手方向に沿って逐点的に通過するビームにより半導
体デバイス中の誘導電流を検出し、前記信号波形から半
導体デバイス中の少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キ
ャリヤ寿命を検出するステップが含まれている。
【０００９】また本発明の別の実施例では、ｐ形伝導領
域とｎ形伝導領域の間にｐｎ接合部を有する半導体デバ
イスにおける少数キャリヤ拡散長の非破壊的測定方法に
おいて、電圧を用いて半導体デバイスを逆バイアスし、
ｐｎ接合部を越えてそれらの１つの領域内への半導体デ
バイスの長手方向距離“ｘ”に沿って放射エネルギの集
束ビームで走査し、前記距離“ｘ”の関数として、信号
波形形成のために半導体デバイスの走査長手方向に沿っ
て逐点的に通過するビームにより半導体デバイス中の誘
導電流を検出し、前記信号波形から半導体デバイス中の
少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリヤ寿命を検出
するステップが含まれている。
域とｎ形伝導領域の間にｐｎ接合部を有する半導体デバ
イスにおける少数キャリヤ拡散長の非破壊的測定方法に
おいて、電圧を用いて半導体デバイスを逆バイアスし、
ｐｎ接合部を越えてそれらの１つの領域内への半導体デ
バイスの長手方向距離“ｘ”に沿って放射エネルギの集
束ビームで走査し、前記距離“ｘ”の関数として、信号
波形形成のために半導体デバイスの走査長手方向に沿っ
て逐点的に通過するビームにより半導体デバイス中の誘
導電流を検出し、前記信号波形から半導体デバイス中の
少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリヤ寿命を検出
するステップが含まれている。
【００１０】本発明のさらに別の実施例では、ｐ形伝導
領域とｎ形伝導領域の間にｐｎ接合部を有する高圧トラ
ンジスタ又は高圧ダイオード等の半導体デバイスにおけ
る少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリヤ寿命の非
破壊的測定方法において、電圧を用いて半導体デバイス
を逆バイアスし、ｐｎ接合部を越えて半導体デバイスの
１つの領域内への半導体デバイスの長手方向距離“ｘ”
に沿って集束レーザビームで走査し、前記距離“ｘ”の
関数として、信号波形形成のために半導体デバイスの走
査長手方向に沿って“ｘ”方向に通過するビームとして
半導体デバイス中の光学的ビーム誘導電流を検出し、前
記信号波形から半導体デバイス中の少数キャリヤ拡散長
及び/又は少数キャリヤ寿命を検出するステップが含ま
れている。
領域とｎ形伝導領域の間にｐｎ接合部を有する高圧トラ
ンジスタ又は高圧ダイオード等の半導体デバイスにおけ
る少数キャリヤ拡散長及び/又は少数キャリヤ寿命の非
破壊的測定方法において、電圧を用いて半導体デバイス
を逆バイアスし、ｐｎ接合部を越えて半導体デバイスの
１つの領域内への半導体デバイスの長手方向距離“ｘ”
に沿って集束レーザビームで走査し、前記距離“ｘ”の
関数として、信号波形形成のために半導体デバイスの走
査長手方向に沿って“ｘ”方向に通過するビームとして
半導体デバイス中の光学的ビーム誘導電流を検出し、前
記信号波形から半導体デバイス中の少数キャリヤ拡散長
及び/又は少数キャリヤ寿命を検出するステップが含ま
れている。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明を図面に基づき以下に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図１には本発明の方法による、デバイスア
ンダーテスト（ＤＵＴ）１２による半導体の少数キャリ
ヤ拡散長Ｌpの測定に用いられる光ピーム走査装置１０
が示されている。この装置１０は、ビーム１６を照射す
るレーザー１４と、偏光子１８と、偏向ミラー系２０
と、顕微鏡２２（これはＤＵＴ１２上でビーム１６を鮮
明なスポットに集束する）と、デバイス電源２４と、信
号増幅器２６、信号ミキサ２８と、ラスタージェネレー
タ３０と、ＣＲＴディスプレイ３２と、パーソナルコン
ピュータ（ＰＣ）３４とを含んでいる。この装置１０の
個々の構成要素は公知形式のものであるにもかかわら
ず、それらはＤＵＴ１２における少数キャリヤの拡散長
Ｌpの非破壊的な測定のために本発明の方法に従って本
願独自の形式で以下に説明するように使用される。しか
しながら本発明は光ビームの使用に限定されるものでは
なく、電子ビームの使用も同じように可能である。
ンダーテスト（ＤＵＴ）１２による半導体の少数キャリ
ヤ拡散長Ｌpの測定に用いられる光ピーム走査装置１０
が示されている。この装置１０は、ビーム１６を照射す
るレーザー１４と、偏光子１８と、偏向ミラー系２０
と、顕微鏡２２（これはＤＵＴ１２上でビーム１６を鮮
明なスポットに集束する）と、デバイス電源２４と、信
号増幅器２６、信号ミキサ２８と、ラスタージェネレー
タ３０と、ＣＲＴディスプレイ３２と、パーソナルコン
ピュータ（ＰＣ）３４とを含んでいる。この装置１０の
個々の構成要素は公知形式のものであるにもかかわら
ず、それらはＤＵＴ１２における少数キャリヤの拡散長
Ｌpの非破壊的な測定のために本発明の方法に従って本
願独自の形式で以下に説明するように使用される。しか
しながら本発明は光ビームの使用に限定されるものでは
なく、電子ビームの使用も同じように可能である。
【００１３】レーザー１４は、例えば６３３ナノメータ
（ｎｍ）の波長で相応の強度（例えば数ワット）の光ビ
ーム１６を発する。このビーム１６は、偏光子１８を透
過して偏向ミラー系２０へ入射する。この偏向ミラー系
２０は複数の可動ミラー４０，４２を含んでおり、これ
らのミラーはラスタージェネレータ３０からのリード４
４を介して受信した電気信号によって駆動的に前進又は
後進する。ミラー４０，４２の機械的な動きによってジ
ェネレータ３０からの電気信号に同期してビーム１６は
前後左右に偏向され、それらは周知のようにＣＲＴディ
スプレイ上でも同期される。ビーム１６はこの偏向ミラ
ー系２０から顕微鏡２２を透過する。この顕微鏡２２に
よりＤＵＴ１２の表面上でビーム１６が鮮明なスポット
（例えば数ミクロンの直径）に集束される。これは結果
的に光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）をＤＵＴ１２に引き
起こす。ビーム１６は、偏向系２０によって偏向され、
ＤＵＴ１２の長手方向に沿ってライン毎に走査される。
（ｎｍ）の波長で相応の強度（例えば数ワット）の光ビ
ーム１６を発する。このビーム１６は、偏光子１８を透
過して偏向ミラー系２０へ入射する。この偏向ミラー系
２０は複数の可動ミラー４０，４２を含んでおり、これ
らのミラーはラスタージェネレータ３０からのリード４
４を介して受信した電気信号によって駆動的に前進又は
後進する。ミラー４０，４２の機械的な動きによってジ
ェネレータ３０からの電気信号に同期してビーム１６は
前後左右に偏向され、それらは周知のようにＣＲＴディ
スプレイ上でも同期される。ビーム１６はこの偏向ミラ
ー系２０から顕微鏡２２を透過する。この顕微鏡２２に
よりＤＵＴ１２の表面上でビーム１６が鮮明なスポット
（例えば数ミクロンの直径）に集束される。これは結果
的に光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）をＤＵＴ１２に引き
起こす。ビーム１６は、偏向系２０によって偏向され、
ＤＵＴ１２の長手方向に沿ってライン毎に走査される。
【００１４】ビーム１６による走査の間、ＤＵＴ１２
は、デバイス電源２４からの正電圧（＋Ｖ）と負荷抵抗
（ＲL）４６とによって逆バイアスされる。この電源の
マイナス側はアースされている。光応答電流はＤＵＴ１
２から検出抵抗（ＲS）４８を通ってアースに流れる。
信号“Ｉsignal”はこの検出抵抗４８からリード５０を
介して増幅器２６の入力側に供給される。この増幅器２
６の出力側からはリード５２を介して信号ミキサ２８の
入力側（Ｓ）に供給される。ラスター信号はラスタージ
ェネレータ３０からリード５４を介して信号ミキサ２８
の別の入力側（Ｒ）に供給される。この信号ミキサ２８
からの二重信号（Ｒ＋Ｓ）は共有コネクション５６を介
してＣＲＴディスプレイ３２の入力側に供給される。こ
こにおいてこれらの信号はスクリーン５８上に通常のｘ
ｙ座標を有する波形（以下で説明する）で表示される。
この二重信号Ｒ＋Ｓは、共有コネクション５６を介して
パーソナルコンピュータ３２にも供給される。ここでは
それらの信号が処理され、少数キャリヤ拡散長Ｌpと少
数キャリヤ寿命Ｏpが以下で説明するように得られる。
は、デバイス電源２４からの正電圧（＋Ｖ）と負荷抵抗
（ＲL）４６とによって逆バイアスされる。この電源の
マイナス側はアースされている。光応答電流はＤＵＴ１
２から検出抵抗（ＲS）４８を通ってアースに流れる。
信号“Ｉsignal”はこの検出抵抗４８からリード５０を
介して増幅器２６の入力側に供給される。この増幅器２
６の出力側からはリード５２を介して信号ミキサ２８の
入力側（Ｓ）に供給される。ラスター信号はラスタージ
ェネレータ３０からリード５４を介して信号ミキサ２８
の別の入力側（Ｒ）に供給される。この信号ミキサ２８
からの二重信号（Ｒ＋Ｓ）は共有コネクション５６を介
してＣＲＴディスプレイ３２の入力側に供給される。こ
こにおいてこれらの信号はスクリーン５８上に通常のｘ
ｙ座標を有する波形（以下で説明する）で表示される。
この二重信号Ｒ＋Ｓは、共有コネクション５６を介して
パーソナルコンピュータ３２にも供給される。ここでは
それらの信号が処理され、少数キャリヤ拡散長Ｌpと少
数キャリヤ寿命Ｏpが以下で説明するように得られる。
【００１５】図２には図１のＤＵＴ１２への電気的コネ
クションを表す概略的なブロック回路６０が示されてい
る。このブロック回路６０に示されているように、ＤＵ
Ｔ１２は１つの例としてＬＤＭＯＳ形トランジスタ６２
である。このトランジスタ６２はドレイン６４と、ゲー
ト６５と、ソース６６を有している。しかしながらこの
ＤＵＴ１２はここで示されているトランジスタ６２以外
の半導体でもよい。このトランジスタ６２はビーム１６
によって走査されるにもかかわらず、負荷抵抗（ＲL）
４６（図１参照）を介して電源２４（ここには示されて
いないが図１には示されている）の正端子６８へ接続さ
れたそのドレイン６４によって逆バイアスされる。デバ
イス電源２４のマイナス側は負端子６９（−Ｖ）に接続
されている。これはここではアースとして示されてい
る。トランジスタ６２のゲート６５は、直接アースに接
続されており、それに対してソース６６は検出抵抗（Ｒ
S）４８を介してアースに接続されている。この検出抵
抗４８を介した電圧は、前述のようにＤＵＴ１２がビー
ム１６によって走査された際の光ビーム誘導電流に比例
する。この電圧は、リード５０を介して供給され（図１
参照）、“Ｉsignal”で表す。電源２４の出力電圧＋Ｖ
は、デバイスのアバランシェ降伏の立上がりまでワイド
なレンジに亘って可変である。図示の例では、抵抗（Ｒ
L）４６は１００ｋΩで抵抗（ＲS）４８は１０ｋΩであ
る。そしてトランジスタ６２のドレイン６４とソース６
６を介した逆バイアスの抵抗は約１００ＭΩである。
クションを表す概略的なブロック回路６０が示されてい
る。このブロック回路６０に示されているように、ＤＵ
Ｔ１２は１つの例としてＬＤＭＯＳ形トランジスタ６２
である。このトランジスタ６２はドレイン６４と、ゲー
ト６５と、ソース６６を有している。しかしながらこの
ＤＵＴ１２はここで示されているトランジスタ６２以外
の半導体でもよい。このトランジスタ６２はビーム１６
によって走査されるにもかかわらず、負荷抵抗（ＲL）
４６（図１参照）を介して電源２４（ここには示されて
いないが図１には示されている）の正端子６８へ接続さ
れたそのドレイン６４によって逆バイアスされる。デバ
イス電源２４のマイナス側は負端子６９（−Ｖ）に接続
されている。これはここではアースとして示されてい
る。トランジスタ６２のゲート６５は、直接アースに接
続されており、それに対してソース６６は検出抵抗（Ｒ
S）４８を介してアースに接続されている。この検出抵
抗４８を介した電圧は、前述のようにＤＵＴ１２がビー
ム１６によって走査された際の光ビーム誘導電流に比例
する。この電圧は、リード５０を介して供給され（図１
参照）、“Ｉsignal”で表す。電源２４の出力電圧＋Ｖ
は、デバイスのアバランシェ降伏の立上がりまでワイド
なレンジに亘って可変である。図示の例では、抵抗（Ｒ
L）４６は１００ｋΩで抵抗（ＲS）４８は１０ｋΩであ
る。そしてトランジスタ６２のドレイン６４とソース６
６を介した逆バイアスの抵抗は約１００ＭΩである。
【００１６】次に図３に基づいてＤＵＴ１２を横形高電
圧ダイオードの例で説明する。このＤＵＴ１２の長手方
向に沿った距離をここでは“ｘ”で表し、光ビーム１６
の変化している位置は光ビームがＤＵＴ１２に沿って右
方向に走査されているようすを表し、ＤＵＴ１２のｐｎ
接合部７０はｘ＝０で表す。ＤＵＴ１２の第１の陰影領
域７２は、ｐ＋伝導体領域７２を表しており、ｐｎ接合
部両側の非陰影領域は非対称空間電荷領域７４を表し、
第２の陰影領域はｎ形伝導ドリフト領域７６の残余を表
している。このＤＵＴ１２に対する電気的な接続は図示
の通りである（図２参照）。
圧ダイオードの例で説明する。このＤＵＴ１２の長手方
向に沿った距離をここでは“ｘ”で表し、光ビーム１６
の変化している位置は光ビームがＤＵＴ１２に沿って右
方向に走査されているようすを表し、ＤＵＴ１２のｐｎ
接合部７０はｘ＝０で表す。ＤＵＴ１２の第１の陰影領
域７２は、ｐ＋伝導体領域７２を表しており、ｐｎ接合
部両側の非陰影領域は非対称空間電荷領域７４を表し、
第２の陰影領域はｎ形伝導ドリフト領域７６の残余を表
している。このＤＵＴ１２に対する電気的な接続は図示
の通りである（図２参照）。
【００１７】非陰影領域（空間電荷領域７４）は、ｐｎ
接合部７０に隣接する空乏領域を表す。ここではレーザ
に誘導された全ての光生成電子ホール対が逆バイアス電
圧によって供給された高い局所的電界によって分離され
捕集され、光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）によって光応
答電流が高められる。第２の陰影領域は中性のｎ形ドリ
フト領域７６を表し空乏領域（空間電荷領域７４）の外
側では光生成キャリヤがもはや捕集されず、光ビーム誘
導電流（ＯＢＩＣ）も測定されない。
接合部７０に隣接する空乏領域を表す。ここではレーザ
に誘導された全ての光生成電子ホール対が逆バイアス電
圧によって供給された高い局所的電界によって分離され
捕集され、光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）によって光応
答電流が高められる。第２の陰影領域は中性のｎ形ドリ
フト領域７６を表し空乏領域（空間電荷領域７４）の外
側では光生成キャリヤがもはや捕集されず、光ビーム誘
導電流（ＯＢＩＣ）も測定されない。
【００１８】空間電荷領域７４には実質的に全ての光生
成電子ホールが捕集され、最大信号が生成される。これ
はリード５０に“Ｉsignal”として供給される。走査レ
ーザービーム１６が、符号７９で示されている空乏幅の
外方エッジ７８を越えてｎ形ドリフト領域７６内へ通過
すると、捕集された光ビーム導電電流ＯＢＩＣ（Ｉsi
gnal）は減衰し始める。外方エッジ７８によって境界付
けられる目下の空乏幅は電源２４の電圧＋Ｖに関係して
いる。
成電子ホールが捕集され、最大信号が生成される。これ
はリード５０に“Ｉsignal”として供給される。走査レ
ーザービーム１６が、符号７９で示されている空乏幅の
外方エッジ７８を越えてｎ形ドリフト領域７６内へ通過
すると、捕集された光ビーム導電電流ＯＢＩＣ（Ｉsi
gnal）は減衰し始める。外方エッジ７８によって境界付
けられる目下の空乏幅は電源２４の電圧＋Ｖに関係して
いる。
【００１９】半導体のｐｎ接合部が逆バイアスされるケ
ースで距離（ｘ）の関数として半導体中の少数キャリヤ
電流密度（ＪP）は以下の式によって明らかになる。
ースで距離（ｘ）の関数として半導体中の少数キャリヤ
電流密度（ＪP）は以下の式によって明らかになる。
【００２０】
【数２】
【００２１】この場合前記（ＪP）は少数キャリヤ電流
密度、前記ｑは、基本電荷、前記ＬPは、少数ホールキ
ャリヤに対する拡散長、前記ＤPは、ホールに対する拡
散定数、前記Ｐnは、ｎ形材料中のホールの平衡少数キ
ャリヤ濃度、前記ｘnは、図３の７８に示されており、
ｘは空乏幅７９のエッジ７８を越えて右方に延びた測定
距離である。
密度、前記ｑは、基本電荷、前記ＬPは、少数ホールキ
ャリヤに対する拡散長、前記ＤPは、ホールに対する拡
散定数、前記Ｐnは、ｎ形材料中のホールの平衡少数キ
ャリヤ濃度、前記ｘnは、図３の７８に示されており、
ｘは空乏幅７９のエッジ７８を越えて右方に延びた測定
距離である。
【００２２】前記式１からの算術的導出により、測定さ
れた“Ｉsignal”（図２、図３）としての光ビーム導電
電流（ＯＢＩＣ）信号が以下の指数関数式に比例するこ
とが表される。
れた“Ｉsignal”（図２、図３）としての光ビーム導電
電流（ＯＢＩＣ）信号が以下の指数関数式に比例するこ
とが表される。
【００２３】
【数３】
【００２４】さらにアインシュタインの関係式を用いた
算術的導出により、少数キャリヤ寿命（ＯP）が以下の
ように表される。
算術的導出により、少数キャリヤ寿命（ＯP）が以下の
ように表される。
【００２５】 Ｏp＝Ｌp 2/(μpｋｔ/q） （式３） この場合前記ｋｔ/qは、３００°Ｋ＝２.５８６×１０
-2ボルトであり、前記μpは、ホールの移動度である。
密に相似した式は、電子の寿命を定める。
-2ボルトであり、前記μpは、ホールの移動度である。
密に相似した式は、電子の寿命を定める。
【００２６】前述したように（式２参照）、空乏幅７９
のエッジ７８を越えてｎ形ドリフト領域７６へ延びる際
の光ビーム誘導電流（及び“Ｉsignal”）は[(ｘn-ｘ)/
ＬP]に比例して変化する。換言すれば、空乏幅のエッジ
７８を越えた所定の拡散長でのｎ形ドリフト領域７６な
いの光ビーム誘導電流（ホト電流，Ｉsignal）の指数関
数的減衰は、少数キャリヤ拡散長ＬPに比例し、ＤＵＴ
１２が形成されてからの半導体材料のＬPの測定値に相
応し得る。このことは以下でさらに説明する。
のエッジ７８を越えてｎ形ドリフト領域７６へ延びる際
の光ビーム誘導電流（及び“Ｉsignal”）は[(ｘn-ｘ)/
ＬP]に比例して変化する。換言すれば、空乏幅のエッジ
７８を越えた所定の拡散長でのｎ形ドリフト領域７６な
いの光ビーム誘導電流（ホト電流，Ｉsignal）の指数関
数的減衰は、少数キャリヤ拡散長ＬPに比例し、ＤＵＴ
１２が形成されてからの半導体材料のＬPの測定値に相
応し得る。このことは以下でさらに説明する。
【００２７】図４には多少理想化されたＩsignalの信号
波形が示されている。このグラフ８０の横軸は、ＤＵＴ
１２に沿ったｘ方向の距離が表されている。またグラフ
８０の縦軸には、最大測定値を表す正規化レベル“１.
０”を伴うＩsignalの振幅が表されている。図４（及び
図３）の縦方向の最初の破線８４は、ｐｎ接合部の位置
７０、すなわちｘ＝０を表している。図４（及び図３）
の第２の縦方向の破線８６は空乏幅７９のエッジ７８の
位置を表している（すなわちｘn）。さらに図４（及び
図３）の第３の縦方向破線８８は、ＤＵＴ１２のｎ形ド
リフト領域７６の右方の終端部を表している。
波形が示されている。このグラフ８０の横軸は、ＤＵＴ
１２に沿ったｘ方向の距離が表されている。またグラフ
８０の縦軸には、最大測定値を表す正規化レベル“１.
０”を伴うＩsignalの振幅が表されている。図４（及び
図３）の縦方向の最初の破線８４は、ｐｎ接合部の位置
７０、すなわちｘ＝０を表している。図４（及び図３）
の第２の縦方向の破線８６は空乏幅７９のエッジ７８の
位置を表している（すなわちｘn）。さらに図４（及び
図３）の第３の縦方向破線８８は、ＤＵＴ１２のｎ形ド
リフト領域７６の右方の終端部を表している。
【００２８】信号波形８２は最初に、基本的に水平な部
分９０を有している。これは（ｘ＝０）から（ｘ＝ｎ）
の間の空間電荷領域において生成されたレベル１.０の
実質的に言って異な光ビーム導電電流（Ｉsignal）を表
している。その後この信号波形８２は、基本的に（ｘ＝
ｎ）の部分から始まり、レベル１.０から０へ近似的に
かつ指数関数的に減衰している曲線部分９２を有してい
る。これはｎ形ドリフト領域７６に沿って走査するビー
ム１６による所定の拡散長の範囲内にある。信号“Ｉ
signal”は、ｎ形ドリフト領域７６の右方終端部に達す
る前にゼロ（０）に低下する。この信号“Ｉsignal”を
表している信号波形８２は、図１のパーソナルコンピュ
ータ３４に供給される。このコンピュータは測定された
値からコンピュータ自動計算によって少数キャリヤ拡散
長ＬPと少数キャリヤ寿命ＯPをそのようなコンピュータ
計算のためのプログラムを用いて図示のように表す。
分９０を有している。これは（ｘ＝０）から（ｘ＝ｎ）
の間の空間電荷領域において生成されたレベル１.０の
実質的に言って異な光ビーム導電電流（Ｉsignal）を表
している。その後この信号波形８２は、基本的に（ｘ＝
ｎ）の部分から始まり、レベル１.０から０へ近似的に
かつ指数関数的に減衰している曲線部分９２を有してい
る。これはｎ形ドリフト領域７６に沿って走査するビー
ム１６による所定の拡散長の範囲内にある。信号“Ｉ
signal”は、ｎ形ドリフト領域７６の右方終端部に達す
る前にゼロ（０）に低下する。この信号“Ｉsignal”を
表している信号波形８２は、図１のパーソナルコンピュ
ータ３４に供給される。このコンピュータは測定された
値からコンピュータ自動計算によって少数キャリヤ拡散
長ＬPと少数キャリヤ寿命ＯPをそのようなコンピュータ
計算のためのプログラムを用いて図示のように表す。
【００２９】図５には、各供給電圧３０，４０，５０，
６０，７０，８０，９０，１００，１１０，１２０，１
３０Ｖに対する信号“Ｉsignal”波形１００，１０１，
１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１
０８，１０９，１１０の、ＣＲＴディスプレイユニット
３２（図１）のスクリーンに映し出される多数のオシロ
スコープパターンが示されている。前記波形１００〜１
１０の横軸は、ビーム１６がＤＵＴ１２（図３）の長手
方向に沿って走査した距離ｘを表している。また縦軸
は、信号“Ｉsignal”（図４）の（正規化された）レベ
ルを表している。信号波形１０１は信号波形１００の上
で縦方向に僅かだけ任意にずらして示されているが、こ
れは波形間の重複による見にくさを避けるためである。
従って残りの波形１０２〜１１０についても同じ理由か
ら同様の処置が施されている。
６０，７０，８０，９０，１００，１１０，１２０，１
３０Ｖに対する信号“Ｉsignal”波形１００，１０１，
１０２，１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１
０８，１０９，１１０の、ＣＲＴディスプレイユニット
３２（図１）のスクリーンに映し出される多数のオシロ
スコープパターンが示されている。前記波形１００〜１
１０の横軸は、ビーム１６がＤＵＴ１２（図３）の長手
方向に沿って走査した距離ｘを表している。また縦軸
は、信号“Ｉsignal”（図４）の（正規化された）レベ
ルを表している。信号波形１０１は信号波形１００の上
で縦方向に僅かだけ任意にずらして示されているが、こ
れは波形間の重複による見にくさを避けるためである。
従って残りの波形１０２〜１１０についても同じ理由か
ら同様の処置が施されている。
【００３０】縦方向の実線１２０は、ビーム１６（図
３、図４）による走査の際のｘ＝０（ＤＵＴ１２のｐｎ
接合部７０）における各信号波形１００〜１１０のスタ
ートを表している。そして縦方向の破線１２４は、ＤＵ
Ｔ１２の終端部に達している（図３及び図４の縦方向破
線８８参照）ことを示している。各信号波形１００〜１
１０は、基本的に水平な部分（図４の９０に相応）と、
指数関数的に減衰している部分（図４の９２に相応、こ
れはビーム１６のＤＵＴ１２のｎ形ドリフト領域７６に
沿った走査の際の０への降下を表す）を有している。
３、図４）による走査の際のｘ＝０（ＤＵＴ１２のｐｎ
接合部７０）における各信号波形１００〜１１０のスタ
ートを表している。そして縦方向の破線１２４は、ＤＵ
Ｔ１２の終端部に達している（図３及び図４の縦方向破
線８８参照）ことを示している。各信号波形１００〜１
１０は、基本的に水平な部分（図４の９０に相応）と、
指数関数的に減衰している部分（図４の９２に相応、こ
れはビーム１６のＤＵＴ１２のｎ形ドリフト領域７６に
沿った走査の際の０への降下を表す）を有している。
【００３１】各信号波形１００〜１１０に交差する上方
に向けて傾斜した破線１３０は、各波形が基本的に水平
部分（図４の信号波形８４の部分９０参照）から指数関
数的な減衰部分（図４の信号波形８４の部分９２参照）
への移行が開始される部分を表している。この破線１３
０は、エッジ７８（図３）を越えた空乏領域の幅が図示
のように３０Ｖ〜１３０Ｖへ増加された供給電圧Ｖによ
って増加していることを表している。全ての信号波形１
００〜１１０は、ＤＵＴ１２の終端部（縦方向破線１２
４）に達する前に値０に減衰している。
に向けて傾斜した破線１３０は、各波形が基本的に水平
部分（図４の信号波形８４の部分９０参照）から指数関
数的な減衰部分（図４の信号波形８４の部分９２参照）
への移行が開始される部分を表している。この破線１３
０は、エッジ７８（図３）を越えた空乏領域の幅が図示
のように３０Ｖ〜１３０Ｖへ増加された供給電圧Ｖによ
って増加していることを表している。全ての信号波形１
００〜１１０は、ＤＵＴ１２の終端部（縦方向破線１２
４）に達する前に値０に減衰している。
【００３２】図６には、２０Ｖの逆バイアス電圧に対す
るＤＵＴ１２に沿った“ｘ”方向の距離に関する各信号
“Ｉsignal”の実際の測定値が片対数グラフ２００で示
されている。このグラフ２００の縦軸には、正規化値
“１.０”以下の信号“Ｉsigna l”の片対数目盛値が示
されており、横軸には測定された距離“ｘ”の線形値が
ミクロン単位で示されている。信号“Ｉsignal”の距離
に対する各測定値は、ポイント２０２で示されており、
これらのポイントは基本的に片対数グラフ２００中の直
線２０４に沿ってプロットされている。ここにおいてこ
の直線２０４は（算術的変換を介して）、図４の信号波
形８２の基本的に指数関数的部分９２に相当するもので
ある。測定された先行値として、ＬP及びＯPの値がグラ
フ２００のデータから直ちに計算される。いくつかの測
定ポイント２０２のセットに対して前記式２及び３を用
いれば１２.６６ミクロンの値がＬPに対して得られ、１
３７.７ｎｓの値がＯPに対して得られる。
るＤＵＴ１２に沿った“ｘ”方向の距離に関する各信号
“Ｉsignal”の実際の測定値が片対数グラフ２００で示
されている。このグラフ２００の縦軸には、正規化値
“１.０”以下の信号“Ｉsigna l”の片対数目盛値が示
されており、横軸には測定された距離“ｘ”の線形値が
ミクロン単位で示されている。信号“Ｉsignal”の距離
に対する各測定値は、ポイント２０２で示されており、
これらのポイントは基本的に片対数グラフ２００中の直
線２０４に沿ってプロットされている。ここにおいてこ
の直線２０４は（算術的変換を介して）、図４の信号波
形８２の基本的に指数関数的部分９２に相当するもので
ある。測定された先行値として、ＬP及びＯPの値がグラ
フ２００のデータから直ちに計算される。いくつかの測
定ポイント２０２のセットに対して前記式２及び３を用
いれば１２.６６ミクロンの値がＬPに対して得られ、１
３７.７ｎｓの値がＯPに対して得られる。
【００３３】前述した内容は実施例としてのものであり
本発明の限定を意味するものではない。前述した装置に
おける種々の変更や本発明の方法における種々の変更は
従属請求項にも記載されている。本発明は、図２及び図
３に示されているようなトランジスタへの適用に限定さ
れるものではなく、その他の半導体デバイスにも適用可
能である。また本発明は光ビーム誘導電流形装置にのみ
限定されるものではなく、電子顕微鏡の構成方式である
電子ビーム誘導電流形装置にも適用可能であることはい
うまでもない。
本発明の限定を意味するものではない。前述した装置に
おける種々の変更や本発明の方法における種々の変更は
従属請求項にも記載されている。本発明は、図２及び図
３に示されているようなトランジスタへの適用に限定さ
れるものではなく、その他の半導体デバイスにも適用可
能である。また本発明は光ビーム誘導電流形装置にのみ
限定されるものではなく、電子顕微鏡の構成方式である
電子ビーム誘導電流形装置にも適用可能であることはい
うまでもない。
【図１】本発明の方法による、デバイスアンダーテスト
における少数キャリヤ拡散長の測定と少数キャリヤ寿命
の検出のためのデバイスアンダーテスト（ＤＵＴ）の半
導体の走査と、ＤＵＴの光ビーム誘導電流の生成のため
の装置をブロック回路図で示した図である。
における少数キャリヤ拡散長の測定と少数キャリヤ寿命
の検出のためのデバイスアンダーテスト（ＤＵＴ）の半
導体の走査と、ＤＵＴの光ビーム誘導電流の生成のため
の装置をブロック回路図で示した図である。
【図２】図１による拡散長測定の際の半導体デバイスア
ンダーテストの逆バイアスの詳細を示した図である。
ンダーテストの逆バイアスの詳細を示した図である。
【図３】図１によるＤＵＴの拡大図である。
【図４】図３によるＤＵＴの長手方向に沿った“ｘ”方
向での距離と測定された光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）
の関係と、ＤＵＴの長手方向に沿った“ｘ”方向での光
ビーム走査、供給電圧Ｖに対して得られた信号（Ｉ
signal）の波形を示した図である。
向での距離と測定された光ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）
の関係と、ＤＵＴの長手方向に沿った“ｘ”方向での光
ビーム走査、供給電圧Ｖに対して得られた信号（Ｉ
signal）の波形を示した図である。
【図５】種々の供給電圧に対する実際の信号波形を表し
た図である。
た図である。
【図６】供給電圧毎のＤＵＴによる距離と実際の信号の
測定値をグラフ化した図である。
測定値をグラフ化した図である。
１０ 光ビーム走査装置 １４ レーザー １８ 偏光子 ２０ 偏向ミラー系 ２２ 顕微鏡 ２４ デバイス電源 ２６ 信号増幅器 ２８ 信号ミキサ ３０ ラスタージェネレータ ３２ ＣＲＴディスプレイ ３４ パーソナルコンピュータ ４６ 負荷抵抗 ４８ 検出抵抗 ７０ ｐｎ接合部 ７４ 空間電荷領域
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡
散長（Ｌp）と少数キャリヤ寿命（Ｏp）の測定方法にお
いて、 半導体デバイスを逆バイアスし、 半導体デバイスの長手方向に沿って放射エネルギの集束
ビームで走査し、 信号波形（Ｉsignal）形成のために半導体デバイスの走
査長手方向に沿って逐点的に通過するビームにより半導
体デバイス中の誘導電流を検出し、 前記信号波形から半導体デバイス中の少数キャリヤ拡散
長（Ｌp）及び/又は少数キャリヤ寿命（Ｏp）を検出す
ることを特徴とする、半導体デバイスにおける少数キャ
リヤ拡散長と少数キャリヤ寿命の測定方法。 - 【請求項２】 ｐ形伝導領域とｎ形伝導領域の間にｐｎ
接合部を有する半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡
散長（Ｌp）の非破壊的測定方法において、 電圧を用いて半導体デバイスを逆バイアスし、 ｐｎ接合部を越えてそれらの１つの領域内への半導体デ
バイスの長手方向距離“ｘ”に沿って放射エネルギの集
束ビームで走査し、 前記距離“ｘ”の関数として、信号波形（Ｉsignal）形
成のために半導体デバイスの走査長手方向に沿って逐点
的に通過するビームにより半導体デバイス中の誘導電流
を検出し、 前記信号波形（Ｉsignal）から半導体デバイス中の少数
キャリヤ拡散長（Ｌp）及び/又は少数キャリヤ寿命（Ｏ
p）を検出することを特徴とする、半導体デバイスにお
ける少数キャリヤ拡散長の非破壊的測定方法。 - 【請求項３】 前記信号波形は一般にｐｎ接合部に隣接
する空乏幅を越えて指数関数的に減衰し、拡散長
（Ｌp）は指数[(ｘn-x)/Ｌp]に比例しており、前記“ｘ
n”はｐｎ接合部の位置であり、前記“ｘ”は空乏幅を
越えて１つの領域内への距離である、請求項２記載の方
法。 - 【請求項４】 前記拡散長（Ｌp）は前記信号の測定値
と、空乏幅を越えた前記距離“ｘ”とからコンピュータ
計算によって検出され、前記空乏幅では前記信号（Ｉ
signal）が一般に最大値に安定し、空乏幅を越えて一般
に指数関数的に減衰している、請求項２記載の方法。 - 【請求項５】 前記拡散長は以下の式、 【数１】 に従ってコンピュータ計算される、請求項３記載の方
法。 - 【請求項６】 少数キャリヤ寿命（Ｏp）は、以下の
式、 Ｏp＝Ｌp 2/(μpｋｔ/q） に従ってコンピュータ計算され、 前記ｋｔ/qは、３００°Ｋ＝２.５８６×１０-2ボルト
であり、 前記μpは、シリコン中のホールのキャリヤ移動度であ
る、請求項３記載の方法。 - 【請求項７】 前記半導体デバイスは、前記いくつかの
拡散長よりも長い長さを有した高電圧トランジスタのよ
うなトランジスタであり、前記バイアス電圧は数ボルト
からデバイスのアバランシェ降伏の立上がり電圧の間に
ある、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 ｐ形伝導領域とｎ形伝導領域の間にｐｎ
接合部を有する高圧トランジスタ又は高圧ダイオード等
の半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡散長（Ｌp）
及び/又は少数キャリヤ寿命（Ｏp）の非破壊的測定方法
において、 電圧を用いて半導体デバイスを逆バイアスし、 ｐｎ接合部を越えて半導体デバイスの１つの領域内への
半導体デバイスの長手方向距離“ｘ”に沿って集束レー
ザビームで走査し、 前記距離“ｘ”の関数として、信号波形（Ｉsignal）形
成のために半導体デバイスの走査長手方向に沿って
“ｘ”方向に通過するビームとして半導体デバイス中の
光学的ビーム誘導電流（ＯＢＩＣ）を検出し、 前記信号波形（Ｉsignal）から半導体デバイス中の少数
キャリヤ拡散長（Ｌp）及び/又は少数キャリヤ寿命（Ｏ
p）を検出することを特徴とする方法。 - 【請求項９】 前記バイアス電圧は、数ボルトからデバ
イスのアバランシェ降伏の立上がり電圧の間にあり、前
記半導体デバイスの“ｘ”方向の長さは、前記いくつか
の拡散長よりも長い、請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 前記（Ｌp）と（Ｏp）の値は、例えば
バイアス電圧に対する測定された信号波形からコンピュ
ータ計算によって検出される、請求項８記載の方法。 - 【請求項１１】 前記バイアス電圧は、数ボルトからデ
バイスのアバランシェ降伏の立上がり電圧の間にある、
請求項８記載の方法。 - 【請求項１２】 ｐｎ接合部を有する半導体デバイスに
おける少数キャリヤ拡散長（Ｌp）及び/又は少数キャリ
ヤ寿命（Ｏp）のプロファイル化方法において、 第１の値の電圧を用いて半導体デバイスをデバイスアン
ダーテスト（ＤＵＴ）で逆バイアスし、 ｐｎ接合部を越えてさらに半導体のドリフト領域内への
（ＤＵＴ）の長手方向距離“ｘ”に沿って放射エネルギ
の集束ビームで走査し、 前記距離“ｘ”の関数として、信号波形（Ｉsignal）形
成のためにＤＵＴにおけるビーム誘導電流を測定し、 第１の値よりも高い逆バイアス電圧の少なくとも１つの
連続する値を用いて前記ステップを繰返し、 連続する信号波形から（Ｌp）及び/又は（Ｏp）の関連
する値を検出し、 前記（Ｌp）及び/又は（Ｏp）の値を、品質評価と、Ｄ
ＵＴにおけるプロセス誘導性の減損の評価のために用い
ることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US7971698P | 1998-03-27 | 1998-03-27 | |
| US60/079716 | 1998-03-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330179A true JPH11330179A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=22152344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11084549A Withdrawn JPH11330179A (ja) | 1998-03-27 | 1999-03-26 | 半導体デバイスにおける少数キャリヤ拡散長と少数キャリヤ寿命の測定方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6346821B1 (ja) |
| EP (1) | EP0945733A3 (ja) |
| JP (1) | JPH11330179A (ja) |
| KR (1) | KR19990078176A (ja) |
| CN (1) | CN1132015C (ja) |
| TW (1) | TW429498B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135125A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Hokkaido Univ | 高移動度測定装置 |
Families Citing this family (24)
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