JPH11328762A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 超解像情報記録媒体の能力を充分に発揮さ
せ、非常に短い記録マークを安定して記録し、保存でき
る光磁気記録媒体を提供すること。 【解決手段】 記録マークの記録が可能な情報トラック
が互いに隣り合う構造を有する光磁気記録媒体におい
て、互いに隣り合う情報トラック間に、これらの磁気的
結合を切断する分離帯が設け、かつ情報トラックの幅を
記録マークの幅を超えない幅に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ビームを照射して
情報の記録再生を行う光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、情報記録媒体に光ビームを照射
し、その反射光を検出して情報の再生が行える光メモリ
としては、例えば、 位相ピットによって情報を記録したＲＯＭ型のメモ
リ、 光ビームの照射によって記録膜に孔を開けて情報を記
録するライトワンス型の光メモリ、 光ビームの照射によって記録膜の結晶相を変化させて
記録を行なう相変化型光メモリ、 光ビームの照射と磁界の印加によって記録保持層の磁
化方向を変化させて記録を行なう光磁気メモリなど、種
々の光メモリが提案されている。

【０００３】これらの光メモリにおける信号の再生分解
能は、再生光の波長と対物レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）
でほぼ決定され、検出限界のピット周期はほぼλ／（２
・Ｎ．Ａ．）である。このような光メモリにおいても、
情報記録密度を高めるための試みがなされているが、再
生光の波長を短くしたり、対物レンズの開口数を大きく
することは容易ではないため、これら以外の手段、例え
ば、記録媒体自体の構造や再生方法を工夫して情報の記
録密度を上げる試みがなされている。

【０００４】特に、光磁気記録媒体では情報の記録密度
を上げるための様々な試みが提案されている。例えば、
特開平３−９３０５８号公報や特開平５−８１７１７号
公報には、再生用光ビームの照射による温度上昇を利用
して再生用光ビームの一部分だけが信号の再生に寄与す
るように工夫し、再生光の波長と対物レンズの開口数で
決まる検出限界を越えて再生分解能を向上させる超解像
再生技術が開示されている。

【０００５】また、特開平６−２９０４９６号公報に
は、再生用光ビームに差し掛かった磁壁を次々と移動さ
せこの磁壁の移動を検出することによって再生光の波長
と対物レンズの開口数で決まる検出限界を越えて再生分
解能を向上させる技術が開示されている。

【０００６】さらに、特開平８−７３５０号公報には再
生時に磁区を拡大することにより再生光の波長と対物レ
ンズの開口数で決まる検出限界を越えて再生分解能を向
上させる技術が開示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の種々の試みによ
って信号の再生分解能の大幅な向上が達成されたが、情
報の記録密度を更に向上させる技術を提供するには、よ
り広い視点からの検討が必要となってくる。例えば、上
記の従来技術では、情報の記録形態自体に関しての考慮
はなされていなかった。すなわち、光磁気記録媒体への
情報の記録に関しては、記録用光ビームを照射しながら
記録情報によって変調された磁界を印加して情報の記録
を行う磁界変調記録方式を用いれば、波長と対物レンズ
の開口数で決まる検出限界よりもずっと短いマークを記
録することができるため、特別な工夫は必要なかった。
しかし、前述したような様々な工夫によって再生分解能
を向上させることが可能になったため、従来よりもはる
かに高密度な情報の記録を行うようになると、情報の記
録が安定に行えないとか、記録した情報が安定に保存で
きないといった問題が発生するようになった。このた
め、例えばマーク長が０．１μｍ以下といった非常に短
い記録マークを安定して記録し、保存できる光磁気記録
媒体が求められていた。

【０００８】そこで本発明はこのような事情に鑑みてな
されたものであって、超解像情報記録媒体の能力を充分
に発揮させ、例えばマーク長が０．１μｍ以下といった
非常に短い記録マークを安定して記録し、保存できる光
磁気記録媒体を提供することをその目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成し得る
本発明の光磁気記録媒体は、記録マークの記録が可能な
情報トラックが互いに隣り合う構造を有する光磁気記録
媒体において、互いに隣り合う情報トラック間に、これ
らの磁気的結合を切断する分離帯が設けられており、か
つ情報トラックの幅が記録マークの幅を超えないことを
特徴とする。

【００１０】本発明によれば、超解像再生可能な記録保
持層を備えた光磁気記録媒体においても、情報トラック
の幅を記録マークの幅以下とし、情報トラックの両側面
が非磁性層に接するようにした構造としたことで、情報
の記録密度を更に高めることが可能となる。

【００１１】この本発明における効果は、以下の作用に
よって得られるものと考えられる。光磁気記録媒体の記
録保持層に部分的に磁化の向きを反転させることによっ
てマークを記録すると、記録保持層が垂直磁化膜からな
る場合は、従来の光磁気記録媒体では記録マークの周囲
に閉じた磁壁が形成された。しかし、磁壁が形成される
とそこには磁壁エネルギーが貯えられるため、磁壁には
その面積を小さくしてエネルギーの低い安定な状態にな
ろうとする力が働く。光磁気記録媒体では、この磁壁の
面積を小さくしようとする力に抗して、記録したマーク
を安定に保持するために、数キロエルステッド以上とい
った大きな保磁力を持った材料が記録保持層に使われて
いた。しかし、例えば記録保持層の材料としてＴｂＦｅ
Ｃｏを用い、保磁力が２０キロエルステッドと非常に大
きな値となるようにその組成を調整した記録保持層を用
いても、記録したマークを保持できるのはせいぜいマー
ク長０．１μｍまでの大きさであって、０．１μｍ以下
のマーク長のマークを記録すると、記録されたマークは
部分的に消失したり、隣接するマークと接合して１つの
大きなマークに変形するといった問題が生じる場合があ
った。従って、従来構造の光磁気記録媒体では、マーク
長が０．１μｍ以下といった非常に短い記録マークを安
定して記録し、保存することは困難な場合が多かった。

【００１２】これに対して、情報トラックの幅を記録マ
ークの幅以下とし、情報トラックの両側面が非磁性層に
接する構造を採用すると、記録マークの境界部分にでき
る磁壁にその面積を小さくしてエネルギーの低い安定な
状態になろうとする力が働いても、その力はマークの長
さを変化させる方向には働かない。このため、情報トラ
ックの幅を記録マークの幅以下とし、情報トラックの両
側面が非磁性層に接するようにすることによって、例え
ば０．１μｍ以下と非常に短い記録マークを記録してそ
れを安定に保持することができるようになる。

【００１３】本発明の光磁気記録媒体の情報トラックに
は、垂直磁化膜より成る記録保持層と、垂直磁化膜より
なる再生層とを有し、光ビームの照射による昇温によっ
て記録保持層の磁化を再生層に転写することが可能な構
成が利用できる。

【００１４】また、この情報トラックには、垂直磁化膜
より成る記録保持層と、記録保持層より高いキュリー温
度を有し、室温で面内磁化を示し、かつ光ビームの照射
により昇温すると垂直磁化を示す再生層とを有する構造
を用いることができる。

【００１５】更に、この情報トラックには、基板上に第
１、第２及び第３の磁性層が室温において交換結合して
順次積層された構造を有し、第１の磁性層は、周囲温度
近傍の温度において第３の磁性層に比べて相対的に磁壁
抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな磁性膜からなり、第
２の磁性層は、第１の磁性層および第３の磁性層よりも
キュリー温度の低い磁性膜からなる構造を用いることが
できる。

【００１６】また、この情報トラックには、基板上に第
１、第２、第３の磁性層が順次積層された構造を有し、
第２の磁性層は室温以上に補償温度を有する磁性体から
なり、第２の磁性層は第３の磁性層よりもキュリー温度
の低い磁性膜からなる構造を用いることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００１８】図１は本発明の光磁気記録媒体の第１の例
を示した図である。この光磁気記録媒体は、例えば特開
平６−２９０４９６号公報に記載されるような、再生用
光ビームに差し掛かった磁壁を次々と移動させこの磁壁
の移動を検出することによって、再生光の波長と対物レ
ンズの開口数で決まる検出限界を越えて超解像再生が可
能となる光磁気記録媒体に適用した例である。

【００１９】図１において、１１は透明基板、１２は磁
性膜の保護と媒体の光学的特性を調整するための光透過
層、１３は情報を磁壁の移動によって検出するための移
動層、１４は移動層と記録保持層の間の交換結合を制御
するためのスイッチング層、１５は情報を保持しておく
記録保持層、１６は磁性膜の保護のための保護層であ
る。

【００２０】透明基板１１としては、例えば、ポリカー
ボネート、ガラス等の透光性のものを用いることができ
る。光透過層１２としては、例えばＳｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、
ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ₂などの透明誘電体層
が使用できる。基板１１の表面に設ける情報トラック間
のピッチは、目的とする光磁気記録媒体の機能や特性に
応じて設定することができ、例えば０．５〜１．５μｍ
に設定することが好ましい。

【００２１】保護層１６としては、光透過層１２と同様
の透明誘電体に加えてＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、Ａｌ
Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕなどの耐蝕性に優れた金属層も使用で
きる。各磁性層は、例えばマグネトロンスパッタ装置に
よる連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被
着形成できる。これらの磁性層は、真空を破ることなく
連続成膜されることで、互いに交換結合をしている。ま
た、この構成に、更にＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、Ａｌ
Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｕなどからなる金属層を記録保持層と保
護層の間に付加して、熱的な特性を調整してもよい。ま
た、高分子樹脂からなる保護コートを付与してもよい。
あるいは、成膜後の基板を貼り合わせてもよい。

【００２２】この媒体において、各磁性層１３〜１５
は、種々の磁性材料によって構成することができる。こ
の磁性材料としては、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あ
るいは二種類以上の１０〜４０ａｔ％と；Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉなどの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上の９０
〜６０ａｔ％とからなる希土類−鉄族非晶質合金を挙げ
ることができる。また、耐食性向上などのために、これ
にＣｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎな
どの元素を少量添加してもよい。

【００２３】各磁性層を重希土類−鉄族非晶質合金によ
り構成する場合、その飽和磁化は、希土類元素と鉄族元
素との組成比により制御することが可能である。また、
キュリー温度も、組成比により制御することが可能であ
るが、飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素と
して、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を用い、置換
量を制御する方法がより好ましく利用できる。即ち、Ｆ
ｅの１ａｔ％をＣｏで置換することにより、６℃程度の
キュリー温度上昇が見込めるので、この関係を用いて所
望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量を調整す
る。また、Ｃｒ、Ｔｉなどの非磁性元素を微量添加する
ことにより、逆にキュリー温度を低下させることも可能
である。あるいはまた、二種類以上の希土類元素を用い
てそれらの組成比を調整することでもキュリー温度を制
御できる。

【００２４】この他に、ガーネット、白金族−鉄族周期
構造膜、もしくは白金族−鉄族合金などの材料も使用可
能である。移動層１３の材料としては、例えば、ＧｄＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの
垂直磁気異方性の小さな希土類−鉄族非晶質合金や、Ｐ
ｔ／Ｃｏ、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金族−鉄族周期構造膜
や、ガーネット等のバブルメモリ用材料が望ましい。

【００２５】スイッチング層１４の材料には、例えばＴ
ｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等のキュリー温度の低いも
のを用いることが望ましい。

【００２６】記録保持層１５の材料としては、例えば、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏといっ
た希土類−鉄族非晶質合金で、垂直磁気異方性及び保磁
力が大きく、微小なピットが記録でき、かつ形成された
記録ピットが安定に保持できるものが望ましい。

【００２７】図３は本発明の光磁気記録媒体の第２の例
を示した図である。この光磁気記録媒体は、例えば特開
平３−９３０５８号公報に記載されるような、再生時の
レーザ光照射によりある温度以上となった領域でのみあ
らかじめ記録保持層に記録された信号が再生層に転写さ
れ、この温度以下の領域では再生層が等価的なマスクと
等価な働きをし、超解像再生が可能となる光磁気記録媒
体に適用した例である。この光磁気記録媒体は、図３に
示すように所定のトラックピッチでトラッキングガイド
用のグルーブが形成されたポリカーボネイト製の透明基
板３０上に光透過層３１、第１の再生層３２、第２の再
生層３３、中間層３４、記録保持層３５、保護層３６を
順次積層した構造を有する。

【００２８】各磁性層３２〜３５は、図１を用いて説明
した第１の例において説明した磁性層用材料を用いて形
成することができる。例えば、第１の再生層３２はキュ
リー温度が高く、カー回転角が大きく、保磁力が小さい
垂直磁化膜で、例えばＧｄＦｅＣｏ（膜厚３００Å）で
形成することができる。また、第２の再生層３３は垂直
磁気異方性が大きく、キュリー温度が低く、室温での保
磁力が数キロエルステッドであることが好ましいので、
ＴｂＦｅ（膜厚２００Å）で形成することができる。ま
た、中間層３４は第２の再生層と記録保持層のあいだの
交換結合力を調整するための層で、ＧｄＦｅＣｏ（膜厚
１００Å）で形成することができる。記録保持層３５は
垂直磁気異方性が大きく、キュリー温度と保磁力が第２
の再生層のキュリー温度と保磁力よりも大きいことが必
要なため、ＴｂＦｅＣｏ（膜厚３００Å）で形成し、キ
ュリー温度は２３０℃、保磁力は１５キロエルステッド
以上にすることができる。

【００２９】また、光透過層３１および保護層３６も第
１の例において説明した材料を用いて形成することがで
きる。

【００３０】図５は、本発明の光磁気記録媒体の第３の
例を示した図である。この例は、例えば特開平５−８１
７１７号公報に記載されるような、再生時のレーザ光照
射によりある温度以上となった領域でのみ再生層の磁化
が面内磁化から垂直磁化に移行し、垂直磁化に移行した
部分でのみあらかじめ記録保持層に記録された信号が再
生層に転写され、前記温度以下の領域では面内磁化の再
生層が等価的なマスクと等価な働きをし、超解像再生が
可能となる光磁気記録媒体に適用したものである。この
第３の例は、所定のトラックピッチでトラッキングガイ
ド用のグルーブが形成されたポリカーボネイト製の透明
基板５１上に光透過層５２、再生層５３、記録保持層５
４、保護層５５を順次積層して形成した構造を有する。

【００３１】この例における磁性層も図１に示した第１
の例における材料を用いて形成することができる。例え
ば、再生層５３はキュリー温度が高く、室温とキュリー
温度の間に補償温度を有し、室温で面内磁化を示す一
方、光ビームの照射により所定温度以上に温度が上昇す
ると垂直直に移行する磁化膜で、例えばＧｄＦｅＣｏ
（膜厚５００Å）で形成することができる。また、再生
層５３の補償温度は、１００℃程度、またキュリー温度
は３００℃以上とすることができる。記録保持層５４は
垂直磁気異方性が大きく、微小な磁区を安定に保持する
ことが必要なため、ＤｙＦｅＣｏ（膜厚２００Å）で形
成し、キュリー温度は２３０℃、保磁力は１５キロエル
ステッド以上にすることができる。更に、光透過層５２
および保護層５５も第１の例で挙げた材料を同様に用い
ることができる。

【００３２】図６は本発明の光磁気記録媒体の第４の例
を示した図である。この例は、例えば特開平８−７３５
０号公報に記載されるような、再生時のレーザ光照射と
磁界の印加によってあらかじめ記録保持層に記録された
信号を再生層に転写し、拡大して、超解像再生が可能と
なる光磁気記録媒体に適用したものである。

【００３３】この例の光磁気記録媒体は、所定のトラッ
クピッチでトラッキングガイド用のグルーブが形成され
たポリカーボネイト製の透明基板６１上に光透過層６
２、再生層６３、中間層６４、記録保持層６５、保護層
６６を順次積層して形成した構造を有する。

【００３４】各磁性層６３〜６５も図１を用いて説明し
た第１の例において説明した磁性層用材料を用いて形成
することができる。第１磁性層（再生層）６３はキュリ
ー温度が高く、保磁力が小さく、外部磁界の印加によっ
て容易に磁区を拡大縮小できる垂直磁化膜で、例えばＧ
ｄＴｂＦｅＣｏ（膜厚４００Å）で形成することができ
る。再生層６３の補償温度は室温以下、キュリー温度は
３００℃以上とすることができる。第２磁性層（中間
層）６４はキュリー温度が低く、補償温度が室温以上で
再生時の光スポット中心の温度よりも低いことが望まし
いため、キュリー温度１２０℃、補償温度７０℃のＧｄ
ＦｅＣｏ（膜厚２００Å）で形成することができる。第
３磁性層（記録保持層）６５は垂直磁気異方性が大き
く、微小な磁区を安定に保持することが必要なため、Ｔ
ｂＦｅＣｏ（膜厚４００Å）で形成し、キュリー温度は
２４０℃、保磁力は１５キロエルステッド以上にするこ
とができる。また、光透過層６２および保護層６６は第
１の例で説明した材料を用いて形成することができる。

【００３５】図８は本発明の光磁気記録媒体の第５の例
を示した図である。この例は、第１の例１と同じく特開
平６−２９０４９６号公報に記載されるような、再生用
光ビームに差し掛かった磁壁を次々と移動させこの磁壁
の移動を検出することによって前記の波長と対物レンズ
の開口数で決まる検出限界を越えて超解像再生が可能と
なる光磁気記録媒体に適用した例である。

【００３６】この光磁気記録媒体は、図８に示すよう
に、基板８１上に設けたランド（図では凸側）と、グル
ーブ（図では凹側）のそれぞれの部分に光透過層８２か
ら保護層８６までの構造を有する情報トラック８８を形
成し、各情報トラック間に分離帯として機能する空間を
配置した構造を有する。各磁性層、光透過層及び保護層
は第１の例で説明した材料を用いて形成することができ
る。

【００３７】なお、ランドとグルーブとの高低差は、情
報トラックの構造や大きさなどに応じて設定することが
でき、例えば１２０〜２００ｎｍとすることが好まし
い。

【００３８】以上説明した各構造の光磁気記録媒体は、
目的とする機能が得られるように材料を選択して、公知
の方法を用いて製造することができる。

【００３９】

【実施例】実施例１ 図１の構成を有する光磁気記録媒体（光磁気ディスク）
を、以下の方法を用いて作成した。まず、直流マグネト
ロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳｉ、及びＧ
ｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲットを取り付
け、トラックピッチ１．１μｍでトラッキングガイド用
のグルーブが形成されたディスク状のポリカーボネイト
基板を基板ホルダーに固定した後、１×１０^ー5Ｐａ以下
の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真
空排気した。真空排気をしたままＡｒガスとＮ₂ガスを
０．３Ｐａとなるまでチャンバー内に導入し、基板を回
転させながら、光透過層としてＳｉＮ層を１０００Å成
膜した。引き続き、真空排気をしたままＡｒガスを０．
３Ｐａとなるまでチャンバー内に導入し、基板を回転さ
せながら、移動層としてＧｄＣｏ層を３００Å、スイッ
チング層としてＤｙＦｅ層を１００Å、記録保持層とし
てＴｂＦｅＣｏ層を４００Å順次成膜した。最後に、光
透過層の成膜時と同様の条件で、保護層としてＳｉＮ層
を８００Å成膜した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、
Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜
した。各磁性層の組成は、全て補償組成近傍になるよう
に調整し、キュリー温度は、第１の磁性層（移動層）が
２５０℃、第２の磁性層（スイッチング層）が１５０
℃、第３の磁性層（記録保持層）が２９０℃程度となる
ように設定した。

【００４０】図２に示すような記録再生装置を用いてこ
の光磁気ディスク２１のグルーブ上に高パワーのレーザ
ー光を集光して照射し、４００℃以上に加熱してグルー
ブ部分のみにアニール処理を行い、グルーブ部に積層さ
れた磁性層を非磁性層１９に変質させて分離帯１７を形
成した。非磁性層１９によって、隣接する情報トラック
の記録保持層１５は分離帯１７の部分でほぼ磁気的に分
離されている。なお実際には分離帯の磁性層がアニール
処理によって完全に非磁性層にならなくても、飽和磁化
が十分に小さくなれば分離帯での結合は無視できる。再
び図２に示すような記録再生装置を用いてこの光磁気デ
ィスクを光ヘッドから見て反時計周りに回転させなが
ら、情報トラック１８上に記録光ビームと変調磁界を印
加して、磁界変調記録方法によって情報トラック１８の
幅いっぱいに反転磁区を形成した。光磁気ディスクの移
動線速度は１．５ｍ／ｓ、変調磁界は周期１．０μｓで
パルス幅５０ｎｓとし、１．５μｍ間隔でマーク長０．
０７５μｍの記録マークを形成した。記録パワーは３．
５ｍＷ、記録磁界の強度は±２００エルステッドに設定
した。

【００４１】次に、この光磁気ディスクを光ヘッドから
見て反時計周りの方向に回転させながら、光ピックアッ
プ２２から再生用光ビームを照射して、先程記録した記
録マークを再生し、記録マークの欠落率を調べた。光磁
気ディスクの移動線速度は１．５ｍ／ｓ、再生パワーを
１．７ｍＷとして再生を行い、再生信号をデジタルオシ
ロスコープに取り込んで記録マークの欠落を数えたとこ
ろ、１０００個分のマークのうち欠落していたのは１個
で、欠落率は０．１％であった。

【００４２】比較例１ グルーブ部分のアニール処理を行わない以外は実施例１
と同様の光磁気ディスクを作成し、この光磁気ディスク
を光ヘッドから見て反時計周りに回転させながら、情報
トラック１８上に記録光ビームと変調磁界を印加して、
磁界変調記録方法によって情報トラック１８の幅いっぱ
いに反転磁区を形成した。光磁気ディスクの移動線速度
は１．５ｍ／ｓ、変調磁界は周期１．０μｓでパルス幅
５０ｎｓとし、１．５μｍ間隔でマーク長０．０７５μ
ｍの記録マークを形成した。記録パワーは３．５ｍＷ、
記録磁界の強度は±２００エルステッドに設定した。次
に、実施例１と同様にこの光磁気ディスクを光ヘッドか
ら見て反時計周りの方向に回転させながら再生用光ビー
ムを照射して、先程記録した記録マークを再生し、記録
マークの欠落率を調べた。光磁気ディスクの移動線速度
は１．５ｍ／ｓ、再生パワーを１．７ｍＷとして再生を
行った。再生信号の振幅は実施例１よりも小さくなった
が、記録マークの欠落率を調べることは可能であった。
再生信号をデジタルオシロスコープに取り込んで記録マ
ークの欠落を数えたところ、１０００個分のマークのう
ち欠落していたのは１２０個で、欠落率は１２％と実施
例１よりも大きかった。

【００４３】実施例２ 図３に示す構造の光磁気ディスクを、トラックピッチ
１．１μｍでトラッキングガイド用のグルーブが形成さ
れたポリカーボネイト製の透明基板３０上に光透過層３
１、第１の再生層３２、第２の再生層３３、中間層３
４、記録保持層３５、保護層３６を公知の成膜方法を利
用して順次積層して形成した。

【００４４】第１の再生層３２はキュリー温度が高く３
００℃以上で、カー回転角が大きく、保磁力が約２キロ
エルステッドと小さい垂直磁化膜で、ＧｄＦｅＣｏ（膜
厚３００Å）で形成した。第２の再生層３３は垂直磁気
異方性が大きく、キュリー温度が低く、室温での保磁力
が数キロエルステッドであることが好ましいので、キュ
リー温度が１２０℃、室温での保磁力が約１．５キロエ
ルステッドであるＴｂＦｅ（膜厚２００Å）で形成し
た。中間層３４は第２の再生層と記録保持層のあいだの
交換結合力を調整するための層で、ＧｄＦｅＣｏ（膜厚
１００Å）で形成した。記録保持層３５は垂直磁気異方
性が大きく、キュリー温度と保磁力が前記第２の再生層
のキュリー温度と保磁力よりも大きいことが必要なた
め、ＴｂＦｅＣｏ（膜厚３００Å）で形成し、キュリー
温度は２３０℃、保磁力は１５キロエルステッド以上に
した。また、光透過層３１および保護層３６は窒化珪素
で形成した。

【００４５】この光磁気ディスクのグルーブ上に図４に
示した記録再生装置を用いて高パワーのレーザー光を集
光して照射し、４００℃以上に加熱してグルーブ部分の
みにアニール処理を行い、グルーブ部に積層された磁性
層を非磁性層２９に変質させて分離帯２７を形成した。

【００４６】この光磁気ディスクを光ヘッドから見て反
時計周りに回転させながら、図４に示した記録再生装置
を用いて情報トラック３８上に記録光ビームと変調磁界
を印加して、磁界変調記録方法によっで情報トラック３
８の幅いっぱいに反転磁区を形成した。光磁気ディスク
の移動線速度は２．０ｍ／ｓ、変調磁界は周期１．０μ
ｓでパルス幅５０ｎｓとし、２．０μｍ間隔でマーク長
０．１μｍの記録マークを形成した。記録パワーは４．
０ｍＷ、記録磁界の強度は±２５０エルステッドに設定
した。次に、この光磁気ディスクを光ヘッドから見て反
時計周りの方向に回転させて、初期化磁界印加装置４４
によって２キロエルステッドの初期化磁界を印加しなが
ら光ピックアップ４２から再生用光ビームを照射して先
程記録した記録マークを再生し、記録マークの欠落率を
調べた。光磁気ディスクの移動線速度は２．０ｍ／ｓ、
再生パワーを２．１ｍＷとして再生を行い、再生信号を
デジタルオシロスコープに取り込んで記録マークの欠落
を数えたところ、５０００個分のマークのうち欠落して
いたのは１個で、欠落率は０．０２％であった。

【００４７】比較例２ グルーブ部分のアニール処理を行わない以外は実施例２
と同様の光磁気ディスクを作成し、この光磁気ディスク
を光ヘッドから見て反時計周りに回転させながら、情報
トラック３８上に記録光ビームと変調磁界を印加して、
磁界変調記録方法によって情報トラック３８の幅いっぱ
いに反転磁区を形成した。光磁気ディスクの移動線速度
は２．０ｍ／ｓ、変調磁界は周期１．０μｓでパルス幅
５０ｎｓとし、実施例２と同様に２．０μｍ間隔でマー
ク長０．１μｍの記録マークを形成した。記録パワーは
４．０ｍＷ、記録磁界の強度は±２５０エルステッドに
設定した。

【００４８】次に、実施例２と同様にこの光磁気ディス
クを光ヘッドから見て反時計周りの方向に回転させて初
期化磁界印加装置４４によって２キロエルステッドの初
期化磁界を印加しながら再生用光ビームを照射して、先
程記録した記録マークを再生し、記録マークの欠落率を
調べた。光磁気ディスクの移動線速度は２．０ｍ／ｓ、
再生パワーを２．１ｍＷとして再生を行った。再生信号
の振幅は実施例１よりも少し大きくなったが、再生信号
をデジタルオシロスコープに取り込んで記録マークの欠
落を数えたところ、１０００個分のマークのうち欠落し
ていたのは６０個で、欠落率は６％と実施例１よりも大
きかった。

【００４９】実施例３ 図５に示す構造の光磁気ディスクを、トラックピッチ
１．１μｍでトラッキングガイド用のグルーブが形成さ
れたポリカーボネイト製の透明基板５１上に光透過層５
２、再生層５３、記録保持層５４、保護層５５を公知の
成膜方法で順次積層して形成した。再生層５３はキュリ
ー温度が高く、室温とキュリー温度の間に補償温度を有
し、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により
所定温度以上に温度が上昇すると垂直に移行する磁化膜
で、ＧｄＦｅＣｏ（膜厚５００Å）で形成した。再生層
５３の補償温度は１００℃、キュリー温度は３００℃以
上、垂直磁化への移行温度は１２０℃とした。記録保持
層５４は垂直磁気異方性が大きく、微小な磁区を安定に
保持することが必要なため、ＤｙＦｅＣｏ（膜厚２００
Å）で形成し、キュリー温度は２３０℃、保磁力は１５
キロエルステッド以上にした。また、光透過層５２およ
び保護層５５は窒化珪素で形成した。

【００５０】この光磁気ディスクのグルーブ上に図２に
示した記録再生装置を用いて高パワーのレーザー光を集
光して照射し、４００℃以上に加熱してグルーブ部分の
みにアニール処理を行い、グルーブ部に積層された磁性
層を非磁性層５９に変質させて分離帯５７を形成した。

【００５１】この光磁気ディスクを光ヘッドから見て反
時計周りに回転させながら、図２に示した記録再生装置
を用いて情報トラック５８上に記録光ビームと変調磁界
を印加して、磁界変調記録方法によって情報トラック５
８の幅いっぱいに反転磁区を形成した。光磁気ディスク
の移動線速度は２．０ｍ／ｓ、変調磁界は周期１．０μ
ｓでパルス幅４０ｎｓとし、２．０μｍ間隔でマーク長
０．０８μｍの記録マークを形成した。記録パワーは
４．０ｍＷ、記録磁界の強度は±２００エルステッドに
設定した。

【００５２】次に、この光磁気ディスクを光ヘッドから
見て反時計周りの方向に回転させてながら光ピックアッ
プ２２から再生用光ビームを照射して先程記録した記録
マークを再生し、記録マークの欠落率を調た。光磁気デ
ィスクの移動線速度は２．０ｍ／ｓ、再生パワーを２．
２ｍＷとして再生を行い、再生信号をデジタルオシロス
コープに取り込んで記録マークの欠落を数えたところ、
１０００個分のマークのうち欠落していたのは８個で、
欠落率は０．８％であった。

【００５３】比較例３ グルーブ部分のアニール処理を行わない以外は実施例３
と同様の光磁気ディスクを作成し、この光磁気ディスク
を光ヘッドから見て反時計周りに回転させながら、情報
トラック５８上に記録光ビームと変調磁界を印加して、
磁界変調記録方法によって情報トラック５８の幅いっぱ
いに反転磁区を形成した。光磁気ディスクの移動線速度
は２．０ｍ／ｓ、変調磁界は周期１．０μｓでパルス幅
４０ｎｓとし、実施例３と同様に２．０μｍ間隔でマー
ク長０．０８μｍの記録マークを形成した。記録パワー
は４．０ｍＷ、記録磁界の強度は±２００エルステッド
に設定した。

【００５４】次に、実施例３と同様にこの光磁気ディス
クを光ヘッドから見て反時計周りの方向に回転させなが
ら再生用光ビームを照射して先程記録した記録マークを
再生し、記録マークの欠落率を調べた。光磁気ディスク
の移動線速度は２．０ｍ／ｓ、再生パワーを２．２ｍＷ
として再生を行った。再生信号をデジタルオシロスコー
プに取り込んで記録マークの欠落を数えたところ、１０
００個分のマークのうち欠落していたのは２００個で、
欠落率は２０％と実施例１よりも大きかった。

【００５５】実施例４ 図６に示す構造の光磁気ディスクを、トラックピッチ
１．１μｍでトラッキングガイド用のグルーブが形成さ
れたポリカーボネイト製の透明基板６１上に光透過層６
２、再生層６３、中間層６４、記録保持層６５、保護層
６６を公知の成膜方法で順次積層して形成した。

【００５６】再生層６３はキュリー温度が高く、保磁力
が小さく、外部磁界の印加によって容易に磁区を拡大縮
小できる垂直磁化膜で、ＧｄＴｂＦｅＣｏ（膜厚４００
Å）で形成した。再生層６３の補償温度は室温以下、キ
ュリー温度は３００℃以上とした。中間層６４はキュリ
ー温度が低く、補償温度が室温以上で再生時の光スポッ
ト中心の温度よりも低いことが望ましいため、キュリー
温度１２０℃、補償温度７０℃のＧｄＦｅＣｏ（膜厚２
００Å）で形成した。記録保持層６５は垂直磁気異方性
が大きく、微小な磁区を安定に保持することが必要なた
め、ＴｂＦｅＣｏ（膜厚４００Å）で形成し、キュリー
温度は２４０℃、保磁力は１５キロエルステッド以上に
した。また、光透過層６２および保護層６６は窒化珪素
で形成した。

【００５７】この光磁気ディスクのグルーブ上に図７に
示した記録再生装置を用いて高パワーのレーザー光を集
光して照射し、４００℃以上に加熱してグルーブ部分の
みにアニール処理を行い、グルーブ部に積層された磁性
層を非磁性層６９に変質させて分離帯６７を形成した。

【００５８】この光磁気ディスクを光ヘッドから見て反
時計周りに回転させながら、図７に示した記録再生装置
を用いて情報トラック６８上に記録光ビームと変調磁界
を印加して、磁界変調記録方法によって情報トラック６
８の幅いっぱいに反転磁区を形成した。光磁気ディスク
の移動線速度は１．０ｍ／ｓ、変調磁界は周期２．０μ
ｓでパルス幅１００ｎｓとし、２．０μｍ間隔でマーク
長０．１μｍの記録マークを形成した。記録パワーは
３．１ｍＷ、記録磁界の強度は±３００エルステッドに
設定した。

【００５９】次に、この光磁気ディスクを光ヘッドから
見て反時計周りの方向に回転させて、初期化磁界印加装
置７４によって２キロエルステッドの初期化磁界を印加
し、光ピックアップ７２から再生用光ビームを照射し、
同時に記録再生磁界印加装置７３で１ＭＨｚの交番磁界
を印加して先程記録した記録マークを再生し、記録マー
クの欠落率を調べた。光磁気ディスクの移動線速度は
１．０ｍ／ｓ、再生パワーを１．３ｍＷとして再生を行
い、再生信号をデジタルオシロスコープに取り込んで記
録マークの欠落を数えたところ、１０００個分のマーク
のうち欠落していたのは３個で、欠落率は０．３％であ
った。

【００６０】比較例４ グルーブ部分のアニール処理を行わない以外は実施例４
と同様の光磁気ディスクを作成し、この光磁気ディスク
を光ヘッドから見て反時計周りに回転させながら、情報
トラック６８上に記録光ビームと変調磁界を印加して、
磁界変調記録方法によって情報トラック６８の幅いっぱ
いに反転磁区を形成した。光磁気ディスクの移動線速度
は１．０ｍ／ｓ、変調磁界は周期２．０μｓでパルス幅
１００ｎｓとし、実施例４と同様に２．０μｍ間隔でマ
ーク長０．１μｍの記録マークを形成した。記録パワー
は３．１ｍＷ、記録磁界の強度は±３００エルステッド
に設定した。

【００６１】次に、実施例４と同様にこの光磁気ディス
クを光ヘッドから見て反時計周りの方向に回転させて初
期化磁界印加装置７４によって２キロエルステッドの初
期化磁界を印加し、光ピックアップ７２から再生用光ビ
ームを照射し、同時に記録再生磁界印加装置７３で１Ｍ
Ｈｚの交番磁界を印加して先程記録した記録マークを再
生し、記録マークの欠落率を調べた。光磁気ディスクの
移動線速度は１．０ｍ／ｓ、再生パワーを１．３ｍＷと
して再生を行い、再生信号をデジタルオシロスコープに
取り込んで記録マークの欠落を数えたところ、１０００
個分のマークのうち欠落していたのは８０個で、欠落率
は８％と実施例４よりも大きかった。

【００６２】実施例５ 図８に示す構造の光磁気ディスクを、ランド（図では凸
側）が０．７μｍ幅でグルーブ（図では凹側）が０．５
μｍ幅でトラックピッチ１．２μｍの矩形のトラッキン
グガイド用溝が形成されたガラス２Ｐ製の基板を使用し
て作製した。なお、溝の深さ（ランドとグルーブとの高
低差）は２００ｎｍとした。この透明基板８１上に磁性
膜の保護と光磁気ディスクの光学的特性を調整するため
の光透過層８２、情報を磁壁の移動によって検出するた
めの移動層８３、移動層と記録保持層の間の交換結合を
制御するためのスイッチング層８４、情報を保持してお
く記録保持層８５、磁性膜の保護のための保護層８６を
順次積層して形成した。

【００６３】各層の材料、組成および膜厚は実施例１と
同じにした。図８に示すように、矩形の溝を持った基板
８１にマグネトロンスパッタリング装置を用いて成膜を
行うと、成膜時の膜のつきまわりによって図８に示すよ
うな形状に膜が成膜される。本実施例では溝の深さを２
００ｎｍと通常よりも深くしたので、図８に示すように
溝の側面に磁性膜の付着していない分離帯８７が形成さ
れる。この光磁気ディスクを図２に示すような記録再生
装置を用いて光ヘッドから見て反時計周りに回転させな
がら、情報トラック８８上に記録光ビームと変調磁界を
印加して、磁界変調記録方法によって情報トラック８８
の幅いっぱいに反転磁区を形成した。光磁気ディスクの
移動線速度は１．５ｍ／ｓ、変調磁界は周期１．０μｓ
でパルス幅５０ｎｓとし、１．５μｍ間隔でマーク長
０．０７５μｍの記録マークを形成した。記録パワーは
３．５ｍＷ、記録磁界の強度は±２００エルステッドに
設定した。

【００６４】次に、この光磁気ディスクを光ヘッドから
見て反時計周りの方向に回転させながら、光ピックアッ
プ２２から再生用光ビームを照射して、先程記録した記
録マークを再生し、記録マークの欠落率を調べた。光磁
気ディスクの移動線速度は１．５ｍ／ｓ、再生パワーを
１．７ｍＷとして再生を行い、再生信号をデジタルオシ
ロスコープに取り込んで記録マークの欠落を数えたとこ
ろ、１０００個分のマークのうち欠落していたのは１個
で、欠落率は０．１％であり実施例１と同じであった。

【００６５】

【発明の効果】本発明によれば、超解像情報記録媒体の
能力を充分に発揮させ、非常に短い記録マークを安定し
て記録し、保存できる光磁気記録媒体を提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の一例の構造を示す断
面図である。

【図２】光磁気記録媒体での記録、再生を行う装置の概
略図である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の一例の構造を示す断
面図である。

【図４】光磁気記録媒体での記録、再生を行う装置の概
略図である。

【図５】本発明の光磁気記録媒体の一例の構造を示す断
面図である。

【図６】本発明の光磁気記録媒体の一例の構造を示す断
面図である。

【図７】光磁気記録媒体での記録、再生を行う装置の概
略図である。

【図８】本発明の光磁気記録媒体の一例の構造を示す断
面図である。

【符号の説明】 １１、３０、５１、６１、８１ 基板 １２、３１、５２、６２、８２ 光透過層 １３、８３ 移動層 １４、８４ スイッチング層 １５、３５、５４、８５ 記録保持層 １６、３６、５５、６６、８６ 保護層 １７、３７、５７、６７、８７ 分離帯 １８、３８、５８、６８、８８ 情報トラック １９、３９、５９、６９ 非磁性層 ２１、４１、７１ 光磁気記録媒体（ディスク） ２２、４２、７２ 光ピックアップ ２３、４３ 記録磁界印加装置 ２４、４５、７５ ディスク回転機構 ３２ 第１の再生層 ３３ 第２の再生層 ３４ 中間層 ４４、７４ 初期化磁界印加装置 ５３ 再生層 ６３ 第１磁性層 ６４ 第２磁性層 ６５ 第３磁性層 ７３ 記録再生磁界印加装置

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録マークの記録が可能な情報トラック
   が互いに隣り合う構造を有する光磁気記録媒体におい
   て、 互いに隣り合う情報トラック間に、これらの磁気的結合
   を切断する分離帯が設けられており、かつ情報トラック
   の幅が記録マークの幅を超えないことを特徴とする光磁
   気記録媒体。
2. 【請求項２】 垂直磁化膜より成る記録保持層と、垂直
   磁化膜よりなる再生層とを有し、光ビームの照射による
   昇温によって記録保持層の磁化を再生層に転写すること
   が可能である請求項１に記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 垂直磁化膜より成る記録保持層と、記録
   保持層より高いキュリー温度を有し、室温で面内磁化を
   示し、かつ光ビームの照射により昇温すると垂直磁化を
   示す再生層とを有する請求項１に記載の光磁気記録媒
   体。
4. 【請求項４】 基板上に第１、第２及び第３の磁性層が
   室温において交換結合して順次積層された構造を有し、
   第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において第３の磁
   性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が
   大きな磁性膜からなり、第２の磁性層は、第１の磁性層
   および第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜か
   らなる請求項１に記載の光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 基板上に第１、第２、第３の磁性層が順
   次積層された構造を有し、第２の磁性層は室温以上に補
   償温度を有する磁性体からなり、第２の磁性層は第３の
   磁性層よりもキュリー温度の低い磁性膜からなる請求項
   １に記載の光磁気記録媒体。