JPH11323576A - ウエットエッチング方法 - Google Patents
ウエットエッチング方法Info
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- JPH11323576A JPH11323576A JP10142334A JP14233498A JPH11323576A JP H11323576 A JPH11323576 A JP H11323576A JP 10142334 A JP10142334 A JP 10142334A JP 14233498 A JP14233498 A JP 14233498A JP H11323576 A JPH11323576 A JP H11323576A
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- etching
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細パターンのウエットエッチングを可能に
する。 【解決手段】 ウエットエッチング処理直前の基板に大
気中で紫外線を照射する。紫外線の照射により加熱され
た状態の基板にウエットエッチングを行う。紫外線は、
エキシマランプにより発生させた、中心波長が１７２ｎ
ｍのエキシマ光とする。エキシマ光を用いると、大気中
での短時間の照射により、基板表面に残る有機物質が酸
化分解される。同時に、その基板がウエットエッチング
に適した３０〜４０℃に予熱される。
する。 【解決手段】 ウエットエッチング処理直前の基板に大
気中で紫外線を照射する。紫外線の照射により加熱され
た状態の基板にウエットエッチングを行う。紫外線は、
エキシマランプにより発生させた、中心波長が１７２ｎ
ｍのエキシマ光とする。エキシマ光を用いると、大気中
での短時間の照射により、基板表面に残る有機物質が酸
化分解される。同時に、その基板がウエットエッチング
に適した３０〜４０℃に予熱される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＬＣＤ等の製造に使
用されるウエットエッチング方法に関する。
用されるウエットエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤの製造では、ガラス基板の表面上
に、パターニングされた薄膜が繰り返し積層される。そ
れぞれの薄膜形成工程では、成膜−レジスト塗布−露光
−現像−エッチング−レジスト除去が実施される。即
ち、現像では露光部分のレジストが除去され、現像に続
くエッチングでは、残ったレジストをマスクとして薄膜
が選択的に除去されることにより、パターニングされた
薄膜が形成される。
に、パターニングされた薄膜が繰り返し積層される。そ
れぞれの薄膜形成工程では、成膜−レジスト塗布−露光
−現像−エッチング−レジスト除去が実施される。即
ち、現像では露光部分のレジストが除去され、現像に続
くエッチングでは、残ったレジストをマスクとして薄膜
が選択的に除去されることにより、パターニングされた
薄膜が形成される。
【０００３】ここにおけるエッチングとしてはウエット
エッチングとドライエッチングがある。ウエットエッチ
ングは酸液により薄膜を分解除去し、ドライエッチング
はフッ素系ガスや塩素系ガス等により薄膜を分解除去す
る。
エッチングとドライエッチングがある。ウエットエッチ
ングは酸液により薄膜を分解除去し、ドライエッチング
はフッ素系ガスや塩素系ガス等により薄膜を分解除去す
る。
【０００４】ウエットエッチングとドライエッチングを
比較した場合、エッチレートはウエットエッチングの方
が格段に大きく、装置価格もウエットエッチングの方が
安価である。このため、ウエットエッチングが多用され
ているが、そのパターンサイズは線間距離で７μｍ程度
が限界であり、これより微細なパターンの形成にはドラ
イエッチングが必要とされている。その理由は、現像に
よってレジストが部分的に除去された基板と言えども、
そのレジスト除去部分にはスカムと呼ばれる薄い有機物
質層が残存しており、これがエッチング液をはじくため
とされている。また、スカム以外にもエッチングに影響
する因子がある。即ち人間、装置、空気等が基板汚染源
として考えられ、クリーンルーム内に基板を放置してお
くと表面に有機物が付着し、エッチング不良が生じる。
比較した場合、エッチレートはウエットエッチングの方
が格段に大きく、装置価格もウエットエッチングの方が
安価である。このため、ウエットエッチングが多用され
ているが、そのパターンサイズは線間距離で７μｍ程度
が限界であり、これより微細なパターンの形成にはドラ
イエッチングが必要とされている。その理由は、現像に
よってレジストが部分的に除去された基板と言えども、
そのレジスト除去部分にはスカムと呼ばれる薄い有機物
質層が残存しており、これがエッチング液をはじくため
とされている。また、スカム以外にもエッチングに影響
する因子がある。即ち人間、装置、空気等が基板汚染源
として考えられ、クリーンルーム内に基板を放置してお
くと表面に有機物が付着し、エッチング不良が生じる。
【０００５】このような現像後に残るスカム等の有機物
を除去する方法の一つとして、光オゾンアッシングが考
えられている。光オゾンアッシングは、オゾンを含む雰
囲気中で基板に紫外線を照射し、オゾンと紫外線の反応
で生じたＯラジカルにより、レジスト除去部分に存在す
るスカム等の有機物を酸化分解除去する方法である。し
かしながら、光オゾンアッシングには以下のような問題
があり、その結果、線間距離で５μｍ以下というような
微細パターンの形成にウエットエッチングを適用するの
は依然として困難な状況である。
を除去する方法の一つとして、光オゾンアッシングが考
えられている。光オゾンアッシングは、オゾンを含む雰
囲気中で基板に紫外線を照射し、オゾンと紫外線の反応
で生じたＯラジカルにより、レジスト除去部分に存在す
るスカム等の有機物を酸化分解除去する方法である。し
かしながら、光オゾンアッシングには以下のような問題
があり、その結果、線間距離で５μｍ以下というような
微細パターンの形成にウエットエッチングを適用するの
は依然として困難な状況である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】レジスト塗布を受けた
基板に紫外線を照射すると、そのレジストが変質し、エ
ッチング後の基板からレジストを除去するのが困難にな
るという本質的な問題がある。この問題のため、一般に
は現像後（エッチング前）の基板に光オゾンアッシング
を行うのは不適とされている。
基板に紫外線を照射すると、そのレジストが変質し、エ
ッチング後の基板からレジストを除去するのが困難にな
るという本質的な問題がある。この問題のため、一般に
は現像後（エッチング前）の基板に光オゾンアッシング
を行うのは不適とされている。
【０００７】この問題を解決するために、紫外線を基板
表面に照射せず、雰囲気中のオゾンにのみ照射して、光
オゾンアッシングを行う技術が、特開平７−２５３６７
７号公報に記載されている。しかしながら、この技術で
は、紫外線を基板表面に照射しないために、その紫外線
を基板表面に照射する場合と比べて、有機物除去効果が
低下する。
表面に照射せず、雰囲気中のオゾンにのみ照射して、光
オゾンアッシングを行う技術が、特開平７−２５３６７
７号公報に記載されている。しかしながら、この技術で
は、紫外線を基板表面に照射しないために、その紫外線
を基板表面に照射する場合と比べて、有機物除去効果が
低下する。
【０００８】特開平７−２５３６７７号公報に記載され
た光オゾンアッシングでは、紫外線の発生源として低圧
水銀ランプが使用されている。また、この光オゾンアッ
シングに限らず、一般の紫外線洗浄では、紫外線の発生
源として低圧水銀ランプが使用されている。
た光オゾンアッシングでは、紫外線の発生源として低圧
水銀ランプが使用されている。また、この光オゾンアッ
シングに限らず、一般の紫外線洗浄では、紫外線の発生
源として低圧水銀ランプが使用されている。
【０００９】低圧水銀ランプは、主に波長が２５４ｎｍ
の紫外線を放射する。この紫外線はオゾンを分解し、こ
れによりＯラジカルを生成するが、オゾンの存在が前提
となるので、紫外線を照射する雰囲気にオゾンを供給す
る必要がある。そのため、設備が複雑となり、そのコス
トが上昇する。また、設備構造の複雑化は、後述するス
ループット性を低下させる原因にもなる。
の紫外線を放射する。この紫外線はオゾンを分解し、こ
れによりＯラジカルを生成するが、オゾンの存在が前提
となるので、紫外線を照射する雰囲気にオゾンを供給す
る必要がある。そのため、設備が複雑となり、そのコス
トが上昇する。また、設備構造の複雑化は、後述するス
ループット性を低下させる原因にもなる。
【００１０】低圧水銀ランプを用いた光オゾンアッシン
グの場合、有機物を完全に除去するためには２分程度の
照射時間が必要になる。しかも、低圧水銀ランプで２分
間もの紫外線照射を行うと、基板はかなりの高温に加熱
される。一方、ウエットエッチングに使用されるエッチ
ング液の温度は４０℃程度に管理されている。そして、
紫外線照射により高温に加熱された基板にエッチング液
を接触させると、ヒートショックによって基板が割れ
る。このため、紫外線照射後に長い時間のクールダウン
も必要になる。他方、スピンエッチャ等による高効率な
枚葉式湿式処理の場合、スループット時間は１分程度で
ある。このため、高効率処理では、スループットの点か
らも現像後（エッチング前）の光オゾンアッシングの適
用は困難である。
グの場合、有機物を完全に除去するためには２分程度の
照射時間が必要になる。しかも、低圧水銀ランプで２分
間もの紫外線照射を行うと、基板はかなりの高温に加熱
される。一方、ウエットエッチングに使用されるエッチ
ング液の温度は４０℃程度に管理されている。そして、
紫外線照射により高温に加熱された基板にエッチング液
を接触させると、ヒートショックによって基板が割れ
る。このため、紫外線照射後に長い時間のクールダウン
も必要になる。他方、スピンエッチャ等による高効率な
枚葉式湿式処理の場合、スループット時間は１分程度で
ある。このため、高効率処理では、スループットの点か
らも現像後（エッチング前）の光オゾンアッシングの適
用は困難である。
【００１１】特開平７−２５３６７７号公報に記載され
た光オゾンアッシングでは、基板表面に紫外線を照射し
ないことにより有機物除去効率が低下するので、スルー
プット性能は更に劣ることが予想される。
た光オゾンアッシングでは、基板表面に紫外線を照射し
ないことにより有機物除去効率が低下するので、スルー
プット性能は更に劣ることが予想される。
【００１２】ちなみに、現像後（エッチング前）に光オ
ゾンアッシングを行わず、常温で基板をエッチング液と
接触させた場合、基板がエッチング液の温度になるまで
は所定のエッチングレートが確保されないので、エッチ
ング時間が長くなり、そのレートのバラツキも生じる。
ゾンアッシングを行わず、常温で基板をエッチング液と
接触させた場合、基板がエッチング液の温度になるまで
は所定のエッチングレートが確保されないので、エッチ
ング時間が長くなり、そのレートのバラツキも生じる。
【００１３】このように、特開平７−２５３６７７号公
報に記載された光オゾンアッシングを含め、従来の現像
後（エッチング前）の光オゾンアッシングには多くの問
題がある。これらの問題のため、実際の操業でこの光オ
ゾンアッシングを実施することは困難であり、とりわけ
スピンエッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理での実
施が困難である。従って、線間距離で５μｍ以下という
ような微細パターンの形成にウエットエッチングを適用
するのは依然として困難な状況である。
報に記載された光オゾンアッシングを含め、従来の現像
後（エッチング前）の光オゾンアッシングには多くの問
題がある。これらの問題のため、実際の操業でこの光オ
ゾンアッシングを実施することは困難であり、とりわけ
スピンエッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理での実
施が困難である。従って、線間距離で５μｍ以下という
ような微細パターンの形成にウエットエッチングを適用
するのは依然として困難な状況である。
【００１４】本発明の目的は、線間距離で５μｍ以下と
いうような微細パターンの形成も可能なウエットエッチ
ング方法を提供することにある。
いうような微細パターンの形成も可能なウエットエッチ
ング方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のウエットエッチング方法は、ウエットエッ
チング処理直前の基板に、１７２ｎｍの波長を主体とす
る紫外線を照射し、紫外線の照射により加熱された状態
の基板に対してウエットエッチング処理を行うものであ
る。
に、本発明のウエットエッチング方法は、ウエットエッ
チング処理直前の基板に、１７２ｎｍの波長を主体とす
る紫外線を照射し、紫外線の照射により加熱された状態
の基板に対してウエットエッチング処理を行うものであ
る。
【００１６】１７２ｎｍの波長を主体とする紫外線は、
例えばエキシマランプにより発生させることができる。
エキシマランプは、放電ガスが充填されたランプ内で発
生した放電プラズマにより、励起され瞬間的にエキシマ
状態となった放電ガスの原子が、このエキシマ状態から
元の基底状態に戻る過程で、そのエキシマ特有のスペク
トルを発光する現象を利用した紫外線ランプであり、放
電ガスとしてＸｅガスを使用することにより、中心波長
が１７２ｎｍの単色光を発生する。
例えばエキシマランプにより発生させることができる。
エキシマランプは、放電ガスが充填されたランプ内で発
生した放電プラズマにより、励起され瞬間的にエキシマ
状態となった放電ガスの原子が、このエキシマ状態から
元の基底状態に戻る過程で、そのエキシマ特有のスペク
トルを発光する現象を利用した紫外線ランプであり、放
電ガスとしてＸｅガスを使用することにより、中心波長
が１７２ｎｍの単色光を発生する。
【００１７】中心波長が１７２ｎｍのエキシマ光は、大
気中の酸素に吸収され、その酸素からオゾンを経由せず
に直接Ｏラジカルを生成する。また、その酸素をオゾン
化し、このオゾンからＯラジカルを生成する機能も合わ
せもつ。従って、このエキシマ光をウエットエッチング
処理直前の基板に照射すると、スカム等の有機物がＯラ
ジカルにより酸化分解されるだけでなく、外部からのオ
ゾンの供給が不要となる。即ち、大気雰囲気中での処理
が可能となる。
気中の酸素に吸収され、その酸素からオゾンを経由せず
に直接Ｏラジカルを生成する。また、その酸素をオゾン
化し、このオゾンからＯラジカルを生成する機能も合わ
せもつ。従って、このエキシマ光をウエットエッチング
処理直前の基板に照射すると、スカム等の有機物がＯラ
ジカルにより酸化分解されるだけでなく、外部からのオ
ゾンの供給が不要となる。即ち、大気雰囲気中での処理
が可能となる。
【００１８】しかも、このエキシマ光によると、紫外線
の照射に伴うレジストの変質が回避される。なぜなら、
エキシマ光は大気に照射されると大気中の酸素の吸収さ
れ減衰するため、基板上のレジストに直接的な影響を与
えることが少ないからである。しかも、後で述べるよう
に基板１枚当たりの照射時間が短くなり、この点からも
レジストの変質が回避される。
の照射に伴うレジストの変質が回避される。なぜなら、
エキシマ光は大気に照射されると大気中の酸素の吸収さ
れ減衰するため、基板上のレジストに直接的な影響を与
えることが少ないからである。しかも、後で述べるよう
に基板１枚当たりの照射時間が短くなり、この点からも
レジストの変質が回避される。
【００１９】加えて、エキシマ光によると、紫外線の照
射に伴う基板の過度の加熱も回避される。なぜなら、こ
のエキシマ光によると、有機物除去効果が低圧水銀ラン
プを使用した場合の数倍に達し、照射時間が３０秒程度
に短縮され、合わせて赤外線の発生が少ないからであ
る。そして、この短時間照射により、基板はエッチング
液と同程度の３０〜４０℃にほどよく加熱され、照射終
了直後にその基板をエッチング液と接触させても基板の
割れが回避される。また、その接触開始から所定のエッ
チングレートが得られる。これらのため、低圧水銀ラン
プを用いる場合に比べてスループット性が著しく向上す
る。
射に伴う基板の過度の加熱も回避される。なぜなら、こ
のエキシマ光によると、有機物除去効果が低圧水銀ラン
プを使用した場合の数倍に達し、照射時間が３０秒程度
に短縮され、合わせて赤外線の発生が少ないからであ
る。そして、この短時間照射により、基板はエッチング
液と同程度の３０〜４０℃にほどよく加熱され、照射終
了直後にその基板をエッチング液と接触させても基板の
割れが回避される。また、その接触開始から所定のエッ
チングレートが得られる。これらのため、低圧水銀ラン
プを用いる場合に比べてスループット性が著しく向上す
る。
【００２０】そして、これらの作用の相乗の結果とし
て、スピンエッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理で
の実施も可能となり、線間距離で５μｍ以下というよう
な微細パターンの形成にウエットエッチングを適用する
のが可能となる。
て、スピンエッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理で
の実施も可能となり、線間距離で５μｍ以下というよう
な微細パターンの形成にウエットエッチングを適用する
のが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明のウエットエッチング
方法を実施するのに適したエッチング装置の平面図であ
る。
基づいて説明する。図１は本発明のウエットエッチング
方法を実施するのに適したエッチング装置の平面図であ
る。
【００２２】本エッチング装置は、ＬＣＤ用のガラス基
板６０にウエットエッチングを行うものであり、先に本
出願人が開発した放射型装置である（特願平９−１９０
４９５号）。
板６０にウエットエッチングを行うものであり、先に本
出願人が開発した放射型装置である（特願平９−１９０
４９５号）。
【００２３】即ち、このエッチング装置は、ダブルハン
ドロボット型式の基板授受ユニット１０を中心として、
その両側に第１の基板処理ユニット２０と第２の基板処
理ユニット２０′を配置すると共に、手前側に、紫外線
照射・両面洗浄ユニット３０を配置し、更に、紫外線照
射・両面洗浄ユニット３０の片側に基板移載ユニット４
０及びローダ・アンローダを兼ねるローダユニット５０
を配置した放射型レイアウトを採用している。
ドロボット型式の基板授受ユニット１０を中心として、
その両側に第１の基板処理ユニット２０と第２の基板処
理ユニット２０′を配置すると共に、手前側に、紫外線
照射・両面洗浄ユニット３０を配置し、更に、紫外線照
射・両面洗浄ユニット３０の片側に基板移載ユニット４
０及びローダ・アンローダを兼ねるローダユニット５０
を配置した放射型レイアウトを採用している。
【００２４】第１の基板処理ユニット２０と第２の基板
処理ユニット２０′は、基本的に同じ構造のスピン処理
ユニットであり、処理液の違いと僅かな仕様の違いによ
り、前者がエッチングユニット、後者が仕上げ洗浄・乾
燥ユニットとして使用されている。
処理ユニット２０′は、基本的に同じ構造のスピン処理
ユニットであり、処理液の違いと僅かな仕様の違いによ
り、前者がエッチングユニット、後者が仕上げ洗浄・乾
燥ユニットとして使用されている。
【００２５】紫外線照射・両面洗浄ユニット３０は、両
面洗浄部の上に紫外線照射部を重ねたものである。紫外
線照射部は、架台に載置された基板６０に上方から、中
心波長が１７２ｎｍのエキシマ光を照射するエキシマラ
ンプユニットを備えており、基板６０の仮置き台（バッ
ファ）を兼ねている。
面洗浄部の上に紫外線照射部を重ねたものである。紫外
線照射部は、架台に載置された基板６０に上方から、中
心波長が１７２ｎｍのエキシマ光を照射するエキシマラ
ンプユニットを備えており、基板６０の仮置き台（バッ
ファ）を兼ねている。
【００２６】ローダユニット５０は未処理の基板６０を
積載したストッカ７０と、処理済の基板６０を載置する
ストッカ８０を定位置に位置決めする。基板移載ユニッ
ト４０は、シングルハンドロボットにより、ストッカ７
０から未処理の基板６０を取り出して紫外線照射・両面
洗浄ユニット３０の紫外線照射部に載せると共に、その
紫外線照射部に載せられている処理済の基板６０をスト
ッカ８０に載せる。
積載したストッカ７０と、処理済の基板６０を載置する
ストッカ８０を定位置に位置決めする。基板移載ユニッ
ト４０は、シングルハンドロボットにより、ストッカ７
０から未処理の基板６０を取り出して紫外線照射・両面
洗浄ユニット３０の紫外線照射部に載せると共に、その
紫外線照射部に載せられている処理済の基板６０をスト
ッカ８０に載せる。
【００２７】そして、基板授受ユニット１０は、そのダ
ブルハンドロボットを用い、適宜紫外線照射・両面洗浄
ユニット３０の紫外線照射部をバッファとして使用しな
がら、第１の基板処理ユニット２０、第２の基板処理ユ
ニット２０′及び紫外線照射・両面洗浄ユニット３０に
対して基板６０の授受を行う。
ブルハンドロボットを用い、適宜紫外線照射・両面洗浄
ユニット３０の紫外線照射部をバッファとして使用しな
がら、第１の基板処理ユニット２０、第２の基板処理ユ
ニット２０′及び紫外線照射・両面洗浄ユニット３０に
対して基板６０の授受を行う。
【００２８】一方、第１の基板処理ユニット２０、第２
の基板処理ユニット２０′及び紫外線照射・両面洗浄ユ
ニット３０は、受け取った基板６０に対して所定の処理
を行う。これにより、ストッカ７０内の未処理の基板７
０は順次ウエットエッチング処理されてストッカ８０に
搬入される。
の基板処理ユニット２０′及び紫外線照射・両面洗浄ユ
ニット３０は、受け取った基板６０に対して所定の処理
を行う。これにより、ストッカ７０内の未処理の基板７
０は順次ウエットエッチング処理されてストッカ８０に
搬入される。
【００２９】即ち、現像処理を終えた基板６０が、基板
移載ユニット４０によりストッカ７０から取り出され、
紫外線照射・両面洗浄ユニット３０の紫外線照射部に搬
入され、その基板６０の上面に大気中で中心波長が１７
２ｎｍのエキシマ光が照射される。これにより、スカム
が除去されると共に、予熱が行われる。
移載ユニット４０によりストッカ７０から取り出され、
紫外線照射・両面洗浄ユニット３０の紫外線照射部に搬
入され、その基板６０の上面に大気中で中心波長が１７
２ｎｍのエキシマ光が照射される。これにより、スカム
が除去されると共に、予熱が行われる。
【００３０】エキシマ光の照射が終わると、基板授受ユ
ニット１０により、基板６０が紫外線照射部から取り出
され、エッチングユニットである第１の基板処理ユニッ
ト２０内に搬入される。第１の基板処理ユニット２０で
は、回転する基板６０の上面にエッチング液がスプレー
される。スプレーが終わると、窒素ガスパージにより、
エッチング液が排除される。
ニット１０により、基板６０が紫外線照射部から取り出
され、エッチングユニットである第１の基板処理ユニッ
ト２０内に搬入される。第１の基板処理ユニット２０で
は、回転する基板６０の上面にエッチング液がスプレー
される。スプレーが終わると、窒素ガスパージにより、
エッチング液が排除される。
【００３１】液切りが終わると、基板授受ユニット１０
により、基板６０が第１の基板処理ユニット２０から取
り出され、紫外線照射・両面洗浄ユニット３０の両面洗
浄部に搬入される。両面洗浄部の両面が純水スプレーに
より粗洗浄される。
により、基板６０が第１の基板処理ユニット２０から取
り出され、紫外線照射・両面洗浄ユニット３０の両面洗
浄部に搬入される。両面洗浄部の両面が純水スプレーに
より粗洗浄される。
【００３２】粗洗浄が終わると、基板授受ユニット１０
により、基板６０が両面洗浄部から取り出され、第２の
基板処理ユニット２０′に搬入される。第２の基板処理
ユニット２０′では、回転する基板６０の上面に純水が
スプレーされ、仕上げ洗浄が行われる。スプレーが終わ
ると、窒素ガスパージにより、乾燥が行われる。
により、基板６０が両面洗浄部から取り出され、第２の
基板処理ユニット２０′に搬入される。第２の基板処理
ユニット２０′では、回転する基板６０の上面に純水が
スプレーされ、仕上げ洗浄が行われる。スプレーが終わ
ると、窒素ガスパージにより、乾燥が行われる。
【００３３】乾燥が終わると、基板授受ユニット１０に
より、基板６０が第２の基板処理ユニット２０′から取
り出され、紫外線照射・両面洗浄ユニット３０の紫外線
照射部に搬入される。このとき、紫外線照射部はバッフ
ァとして使用される。
より、基板６０が第２の基板処理ユニット２０′から取
り出され、紫外線照射・両面洗浄ユニット３０の紫外線
照射部に搬入される。このとき、紫外線照射部はバッフ
ァとして使用される。
【００３４】最後に、紫外線照射部内の基板６０が、基
板移載ユニット４０によりローダユニット５０に搬送さ
れ、ローダユニット５０内のストッカ８０に収納され
る。
板移載ユニット４０によりローダユニット５０に搬送さ
れ、ローダユニット５０内のストッカ８０に収納され
る。
【００３５】次に、エッチング処理直前の基板に大気中
で中心波長が１７２ｎｍのエキシマ光を照射することの
効果を明らかにする。
で中心波長が１７２ｎｍのエキシマ光を照射することの
効果を明らかにする。
【００３６】ＬＣＤ用のガラス基板の表面に成膜を行っ
た後、その膜上にレジストを塗布し、プリベークした。
このレジスト塗布の後、線幅が１０μｍで、線間距離が
１０μｍ、７μｍ、５μｍとなるように露光現像を行っ
た。レジストの現像を終えた基板表面に、大気中で中心
波長が１７２ｎｍのエキシマ光を３０秒間照射した後、
エッチング処理、粗洗浄、仕上げ洗浄、乾燥を順に実施
した。その後にレジスト除去を行い、線間で下地である
ガラス基板が完全に露出している場合に、エッチングが
行えていると判断した。
た後、その膜上にレジストを塗布し、プリベークした。
このレジスト塗布の後、線幅が１０μｍで、線間距離が
１０μｍ、７μｍ、５μｍとなるように露光現像を行っ
た。レジストの現像を終えた基板表面に、大気中で中心
波長が１７２ｎｍのエキシマ光を３０秒間照射した後、
エッチング処理、粗洗浄、仕上げ洗浄、乾燥を順に実施
した。その後にレジスト除去を行い、線間で下地である
ガラス基板が完全に露出している場合に、エッチングが
行えていると判断した。
【００３７】エキシマランプとしては、ウシオ電機株式
会社製造の誘電体バリア放電エキシマランプＵＥＲ４６
５３０８−１７２を使用した。エッチング液のスプレー
時間は、エキシマ光を照射しない場合の、線間１０μｍ
でのジャストエッチング時間に設定した。
会社製造の誘電体バリア放電エキシマランプＵＥＲ４６
５３０８−１７２を使用した。エッチング液のスプレー
時間は、エキシマ光を照射しない場合の、線間１０μｍ
でのジャストエッチング時間に設定した。
【００３８】エキシマ光の照射により、基板は約４０℃
に加熱された。レジスト除去後の基板は１０μｍ，７μ
ｍ，５μｍの全ての線間でエッチングが行われていた。
に加熱された。レジスト除去後の基板は１０μｍ，７μ
ｍ，５μｍの全ての線間でエッチングが行われていた。
【００３９】比較のために、エキシマ光の照射を行わな
かった。レジスト除去後の基板は１０μｍの線間でのみ
エッチングが行われていた。
かった。レジスト除去後の基板は１０μｍの線間でのみ
エッチングが行われていた。
【００４０】また、エキシマランプの代わりに低圧水銀
ランプを用いて紫外線照射を行った。照射時間が３０秒
の場合は、基板が約６０℃まで加熱されたため、４０℃
への冷却に６０秒を要した。レジスト除去後の基板はエ
キシマ光の照射を行わない場合と同じであった。
ランプを用いて紫外線照射を行った。照射時間が３０秒
の場合は、基板が約６０℃まで加熱されたため、４０℃
への冷却に６０秒を要した。レジスト除去後の基板はエ
キシマ光の照射を行わない場合と同じであった。
【００４１】また照射時間が２分間の場合は、基板が約
１００℃まで加熱され、４０℃への冷却に１２０秒を要
した。大気中照射のため（オゾンを使用しないため）、
レジスト除去後の基板は１０μｍ，７μｍの線間でエッ
チングが行われ、５μｍの線間ではエッチングが行われ
なかった。しかも、紫外線の長時間照射のために、レジ
スト除去では変質したレジストの一部が除去されずに線
上に残留しているのが認められた。
１００℃まで加熱され、４０℃への冷却に１２０秒を要
した。大気中照射のため（オゾンを使用しないため）、
レジスト除去後の基板は１０μｍ，７μｍの線間でエッ
チングが行われ、５μｍの線間ではエッチングが行われ
なかった。しかも、紫外線の長時間照射のために、レジ
スト除去では変質したレジストの一部が除去されずに線
上に残留しているのが認められた。
【００４２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のウエットエッチング方法は、そのエッチング処理直前
に基板表面に、１７２ｎｍの波長を主体とする紫外線を
照射することにより、基板表面に残存する不要な有機物
質を大気中で短時間に分解除去することができ、レジス
ト除去に悪影響を及ぼす危険もない。しかも、その紫外
線照射により、基板をエッチング処理に適した温度に予
熱することができる。これらの結果、エッチング性のみ
ならず、スループット性も合わせて改善され、スピンエ
ッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理への適用も可能
となることから、線間距離で５μｍ以下というような微
細パターンの形成に、高効率で経済的なウエットエッチ
ングの適用が可能となる。
のウエットエッチング方法は、そのエッチング処理直前
に基板表面に、１７２ｎｍの波長を主体とする紫外線を
照射することにより、基板表面に残存する不要な有機物
質を大気中で短時間に分解除去することができ、レジス
ト除去に悪影響を及ぼす危険もない。しかも、その紫外
線照射により、基板をエッチング処理に適した温度に予
熱することができる。これらの結果、エッチング性のみ
ならず、スループット性も合わせて改善され、スピンエ
ッチャ等による高効率な枚葉式湿式処理への適用も可能
となることから、線間距離で５μｍ以下というような微
細パターンの形成に、高効率で経済的なウエットエッチ
ングの適用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエットエッチング方法を実施するの
に適したエッチング装置の平面図である。
に適したエッチング装置の平面図である。
１０ 基板授受ユニット ２０ 第１の基板処理ユニット ２０′ 第２の基板処理ユニット ３０ 紫外線照射・両面洗浄ユニット ４０ 基板移載ユニット ５０ ローダユニット ６０ 基板 ７０，８０ ストッカ
Claims (4)
- 【請求項１】 ウエットエッチング処理直前の基板に、
１７２ｎｍの波長を主体とする紫外線を照射する工程
と、紫外線の照射により加熱された状態の基板に対して
ウエットエッチング処理を行う工程とを包含することを
特徴とするウエットエッチング方法。 - 【請求項２】 前記紫外線は、エキシマランプにより発
生させた中心波長が１７２ｎｍのエキシマ光であること
を特徴とする請求項１に記載のウエットエッチング方
法。 - 【請求項３】 前記紫外線を照射する雰囲気は大気であ
る請求項１又は２に記載のウエットエッチング方法。 - 【請求項４】 前記基板の加熱温度は３０〜４０℃であ
る請求項１、２又は３に記載のウエットエッチング方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10142334A JPH11323576A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | ウエットエッチング方法 |
| TW088107129A TW469479B (en) | 1998-05-08 | 1999-05-03 | Method of wet etching and apparatus thereof |
| KR1019990016311A KR19990088109A (ko) | 1998-05-08 | 1999-05-07 | 웨트에칭방법및장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10142334A JPH11323576A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | ウエットエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11323576A true JPH11323576A (ja) | 1999-11-26 |
Family
ID=15312949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10142334A Pending JPH11323576A (ja) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | ウエットエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11323576A (ja) |
| KR (1) | KR19990088109A (ja) |
| TW (1) | TW469479B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196740A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| JP2004289032A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 紫外光照射装置、エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 |
| KR100701682B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2007-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 플로우팅 게이트 제조방법 |
| JP2010232407A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷配線板およびその製造方法 |
| JP2014110319A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tazmo Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2015537372A (ja) * | 2012-10-05 | 2015-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を清浄化するためのプロセスガスの生成 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6254516B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2017-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP6825956B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-02-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法および紫外線照射手段の選択方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930005440B1 (ko) * | 1989-10-02 | 1993-06-21 | 다이닛뽕 스쿠린 세이소오 가부시키가이샤 | 절연막의 선택적 제거방법 |
| JPH03123019A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-24 | Nec Corp | フォトレジスト膜形成方法 |
| JP3094488B2 (ja) * | 1991-03-07 | 2000-10-03 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR980011877A (ko) * | 1996-07-19 | 1998-04-30 | 김광호 | 반도체장치의 층간 접속방법 |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP10142334A patent/JPH11323576A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-03 TW TW088107129A patent/TW469479B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-05-07 KR KR1019990016311A patent/KR19990088109A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001196740A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| JP4497613B2 (ja) * | 2000-01-07 | 2010-07-07 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板の製造方法 |
| KR100701682B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2007-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 플로우팅 게이트 제조방법 |
| JP2004289032A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 紫外光照射装置、エッチング装置、エッチング方法および半導体装置の製造方法 |
| US7935266B2 (en) | 2003-03-25 | 2011-05-03 | Renesas Electronics Corporation | Wet etching method using ultraviolet-light and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2010232407A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 印刷配線板およびその製造方法 |
| JP2015537372A (ja) * | 2012-10-05 | 2015-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を清浄化するためのプロセスガスの生成 |
| US9966280B2 (en) | 2012-10-05 | 2018-05-08 | Tokyo Electron Limited | Process gas generation for cleaning of substrates |
| JP2014110319A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Tazmo Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990088109A (ko) | 1999-12-27 |
| TW469479B (en) | 2001-12-21 |
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