JPH11311611A - 電子分光分析法 - Google Patents
電子分光分析法Info
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- JPH11311611A JPH11311611A JP10120187A JP12018798A JPH11311611A JP H11311611 A JPH11311611 A JP H11311611A JP 10120187 A JP10120187 A JP 10120187A JP 12018798 A JP12018798 A JP 12018798A JP H11311611 A JPH11311611 A JP H11311611A
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- conductive film
- electron
- analysis
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】試料に照射する励起源による試料表面の帯電を
防止し、分析を正確に行なうことができる電子分光分析
法を提供する。 【解決手段】基板２上に設けた絶縁膜３上に絶縁性異物
４が存在する試料１上に導電膜５を形成し、異物４上の
導電膜５にのみイオンビーム６を照射して該導電膜５を
除去し、導電膜５を接地電位のステージ７に電気的に接
続し、異物４に電子ビーム９を照射し、異物４から放出
されたオージェ電子１０を検出し、オージェ電子分光分
析を行なう。
防止し、分析を正確に行なうことができる電子分光分析
法を提供する。 【解決手段】基板２上に設けた絶縁膜３上に絶縁性異物
４が存在する試料１上に導電膜５を形成し、異物４上の
導電膜５にのみイオンビーム６を照射して該導電膜５を
除去し、導電膜５を接地電位のステージ７に電気的に接
続し、異物４に電子ビーム９を照射し、異物４から放出
されたオージェ電子１０を検出し、オージェ電子分光分
析を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子分光分析法に
係り、特に、該方法において帯電を防止する技術に関す
る。
係り、特に、該方法において帯電を防止する技術に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子（すなわち、液晶表示パネ
ル、あるいはＬＣＤ(リキッド クリスタル ディスプレ
イ)）や、半導体装置等の製造においては、基板上に各
種薄膜を堆積し、所定のパターンに加工し、順次必要な
膜を形成する。
ル、あるいはＬＣＤ(リキッド クリスタル ディスプレ
イ)）や、半導体装置等の製造においては、基板上に各
種薄膜を堆積し、所定のパターンに加工し、順次必要な
膜を形成する。
【０００３】例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をス
イッチング素子として有するアクティブマトリクス方式
液晶表示素子を構成する２枚の液晶表示基板のうち、Ｔ
ＦＴ基板（ＴＦＴを形成する側の基板）を形成するプロ
セスにおいては、通常、ゲート配線、ゲート絶縁膜、半
導体膜、ドレイン配線、画素電極、保護膜等の各薄膜を
成膜し、フォトリソグラフィ工程を用いて、各薄膜を所
定のパターンに加工する。このフォトリソグラフィ工程
においては、レジスト膜の堆積、現像、各薄膜のウェッ
トあるいはドライエッチング等が行なわれる。
イッチング素子として有するアクティブマトリクス方式
液晶表示素子を構成する２枚の液晶表示基板のうち、Ｔ
ＦＴ基板（ＴＦＴを形成する側の基板）を形成するプロ
セスにおいては、通常、ゲート配線、ゲート絶縁膜、半
導体膜、ドレイン配線、画素電極、保護膜等の各薄膜を
成膜し、フォトリソグラフィ工程を用いて、各薄膜を所
定のパターンに加工する。このフォトリソグラフィ工程
においては、レジスト膜の堆積、現像、各薄膜のウェッ
トあるいはドライエッチング等が行なわれる。
【０００４】これらの工程において、基板上に数μｍ〜
数百μｍ程度の各種の異物が形成されることがあり（例
えば膜形成物質の残存）、この異物の存在に起因して不
良が生じることがあるので、この異物の構成元素が何で
あるかを分析する必要が生じる。従来、この分析を行な
うために、電子分光分析法が用いられる。電子分光分析
法には、オージェ電子分光分析法やＸ線光電子分光分析
法がある。
数百μｍ程度の各種の異物が形成されることがあり（例
えば膜形成物質の残存）、この異物の存在に起因して不
良が生じることがあるので、この異物の構成元素が何で
あるかを分析する必要が生じる。従来、この分析を行な
うために、電子分光分析法が用いられる。電子分光分析
法には、オージェ電子分光分析法やＸ線光電子分光分析
法がある。
【０００５】オージェ電子分光分析法は、一般に知られ
ているように、電子分光法の一種で、通常、３〜２５ｋ
ｅＶ程度の電子ビームを試料表面に照射し、オージェ効
果によって放出されるオージェ電子を検出し、物質によ
って固有のそのエネルギーを測定し、エネルギースペク
トルを解析することにより、固体表面近傍に存在する異
物の元素分析が可能で、確立された技術である。オージ
ェ電子エネルギースペクトルは、元素やその化合状態に
よって変化し、特徴のある様相を呈し、これにより、元
素分析を行なうことができる。また、前記オージェ効果
とは、励起状態にある原子が基底状態に遷移するとき、
準位間のエネルギー差に等しいエネルギーの光子を放出
する代わりに、原子内の他の電子にそのエネルギーを与
えて非放射的に基底状態に戻り、その際、１個の電子を
放出する現象である。
ているように、電子分光法の一種で、通常、３〜２５ｋ
ｅＶ程度の電子ビームを試料表面に照射し、オージェ効
果によって放出されるオージェ電子を検出し、物質によ
って固有のそのエネルギーを測定し、エネルギースペク
トルを解析することにより、固体表面近傍に存在する異
物の元素分析が可能で、確立された技術である。オージ
ェ電子エネルギースペクトルは、元素やその化合状態に
よって変化し、特徴のある様相を呈し、これにより、元
素分析を行なうことができる。また、前記オージェ効果
とは、励起状態にある原子が基底状態に遷移するとき、
準位間のエネルギー差に等しいエネルギーの光子を放出
する代わりに、原子内の他の電子にそのエネルギーを与
えて非放射的に基底状態に戻り、その際、１個の電子を
放出する現象である。
【０００６】なお、励起源として、電子ビームの代わり
に、Ｘ線を用いるＸ線光電子分光分析法においては、Ｘ
線を試料に照射し、試料の表面から放出される光電子の
エネルギーを解析する。
に、Ｘ線を用いるＸ線光電子分光分析法においては、Ｘ
線を試料に照射し、試料の表面から放出される光電子の
エネルギーを解析する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】オージェ電子分光分析
等を行なう際、試料面上の異物が絶縁性で、その異物が
絶縁膜等の絶縁性の物質上に存在する場合、試料に照射
する電子ビームの入射電子により試料表面が帯電して、
エネルギーの測定値が変化し、正確なエネルギースペク
トルが得られなかったり、正常なエネルギースペクトル
の測定が困難になるという問題があった。
等を行なう際、試料面上の異物が絶縁性で、その異物が
絶縁膜等の絶縁性の物質上に存在する場合、試料に照射
する電子ビームの入射電子により試料表面が帯電して、
エネルギーの測定値が変化し、正確なエネルギースペク
トルが得られなかったり、正常なエネルギースペクトル
の測定が困難になるという問題があった。
【０００８】本発明の目的は、試料に照射する励起源の
影響による試料表面の帯電を防止し、分析を正確に行な
うことができる電子分光分析法を提供することにある。
影響による試料表面の帯電を防止し、分析を正確に行な
うことができる電子分光分析法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の電子分光分析法は、試料の絶縁性の分析部
の表面を露出し、前記分析部の周辺に導電膜を形成し、
前記導電膜を接地電位に接続した状態で、電子分光分析
を行なうことを特徴とする。
に、本発明の電子分光分析法は、試料の絶縁性の分析部
の表面を露出し、前記分析部の周辺に導電膜を形成し、
前記導電膜を接地電位に接続した状態で、電子分光分析
を行なうことを特徴とする。
【００１０】また、試料の絶縁膜上の分析部を含む領域
上に導電膜を形成し、前記分析部の前記導電膜を選択的
に除去して前記分析部の表面を露出し、前記導電膜を接
地電位に接続し、電子分光分析を行なうことを特徴とす
る。
上に導電膜を形成し、前記分析部の前記導電膜を選択的
に除去して前記分析部の表面を露出し、前記導電膜を接
地電位に接続し、電子分光分析を行なうことを特徴とす
る。
【００１１】前記導電膜は、スパッタ法または真空蒸着
法により形成する。前記導電膜としては、炭素膜、白金
膜、クロム膜、モリブデン膜、アルミニウム膜等の各種
導電膜を用いることが可能である。
法により形成する。前記導電膜としては、炭素膜、白金
膜、クロム膜、モリブデン膜、アルミニウム膜等の各種
導電膜を用いることが可能である。
【００１２】また、前記分析部の前記導電膜を選択的に
除去するには、イオンビームを前記分析部に選択的に照
射する。また、この際、ガリウム等の導電性イオンビー
ムを選択的に照射して除去するとともに、前記分析部の
表面領域に導電性イオンを打ち込むことを特徴とする。
除去するには、イオンビームを前記分析部に選択的に照
射する。また、この際、ガリウム等の導電性イオンビー
ムを選択的に照射して除去するとともに、前記分析部の
表面領域に導電性イオンを打ち込むことを特徴とする。
【００１３】本発明の電子分光分析法では、分析すべき
絶縁性異物の表面は露出し、その周辺に導電膜を形成し
て接地電位につなぐことにより、電子ビームの入射電子
が導電膜を通して接地電位に逃げていくので、励起源の
照射による試料表面の帯電を防止することができる。し
たがって、電子分光分析を正確に行なうことができる。
また、ガリウム等の導電性イオンビームを分析部に選択
的に照射して分析部の導電膜を除去するとともに、分析
部の表面領域に導電性イオンを打ち込むことにより、帯
電防止効果を高めることができる。
絶縁性異物の表面は露出し、その周辺に導電膜を形成し
て接地電位につなぐことにより、電子ビームの入射電子
が導電膜を通して接地電位に逃げていくので、励起源の
照射による試料表面の帯電を防止することができる。し
たがって、電子分光分析を正確に行なうことができる。
また、ガリウム等の導電性イオンビームを分析部に選択
的に照射して分析部の導電膜を除去するとともに、分析
部の表面領域に導電性イオンを打ち込むことにより、帯
電防止効果を高めることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する
図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１５】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施の形
態のオージェ電子分光分析法の工程を示す概略要部断面
図である。
態のオージェ電子分光分析法の工程を示す概略要部断面
図である。
【００１６】図１（ａ）において、１は試料、２は基板
（例えば液晶表示素子の場合は、ガラス基板、半導体装
置の場合は、半導体ウェハ）、３は基板２上に形成され
た絶縁膜、４はオージェ電子分光分析の対象である有機
物（例えば炭素や炭素化合物）等の絶縁性異物である。
（例えば液晶表示素子の場合は、ガラス基板、半導体装
置の場合は、半導体ウェハ）、３は基板２上に形成され
た絶縁膜、４はオージェ電子分光分析の対象である有機
物（例えば炭素や炭素化合物）等の絶縁性異物である。
【００１７】まず、（ｂ）に示すように、基板２上に設
けられた絶縁膜３の全面、あるいは異物４が存在する部
分(分析部と称す)を含む所定の領域上に、成膜装置を用
いて、導電膜５を形成する。導電膜５としては、炭素
膜、白金膜、クロム膜、モリブデン膜、あるいはアルミ
ニウム膜等の各種導電膜を用いることができ、その膜厚
は例えば１０ｎｍである。導電膜５の形成方法として
は、スパッタ法や真空蒸着法等を用いることができる。
けられた絶縁膜３の全面、あるいは異物４が存在する部
分(分析部と称す)を含む所定の領域上に、成膜装置を用
いて、導電膜５を形成する。導電膜５としては、炭素
膜、白金膜、クロム膜、モリブデン膜、あるいはアルミ
ニウム膜等の各種導電膜を用いることができ、その膜厚
は例えば１０ｎｍである。導電膜５の形成方法として
は、スパッタ法や真空蒸着法等を用いることができる。
【００１８】つぎに、イオンミリング（イオンシニン
グ）装置等を用いて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によ
りモニターしつつ、（ｂ）に示すように、異物４が存在
する分析部の異物４上の導電膜５のみにイオンビーム６
を選択的に照射する。分析部のみにイオンビーム６を選
択的に照射するには、（ｂ）に示すごとく、フォーカス
イオンビーム装置等を用いて分析部のみにイオンビーム
６を照射してもよいし、分析部に相当する寸法の開口を
有するマスク（図示省略）を用い、走査型電子顕微鏡に
よりモニターして、該開口が分析部に位置するように該
マスクを置いて、マスクを介してイオンビーム６を照射
してもよい。
グ）装置等を用いて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によ
りモニターしつつ、（ｂ）に示すように、異物４が存在
する分析部の異物４上の導電膜５のみにイオンビーム６
を選択的に照射する。分析部のみにイオンビーム６を選
択的に照射するには、（ｂ）に示すごとく、フォーカス
イオンビーム装置等を用いて分析部のみにイオンビーム
６を照射してもよいし、分析部に相当する寸法の開口を
有するマスク（図示省略）を用い、走査型電子顕微鏡に
よりモニターして、該開口が分析部に位置するように該
マスクを置いて、マスクを介してイオンビーム６を照射
してもよい。
【００１９】この照射により、（ｃ）に示すように、異
物４上の導電膜５を選択的に除去し、異物４の表面を露
出する。さらに、分析部の導電膜５を除去する際、ガリ
ウム（Ｇａ）等の導電性イオンビームを照射すると、導
電膜５が除去されるとともに、絶縁性異物４にガリウム
（Ｇａ）等の導電性イオンが打ち込まれる。これによ
り、帯電防止効果をより高めることができる。
物４上の導電膜５を選択的に除去し、異物４の表面を露
出する。さらに、分析部の導電膜５を除去する際、ガリ
ウム（Ｇａ）等の導電性イオンビームを照射すると、導
電膜５が除去されるとともに、絶縁性異物４にガリウム
（Ｇａ）等の導電性イオンが打ち込まれる。これによ
り、帯電防止効果をより高めることができる。
【００２０】つぎに、（ｃ）に示すように、この試料１
を走査型オージェ電子分光分析装置（後で図２を用いて
説明する）内のステージ７内に設置し、基板２上に設け
た導電膜５を接地電位に接続する。導電膜５の接地電位
への接続の仕方は、例えば、銀ペースト接着剤や導線等
の電気的接続手段８を用いて、接地電位のステージ７に
接続する。
を走査型オージェ電子分光分析装置（後で図２を用いて
説明する）内のステージ７内に設置し、基板２上に設け
た導電膜５を接地電位に接続する。導電膜５の接地電位
への接続の仕方は、例えば、銀ペースト接着剤や導線等
の電気的接続手段８を用いて、接地電位のステージ７に
接続する。
【００２１】つぎに、（ｃ）に示すように、分析部に電
子ビーム９を照射し、分析部から放出されたオージェ電
子１０を検出し、オージェ電子分光分析を行なう。
子ビーム９を照射し、分析部から放出されたオージェ電
子１０を検出し、オージェ電子分光分析を行なう。
【００２２】このように、絶縁膜３上に存在する絶縁性
異物４のオージェ電子分光分析を行なう場合、異物４の
表面を露出し、その周辺に導電膜５を形成して、電気的
接続手段８を介してステージ７等の接地電位につなぐこ
とにより、異物４に入射した入射電子が導電膜５を通し
て接地電位に逃げていくので、入射電子による試料１の
表面の帯電が防止され、正確なエネルギースペクトルが
得られ、オージェ電子分光分析を正確に行なうことがで
きる。
異物４のオージェ電子分光分析を行なう場合、異物４の
表面を露出し、その周辺に導電膜５を形成して、電気的
接続手段８を介してステージ７等の接地電位につなぐこ
とにより、異物４に入射した入射電子が導電膜５を通し
て接地電位に逃げていくので、入射電子による試料１の
表面の帯電が防止され、正確なエネルギースペクトルが
得られ、オージェ電子分光分析を正確に行なうことがで
きる。
【００２３】図２は走査型オージェ電子分光分析装置の
基本構成の一例を示す図である。
基本構成の一例を示す図である。
【００２４】１１は走査型オージェ電子分光分析装置、
１２は電子ビーム源である電子銃、１３は電子銃１２か
ら発生する電子ビーム９を照射して走査する電子ビーム
照射・走査装置、１４は試料１が載置される試料ステー
ジ７を備えた超高真空試料室、１５はオージェ電子検出
器、１６はオージェ電子信号処理系、１８はマイクロビ
ームイオン銃、１９は二次電子検出器、２０は二次電子
信号処理系である。
１２は電子ビーム源である電子銃、１３は電子銃１２か
ら発生する電子ビーム９を照射して走査する電子ビーム
照射・走査装置、１４は試料１が載置される試料ステー
ジ７を備えた超高真空試料室、１５はオージェ電子検出
器、１６はオージェ電子信号処理系、１８はマイクロビ
ームイオン銃、１９は二次電子検出器、２０は二次電子
信号処理系である。
【００２５】すなわち、マイクロビームイオン銃１８に
より、絶縁膜を表面に有する試料１上に一面に設けた導
電膜のうち、分析部にのみイオンビームを照射し、除去
する。電子ビーム９の照射により発生したオージェ電子
は、オージェ電子検出器１５により検出され、オージェ
電子信号処理系１６に入り、オージェスペクトル、デプ
スプロファイル、オージェ像１７が得られる。また、電
子ビーム９の照射により発生した二次電子は、二次電子
検出器１９により検出され、二次電子信号処理系２０に
入り、試料１表面の二次電子像２１が得られ、これに基
づいてマイクロビームイオン銃１８によるイオンビーム
の試料１面への選択的照射が行なわれる。
より、絶縁膜を表面に有する試料１上に一面に設けた導
電膜のうち、分析部にのみイオンビームを照射し、除去
する。電子ビーム９の照射により発生したオージェ電子
は、オージェ電子検出器１５により検出され、オージェ
電子信号処理系１６に入り、オージェスペクトル、デプ
スプロファイル、オージェ像１７が得られる。また、電
子ビーム９の照射により発生した二次電子は、二次電子
検出器１９により検出され、二次電子信号処理系２０に
入り、試料１表面の二次電子像２１が得られ、これに基
づいてマイクロビームイオン銃１８によるイオンビーム
の試料１面への選択的照射が行なわれる。
【００２６】つぎに、本発明による電子分光分析法の分
析対象の一例として、アクティブマトリクス方式カラー
ＴＦＴ液晶表示素子の構造、および製造工程について簡
単に説明する。
析対象の一例として、アクティブマトリクス方式カラー
ＴＦＴ液晶表示素子の構造、および製造工程について簡
単に説明する。
【００２７】《液晶表示素子の構造》図３（ａ）は液晶
表示素子角付近の、（ｂ）は液晶表示素子のマトリクス
部の画素部の、（ｃ）は映像信号端子部付近の断面図で
ある。
表示素子角付近の、（ｂ）は液晶表示素子のマトリクス
部の画素部の、（ｃ）は映像信号端子部付近の断面図で
ある。
【００２８】図３に示すように、液晶層ＬＣを基準にし
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。
【００２９】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。
ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩ
Ｌ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯ
Ｍ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられ
ている。
【００３０】《製造工程》つぎに、図３に示した上記液
晶表示素子を構成する基板ＳＵＢ１側の製造工程につい
て図４〜図６を参照して説明する。なお同図において、
中央の文字は工程名の略称であり、左側は図３（ｂ）に
示す画素部分、右側はゲート端子付近の断面形状でみた
加工の流れを示す。工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写
真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの
断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除
去した段階を示している。なお、写真処理とは本説明で
はフォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光
を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものと
し、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程にした
がって、説明する。
晶表示素子を構成する基板ＳＵＢ１側の製造工程につい
て図４〜図６を参照して説明する。なお同図において、
中央の文字は工程名の略称であり、左側は図３（ｂ）に
示す画素部分、右側はゲート端子付近の断面形状でみた
加工の流れを示す。工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写
真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの
断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除
去した段階を示している。なお、写真処理とは本説明で
はフォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光
を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものと
し、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程にした
がって、説明する。
【００３１】工程Ａ、図４ ７０５９ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けたのち、５００℃、６０分間のベークを行な
う。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が１１００Å
のクロムからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリングによ
り設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バ
スラインＳＨｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラ
インＳＨｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽
極酸化パッド（図示せず）を形成する。
ＳＵＢ１の両面に酸化シリコン膜ＳＩＯをディップ処理
により設けたのち、５００℃、６０分間のベークを行な
う。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が１１００Å
のクロムからなる第１導電膜ｇ１をスパッタリングによ
り設け、写真処理後、エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモニウム溶液で第１導電膜ｇ１を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート端子ＧＴＭ、ドレイ
ン端子ＤＴＭ、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バ
スラインＳＨｇ、ドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラ
インＳＨｄ、陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽
極酸化パッド（図示せず）を形成する。
【００３２】工程Ｂ、図４ 膜厚が２８００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸と氷酢酸との混酸液で第２導電膜ｇ２を選択的にエ
ッチングする。
ｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等からなる第２導電膜ｇ２
をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と
硝酸と氷酢酸との混酸液で第２導電膜ｇ２を選択的にエ
ッチングする。
【００３３】工程Ｃ、図４ 写真処理後（前述した陽極酸化マスクＡＯ形成後）、３
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調
整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した
液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成
電流密度が０.５ｍＡ／ｃｍ2になるように調整する（定
電流化成）。つぎに所定のＡｌ2Ｏ3膜厚が得られるのに
必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。
その後この状態で数１０分保持することが望ましい（定
電圧化成）。これは均一なＡｌ2Ｏ3膜を得る上で大事な
ことである。それによって、導電膜ｇ２を陽極酸化さ
れ、走査信号線ＧＬ、ゲート電極ＧＴおよび電極ＰＬ１
上に膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成され
る。
％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６.２５±０.０５に調
整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した
液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成
電流密度が０.５ｍＡ／ｃｍ2になるように調整する（定
電流化成）。つぎに所定のＡｌ2Ｏ3膜厚が得られるのに
必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。
その後この状態で数１０分保持することが望ましい（定
電圧化成）。これは均一なＡｌ2Ｏ3膜を得る上で大事な
ことである。それによって、導電膜ｇ２を陽極酸化さ
れ、走査信号線ＧＬ、ゲート電極ＧＴおよび電極ＰＬ１
上に膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成され
る。
【００３４】工程Ｄ、図５ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ+型非晶質Ｓｉ膜を設け
る。
素ガスを導入して、膜厚が２０００Åの窒化Ｓｉ膜を設
け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたの
ち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを
導入して、膜厚が３００ÅのＮ+型非晶質Ｓｉ膜を設け
る。
【００３５】工程Ｅ、図５ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6、ＣＣ
ｌ4を使用してＮ+型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を
選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳ
の島を形成する。
ｌ4を使用してＮ+型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を
選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳ
の島を形成する。
【００３６】工程Ｆ、図５ 写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ6を使用
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。
して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。
【００３７】工程Ｇ、図６ 膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる第１導電膜ｄ１を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で第１導電膜ｄ１を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭ、ド
レイン端子ＤＴＭの最上層および透明画素電極ＩＴＯ１
を形成する。
【００３８】工程Ｈ、図６ 膜厚が６００ÅのＣｒからなる第２導電膜ｄ２をスパッ
タリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−
Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングにより設
ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同様な液
でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液で
エッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ド
レイン電極ＳＤ２を形成する。つぎに、ドライエッチン
グ装置にＣＣｌ4、ＳＦ6を導入して、Ｎ+型非晶質Ｓｉ
膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間の
Ｎ＋型半導体層ｄ０を選択的に除去する。
タリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−
Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ等からなる第３導電膜ｄ３をスパッタリングにより設
ける。写真処理後、第３導電膜ｄ３を工程Ｂと同様な液
でエッチングし、第２導電膜ｄ２を工程Ａと同様な液で
エッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ド
レイン電極ＳＤ２を形成する。つぎに、ドライエッチン
グ装置にＣＣｌ4、ＳＦ6を導入して、Ｎ+型非晶質Ｓｉ
膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間の
Ｎ＋型半導体層ｄ０を選択的に除去する。
【００３９】工程Ｉ、図６ プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。
素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設け
る。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を
使用した写真蝕刻技術で窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチン
グすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。
【００４０】図３に示したような液晶表示素子を構成す
る２枚の透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の各製造工
程中に発生する各種絶縁膜、例えば基板ＳＵＢ１の酸化
シリコン膜ＳＩＯ、陽極酸化膜ＡＯＦ、ゲート絶縁膜Ｇ
Ｉ、保護膜ＰＳＶ１、配向膜ＯＲＩ１、基板ＳＵＢ２の
酸化シリコン膜ＳＩＯ、黒色樹脂膜で形成した場合のブ
ラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタ膜ＦＩＬ、カラ
ーフィルタ用保護膜ＰＳＶ２、配向膜ＯＲＩ２上の絶縁
性異物の元素分析を、図１に示した前記実施の形態の電
子分光分析法を用ることにより正確に実施することがで
きる。
る２枚の透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の各製造工
程中に発生する各種絶縁膜、例えば基板ＳＵＢ１の酸化
シリコン膜ＳＩＯ、陽極酸化膜ＡＯＦ、ゲート絶縁膜Ｇ
Ｉ、保護膜ＰＳＶ１、配向膜ＯＲＩ１、基板ＳＵＢ２の
酸化シリコン膜ＳＩＯ、黒色樹脂膜で形成した場合のブ
ラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタ膜ＦＩＬ、カラ
ーフィルタ用保護膜ＰＳＶ２、配向膜ＯＲＩ２上の絶縁
性異物の元素分析を、図１に示した前記実施の形態の電
子分光分析法を用ることにより正確に実施することがで
きる。
【００４１】以上本発明を実施の形態に基づいて具体的
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば、本発明の電子
分光分析法の分析対象としては、図３〜図６に示した前
記アクティブマトリクス方式液晶表示素子の他、単純マ
トリクス方式液晶表示素子、ＬＳＩ等の半導体素子、光
学素子、磁性体素子、磁気光学素子、分子認識素子等の
各種素子に適用可能である。また、図１に示した試料１
では、基板２上に設けた絶縁膜３上の異物４を分析した
が、本発明は、絶縁性基板上の異物の分析にも適用可能
である。
に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変
更可能であることは勿論である。例えば、本発明の電子
分光分析法の分析対象としては、図３〜図６に示した前
記アクティブマトリクス方式液晶表示素子の他、単純マ
トリクス方式液晶表示素子、ＬＳＩ等の半導体素子、光
学素子、磁性体素子、磁気光学素子、分子認識素子等の
各種素子に適用可能である。また、図１に示した試料１
では、基板２上に設けた絶縁膜３上の異物４を分析した
が、本発明は、絶縁性基板上の異物の分析にも適用可能
である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子分光
分析法によれば、試料に照射する励起源による試料表面
の帯電を防止することができ、電子分光分析を正確に行
なうことができる。
分析法によれば、試料に照射する励起源による試料表面
の帯電を防止することができ、電子分光分析を正確に行
なうことができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施の形態のオー
ジェ電子分光分析法の概略要部工程断面図である。
ジェ電子分光分析法の概略要部工程断面図である。
【図２】走査型オージェ電子分光分析装置の基本構成の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図３】本発明による電子分光分析法の検査対象の一例
としてのアクティブマトリクス方式液晶表示素子の、マ
トリクスの画素部を中央に、両側にパネル角付近と映像
信号端子部付近を示す要部断面図である。
としてのアクティブマトリクス方式液晶表示素子の、マ
トリクスの画素部を中央に、両側にパネル角付近と映像
信号端子部付近を示す要部断面図である。
【図４】図３に示した基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製
造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチ
ャートである。
造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチ
ャートである。
【図５】基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示す
画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
【図６】基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｉの製造工程を示す
画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートであ
る。
１…試料、２…基板、３…絶縁膜、４…絶縁性異物、５
…導電膜、６…イオンビーム、７…ステージ、８…電気
的接続手段、９…電子ビーム、１０…オージェ電子。
…導電膜、６…イオンビーム、７…ステージ、８…電気
的接続手段、９…電子ビーム、１０…オージェ電子。
Claims (8)
- 【請求項１】試料の絶縁性の分析部の表面を露出し、前
記分析部の周辺に導電膜を形成し、前記導電膜を接地電
位に接続した状態で、電子分光分析を行なうことを特徴
とする電子分光分析法。 - 【請求項２】試料の絶縁膜上の分析部を含む領域上に導
電膜を形成し、前記分析部の前記導電膜を選択的に除去
して前記分析部の表面を露出し、前記導電膜を接地電位
に接続し、電子分光分析を行なうことを特徴とする電子
分光分析法。 - 【請求項３】前記導電膜を、スパッタ法または真空蒸着
法により形成することを特徴とする請求項１または２記
載の電子分光分析法。 - 【請求項４】前記導電膜が、炭素膜、白金膜、クロム
膜、モリブデン膜、あるいはアルミニウム膜であること
を特徴とする請求項１、２または３記載の電子分光分析
法。 - 【請求項５】前記分析部の前記導電膜を選択的に除去す
るのに、イオンビームを前記分析部に選択的に照射して
除去することを特徴とする請求項２記載の電子分光分析
法。 - 【請求項６】前記分析部の前記導電膜を選択的に除去す
る際、導電性イオンビームを前記分析部に選択的に照射
して除去するとともに、前記分析部の表面領域に導電性
イオンを打ち込むことを特徴とする請求項２記載の電子
分光分析法。 - 【請求項７】前記導電性イオンがガリウムであることを
特徴とする請求項６記載の電子分光分析法。 - 【請求項８】前記試料が液晶表示基板であることを特徴
とする請求項１または２記載の電子分光分析法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10120187A JPH11311611A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 電子分光分析法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10120187A JPH11311611A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 電子分光分析法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11311611A true JPH11311611A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14780073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10120187A Pending JPH11311611A (ja) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | 電子分光分析法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11311611A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216425A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Mitsui Chemical Analysis & Consulting Service Inc | 異物分析用試料および異物の分析方法 |
| JP2010256095A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の分析方法 |
| US20220093703A1 (en) * | 2019-02-04 | 2022-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| WO2023092298A1 (zh) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | 华为技术有限公司 | 一种电子束检测设备和检测方法 |
-
1998
- 1998-04-30 JP JP10120187A patent/JPH11311611A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216425A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Mitsui Chemical Analysis & Consulting Service Inc | 異物分析用試料および異物の分析方法 |
| JP2010256095A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 試料の分析方法 |
| US20220093703A1 (en) * | 2019-02-04 | 2022-03-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| WO2023092298A1 (zh) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | 华为技术有限公司 | 一种电子束检测设备和检测方法 |
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