JPH1130265A - ショックアブソーバの減衰力可変機構および該減衰力可変機構を用いた減衰力可変型ショックアブソーバ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ソレノイド通電時における吸着性を低下させる
ことなしに、パイロット弁部の耐久性を向上させること
ができるショックアブソーバの減衰力可変機構の提供。 【解決手段】減衰力可変ディスクバルブ６１の背面側に
形成された背圧室の液圧を、ソレノイド駆動によるパイ
ロット弁７３の開閉制御により発生するパイロット液圧
により制御することにより、ショックアブソーバＳＡの
減衰力を可変制御するショックアブソーバの減衰力可変
機構３１において、パイロット弁７３を固定部７３ａと
可動部７３ｂとを有するばね鋼からなる板材で構成し、
前記パイロット弁７３の可動部７３ａにパイロット弁材
よりも炭素含有量の少ない鉄材からなる磁束補強プレー
ト７４を浮動自在に積層した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ショックアブソーバの
減衰力可変機構および該減衰力可変機構を用いた減衰力
可変型ショックアブソーバに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ショックアブソーバの減衰力特性
を可変するための減衰力可変機構としては、例えば、特
開平５−１１８３７４号公報「圧力調整弁組立体」に記
載されたようなものが知られている。この従来例の減衰
力可変機構では、ソレノイド手段によりパイロット圧力
室内の流体圧力を制御することにより、減衰力を可変す
る絞り弁（ディスクバルブ）の背圧室内の圧力をコント
ロールして減衰力をリアルタイムに可変する構造のもの
が提案されている。そして、前記ソレノイドのアーマチ
ュアがテーパ状の板で形成され、その片端が支持された
状態で取り付けられ、パイロット圧力室内の流体の圧力
によってフラッパのように開閉するようになっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の減衰力可変機構では、上述のように、構成されるた
め、以下に述べるような問題点があった。即ち、テーパ
状のアーマチュアは、ソレノイド通電時に磁路の一部と
なって弁座に吸着し、無通電時にはパイロット圧力室内
の流体圧力による押圧で弁座から浮き上がることになる
が、この現象が減衰力をリアルタイムに可変させるため
に、高周波で繰り返されるため、この弁座とアーマチュ
アとの当接部の摩耗による耐久性が問題となる。そこ
で、両部品の当接部分の表面硬度を高くする必要があ
る。しかしながら、表面硬度を高くするためには、焼き
入れ等により鉄（磁性体）の炭素含有量を多くすること
は可能であるが、前述のようにこのアーマチュアが磁路
を構成する関係で、炭素含有量を多くすると、この部品
の最大飽和磁束密度が低下してしまい、ソレノイドの通
電時における吸着力が低下し、その結果、パイロット圧
力室内の流体圧力が低下して最大発生減衰力が低下する
という不具合が生じる。

【０００４】本発明は、上述の従来の問題点に着目して
なされたもので、ソレノイド通電時における吸着性を低
下させることなしに、パイロット弁部の耐久性を向上さ
せることができるショックアブソーバの減衰力可変機構
を提供することを目的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明請求項１記載のショックアブソーバでは、
減衰力可変ディスクバルブの背面側に形成された背圧室
の液圧を、ソレノイド駆動によるパイロット弁の開閉制
御により発生するパイロット液圧により制御することに
より、ショックアブソーバの減衰力を可変制御するショ
ックアブソーバの減衰力可変機構において、前記パイロ
ット弁を固定部と可動部とを有するばね鋼からなる板材
で構成し、前記パイロット弁の可動部に前記パイロット
弁材よりも炭素含有量の少ない鉄材からなる磁束補強プ
レートを１枚もしくは複数枚浮動自在に積層した手段と
した。請求項２記載の減衰力可変型ショックアブソーバ
では、シリンダ内を上部室と下部室とに画成して摺動す
るピストンボディには上部室と下部室との間を連通する
伸側上部連通孔および圧側上部連通孔が設けられ、前記
ピストンボディの軸方向両端面には伸側上部連通孔およ
び圧側上部連通孔の流通をそれぞれ制限的に許容するこ
とで高い減衰力を発生させる伸側高減衰バルブおよび圧
側高減衰バルブが設けられ、伸行程時に前記伸側高減衰
バルブをバイパスしてシリンダの上部室と下部室との間
を連通させる伸側バイパス流路および該伸側バイパス流
路の途中に介装されていて該流路断面積を変化可能な請
求項１に記載の減衰力可変機構と、圧行程時にシリンダ
の下部室と上部室との間を連通させる圧側バイパス流路
および該圧側バイパス流路の途中に介装されていて該流
路断面積を変化可能な請求項１に記載の減衰力可変機構
とが設けられている手段とした。

【０００６】

【作用】本発明請求項１記載のショックアブソーバの減
衰力可変機構では、パイロット弁を固定部と可動部とを
有するばね鋼からなる板材で構成したことで、摩耗によ
る耐久性の問題を解消することができると共に、前記パ
イロット弁の可動部に前記パイロット弁材よりも炭素含
有量の少ない鉄材（強磁性体）からなる磁束補強プレー
トを１枚もしくは複数枚浮動自在に積層した構成とした
ことで、ソレノイド通電時におけるパイロット弁の吸着
力が高められ、これにより、最大減衰力設定値を高め
て、減衰力チューニングの自由度を高めることができる
ようになる。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。まず、発明の実施の形態の減衰力可変機
構が適用されたショックアブソーバＳＡの構成を図１〜
図３に基づいて説明する。

【０００８】図１は、発明の実施の形態の減衰力可変機
構が適用されたショックアブソーバＳＡを示す全体断面
図、図２は後述の伸側減衰力可変機構部分を示す拡大断
面図、図３は後述のピストン部分を示す拡大断面図であ
る。

【０００９】このショックアブソーバＳＡは、図１に示
すように、作動液が充填されたシリンダ２１と、該シリ
ンダ２１内を上部室２１ａと下部室２１ｂとに画成して
摺動自在に設けられたピストン２２と、シリンダ２１の
外周にリザーバ室２３ａを形成する外筒２３と、下部室
２１ｂとリザーバ室２３ａとの間をシリンダ２１の下端
部において画成したベース２４と、該ベース２４に設け
られリザーバ室２３ａから下部室２１ｂ方向への流通の
みを許容するチェック流路２４ａおよび下部室２１ｂか
らリザーバ室２３ａ方向への流通のみを許容するチェッ
ク流路２４ｃと、下端にピストン２２が固定されたピス
トンロッド２５と、ピストンロッド２５の摺動をガイド
すると共に上部室２１ａとリザーバ室２３ａとの間をシ
リンダ２１の上端部において画成するガイド部材２６
と、シリンダ２１と外筒２３との間に設けられていてシ
リンダ２１の上部外周面との間に上部室２１ａと上部連
通孔２１ｃを経由して連通する上部環状流路２８ａを形
成する上部連通筒２８と、シリンダ２１と外筒２３との
間に設けられていてシリンダ２１の下部外周面との間に
下部連通溝２４ｂを経由して下部室２１ｂと連通する下
部環状流路２９ａを形成する下部連通筒２９と、図２に
もその詳細を示すように、上部環状流路２８ａとリザー
バ室２３ａとの間を連通する伸側連通流路３１ａを形成
すると共に該伸側連通流路３１ａの流通量を可変制御す
る伸行程側減衰力可変機構３１と、該伸行程側減衰力可
変機構３１をバイパスしてリザーバ室２３ａから上部環
状流路２８ａ方向への流通のみを許容するチェック流路
３２と、同じく図２にその詳細を示すように、下部環状
流路２９ａとリザーバ室２３ａとの間を連通する圧側連
通流路３３ａを形成すると共に該圧側連通流路３３ａの
流通量を可変制御する圧行程側減衰力可変機構３３と、
該圧行程側減衰力可変機構３３をバイパスしてリザーバ
室２３ａから下部環状流路２９ａ方向への流通のみを許
容するチェック流路３４と、を備えている。

【００１０】また、前記ピストン２２には、図３にもそ
の詳細を示すように、伸側ディスクバルブ（伸側高減衰
バルブ）２２ａにより上部室２１ａから下部室２１ｂ方
向への流通のみを制限的に許容することで高い減衰力を
発生させる伸側連通孔２２ｂと、圧側ディスクバルブ
（圧側高減衰バルブ）２２ｃにより下部室２１ｂから上
部室２１ａ方向への流通のみを制限的に許容することで
高い減衰力を発生させる圧側連通孔２２ｄとが設けられ
ている。

【００１１】次に、前記伸行程側減衰力可変機構３１の
構造を、図２に基づいて詳細に説明する。前記外筒２３
に開設された開口部には、環状のベース５１の一端が溶
接固定され、他端開口端面側には該開口端面を閉塞する
状態でバルブボディ５２がボルト５３により締結固定さ
れている。

【００１２】一方前記ベース５１内における同軸位置の
上部連通筒２８に開設された開口部には、ジョイント５
４の一端が溶接固定され、該ジョイント５４の他端内周
側にはシールリング５５を介してガイドチューブ５６の
一端小径側が圧入接続され、さらに、該ガイドチューブ
５６の他端大径側には、前記バルブボディ５２の内面側
突出部５２ａが圧入固定され、これにより、上部環状流
路２８ａとリザーバ室２３ａとの間がバルブボディ５２
を介して画成された状態となっている。

【００１３】前記バルブボディ５２の外面側には、前記
ボルト５３により、ケーシング５７の一端開口部が締結
固定され、このケーシング５７内とリザーバ室２３ａと
の間がバルブボディ５２の外周側に穿設された連通孔５
２ｂにより常時連通された状態となっている。

【００１４】また、前記バルブボディ５２の軸心穴に
は、外方から内方に向けてステータ５８の一端小径部が
挿通されている。即ち、ステータ５８の一端小径部に
は、大径部側から、コイルケース５９、カラー６０、
（伸側）減衰力可変ディスクバルブ６１、バルブボディ
５２、（伸側）チェックバルブ６２、カラー６３が順次
装着され、最後にナット６４で締結されることにより各
部材の組み付けが行われている。そして、前記バルブボ
ディ５２には、連通孔５２ｂを介してリザーバ室２３ａ
と常時連通状態にあるケーシング５７内から前記（伸
側）チェックバルブ６２を開弁することで上部環状流路
２８ａ方向への流通を確保する（伸側）チェック流路３
２と、上部環状流路２８ａから（伸側）減衰力可変ディ
スクバルブ６１を開弁することでケーシング５７内方向
への流通を確保する（伸側）連通流路３１ａとが形成さ
れている。

【００１５】前記ステータ５８には、その軸心部を貫通
する状態でパイロット圧力室６５が形成され、該パイロ
ット圧力室６５の下端開口部には、上部環状流路２８ａ
からパイロット圧力室６５への作動液の流入流量を規制
するための小孔６６ａが穿設されたパイロットブッシュ
６６が圧入されている。また、前記ナット６４にはパイ
ロット圧力室６５内への異物（コンタミ等）の侵入を阻
止するフィルタ６７が組み込まれている。

【００１６】前記ステータ５８の大径部外周面とコイル
ケース５９との間にはソレノイドコイル６８および非磁
性体よりなるコイルアシストプレート６９が収容され、
コイルケース５９の先端側外周面とケーシング５７との
間にはハーネス７０の固定を兼ねて樹脂等の非磁性体で
一体形成されたモールド材７１が収容され、また、ケー
シング５７の先端開口部内には、モールド材７１および
コイルケース５９の先端開口端面に当接する状態でカバ
ー７２が収容され、ケーシング５７の先端開口縁部を内
側に折曲げてかしめることにより固定されている。

【００１７】前記ステータ５８の大径側端面には、パイ
ロット弁７３が当接する弁座５８ａが突出形成されてい
る。このパイロット弁７３は、図４にもその詳細を示す
ように、硬質なばね鋼からなる一枚の薄い板材を打ち抜
くことにより、外周固定部７３ａと内周可動部７３ｂと
の間を一つの接続部７３ｃで接続した構造に形成されて
いる。そして、このパイロット弁７３は、その外周固定
部７３ａをコイルアシストプレート６９とカバー７２と
の間に挟持固定することにより、無負荷状態で内周可動
部７３ｂが弁座５８ａに当接する状態で組み込まれてい
る。

【００１８】また、パイロット弁７３の可動部７３ｂと
対面するカバー７２の内面側には、窪み７２ａが形成さ
れ、該窪み７２ａ内には、内周可動部７３ｂに積層され
た状態で、円板状の磁束補強プレート７４が浮動自在に
収容されている。この磁束補強プレート７４は、図４に
もその詳細を示すように、パイロット弁７３の構成材よ
りも炭素含有量の少ない鉄材（強磁性体）で構成され、
その外周部には、窪み７２ａ内での移動がスムーズに行
えるように作動液の流通路を形成する切欠部７４ａが形
成されている。

【００１９】そして、この磁束補強プレート７４は、前
記パイロット弁７３、ステータ５８、コイルケース５９
およびカバー７２と共にソレノイドコイル６８への通電
時における磁路を形成する。

【００２０】前記コイルアシストプレート６９と、コイ
ルケース５９と、モールド材７１には、窪み７２ａ内と
ケーシング５７内との間を連通する戻り流路７５が形成
されている。

【００２１】前記コイルケース５９の基部側外周面に
は、閉弁力をアシストすると共に背圧室７７を形成する
ためのアシストリング７６が摺動シール材７６ａを介し
て摺動自在に設けられている。このアシストリング７６
は、内方に向け突出した内側開口端面を減衰力可変ディ
スクバルブ６１の背面外周縁部に当接させることによ
り、減衰力可変ディスクバルブ６１における受圧側とは
反対の背面側にケーシング５７内とは画成された背圧室
７７を形成している。そして、前記アシストリング７６
の外側開口端面とモールド材７１との間には、アシスト
リング７６を減衰力可変ディスクバルブ６１方向に所定
の軽いセット荷重を与える方向に付勢するアシストスプ
リング７８が装着されている。

【００２２】前記ステータ５８の小径部側壁と、コイル
ケース５９における背圧室７７形成面には、パイロット
圧力室６５内と背圧室７７との間を連通するパイロット
圧導入路７９が形成されている。なお、図において、８
０は固定シール部材、５０はグロメットを示す。

【００２３】また、前記圧行程側減衰力可変機構３３
は、前記伸行程側減衰力可変機構３１と同一構造である
ため同一の構成部分には同一の符号を用いてその説明を
省略する。

【００２４】この発明の実施の形態のショックアブソー
バＳＡでは、上述のように構成されるため、伸行程時に
流体が流通可能な流路としては、上部室２１ａから伸側
連通孔２２ｂを経由し伸側ディスクバルブ２２ａを開弁
して下部室２１ｂに流入する伸側主流路（図３参照）
と、上部室２１ａから上部連通孔２１ｃ、上部環状流路
２８ａ、伸側連通流路３１ａ、リザーバ室２３ａ、チェ
ック流路２４ａを経由して下部室２１ｂに流入する伸側
バイパス流路との２つの流路があり、また、圧行程時に
流体が流通可能な流路としては、下部室２１ｂから圧側
連通孔２２ｄを経由し圧側ディスクバルブ２２ｃを開弁
して上部室２１ａに流入する圧側主流路（図３参照）
と、下部室２１ｂから下部連通溝２４ｂ、下部環状流路
２９ａ、圧側連通流路３３ａ、リザーバ室２３ａ、チェ
ック流路３４、上部環状流路２８ａ、上部連通孔２１ｃ
を経由して上部室２１ａに流入する圧側バイパス流路と
の２つの流路がある。

【００２５】従って、伸行程側の減衰力特性は、伸側バ
イパス流路を閉じるとハード特性、開くとソフト特性と
なり、さらに、伸側バイパス流路の絞り開度を可変制御
することにより、ハード特性とソフト特性との間で任意
の特性に可変制御することができる。

【００２６】一方、圧行程側の減衰力特性は、圧側バイ
パス流路を閉じるとハード特性、開くとソフト特性とな
り、さらに、圧側バイパス流路の絞り開度を可変制御す
ることにより、ハード特性とソフト特性との間で任意の
特性に可変制御することができる。

【００２７】そして、前記伸側バイパス流路の流路断面
積は、伸行程側減衰力可変機構３１のソレノイドコイル
６８に対する駆動信号を可変制御することにより任意の
流路断面積に可変制御することができる。また、前記圧
側バイパス流路の流路断面積は、圧行程側減衰力可変機
構３３のソレノイドコイル６８に対する駆動信号を可変
制御することにより任意の流路断面積に可変制御するこ
とができる。

【００２８】即ち、ソレノイドコイル６８に対する通電
を解除した（無通電）状態では、パイロット圧力室６５
内にはパイロットブッシュ６６の小孔６６ａを経由し、
ピストン２２で画成されたシリンダ２１の一方の室の加
圧液圧が供給される一方、パイロット弁７３の背圧室側
となる窪み７２ａ内は、戻り流路７５等を経由して連通
されたリザーバ室２３ａ内の液圧と同圧となっているた
め、差圧によりパイロット弁７３の内周可動部７３ｂが
弁座５８ａから押し離されて開弁し、これにより、パイ
ロット圧力室６５内の作動液が流出するため、パイロッ
ト圧力室６５および背圧室７７内の液圧がリザーバ室２
３ａ内の液圧と同圧状態まで低下する。従って、減衰力
可変ディスクバルブ６１は、アシストスプリング７８の
軽いセット荷重に抗して容易に開弁し、作動液のほぼ全
流量がバイパス流路側を流れピストン２２側やベース２
４側を流れることはないため、この時の発生減衰力は減
衰力可変ディスクバルブ６１で決定されるソフト特性と
なる。

【００２９】一方、ソレノイドコイル６８に対し通電し
た状態では、符号を省略した図５の矢印で示すように、
ソレノイドコイル６８、コイルケース５９、カバー７
２、磁束補強プレート７４、パイロット弁７３、およ
び、ステータ５８を巡る磁路が形成され、パイロット弁
７３が弁座５８ａに吸着されるため、パイロット弁７３
が閉弁状態に維持され、これにより、パイロット圧力室
６５内の圧力が維持された状態となる。

【００３０】従って、減衰力可変ディスクバルブ６１の
受圧側とパイロット圧力室６５内の圧力が導入される背
圧室７７とが同圧となるため、アシストスプリング７８
のセット荷重により減衰力可変ディスクバルブ６１が閉
弁状態に維持され、バイパス流路が完全に閉じられた状
態となるため、作動液のほぼ全流量がピストン２２側を
流れ、伸側ディスクバルブ２２ａまたは圧側ディスクバ
ルブ２２ｃを開弁して流通するため、この時の発生減衰
力は伸側ディスクバルブ２２ａまたは圧側ディスクバル
ブ２２ｃで決定されるハード特性となる。

【００３１】また、図６に示すように、ＰＷＭ（パルス
ワイズモジュレーション）制御によりソレノイドコイル
６８に対する通電電流のＯＮ−ＯＦＦを所定の高周波周
期Ｔｓで繰り返して与え、この時のある単位時間Ｔ内の
ＯＮ状態の時間の割合（ＯＮＤｕｔｙ）を０％〜１００
％の間で任意に可変制御することにより、図７に示すよ
うに、ソフト特性（０％）とハード特性（１００％）の
間で、その割合（％）に応じた減衰力特性に可変制御す
ることができる。

【００３２】また、以上のように、パイロット弁７３の
開閉が高周波周期で繰り返されることから、パイロット
弁７３における弁座５８ａ当接部の摩耗による耐久性が
問題になるが、この発明の実施の形態では、弁座５８ａ
に当接するパイロット弁７３自体は硬質なばね鋼からな
る一枚の薄い板材で構成することにより摩耗による耐久
性の問題を解消させている。

【００３３】一方、該パイロット弁７３を構成するばね
鋼は、炭素含有量が多く最大飽和磁束密度が低いため、
ソレノイドコイル６８通電時における弁座５８ａに対す
る吸着力が低下し、これにより、最大減衰力設定値を低
下させてしまうという問題が生じるが、この発明の実施
の形態では、炭素含有量の少ない鉄材（強磁性体）で構
成される磁束補強プレート７４をパイロット弁７３の内
周可動部７３ｂに積層した状態で浮動自在に設けること
により、ソレノイドコイル６８通電時における弁座５８
ａに対するパイロット弁７３の吸着力が高められ、これ
により、最大減衰力設定値を高めて、減衰力チューニン
グの自由度を高めることができる。

【００３４】以上詳細に説明してきたように、本発明の
実施の形態のショックアブソーバＳＡでは、磁束補強プ
レート７４の積層によりソレノイドコイル６８通電時に
おける吸着性を低下させることなく、かつ、パイロット
弁７３を硬質なばね鋼からなる一枚の薄い板材で構成す
ることにより、パイロット弁７３の耐久性を向上させる
ことができるという効果が得られる。

【００３５】また、一般に磁束は、磁性体の表面付近に
多く流れるため、同じ断面積でも薄板を重ね合わせたも
のの方が、一体のものよりもトータル磁束量が多く流れ
るもので、このため、本発明の実施の形態におけるよう
に、所定厚さの磁束補強プレー７４を所定枚数重ねて使
用することにより、パイロット弁７４における内周可動
部７４ｂの軽量化が図れ、これにより、減衰力可変機構
３１の応答性が向上し、ひいてはサスペンションシステ
ムの応答性を向上させることができる。

【００３６】以上、発明の実施の形態について説明して
きたが、具体的な構成はこの発明の実施の形態に限られ
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計
変更等があっても本発明に含まれる。

【００３７】例えば、発明の実施の形態では、磁束補強
プレートを１枚のみで構成したが、複数枚を積層した状
態で用いることができる。

【００３８】また、発明の実施の形態では、磁束補強プ
レートの外周に作動液の流通路を形成するための切欠部
を形成したが、外周に複数の突起部を形成してもよい
し、また、全体または一部に１つまたは複数の貫通穴を
形成するようにしてもよい。

【００３９】また、発明の実施の形態では、パイロット
弁の構成として、外周固定方式のものを示したが、固定
部と可動部との位置関係は任意に設定することができ
る。

【００４０】

【発明の効果】以上説明してきたように本発明請求項１
記載の減衰力可変型ショックアブソーバでは、減衰力可
変ディスクバルブの背面側に形成された背圧室の液圧
を、ソレノイド駆動によるパイロット弁の開閉制御によ
り発生するパイロット液圧により制御することにより、
ショックアブソーバの減衰力を可変制御するショックア
ブソーバの減衰力可変機構において、前記パイロット弁
を固定部と可動部とを有するばね鋼からなる板材で構成
し、前記パイロット弁の可動部に前記パイロット弁材よ
りも炭素含有量の少ない鉄材からなる磁束補強プレート
を１枚もしくは複数枚浮動自在に積層した構成としたこ
とで、ソレノイド通電時における吸着性を低下させるこ
となしに、パイロット弁部の耐久性を向上させることが
できるようになるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施の形態の減衰力可変機構が適用され
たショックアブソーバを示す断面図である。

【図２】本発明の実施の形態のショックアブソーバにお
ける減衰力可変機構部分を示す拡大断面図である。

【図３】本発明の実施の形態のショックアブソーバにお
けるピストン部分を示す拡大断面図である。

【図４】本発明の実施の形態の減衰力可変機構における
パイロット弁および磁束補強プレートを示す拡大斜視図
である。

【図５】本発明の実施の形態の減衰力可変機構における
磁路を示す説明図である。

【図６】本発明の実施の形態の減衰力可変機構における
ソレノイドコイルに対するＰＭ制御状態を示すタイムチ
ャートである。

【図７】本発明の実施の形態の減衰力可変機構における
ピストン速度に対する減衰力可変特性図である。

【符号の説明】

ＳＡ ショックアブソーバ ３１ 減衰力可変機構 ７３ パイロット弁 ７３ａ 外周固定部 ７３ｂ 内周可動部 ７４ 磁束補強プレート ６１ 減衰力可変ディスクバルブ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】減衰力可変ディスクバルブの背面側に形成
   された背圧室の液圧を、ソレノイド駆動によるパイロッ
   ト弁の開閉制御により発生するパイロット液圧により制
   御することにより、ショックアブソーバの減衰力を可変
   制御するショックアブソーバの減衰力可変機構におい
   て、 前記パイロット弁を固定部と可動部とを有するばね鋼か
   らなる板材で構成し、前記パイロット弁の可動部に前記
   パイロット弁材よりも炭素含有量の少ない鉄材からなる
   磁束補強プレートを１枚もしくは複数枚浮動自在に積層
   したことを特徴とするショックアブソーバの減衰力可変
   機構。
2. 【請求項２】シリンダ内を上部室と下部室とに画成して
   摺動するピストンボディには上部室と下部室との間を連
   通する伸側上部連通孔および圧側上部連通孔が設けら
   れ、 前記ピストンボディの軸方向両端面には伸側上部連通孔
   および圧側上部連通孔の流通をそれぞれ制限的に許容す
   ることで高い減衰力を発生させる伸側高減衰バルブおよ
   び圧側高減衰バルブが設けられ、 伸行程時に前記伸側高減衰バルブをバイパスしてシリン
   ダの上部室と下部室との間を連通させる伸側バイパス流
   路および該伸側バイパス流路の途中に介装されていて該
   流路断面積を変化可能な請求項１に記載の減衰力可変機
   構と、圧行程時にシリンダの下部室と上部室との間を連
   通させる圧側バイパス流路および該圧側バイパス流路の
   途中に介装されていて該流路断面積を変化可能な請求項
   １に記載の減衰力可変機構とが設けられていることを特
   徴とする減衰力可変型ショックアブソーバ。