JPH11300755A - 樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法 - Google Patents
樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法Info
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- JPH11300755A JPH11300755A JP10522298A JP10522298A JPH11300755A JP H11300755 A JPH11300755 A JP H11300755A JP 10522298 A JP10522298 A JP 10522298A JP 10522298 A JP10522298 A JP 10522298A JP H11300755 A JPH11300755 A JP H11300755A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板のエッチングに必要な膜厚を備えたレジ
スト層を使用しても、鋳型の凹凸形状の解像度及び寸法
精度を向上することが可能である樹脂板製造用鋳型の製
造方法及び樹脂板の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上にマスク層２を形成する工程
と、マスク層２上に、レジスト層３を形成する工程と、
レジスト層３をパターニングする工程と、パターニング
されたレジスト層４をマスクとしてマスク層２をエッチ
ングする工程と、エッチングされたマスク層５をマスク
として基板１をエッチングする工程と、を備えた。
スト層を使用しても、鋳型の凹凸形状の解像度及び寸法
精度を向上することが可能である樹脂板製造用鋳型の製
造方法及び樹脂板の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上にマスク層２を形成する工程
と、マスク層２上に、レジスト層３を形成する工程と、
レジスト層３をパターニングする工程と、パターニング
されたレジスト層４をマスクとしてマスク層２をエッチ
ングする工程と、エッチングされたマスク層５をマスク
として基板１をエッチングする工程と、を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂板製造用鋳型
の製造方法に係り、特に表面に所定の情報に基づいて形
成された凹凸形状を備えた樹脂板を製造するための鋳型
の製造方法に関する。また、この樹脂板製造用鋳型を用
いた樹脂板の製造方法に関する。
の製造方法に係り、特に表面に所定の情報に基づいて形
成された凹凸形状を備えた樹脂板を製造するための鋳型
の製造方法に関する。また、この樹脂板製造用鋳型を用
いた樹脂板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、表面に所定の情報に基づいて
形成された凹凸形状を備えた光ディスク等の樹脂板を形
成する際には、この凹凸形状に対応した凹凸パターンが
形成された樹脂板製造用鋳型（いわゆるスタンパ）を母
型として用いた射出成形を行い、この凹凸パターンを前
記樹脂板の表面に転写する方法が一般的に行われてい
る。
形成された凹凸形状を備えた光ディスク等の樹脂板を形
成する際には、この凹凸形状に対応した凹凸パターンが
形成された樹脂板製造用鋳型（いわゆるスタンパ）を母
型として用いた射出成形を行い、この凹凸パターンを前
記樹脂板の表面に転写する方法が一般的に行われてい
る。
【０００３】この樹脂板に形成される凹凸形状は、高い
寸法精度が要求されるが、この凹凸形状の寸法精度を高
めるためには、前記鋳型に形成されている凹凸パターン
の解像性及び寸法精度を高める必要がある。
寸法精度が要求されるが、この凹凸形状の寸法精度を高
めるためには、前記鋳型に形成されている凹凸パターン
の解像性及び寸法精度を高める必要がある。
【０００４】この鋳型は、基板上にレジスト層を形成
し、このレジスト層に所望のパターニングを行い、この
パターニングされたレジスト層をマスクとして前記基板
にエッチングを行うことで、前記凹凸形状を形成してい
る。
し、このレジスト層に所望のパターニングを行い、この
パターニングされたレジスト層をマスクとして前記基板
にエッチングを行うことで、前記凹凸形状を形成してい
る。
【０００５】この方法で製造される鋳型の凹凸形状（樹
脂板に形成すべき凹凸形状の反転パターン）の解像性及
び寸法精度を向上させる有効な方法の一つとして、前記
レジスト層の膜厚を薄く形成する方法がある。
脂板に形成すべき凹凸形状の反転パターン）の解像性及
び寸法精度を向上させる有効な方法の一つとして、前記
レジスト層の膜厚を薄く形成する方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記鋳
型を製造する場合、前記レジスト層は、基板をエッチン
グする際に必要な膜厚を確保しなければならないため、
その膜厚を薄くすることに限界がある。このため、前記
鋳型の凹凸形状の解像性及び寸法精度を十分に向上させ
ることができないという問題があった。
型を製造する場合、前記レジスト層は、基板をエッチン
グする際に必要な膜厚を確保しなければならないため、
その膜厚を薄くすることに限界がある。このため、前記
鋳型の凹凸形状の解像性及び寸法精度を十分に向上させ
ることができないという問題があった。
【０００７】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題とするものであり、基板のエッチングに
必要な膜厚を備えたレジスト層を使用しても、鋳型の凹
凸形状の解像度及び寸法精度を向上することが可能であ
る樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法を
提供することを目的とする。
することを課題とするものであり、基板のエッチングに
必要な膜厚を備えたレジスト層を使用しても、鋳型の凹
凸形状の解像度及び寸法精度を向上することが可能であ
る樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、基板上に所定の情報に基づいて形成され
た凹凸形状を樹脂板に転写するための樹脂板製造用鋳型
の製造方法であって、前記基板上にマスク層を形成する
第１工程と、前記マスク層上にレジスト層を形成する第
２工程と、前記レジスト層をパターニングする第３工程
と、前記パターニングされたレジスト層をマスクとして
前記マスク層をエッチングする第４工程と、前記エッチ
ングされたマスク層をマスクとして前記基板をエッチン
グする第５工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型の製造方
法を提供するものである。
め、本発明は、基板上に所定の情報に基づいて形成され
た凹凸形状を樹脂板に転写するための樹脂板製造用鋳型
の製造方法であって、前記基板上にマスク層を形成する
第１工程と、前記マスク層上にレジスト層を形成する第
２工程と、前記レジスト層をパターニングする第３工程
と、前記パターニングされたレジスト層をマスクとして
前記マスク層をエッチングする第４工程と、前記エッチ
ングされたマスク層をマスクとして前記基板をエッチン
グする第５工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型の製造方
法を提供するものである。
【０００９】この製造方法では、鋳型に前記凹凸形状を
形成するためのパターンを作成するレジスト層と、前記
基板をエッチングするためのマスク層とを個別に形成す
るため、各層の膜厚を従来に比べて薄くすることがで
き、かつエッチングに必要な膜厚も確保することができ
る。
形成するためのパターンを作成するレジスト層と、前記
基板をエッチングするためのマスク層とを個別に形成す
るため、各層の膜厚を従来に比べて薄くすることがで
き、かつエッチングに必要な膜厚も確保することができ
る。
【００１０】前記マスク層は、前記基板の表面を酸化す
ることにより得ることができる。そしてまた、前記マス
ク層は、金属あるいは金属を含む化合物から構成するこ
ともできる。この金属は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕのいずれかから
選択することができる。さらにまた、前記マスク層は樹
脂から構成することもできる。
ることにより得ることができる。そしてまた、前記マス
ク層は、金属あるいは金属を含む化合物から構成するこ
ともできる。この金属は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕのいずれかから
選択することができる。さらにまた、前記マスク層は樹
脂から構成することもできる。
【００１１】また、前記基板はシリコンから構成するこ
とができる。
とができる。
【００１２】そしてまた、前記レジスト層は、シリコン
を含有した樹脂から構成することができる。
を含有した樹脂から構成することができる。
【００１３】また、本発明は、基板上に凹凸形状を樹脂
板に転写するための樹脂板製造用鋳型の製造方法であっ
て、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の樹
脂板製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型上に、導
体化層を形成する第１工程と、前記導体化層上に金属層
を形成する第２工程と、前記鋳型から前記金属層を剥離
して、前記鋳型に形成された凹凸形状が複写された金属
原盤を形成する第３工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型
の製造方法を提供するものである。
板に転写するための樹脂板製造用鋳型の製造方法であっ
て、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の樹
脂板製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型上に、導
体化層を形成する第１工程と、前記導体化層上に金属層
を形成する第２工程と、前記鋳型から前記金属層を剥離
して、前記鋳型に形成された凹凸形状が複写された金属
原盤を形成する第３工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型
の製造方法を提供するものである。
【００１４】さらにまた、本発明は、基板上に所定の情
報に基づいた凹凸形状が形成された樹脂板の製造方法で
あって、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載
の樹脂板製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型の凹
凸面に、樹脂板形成材料を設け、前記形成材料が固化し
た後に、前記鋳型の凹凸面から当該固化した樹脂板を剥
離する工程を備えた樹脂板の製造方法を提供するもので
ある。
報に基づいた凹凸形状が形成された樹脂板の製造方法で
あって、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載
の樹脂板製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型の凹
凸面に、樹脂板形成材料を設け、前記形成材料が固化し
た後に、前記鋳型の凹凸面から当該固化した樹脂板を剥
離する工程を備えた樹脂板の製造方法を提供するもので
ある。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施の形態に
ついて、図面を参照して説明する。
ついて、図面を参照して説明する。
【００１６】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１に係る樹脂板製造用鋳型（以下、「スタンパ」と
いう）の製造工程を示す断面図である。
形態１に係る樹脂板製造用鋳型（以下、「スタンパ」と
いう）の製造工程を示す断面図である。
【００１７】実施の形態１に係るスタンパは、光ディス
クの製造に使用するものであり、図１に示す工程によっ
て製造される。
クの製造に使用するものであり、図１に示す工程によっ
て製造される。
【００１８】すなわち、図１（１）に示す工程では、シ
リコン基板１上に、Ｔｉ（チタン）からなるマスク層２
を、５０〜１０００Åの膜厚で形成する。
リコン基板１上に、Ｔｉ（チタン）からなるマスク層２
を、５０〜１０００Åの膜厚で形成する。
【００１９】次に、図１（２）に示す工程では、図１
（１）に示す工程で形成したマスク層２上に、クレゾー
ルノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン
誘導体を配合して得られるレジスト層３を、１００〜１
０００Åの膜厚で形成する。ここで、このレジスト層３
は、シリコン基板１に対する選択比がマスク層２より小
さい材料で形成すると効果的である。
（１）に示す工程で形成したマスク層２上に、クレゾー
ルノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン
誘導体を配合して得られるレジスト層３を、１００〜１
０００Åの膜厚で形成する。ここで、このレジスト層３
は、シリコン基板１に対する選択比がマスク層２より小
さい材料で形成すると効果的である。
【００２０】次いで、図１（３）に示す工程では、図１
（２）に示す工程で形成したレジスト層３に所望パター
ンを転写するための露光を行う。
（２）に示す工程で形成したレジスト層３に所望パター
ンを転写するための露光を行う。
【００２１】次に、図１（４）に示す工程では、図１
（３）に示す工程で露光されたレジスト層３を現像し、
レジストパターン４を形成する。なお、このレジストパ
ターン４は、得ようとする光ディスクの表面に形成され
る凹凸形状の反転パターンである。
（３）に示す工程で露光されたレジスト層３を現像し、
レジストパターン４を形成する。なお、このレジストパ
ターン４は、得ようとする光ディスクの表面に形成され
る凹凸形状の反転パターンである。
【００２２】次いで、図１（５）に示す工程では、図１
（４）に示す工程で形成したレジストパターン４をマス
クとしてマスク層２にエッチングを行い、マスクパター
ン５を形成する。
（４）に示す工程で形成したレジストパターン４をマス
クとしてマスク層２にエッチングを行い、マスクパター
ン５を形成する。
【００２３】次に、図１（６）に示す工程では、図１
（４）に示す工程で形成したマスクパターン５上に残っ
ているレジストパターン４を除去する。なお、レジスト
パターン４が存在しても、後に詳述する図１（７）に示
す工程で行う、シリコン基板１のエッチングにおいて問
題がなければ、この工程は省略してもよい。
（４）に示す工程で形成したマスクパターン５上に残っ
ているレジストパターン４を除去する。なお、レジスト
パターン４が存在しても、後に詳述する図１（７）に示
す工程で行う、シリコン基板１のエッチングにおいて問
題がなければ、この工程は省略してもよい。
【００２４】次いで、図１（７）に示す工程では、図１
（６）に示す工程で得たマスクパターン５をマスクとし
て、シリコン基板１にエッチングを行う。
（６）に示す工程で得たマスクパターン５をマスクとし
て、シリコン基板１にエッチングを行う。
【００２５】次に、図１（８）に示す工程では、シリコ
ン基板１上に残ったマスクパターン５を除去し、スタン
パを得る。なお、マスクパターン５が存在しても、スタ
ンパとしての機能を満足する場合は、この工程は省略し
てもよい。
ン基板１上に残ったマスクパターン５を除去し、スタン
パを得る。なお、マスクパターン５が存在しても、スタ
ンパとしての機能を満足する場合は、この工程は省略し
てもよい。
【００２６】このように、本発明は、レジストパターン
４は、マスク層２をエッチングするためのマスクとして
好適に使用可能であればよく、シリコン基板１のエッチ
ングは、マスクパターン５をマスクとして行う方法を採
用している。このため、従来のように、レジストパター
ンをマスクとしてシリコン基板をエッチングする方法に
比べ、レジスト層の膜厚を薄くしても良好なエッチング
を行うことができる。この結果、レジスト層の解像性を
向上でき、スタンパに形成される凹凸形状の寸法精度を
向上することができる。
４は、マスク層２をエッチングするためのマスクとして
好適に使用可能であればよく、シリコン基板１のエッチ
ングは、マスクパターン５をマスクとして行う方法を採
用している。このため、従来のように、レジストパター
ンをマスクとしてシリコン基板をエッチングする方法に
比べ、レジスト層の膜厚を薄くしても良好なエッチング
を行うことができる。この結果、レジスト層の解像性を
向上でき、スタンパに形成される凹凸形状の寸法精度を
向上することができる。
【００２７】なお、実施の形態１では、スタンパを構成
する材料として、シリコン基板１を使用した場合につい
て説明したが、これに限らず、石英、ガラス、金属、セ
ラミック、樹脂等、通常スタンパとして使用可能な材料
であれば、他の材料を使用できることは勿論である。
する材料として、シリコン基板１を使用した場合につい
て説明したが、これに限らず、石英、ガラス、金属、セ
ラミック、樹脂等、通常スタンパとして使用可能な材料
であれば、他の材料を使用できることは勿論である。
【００２８】また、実施の形態１では、マスク層２を形
成する材料として、Ｔｉを使用した場合について説明し
たが、これに限らず、マスク層２を形成する材料として
は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニ
ッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ａｇ
（銀）、Ｗ（タングステン）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐ
ｔ（白金）、Ａｕ（金）等の金属、あるいはそれらの金
属を含む化合物等を好適に使用することができる。
成する材料として、Ｔｉを使用した場合について説明し
たが、これに限らず、マスク層２を形成する材料として
は、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニ
ッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ａｇ
（銀）、Ｗ（タングステン）、Ｉｒ（イリジウム）、Ｐ
ｔ（白金）、Ａｕ（金）等の金属、あるいはそれらの金
属を含む化合物等を好適に使用することができる。
【００２９】そしてまた、実施の形態１では、レジスト
層３を形成する材料として、クレゾールノボラック系樹
脂に感光剤としてジアゾナフトキノン誘導体を配合して
得られるものを使用した場合について説明したが、これ
に限らず、レジスト層３を形成する材料は、シリコン基
板１に対する選択比がマスク層２より小さい材料であれ
ば、例えば、ポリヒドロキシスチレン系樹脂に感光剤と
溶解抑制剤あるいは架橋剤を配合したもの等を好適に使
用することができる。
層３を形成する材料として、クレゾールノボラック系樹
脂に感光剤としてジアゾナフトキノン誘導体を配合して
得られるものを使用した場合について説明したが、これ
に限らず、レジスト層３を形成する材料は、シリコン基
板１に対する選択比がマスク層２より小さい材料であれ
ば、例えば、ポリヒドロキシスチレン系樹脂に感光剤と
溶解抑制剤あるいは架橋剤を配合したもの等を好適に使
用することができる。
【００３０】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２に係るスタンパの製造方法について図面を参照して
説明する。なお、実施の形態２では、実施の形態１と同
様の部材には、同一の符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
態２に係るスタンパの製造方法について図面を参照して
説明する。なお、実施の形態２では、実施の形態１と同
様の部材には、同一の符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
【００３１】図２は、実施の形態２に係るスタンパの製
造工程を示す断面図である。実施の形態２に係るスタン
パも光ディスクの製造に使用するものであり、図２に示
す工程によって製造される。
造工程を示す断面図である。実施の形態２に係るスタン
パも光ディスクの製造に使用するものであり、図２に示
す工程によって製造される。
【００３２】すなわち、図２（１）に示す工程では、シ
リコン基板１上に、シリコン酸化膜からなるマスク層２
を、５０〜１０００Åの膜厚で、熱酸化により形成す
る。
リコン基板１上に、シリコン酸化膜からなるマスク層２
を、５０〜１０００Åの膜厚で、熱酸化により形成す
る。
【００３３】次に、図２（２）に示す工程では、図２
（１）に示す工程で形成したマスク層２上に、クレゾー
ルノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン
誘導体を配合して得られるレジスト層３を、１００〜１
０００Åの膜厚で形成する。ここで、このレジスト層３
は、シリコン基板１に対する選択比がマスク層２より小
さい材料で形成すると効果的である。
（１）に示す工程で形成したマスク層２上に、クレゾー
ルノボラック系樹脂に感光剤としてジアゾナフトキノン
誘導体を配合して得られるレジスト層３を、１００〜１
０００Åの膜厚で形成する。ここで、このレジスト層３
は、シリコン基板１に対する選択比がマスク層２より小
さい材料で形成すると効果的である。
【００３４】次いで、図２（３）〜（６）に示す工程で
は、実施の形態１に係る図１（３）〜図１（６）に示す
工程と同様の工程を行い、シリコン基板１上にマスクパ
ターン５を形成する。
は、実施の形態１に係る図１（３）〜図１（６）に示す
工程と同様の工程を行い、シリコン基板１上にマスクパ
ターン５を形成する。
【００３５】次いで、図２（７）に示す工程では、図２
（６）に示す工程で得たマスクパターン５をマスクとし
て、シリコン基板１にエッチングを行う。ここで、実施
の形態２では、マスクパターン５として熱酸化によりシ
リコン基板１上に形成された酸化膜を利用するため、基
板とマスクパターンが強固に一体化している。このた
め、エッチング後の凹凸パターンの形状や耐久性等に問
題がなければ、マスクパターン５を除去する必要はな
い。このようにして、スタンパを得る。
（６）に示す工程で得たマスクパターン５をマスクとし
て、シリコン基板１にエッチングを行う。ここで、実施
の形態２では、マスクパターン５として熱酸化によりシ
リコン基板１上に形成された酸化膜を利用するため、基
板とマスクパターンが強固に一体化している。このた
め、エッチング後の凹凸パターンの形状や耐久性等に問
題がなければ、マスクパターン５を除去する必要はな
い。このようにして、スタンパを得る。
【００３６】このように、実施の形態２に係る製造方法
でも、実施の形態１と同様に、レジストパターン４は、
マスク層２をエッチングするためのマスクとして好適に
使用可能であればよく、シリコン基板１のエッチング
は、マスクパターン５をマスクとして行う方法を採用し
ている。このため、従来のように、レジストパターンを
マスクとしてシリコン基板をエッチングする方法に比
べ、レジスト層の膜厚を薄くしても良好なエッチングを
行うことができる。この結果、レジスト層の解像性を向
上でき、スタンパに形成される凹凸形状の寸法精度を向
上することができる。また、マスクパターン５を除去す
る必要がないため、製造工程を簡略化することもでき
る。
でも、実施の形態１と同様に、レジストパターン４は、
マスク層２をエッチングするためのマスクとして好適に
使用可能であればよく、シリコン基板１のエッチング
は、マスクパターン５をマスクとして行う方法を採用し
ている。このため、従来のように、レジストパターンを
マスクとしてシリコン基板をエッチングする方法に比
べ、レジスト層の膜厚を薄くしても良好なエッチングを
行うことができる。この結果、レジスト層の解像性を向
上でき、スタンパに形成される凹凸形状の寸法精度を向
上することができる。また、マスクパターン５を除去す
る必要がないため、製造工程を簡略化することもでき
る。
【００３７】なお、実施の形態２では、マスクパターン
５をシリコン酸化膜から構成したため、シリコン基板１
をエッチングした後に、このマスクパターン５を除去す
る必要がないという効果が得られるが、このような材料
としては、シリコン酸化膜の他、シリコン窒化膜等があ
る。
５をシリコン酸化膜から構成したため、シリコン基板１
をエッチングした後に、このマスクパターン５を除去す
る必要がないという効果が得られるが、このような材料
としては、シリコン酸化膜の他、シリコン窒化膜等があ
る。
【００３８】また、シリコン酸化膜は、熱酸化の他、Ｃ
ＶＤ法やスパッタ法等、他の方法によって形成してもよ
い。
ＶＤ法やスパッタ法等、他の方法によって形成してもよ
い。
【００３９】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３に係るスタンパの製造方法について図面を参照して
説明する。なお、実施の形態３では、実施の形態１と同
様の部材には、同一の符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
態３に係るスタンパの製造方法について図面を参照して
説明する。なお、実施の形態３では、実施の形態１と同
様の部材には、同一の符号を付し、その詳細な説明は省
略する。
【００４０】図３は、実施の形態３に係るスタンパの製
造工程を示す断面図である。実施の形態３に係るスタン
パも光ディスクの製造に使用するものであり、図３に示
す工程によって製造される。
造工程を示す断面図である。実施の形態３に係るスタン
パも光ディスクの製造に使用するものであり、図３に示
す工程によって製造される。
【００４１】すなわち、図３（１）に示す工程では、シ
リコン基板１上に、樹脂からなるマスク層２を、１００
０〜２００００Åの膜厚で形成する。
リコン基板１上に、樹脂からなるマスク層２を、１００
０〜２００００Åの膜厚で形成する。
【００４２】前記樹脂は、後に詳述する図３（５）に示
す工程で行うエッチングで、レジスト層３のパターンを
容易に転写することができ、図３（７）に示す工程で、
基板１をエッチングするためのマスクとしての機能を果
たすものであれば特に限定されるものではないが、例え
ば、ノボラック樹脂等が好適に利用できる。
す工程で行うエッチングで、レジスト層３のパターンを
容易に転写することができ、図３（７）に示す工程で、
基板１をエッチングするためのマスクとしての機能を果
たすものであれば特に限定されるものではないが、例え
ば、ノボラック樹脂等が好適に利用できる。
【００４３】次に、図３（２）に示す工程では、図１
（１）に示す工程で形成したマスク層２上に、シリコン
を含有した樹脂からなるレジスト層３を、１００〜２０
００Åの膜厚、すなわち、マスク層２より薄い膜厚で形
成する。ここで、このレジスト層３は、シリコン基板１
に対する選択比がマスク層２より大きく、エッチングレ
ートが小さい材料で形成した。
（１）に示す工程で形成したマスク層２上に、シリコン
を含有した樹脂からなるレジスト層３を、１００〜２０
００Åの膜厚、すなわち、マスク層２より薄い膜厚で形
成する。ここで、このレジスト層３は、シリコン基板１
に対する選択比がマスク層２より大きく、エッチングレ
ートが小さい材料で形成した。
【００４４】次いで、図３（３）〜（８）に示す工程で
は、実施の形態１に係る図１（３）〜図１（８）に示す
工程と同様の工程を行い、スタンパを得る。
は、実施の形態１に係る図１（３）〜図１（８）に示す
工程と同様の工程を行い、スタンパを得る。
【００４５】このように、本発明は、レジスト層３を実
施の形態１及び２よりも薄く形成することができるた
め、さらにレジスト層３の解像性を向上でき、スタンパ
に形成される凹凸形状の寸法精度を向上することができ
る。
施の形態１及び２よりも薄く形成することができるた
め、さらにレジスト層３の解像性を向上でき、スタンパ
に形成される凹凸形状の寸法精度を向上することができ
る。
【００４６】なお、実施の形態３では、スタンパを構成
する材料として、シリコン基板１を使用した場合につい
て説明したが、これに限らず、石英、ガラス、金属、セ
ラミック、樹脂等、通常スタンパとして使用可能な材料
であれば、他の材料を使用できることは勿論である。
する材料として、シリコン基板１を使用した場合につい
て説明したが、これに限らず、石英、ガラス、金属、セ
ラミック、樹脂等、通常スタンパとして使用可能な材料
であれば、他の材料を使用できることは勿論である。
【００４７】（実施の形態４）次に、本発明の実施の形
態４に係る樹脂板製造用鋳型の製造方法について図面を
参照して説明する。
態４に係る樹脂板製造用鋳型の製造方法について図面を
参照して説明する。
【００４８】図４は、実施の形態４に係る金属原盤の製
造工程を示す断面図である。なお、実施の形態４では、
実施の形態１と同様の部材には、同一の符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する。
造工程を示す断面図である。なお、実施の形態４では、
実施の形態１と同様の部材には、同一の符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する。
【００４９】実施の形態４に係る金属原盤も光ディスク
の製造に使用するものであり、図４に示す工程によって
製造される。
の製造に使用するものであり、図４に示す工程によって
製造される。
【００５０】すなわち、図４（１）に示す工程では、実
施の形態１で得られたスタンパ１０上に、例えば、Ｎｉ
からなる導体化層１１を、１００〜１０００Åの膜厚で
形成する。
施の形態１で得られたスタンパ１０上に、例えば、Ｎｉ
からなる導体化層１１を、１００〜１０００Åの膜厚で
形成する。
【００５１】次に、図４（２）に示す工程では、図４
（１）に示す工程で得た導体化層１１上にニッケルから
なる金属層１２を電鋳により形成する。
（１）に示す工程で得た導体化層１１上にニッケルから
なる金属層１２を電鋳により形成する。
【００５２】次いで、図４（３）に示す工程では、スタ
ンパ１０から金属層１２及び導体化層１１を一体的に剥
離する。さらに、必要に応じて金属層１２から導体化層
１１を剥離してもよい。このようにして、スタンパ１０
に形成された凹凸形状が複写された金属原盤を得る。
ンパ１０から金属層１２及び導体化層１１を一体的に剥
離する。さらに、必要に応じて金属層１２から導体化層
１１を剥離してもよい。このようにして、スタンパ１０
に形成された凹凸形状が複写された金属原盤を得る。
【００５３】なお、実施の形態４では、実施の形態１で
得たスタンパ１０を使用した場合について説明したが、
これに限らず、実施の形態２または実施の形態３で得た
スタンパを使用してもよいことは勿論である。
得たスタンパ１０を使用した場合について説明したが、
これに限らず、実施の形態２または実施の形態３で得た
スタンパを使用してもよいことは勿論である。
【００５４】また、実施の形態４では、導体化層１１を
Ｎｉにより構成した場合について説明したがこれに限ら
ず、導体化層１１は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等により形成することもできる。
Ｎｉにより構成した場合について説明したがこれに限ら
ず、導体化層１１は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等により形成することもできる。
【００５５】なお、実施の形態１ないし３で得られたス
タンパ、あるいは実施の形態４で得られた金属原盤を用
いて樹脂板を製造するには、例えば、スタンパ（あるい
は金属原盤）に形成された凹凸面上に、アクリル系樹脂
等の形成材料を設け、前記形成材料が固化した後に、前
記スタンパ（あるいは金属原盤）の凹凸面から当該固化
した樹脂板を剥離すればよい。
タンパ、あるいは実施の形態４で得られた金属原盤を用
いて樹脂板を製造するには、例えば、スタンパ（あるい
は金属原盤）に形成された凹凸面上に、アクリル系樹脂
等の形成材料を設け、前記形成材料が固化した後に、前
記スタンパ（あるいは金属原盤）の凹凸面から当該固化
した樹脂板を剥離すればよい。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る樹脂
板製造用鋳型の製造方法によれば、鋳型に凹凸形状を形
成するためのパターンを作成するレジスト層と、前記基
板をエッチングするためのマスク層とを個別に形成する
ため、各層の膜厚を従来に比べて薄くすることができ
る。したがって、エッチングに必要な膜厚を確保すると
同時に、前記レジスト層の解像力を向上することができ
る。この結果、高い精度を備えた樹脂板製造用鋳型を製
造することができる。
板製造用鋳型の製造方法によれば、鋳型に凹凸形状を形
成するためのパターンを作成するレジスト層と、前記基
板をエッチングするためのマスク層とを個別に形成する
ため、各層の膜厚を従来に比べて薄くすることができ
る。したがって、エッチングに必要な膜厚を確保すると
同時に、前記レジスト層の解像力を向上することができ
る。この結果、高い精度を備えた樹脂板製造用鋳型を製
造することができる。
【００５７】また、本発明に係る樹脂板の製造方法によ
れば、高い精度精度を備えた樹脂板製造用鋳型を用いて
樹脂板を製造するため、寸法精度に優れた信頼性の高い
樹脂板を製造することができる。
れば、高い精度精度を備えた樹脂板製造用鋳型を用いて
樹脂板を製造するため、寸法精度に優れた信頼性の高い
樹脂板を製造することができる。
【図１】本発明の実施の形態１に係るスタンパの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係るスタンパの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係るスタンパの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態４に係る金属原盤の製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
１ シリコン基板 ２ レジスト層 ３ マスク層 ４ レジストパターン ５ マスクパターン １０ スタンパ １１ 導体化層 １２ 金属層
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に所定の情報に基づいて形成され
た凹凸形状を樹脂板に転写するための樹脂板製造用鋳型
の製造方法であって、 前記基板上にマスク層を形成する第１工程と、前記マス
ク層上にレジスト層を形成する第２工程と、前記レジス
ト層をパターニングする第３工程と、前記パターニング
されたレジスト層をマスクとして前記マスク層をエッチ
ングする第４工程と、前記エッチングされたマスク層を
マスクとして前記基板をエッチングする第５工程と、を
備えた樹脂板製造用鋳型の製造方法。 - 【請求項２】 前記マスク層は、前記基板の表面を酸化
して得られる請求項１記載の樹脂板製造用鋳型の製造方
法。 - 【請求項３】 前記基板はシリコンからなる請求項２記
載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。 - 【請求項４】 前記マスク層は、金属あるいは金属を含
む化合物からなる請求項１記載の樹脂板製造用鋳型の製
造方法。 - 【請求項５】 前記金属は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕのいずれかで
ある請求項４記載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。 - 【請求項６】 前記マスク層は樹脂からなる請求項１記
載の樹脂板製造用鋳型の製造方法。 - 【請求項７】 前記レジスト層は、シリコンを含有した
樹脂からなる請求項１記載の樹脂板製造用鋳型の製造方
法。 - 【請求項８】 基板上に凹凸形状を樹脂板に転写するた
めの樹脂板製造用鋳型の製造方法であって、 請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の樹脂板
製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型上に、導体化
層を形成する第１工程と、前記導体化層上に金属層を形
成する第２工程と、前記鋳型から前記金属層を剥離し
て、前記鋳型に形成された凹凸形状が複写された金属原
盤を形成する第３工程と、を備えた樹脂板製造用鋳型の
製造方法。 - 【請求項９】 基板上に所定の情報に基づいた凹凸形状
が形成された樹脂板の製造方法であって、 請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の樹脂板
製造用鋳型の製造方法により得られた鋳型の凹凸面に、
樹脂板形成材料を設け、前記形成材料が固化した後に、
前記鋳型の凹凸面から当該固化した樹脂板を剥離する工
程を備えた樹脂板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10522298A JPH11300755A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10522298A JPH11300755A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11300755A true JPH11300755A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14401652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10522298A Withdrawn JPH11300755A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 樹脂板製造用鋳型の製造方法及び樹脂板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11300755A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100344430C (zh) * | 2003-03-24 | 2007-10-24 | 可乐丽股份有限公司 | 树脂成型品的制造方法、金属结构体的制造方法及树脂成型品 |
| JP2008290316A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Canon Inc | パターンの形成方法、該パターンの形成方法によって形成されたパターン、モールド、加工装置及び加工方法 |
| US8372253B2 (en) | 2009-12-07 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic read/write apparatus |
| JP2013058767A (ja) * | 2012-10-19 | 2013-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンの形成方法およびテンプレートの製造方法 |
| JP2014197693A (ja) * | 2014-05-29 | 2014-10-16 | 大日本印刷株式会社 | パターンの形成方法およびテンプレートの製造方法 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10522298A patent/JPH11300755A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100344430C (zh) * | 2003-03-24 | 2007-10-24 | 可乐丽股份有限公司 | 树脂成型品的制造方法、金属结构体的制造方法及树脂成型品 |
| JP2008290316A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Canon Inc | パターンの形成方法、該パターンの形成方法によって形成されたパターン、モールド、加工装置及び加工方法 |
| US8372253B2 (en) | 2009-12-07 | 2013-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing the same, and magnetic read/write apparatus |
| JP2013058767A (ja) * | 2012-10-19 | 2013-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | パターンの形成方法およびテンプレートの製造方法 |
| JP2014197693A (ja) * | 2014-05-29 | 2014-10-16 | 大日本印刷株式会社 | パターンの形成方法およびテンプレートの製造方法 |
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|---|---|---|---|
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Effective date: 20041021 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050107 |