JPH11289044A - スイッチング電源制御用半導体装置 - Google Patents
スイッチング電源制御用半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】静電気に対する耐量およびサージ耐量の向上を
図る。 【解決手段】リード・フレーム１２はチップ搭載部１８
と端子部１９で構成され、チップ搭載部１８に、横型の
高耐圧スイッチング・トランジスタであるＭＯＳＦＥＴ
２と始動電力供給素子であるＪＦＥＴ５および制御用Ｉ
Ｃ７が集積されている半導体チップ１が搭載され、ＭＯ
ＳＦＥＴ２のドレインパット３とＪＦＥＴ５のドレイン
パッド６とはリード・フレームのドレイン端子１３にボ
ンディングワイヤ９で接続される。ドレイン端子１３に
ＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３とＪＦＥＴ５のドレ
インバッド６をボンディングワイヤ９で接続すること
で、サージ耐量と静電気に対する耐量を向上させる。
図る。 【解決手段】リード・フレーム１２はチップ搭載部１８
と端子部１９で構成され、チップ搭載部１８に、横型の
高耐圧スイッチング・トランジスタであるＭＯＳＦＥＴ
２と始動電力供給素子であるＪＦＥＴ５および制御用Ｉ
Ｃ７が集積されている半導体チップ１が搭載され、ＭＯ
ＳＦＥＴ２のドレインパット３とＪＦＥＴ５のドレイン
パッド６とはリード・フレームのドレイン端子１３にボ
ンディングワイヤ９で接続される。ドレイン端子１３に
ＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３とＪＦＥＴ５のドレ
インバッド６をボンディングワイヤ９で接続すること
で、サージ耐量と静電気に対する耐量を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、５００Ｖ以上の
高耐圧スイッチング素子とそれを駆動するための制御用
ＩＣとを同一の半導体チップに集積したスイッチング電
源制御用半導体装置に関する。
高耐圧スイッチング素子とそれを駆動するための制御用
ＩＣとを同一の半導体チップに集積したスイッチング電
源制御用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のスイッチング電源の要部回
路図である。ＡＣ１００Ｖ〜２４０Ｖの電源３１にヒュ
ーズ３２を介して整流器３３を接続し、整流器３３の出
力を電源コンデンサ３４に接続し、その電源コンデンサ
３４は出力が２巻線のトランス３５の１次巻線３６の一
端およびスイッチング電源制御用半導体装置６０の始動
電力入力端子１４と接続し、他端はスイッチング電源制
御用半導体装置６０を構成する高耐圧スイッチング・ト
ランジスタであるＭＯＳＦＥＴ２のドレイン端子１３と
接続する。またトランス３５の１つづつある２次巻線の
うち一方の２次巻線３７ａはダイオード３８を介して出
力コンデンサ３９と接続し、出力コンデンサ３９は出力
端子５０と接続する。２次巻線３７ｂはダイオード４１
を介して平滑コンデンサ４２に接続し、この平滑コンデ
ンサ４２はスイッチング電源制御用半導体装置６０のＶ
CC端子１６と接続する。スイッチング電源制御用半導体
装置６０は高耐圧スイッチング・トランジスタとして使
用されるＭＯＳＦＥＴ２と、始動電力供給素子と使用さ
れるＪＦＥＴ５と、電源回路部２１および制御回路部２
２で構成し、これらを同一半導体チップ上に集積する
か、同一モジュールに組み込んでいる。ＪＦＥＴ５のソ
ースＳを電源回路部２１に接続し、電源回路部２１は制
御回路部２２へ電力を供給する。制御回路部２２をＭＯ
ＳＦＥＴ２のゲートＧに接続して、ＭＯＳＦＥＴのスイ
ッチングを制御するまた前記のドレイン端子１３はつぎ
に説明する図４のＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３と
接続し、始動電力入力端子１４はＪＦＥＴ５のドレイン
パッド４と接続し、ＶCC端子１６は制御用ＩＣ７のＶCC
パッド８ａを介して電源回路部２１と接続する。
路図である。ＡＣ１００Ｖ〜２４０Ｖの電源３１にヒュ
ーズ３２を介して整流器３３を接続し、整流器３３の出
力を電源コンデンサ３４に接続し、その電源コンデンサ
３４は出力が２巻線のトランス３５の１次巻線３６の一
端およびスイッチング電源制御用半導体装置６０の始動
電力入力端子１４と接続し、他端はスイッチング電源制
御用半導体装置６０を構成する高耐圧スイッチング・ト
ランジスタであるＭＯＳＦＥＴ２のドレイン端子１３と
接続する。またトランス３５の１つづつある２次巻線の
うち一方の２次巻線３７ａはダイオード３８を介して出
力コンデンサ３９と接続し、出力コンデンサ３９は出力
端子５０と接続する。２次巻線３７ｂはダイオード４１
を介して平滑コンデンサ４２に接続し、この平滑コンデ
ンサ４２はスイッチング電源制御用半導体装置６０のＶ
CC端子１６と接続する。スイッチング電源制御用半導体
装置６０は高耐圧スイッチング・トランジスタとして使
用されるＭＯＳＦＥＴ２と、始動電力供給素子と使用さ
れるＪＦＥＴ５と、電源回路部２１および制御回路部２
２で構成し、これらを同一半導体チップ上に集積する
か、同一モジュールに組み込んでいる。ＪＦＥＴ５のソ
ースＳを電源回路部２１に接続し、電源回路部２１は制
御回路部２２へ電力を供給する。制御回路部２２をＭＯ
ＳＦＥＴ２のゲートＧに接続して、ＭＯＳＦＥＴのスイ
ッチングを制御するまた前記のドレイン端子１３はつぎ
に説明する図４のＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３と
接続し、始動電力入力端子１４はＪＦＥＴ５のドレイン
パッド４と接続し、ＶCC端子１６は制御用ＩＣ７のＶCC
パッド８ａを介して電源回路部２１と接続する。
【０００３】従来、前記のスイッチング電源制御用半導
体装置６０は、ＪＦＥＴ５と、電源回路部２１と制御回
路部２２で構成される制御用ＩＣ７と、この制御用ＩＣ
７で制御されるＭＯＳＦＥＴ２とはそれぞれ個別に外部
接続されていたが、近年、高耐圧ＩＣ技術の進歩によ
り、このＪＦＥＴ５と制御用ＩＣ７およびＭＯＳＦＥＴ
２を同一の半導体チップ１に集積して、部品点数の削
減、電源システムの簡素化が図られるようになった。
体装置６０は、ＪＦＥＴ５と、電源回路部２１と制御回
路部２２で構成される制御用ＩＣ７と、この制御用ＩＣ
７で制御されるＭＯＳＦＥＴ２とはそれぞれ個別に外部
接続されていたが、近年、高耐圧ＩＣ技術の進歩によ
り、このＪＦＥＴ５と制御用ＩＣ７およびＭＯＳＦＥＴ
２を同一の半導体チップ１に集積して、部品点数の削
減、電源システムの簡素化が図られるようになった。
【０００４】図４は従来のスイッチング電源制御用半導
体装置の要部構成図である。リード・フレーム１２はチ
ップ搭載部１８と端子部１９で構成され、チップ搭載部
１８に、ＭＯＳＦＥＴ２とＪＦＥＴ５および制御用ＩＣ
７が形成される半導体チップ１が搭載される。また、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３とリード・フレーム１
２のドレイン端子１３、ＪＦＥＴ５のドレインパッド６
とリード・フレーム１２の始動電力入力端子１４はそれ
ぞれボンディングワイヤ９で接続される。勿論、制御用
ＩＣ７のＶCCパッド８ａやＭＯＳＦＥＴ２のソースパッ
ド４などもリード・フレームのＶCC端子１６やソース端
子１５とそれぞれボンディングワイヤで接続される。
体装置の要部構成図である。リード・フレーム１２はチ
ップ搭載部１８と端子部１９で構成され、チップ搭載部
１８に、ＭＯＳＦＥＴ２とＪＦＥＴ５および制御用ＩＣ
７が形成される半導体チップ１が搭載される。また、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３とリード・フレーム１
２のドレイン端子１３、ＪＦＥＴ５のドレインパッド６
とリード・フレーム１２の始動電力入力端子１４はそれ
ぞれボンディングワイヤ９で接続される。勿論、制御用
ＩＣ７のＶCCパッド８ａやＭＯＳＦＥＴ２のソースパッ
ド４などもリード・フレームのＶCC端子１６やソース端
子１５とそれぞれボンディングワイヤで接続される。
【０００５】尚、パッドとはボンディングワイヤ９を固
着する半導体チップ１上に形成された電極のことであ
る。また、ＭＯＳＦＥＴ２のソースパッド４や制御用Ｉ
Ｃ７の各パッド８もリード・フレーム１２の各端子１
５、１６、１７にボンディングワイヤ９で接続される。
この半導体チップ１とリード・フレーム１２とボンディ
ングワイヤ９をモールド樹脂のパッケージ１１で封止す
る。
着する半導体チップ１上に形成された電極のことであ
る。また、ＭＯＳＦＥＴ２のソースパッド４や制御用Ｉ
Ｃ７の各パッド８もリード・フレーム１２の各端子１
５、１６、１７にボンディングワイヤ９で接続される。
この半導体チップ１とリード・フレーム１２とボンディ
ングワイヤ９をモールド樹脂のパッケージ１１で封止す
る。
【０００６】つぎに、このスイッチング電源の動作を図
３を用いて説明する。ＡＣ１００Ｖ〜２４０Ｖ程度の電
源３１より供給され、整流器３３で整流された電流が電
源コンデンサ３４に流れ、電源コンデンサ３４によって
平滑されてトランス３５の１次巻線３６のの一端に印加
される。１次巻線３６の他端にはスイッチング電源制御
用半導体素装置６０を構成するＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ン端子１３が接続されておりＭＯＳＦＥＴ２が１００ｋ
Ｈｚ程度の周波数でスイッチングすることによってトラ
ンス３５の１次巻線３６に高周波の電力が供給される。
チョッピングされた高周波電力はダイオード３８で整流
され、出力コンデンサ３９で平滑されて、出力端子５０
には直流電力が供給される。
３を用いて説明する。ＡＣ１００Ｖ〜２４０Ｖ程度の電
源３１より供給され、整流器３３で整流された電流が電
源コンデンサ３４に流れ、電源コンデンサ３４によって
平滑されてトランス３５の１次巻線３６のの一端に印加
される。１次巻線３６の他端にはスイッチング電源制御
用半導体素装置６０を構成するＭＯＳＦＥＴ２のドレイ
ン端子１３が接続されておりＭＯＳＦＥＴ２が１００ｋ
Ｈｚ程度の周波数でスイッチングすることによってトラ
ンス３５の１次巻線３６に高周波の電力が供給される。
チョッピングされた高周波電力はダイオード３８で整流
され、出力コンデンサ３９で平滑されて、出力端子５０
には直流電力が供給される。
【０００７】つぎに、スイッチング電源制御半導体装置
６０の動作について説明する。電源コンデンサ３４で平
滑された電流は、ドレイン端子１４−ＪＦＥＴ５−ＶCC
端子１６を経由して平滑コンデンサ４２へ流れ、平滑コ
ンデンサ４２をチャージし、この平滑コンデンサ４２の
電圧が上昇するとＪＦＥＴ５はオフ状態になる。この平
滑コンデンサ４２からＶCC端子１６を介して電源回路部
２１に始動電力が供給される。
６０の動作について説明する。電源コンデンサ３４で平
滑された電流は、ドレイン端子１４−ＪＦＥＴ５−ＶCC
端子１６を経由して平滑コンデンサ４２へ流れ、平滑コ
ンデンサ４２をチャージし、この平滑コンデンサ４２の
電圧が上昇するとＪＦＥＴ５はオフ状態になる。この平
滑コンデンサ４２からＶCC端子１６を介して電源回路部
２１に始動電力が供給される。
【０００８】制御回路部２２は、電源回路部２１に蓄え
られた始動電力を電源とし、図示しない指令手段のオン
・オフ指令に基づいてＭＯＳＦＥＴ２のスイッチングを
制御し、１００ｋＨｚ程度の周波数でスイッチング動作
することによって、トランス３５の１次巻線３６に電力
を供給する。その後はスイッチングが開始され、トラン
ス３５の２次巻線３７ａ、３７ｂに電圧が発生すると、
今度は２次巻線３７ｂに発生する電力をダイオード４１
で整流し、平滑コンデンサ４２で平滑し、ＶCC端子１６
を経て電源回路部２１へ供給する。そして、制御回路部
２２はこの電力によって動作することができるのであ
る。
られた始動電力を電源とし、図示しない指令手段のオン
・オフ指令に基づいてＭＯＳＦＥＴ２のスイッチングを
制御し、１００ｋＨｚ程度の周波数でスイッチング動作
することによって、トランス３５の１次巻線３６に電力
を供給する。その後はスイッチングが開始され、トラン
ス３５の２次巻線３７ａ、３７ｂに電圧が発生すると、
今度は２次巻線３７ｂに発生する電力をダイオード４１
で整流し、平滑コンデンサ４２で平滑し、ＶCC端子１６
を経て電源回路部２１へ供給する。そして、制御回路部
２２はこの電力によって動作することができるのであ
る。
【０００９】前記の動作において、高耐圧スイッチング
・トランジスタとして使用するＭＯＳＦＥＴ２の制御回
路部２２を始動するための始動電力は、電源３１を整流
し、始動電力入力端子１４からＪＦＥＴ５を介して制御
用ＩＣ７に供給されるため、このＪＦＥＴ５に印加され
る電圧は、トランスの跳ね上がり電圧が電源電圧に重畳
されてＭＯＳＦＥＴ２に印加される印加電圧よりも低
い。そのため、電源電圧をＡＣ１００〜２４０Ｖとする
と、始動電力供給素子であるＪＦＥＴ５の定格電圧は４
５０Ｖ程度、ＭＯＳＦＥＴ２の定格電圧は７００Ｖ程度
必要になる。
・トランジスタとして使用するＭＯＳＦＥＴ２の制御回
路部２２を始動するための始動電力は、電源３１を整流
し、始動電力入力端子１４からＪＦＥＴ５を介して制御
用ＩＣ７に供給されるため、このＪＦＥＴ５に印加され
る電圧は、トランスの跳ね上がり電圧が電源電圧に重畳
されてＭＯＳＦＥＴ２に印加される印加電圧よりも低
い。そのため、電源電圧をＡＣ１００〜２４０Ｖとする
と、始動電力供給素子であるＪＦＥＴ５の定格電圧は４
５０Ｖ程度、ＭＯＳＦＥＴ２の定格電圧は７００Ｖ程度
必要になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】前記のように、ＪＦＥ
Ｔ５に接続される始動電力入力端子１４と、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２に接続されるドレイン端子１３との間には電位差が
生じるため、ドレイン端子１３から始動電力入力端子１
４にサージ電圧が侵入することがある。また回路組立て
時などに、始動電力入力端子１４自体に、静電気が印加
されることがある。
Ｔ５に接続される始動電力入力端子１４と、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２に接続されるドレイン端子１３との間には電位差が
生じるため、ドレイン端子１３から始動電力入力端子１
４にサージ電圧が侵入することがある。また回路組立て
時などに、始動電力入力端子１４自体に、静電気が印加
されることがある。
【００１１】一方、サージや静電気に対する耐量はデバ
イス面積の大きいＭＯＳＦＥＴ２に比べて、面積が小さ
いＪＦＥＴ５の方が小さい。そのため、始動電力供給素
子であるＪＦＥＴ５がサージ電圧や静電気の印加によっ
て破壊する場合が生じる。この発明の目的は、前記の課
題を解決して、静電気に対する耐量やサージ耐量が高い
スイッチング電源制御用半導体装置を提供することにあ
る。
イス面積の大きいＭＯＳＦＥＴ２に比べて、面積が小さ
いＪＦＥＴ５の方が小さい。そのため、始動電力供給素
子であるＪＦＥＴ５がサージ電圧や静電気の印加によっ
て破壊する場合が生じる。この発明の目的は、前記の課
題を解決して、静電気に対する耐量やサージ耐量が高い
スイッチング電源制御用半導体装置を提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、スイッチング素子と、該スイッチング素子の制御
回路部の駆動電力を外部から導く制御素子とを同一半導
体チップに集積したスイッチング電源制御用半導体装置
において、前記スイッチング素子の高電位側端子と前記
制御素子の高電位側端子とを、同一の外部導出端子に接
続する構成とする。
めに、スイッチング素子と、該スイッチング素子の制御
回路部の駆動電力を外部から導く制御素子とを同一半導
体チップに集積したスイッチング電源制御用半導体装置
において、前記スイッチング素子の高電位側端子と前記
制御素子の高電位側端子とを、同一の外部導出端子に接
続する構成とする。
【００１３】また、前記制御素子は前記スイッチング素
子以上の定格電圧を有するとよい。このように、高耐圧
スイッチング・トランジスタのドレイン端子と始動電力
供給素子のドレイン端子を同一のパッケージ端子に配線
することにより、静電気に対する耐量やサージ耐量が向
上する。
子以上の定格電圧を有するとよい。このように、高耐圧
スイッチング・トランジスタのドレイン端子と始動電力
供給素子のドレイン端子を同一のパッケージ端子に配線
することにより、静電気に対する耐量やサージ耐量が向
上する。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の第１実施例のス
イッチング電源制御用半導体装置の要部構成図である。
リード・フレーム１２はチップ搭載部１８と端子部１９
で構成され、チップ搭載部１８に、５００Ｖ以上の横型
の高耐圧スイッチング・トランジスタであるＭＯＳＦＥ
Ｔ２と始動電力供給素子であるＪＦＥＴ５および制御用
ＩＣ７が集積されている半導体チップ１が搭載される。
また、ＭＯＳＦＥＴ２のドレインパット３とＪＦＥＴ５
のドレインパッド６とはリード・フレームのドレイン端
子１３にボンディングワイヤ９で接続される。そのた
め、ＪＦＥＴ５の耐圧はＭＯＳＦＥＴ２の耐圧と同等以
上が必要となる。また、ＭＯＳＦＥＴ２のソースパッド
４、制御用ＩＣ７のＶCCパッド８ａおよび他パッド８ｂ
もリード・フレームのソース端子１５、ＶCC端子１６お
よび他端子１７に接続される。半導体チップ１とリード
・フレーム１２およびボンディングワイヤ９をモールド
樹脂のパッケージ１１で封止する。また高耐圧スイッチ
ング・トランジスタとしてはＭＯＳＦＥＴ２の代わりに
ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）など
使用してもよい。始動電力入力素子はＪＦＥＴ５の代わ
りにＳＩＴ（静電誘導型トランジスタ）などを使用して
もよい。
イッチング電源制御用半導体装置の要部構成図である。
リード・フレーム１２はチップ搭載部１８と端子部１９
で構成され、チップ搭載部１８に、５００Ｖ以上の横型
の高耐圧スイッチング・トランジスタであるＭＯＳＦＥ
Ｔ２と始動電力供給素子であるＪＦＥＴ５および制御用
ＩＣ７が集積されている半導体チップ１が搭載される。
また、ＭＯＳＦＥＴ２のドレインパット３とＪＦＥＴ５
のドレインパッド６とはリード・フレームのドレイン端
子１３にボンディングワイヤ９で接続される。そのた
め、ＪＦＥＴ５の耐圧はＭＯＳＦＥＴ２の耐圧と同等以
上が必要となる。また、ＭＯＳＦＥＴ２のソースパッド
４、制御用ＩＣ７のＶCCパッド８ａおよび他パッド８ｂ
もリード・フレームのソース端子１５、ＶCC端子１６お
よび他端子１７に接続される。半導体チップ１とリード
・フレーム１２およびボンディングワイヤ９をモールド
樹脂のパッケージ１１で封止する。また高耐圧スイッチ
ング・トランジスタとしてはＭＯＳＦＥＴ２の代わりに
ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）など
使用してもよい。始動電力入力素子はＪＦＥＴ５の代わ
りにＳＩＴ（静電誘導型トランジスタ）などを使用して
もよい。
【００１５】図１は図４と違って、リード・フレーム１
２のドレイン端子１３にＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッ
ド３とＪＦＥＴ５のドレインバッド６をボンディングワ
イヤ９で接続することで、前記のようなサージ電圧の導
入を防止できる。また図４の始動電力入力端子１４はＪ
ＦＥＴ５とは接続しないために、その端子１４から印加
されるサージ電圧や静電気による電圧はＪＦＥＴ５に影
響を及ぼさない。従って、サージ耐量と静電気に対する
耐量は向上する。
２のドレイン端子１３にＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッ
ド３とＪＦＥＴ５のドレインバッド６をボンディングワ
イヤ９で接続することで、前記のようなサージ電圧の導
入を防止できる。また図４の始動電力入力端子１４はＪ
ＦＥＴ５とは接続しないために、その端子１４から印加
されるサージ電圧や静電気による電圧はＪＦＥＴ５に影
響を及ぼさない。従って、サージ耐量と静電気に対する
耐量は向上する。
【００１６】尚、ＪＦＥＴ５の耐圧を上げて、従来のよ
うに始動電力入力端子１４にＪＦＥＴ５のドレインパッ
ド６を接続しても、勿論、従来よりもサージ耐量や静電
気に対する耐量は向上する。しかし、この場合は図１の
場合に比べて端子が一個多いので、サージ電圧が印加さ
れる確率や静電気が印加される確率は増大し、サージ電
圧や静電気で破壊する割合が増える。そのため、図１の
場合に比べてサージ耐量や静電気に対する耐量は低下す
る。
うに始動電力入力端子１４にＪＦＥＴ５のドレインパッ
ド６を接続しても、勿論、従来よりもサージ耐量や静電
気に対する耐量は向上する。しかし、この場合は図１の
場合に比べて端子が一個多いので、サージ電圧が印加さ
れる確率や静電気が印加される確率は増大し、サージ電
圧や静電気で破壊する割合が増える。そのため、図１の
場合に比べてサージ耐量や静電気に対する耐量は低下す
る。
【００１７】図２は図１のスイッチング電源制御用半導
体装置を含むスイッチング電源の要部回路図である。図
３の従来回路との違いは、高耐圧スイッチング・トラン
ジスタであるＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３と始動
電力供給素子であるＪＦＥＴ５のドレインパッド６とが
ドレイン端子１３に接続されている点と、電源回路部２
１に供給される始動電力がトランスを介して行われる点
である。
体装置を含むスイッチング電源の要部回路図である。図
３の従来回路との違いは、高耐圧スイッチング・トラン
ジスタであるＭＯＳＦＥＴ２のドレインパッド３と始動
電力供給素子であるＪＦＥＴ５のドレインパッド６とが
ドレイン端子１３に接続されている点と、電源回路部２
１に供給される始動電力がトランスを介して行われる点
である。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば、始動電力供給端子
（ＪＦＥＴ）の耐圧を高電圧スイッチング・トランジス
タ（ＭＯＳＦＥＴ）の耐圧以上とすることで、サージ電
圧および静電気に対する耐量を向上できる。また、この
始動電力供給素子の高電位側主端子（ドレインパッド）
と高耐圧スイッチング・トランジスタの高電位側主端子
（ドレインバッド）とを、パッケージのドレイン端子に
接続することで、さらに、サージ耐量と静電気に対する
耐量を向上できる。
（ＪＦＥＴ）の耐圧を高電圧スイッチング・トランジス
タ（ＭＯＳＦＥＴ）の耐圧以上とすることで、サージ電
圧および静電気に対する耐量を向上できる。また、この
始動電力供給素子の高電位側主端子（ドレインパッド）
と高耐圧スイッチング・トランジスタの高電位側主端子
（ドレインバッド）とを、パッケージのドレイン端子に
接続することで、さらに、サージ耐量と静電気に対する
耐量を向上できる。
【図１】この発明の第１実施例のスイッチング電源制御
用半導体装置の要部構成図
用半導体装置の要部構成図
【図２】図１のスイッチング電源制御用半導体装置を含
むスイッチング電源の要部回路図
むスイッチング電源の要部回路図
【図３】従来のスイッチング電源の要部回路図
【図４】従来のスイッチング電源制御用半導体装置の要
部構成図
部構成図
１ 半導体チップ ２ ＭＯＳＦＥＴ ３ ドレインパッド ４ ソースパッド ５ ＪＦＥＴ ６ ドレインパッド ７ 制御用ＩＣ ８ａ ＶCCパッド ８ｂ パッド ９ ボンディングワイヤ １１ パッケージ １２ リード・フレーム １３ ドレイン端子 １４ 始動電力入力端子 １５ ソース端子 １６ ＶCC端子 １７ 端子 １８ チップ搭載部 １９ 端子部 ２０ スイッチング電源制御用半導体装置 ２１ 電源回路部 ２２ 制御回路部 ３１ 電源 ３２ ヒューズ ３３ 整流器 ３４ 電源コンデンサ ３５ トランス ３６ １次巻線 ３７ａ ２次巻線 ３７ｂ ２次巻線 ３８ ダイオード ３９ 出力コンデンサ ４１ ダイオード ４２ 平滑コンデンサ ５０ 出力端子 ６０ スイッチング電源制御用半導体装置 Ｓ ソース Ｇ ゲート
Claims (2)
- 【請求項１】スイッチング素子と、該スイッチング素子
の制御回路部の駆動電力を外部から導く制御素子とを同
一半導体チップに集積したスイッチング電源制御用半導
体装置において、 前記スイッチング素子の高電位側端子と前記制御素子の
高電位側端子とを、同一の外部導出端子に接続すること
を特徴とするスイッチング電源制御用半導体装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のスイッチング電源制御用
半導体装置において、 前記制御素子は前記スイッチング素子以上の定格電圧を
有することを特徴とするスイッチング電源制御用半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09129598A JP3381617B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | スイッチング電源制御用半導体装置およびそれを備えたスイッチング電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09129598A JP3381617B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | スイッチング電源制御用半導体装置およびそれを備えたスイッチング電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11289044A true JPH11289044A (ja) | 1999-10-19 |
| JP3381617B2 JP3381617B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=14022489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09129598A Expired - Fee Related JP3381617B2 (ja) | 1998-04-03 | 1998-04-03 | スイッチング電源制御用半導体装置およびそれを備えたスイッチング電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381617B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112828B2 (en) | 2003-09-29 | 2006-09-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2007012659A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置および半導体集積回路装置 |
| JP2008112828A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 裏面高耐圧集積回路を用いた半導体装置 |
-
1998
- 1998-04-03 JP JP09129598A patent/JP3381617B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112828B2 (en) | 2003-09-29 | 2006-09-26 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2007012659A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置および半導体集積回路装置 |
| JP2008112828A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 裏面高耐圧集積回路を用いた半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3381617B2 (ja) | 2003-03-04 |
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