JPH11284296A - Wiring board - Google Patents
Wiring boardInfo
- Publication number
- JPH11284296A JPH11284296A JP24091098A JP24091098A JPH11284296A JP H11284296 A JPH11284296 A JP H11284296A JP 24091098 A JP24091098 A JP 24091098A JP 24091098 A JP24091098 A JP 24091098A JP H11284296 A JPH11284296 A JP H11284296A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- weight
- wiring board
- parts
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
スからなる単板又は積層構造の配線基板に、該基板と同
時焼成して形成されたＣｕを主成分とするメタライズ配
線層を形成してなる配線基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring formed by forming a metallized wiring layer containing Cu as a main component formed by firing simultaneously with a single-plate or laminated wiring substrate made of glass ceramic. It relates to a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、配線基板においては、高周波回路
の対応性、高密度化、高速化が要求され、アルミナ系セ
ラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線層の
低抵抗化が可能な低温焼成配線基板が一層注目されてい
る。この低温焼成配線基板は、ガラスセラミックスから
なる絶縁基板に、該基板と同時焼成して形成された銅、
金、銀などの低抵抗金属を主体とするメタライズ配線層
を施した配線基板が知られている。このような配線基板
は、ガラスセラミック組成物からなるシート状成形体に
上記低抵抗金属粉末を含む導体ペーストを印刷した後、
８００〜１０００℃で同時に焼成して作製される。2. Description of the Related Art In recent years, in a wiring board, compatibility, high density, and high speed of a high-frequency circuit have been demanded, and a dielectric constant lower than that of an alumina-based ceramic material has been obtained. Possible low-temperature fired wiring boards are receiving more attention. This low-temperature fired wiring board is formed on an insulating substrate made of glass ceramic by co-firing with the substrate,
A wiring board provided with a metallized wiring layer mainly composed of a low-resistance metal such as gold or silver is known. Such a wiring board, after printing a conductive paste containing the low-resistance metal powder on a sheet-shaped molded body made of a glass ceramic composition,
It is manufactured by simultaneous firing at 800 to 1000 ° C.
【０００３】また、この低温焼成配線基板は、配線層の
低抵抗化、絶縁基板の低誘電率、低誘電損失化によっ
て、半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ
等の配線基板、携帯電話やパーソナルハンディホンシス
テム、各種衛星通信用に使用される高周波用多層配線基
板などのあらゆる分野への応用が進められている。Further, the low-temperature fired wiring board has a low resistance of a wiring layer and a low dielectric constant and a low dielectric loss of an insulating substrate. Applications to various fields such as personal handy phone systems and high-frequency multilayer wiring boards used for various satellite communications are being promoted.
【０００４】低温焼成配線基板に用いる低抵抗の配線層
としては、金系ではコスト的に高く、銀系ではマイグレ
ーションが発生する等の問題から用途などが限定される
のに対して、銅系材料では焼成処理を窒素雰囲気で行う
必要があるものの、配線基板の高密度化、配線基板中の
回路の高周波化の要求に充分応えることが出来ることか
ら銅系材料が配線層を形成するための材料の主流となっ
ている。As a low-resistance wiring layer used for a low-temperature fired wiring board, the use of a gold-based material is limited due to the problem of high cost and the use of a silver-based material due to problems such as migration. Although the baking process needs to be performed in a nitrogen atmosphere, the copper-based material is a material for forming the wiring layer because it can sufficiently meet the demands for higher density of the wiring board and higher frequency of the circuit in the wiring board. Has become mainstream.
【０００５】ガラスセラミックスからなる絶縁基板の表
面及び／または内部にＣｕを主成分とするメタライズ配
線層を形成する具体的方法としては、ガラスセラミック
原料粉末、有機バインダーに溶剤を添加して調製したス
ラリーをドクターブレード法などによってシート状に形
成し、得られたグリーンシートに貫通孔を打ち抜き加工
し、該貫通孔にＣｕを主成分とする導体ペーストを充填
し手ビアホール導体を形成し、同時にグリーンシート上
にＣｕを主成分とする導体ペーストを配線パターン状に
スクリーン印刷法などで印刷形成し、配線パターンやビ
アホール導体が形成されたグリーンシートを複数枚加圧
積層し、８００〜１０００℃で焼成することにより作製
されている。As a specific method of forming a metallized wiring layer containing Cu as a main component on the surface and / or inside of an insulating substrate made of glass ceramics, a slurry prepared by adding a solvent to a glass ceramic raw material powder and an organic binder is used. Is formed into a sheet by a doctor blade method or the like, a through-hole is punched out of the obtained green sheet, and a conductive paste containing Cu as a main component is filled in the through-hole to form a hand via-hole conductor. A conductor paste containing Cu as a main component is printed and formed into a wiring pattern by screen printing or the like, and a plurality of green sheets on which a wiring pattern and a via-hole conductor are formed are laminated under pressure and fired at 800 to 1000 ° C. It is produced by this.
【０００６】また、前記Ｃｕを主成分とする導体ペース
トは、ガラスセラミックスとの濡れ性が充分でなく、形
成された配線導体とガラスセラミック磁器との接着強度
が低く、ピンあるいはボール付け用のパッド部等、高い
接着強度を要求される部分では熱的、機械的な応力が加
わると剥離しやすいという問題があるため、接着強度を
改善するために、Ｃｕを主成分とする導体ペーストにＮ
ｉを添加することが特開平６−１０４５６７号にて提案
されている。また、同様にＣｕを主成分とする導体ペー
ストにＦｅＯを添加しアルミナ等セラミック基板との接
着強度を高める手法も特開昭６３−１３１４０５号にて
提案されている。In addition, the conductor paste containing Cu as a main component has insufficient wettability with glass ceramics, has low adhesion strength between the formed wiring conductor and the glass ceramic porcelain, and has a pin or ball pad. There is a problem that a portion requiring high adhesive strength, such as a portion, is liable to be peeled off when a thermal or mechanical stress is applied.
The addition of i has been proposed in JP-A-6-104567. Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-131405 has also proposed a method of adding FeO to a conductor paste containing Cu as a main component to increase the adhesive strength to a ceramic substrate such as alumina.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｃｕを
主成分とする導体に対して特開平６−１０４５６７号お
よび特開昭６３−１３１４０５号にて提案されるよう
な、助剤的成分としてＮｉやＦｅを添加した組成物をガ
ラスセラミックスのメタライズ配線層として用いると、
ガラスセラミックスとの接着強度の向上はできるもの
の、焼成時にＣｕとＮｉ、Ｆｅが合金化し配線層の導体
抵抗が上昇してしまうという課題があった。However, for a conductor containing Cu as a main component, Ni or Ni as an auxiliary component as proposed in JP-A-6-104567 and JP-A-63-131405 is proposed. When the composition to which Fe is added is used as a metallized wiring layer of glass ceramics,
Although the bonding strength with glass ceramics can be improved, there has been a problem that Cu, Ni, and Fe are alloyed during firing and the conductor resistance of the wiring layer increases.
【０００８】本発明は、前記課題を解消せんとしてなさ
れたもので、その目的は、Ｎｉおよび／またはＦｅを含
有する銅配線層とガラスセラミックスからなる絶縁基板
を同時焼成しても、配線層の導体抵抗を上昇させること
なく、しかも配線層とガラスセラミックスとの濡れ性を
向上せしめ接着強度の高い配線基板を提供することにあ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problem, and an object of the present invention is to provide a method for forming a wiring layer on a copper wiring layer containing Ni and / or Fe and an insulating substrate made of glass ceramic simultaneously. An object of the present invention is to provide a wiring board having high adhesive strength by increasing the wettability between the wiring layer and the glass ceramic without increasing the conductor resistance.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題に対して検討を重ねた結果、ガラスセラミックスから
なる絶縁基板に対して形成するＣｕを主成分とするメタ
ライズ配線層中に、Ｎｉおよび／またはＦｅの金属また
は酸化物（Ｎｉ、ＮｉＯ、Ｆｅ、ＦｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 ）
とともに、所定量のアルカリ金属、アルカリ土類金属含
有化合物のうちの少なくとも１種を含有せしめることに
より、メタライズ配線層中のＣｕとＮｉおよび／または
Ｆｅの合金化を阻害し、配線層の導体抵抗を上昇させる
ことなく、しかも配線層とガラスセラミックスとの濡れ
性を良好にし接着強度を大きくできることを知見した。Means for Solving the Problems As a result of repeated studies on the above problems, the present inventors have found that a metallized wiring layer mainly composed of Cu formed on an insulating substrate made of glass ceramics has Ni or / and Fe metal or oxide (Ni, NiO, Fe, FeO, Fe 2 O 3 )
At the same time, by containing a predetermined amount of at least one of alkali metal and alkaline earth metal-containing compounds, alloying of Cu and Ni and / or Fe in the metallized wiring layer is inhibited, and the conductor resistance of the wiring layer is reduced. It has been found that it is possible to improve the wettability between the wiring layer and the glass ceramics and to increase the adhesive strength without increasing the temperature.
【００１０】即ち、本発明の配線基板は、ガラスセラミ
ックスからなる絶縁基板の表面及び／または内部にＣｕ
を主成分とするメタライズ配線層を被着形成してなる配
線基板において、前記メタライズ配線層がＣｕ１００重
量部に対して、Ｎｉおよび／またはＦｅをＮｉＯあるい
はＦｅＯ換算で１〜１０重量部、さらにアルカリ金属、
アルカリ土類金属含有化合物のうちの少なくとも１種を
酸化物換算で０．１〜３重量部の割合で含有することを
特徴とするものである。[0010] That is, the wiring board of the present invention is characterized in that Cu is formed on the surface and / or inside of an insulating substrate made of glass ceramic.
In a wiring board formed by applying a metallized wiring layer composed mainly of Ni, 1 to 10 parts by weight of Ni and / or Fe in terms of NiO or FeO, and metal,
It is characterized in that at least one of the alkaline earth metal-containing compounds is contained in a ratio of 0.1 to 3 parts by weight in terms of oxide.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の配線基板の一実施
態様について図面に基づいて説明する。なお、説明では
複数のガラスセラミック絶縁層からなる多層配線基板を
用いて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the wiring board of the present invention will be described below with reference to the drawings. The description will be made using a multilayer wiring board including a plurality of glass ceramic insulating layers.
【００１２】本発明の配線基板１によれば、絶縁基板２
は、複数のガラスセラミック絶縁層２ａ〜２ｄを積層し
た積層体から構成され、その絶縁層２ａ〜２ｄ間および
絶縁基板２表面には、厚みが５〜２５μｍ程度のＣｕを
主成分とするメタライズ配線層３が被着形成されてい
る。また、絶縁基板２内には、絶縁層２ａ〜２ｄの厚み
方向を貫くように形成された直径が８０〜２００μｍ程
度のビアホール導体４が形成され、メタライズ配線層３
と電気的に接続している。According to the wiring board 1 of the present invention, the insulating substrate 2
Is composed of a laminated body in which a plurality of glass ceramic insulating layers 2a to 2d are stacked, and a metallized wiring mainly composed of Cu having a thickness of about 5 to 25 μm is provided between the insulating layers 2a to 2d and on the surface of the insulating substrate 2. Layer 3 is applied. In the insulating substrate 2, a via-hole conductor 4 having a diameter of about 80 to 200 μm formed so as to penetrate the insulating layers 2 a to 2 d in the thickness direction is formed.
Is electrically connected to
【００１３】絶縁基板２は、少なくともＳｉＯ2 を含有
するガラス、あるいはＳｉＯ2 を含有するガラスとフィ
ラーとの複合材料からなるガラスセラミックスからな
る。具体的には、用いられるガラス成分としては、少な
くともＳｉＯ2 を含む複数の金属酸化物から構成される
非晶質ガラスあるいは焼成後にコージェライト、ムライ
ト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイ
ト、ウィレマイト、ドロマイト、リチウムシリケートや
その置換誘導体の結晶を析出する結晶化ガラス等によっ
て構成される。強度を向上させる上では結晶化ガラスが
望ましい。The insulating substrate 2 is made of glass ceramic containing at least SiO 2 -containing glass or a composite material of SiO 2 -containing glass and filler. Specifically, the glass component used is an amorphous glass composed of a plurality of metal oxides containing at least SiO 2 or, after firing, cordierite, mullite, anorthite, cellian, spinel, garnitite, willemite, dolomite. , And crystallized glass that precipitates crystals of lithium silicate or a substituted derivative thereof. Crystallized glass is desirable for improving the strength.
【００１４】ガラスを構成する成分としては、ＳｉＯ2
以外にＬｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏなどのアルカリ金属
酸化物、ＣａＯ、ＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化
物、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｐ2 Ｏ5 、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＰｂＯ
を含有するホウ珪酸ガラスなどが例示できる。また、ガ
ラスに対してフィラー成分を添加することによって強度
の向上や焼成温度の制御を行うことができる。具体的な
フィラー成分としては、クオーツ、クリストバライト、
石英、コランダム（α−アルミナ）、ムライト、コージ
ェライト、フォルステライトなどが例示できる。ガラス
成分とフィラー成分とは、ガラス成分が３０〜７０重量
部、フィラー成分が７０〜３０重量部からなることが適
切である。As a component constituting the glass, SiO 2 is used.
Other than these, alkali metal oxides such as Li 2 O, K 2 O and Na 2 O, alkaline earth metal oxides such as CaO and MgO, Al 2 O 3 , P 2 O 5 , ZnO, B 2 O 3 , PbO
And the like. Further, by adding a filler component to the glass, the strength can be improved and the firing temperature can be controlled. Specific filler components include quartz, cristobalite,
Examples include quartz, corundum (α-alumina), mullite, cordierite, and forsterite. It is appropriate that the glass component and the filler component comprise 30 to 70 parts by weight of the glass component and 70 to 30 parts by weight of the filler component.
【００１５】メタライズ配線層３は、Ｃｕを主成分とす
るものであるが、本発明によればＣｕ１００重量部に対
して、Ｎｉおよび／またはＦｅをＮｉＯあるいはＦｅＯ
換算で１〜１０重量部、かつアルカリ金属、アルカリ土
類金属含有化合物のうちの少なくとも１種を酸化物換算
で０．１〜３重量部の割合で含有することが大きな特徴
である。The metallized wiring layer 3 is mainly composed of Cu, but according to the present invention, Ni and / or Fe is converted to NiO or FeO with respect to 100 parts by weight of Cu.
It is a major feature that it contains 1 to 10 parts by weight in terms of conversion and at least one of alkali metal and alkaline earth metal-containing compounds in a proportion of 0.1 to 3 parts by weight in terms of oxide.
【００１６】Ｎｉおよび／またはＦｅは、メタライズ金
属層３中において、金属（Ｎｉ、Ｆｅ）、ＮｉとＦｅと
の合金または酸化物（ＮｉＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 ）の
形態で存在することが望ましい。Ni and / or Fe may be present in the metallized metal layer 3 in the form of a metal (Ni, Fe), an alloy of Ni and Fe or an oxide (NiO, FeO, Fe 2 O 3 ). desirable.
【００１７】また、Ｎｉおよび／またはＦｅを上記の比
率にしたのは１重量部未満の場合、メタライズ配線層か
らガラスセラミック基板へのＮｉおよび／またはＦｅの
拡散量が少なくなり、メタライズ配線層とガラスセラミ
ック基板の接着強度が弱くなるためであり、逆に１０重
量部を超える場合、ＣｕとＮｉおよび／またはＦｅの合
金化が進み導体抵抗が大きくなるためである。Ｎｉおよ
び／またはＦｅ量は、特に３〜７重量部が望ましい。If the ratio of Ni and / or Fe is less than 1 part by weight, the diffusion amount of Ni and / or Fe from the metallized wiring layer to the glass ceramic substrate is reduced, and This is because the adhesive strength of the glass-ceramic substrate is weakened. On the other hand, if it exceeds 10 parts by weight, alloying of Cu and Ni and / or Fe proceeds, and the conductor resistance increases. The amount of Ni and / or Fe is particularly preferably 3 to 7 parts by weight.
【００１８】さらに、アルカリ金属またはアルカリ土類
金属含有化合物としては、具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、
Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒの酸化物あるいは他の化合
物との複合材料、例えばシリケート、フォルステライ
ト、エンスタタイト、コージェライト、スピネル、アノ
ーサイト等が例示できるが、これらの中でも特にアルカ
リ土類含有化合物、さらにはＭｇ含有化合物が望まし
い。Further, as the alkali metal or alkaline earth metal-containing compound, specifically, Li, Na,
Composite materials with oxides of K, Mg, Ca, Ba, Sr or other compounds, such as silicate, forsterite, enstatite, cordierite, spinel, anorthite, etc. can be exemplified. The compound containing, more preferably, the compound containing Mg is desirable.
【００１９】また、アルカリ金属、アルカリ土類金属含
有化合物の量を上記の割合にしたのは０．１重量部未満
の場合、ＣｕとＮｉおよび／またはＦｅの合金化が進
み、その結果メタライズ配線層の導体抵抗が大きくなる
ためであり、また３重量部を超える場合、Ｃｕ自体の焼
結を阻害しメタライズ配線層とガラスセラミック基板の
接着強度が低下するとともに、導体抵抗が増大するため
である。アルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物の
量は０．５〜１．５重量部が特に望ましい。If the amount of the compound containing an alkali metal or alkaline earth metal is less than 0.1 parts by weight, alloying of Cu with Ni and / or Fe proceeds, and as a result, metallized wiring is formed. This is because the conductor resistance of the layer increases, and when it exceeds 3 parts by weight, the sintering of Cu itself is inhibited, the adhesive strength between the metallized wiring layer and the glass ceramic substrate decreases, and the conductor resistance increases. . The amount of the alkali metal or alkaline earth metal-containing compound is particularly preferably 0.5 to 1.5 parts by weight.
【００２０】また、多層配線基板の表面のメタライズ配
線層３は、ＩＣチップなどの各種電子部品５を搭載する
ためのパッドとして、あるいはシールド用導体膜とし
て、さらには、外部回路と接続するための電極パッドと
しても用いられ、各種電子部品５が配線層３に半田や導
電性接着剤などを介して接合される。またビアホール導
体４は、上記のメタライズ配線層３と同様な成分からな
る導体が充填されていることが望ましい。なお、図示し
ていないが、必要に応じて、配線基板の表面には、更
に、珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜
や配線保護膜などを形成しても構わない。The metallized wiring layer 3 on the surface of the multilayer wiring board is used as a pad for mounting various electronic components 5 such as an IC chip, or as a conductive film for shielding, and for connecting to an external circuit. It is also used as an electrode pad, and various electronic components 5 are joined to the wiring layer 3 via solder, a conductive adhesive, or the like. It is desirable that the via-hole conductor 4 is filled with a conductor having the same components as those of the metallized wiring layer 3 described above. Although not shown, a thick-film resistor film such as tantalum silicide or molybdenum silicide, a wiring protection film, or the like may be further formed on the surface of the wiring substrate as necessary.
【００２１】また、本発明における表面のメタライズ配
線層の表面には、半田ぬれ性向上のために、Ｎｉ、Ａｕ
などの金属からなるメッキ層などを適宜形成してもよ
い。In the present invention, the surface of the metallized wiring layer on the surface is formed of Ni or Au on the surface to improve solder wettability.
A plating layer made of such a metal may be appropriately formed.
【００２２】次に、本発明の配線基板を作製する方法に
ついて説明する。まず、上述したようなガラス成分、又
はガラス成分とフィラーとを混合してガラスセラミック
ス組成物を調製し、その混合物に有機バインダーなどを
加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法など
によりシート状に成形してグリーンシートを作製する。Next, a method for manufacturing the wiring board of the present invention will be described. First, a glass ceramic composition as described above, or a glass ceramic composition is prepared by mixing a glass component and a filler, and after adding an organic binder or the like to the mixture, a doctor blade method, a rolling method, a sheet method by a pressing method, or the like. To form a green sheet.
【００２３】次に、このグリーンシートの表面に導体ペ
ーストを印刷する。用いる導体ペースト中の主成分とな
るＣｕ成分としては、Ｃｕ単体、酸化銅（Ｃｕ2 Ｏ）あ
るいはその混合物が用いられ、それらは、いずれも平均
粒径が０．５〜１０μｍ、好ましくは３〜５μｍの球状
粉末であることが望ましい。これはメタライズ配線層の
焼結挙動をガラスセラミック基板の焼結挙動を近似させ
るとともに、印刷精度の向上をはかるためである。な
お、酸化銅は窒素雰囲気で焼成されることにより実質的
にＣｕに還元される。Next, a conductor paste is printed on the surface of the green sheet. As the Cu component as a main component in the conductor paste to be used, simple Cu, copper oxide (Cu 2 O) or a mixture thereof is used, and each of them has an average particle diameter of 0.5 to 10 μm, preferably 3 to 10 μm. It is desirable to be a 5 μm spherical powder. This is because the sintering behavior of the metallized wiring layer is approximated to the sintering behavior of the glass ceramic substrate, and the printing accuracy is improved. Note that copper oxide is substantially reduced to Cu by firing in a nitrogen atmosphere.
【００２４】本発明によれば、この導体ペースト中にＣ
ｕ１００重量部に対して、Ｎｉおよび／またはＦｅをＮ
ｉＯあるいはＦｅＯ換算で１〜１０重量部、特に３〜７
重量部、さらにアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化
合物のうちの少なくとも１種を酸化物換算で０．１〜３
重量部、特に０．５〜１．５重量部の割合で配合する。
Ｎｉおよび／またはＦｅの金属（Ｎｉ、Ｆｅ）、Ｎｉと
Ｆｅとの合金または酸化物（ＮｉＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ
3 ）およびアルカリ金属またはアルカリ土類金属含有化
合物はいずれも平均粒径が０．１〜２μｍの粉末として
添加することが望ましい。また導体ペースト中には無機
物成分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダ
ーと、α−テルピネオール、ジブチルフタレート、ブチ
ルカルビトールなどの有機溶剤とを均質混合して形成さ
れる。有機バインダーは無機物成分１００重量部に対し
て１〜１０重量部、有機溶剤成分は５〜３０重量部の割
合で混合されることが望ましい。According to the present invention, the conductive paste contains C
u and 100 parts by weight of Ni and / or Fe
1 to 10 parts by weight, especially 3 to 7 parts by weight in terms of iO or FeO
Parts by weight, and at least one of alkali metal and alkaline earth metal-containing compounds is 0.1 to 3 in terms of oxide.
It is added at a ratio of 0.5 to 1.5 parts by weight, especially 0.5 to 1.5 parts by weight.
Ni and / or Fe metal (Ni, Fe), alloy or oxide of Ni and Fe (NiO, FeO, Fe 2 O)
3 ) and the compound containing an alkali metal or alkaline earth metal is desirably added as a powder having an average particle size of 0.1 to 2 μm. The conductive paste is formed by homogeneously mixing an organic binder such as an acrylic resin and an organic solvent such as α-terpineol, dibutyl phthalate, and butyl carbitol, in addition to the inorganic components. It is preferable that the organic binder is mixed at a ratio of 1 to 10 parts by weight and the organic solvent component is mixed at a ratio of 5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the inorganic component.
【００２５】次に、前記ガラスセラミックグリーンシー
ト上に、上述の導体ペーストを用いてスクリーン印刷法
などにより配線パターン状に印刷する。また、ビアホー
ル導体を形成するには、グリーンシートにレーザーやマ
イクロドリル、パンチングなどにより直径５０〜２００
μｍの貫通孔を形成し、その内部に上述の導体ペースト
を充填する。そして、配線パターンやビアホール導体が
形成されたグリーンシートを積層圧着して積層体を形成
する。Next, a wiring pattern is printed on the glass ceramic green sheet using the above-mentioned conductor paste by a screen printing method or the like. To form a via-hole conductor, a green sheet having a diameter of 50 to 200 mm is formed by laser, micro drill, punching or the like.
A through hole of μm is formed, and the inside thereof is filled with the above-mentioned conductor paste. Then, the green sheets on which the wiring patterns and the via hole conductors are formed are laminated and pressed to form a laminate.
【００２６】その後、この積層体を４００〜８００℃の
窒素雰囲気中あるいは水蒸気含有窒素雰囲気中で加熱処
理してグリーンシート内やペースト中の有機成分を分解
除去した後、８００〜１０００℃の窒素雰囲気中あるい
は水蒸気含有窒素雰囲気中で同時焼成することによりメ
タライズ配線層及びビアホール導体を具備する多層配線
基板を作製することができる。Thereafter, the laminate is subjected to heat treatment in a nitrogen atmosphere at 400 to 800 ° C. or in a nitrogen atmosphere containing water vapor to decompose and remove organic components in the green sheet and the paste. By co-firing in a medium or in a nitrogen atmosphere containing water vapor, a multilayer wiring board having a metallized wiring layer and a via-hole conductor can be manufactured.
【００２７】また、本発明の配線基板によれば、配線基
板構造が積層構造であっても、内部のメタライズ配線層
のみを絶縁基板と同時に焼成処理し、表面のメタライズ
配線層をすでに焼成された配線基板表面に、内部配線層
と同様、ＣｕとＮｉおよび／またはＦｅからなる導体ペ
ーストを焼き付け処理して形成しても構わない。その場
合、焼き付け処理は、窒素雰囲気中で６００〜１０００
℃の温度で処理することができる。Further, according to the wiring board of the present invention, even if the wiring board structure is a laminated structure, only the internal metallized wiring layer is fired simultaneously with the insulating substrate, and the metallized wiring layer on the surface is already fired. Similar to the internal wiring layer, a conductive paste made of Cu, Ni and / or Fe may be formed on the surface of the wiring board by baking. In that case, the baking treatment is performed in a nitrogen atmosphere at 600 to 1000 baking.
Can be processed at a temperature of ° C.
【００２８】[0028]
【実施例】（実施例１）重量比率で７４％ＳｉＯ2 −１
４％Ｌｉ2 Ｏ−４％Ａｌ2 Ｏ3 −２％Ｐ2 Ｏ5−２％Ｋ
2 Ｏ−２％ＺｎＯ−２％Ｎａ2 Ｏ（屈伏点４８０℃）の
組成のガラス４０体積％に対してフィラー成分としてＳ
ｉＯ2 を３０体積％、フォルステライトを３０体積％混
合した絶縁基板用のグリーンシートに、分子量３×１０
5 のアクリル系バインダーと可塑剤、分散剤、溶剤を加
えて混合してスラリーを調製し、かかるスラリーをドク
ターブレード法により厚さ平均２００μｍのグリーンシ
ートに成形した。EXAMPLES (Example 1) 74% SiO 2 -1 by weight
4% Li 2 O-4% Al 2 O 3 -2% P 2 O 5 -2% K
S as a filler component with respect to 40% by volume of glass having a composition of 2 O-2% ZnO-2% Na 2 O (yield point of 480 ° C.)
A green sheet for an insulating substrate in which 30% by volume of iO 2 and 30% by volume of forsterite are mixed has a molecular weight of 3 × 10 3
5 of acrylic binder and a plasticizer, dispersing agent, solvent added and mixed to prepare a slurry, were molded according slurry into a green sheet having a thickness of average 200μm by a doctor blade method.
【００２９】次に、平均粒径が４μｍのＣｕ粉末あるい
はＣｕ粉末とＣｕ2 Ｏ粉末との混合粉末のＣｕ換算１０
０重量部に対して、平均粒径が１μｍのＮｉ粉末、Ｎｉ
Ｏ粉末、平均粒径が１μｍのＭｇＣＯ3 粉末をＮｉＯ換
算およびＭｇＯ換算でそれぞれ表１に示す割合で秤量
し、これら無機物成分１００重量部に対して有機バイン
ダーとしてアクリル樹脂を２重量部、有機溶剤としてα
−テルピネオールを１５重量部添加混練し、導体ペース
トを調製した。Next, a Cu powder having an average particle diameter of 4 μm or a mixed powder of Cu powder and Cu 2 O powder in terms of Cu is used.
0 parts by weight, Ni powder having an average particle size of 1 μm, Ni powder
O powder and MgCO 3 powder having an average particle diameter of 1 μm were weighed in NiO conversion and MgO conversion at the ratios shown in Table 1, respectively. 2 parts by weight of an acrylic resin as an organic binder, 100 parts by weight of these inorganic components, and an organic solvent As α
-15 parts by weight of terpineol was added and kneaded to prepare a conductor paste.
【００３０】かくして得られた導体ペーストを前記ガラ
スセラミックグリーンシート上に接着強度を評価するサ
ンプルとして、焼成後の形状が２ｍｍ角、厚さ約１５μ
ｍとなる銅配線用パターン状にスクリーン印刷し、その
下部にグリーンシート４枚を加圧積層した。同時に導体
抵抗を評価するサンプルとして焼成後の形状が幅１００
μｍ、長さ５０ｍｍ厚さ１５μｍとなる配線パターンを
形成し、その下部にグリーンシート４枚を加圧積層し
た。The conductor paste thus obtained was used as a sample for evaluating the adhesive strength on the glass ceramic green sheet, and the shape after firing was 2 mm square and about 15 μm thick.
Then, screen printing was performed to form a copper wiring pattern having a thickness of m, and four green sheets were laminated under the screen by pressure. At the same time, the sample after firing has a width of 100 as a sample for evaluating conductor resistance.
A wiring pattern having a thickness of 50 μm, a length of 50 mm and a thickness of 15 μm was formed, and four green sheets were laminated under the wiring pattern under pressure.
【００３１】次いで、この未焼成状態の配線パターンが
形成された積層体を、有機バインダーなどの有機成分を
分解除去するために、水蒸気含有窒素雰囲気中で７００
℃の温度で３時間保持して脱脂した後、窒素雰囲気中で
９５０℃に昇温して１時間保持し配線基板を作製した。Next, in order to decompose and remove an organic component such as an organic binder, the laminated body on which the unfired wiring pattern is formed is removed in a steam-containing nitrogen atmosphere for 700 minutes.
After degreasing by holding at a temperature of 3 ° C. for 3 hours, the temperature was raised to 950 ° C. in a nitrogen atmosphere and held for 1 hour to prepare a wiring board.
【００３２】得られた配線基板のうち、２ｍｍ角の銅配
線層に厚さ１μｍのＮｉメッキを行い、その上に厚さ
０．１μｍのＡｕメッキを施した後、直径０．８ｍｍの
錫メッキ銅線を該メッキ被覆層上に基板と平行に半田付
けし、該錫メッキ銅線を基板に対して垂直方向に曲げ、
該錫メッキ導線を１０ｍｍ／ｍｉｎの引っ張り速度で垂
直方向に引っ張り、銅配線層が破断したときの最大荷重
を銅配線層の接着強度として評価した。なお、良否の判
断としては、最大荷重が２ｋｇ／２ｍｍ□を超える場合
を良品とした。In the obtained wiring board, a 2 mm square copper wiring layer is plated with Ni having a thickness of 1 μm, Au is plated thereon with a thickness of 0.1 μm, and then tin plating with a diameter of 0.8 mm is performed. Soldering a copper wire on the plating coating layer in parallel with the substrate, bending the tinned copper wire in a direction perpendicular to the substrate,
The tin-plated conductive wire was pulled vertically at a pulling speed of 10 mm / min, and the maximum load when the copper wiring layer was broken was evaluated as the adhesive strength of the copper wiring layer. In addition, when the maximum load exceeded 2 kg / 2 mm square, the quality was judged as good.
【００３３】次に、銅配線層の導体抵抗の評価について
は、幅１００μｍ、長さ５０ｍｍの銅配線層の抵抗をデ
ジタルマルチメーターにて測定し、銅配線層の実際の
幅、長さを光学顕微鏡にて測定した後、断面を金属顕微
鏡により測定し、得られた結果から抵抗率を算出した。
なお、良否の判断としては、抵抗率が６μΩ・ｃｍ以下
を良品とした。Next, regarding the evaluation of the conductor resistance of the copper wiring layer, the resistance of the copper wiring layer having a width of 100 μm and a length of 50 mm was measured with a digital multimeter, and the actual width and length of the copper wiring layer were measured optically. After the measurement with a microscope, the cross section was measured with a metal microscope, and the resistivity was calculated from the obtained result.
The pass / fail judgment was made when the resistivity was 6 μΩ · cm or less.
【００３４】[0034]
【表１】 [Table 1]
【００３５】表１から明らかなように、試料Ｎｏ．１、
２のようにＮｉの含有量が１重量部未満の場合、メタラ
イズ配線層中のＣｕとガラスセラミック基板との濡れ性
が低下し接着強度が低下し、試料Ｎｏ．８のようにＮｉ
の含有量が１０重量部を超えるとＣｕとＮｉの合金化が
進み導体抵抗が上昇した。また、試料Ｎｏ．９のように
ＭｇＯの含有量が０．１重量部未満の場合、ＣｕとＮｉ
の合金化が進み導体抵抗が上昇し、試料Ｎｏ．１５のよ
うにＭｇＯの含有量が３重量部を超えるとＣｕの焼結を
阻害し接着強度が低下し、更に導体抵抗も上昇した。As is clear from Table 1, the sample No. 1,
When the content of Ni is less than 1 part by weight as in the case of Sample No. 2, the wettability between Cu in the metallized wiring layer and the glass ceramic substrate is reduced, the adhesive strength is reduced, and Sample No. Ni as in 8
When the content exceeds 10 parts by weight, alloying of Cu and Ni progressed and the conductor resistance increased. In addition, the sample No. In the case where the content of MgO is less than 0.1 part by weight as in Example 9, Cu and Ni
Alloying progresses, the conductor resistance increases, and Sample No. When the content of MgO exceeds 3 parts by weight as in No. 15, the sintering of Cu was inhibited, the adhesive strength was reduced, and the conductor resistance was also increased.
【００３６】しかるに、本発明の試料Ｎｏ．３〜７、１
０〜１４、１６〜１９ではいずれも良好な２ｋｇ／２ｍ
ｍ□以上の接着強度を示し、かつ６μΩ・ｃｍ以下の低
い導体抵抗率を保持している。However, in the case of the sample No. 3-7, 1
Good 2kg / 2m for 0-14, 16-19
It exhibits an adhesive strength of m □ or more and maintains a low conductor resistivity of 6 μΩ · cm or less.
【００３７】（実施例２）実施例１における導体ペース
ト中のＮｉ粉末、ＮｉＯ粉末に代えて、Ｆｅ粉末、Ｆｅ
Ｏ粉末、Ｆｅ2 Ｏ3 粉末を用いて表２に示す割合（Ｆｅ
Ｏ換算量）で配合する以外は、実施例１と同様の方法に
より配線基板を作製し、同様の評価を行った。結果は、
表２に示した。(Example 2) In place of Ni powder and NiO powder in the conductor paste in Example 1, Fe powder, Fe powder
Using O powder and Fe 2 O 3 powder, the proportions (Fe
A wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount was calculated in terms of O equivalent amount, and the same evaluation was performed. Result is,
The results are shown in Table 2.
【００３８】[0038]
【表２】 [Table 2]
【００３９】表２から明らかなように、試料Ｎｏ．２
０、２１のようにＦｅの含有量が１重量部未満の場合、
メタライズ配線層中のＣｕとガラスセラミック基板との
濡れ性が低下し接着強度が低下し、試料Ｎｏ．２７のよ
うにＦｅの含有量が１０重量部を超えるとＣｕとＦｅの
合金化が進み導体抵抗が上昇した。また、試料Ｎｏ．２
８のようにＭｇＯの含有量が０．１重量部未満の場合、
ＣｕとＦｅの合金化が進み導体抵抗が上昇し、試料Ｎo.
３４のようにＭｇＯの含有量が３重量部を超えるとＣｕ
の焼結を阻害し接着強度が低下し、更に導体抵抗も上昇
した。As is clear from Table 2, Sample No. 2
When the content of Fe is less than 1 part by weight as in 0 and 21,
The wettability between Cu in the metallized wiring layer and the glass ceramic substrate was reduced, the adhesive strength was reduced, and the sample No. When the content of Fe exceeds 10 parts by weight as in 27, alloying of Cu and Fe progressed and the conductor resistance increased. In addition, the sample No. 2
8, when the content of MgO is less than 0.1 part by weight,
The alloying of Cu and Fe progressed, the conductor resistance increased, and the sample No.
If the content of MgO exceeds 3 parts by weight, as in
Sintering was inhibited, the adhesive strength was reduced, and the conductor resistance was also increased.
【００４０】しかるに、本発明の試料Ｎo.２２〜２６、
２９〜３３、３５〜３９ではいずれも良好な２ｋｇ／２
ｍｍ□以上の接着強度を示し、かつ６μΩ・ｃｍ以下の
低い導体抵抗率を保持している。However, the samples Nos. 22 to 26 of the present invention,
Good 2 kg / 2 for 29-33, 35-39
It exhibits an adhesive strength of not less than mm □ and maintains a low conductor resistivity of not more than 6 μΩ · cm.
【００４１】（実施例３）実施例１における導体ペース
ト中のＮｉ粉末を表３に示す割合（ＮｉＯ換算）で加え
る以外は、実施例１と同様の方法により配線基板を作製
し、同様の評価を行った。結果は、表３に示した。(Example 3) A wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the Ni powder in the conductor paste in Example 1 was added at the ratio shown in Table 3 (in terms of NiO), and the same evaluation was performed. Was done. The results are shown in Table 3.
【００４２】[0042]
【表３】 [Table 3]
【００４３】表３から明らかなように、試料Ｎｏ．４４
のようにＮｉおよびＦｅの合計の含有量が１０重量部を
超えるとＣｕとＮｉおよびＦｅの合金化が進み導体抵抗
が上昇した。また、試料Ｎｏ．４３のようにＭｇＯの含
有量が０．１重量部未満の場合、ＣｕとＮｉおよびＦｅ
の合金化が進み導体抵抗が上昇した。さらに、試料Ｎ
ｏ．４５のようにＭｇＯの含有量が３重量部を越える場
合、Ｃｕの焼結体を阻害し、接着強度が低下し、さらに
導体抵抗が上昇した。しかるに、本発明の試料Ｎｏ．４
０〜４２ではいずれも良好な２ｋｇ／２ｍｍ□以上の接
着強度を示し、かつ６μΩ・ｃｍ以下の低い導体抵抗率
を保持している。As is clear from Table 3, Sample No. 44
When the total content of Ni and Fe exceeds 10 parts by weight, alloying of Cu, Ni and Fe progressed, and the conductor resistance increased. In addition, the sample No. When the content of MgO is less than 0.1 part by weight as in 43, Cu, Ni and Fe
Alloying progressed and the conductor resistance increased. Further, the sample N
o. When the content of MgO exceeds 3 parts by weight as in 45, the sintered body of Cu was hindered, the adhesive strength was reduced, and the conductor resistance was further increased. However, the sample No. 4
Nos. 0 to 42 show good adhesive strength of 2 kg / 2 mm square or more and maintain a low conductor resistivity of 6 μΩ · cm or less.
【００４４】（実施例４）実施例１における導体ペース
ト中のＮｉ粉末、Ｆｅ粉末を表４に示す割合（それぞれ
ＮｉＯ換算、ＦｅＯ換算）で加え、またＭｇＯを表４に
示すアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物に代え
る以外は、実施例１と同様の方法により配線基板を作製
し、同様の評価を行った。結果は、表４に示した。Example 4 Ni powder and Fe powder in the conductor paste in Example 1 were added at the ratios shown in Table 4 (respectively in terms of NiO and FeO), and MgO was added to the alkali metal and alkaline earth shown in Table 4. A wiring board was prepared in the same manner as in Example 1, except that the compound was replaced with a metal-containing compound, and the same evaluation was performed. The results are shown in Table 4.
【００４５】[0045]
【表４】 [Table 4]
【００４６】表４から明らかなように、試料Ｎｏ．４６
のようにＮｉおよびＦｅの含有量が１重量部未満の場
合、メタライズ配線層中のＣｕとガラスセラミック基板
との濡れ性が低下し接着強度が低下した。また、試料Ｎ
ｏ．４７のようにＬｉ2 Ｏの含有量が０．１重量部未満
の場合、ＣｕとＮｉの合金化が進み導体抵抗が上昇し、
試料Ｎｏ．５１のようにＬｉ2 Ｏの含有量が３重量部を
超えるとＣｕの焼結を阻害し接着強度が低下し、更に導
体抵抗も上昇した。As is clear from Table 4, the sample No. 46
When the contents of Ni and Fe are less than 1 part by weight as described above, the wettability between Cu in the metallized wiring layer and the glass ceramic substrate was reduced, and the adhesive strength was reduced. Sample N
o. When the content of Li 2 O is less than 0.1 part by weight as in 47, alloying of Cu and Ni proceeds and the conductor resistance increases,
Sample No. When the content of Li 2 O exceeds 3 parts by weight as in 51, the sintering of Cu was inhibited, the adhesive strength decreased, and the conductor resistance also increased.
【００４７】しかるに、本発明の試料Ｎｏ．４８〜５
０、５２〜６２ではいずれも良好な２ｋｇ／２ｍｍ□以
上の接着強度を示し、かつ６μΩ・ｃｍ以下の低い導体
抵抗率を保持している。However, in the case of the sample No. 48-5
Nos. 0 and 52 to 62 show good adhesive strength of 2 kg / 2 mm square or more, and maintain a low conductor resistivity of 6 μΩ · cm or less.
【００４８】なお、上述の実施例では、基板構造が積層
体で説明したが、単状のガラスセラミックシート上に上
述のＣｕを主成分とするメタライズペーストを用いて、
所定の配線パターンを形成し、グリーンシートと所定の
配線パターンを一体的に焼成した配線基板でも構わな
い。In the above-described embodiment, the substrate structure is described as a laminate, but the metallized paste containing Cu as a main component is used on a single glass ceramic sheet.
A wiring board in which a predetermined wiring pattern is formed and the green sheet and the predetermined wiring pattern are integrally fired may be used.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の配線基
板は，銅メタライズ配線層中にＮｉおよび／またはＦｅ
とともにアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物の
うちの少なくとも１種を含有せしめることにより、ガラ
スセラミック基板との濡れ性を良好にし、接着強度を高
め、なおかつＣｕとＮｉおよび／またはＦｅの合金化を
抑制することができ導体抵抗の低い配線基板を得ること
ができる。As described in detail above, the wiring board of the present invention has Ni and / or Fe in the copper metallized wiring layer.
In addition, by containing at least one of alkali metal and alkaline earth metal-containing compounds, the wettability with the glass ceramic substrate is improved, the adhesive strength is increased, and the alloying of Cu with Ni and / or Fe is performed. It is possible to obtain a wiring board which can be suppressed and has low conductor resistance.
【図１】本発明の配線基板の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a wiring board of the present invention.
１ 配線基板 ２ 絶縁基板 ３ メタライズ配線層 ４ ビアホール導体 ５ 電子部品 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wiring board 2 Insulating board 3 Metallized wiring layer 4 Via-hole conductor 5 Electronic component
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永江 謙一 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内 (72)発明者 國分 正也 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing from the front page (72) Inventor Kenichi Nagae 1-4-4 Yamashita-cho, Kokubu-shi, Kagoshima Inside the Kyocera Research Institute (72) Inventor Masaya Kokubu 1-4-4 Yamashita-cho, Kokubu-shi, Kagoshima Kyocera Research Institute
Claims (1)
面及び／または内部にＣｕを主成分とするメタライズ配
線層を被着形成してなる配線基板において、前記メタラ
イズ配線層がＣｕ１００重量部に対して、Ｎｉおよび／
またはＦｅをＮｉＯあるいはＦｅＯ換算で１〜１０重量
部、さらにアルカリ金属、アルカリ土類金属含有化合物
のうちの少なくとも１種を酸化物換算で０．１〜３重量
部の割合で含有することを特徴とする配線基板。A metallized wiring layer comprising Cu as a main component is formed on the surface and / or inside of an insulating substrate made of glass ceramic. Ni and / or
Alternatively, Fe is contained in an amount of 1 to 10 parts by weight in terms of NiO or FeO, and at least one of alkali metal and alkaline earth metal-containing compounds in a proportion of 0.1 to 3 parts by weight in terms of oxide. Wiring board.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24091098A JPH11284296A (en) | 1998-01-29 | 1998-08-26 | Wiring board |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1705598 | 1998-01-29 | ||
| JP10-17055 | 1998-01-29 | ||
| JP24091098A JPH11284296A (en) | 1998-01-29 | 1998-08-26 | Wiring board |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284296A true JPH11284296A (en) | 1999-10-15 |
Family
ID=26353512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24091098A Pending JPH11284296A (en) | 1998-01-29 | 1998-08-26 | Wiring board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11284296A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198622A (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | Metallized composition and wiring substrate using it, and manufacturing method thereof |
| JP2004055559A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Copper paste and wiring board using the same |
| JP2004055557A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Copper paste, wiring board using the same and manufacturing method of wiring board |
| JP2004055558A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Copper paste and wiring board using the same |
| US7291789B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-11-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Copper paste and wiring board using the same |
| JP2015050133A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 旭硝子株式会社 | Conductive paste and substrate with conductive film |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP24091098A patent/JPH11284296A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002198622A (en) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Kyocera Corp | Metallized composition and wiring substrate using it, and manufacturing method thereof |
| JP2004055559A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Copper paste and wiring board using the same |
| JP2004055557A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Copper paste, wiring board using the same and manufacturing method of wiring board |
| JP2004055558A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Copper paste and wiring board using the same |
| US7291789B2 (en) | 2002-07-17 | 2007-11-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Copper paste and wiring board using the same |
| JP4544837B2 (en) * | 2002-07-17 | 2010-09-15 | 日本特殊陶業株式会社 | Copper paste for ceramic wiring board, ceramic wiring board, and method for manufacturing ceramic wiring board |
| JP4544838B2 (en) * | 2002-07-17 | 2010-09-15 | 日本特殊陶業株式会社 | Copper paste for via conductor and ceramic wiring board using the same |
| JP2015050133A (en) * | 2013-09-04 | 2015-03-16 | 旭硝子株式会社 | Conductive paste and substrate with conductive film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3793560B2 (en) | Low-temperature fired porcelain and manufacturing method thereof | |
| JP3517062B2 (en) | Copper metallized composition and glass-ceramic wiring board using the same | |
| JP2007273914A (en) | Wiring board and method of manufacturing same | |
| JPH11284296A (en) | Wiring board | |
| JP3785903B2 (en) | Multilayer substrate and manufacturing method thereof | |
| JP4703207B2 (en) | Wiring board | |
| JP3538549B2 (en) | Wiring board and method of manufacturing the same | |
| JP4646362B2 (en) | Conductor composition and wiring board using the same | |
| JP2002043758A (en) | Multilayer board and manufacturing method | |
| JP4549029B2 (en) | Glass ceramic composition, glass ceramic sintered body, method for producing glass ceramic sintered body, and wiring board | |
| JP2002193691A (en) | Low-permittivity ceramic sintered-compact, method for manufacturing the same, and wiring board using the same | |
| JPH11186727A (en) | Wiring board and manufacture thereof | |
| JP3643264B2 (en) | Conductive paste and wiring board using the same | |
| JP3865967B2 (en) | Porcelain and wiring board using the same | |
| JP2003277852A (en) | Copper metallized composition and ceramic wiring board | |
| JP2002084051A (en) | Metallized copper composition, low-temperature sintered ceramic wiring board, and method of manufacturing the same | |
| JP4540297B2 (en) | Low-temperature fired porcelain composition, low-temperature fired porcelain, and wiring board | |
| JPH0737420A (en) | Conductive paste composition and circuit board using conductive paste composition | |
| JP4632472B2 (en) | Copper conductor composition and wiring board using the same | |
| JP4762564B2 (en) | Conductor composition, wiring board using the same, and method for producing the same | |
| JP5132387B2 (en) | Multilayer wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP3905991B2 (en) | Glass ceramic wiring board | |
| JP3652184B2 (en) | Conductive paste, glass-ceramic wiring board and manufacturing method thereof | |
| JP3426920B2 (en) | Wiring board | |
| JP2005015284A (en) | Low temperature-fired porcelain, its production method, and wiring board |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041228 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050412 |