JPH11284288A - Metal vapor laser device - Google Patents
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- JPH11284288A JPH11284288A JP8543298A JP8543298A JPH11284288A JP H11284288 A JPH11284288 A JP H11284288A JP 8543298 A JP8543298 A JP 8543298A JP 8543298 A JP8543298 A JP 8543298A JP H11284288 A JPH11284288 A JP H11284288A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、特に金属例えば銅
の補給による停止時間を減少させ、長時間安定に運転可
能にする金属蒸気レーザ装置の改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a metal vapor laser device which can reduce a stop time due to replenishment of a metal such as copper, and can operate stably for a long time.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の一般的な金属蒸気レーザ装置は、
例えば図４に示すように構成されている。即ち、同図に
おいて、金属蒸気例えば銅蒸気を生成する複数の金属蒸
気源１が内部に設置された円筒状のセラミック管２の両
端には、接合部材２ａを介して陽極４および陰極５が接
続されて放電管２０が形成されている。この放電管２０
における陽極４および陰極５には、それぞれ電極フラン
ジ６が設けられている。この電極フランジ６は、放電管
２０を包囲する胴体９および絶縁管１０とブリュスタ管
１１との間に介在された電極支持フランジ７に取付け固
定されている。陽極４および陰極５の各電極は、電極フ
ランジ６を介して電極支持フランジ７に固定されてい
る。放電管２０の外周面は断熱材１３で包囲され、断熱
材１３の外部は胴体９および絶縁管フランジ１９を有す
る絶縁管１０で覆われている。それぞれの電極支持フラ
ンジ７には一対のブリュスタ管１１が接続されており、
このブリュスタ管１１の開口部にはそれぞれ窓１２が取
着され、これらの窓１２の外側には出力ミラー２３と全
反射ミラー１４が配置され共振器を形成している。2. Description of the Related Art A conventional general metal vapor laser device is:
For example, it is configured as shown in FIG. That is, in FIG. 1, an anode 4 and a cathode 5 are connected to both ends of a cylindrical ceramic tube 2 in which a plurality of metal vapor sources 1 for generating metal vapor, for example, copper vapor, are installed via a joining member 2a. Thus, a discharge tube 20 is formed. This discharge tube 20
Each of the anode 4 and the cathode 5 is provided with an electrode flange 6. The electrode flange 6 is attached and fixed to the body 9 surrounding the discharge tube 20 and the electrode support flange 7 interposed between the insulating tube 10 and the Brewster tube 11. Each electrode of the anode 4 and the cathode 5 is fixed to an electrode support flange 7 via an electrode flange 6. The outer peripheral surface of the discharge tube 20 is surrounded by a heat insulating material 13, and the outside of the heat insulating material 13 is covered by an insulating tube 10 having a body 9 and an insulating tube flange 19. A pair of Brewster tubes 11 are connected to each electrode support flange 7,
Windows 12 are respectively attached to the openings of the Brewster tube 11, and an output mirror 23 and a total reflection mirror 14 are arranged outside these windows 12 to form a resonator.
【０００３】図４において、左側に示されるブリュスタ
管１１には、放電用バッファガス（以下、放電ガスと略
称）として、例えばネオン（Ｎｅ）ガスを供給するガス
供給管３が接続され、また右側に示されるブリュスタ管
１１にはガス排気管８が接続されている。左側の電極支
持フランジ７と絶縁管フランジ１９との間には、直流高
電圧が印加される。In FIG. 4, a gas supply pipe 3 for supplying, for example, a neon (Ne) gas as a discharge buffer gas (hereinafter abbreviated as a discharge gas) is connected to a blaster pipe 11 shown on the left side, and on the right side. The gas exhaust pipe 8 is connected to the Brewster pipe 11 shown in FIG. A DC high voltage is applied between the left electrode support flange 7 and the insulating tube flange 19.
【０００４】なお、図４中、符号１５は充電コンデンサ
Ｃ1 、１６は中間コンデンサＣ2 、１７は充電抵抗Ｒ、
１８はサイラトロン、２４はダイオードＤをそれぞれ示
している。In FIG. 4, reference numeral 15 denotes a charging capacitor C 1 , 16 denotes an intermediate capacitor C 2 , 17 denotes a charging resistor R,
Reference numeral 18 denotes a thyratron, and 24 denotes a diode D.
【０００５】上記の構成を有する金属蒸気レーザ装置で
は、次のようにしてレーザを発振する。まず、放電管２
０のセラミック管２内に、ガス供給管３から放電ガス、
例えばネオンガスを供給する。次に、セラミック管２の
両端に設けられた陽極４と陰極５との間に直流高速高電
圧を印加して、放電プラズマを形成する。すると、この
放電プラズマによりセラミック管２が高温に加熱され
て、金属蒸気源１からレーザ媒体となる蒸気化された金
属粒子、例えば銅粒子すなわち銅蒸気が生成される。さ
らに、この銅蒸気はセラミック管２内に拡散し、セラミ
ック管２内の放電プラズマ中の自由電子により励起され
る。この励起銅蒸気が低いエネルギー準位に遷移する際
にレーザ光を発振する。[0005] In the metal vapor laser device having the above configuration, the laser oscillates as follows. First, the discharge tube 2
0, discharge gas from the gas supply pipe 3 into the ceramic pipe 2,
For example, neon gas is supplied. Next, a high-speed DC high voltage is applied between the anode 4 and the cathode 5 provided at both ends of the ceramic tube 2 to form discharge plasma. Then, the ceramic tube 2 is heated to a high temperature by the discharge plasma, and vaporized metal particles, for example, copper particles, ie, copper vapor, serving as a laser medium are generated from the metal vapor source 1. Further, the copper vapor diffuses into the ceramic tube 2 and is excited by free electrons in the discharge plasma in the ceramic tube 2. When the excited copper vapor transitions to a low energy level, it emits laser light.
【０００６】上述したようにレーザ媒体となる銅蒸気の
生成は、パルス高電圧源を起動させて両電極４，５間に
放電させ、このパルス二極放電のエネルギーをセラミッ
ク管２に付与して、このセラミック管２を加熱すること
により行なっているが、例えば金属蒸気源１として上記
のように銅を使用する場合は、セラミック管２を常温か
ら１５００℃まで加熱している。As described above, the generation of copper vapor as a laser medium is performed by activating a pulsed high voltage source to cause a discharge between the electrodes 4 and 5 and applying the energy of the pulsed bipolar discharge to the ceramic tube 2. This is done by heating the ceramic tube 2. For example, when copper is used as the metal vapor source 1 as described above, the ceramic tube 2 is heated from room temperature to 1500 ° C.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の金属蒸気レーザ装置では、セラミック管２内に形成し
た放電プラズマの熱によってセラミック管２内の金属蒸
気源１を加熱し、レーザ発振に適した金属蒸気量を発生
させている。As described above, in the conventional metal vapor laser apparatus, the metal vapor source 1 in the ceramic tube 2 is heated by the heat of the discharge plasma formed in the ceramic tube 2 to generate laser oscillation. A suitable amount of metal vapor is generated.
【０００８】ところで、金属蒸気レーザ装置を長時間運
転するためには、セラミック管２内の金属蒸気源１の金
属量を多くする必要がある。しかし、金属量を多くする
と、セラミック管２と金属蒸気源１の金属との濡れ性が
悪いため、溶けた金属が大きな球状になり発生するレー
ザ光を遮蔽するという問題点がある。Incidentally, in order to operate the metal vapor laser device for a long time, it is necessary to increase the amount of metal of the metal vapor source 1 in the ceramic tube 2. However, when the amount of metal is large, the wettability between the ceramic tube 2 and the metal of the metal vapor source 1 is poor, so that there is a problem that the melted metal becomes large spherical and blocks the generated laser light.
【０００９】そこで、金属量の少ない金属蒸気源１を数
多く設けると、設置総量が限定されるため、長時間の運
転は困難であった。本発明は上記事情を考慮してなされ
たもので、その目的とするところは、長時間安定に運転
が可能で、且つレーザ光の遮蔽が少ない金属蒸気レーザ
装置を提供することにある。Therefore, when a large number of metal vapor sources 1 having a small amount of metal are provided, the total amount of the metal vapor sources 1 is limited, so that long-time operation has been difficult. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a metal vapor laser device which can be operated stably for a long time and has less laser light shielding.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る金属蒸気レーザ装置は、内部に金属蒸
気源を有するセラミック管の両側にそれぞれ陽極および
陰極が設けられてなる放電管を、放電加熱してレーザ光
を発生させるが、金属蒸気源の高さがセラミック管の口
径の２０％以内に設定されている。In order to achieve the above object, a metal vapor laser device according to the present invention comprises a discharge tube having an anode and a cathode provided on both sides of a ceramic tube having a metal vapor source therein. The laser beam is generated by discharge heating, and the height of the metal vapor source is set within 20% of the diameter of the ceramic tube.
【００１１】また、金属蒸気源は複数にして、その総延
長は陽極および陰極の電極間距離の５０％以内に設定さ
れている。さらに、複数の金属蒸気源の間隔は、セラミ
ック管の口径の１．５倍以上に設定されている。A plurality of metal vapor sources are provided, and the total length thereof is set within 50% of the distance between the anode and the cathode. Further, the interval between the plurality of metal vapor sources is set to 1.5 times or more the diameter of the ceramic tube.
【００１２】上記の構成を有する本発明によれば、放電
管に放電ガスを導入して放電を開始すると、プラズマが
生起されて放電管の温度は次第に上昇する。やがて、金
属蒸気源が金属蒸気を生成し得る温度に達すると、放電
管内に金属蒸気が一様に分布する。この金属蒸気にプラ
ズマ中の自由電子が衝突して金属蒸気が励起され、放電
管内は反転分布の状態になりレーザ光が発生する。According to the present invention having the above configuration, when a discharge gas is introduced into a discharge tube to start a discharge, plasma is generated and the temperature of the discharge tube gradually increases. Eventually, when the metal vapor source reaches a temperature at which the metal vapor can be generated, the metal vapor is uniformly distributed in the discharge tube. Free electrons in the plasma collide with the metal vapor to excite the metal vapor, so that the inside of the discharge tube has a population inversion state and laser light is generated.
【００１３】この場合、本発明では上記の構成のため金
属蒸気源の金属量は少ないので、セラミック管と金属蒸
気源の金属との濡れ性は悪くならない。従って、溶けた
金属は球状にならずに、平面上になる。そのため、発振
したレーザ光は溶けた金属に遮蔽されずに高いレーザ出
力が得られる。さらに、長時間の安定運転も可能とな
る。In this case, in the present invention, since the amount of metal in the metal vapor source is small due to the above configuration, the wettability between the ceramic tube and the metal in the metal vapor source does not deteriorate. Therefore, the molten metal does not become spherical but becomes flat. Therefore, a high laser output can be obtained without the oscillated laser light being shielded by the molten metal. Furthermore, long-term stable operation is also possible.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
一実施の形態を詳細に説明する。本発明による金属蒸気
レーザ装置は図１および図２に示すように構成され、図
１は全体を示し、図２は要部を拡大して示している。な
お、従来例（図４）と同一または対応する部分には同一
の符号を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The metal vapor laser device according to the present invention is configured as shown in FIGS. 1 and 2, FIG. 1 shows the whole, and FIG. 2 shows an enlarged main part. Parts that are the same as or correspond to those in the conventional example (FIG. 4) will be described using the same reference numerals.
【００１５】図１において、金属蒸気例えば銅蒸気を生
成する複数の金属蒸気源２１（詳細については後述）が
内部に設置された円筒状のセラミック管２の両端には、
それぞれ接合部材２ａを介して陽極４および陰極５が接
続されて放電管２２が形成されている。そして、陽極４
および陰極５でパルス二次放電が行なわれる。セラミッ
ク管２の外周には断熱材１３が配置され、その外周には
金属製例えばアルミ製の胴体９および絶縁管１０が配置
されている。陽極４および陰極５には、一対のブリュス
タ管１１が接続されている。そして、左側のブリュスタ
管１１には、ガス供給系に接続されたガス供給管３が、
また右側のブリュスタ管１１には、ガス排気系に接続さ
れたガス排気管８がそれぞれ接続されている。ガス排気
管８は、セラミック管２内の放電ガス等を外部へ排出す
るものである。ブリュスタ管１１の窓１２の外側には、
それぞれ出力ミラー２３と全反射ミラー１４が配置さ
れ、これによってレーザ共振器が構成されている。In FIG. 1, at both ends of a cylindrical ceramic tube 2 in which a plurality of metal vapor sources 21 (details will be described later) for generating metal vapor, for example, copper vapor, are installed.
The anode 4 and the cathode 5 are connected to each other via the joining member 2a to form a discharge tube 22. And the anode 4
And the cathode 5 performs a pulse secondary discharge. A heat insulating material 13 is arranged on the outer periphery of the ceramic tube 2, and a body 9 made of metal, for example, aluminum and an insulating tube 10 are arranged on the outer periphery. A pair of Brewster tubes 11 are connected to the anode 4 and the cathode 5. And the gas supply pipe 3 connected to the gas supply system is provided in the left blaster pipe 11.
The right blaster pipe 11 is connected to a gas exhaust pipe 8 connected to a gas exhaust system. The gas exhaust pipe 8 discharges discharge gas and the like in the ceramic pipe 2 to the outside. Outside the window 12 of the Brewster tube 11,
An output mirror 23 and a total reflection mirror 14 are arranged, and a laser resonator is constituted by these.
【００１６】さて、前述したパルス２極放電は、陽極４
および陰極５を支持しこれらに電流を流す電極支持フラ
ンジ７に接続されたパルス高圧電源によりなされる。パ
ルス高圧電源は、充電コンデンサ１５、中間コンデンサ
１６、充電抵抗１７、サイラトロン１８、およびダイオ
ード２４等からなる回路によって構成されている。この
パルス高圧電源は、充電コンデンサ１５に充電された電
荷がサイラトロン１８を点弧することにより、ほぼ１０
-7秒以下の立上り時間で放電電流を発生させるように構
成されている。サイラトロン１８は、パルス放電スイッ
チング素子である。発生させるパルス高電圧は、電圧が
十数KV〜数十KV、繰り返し周波数が数kHz 〜数十KHz で
ある。Now, the above-described pulse bipolar discharge is performed by the anode 4
And a pulse high voltage power supply connected to an electrode support flange 7 which supports the cathode 5 and allows current to flow therethrough. The pulse high-voltage power supply is configured by a circuit including a charging capacitor 15, an intermediate capacitor 16, a charging resistor 17, a thyratron 18, a diode 24, and the like. This pulse high-voltage power supply has a charge of approximately 10
The discharge current is generated with a rise time of -7 seconds or less. The thyratron 18 is a pulse discharge switching element. The pulse high voltage to be generated has a voltage of several tens to several tens KV and a repetition frequency of several kHz to several tens KHz.
【００１７】なお、図中の記号Ａはアノード端子であ
り、Ｋはカソード端子であり、Ｇはトリガー信号導入端
子である。その他の構成は従来例（図４）と同一である
ので、その説明を省略する。The symbol A in the figure is an anode terminal, K is a cathode terminal, and G is a trigger signal introduction terminal. The other configuration is the same as that of the conventional example (FIG. 4), and the description is omitted.
【００１８】さて、本発明の特徴である金属蒸気源２１
について詳述すると、多量に金属蒸気源を設置するに
は、１点当たりの金属蒸気源の金属を多くして金属蒸気
源の高さを増加することで可能となるが、この金属蒸気
源の高さを増加すると、前述のようにレーザ光を遮蔽し
てレーザ出力の低下を招く。そこで、レーザ光遮蔽率を
１５％以内にするためには、金属蒸気源２１の高さをレ
ーザ管口径の２０％以内にする必要がある。Now, the metal vapor source 21 which is a feature of the present invention will be described.
In detail, it is possible to install a large number of metal vapor sources by increasing the height of the metal vapor source by increasing the amount of metal per point of the metal vapor source. When the height is increased, the laser light is blocked as described above, and the laser output is reduced. Therefore, in order to keep the laser light shielding rate within 15%, the height of the metal vapor source 21 needs to be within 20% of the laser tube diameter.
【００１９】従って、本発明の一実施の形態では、金属
蒸気源２１の高さがセラミック管２の口径の２０％以内
に設定されている。金属蒸気源高さ／レーザ管口径に対
するレーザ光遮蔽率を図３に示す。Therefore, in one embodiment of the present invention, the height of the metal vapor source 21 is set within 20% of the diameter of the ceramic tube 2. FIG. 3 shows the laser light shielding ratio with respect to the height of the metal vapor source / the diameter of the laser tube.
【００２０】さらに、多数の金属蒸気源２１を設置する
ためには、図２に示すように設置点数、１点当たりの設
置長さを増加する必要が生じる。この１点当たりの金属
蒸気源の長さと点数と設置間隔は、以下の式のような関
係がある。Further, in order to install a large number of metal vapor sources 21, it is necessary to increase the number of installation points and the installation length per point as shown in FIG. The length, the number, and the installation interval of the metal vapor source per point have a relationship as shown in the following equation.
【００２１】設置間隔＝（電極間距離−（金属蒸気源長
さ×設置点数））／（設置点数＋１） このような関係があるため、金属蒸気源２１の増加は設
置間隔の減少を招き、プラズマを形成するための電気放
電を誘導し、正常な放電を維持することが困難となる。
そこで、種々の試験を行なった結果、設置間隔はセラミ
ック管２の１．５倍以上離す必要があり、金属蒸気源長
さを設置点数加算した総延長は電極間距離の５０％以内
にする必要があることが判った。従って、本発明の一実
施の形態では、複数の金属蒸気源２１の設置間隔は、セ
ラミック管２の口径の１．５倍以上に設定され、複数の
金属蒸気源２１の総延長は、陽極４および陰極５の電極
間距離の５０％以内に設定されている。また、金属蒸気
源長さは、セラミック管２の口径の２倍以内が最適であ
ることが判った。なお、図２は模式図なので、金属蒸気
源２１の設置間隔はセラミック管２の１．５倍以上にな
っていないが、実際は上記の通りである。Installation interval = (distance between electrodes− (metal vapor source length × number of installation points)) / (number of installation points + 1) Due to such a relationship, an increase in the number of metal vapor sources 21 causes a decrease in the installation interval. It becomes difficult to induce an electric discharge for forming plasma and maintain a normal discharge.
Therefore, as a result of various tests, the installation interval must be at least 1.5 times as long as the ceramic tube 2, and the total extension of the length of the metal vapor source plus the number of installation points must be within 50% of the distance between the electrodes. It turned out that there was. Therefore, in one embodiment of the present invention, the interval between the plurality of metal vapor sources 21 is set to 1.5 times or more the diameter of the ceramic tube 2, and the total extension of the plurality of metal vapor sources 21 is The distance is set within 50% of the distance between the electrodes of the cathode 5. Further, it was found that the optimal length of the metal vapor source was within twice the diameter of the ceramic tube 2. Note that since FIG. 2 is a schematic diagram, the installation interval of the metal vapor sources 21 is not 1.5 times or more as large as that of the ceramic tube 2, but is actually as described above.
【００２２】次に、上記の一実施の形態の作用を説明す
る。まず、真空排気系（図示省略）を作動させて、セラ
ミック管２内を排気し、この排気後にガス供給管３を経
由してネオンガス等の放電ガスを供給する。Next, the operation of the embodiment will be described. First, a vacuum evacuation system (not shown) is operated to evacuate the inside of the ceramic tube 2, and after this evacuation, a discharge gas such as a neon gas is supplied via a gas supply tube 3.
【００２３】次に、パルス高圧電源を作動させて、セラ
ミック管２内にプラズマを生起させ、このプラズマによ
って金属蒸気源２１が金属蒸気、例えば銅蒸気を生成し
得る温度まで昇温させる。レーザ発振に必要な温度は、
例えば金属蒸気源２１が銅の場合には約1500℃である。
この状態が保持されることにより、セラミック管２内に
銅蒸気が一様に分布する。Next, the pulse high voltage power supply is operated to generate plasma in the ceramic tube 2, and the plasma causes the metal vapor source 21 to rise to a temperature at which metal vapor, for example, copper vapor can be generated. The temperature required for laser oscillation is
For example, when the metal vapor source 21 is copper, the temperature is about 1500 ° C.
By maintaining this state, copper vapor is uniformly distributed in the ceramic tube 2.
【００２４】この銅蒸気にプラズマ中の自由電子が衝突
して銅蒸気が励起され、やがてセラミック管２内は反転
分布の状態となる。この状態では、励起された銅蒸気が
低エネルギー準位に遷移する際にレーザ光を発生する。
セラミック管２内で発生したレーザ光は窓１２を通過
し、レーザ共振器を構成する出力ミラー２３及び全反射
ミラー１４で反射する間にその振幅が増加してパワーア
ップし、やがて出力ミラー２３から取り出されるレーザ
光が十分な出力に達成する。Free electrons in the plasma collide with the copper vapor to excite the copper vapor, so that the inside of the ceramic tube 2 has a population inversion state. In this state, a laser beam is generated when the excited copper vapor transitions to a low energy level.
The laser light generated in the ceramic tube 2 passes through the window 12 and its amplitude increases and powers up while being reflected by the output mirror 23 and the total reflection mirror 14 constituting the laser resonator. The extracted laser light achieves a sufficient output.
【００２５】このように本発明の実施形態によれば、金
属蒸気源２１の高さが制限されているので金属蒸気源２
１の金属量は少なく、セラミック管２と金属蒸気源２１
の金属との濡れ性は悪くならない。従って、溶けた金属
は球状にならずに、平面上になる。そのため、発振した
レーザ光は溶けた金属に遮蔽されずに高いレーザ出力が
得られる。さらに、移動等によるレーザ出力が不安定に
なるのを防止することも出来、長時間の安定運転も可能
となる。As described above, according to the embodiment of the present invention, since the height of the metal vapor source 21 is limited, the metal vapor source 2
1 has a small amount of metal, the ceramic tube 2 and the metal vapor source 21
The wettability with the metal does not deteriorate. Therefore, the molten metal does not become spherical but becomes flat. Therefore, a high laser output can be obtained without the oscillated laser light being shielded by the molten metal. Further, it is possible to prevent the laser output from becoming unstable due to movement or the like, and it is possible to perform stable operation for a long time.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザの遮蔽によるレーザ出力の低下を招くことなく、
多量の金属蒸気源を設置することが出来、レーザ発振を
長時間安定して行なうことが出来る。As described above, according to the present invention,
Without inviting a decrease in laser output due to laser shielding,
A large amount of metal vapor source can be installed, and laser oscillation can be stably performed for a long time.
【図１】本発明の一実施の形態に係る金属蒸気レーザ装
置を回路図を併用して示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a metal vapor laser device according to an embodiment of the present invention, together with a circuit diagram.
【図２】図１の要部を拡大して示す断面図。FIG. 2 is an enlarged sectional view showing a main part of FIG. 1;
【図３】金属蒸気源の高さとレーザ光遮蔽率との関係を
示す特性曲線図。FIG. 3 is a characteristic curve diagram showing a relationship between a height of a metal vapor source and a laser light shielding ratio.
【図４】従来の金属蒸気レーザ装置を回路図を併用して
示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing a conventional metal vapor laser device together with a circuit diagram.
２…セラミック管、４…陽極、５…陰極、２１…金属蒸
気源、２２…放電管。2 ... ceramic tube, 4 ... anode, 5 ... cathode, 21 ... metal vapor source, 22 ... discharge tube.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 誠 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Makoto Fukuda 7-1 Nisshincho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Toshiba Electronic Engineering Co., Ltd.
Claims (3)
の両側にそれぞれ陽極および陰極が設けられてなる放電
管を、放電加熱してレーザ光を発生させる金属蒸気レー
ザ装置において、 上記金属蒸気源の高さが上記セラミック管の口径の２０
％以内に設定されてなることを特徴とする金属蒸気レー
ザ装置。1. A metal vapor laser device for generating a laser beam by discharging and heating a discharge tube in which an anode and a cathode are provided on both sides of a ceramic tube having a metal vapor source therein, respectively. The height is 20 times the diameter of the ceramic tube
%. A metal vapor laser device characterized by being set within%.
長は上記陽極および陰極の電極間距離の５０％以内に設
定されてなることを特徴とする請求項１記載の金属蒸気
レーザ装置。2. The metal vapor laser device according to claim 1, wherein a plurality of said metal vapor sources are provided, and a total extension thereof is set within 50% of a distance between said anode and said cathode.
記セラミック管の口径の１．５倍以上に設定されてなる
ことを特徴とする請求項２記載の金属蒸気レーザ装置。3. The metal vapor laser apparatus according to claim 2, wherein an interval between the plurality of metal vapor sources is set to be at least 1.5 times a diameter of the ceramic tube.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8543298A JPH11284288A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Metal vapor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8543298A JPH11284288A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Metal vapor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284288A true JPH11284288A (en) | 1999-10-15 |
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ID=13858693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8543298A Pending JPH11284288A (en) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | Metal vapor laser device |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH11284288A (en) |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8543298A patent/JPH11284288A/en active Pending
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