JPH11283291A - 記憶装置、光学的記録媒体及び情報記録方法 - Google Patents
記憶装置、光学的記録媒体及び情報記録方法Info
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- JPH11283291A JPH11283291A JP11006008A JP600899A JPH11283291A JP H11283291 A JPH11283291 A JP H11283291A JP 11006008 A JP11006008 A JP 11006008A JP 600899 A JP600899 A JP 600899A JP H11283291 A JPH11283291 A JP H11283291A
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- G11B7/005—Reproducing
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- Signal Processing (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は記憶装置、光学的記録媒体及び情報
記録方法に関し、MSRを利用して磁気光学効果により
記録媒体から情報を再生する場合でも、凹凸(エンボス
ピット)形状として記録された情報を正確に再生するこ
とが可能となり、信頼性の高い大容量記録媒体を実現す
ることを目的とする。 【解決手段】 記録媒体固有の媒体情報を含むコントロ
ール情報がエンボス形状で予め記録されるコントロール
領域と、データが光学的手段により記録されるデータ領
域とを有し、コントロール領域とデータ領域とでは記録
密度が異なるタイプの光学的記録媒体からコントロール
情報及びデータを再生する記憶装置において、コントロ
ール情報及びデータを該光学的記録媒体から再生する際
に用いる読み取りクロックの周波数を、コントロール情
報を再生する場合と、データを再生する場合とで切り替
える制御手段を備えるように構成する。
記録方法に関し、MSRを利用して磁気光学効果により
記録媒体から情報を再生する場合でも、凹凸(エンボス
ピット)形状として記録された情報を正確に再生するこ
とが可能となり、信頼性の高い大容量記録媒体を実現す
ることを目的とする。 【解決手段】 記録媒体固有の媒体情報を含むコントロ
ール情報がエンボス形状で予め記録されるコントロール
領域と、データが光学的手段により記録されるデータ領
域とを有し、コントロール領域とデータ領域とでは記録
密度が異なるタイプの光学的記録媒体からコントロール
情報及びデータを再生する記憶装置において、コントロ
ール情報及びデータを該光学的記録媒体から再生する際
に用いる読み取りクロックの周波数を、コントロール情
報を再生する場合と、データを再生する場合とで切り替
える制御手段を備えるように構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は記憶装置、光学的記
録媒体及び情報記録方法に係り、特に高密度で記録され
た情報を記録媒体から再生する記憶装置、高密度に情報
を記録された光学的情報記録媒体及び情報を高密度で記
録媒体に記録する情報記録方法に関する。
録媒体及び情報記録方法に係り、特に高密度で記録され
た情報を記録媒体から再生する記憶装置、高密度に情報
を記録された光学的情報記録媒体及び情報を高密度で記
録媒体に記録する情報記録方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光学的記録媒体の1つとして、光磁気デ
ィスクに代表される光磁気記録媒体がある。光磁気ディ
スクは、基板と、基板上に形成された磁性体からなる記
録層とを有し、光による加熱と磁界の変化を利用して情
報を記録する。又、光磁気ディスクから情報を再生する
際には、磁気光学効果を利用する。このような光磁気デ
ィスクには、データを記録するデータトラックと、光磁
気ディスク固有の媒体情報を記録するコントロールトラ
ックとが設けられ、各トラックは記録領域であるセクタ
を識別するための識別(ID)部とデータを記録するデ
ータ部とからなる。コントロールトラックは、情報の書
き換えを防止するために、製造業者が基板上に凹凸(エ
ンボスピット)をスタンパにより、或いは、射出成形に
より基板の案内溝(ランド/グルーブ)を形成する時に
形成することで記録される。又、ID部も、同様の理由
で、同一の製造工程で基板上に凹凸を形成することで記
録される。
ィスクに代表される光磁気記録媒体がある。光磁気ディ
スクは、基板と、基板上に形成された磁性体からなる記
録層とを有し、光による加熱と磁界の変化を利用して情
報を記録する。又、光磁気ディスクから情報を再生する
際には、磁気光学効果を利用する。このような光磁気デ
ィスクには、データを記録するデータトラックと、光磁
気ディスク固有の媒体情報を記録するコントロールトラ
ックとが設けられ、各トラックは記録領域であるセクタ
を識別するための識別(ID)部とデータを記録するデ
ータ部とからなる。コントロールトラックは、情報の書
き換えを防止するために、製造業者が基板上に凹凸(エ
ンボスピット)をスタンパにより、或いは、射出成形に
より基板の案内溝(ランド/グルーブ)を形成する時に
形成することで記録される。又、ID部も、同様の理由
で、同一の製造工程で基板上に凹凸を形成することで記
録される。
【0003】上記の如き光磁気ディスクの記録密度を向
上させる様々な方法が従来より提案されている。そのう
ちの1つである磁気超解像(MSR)を利用する方法で
は、一般に再生できる最小記録情報が波長で決まるのに
対し、その限界以下の情報を再生する。つまり、再生時
のレーザパワーの温度分布を利用して磁気的なマスクを
形成することで、必要な情報のみを光磁気ディスクから
再生できるようにする。
上させる様々な方法が従来より提案されている。そのう
ちの1つである磁気超解像(MSR)を利用する方法で
は、一般に再生できる最小記録情報が波長で決まるのに
対し、その限界以下の情報を再生する。つまり、再生時
のレーザパワーの温度分布を利用して磁気的なマスクを
形成することで、必要な情報のみを光磁気ディスクから
再生できるようにする。
【0004】図17は、MSRを利用する方法の原理を
説明する図である。同図の上部は光磁気ディスク上の1
本のトラックの一部の平面を示し、同図の下部は光磁気
ディスクの断面を示す。光磁気ディスクの基板(図示せ
ず)上には、記録層101、中間層102及び再生層1
03が設けられている。これらの層101〜103内の
矢印は、夫々磁化方向を示している。尚、BMはレーザ
ビームの移動方向、DMは光磁気ディスクの移動方向
(回転方向)、RMは再生磁場、ハッチングは界面磁壁
104を示す。
説明する図である。同図の上部は光磁気ディスク上の1
本のトラックの一部の平面を示し、同図の下部は光磁気
ディスクの断面を示す。光磁気ディスクの基板(図示せ
ず)上には、記録層101、中間層102及び再生層1
03が設けられている。これらの層101〜103内の
矢印は、夫々磁化方向を示している。尚、BMはレーザ
ビームの移動方向、DMは光磁気ディスクの移動方向
(回転方向)、RMは再生磁場、ハッチングは界面磁壁
104を示す。
【0005】中間層102は、温度に応じて記録層10
1に記録されている情報を再生層103に転送したり遮
断したりする。このようにしてトラックのデータ部に記
録されている情報を再生する際には、再生時のレーザパ
ワーの温度分布を利用し、再生箇所以外には磁気的なフ
ロントマスク105及びリアマスク106を形成するこ
とで、必要な情報のみを光磁気ディスクから再生するこ
とができる。つまり、例えば波長が680nmのレーザ
ビームを使用してデータ部に記録されている最短マーク
長が0.38μmの情報を再生する場合、レーザビーム
のスポット径が約1μmで最短マーク長の約3倍であっ
ても、マスク105,106を形成することで必要な情
報のみを光磁気ディスクから再生することができる。
1に記録されている情報を再生層103に転送したり遮
断したりする。このようにしてトラックのデータ部に記
録されている情報を再生する際には、再生時のレーザパ
ワーの温度分布を利用し、再生箇所以外には磁気的なフ
ロントマスク105及びリアマスク106を形成するこ
とで、必要な情報のみを光磁気ディスクから再生するこ
とができる。つまり、例えば波長が680nmのレーザ
ビームを使用してデータ部に記録されている最短マーク
長が0.38μmの情報を再生する場合、レーザビーム
のスポット径が約1μmで最短マーク長の約3倍であっ
ても、マスク105,106を形成することで必要な情
報のみを光磁気ディスクから再生することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、コントロール
トラックのID部は、光磁気ディスクの基板上に凹凸
(エンボスピット)を形成することで記録されるので、
コントロール部のデータ部と同じ密度で情報を記録しよ
うとしても、MSRを利用することはできず、ID部の
情報を正確に再生することはできないという問題があっ
た。つまり、レーザビームのスポット径が上記の如く例
えば約1μmの場合、例えば上記の如く最短マーク長が
0.38μmのピットを再生しようとしても、ビームス
ポット内に約3個のピットが入ってしまい、3個のピッ
トうち必要な1個のピットのみの情報を再生することは
できない。これは、ビームスポット内に入るピットのう
ち、必要なピット以外のピットからの情報をマスクする
ような手段が存在しないからである。
トラックのID部は、光磁気ディスクの基板上に凹凸
(エンボスピット)を形成することで記録されるので、
コントロール部のデータ部と同じ密度で情報を記録しよ
うとしても、MSRを利用することはできず、ID部の
情報を正確に再生することはできないという問題があっ
た。つまり、レーザビームのスポット径が上記の如く例
えば約1μmの場合、例えば上記の如く最短マーク長が
0.38μmのピットを再生しようとしても、ビームス
ポット内に約3個のピットが入ってしまい、3個のピッ
トうち必要な1個のピットのみの情報を再生することは
できない。これは、ビームスポット内に入るピットのう
ち、必要なピット以外のピットからの情報をマスクする
ような手段が存在しないからである。
【0007】そこで、本発明はMSRを利用して磁気光
学効果により記録媒体から情報を再生する場合でも、凹
凸形状として記録された情報を正確に再生することがで
きる記憶装置、光学的記録媒体及び情報記録方法を提供
することを目的とする。
学効果により記録媒体から情報を再生する場合でも、凹
凸形状として記録された情報を正確に再生することがで
きる記憶装置、光学的記録媒体及び情報記録方法を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、記録媒体
固有の媒体情報を含むコントロール情報がエンボス形状
で予め記録されるコントロール領域と、データが光学的
手段により記録されるデータ領域とを有し、前記コント
ロール領域と前記データ領域とでは記録密度が異なるタ
イプの光学的記録媒体から前記コントロール情報及び前
記データを再生する記憶装置であって、該コントロール
情報及び該データを該光学的記録媒体から再生する際に
用いる読み取りクロックの周波数を、該コントロール情
報を再生する場合と、該データを再生する場合とで切り
替える制御手段を備えた記憶装置により達成される。
固有の媒体情報を含むコントロール情報がエンボス形状
で予め記録されるコントロール領域と、データが光学的
手段により記録されるデータ領域とを有し、前記コント
ロール領域と前記データ領域とでは記録密度が異なるタ
イプの光学的記録媒体から前記コントロール情報及び前
記データを再生する記憶装置であって、該コントロール
情報及び該データを該光学的記録媒体から再生する際に
用いる読み取りクロックの周波数を、該コントロール情
報を再生する場合と、該データを再生する場合とで切り
替える制御手段を備えた記憶装置により達成される。
【0009】本発明によれば、コントロール領域のデー
タ部及び識別部は、いずれもエンボス形状で予め記録さ
れているので、コントロール領域のデータ部及び識別部
における読み取りクロックの周波数を同一にすること
で、読み取りクロック周波数の制御を簡略化することが
できる。このため、データ領域の記録密度が増加して
も、コントロール領域からコントロール情報を再生する
ことができる。
タ部及び識別部は、いずれもエンボス形状で予め記録さ
れているので、コントロール領域のデータ部及び識別部
における読み取りクロックの周波数を同一にすること
で、読み取りクロック周波数の制御を簡略化することが
できる。このため、データ領域の記録密度が増加して
も、コントロール領域からコントロール情報を再生する
ことができる。
【0010】前記コントロール領域の記録密度は、N>
1とすると、前記データ領域の記録密度の1/N倍に設
定されていても良い。本発明によれば、データ領域のデ
ータ部を再生する場合の読み取りクロックの周波数が、
データ領域の識別部やコントロール領域を再生する場合
の読み取りクロックの周波数の1/N倍に設定されるの
で、必要となる読み取りクロックを高精度に求めること
ができる。
1とすると、前記データ領域の記録密度の1/N倍に設
定されていても良い。本発明によれば、データ領域のデ
ータ部を再生する場合の読み取りクロックの周波数が、
データ領域の識別部やコントロール領域を再生する場合
の読み取りクロックの周波数の1/N倍に設定されるの
で、必要となる読み取りクロックを高精度に求めること
ができる。
【0011】前記制御手段は、N>1とすると、前記読
み取りクロックの周波数を前記コントロール情報を再生
する場合には前記データを再生する場合の1/N倍に切
り替える構成であっても良い。本発明によれば、データ
領域のデータ部を再生する場合の読み取りクロックの周
波数が、データ領域の識別部やコントロール領域を再生
する場合の読み取りクロックの周波数の1/N倍に設定
されるので、必要となる読み取りクロックを高精度に求
めることができる。
み取りクロックの周波数を前記コントロール情報を再生
する場合には前記データを再生する場合の1/N倍に切
り替える構成であっても良い。本発明によれば、データ
領域のデータ部を再生する場合の読み取りクロックの周
波数が、データ領域の識別部やコントロール領域を再生
する場合の読み取りクロックの周波数の1/N倍に設定
されるので、必要となる読み取りクロックを高精度に求
めることができる。
【0012】前記コントロール領域は、前記媒体情報が
記録されるデータ部と、記録領域を識別するための識別
部とを含み、前記データ領域は、前記データが記録され
るデータ部と、記録領域を識別するための識別部とを含
んでも良い。前記制御手段は、N>1とすると、前記読
み取りクロックの周波数を前記データ領域の識別部を再
生する場合には前記データ領域のデータ部を再生する場
合の1/N倍に切り替える構成であっても良い。
記録されるデータ部と、記録領域を識別するための識別
部とを含み、前記データ領域は、前記データが記録され
るデータ部と、記録領域を識別するための識別部とを含
んでも良い。前記制御手段は、N>1とすると、前記読
み取りクロックの周波数を前記データ領域の識別部を再
生する場合には前記データ領域のデータ部を再生する場
合の1/N倍に切り替える構成であっても良い。
【0013】本発明によれば、データ領域のデータ部を
再生する場合の読み取りクロックの周波数が、データ領
域の識別部やコントロール領域を再生する場合の読み取
りクロックの周波数の1/N倍に設定されるので、必要
となる読み取りクロックを高精度に求めることができ
る。前記制御手段は、前記読み取りクロックの周波数を
前記コントロール領域のデータ部を再生する場合と該コ
ントロール領域の識別部を再生する場合とで同一になる
ように制御する構成であっても良い。
再生する場合の読み取りクロックの周波数が、データ領
域の識別部やコントロール領域を再生する場合の読み取
りクロックの周波数の1/N倍に設定されるので、必要
となる読み取りクロックを高精度に求めることができ
る。前記制御手段は、前記読み取りクロックの周波数を
前記コントロール領域のデータ部を再生する場合と該コ
ントロール領域の識別部を再生する場合とで同一になる
ように制御する構成であっても良い。
【0014】前記制御手段は、前記読み取りクロックの
周波数を前記データ領域のデータ部を再生する場合と該
データ領域の識別部を再生する場合とで異なるように制
御する構成であっても良い。前記Nは2以上の整数であ
っても良い。前記光学的記録媒体は、基板と、前記基板
上に設けられ使用する光ビームの径より小さな記録密度
でデータを記録するための記録層と、再生時に前記記録
層に記録されているデータが転送される再生層とを有し
ても良い。
周波数を前記データ領域のデータ部を再生する場合と該
データ領域の識別部を再生する場合とで異なるように制
御する構成であっても良い。前記Nは2以上の整数であ
っても良い。前記光学的記録媒体は、基板と、前記基板
上に設けられ使用する光ビームの径より小さな記録密度
でデータを記録するための記録層と、再生時に前記記録
層に記録されているデータが転送される再生層とを有し
ても良い。
【0015】前記記憶装置は、基準クロックを発生する
クロック発生手段と、前記基準クロックに基づいて第1
及び第2のクロックを生成するクロック生成手段とを更
に備え、前記制御手段は、前記コントロール情報及び前
記データを前記光学的記録媒体から再生する際に用いる
読み取りクロックの周波数を、前記コントロール領域か
ら該コントロール情報を再生する場合は該第1のクロッ
クの周波数に制御し、前記データ領域から該データを再
生する場合には該第2のクロックの周波数に制御する構
成であっても良い。
クロック発生手段と、前記基準クロックに基づいて第1
及び第2のクロックを生成するクロック生成手段とを更
に備え、前記制御手段は、前記コントロール情報及び前
記データを前記光学的記録媒体から再生する際に用いる
読み取りクロックの周波数を、前記コントロール領域か
ら該コントロール情報を再生する場合は該第1のクロッ
クの周波数に制御し、前記データ領域から該データを再
生する場合には該第2のクロックの周波数に制御する構
成であっても良い。
【0016】前記第1のクロックの周波数は、N>1と
すると、前記第2のクロックの周波数の1/N倍に設定
されていても良い。上記の課題は、コントロール情報が
エンボス形状で予め記録されるコントロール領域と、デ
ータが光学的手段により記録されるデータ領域とを備
え、前記コントロール領域の記録密度は、N>1とする
と、前記データ領域の記録密度の1/N倍に設定されて
いる光学的記録媒体によっても達成できる。
すると、前記第2のクロックの周波数の1/N倍に設定
されていても良い。上記の課題は、コントロール情報が
エンボス形状で予め記録されるコントロール領域と、デ
ータが光学的手段により記録されるデータ領域とを備
え、前記コントロール領域の記録密度は、N>1とする
と、前記データ領域の記録密度の1/N倍に設定されて
いる光学的記録媒体によっても達成できる。
【0017】本発明によれば、基準クロックに基づいて
第1及び第2のクロックを生成することで、第1及び第
2のクロックを容易に同期させることができる。又、第
1及び第2のクロックは、基準クロックを異なる分周比
で分周することにより容易に生成可能であるため、複数
のクロック生成回路を設ける必要がなく、回路規模を簡
単にすることもできる。
第1及び第2のクロックを生成することで、第1及び第
2のクロックを容易に同期させることができる。又、第
1及び第2のクロックは、基準クロックを異なる分周比
で分周することにより容易に生成可能であるため、複数
のクロック生成回路を設ける必要がなく、回路規模を簡
単にすることもできる。
【0018】前記コントロール領域は、記録媒体固有の
媒体情報を記録されるデータ部と記録領域を識別するた
めの識別部とを含み、前記データ領域は、前記データが
記録されるデータ部と記録領域を識別するための識別部
とを含み、該データ領域の識別部の記録密度は、N>1
とすると、該データ領域のデータ部の記録密度の1/N
倍に設定されていても良い。
媒体情報を記録されるデータ部と記録領域を識別するた
めの識別部とを含み、前記データ領域は、前記データが
記録されるデータ部と記録領域を識別するための識別部
とを含み、該データ領域の識別部の記録密度は、N>1
とすると、該データ領域のデータ部の記録密度の1/N
倍に設定されていても良い。
【0019】本発明によれば、データ領域のデータ部を
再生する場合の読み取りクロックの周波数が、データ領
域の識別部やコントロール領域を再生する場合の読み取
りクロックの周波数の1/N倍に設定されるので、必要
となる読み取りクロックを高精度に求めることができ
る。光学的記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられ
使用する光ビームの径より小さな記録密度でデータを記
録するための記録層と、再生時に前記記録層に記録され
ているデータが転送される再生層とを更に備えても良
い。
再生する場合の読み取りクロックの周波数が、データ領
域の識別部やコントロール領域を再生する場合の読み取
りクロックの周波数の1/N倍に設定されるので、必要
となる読み取りクロックを高精度に求めることができ
る。光学的記録媒体は、基板と、前記基板上に設けられ
使用する光ビームの径より小さな記録密度でデータを記
録するための記録層と、再生時に前記記録層に記録され
ているデータが転送される再生層とを更に備えても良
い。
【0020】本発明によれば、コントロール領域のデー
タ部及び識別部は、いずれもエンボス形状で予め記録さ
れているので、コントロール領域のデータ部及び識別部
における読み取りクロックの周波数を同一にすること
で、読み取りクロック周波数の制御を簡略化することが
できる。このため、データ領域の記録密度が増加して
も、コントロール領域からコントロール情報を再生する
ことができる。
タ部及び識別部は、いずれもエンボス形状で予め記録さ
れているので、コントロール領域のデータ部及び識別部
における読み取りクロックの周波数を同一にすること
で、読み取りクロック周波数の制御を簡略化することが
できる。このため、データ領域の記録密度が増加して
も、コントロール領域からコントロール情報を再生する
ことができる。
【0021】前記Nは2以上の整数であっても良い。従
って、本発明によれば、MSRを利用して磁気光学効果
により記録媒体から情報を再生する場合でも、凹凸(エ
ンボスピット)形状として記録された情報を正確に再生
することが可能となり、信頼性の高い大容量記録媒体を
実現できる。
って、本発明によれば、MSRを利用して磁気光学効果
により記録媒体から情報を再生する場合でも、凹凸(エ
ンボスピット)形状として記録された情報を正確に再生
することが可能となり、信頼性の高い大容量記録媒体を
実現できる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面と共
に説明する。
に説明する。
【0023】
【実施例】先ず、本発明になる記憶装置の一実施例を説
明する。図1は、記憶装置の一実施例の概略構成を示す
ブロック図であり、本実施例では、本発明が光ディスク
装置に適用されている。記憶装置の本実施例は、本発明
になる情報記録方法の一実施例を採用し、本発明になる
記録媒体の一実施例を作成する。
明する。図1は、記憶装置の一実施例の概略構成を示す
ブロック図であり、本実施例では、本発明が光ディスク
装置に適用されている。記憶装置の本実施例は、本発明
になる情報記録方法の一実施例を採用し、本発明になる
記録媒体の一実施例を作成する。
【0024】図1に示すように、光ディスク装置は、大
略コントロールユニット10とエンクロージャ11とか
らなる。コントロールユニット10は、光ディスク装置
の全体的な制御を行うMPU12、ホスト装置(図示せ
ず)との間でコマンド及びデータのやり取りを行うイン
タフェース17、光ディスク(図示せず)に対するデー
タのリード/ライトに必要な処理を行う光ディスクコン
トローラ(ODC)14、デジタルシグナルプロセッサ
(DSP)16及びバッファメモリ18を有する。バッ
ファメモリ18は、MPU12、ODC14及びインタ
フェース17で共用され、例えばダイナミックランダム
アクセスメモリ(DRAM)を含む。クロックを生成す
るのに用いる水晶振動子101は、MPU12と接続さ
れている。
略コントロールユニット10とエンクロージャ11とか
らなる。コントロールユニット10は、光ディスク装置
の全体的な制御を行うMPU12、ホスト装置(図示せ
ず)との間でコマンド及びデータのやり取りを行うイン
タフェース17、光ディスク(図示せず)に対するデー
タのリード/ライトに必要な処理を行う光ディスクコン
トローラ(ODC)14、デジタルシグナルプロセッサ
(DSP)16及びバッファメモリ18を有する。バッ
ファメモリ18は、MPU12、ODC14及びインタ
フェース17で共用され、例えばダイナミックランダム
アクセスメモリ(DRAM)を含む。クロックを生成す
るのに用いる水晶振動子101は、MPU12と接続さ
れている。
【0025】ODC14には、フォーマッタ14−1
と、誤り訂正符号(ECC)処理部14−2とが設けら
れている。ライトアクセス時には、フォーマッタ14−
1がNRZライトデータを光ディスクのセクタ単位に分
割して記録フォーマットを生成し、ECC処理部14−
2がセクタライトデータ単位にECCを生成して付加す
ると共に、必要に応じて巡回冗長検査(CRC)符号を
生成して付加する。更に、ECC処理部14−2はEC
Cの符号化が済んだセクタデータを例えば1−7ランレ
ングスリミテッド(RLL)符号に変換する。
と、誤り訂正符号(ECC)処理部14−2とが設けら
れている。ライトアクセス時には、フォーマッタ14−
1がNRZライトデータを光ディスクのセクタ単位に分
割して記録フォーマットを生成し、ECC処理部14−
2がセクタライトデータ単位にECCを生成して付加す
ると共に、必要に応じて巡回冗長検査(CRC)符号を
生成して付加する。更に、ECC処理部14−2はEC
Cの符号化が済んだセクタデータを例えば1−7ランレ
ングスリミテッド(RLL)符号に変換する。
【0026】リードアクセス時には、セクタデータに対
して1−7RLLの逆変換を行い、次にECC処理部1
4−2でCRCを行った後にECCによる誤り検出及び
誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ14−1でセクタ
単位のNRZデータを連結してNRZリードデータのス
トリームとしてホスト装置に転送させる。ODC14に
対しては、ライト大規模集積回路(LSI)20が設け
られ、ライトLSI20は、ライト変調部21とレーザ
ダイオード制御回路22とを有する。レーザダイオード
制御回路22の制御出力は、エンクロージャ11側の光
学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット30
に供給される。レーザダイオードユニット30は、レー
ザダイオード30−1とモニタ用ディテクタ30−2と
を一体的に有する。ライト変調部21は、ライトデータ
をピットポジションモジュレーション(PPM)記録
(マーク記録とも言う)又はパルスウィドスモジュレー
ション(PWM)記録(エッジ記録とも言う)でのデー
タ形式に変換する。
して1−7RLLの逆変換を行い、次にECC処理部1
4−2でCRCを行った後にECCによる誤り検出及び
誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ14−1でセクタ
単位のNRZデータを連結してNRZリードデータのス
トリームとしてホスト装置に転送させる。ODC14に
対しては、ライト大規模集積回路(LSI)20が設け
られ、ライトLSI20は、ライト変調部21とレーザ
ダイオード制御回路22とを有する。レーザダイオード
制御回路22の制御出力は、エンクロージャ11側の光
学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット30
に供給される。レーザダイオードユニット30は、レー
ザダイオード30−1とモニタ用ディテクタ30−2と
を一体的に有する。ライト変調部21は、ライトデータ
をピットポジションモジュレーション(PPM)記録
(マーク記録とも言う)又はパルスウィドスモジュレー
ション(PWM)記録(エッジ記録とも言う)でのデー
タ形式に変換する。
【0027】レーザダイオードユニット30を使用して
データの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可
能な光磁気(MO)カートリッジ媒体として、本実施例
では128MB,230MB,540MB,640MB
のいずれかを使用することができる。128MB及び2
30MBのMOカートリッジ媒体では、光ディスク上の
マークの有無に対応してデータを記録するPPM記録が
採用されている。又、光ディスクの記録フォーマット
は、128MBの光ディスクの場合はコンスタントアン
ギュラベロシティ(CAV)が採用され、230MBの
光ディスクの場合はゾーンコンスタントアンギュラベロ
シティ(ZCAV)でが採用され、ユーザ領域のゾーン
数は128MBの光ディスクで1ゾーン、230MBの
光ディスクで10ゾーンである。
データの記録再生を行う光ディスク、即ち、書き換え可
能な光磁気(MO)カートリッジ媒体として、本実施例
では128MB,230MB,540MB,640MB
のいずれかを使用することができる。128MB及び2
30MBのMOカートリッジ媒体では、光ディスク上の
マークの有無に対応してデータを記録するPPM記録が
採用されている。又、光ディスクの記録フォーマット
は、128MBの光ディスクの場合はコンスタントアン
ギュラベロシティ(CAV)が採用され、230MBの
光ディスクの場合はゾーンコンスタントアンギュラベロ
シティ(ZCAV)でが採用され、ユーザ領域のゾーン
数は128MBの光ディスクで1ゾーン、230MBの
光ディスクで10ゾーンである。
【0028】高密度記録を行う540MB及び640M
BのMOカートリッジ媒体については、マークのエッ
ジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録す
るPWM記録が採用されている。ここで、540MBの
光ディスクと640MBの光ディスクとの記憶容量の差
は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が
2048バイトの場合は640MBの光ディスクとな
り、セクタ容量が512バイトの場合は540MBの光
ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマット
は、ゾーンCAVであり、ユーザ領域のゾーン数は64
0MBの光ディスクで11ゾーン、540MBの光ディ
スクで18ゾーンである。
BのMOカートリッジ媒体については、マークのエッ
ジ、即ち、前縁及び後縁とをデータに対応させて記録す
るPWM記録が採用されている。ここで、540MBの
光ディスクと640MBの光ディスクとの記憶容量の差
は、セクタ容量の違いによるものであり、セクタ容量が
2048バイトの場合は640MBの光ディスクとな
り、セクタ容量が512バイトの場合は540MBの光
ディスクとなる。又、光ディスクの記録フォーマット
は、ゾーンCAVであり、ユーザ領域のゾーン数は64
0MBの光ディスクで11ゾーン、540MBの光ディ
スクで18ゾーンである。
【0029】このように、本実施例では、128MB,
230MB,540MB,640MBの光ディスク、更
に、ダイレクトオーバライト対応の230MB,540
MB,640MBの光ディスクにも対応可能である。従
って、光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先
ず光ディスクの識別(ID)部をリードしてそのピット
間隔からMPU12で光ディスクの種別を認識し、種別
の認識結果をODC14に通知する。
230MB,540MB,640MBの光ディスク、更
に、ダイレクトオーバライト対応の230MB,540
MB,640MBの光ディスクにも対応可能である。従
って、光ディスク装置に光ディスクをロードすると、先
ず光ディスクの識別(ID)部をリードしてそのピット
間隔からMPU12で光ディスクの種別を認識し、種別
の認識結果をODC14に通知する。
【0030】ODC14に対するリード系統としては、
リードLSI24が設けられ、リードLSI24にはリ
ード復調部25と周波数シンセサイザ26とが内蔵され
る。リードLSI24に対しては、エンクロージャ11
に設けたID/MO用ディテクタ32によるレーザダイ
オード30−1からのレーザビームの戻り光の受光信号
が、ヘッドアンプ34を介してID信号及びMO信号と
して入力されている。
リードLSI24が設けられ、リードLSI24にはリ
ード復調部25と周波数シンセサイザ26とが内蔵され
る。リードLSI24に対しては、エンクロージャ11
に設けたID/MO用ディテクタ32によるレーザダイ
オード30−1からのレーザビームの戻り光の受光信号
が、ヘッドアンプ34を介してID信号及びMO信号と
して入力されている。
【0031】リードLSI24のリード復調部25に
は、自動利得制御(AGC)回路、フィルタ、セクタマ
ーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部2
5は入力されたID信号及びMO信号からリードクロッ
ク及びリードデータを生成してPPMデータ又はPWM
データを元のNRZデータに復調する。又、ゾーンCA
Vを採用しているため、MPU12からリードLSI2
4に内蔵された周波数シンセサイザ26に対してゾーン
対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定
制御が行われる。
は、自動利得制御(AGC)回路、フィルタ、セクタマ
ーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部2
5は入力されたID信号及びMO信号からリードクロッ
ク及びリードデータを生成してPPMデータ又はPWM
データを元のNRZデータに復調する。又、ゾーンCA
Vを採用しているため、MPU12からリードLSI2
4に内蔵された周波数シンセサイザ26に対してゾーン
対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定
制御が行われる。
【0032】周波数シンセサイザ26は、プログラマブ
ル分周器を備えたフェーズロックドループ(PLL)回
路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定め
た固有の周波数を有する基準クロックをリードクロック
として発生する。即ち、周波数シンセサイザ26は、プ
ログラマブル分周器を備えたPLL回路で構成され、M
PU12がゾーン番号に応じて設定した分周比m/nに
従った周波数foの基準クロックを、fo=(m/n)
・fiに従って発生する。
ル分周器を備えたフェーズロックドループ(PLL)回
路であり、光ディスク上のゾーン位置に応じて予め定め
た固有の周波数を有する基準クロックをリードクロック
として発生する。即ち、周波数シンセサイザ26は、プ
ログラマブル分周器を備えたPLL回路で構成され、M
PU12がゾーン番号に応じて設定した分周比m/nに
従った周波数foの基準クロックを、fo=(m/n)
・fiに従って発生する。
【0033】ここで、分周比m/nの分母の分周値n
は、128MB,230MB,540MB又は640M
Bの光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分
周比m/nの分子の分周値mは、光ディスクのゾーン位
置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾ
ーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備さ
れている。更に、fiは、周波数シンセサイザ26の外
部で発生した基準クロックの周波数を示す。
は、128MB,230MB,540MB又は640M
Bの光ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分
周比m/nの分子の分周値mは、光ディスクのゾーン位
置に応じて変化する値であり、各光ディスクに対してゾ
ーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備さ
れている。更に、fiは、周波数シンセサイザ26の外
部で発生した基準クロックの周波数を示す。
【0034】リードLSI24で復調されたリードデー
タは、ODC14のリード系統に供給され、1−7RL
Lの逆変換を行った後にECC処理部14−2の符号化
機能によりCRC及びECC処理を施され、NRZセク
タデータに復元される。次に、フォーマッタ14−1で
NRZセクタデータを繋げたNRZリードデータのスト
リームに変換し、バッファメモリ18を経由してインタ
フェース17からホスト装置に転送される。
タは、ODC14のリード系統に供給され、1−7RL
Lの逆変換を行った後にECC処理部14−2の符号化
機能によりCRC及びECC処理を施され、NRZセク
タデータに復元される。次に、フォーマッタ14−1で
NRZセクタデータを繋げたNRZリードデータのスト
リームに変換し、バッファメモリ18を経由してインタ
フェース17からホスト装置に転送される。
【0035】MPU12に対しては、DSP16を経由
してエンクロージャ11側に設けた温度センサ36の検
出信号が供給されている。MPU12は、温度センサ3
6で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、
レーザダイオード制御回路22におけるリード、ライト
及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。MP
U12は、DSP16を経由してドライバ38によりエ
ンクロージャ11側に設けたスピンドルモータ40を制
御する。本実施例では、光ディスクの記録ドーマットが
ゾーンCAVであるため、スピンドルモータ40は例え
ば3000rpmの一定速度で回転される。
してエンクロージャ11側に設けた温度センサ36の検
出信号が供給されている。MPU12は、温度センサ3
6で検出した光ディスク装置内部の環境温度に基づき、
レーザダイオード制御回路22におけるリード、ライト
及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。MP
U12は、DSP16を経由してドライバ38によりエ
ンクロージャ11側に設けたスピンドルモータ40を制
御する。本実施例では、光ディスクの記録ドーマットが
ゾーンCAVであるため、スピンドルモータ40は例え
ば3000rpmの一定速度で回転される。
【0036】又、MPU12は、DSP16を経由して
ドライバ42を介してエンクロージャ11側に設けた電
磁石44を制御する。電磁石44は、光ディスク装置内
にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配
置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁
界を供給する。DSP16は、光ディスクに対してレー
ザダイオード30からのビームの位置決めを行うための
サーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラ
ックするためのシーク制御部及びオントラック制御部と
して機能する。このシーク制御及びオントラック制御
は、MPU12による上位コマンドに対するライトアク
セス又はリードアクセスに並行して同時に実行すること
ができる。
ドライバ42を介してエンクロージャ11側に設けた電
磁石44を制御する。電磁石44は、光ディスク装置内
にロードされた光ディスクのビーム照射側と反対側に配
置されており、記録時及び消去時に光ディスクに外部磁
界を供給する。DSP16は、光ディスクに対してレー
ザダイオード30からのビームの位置決めを行うための
サーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラ
ックするためのシーク制御部及びオントラック制御部と
して機能する。このシーク制御及びオントラック制御
は、MPU12による上位コマンドに対するライトアク
セス又はリードアクセスに並行して同時に実行すること
ができる。
【0037】DSP16のサーボ機能を実現するため、
エンクロージャ11側の光学ユニットに光ディスクから
のビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号(FE
S)用ディテクタ45を設けている。FES検出回路4
6は、FES用ディテクタ45の受光出力からFESE
1を生成してDSP16に入力する。エンクロージャ1
1側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り
光を受光するトラッキングエラー信号(TES)用ディ
テクタ47も設けられている。TES検出回路48は、
TES用ディテクタ47の受光出力からTESE2を生
成してDSP16に入力する。TESE2は、トラック
ゼロクロス(TZC)検出回路50にも入力され、TZ
CパルスE3が生成されてDSP16に入力される。
エンクロージャ11側の光学ユニットに光ディスクから
のビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号(FE
S)用ディテクタ45を設けている。FES検出回路4
6は、FES用ディテクタ45の受光出力からFESE
1を生成してDSP16に入力する。エンクロージャ1
1側の光学ユニットには、光ディスクからのビーム戻り
光を受光するトラッキングエラー信号(TES)用ディ
テクタ47も設けられている。TES検出回路48は、
TES用ディテクタ47の受光出力からTESE2を生
成してDSP16に入力する。TESE2は、トラック
ゼロクロス(TZC)検出回路50にも入力され、TZ
CパルスE3が生成されてDSP16に入力される。
【0038】エンクロージャ11側には、光ディスクに
対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出
するレンズ位置センサ52が設けられており、レンズ位
置センサ52からのレンズ位置検出信号(LPOS)E
4はDSP16に入力される。DSP16は、光ディス
ク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ
58,62,66を介してフォーカスアクチュエータ6
0、レンズアクチュエータ64及びボイスコイルモータ
(VCM)68を制御して駆動する。
対してレーザビームを照射する対物レンズの位置を検出
するレンズ位置センサ52が設けられており、レンズ位
置センサ52からのレンズ位置検出信号(LPOS)E
4はDSP16に入力される。DSP16は、光ディス
ク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ
58,62,66を介してフォーカスアクチュエータ6
0、レンズアクチュエータ64及びボイスコイルモータ
(VCM)68を制御して駆動する。
【0039】図2は、エンクロージャ11の概略構成を
示す断面図である。図2に示すように、ハウジング67
内にはスピンドルモータ40が設けられ、インレットド
ア69側からMOカートリッジ70を挿入することで、
MOカートリッジ70に収納された光ディスク(MOデ
ィスク)72がスピンドルモータ40の回転軸のハブに
装着されて光ディスク72が光ディスク装置にロードさ
れる。光ディスク72は、MSRを利用する場合は例え
ば図17に示す如き層構造を有する。
示す断面図である。図2に示すように、ハウジング67
内にはスピンドルモータ40が設けられ、インレットド
ア69側からMOカートリッジ70を挿入することで、
MOカートリッジ70に収納された光ディスク(MOデ
ィスク)72がスピンドルモータ40の回転軸のハブに
装着されて光ディスク72が光ディスク装置にロードさ
れる。光ディスク72は、MSRを利用する場合は例え
ば図17に示す如き層構造を有する。
【0040】ロードされたMOカートリッジ70内の光
ディスク72の下側には、VCM64により光ディスク
72のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ7
6が設けられている。キャリッジ76上には対物レンズ
80が搭載され、固定光学系78に設けられているレー
ザダイオード(30−1)からのビームを立ち上げミラ
ー82を介して入射して光ディスク72の記録面にビー
ムスポットを結像する。
ディスク72の下側には、VCM64により光ディスク
72のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ7
6が設けられている。キャリッジ76上には対物レンズ
80が搭載され、固定光学系78に設けられているレー
ザダイオード(30−1)からのビームを立ち上げミラ
ー82を介して入射して光ディスク72の記録面にビー
ムスポットを結像する。
【0041】対物レンズ80は、図1に示すエンクロー
ジャ11のフォーカスアクチュエータ60により光軸方
向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ64によ
り光ディスク72のトラックを横切る半径方向に例えば
数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッ
ジ76に搭載されている対物レンズ80の位置が、図1
のレンズ位置センサ54により検出される。レンズ位置
センサ54は、対物レンズ80の光軸が直上に向かう中
立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク7
2のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々
異なる極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号E4を
出力する。
ジャ11のフォーカスアクチュエータ60により光軸方
向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ64によ
り光ディスク72のトラックを横切る半径方向に例えば
数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッ
ジ76に搭載されている対物レンズ80の位置が、図1
のレンズ位置センサ54により検出される。レンズ位置
センサ54は、対物レンズ80の光軸が直上に向かう中
立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光ディスク7
2のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々
異なる極性の移動量に応じたレンズ位置検出信号E4を
出力する。
【0042】図3は、図1に示す光ディスク装置におけ
るMPU12のリードLSI24、ODC14及びDS
P16に対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説
明するブロック図である。MPU12には、ホスト装置
からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの
設定制御部90と、パラメータ設定後の整定待ち処理部
92とが設けられている。設定制御部90は、バッファ
メモリ18に含まれるRAM等に展開されたパラメータ
テーブル94を使用して各種アクセスに必要なパラメー
タの設定制御を行う。
るMPU12のリードLSI24、ODC14及びDS
P16に対するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説
明するブロック図である。MPU12には、ホスト装置
からのリードコマンドに基づいて動作するパラメータの
設定制御部90と、パラメータ設定後の整定待ち処理部
92とが設けられている。設定制御部90は、バッファ
メモリ18に含まれるRAM等に展開されたパラメータ
テーブル94を使用して各種アクセスに必要なパラメー
タの設定制御を行う。
【0043】リードLSI24には、MPU12に設け
た設定制御部90によるパラメータ設定の対象として、
周波数シンセサイザ26と、ID/MO用ディテクタ3
2から得られるMO信号の等化回路95とが設けられて
いる。周波数シンセサイザ26に対しては、本実施例で
は3つの制御レジスタ96,98,100が設けられて
いる。
た設定制御部90によるパラメータ設定の対象として、
周波数シンセサイザ26と、ID/MO用ディテクタ3
2から得られるMO信号の等化回路95とが設けられて
いる。周波数シンセサイザ26に対しては、本実施例で
は3つの制御レジスタ96,98,100が設けられて
いる。
【0044】制御レジスタ96,98,100の夫々に
は、MPU12の設定制御部90により分周比m/n、
電圧制御発振器(VCO)周波数設定及びPLLダンピ
ング抵抗選択の各パラメータが設定される。又、等化回
路95に対しては、制御レジスタ102が設けられてお
り、MPU12の設定制御部90によりイコライザカッ
トオフ周波数が設定される。更に、ODC14に設けら
れているセクタマーク検出回路104に対しては、制御
レジスタ106が設けられており、MPU12の設定制
御部90によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設
定制御される。
は、MPU12の設定制御部90により分周比m/n、
電圧制御発振器(VCO)周波数設定及びPLLダンピ
ング抵抗選択の各パラメータが設定される。又、等化回
路95に対しては、制御レジスタ102が設けられてお
り、MPU12の設定制御部90によりイコライザカッ
トオフ周波数が設定される。更に、ODC14に設けら
れているセクタマーク検出回路104に対しては、制御
レジスタ106が設けられており、MPU12の設定制
御部90によりセクタマーク検出カットオフ周波数が設
定制御される。
【0045】DSP16には、MPU12でホスト装置
からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが
転送される。DSP16は、このシークコマンドに基づ
いてMPU12の処理に並行して同時にビームスポット
を光ディスク72の目標トラックに位置付けるためのシ
ーク制御を行うシーク制御部108を備えている。この
ように、MPU12の設定制御部90は、リードLSI
24に設けられているMO信号の等化回路95のカット
オフ周波数を制御レジスタ102の設定制御で最適化で
きる。又、設定制御部90は、リードLSI24に設け
られている周波数シンセサイザ26の分周比m/n、V
CO周波数設定及びPLLダンピング抵抗選択の各パラ
メータを制御レジスタ96,98,100の設定制御で
最適化できる。更に、設定制御部90は、ODC14に
設けられているセクタマーク検出回路104のカットオ
フ周波数を制御レジスタ106の設定制御で最適化でき
る。
からのリードコマンドを実行する際にシークコマンドが
転送される。DSP16は、このシークコマンドに基づ
いてMPU12の処理に並行して同時にビームスポット
を光ディスク72の目標トラックに位置付けるためのシ
ーク制御を行うシーク制御部108を備えている。この
ように、MPU12の設定制御部90は、リードLSI
24に設けられているMO信号の等化回路95のカット
オフ周波数を制御レジスタ102の設定制御で最適化で
きる。又、設定制御部90は、リードLSI24に設け
られている周波数シンセサイザ26の分周比m/n、V
CO周波数設定及びPLLダンピング抵抗選択の各パラ
メータを制御レジスタ96,98,100の設定制御で
最適化できる。更に、設定制御部90は、ODC14に
設けられているセクタマーク検出回路104のカットオ
フ周波数を制御レジスタ106の設定制御で最適化でき
る。
【0046】コントロールユニット10のファームウェ
アは、ホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ11
に挿入された光ディスク72から読み出されてバッファ
メモリ18に格納されることでインストールされ、この
バッファメモリ18に格納されたファームウェアが実行
される。又、MPU12が実行するプログラムは、同様
にしてホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ11
に挿入された光ディスク72から読み出されてMPU1
2によりバッファメモリ18に格納され、バッファメモ
リ18に格納されたプログラムが実行される。つまり、
本発明になる識別情報記録方法を実現するためのMPU
12のプログラムは、本発明になる記憶媒体に記録され
ていても良く、この場合、本発明になる記憶媒体は光デ
ィスク72に限定されず、磁気ディスク等を含む各種デ
ィスク、各種半導体記憶装置、各種記憶カード等から構
成されていても良い。
アは、ホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ11
に挿入された光ディスク72から読み出されてバッファ
メモリ18に格納されることでインストールされ、この
バッファメモリ18に格納されたファームウェアが実行
される。又、MPU12が実行するプログラムは、同様
にしてホスト装置の制御下で例えばエンクロージャ11
に挿入された光ディスク72から読み出されてMPU1
2によりバッファメモリ18に格納され、バッファメモ
リ18に格納されたプログラムが実行される。つまり、
本発明になる識別情報記録方法を実現するためのMPU
12のプログラムは、本発明になる記憶媒体に記録され
ていても良く、この場合、本発明になる記憶媒体は光デ
ィスク72に限定されず、磁気ディスク等を含む各種デ
ィスク、各種半導体記憶装置、各種記憶カード等から構
成されていても良い。
【0047】尚、ファームウェアをインストールする際
には、周知の方法により、ファームウェアの版数が、バ
ッファメモリ18内の版数メモリに格納される。又、こ
のファームウェアが過去に図1に示す記憶装置及び他の
記憶装置にインストールされた回数が、バッファメモリ
18内の版数カウンタに格納される。図4は、図1に示
す光ディスク装置におけるMPU12のリードLSI2
4及びODC14のリード系の機能を説明するブロック
図である。同図中、図1及び図3と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。
には、周知の方法により、ファームウェアの版数が、バ
ッファメモリ18内の版数メモリに格納される。又、こ
のファームウェアが過去に図1に示す記憶装置及び他の
記憶装置にインストールされた回数が、バッファメモリ
18内の版数カウンタに格納される。図4は、図1に示
す光ディスク装置におけるMPU12のリードLSI2
4及びODC14のリード系の機能を説明するブロック
図である。同図中、図1及び図3と同一部分には同一符
号を付し、その説明は省略する。
【0048】リードLSI24には、光ディスク72か
らの戻り光を受光するID/MO用ディテクタ32から
のMO信号(データ信号)とID信号とが入力される。
ID信号は、エンボスビットの有無をディテクタ32上
のビーム光量の変化として検出した信号であり、ID部
とコントロールトラックのデータはエンボスピットとし
て記録されているのでこれらからはID信号が読み取ら
れる。MO信号は、等化回路94で波形等化を施された
後に自動利得制御(AGC)回路110で増幅される。
他方、ID信号は、AGC回路112で増幅される。
らの戻り光を受光するID/MO用ディテクタ32から
のMO信号(データ信号)とID信号とが入力される。
ID信号は、エンボスビットの有無をディテクタ32上
のビーム光量の変化として検出した信号であり、ID部
とコントロールトラックのデータはエンボスピットとし
て記録されているのでこれらからはID信号が読み取ら
れる。MO信号は、等化回路94で波形等化を施された
後に自動利得制御(AGC)回路110で増幅される。
他方、ID信号は、AGC回路112で増幅される。
【0049】MO信号用の等化回路94について、図3
に示すMPU12の設定制御部90は、光ディスク72
上のゾーン位置に応じて制御レジスタ102にイコライ
ザカットオフ周波数を設定して最適化している。MO信
号用のAGC回路110及びID信号用のAGC回路1
12の出力は、夫々マルチプレクサ(MUX)114に
入力され、MPU12からのID/MO切替信号により
選択され、順次微分回路116に供給されてピークレベ
ルがゼロクロスにより検出される。
に示すMPU12の設定制御部90は、光ディスク72
上のゾーン位置に応じて制御レジスタ102にイコライ
ザカットオフ周波数を設定して最適化している。MO信
号用のAGC回路110及びID信号用のAGC回路1
12の出力は、夫々マルチプレクサ(MUX)114に
入力され、MPU12からのID/MO切替信号により
選択され、順次微分回路116に供給されてピークレベ
ルがゼロクロスにより検出される。
【0050】微分回路116の出力は、データ復調回路
117に供給され、リードクロック及びリードデータが
生成される。周波数シンセサイザ26は、ID信号又は
MO信号が得られないシーク中等において、目標トラッ
クのゾーン比に対応した分周比の設定を受けて、分周回
路119からのクロックに基づいて、目標とする基準ク
ロックの周波数を発生する。分周回路119には、例え
ば図1に示す水晶振動子101からのクロックが供給さ
れ、MPU12又はODC14から得られるデータ/コ
ントロールトラック切替信号に応じた分周比で分周され
て周波数シンセサイザ26に供給される。又、周波数シ
ンセサイザ26は、分周回路119からのクロックに基
づいて、シーク完了でオントラックすると、微分回路1
16からのID信号又はMO信号のピーク検出パルスに
追従した基準クロックを発生する。
117に供給され、リードクロック及びリードデータが
生成される。周波数シンセサイザ26は、ID信号又は
MO信号が得られないシーク中等において、目標トラッ
クのゾーン比に対応した分周比の設定を受けて、分周回
路119からのクロックに基づいて、目標とする基準ク
ロックの周波数を発生する。分周回路119には、例え
ば図1に示す水晶振動子101からのクロックが供給さ
れ、MPU12又はODC14から得られるデータ/コ
ントロールトラック切替信号に応じた分周比で分周され
て周波数シンセサイザ26に供給される。又、周波数シ
ンセサイザ26は、分周回路119からのクロックに基
づいて、シーク完了でオントラックすると、微分回路1
16からのID信号又はMO信号のピーク検出パルスに
追従した基準クロックを発生する。
【0051】データ復調回路117は、シーク完了後の
オントラック状態で得られるID信号及びMO信号を周
波数シンセサイザ26で発生するリードクロックに同期
させたリードデータを生成する。このとき、データ復調
回路117は、リードデータとして得られたPPM変調
データ又はPWM変調データを変調前のリードデータに
戻す復調を行う。
オントラック状態で得られるID信号及びMO信号を周
波数シンセサイザ26で発生するリードクロックに同期
させたリードデータを生成する。このとき、データ復調
回路117は、リードデータとして得られたPPM変調
データ又はPWM変調データを変調前のリードデータに
戻す復調を行う。
【0052】微分回路116の出力は、更に微分回路1
18で微分され、比較回路120において予め定められ
た閾値レベルと比較することで、ID領域に記録されて
いるセクタマークを示すセクタマークパルス信号を出力
する。ODC14のリード系は、RLLデータ復調回路
122、シンクバイト検出回路124、アドレスマーク
検出回路126、ECC回路128、CRCチェック回
路130、ID検出回路132及びセクタマーク検出回
路104で構成される。
18で微分され、比較回路120において予め定められ
た閾値レベルと比較することで、ID領域に記録されて
いるセクタマークを示すセクタマークパルス信号を出力
する。ODC14のリード系は、RLLデータ復調回路
122、シンクバイト検出回路124、アドレスマーク
検出回路126、ECC回路128、CRCチェック回
路130、ID検出回路132及びセクタマーク検出回
路104で構成される。
【0053】リードLSI24で復調されたリードデー
タとリードクロックは、RLLデータ復調回路122、
シンクバイト検出回路124及びアドレスマーク検出回
路126に入力される。最初に得られるセクタ先頭のI
D信号のリードデータについて、シンクバイト検出回路
124でシンクバイト検出が行われ、続いてアドレスマ
ーク検出回路126でアドレスマーク検出が行われ、夫
々がRLLデータ復調回路122に供給されることで、
ID部に続くデータ部(MO部)のリードデータを認識
し、1−7RLL逆変換によりリードデータを復調す
る。
タとリードクロックは、RLLデータ復調回路122、
シンクバイト検出回路124及びアドレスマーク検出回
路126に入力される。最初に得られるセクタ先頭のI
D信号のリードデータについて、シンクバイト検出回路
124でシンクバイト検出が行われ、続いてアドレスマ
ーク検出回路126でアドレスマーク検出が行われ、夫
々がRLLデータ復調回路122に供給されることで、
ID部に続くデータ部(MO部)のリードデータを認識
し、1−7RLL逆変換によりリードデータを復調す
る。
【0054】RLLデータ復調回路122で復調された
リードデータは、続いてECC回路128、CRCチェ
ック回路130及びID検出回路132に供給される。
CRCチェック回路130は、データとECCとからな
るデータストリームのエラー検出を行い、その結果をE
CC回路128に出力する。ECC回路128は、EC
Cコードに基づき、リードデータのエラー検出訂正を行
ってNRZデータとして出力する。
リードデータは、続いてECC回路128、CRCチェ
ック回路130及びID検出回路132に供給される。
CRCチェック回路130は、データとECCとからな
るデータストリームのエラー検出を行い、その結果をE
CC回路128に出力する。ECC回路128は、EC
Cコードに基づき、リードデータのエラー検出訂正を行
ってNRZデータとして出力する。
【0055】又、ID検出回路132は、リードデータ
のID情報を検出してID検出更新通知信号を出力す
る。アドレスマーク検出回路126は、MPU12に対
してアドレスマーク検出信号を出力しており、セクタマ
ーク検出回路104は、MPU12に対してセクタマー
ク検出信号を出力している。このようなODC14側の
リード系に設けられているセクタマーク検出回路104
に対し、図3に示すような制御レジスタ106が設けら
れ、そのカットオフ周波数がMPU12に設けられてい
る設定制御部90によりゾーン位置に応じて設定制御さ
れ、セクタマーク検出回路104のカットオフ周波数特
性の最適化が図られる。
のID情報を検出してID検出更新通知信号を出力す
る。アドレスマーク検出回路126は、MPU12に対
してアドレスマーク検出信号を出力しており、セクタマ
ーク検出回路104は、MPU12に対してセクタマー
ク検出信号を出力している。このようなODC14側の
リード系に設けられているセクタマーク検出回路104
に対し、図3に示すような制御レジスタ106が設けら
れ、そのカットオフ周波数がMPU12に設けられてい
る設定制御部90によりゾーン位置に応じて設定制御さ
れ、セクタマーク検出回路104のカットオフ周波数特
性の最適化が図られる。
【0056】図5は、本実施例におけるクロック周波数
の切り替えを説明するフローチャートである。同図に示
す処理は、MPU12又はODC14、分周回路119
及び周波数シンセサイザ26の動作に対応する。又、図
6は、光ディスク72の一部を拡大して示す斜視図であ
る。図6に示す光ディスク72上のデータトラック(デ
ータ領域)201とコントロールトラック(コントロー
ル領域)202とでは、物理フォーマットが予め決まっ
ているので、本実施例では、どちらのトラック(領域)
をアクセスするかに基づいて、クロック周波数の切り替
えを行う。尚、図6において、205はID部、206
はデータ部を示す。本実施例では、コントロールトラッ
ク202上に記録される情報は、ID部205及びデー
タ部206内においていずれも凹凸(エンボスピット)
形状により記録されている。コントロールトラック20
2上では、ID部205にデータ部206の記録領域を
識別するための情報が記録されており、データ部206
に光ディスク72固有の媒体情報等が記録されている。
他方、データトラック201上に記録される情報は、I
D部205内においては凹凸(エンボスピット)形状に
より記録されているが、データ部206内においては磁
気光学効果を用いて記録される。データトラック201
上では、ID部205にデータ部206の記録領域を識
別するための情報が記録されており、データ部206に
データが記録される。
の切り替えを説明するフローチャートである。同図に示
す処理は、MPU12又はODC14、分周回路119
及び周波数シンセサイザ26の動作に対応する。又、図
6は、光ディスク72の一部を拡大して示す斜視図であ
る。図6に示す光ディスク72上のデータトラック(デ
ータ領域)201とコントロールトラック(コントロー
ル領域)202とでは、物理フォーマットが予め決まっ
ているので、本実施例では、どちらのトラック(領域)
をアクセスするかに基づいて、クロック周波数の切り替
えを行う。尚、図6において、205はID部、206
はデータ部を示す。本実施例では、コントロールトラッ
ク202上に記録される情報は、ID部205及びデー
タ部206内においていずれも凹凸(エンボスピット)
形状により記録されている。コントロールトラック20
2上では、ID部205にデータ部206の記録領域を
識別するための情報が記録されており、データ部206
に光ディスク72固有の媒体情報等が記録されている。
他方、データトラック201上に記録される情報は、I
D部205内においては凹凸(エンボスピット)形状に
より記録されているが、データ部206内においては磁
気光学効果を用いて記録される。データトラック201
上では、ID部205にデータ部206の記録領域を識
別するための情報が記録されており、データ部206に
データが記録される。
【0057】図5において、ステップS1は、リードす
るトラックがコントロールトラック202であるか否か
を判定し、判定結果がYESであると、ステップS2
は、ID部205とデータ部206とでのリードクロッ
ク周波数の切り替えが不要と判断し、リード動作を継続
する。他方、ステップS1の判定結果がNOであると、
ステップS3は、ID部205とデータ部206とでの
リードクロック周波数の切り替えが必要と判断して必要
な切り替え動作を行う。具体的には、ID部205をリ
ードする際のリードクロック周波数を、データ部206
をリードする際のリードクロック周波数の1/N(N>
1)倍に切り替える。
るトラックがコントロールトラック202であるか否か
を判定し、判定結果がYESであると、ステップS2
は、ID部205とデータ部206とでのリードクロッ
ク周波数の切り替えが不要と判断し、リード動作を継続
する。他方、ステップS1の判定結果がNOであると、
ステップS3は、ID部205とデータ部206とでの
リードクロック周波数の切り替えが必要と判断して必要
な切り替え動作を行う。具体的には、ID部205をリ
ードする際のリードクロック周波数を、データ部206
をリードする際のリードクロック周波数の1/N(N>
1)倍に切り替える。
【0058】つまり、MPU12又はODC14は、デ
ータトラック201のリードを行う際に、ID部205
をリードする場合もデータ部206をリードする場合も
同じリードクロック周波数をに設定するためのデータ/
コントロール切替信号を分周回路119に供給する。他
方、コントロールトラック202のリードを行う際に
は、MPU12又はODC14は、ID部205をリー
ドする場合はリードクロック周波数をデータ部206を
リードする際のリードクロック周波数の1/N(N>
1)倍に設定するためのデータ/コントロール切替信号
を分周回路119に供給する。このようにして、本実施
例では、コントロールトラック202のID部205及
びデータ部206と、データトラック201のID部2
05とに記録された情報をリードする際のリードクロッ
ク周波数が、データトラック201のデータ部206を
リードする際のリードクロック周波数の1/N倍に切り
替え設定される。尚、回路構成等を簡略化するには、N
は好ましくは2以上の整数である。
ータトラック201のリードを行う際に、ID部205
をリードする場合もデータ部206をリードする場合も
同じリードクロック周波数をに設定するためのデータ/
コントロール切替信号を分周回路119に供給する。他
方、コントロールトラック202のリードを行う際に
は、MPU12又はODC14は、ID部205をリー
ドする場合はリードクロック周波数をデータ部206を
リードする際のリードクロック周波数の1/N(N>
1)倍に設定するためのデータ/コントロール切替信号
を分周回路119に供給する。このようにして、本実施
例では、コントロールトラック202のID部205及
びデータ部206と、データトラック201のID部2
05とに記録された情報をリードする際のリードクロッ
ク周波数が、データトラック201のデータ部206を
リードする際のリードクロック周波数の1/N倍に切り
替え設定される。尚、回路構成等を簡略化するには、N
は好ましくは2以上の整数である。
【0059】又、光ディスク72上のデータトラック2
01のデータ部206に情報をライトする際には、上記
リード時と同様にして、ライトLSI20内のライトク
ロック周波数を切り替え設定すれば良い。この場合、デ
ータトラック201のライトを行う際には、MPU12
又はODC14は、データ部206をライトする場合に
用いるライトクロック周波数が、ID部205をライト
する際に用いられたライトクロック周波数のN(N>
1)倍に設定するようにライトLSI20を制御する。
この場合も、Nは好ましくは2以上の整数である。
01のデータ部206に情報をライトする際には、上記
リード時と同様にして、ライトLSI20内のライトク
ロック周波数を切り替え設定すれば良い。この場合、デ
ータトラック201のライトを行う際には、MPU12
又はODC14は、データ部206をライトする場合に
用いるライトクロック周波数が、ID部205をライト
する際に用いられたライトクロック周波数のN(N>
1)倍に設定するようにライトLSI20を制御する。
この場合も、Nは好ましくは2以上の整数である。
【0060】尚、図5に示す処理におけるクロック周波
数の切り替えは、例えばコントロールユニット10にお
けるロード処理時にエンクロージャ11にロードされた
光ディスク72がMSRを利用した媒体であると認識さ
れた場合に可能となるようにしても良いことは言うまで
もない。次に、本実施例で用いる光ディスク72のフォ
ーマットの具体例を説明する。尚、比較対象のため、図
7にISO/IEC15041準拠の直径90mmで6
40MBの従来の光ディスクのトラックフォーマット、
図8にこの従来の光ディスクのセクタフォーマットを示
す。ISO/IEC15041準拠の直径90mmで6
40MBの光ディスクでは、コントロールトラック及び
データトラックのいずれにおいても、ID部とデータ部
との最短マーク長が0.64μに設定されており、使用
するレーザビームの波長が680nmで略限界マーク長
となっている。
数の切り替えは、例えばコントロールユニット10にお
けるロード処理時にエンクロージャ11にロードされた
光ディスク72がMSRを利用した媒体であると認識さ
れた場合に可能となるようにしても良いことは言うまで
もない。次に、本実施例で用いる光ディスク72のフォ
ーマットの具体例を説明する。尚、比較対象のため、図
7にISO/IEC15041準拠の直径90mmで6
40MBの従来の光ディスクのトラックフォーマット、
図8にこの従来の光ディスクのセクタフォーマットを示
す。ISO/IEC15041準拠の直径90mmで6
40MBの光ディスクでは、コントロールトラック及び
データトラックのいずれにおいても、ID部とデータ部
との最短マーク長が0.64μに設定されており、使用
するレーザビームの波長が680nmで略限界マーク長
となっている。
【0061】図7中、(a)はコントロールトラックの
フォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォー
マットを示す。又、図8中、(a)は63バイトのID
部(ヘッダ)の構成を示し、(b)は2584バイトの
セクタの構成を示す。図8中、(a)に示すID部は、
セクタマークSM、VFO1フィールド、アドレスマー
クAM、ID1フィールド、VFO2フィールド、アド
レスマークAM、ID2フィールド及びポストアンブル
PAなる部分からなり、夫々の部分のバイト数が各部分
に対応して示されている。他方、図8中、(b)に示す
セクタは、上記ID部に加え、Gap、VFO3、Sy
nc、Data Field、PA及びBufferな
るフィールドからなり、夫々のフィールドのバイト数が
各フィールドに対応して示されている。このISO/I
EC15041準拠の直径90mmで640MBの光デ
ィスクの場合、図8に示すセクタフォーマットが、デー
タトラック及びコントロールトラックの両方に対して共
通に使用されている。
フォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォー
マットを示す。又、図8中、(a)は63バイトのID
部(ヘッダ)の構成を示し、(b)は2584バイトの
セクタの構成を示す。図8中、(a)に示すID部は、
セクタマークSM、VFO1フィールド、アドレスマー
クAM、ID1フィールド、VFO2フィールド、アド
レスマークAM、ID2フィールド及びポストアンブル
PAなる部分からなり、夫々の部分のバイト数が各部分
に対応して示されている。他方、図8中、(b)に示す
セクタは、上記ID部に加え、Gap、VFO3、Sy
nc、Data Field、PA及びBufferな
るフィールドからなり、夫々のフィールドのバイト数が
各フィールドに対応して示されている。このISO/I
EC15041準拠の直径90mmで640MBの光デ
ィスクの場合、図8に示すセクタフォーマットが、デー
タトラック及びコントロールトラックの両方に対して共
通に使用されている。
【0062】フォーマットの具体例1:上記の如きIS
O/IEC15041準拠の直径90mmで640MB
の光ディスクで約2倍の容量である1.3GBを達成す
るためには、最短マーク長を0.32μmに設定する必
要がある。光ディスク72のデータトラック201のデ
ータ部206においては、MSRを利用して0.32μ
mの最短マーク長を達成できるが、データトラック20
1のID部205及びコントロールトラック202のI
D部205及びデータ部206では、最短マーク長を
0.32μmに設定すると再生不可能となってしまうの
で、従来と同じ0.64μmに設定する。このようにし
ても、光ディスク72全体の容量に対してデータトラッ
ク201のID部205及びコントロールトラック20
2が占める割合が小さいので、光ディスク72全体の容
量が大幅に減少することはない。この場合のトラックフ
ォーマットを図9に、セクタフォーマットを図10に示
す。図10中、図8と同一部分には同一符号を付す。
O/IEC15041準拠の直径90mmで640MB
の光ディスクで約2倍の容量である1.3GBを達成す
るためには、最短マーク長を0.32μmに設定する必
要がある。光ディスク72のデータトラック201のデ
ータ部206においては、MSRを利用して0.32μ
mの最短マーク長を達成できるが、データトラック20
1のID部205及びコントロールトラック202のI
D部205及びデータ部206では、最短マーク長を
0.32μmに設定すると再生不可能となってしまうの
で、従来と同じ0.64μmに設定する。このようにし
ても、光ディスク72全体の容量に対してデータトラッ
ク201のID部205及びコントロールトラック20
2が占める割合が小さいので、光ディスク72全体の容
量が大幅に減少することはない。この場合のトラックフ
ォーマットを図9に、セクタフォーマットを図10に示
す。図10中、図8と同一部分には同一符号を付す。
【0063】図9中、(a)はコントロールトラックの
フォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォー
マットを示す。又、図10中、(a)は126バイトの
ID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック2
02における5264バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図10中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図10中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図10中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
フォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォー
マットを示す。又、図10中、(a)は126バイトの
ID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック2
02における5264バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図10中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図10中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図10中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
【0064】この具体例1では、コントロールトラック
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
略2倍(N=2)のバイト数となっている。尚、容量が
ISO/IEC15041準拠の直径90mmで640
MBの光ディスクの約2倍である点を除けば、光ディス
ク72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠
である。
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
略2倍(N=2)のバイト数となっている。尚、容量が
ISO/IEC15041準拠の直径90mmで640
MBの光ディスクの約2倍である点を除けば、光ディス
ク72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠
である。
【0065】この場合、コントロールトラック202
と、データトラック201のID部205とにおけるト
ラック方向の記録密度は例えば0.57μmであり、デ
ータトラック201のデータ部206におけるトラック
方向の記録密度は例えば0.29μmである。 フォーマットの具体例2:上記の如きISO/IEC1
5041準拠の直径90mmで640MBの光ディスク
で約2倍の容量である1.3GBを達成するためには、
最短マーク長を0.32μmに設定する必要がある。光
ディスク72のデータトラック201のデータ部206
においては、MSRを利用して0.32μmの最短マー
ク長を達成できるが、データトラック201のID部2
05及びコントロールトラック202のID部205及
びデータ部206では、最短マーク長を0.32μmに
設定すると再生不可能となってしまうので、従来と同じ
0.64μmに設定する。このようにしても、光ディス
ク72全体の容量に対してデータトラック201のID
部205及びコントロールトラック202が占める割合
が小さいので、光ディスク72全体の容量が大幅に減少
することはない。この場合のトラックフォーマットを図
11に、セクタフォーマットを図12に示す。図12
中、図8と同一部分には同一符号を付す。
と、データトラック201のID部205とにおけるト
ラック方向の記録密度は例えば0.57μmであり、デ
ータトラック201のデータ部206におけるトラック
方向の記録密度は例えば0.29μmである。 フォーマットの具体例2:上記の如きISO/IEC1
5041準拠の直径90mmで640MBの光ディスク
で約2倍の容量である1.3GBを達成するためには、
最短マーク長を0.32μmに設定する必要がある。光
ディスク72のデータトラック201のデータ部206
においては、MSRを利用して0.32μmの最短マー
ク長を達成できるが、データトラック201のID部2
05及びコントロールトラック202のID部205及
びデータ部206では、最短マーク長を0.32μmに
設定すると再生不可能となってしまうので、従来と同じ
0.64μmに設定する。このようにしても、光ディス
ク72全体の容量に対してデータトラック201のID
部205及びコントロールトラック202が占める割合
が小さいので、光ディスク72全体の容量が大幅に減少
することはない。この場合のトラックフォーマットを図
11に、セクタフォーマットを図12に示す。図12
中、図8と同一部分には同一符号を付す。
【0066】図11中、(a)はコントロールトラック
のフォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォ
ーマットを示す。又、図12中、(a)は126バイト
のID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック
202における5388バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図12中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図12中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図12中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
のフォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォ
ーマットを示す。又、図12中、(a)は126バイト
のID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック
202における5388バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図12中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図12中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図12中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
【0067】この具体例2では、コントロールトラック
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
2倍(N=2)のバイト数となっている。尚、容量がI
SO/IEC15041準拠の直径90mmで640M
Bの光ディスクの約2倍である点を除けば、光ディスク
72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠で
ある。
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
2倍(N=2)のバイト数となっている。尚、容量がI
SO/IEC15041準拠の直径90mmで640M
Bの光ディスクの約2倍である点を除けば、光ディスク
72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠で
ある。
【0068】フォーマットの具体例3:上記の如きIS
O/IEC15041準拠の直径90mmで640MB
の光ディスクで約3倍の容量である2.0GBを達成す
るためには、最短マーク長を0.21μmに設定する必
要がある。光ディスク72のデータトラック201のデ
ータ部206においては、MSRを利用して0.21μ
mの最短マーク長を達成できるが、データトラック20
1のID部205及びコントロールトラック202のI
D部205及びデータ部206では、最短マーク長を
0.21μmに設定すると再生不可能となってしまうの
で、従来と同じ0.64μmに設定する。このようにし
ても、光ディスク72全体の容量に対してデータトラッ
ク201のID部205及びコントロールトラック20
2が占める割合が小さいので、光ディスク72全体の容
量が大幅に減少することはない。この場合のトラックフ
ォーマットを図13に、セクタフォーマットを図14に
示す。図14中、図8と同一部分には同一符号を付す。
O/IEC15041準拠の直径90mmで640MB
の光ディスクで約3倍の容量である2.0GBを達成す
るためには、最短マーク長を0.21μmに設定する必
要がある。光ディスク72のデータトラック201のデ
ータ部206においては、MSRを利用して0.21μ
mの最短マーク長を達成できるが、データトラック20
1のID部205及びコントロールトラック202のI
D部205及びデータ部206では、最短マーク長を
0.21μmに設定すると再生不可能となってしまうの
で、従来と同じ0.64μmに設定する。このようにし
ても、光ディスク72全体の容量に対してデータトラッ
ク201のID部205及びコントロールトラック20
2が占める割合が小さいので、光ディスク72全体の容
量が大幅に減少することはない。この場合のトラックフ
ォーマットを図13に、セクタフォーマットを図14に
示す。図14中、図8と同一部分には同一符号を付す。
【0069】図13中、(a)はコントロールトラック
のフォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォ
ーマットを示す。又、図14中、(a)は189バイト
のID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック
202における7893バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図14中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図14中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図14中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
のフォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォ
ーマットを示す。又、図14中、(a)は189バイト
のID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック
202における7893バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図14中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図14中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図14中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
【0070】この具体例3では、コントロールトラック
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
略3倍(N=3)のバイト数となっている。尚、容量が
ISO/IEC15041準拠の直径90mmで640
MBの光ディスクの約3倍である点を除けば、光ディス
ク72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠
である。
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
略3倍(N=3)のバイト数となっている。尚、容量が
ISO/IEC15041準拠の直径90mmで640
MBの光ディスクの約3倍である点を除けば、光ディス
ク72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠
である。
【0071】フォーマットの具体例4:上記の如きIS
O/IEC15041準拠の直径90mmで640MB
の光ディスクで約3倍の容量である2.0GBを達成す
るためには、最短マーク長を0.21μmに設定する必
要がある。光ディスク72のデータトラック201のデ
ータ部206においては、MSRを利用して0.21μ
mの最短マーク長を達成できるが、データトラック20
1のID部205及びコントロールトラック202のI
D部205及びデータ部206では、最短マーク長を
0.21μmに設定すると再生不可能となってしまうの
で、従来と同じ0.64μmに設定する。このようにし
ても、光ディスク72全体の容量に対してデータトラッ
ク201のID部205及びコントロールトラック20
2が占める割合が小さいので、光ディスク72全体の容
量が大幅に減少することはない。この場合のトラックフ
ォーマットを図15に、セクタフォーマットを図16に
示す。図16中、図8と同一部分には同一符号を付す。
O/IEC15041準拠の直径90mmで640MB
の光ディスクで約3倍の容量である2.0GBを達成す
るためには、最短マーク長を0.21μmに設定する必
要がある。光ディスク72のデータトラック201のデ
ータ部206においては、MSRを利用して0.21μ
mの最短マーク長を達成できるが、データトラック20
1のID部205及びコントロールトラック202のI
D部205及びデータ部206では、最短マーク長を
0.21μmに設定すると再生不可能となってしまうの
で、従来と同じ0.64μmに設定する。このようにし
ても、光ディスク72全体の容量に対してデータトラッ
ク201のID部205及びコントロールトラック20
2が占める割合が小さいので、光ディスク72全体の容
量が大幅に減少することはない。この場合のトラックフ
ォーマットを図15に、セクタフォーマットを図16に
示す。図16中、図8と同一部分には同一符号を付す。
【0072】図15中、(a)はコントロールトラック
のフォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォ
ーマットを示す。又、図16中、(a)は189バイト
のID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック
202における8082バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図16中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図16中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図16中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
のフォーマットを示し、(b)はデータトラックのフォ
ーマットを示す。又、図16中、(a)は189バイト
のID部の構成を示し、(b)はコントロールトラック
202における8082バイトのセクタの構成を示し、
(c)はデータトラック201における2694バイト
のセクタの構成を示す。図16中、(a)に示すID部
は、SM、VFO1、AM、ID1、VFO2、AM、
ID2及びPAなる部分からなり、夫々の部分のバイト
数が各部分に対応して示されている。他方、図16中、
(b)に示すセクタは、上記ID部に加え、Gap、V
FO3、Sync、Data Field、PA及びB
ufferなるフィールドからなり、夫々のフィールド
のバイト数が各フィールドに対応して示されている。
又、図16中、(c)に示すセクタも、上記ID部に加
え、Gap、VFO3、Sync、Data Fiel
d、PA及びBufferなるフィールドからなり、夫
々のフィールドのバイト数が各フィールドに対応して示
されている。
【0073】この具体例4では、コントロールトラック
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
3倍(N=3)のバイト数となっている。尚、容量がI
SO/IEC15041準拠の直径90mmで640M
Bの光ディスクの約3倍である点を除けば、光ディスク
72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠で
ある。
202のバイト数が、データトラック201のデータ部
206の記録周波数に基づいてデータトラック201の
3倍(N=3)のバイト数となっている。尚、容量がI
SO/IEC15041準拠の直径90mmで640M
Bの光ディスクの約3倍である点を除けば、光ディスク
72は基本的にはこのISO/IEC15041準拠で
ある。
【0074】尚、上記の具体例ではISO/IEC15
041準拠の直径90mmで640MBの光ディスクを
基に、マーク長を1/2,1/3,...等として記録
密度を向上させているが、例えばトラックピッチを1.
1μmから0.9μmにすると共にマーク長を0.64
μmから0.38μmにすることで1.3GBの光ディ
スクを実現することも可能である。この場合のセクタフ
ォーマットは、図12の場合と同じで良い。
041準拠の直径90mmで640MBの光ディスクを
基に、マーク長を1/2,1/3,...等として記録
密度を向上させているが、例えばトラックピッチを1.
1μmから0.9μmにすると共にマーク長を0.64
μmから0.38μmにすることで1.3GBの光ディ
スクを実現することも可能である。この場合のセクタフ
ォーマットは、図12の場合と同じで良い。
【0075】このように、本発明において、ID部(コ
ントロールトラック)用のリード/ライトクロック周波
数をデータ部(データトラック)用のリード/ライトク
ロック周波数の1/N(例えば、1/2,1/3,1/
4,1/5,...)に切り替えても、ID部(コント
ロールトラック)の凹凸(エンボスピット)形状の読み
取り精度を低下させることなく、光学的記録媒体のデー
タの記憶容量の増大を図ることが可能である。
ントロールトラック)用のリード/ライトクロック周波
数をデータ部(データトラック)用のリード/ライトク
ロック周波数の1/N(例えば、1/2,1/3,1/
4,1/5,...)に切り替えても、ID部(コント
ロールトラック)の凹凸(エンボスピット)形状の読み
取り精度を低下させることなく、光学的記録媒体のデー
タの記憶容量の増大を図ることが可能である。
【0076】上記実施例では、本発明が光磁気ディスク
に適用されているが、本発明は第1の情報が凹凸形状に
より記録される第1の領域と、第2の情報が光学的手段
を用いて記録される第2の領域とを有する記録媒体であ
れば、光磁気ディスクに限らず、例えば相変化型光ディ
スク等の光ディスクやカード状等の各種記録媒体にも同
様にして適用可能である。
に適用されているが、本発明は第1の情報が凹凸形状に
より記録される第1の領域と、第2の情報が光学的手段
を用いて記録される第2の領域とを有する記録媒体であ
れば、光磁気ディスクに限らず、例えば相変化型光ディ
スク等の光ディスクやカード状等の各種記録媒体にも同
様にして適用可能である。
【0077】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言う
までもない。
【0078】
【発明の効果】本発明によれば、コントロール領域のデ
ータ部及び識別部は、いずれもエンボス形状で予め記録
されているので、コントロール領域のデータ部及び識別
部における読み取りクロックの周波数を同一にすること
で、読み取りクロック周波数の制御を簡略化することが
できる。このため、データ領域の記録密度が増加して
も、コントロール領域からコントロール情報を再生する
ことができる。又、コントロール領域の記録密度は、N
>1とすると、前記データ領域の記録密度の1/N倍に
設定されていても良く、この場合は、データ領域のデー
タ部を再生する場合の読み取りクロックの周波数が、デ
ータ領域の識別部やコントロール領域を再生する場合の
読み取りクロックの周波数の1/N倍に設定されるの
で、必要となる読み取りクロックを高精度に求めること
ができる。従って、MSRを利用して磁気光学効果によ
り記録媒体から情報を再生する場合でも、凹凸(エンボ
スピット)形状として記録された情報を正確に再生する
ことが可能となり、信頼性の高い大容量記録媒体を実現
できる。
ータ部及び識別部は、いずれもエンボス形状で予め記録
されているので、コントロール領域のデータ部及び識別
部における読み取りクロックの周波数を同一にすること
で、読み取りクロック周波数の制御を簡略化することが
できる。このため、データ領域の記録密度が増加して
も、コントロール領域からコントロール情報を再生する
ことができる。又、コントロール領域の記録密度は、N
>1とすると、前記データ領域の記録密度の1/N倍に
設定されていても良く、この場合は、データ領域のデー
タ部を再生する場合の読み取りクロックの周波数が、デ
ータ領域の識別部やコントロール領域を再生する場合の
読み取りクロックの周波数の1/N倍に設定されるの
で、必要となる読み取りクロックを高精度に求めること
ができる。従って、MSRを利用して磁気光学効果によ
り記録媒体から情報を再生する場合でも、凹凸(エンボ
スピット)形状として記録された情報を正確に再生する
ことが可能となり、信頼性の高い大容量記録媒体を実現
できる。
【図1】本発明になる記憶装置の一実施例の概略構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図2】エンクロージャの概略構成を示す断面図であ
る。
る。
【図3】MPUのリードLSI、ODC及びDSPに対
するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロ
ック図である。
するパラメータ設定制御と整定待ち機能を説明するブロ
ック図である。
【図4】MPUのリードLSI及びODCのリード系の
機能を説明するブロック図である。
機能を説明するブロック図である。
【図5】クロック周波数の切り替えを説明するフローチ
ャートである。
ャートである。
【図6】光ディスクの一部を拡大して示す斜視図であ
る。
る。
【図7】従来の光ディスクのトラックフォーマットを示
す図である。
す図である。
【図8】従来の光ディスクのセクタフォーマットを示す
図である。
図である。
【図9】具体例1における光ディスクのトラックフォー
マットを示す図である。
マットを示す図である。
【図10】具体例1における光ディスクのセクタフォー
マットを示す図である。
マットを示す図である。
【図11】具体例2における光ディスクのトラックフォ
ーマットを示す図である。
ーマットを示す図である。
【図12】具体例2における光ディスクのセクタフォー
マットを示す図である。
マットを示す図である。
【図13】具体例3における光ディスクのトラックフォ
ーマットを示す図である。
ーマットを示す図である。
【図14】具体例3における光ディスクのセクタフォー
マットを示す図である。
マットを示す図である。
【図15】具体例4における光ディスクのトラックフォ
ーマットを示す図である。
ーマットを示す図である。
【図16】具体例4における光ディスクのセクタフォー
マットを示す図である。
マットを示す図である。
【図17】MSRを利用する方法の原理を説明する図で
ある。
ある。
10 コントロールユニット 11 エンクロージャ 12 MPU 14 ODC 16 DSP 20 ライトLSI 24 リードLSI 26 周波数シンセサイザ 72 光ディスク 117 データ復調回路 119 分周回路 201 データトラック 202 コントロールトラック 205 ID部 206 データ部
Claims (15)
- 【請求項1】 記録媒体固有の媒体情報を含むコントロ
ール情報がエンボス形状で予め記録されるコントロール
領域と、データが光学的手段により記録されるデータ領
域とを有し、前記コントロール領域と前記データ領域と
では記録密度が異なるタイプの光学的記録媒体から前記
コントロール情報及び前記データを再生する記憶装置で
あって、 該コントロール情報及び該データを該光学的記録媒体か
ら再生する際に用いる読み取りクロックの周波数を、該
コントロール情報を再生する場合と、該データを再生す
る場合とで切り替える制御手段を備えた、記憶装置。 - 【請求項2】 前記コントロール領域の記録密度は、N
>1とすると、前記データ領域の記録密度の1/N倍に
設定されている、請求項1記載の記憶装置。 - 【請求項3】 前記制御手段は、N>1とすると、前記
読み取りクロックの周波数を前記コントロール情報を再
生する場合には前記データを再生する場合の1/N倍に
切り替える、請求項1記載の記憶装置。 - 【請求項4】 前記コントロール領域は、前記媒体情報
が記録されるデータ部と、記録領域を識別するための識
別部とを含み、 前記データ領域は、前記データが記録されるデータ部
と、記録領域を識別するための識別部とを含む、請求項
1記載の記憶装置。 - 【請求項5】 前記制御手段は、N>1とすると、前記
読み取りクロックの周波数を前記データ領域の識別部を
再生する場合には前記データ領域のデータ部を再生する
場合の1/N倍に切り替える、請求項4記載の記憶装
置。 - 【請求項6】 前記制御手段は、前記読み取りクロック
の周波数を前記コントロール領域のデータ部を再生する
場合と該コントロール領域の識別部を再生する場合とで
同一になるように制御する、請求項4記載の記憶装置。 - 【請求項7】 前記制御手段は、前記読み取りクロック
の周波数を前記データ領域のデータ部を再生する場合と
該データ領域の識別部を再生する場合とで異なるように
制御する、請求項6記載の記憶装置。 - 【請求項8】 前記Nは2以上の整数である、請求項
2,3又は5記載の記憶装置。 - 【請求項9】 前記光学的記録媒体は、基板と、前記基
板上に設けられ使用する光ビームの径より小さな記録密
度でデータを記録するための記録層と、再生時に前記記
録層に記録されているデータが転送される再生層とを有
する、請求項1〜8のいずれか1項記載の記憶装置。 - 【請求項10】 基準クロックを発生するクロック発生
手段と、 前記基準クロックに基づいて第1及び第2のクロックを
生成するクロック生成手段とを更に備え、 前記制御手段は、前記コントロール情報及び前記データ
を前記光学的記録媒体から再生する際に用いる読み取り
クロックの周波数を、前記コントロール領域から該コン
トロール情報を再生する場合は該第1のクロックの周波
数に制御し、前記データ領域から該データを再生する場
合には該第2のクロックの周波数に制御する、請求項1
〜9のいずれか1項記載の記憶装置。 - 【請求項11】 前記第1のクロックの周波数は、N>
1とすると、前記第2のクロックの周波数の1/N倍に
設定されている、請求項10記載の記憶装置。 - 【請求項12】 コントロール情報がエンボス形状で予
め記録されるコントロール領域と、 データが光学的手段により記録されるデータ領域とを備
え、 前記コントロール領域の記録密度は、N>1とすると、
前記データ領域の記録密度の1/N倍に設定されてい
る、光学的記録媒体。 - 【請求項13】 前記コントロール領域は、記録媒体固
有の媒体情報を記録されるデータ部と記録領域を識別す
るための識別部とを含み、 前記データ領域は、前記データが記録されるデータ部と
記録領域を識別するための識別部とを含み、 該データ領域の識別部の記録密度は、N>1とすると、
該データ領域のデータ部の記録密度の1/N倍に設定さ
れている、請求項12記載の光学的記録媒体。 - 【請求項14】 基板と、 前記基板上に設けられ使用する光ビームの径より小さな
記録密度でデータを記録するための記録層と、 再生時に前記記録層に記録されているデータが転送され
る再生層とを更に備えた、請求項12又は13記載の光
学的記録媒体。 - 【請求項15】 前記Nは2以上の整数である、請求項
12〜14のいずれか1項記載の光学的記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11006008A JPH11283291A (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-13 | 記憶装置、光学的記録媒体及び情報記録方法 |
US09/232,927 US6449231B1 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-19 | Storage unit, optical recording medium and information recording method |
EP99100860A EP0933761A3 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-19 | Storage unit, optical recording medium and information recording method |
CNB991018133A CN1152376C (zh) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | 存储单元和光学记录媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1964698 | 1998-01-30 | ||
JP10-19646 | 1998-01-30 | ||
JP11006008A JPH11283291A (ja) | 1998-01-30 | 1999-01-13 | 記憶装置、光学的記録媒体及び情報記録方法 |
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