JPH11274538A - Substrate for forming high-strength thin semiconductor element, high-strength thin semiconductor element and manufacture thereof - Google Patents

Substrate for forming high-strength thin semiconductor element, high-strength thin semiconductor element and manufacture thereof

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JPH11274538A
JPH11274538A JP10364659A JP36465998A JPH11274538A JP H11274538 A JPH11274538 A JP H11274538A JP 10364659 A JP10364659 A JP 10364659A JP 36465998 A JP36465998 A JP 36465998A JP H11274538 A JPH11274538 A JP H11274538A
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JP
Japan
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substrate
thickness
thin semiconductor
strength
forming
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Application number
JP10364659A
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Japanese (ja)
Inventor
Osamu Yasuzawa
修 安沢
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To avoid the strength reduction of a substrate itself due to thinning of the substrate and the occurrence of defectives due to breaking and chipping, facilitate handling the substrate, and reduce the substrate transport performance required for a treating apparatus used in later process. SOLUTION: The substrate has thick portions at the front surface or front and back surfaces where the initial thickness of the starting substrate is held or a thickness is held enough to give a sufficient substrate strength and thin layer portion formed by removing other portion of the substrate than the thick portions to reduce the thickness less than that of the thick portion but at least 20 μm thick, thus forming a thin layer. The thick portions have shapes existing at the periphery of the substrate, like a lattice, stripe or islands.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高強度薄型半導体
素子形成用基板、高強度薄型半導体素子及び高強度薄型
半導体素子の製造方法に関し、より詳細には、高強度を
保持し、かつ軽量、薄膜化を実現する高強度薄型半導体
素子形成用基板、この基板を用いて形成された高強度薄
型半導体素子及びこの基板を用いた高強度薄型半導体素
子の製造方法に関する。The present invention relates to a substrate for forming a high-strength thin semiconductor device, a high-strength thin semiconductor device, and a method for manufacturing a high-strength thin semiconductor device. More particularly, the present invention relates to a high-strength thin semiconductor device and a method for manufacturing the same. The present invention relates to a substrate for forming a high-strength thin semiconductor element which realizes thinning, a high-strength thin semiconductor element formed using the substrate, and a method for manufacturing a high-strength thin semiconductor element using the substrate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来提案されている宇宙用太陽電池は、
一般に、以下のように製造されている。 （１）薄型化エッチング工程により、初期投入された膜
厚２００〜３００μｍ程度のシリコン基板８０を、膜厚
５０〜２００μｍ程度の最終的な太陽電池の厚みにまで
均一に化学エッチングする（図１４（ａ））。 （２）第１酸化工程により、基板８０両面に酸化膜２を
形成する（図１４（ｂ））。 （３）酸化膜２にフォトエッチング技術により無反射表
面形状パターンの窓３開けを施す（酸化膜窓開け工程：
図１４（ｃ））。2. Description of the Related Art Conventionally, solar cells for space have been
Generally, it is manufactured as follows. (1) The silicon substrate 80 having a thickness of about 200 to 300 μm, which is initially charged, is chemically etched to a final thickness of about 50 to 200 μm by the thinning etching process (FIG. 14 ( a)). (2) In the first oxidation step, oxide films 2 are formed on both surfaces of the substrate 80 (FIG. 14B). (3) Opening the window 3 having a non-reflective surface shape pattern on the oxide film 2 by a photo-etching technique (oxide film window opening step:
FIG. 14 (c)).

【０００３】（４）上記酸化膜窓開け工程により酸化膜
２が除去された部分のみをエッチングし、表面に光の反
射を低減する無反射表面形状４を形成する（テクスチャ
エッチング工程：図１４（ｄ））。なお、前工程で一定
のパターンに酸化膜２を残すことにより、この無反射表
面形状４は逆ピラミッド構造になる（図１７参照）。 （５）第２酸化工程により、再度基板８０両面に酸化膜
５を形成する（図１４（ｅ））。（６）基板８０裏面へ
Ｐ型不純物を拡散させるために、裏面に形成されている
酸化膜５を化学処理により除去する（図１５（ｆ））。(4) Only the portion where the oxide film 2 has been removed in the oxide film window opening step is etched to form a non-reflective surface shape 4 for reducing light reflection on the surface (texture etching step: FIG. d)). By leaving the oxide film 2 in a predetermined pattern in the previous step, the non-reflective surface shape 4 has an inverted pyramid structure (see FIG. 17). (5) The oxide film 5 is formed again on both surfaces of the substrate 80 by the second oxidation step (FIG. 14E). (6) The oxide film 5 formed on the back surface is removed by a chemical treatment in order to diffuse the P-type impurity into the back surface of the substrate 80 (FIG. 15F).

【０００４】（７）ボロンを拡散させることにより、基
板８０裏面にＰ型拡散層６を形成する（図１５
（ｇ））。 （８）ＣＶＤ工程により、裏面保護のため裏面全面に酸
化膜７を形成する（図１５（ｈ））。 （９）基板８０表面（受光面）に回り込んだＣＶＤによ
る酸化膜７を化学処理により除去する（図１５
（ｉ））。 （１０）基板８０表面へリンを拡散することにより、受
光面にのみＮ型拡散層８を形成する（図１５（ｊ））。(7) P-type diffusion layer 6 is formed on the back surface of substrate 80 by diffusing boron.
(G)). (8) An oxide film 7 is formed on the entire back surface for protection of the back surface by a CVD process (FIG. 15H). (9) The chemical oxide removes the oxide film 7 around the surface of the substrate 80 (light receiving surface) by CVD (FIG. 15).
(I)). (10) The N-type diffusion layer 8 is formed only on the light receiving surface by diffusing phosphorus into the surface of the substrate 80 (FIG. 15 (j)).

【０００５】（１１）基板８０を熱酸化して、基板８０
表面のＮ型拡散層８上にパッシベーション膜（酸化膜）
９を形成する（図１６（ｋ））。 （１２）後工程で形成する電極と拡散層６、８との接続
のため、（８）で形成した基板裏面のＣＶＤによる酸化
膜７と、（１１）で形成した基板８０表面のパッシベー
ション膜９との電極接合部分をそれぞれフォトエッチン
グ技術により除去する（図１６（ｌ））。 （１３）基板８０表面にＮ型拡散層８と接続する所定形
状の受光面電極１０を形成する（Ｎ電極蒸着工程：図１
６（ｍ））。 （１４）後工程での処理の簡易化を目的として基板８０
を所定の大きさに切断する（ダイシング・ブレイクＩ工
程）。(11) The substrate 80 is thermally oxidized to
Passivation film (oxide film) on N-type diffusion layer 8 on the surface
9 (FIG. 16 (k)). (12) An oxide film 7 formed by CVD on the back surface of the substrate formed in (8) and a passivation film 9 formed on the surface of the substrate 80 formed in (11) for connection between the electrodes formed in a later step and the diffusion layers 6 and 8. The electrodes are removed by photoetching techniques (FIG. 16 (l)). (13) A light receiving surface electrode 10 having a predetermined shape connected to the N-type diffusion layer 8 is formed on the surface of the substrate 80 (N electrode deposition step: FIG. 1).
6 (m)). (14) For the purpose of simplifying the processing in the post-process, the substrate 80
Is cut into a predetermined size (dicing break I step).

【０００６】（１５）基板８０裏面にＰ型拡散層６と接
続する所定形状の裏面電極１１を形成する（Ｐ電極蒸着
工程：図１６（ｎ））。 （１６）基板８０表面に光の反射を低減させる反射防止
膜１２を形成する（反射防止膜蒸着工程：図１６
（ｏ））。 （１７）Ｎ・Ｐ電極蒸着工程で形成した受光面電極１
０、裏面電極１１と基板８０との密着度を高めるために
熱処理を行う（シンタリング工程）。 （１８）最終的な太陽電池寸法に基板８０を切断する
（ダイシング・ブレイクII工程）。 以上の工程により太陽電池素子を完成する（図１７）。(15) A back electrode 11 having a predetermined shape is formed on the back surface of the substrate 80 to be connected to the P-type diffusion layer 6 (P electrode deposition step: FIG. 16 (n)). (16) An anti-reflection film 12 for reducing light reflection is formed on the surface of the substrate 80. (Anti-reflection film deposition step: FIG. 16)
(O)). (17) Light receiving surface electrode 1 formed in NP electrode deposition process
0, heat treatment is performed to increase the degree of adhesion between the back electrode 11 and the substrate 80 (sintering step). (18) The substrate 80 is cut to the final solar cell dimensions (dicing break II step). Through the above steps, a solar cell element is completed (FIG. 17).

【０００７】一般に、宇宙用太陽電池は宇宙空間で使用
されるので、素子特性自体に高い耐放射線特性が求めら
れる。高耐放射線性を実現する有効な手法の１つとし
て、太陽電池素子の基板厚を薄くすることが挙げられ
る。しかし、このような手法では、素子製造の初期工程
（１）でシリコン基板を最終太陽電池厚に化学エッチン
グする必要があるため、後工程で処理可能な強度を有す
る基板厚以下（約５０μｍ以下）に薄型化できないとい
う問題がある。Generally, a solar cell for space is used in the outer space, so that the element itself needs to have high radiation resistance. One of effective methods for realizing high radiation resistance is to reduce the substrate thickness of the solar cell element. However, in such a method, it is necessary to chemically etch the silicon substrate to the final solar cell thickness in the initial step (1) of device manufacturing, and therefore, the thickness is not more than the substrate thickness capable of being processed in the subsequent step (about 50 μm or less). However, there is a problem that the thickness cannot be reduced.

【０００８】また、初期工程（１）で基板厚を薄くすれ
ばするほど、後処理での熟練や注意力を必要とするため
大変な手間がかかる。さらに、処理装置も一般的な半導
体素子製造プロセスで用いられる装置に比べ、高い基板
搬送安定性が求められ、装置選定も制限されるという問
題があった。Further, as the thickness of the substrate is reduced in the initial step (1), it requires a great deal of time and labor because of the need for skill and attention in post-processing. Further, there is a problem in that a processing apparatus is required to have higher substrate transport stability as compared with an apparatus used in a general semiconductor element manufacturing process, and the selection of the apparatus is limited.

【０００９】そこで、基板厚を薄くしながら、後工程で
処理可能な強度を確保するために、基板の裏面の外周の
みを肉厚に保ち、裏面の他の部分及び表面を薄膜化する
方法が、例えば、特開平４−１９２４７４号公報に提案
されている。Therefore, in order to secure strength that can be processed in a subsequent step while reducing the thickness of the substrate, there is a method in which only the outer periphery of the back surface of the substrate is kept thick and other portions and the front surface of the back surface are thinned. For example, it is proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-192474.

【００１０】（１）まず、厚さが２００〜３００μｍ
の、結晶面方位［１００］のｐ型シリコン基板を初期投
入された基板として用い、太陽電池が完成した状態で受
光面となる基板表面に対する裏面側であって、その周縁
部に被膜（図示せず）を施す。被膜はエッチングされな
い材料、例えばＣＶＤ法によるＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4
等又は耐酸・耐アルカリ性のワックスである。次いで、
薄型化エッチング工程により、シリコン基板９１の厚み
を最終太陽電池の厚みにまで化学エッチングする。この
とき、基板９１裏面の周縁部の被膜を施した部分はエッ
チングされずに残り、他の部分より肉厚の補強部９１ａ
（膜厚１００〜２５０μｍ程度）が形成され、基板９１
裏面の中央部には薄層部９１ｂ（膜厚５０〜２００μｍ
程度）が形成される（図１８（ａ））。(1) First, the thickness is 200 to 300 μm
A p-type silicon substrate having a crystal plane orientation of [100] was used as an initially loaded substrate, and a film was formed on the back surface side of the substrate surface serving as a light receiving surface when the solar cell was completed. Z). The coating is made of a material which is not etched, for example, SiO 2 or Si 3 N 4 by a CVD method.
Etc. or an acid- and alkali-resistant wax. Then
The thickness of the silicon substrate 91 is chemically etched to the thickness of the final solar cell by the thinning etching process. At this time, the portion of the back surface of the substrate 91 where the coating is applied on the peripheral portion remains without being etched, and the reinforcing portion 91a is thicker than the other portions.
(Thickness of about 100 to 250 μm) is formed on the substrate 91.
A thin portion 91b (film thickness of 50 to 200 μm)
(Degree) is formed (FIG. 18A).

【００１１】続いて、上記工程（２）〜（１３）及び
（１５）と同様の工程を行い、基板９１の表面にＮ型拡
散層８、パッシベーション膜９及び受光面電極１０を、
基板９１裏面にＰ型拡散層６酸化膜7及び裏面電極１１
を形成する(図１８（ｂ）)。この際、基板９１の裏面の
周縁部に補強部９１ａが形成されているため、基板９１
の反りを防止することができる。その後、上記工程（１
６）及び（１７）と同様の工程を行う。Subsequently, steps similar to the above steps (2) to (13) and (15) are performed, and an N-type diffusion layer 8, a passivation film 9 and a light receiving surface electrode 10 are formed on the surface of the substrate 91.
P type diffusion layer 6 oxide film 7 and back electrode 11
Is formed (FIG. 18B). At this time, since the reinforcing portion 91a is formed on the periphery of the back surface of the substrate 91,
Warpage can be prevented. Then, the above step (1)
Perform the same steps as in (6) and (17).

【００１２】続いて、（１８）基板９１表面に、接着剤
９３を用いてカバーガラス９２を貼り付ける。（１９）
最終的な太陽電池寸法に、基板９１をカバーガラス９２
ごと切断する（図１８（ｃ））。この際、基板９１裏面
の周縁部の補強部９１ａは切り取られる。なお、基板９
１は、カバーガラス９２により補強されているため反る
ことがない。以上の工程により太陽電池素子を完成す
る。Subsequently, (18) a cover glass 92 is attached to the surface of the substrate 91 using an adhesive 93. (19)
Substrate 91 is covered with cover glass 92 to the final solar cell dimensions.
The whole is cut (FIG. 18C). At this time, the reinforcing portion 91a on the peripheral edge of the back surface of the substrate 91 is cut off. The substrate 9
1 does not warp because it is reinforced by the cover glass 92. Through the above steps, a solar cell element is completed.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のよう
に、まず、基板９１裏面の周縁部において補強部９１ａ
を形成し、最後にこの補強部９１ａを切り取る方法で
は、基板９１裏面に凹凸が存在することから、製造上幾
つかの問題点があった。However, as described above, first, the reinforcing portion 91a is provided at the peripheral portion of the back surface of the substrate 91.
In the method of forming the reinforcing portion 91a and finally cutting off the reinforcing portion 91a, there are some problems in manufacturing since the unevenness is present on the back surface of the substrate 91.

【００１４】通常、太陽電池の裏面電極は、太陽電池の
全面に形成されており、一方、受光面電極は、太陽電池
の入射光量を増すために微細な櫛形形状で、太陽電池の
寸法いっぱいに配置されている。このため、受光面電極
の位置に対して極めて精密に、太陽電池を切断する位置
が設定されているので、アライメントマークは太陽電池
の受光面となる基板表面に設けられている。よって、上
記工程（１９）において補強部９１ａを切り取る際、基
板裏面にダイシングテープを貼付け、ダイシングステー
ジ上に基板を固定して、基板表面のアライメントマーク
を基準に位置合わせを行ない、基板表面側からダイシン
グブレードを切り込ませてダイシングする。Usually, the back electrode of the solar cell is formed on the entire surface of the solar cell, while the light-receiving surface electrode has a fine comb shape in order to increase the amount of incident light of the solar cell, and fills the entire size of the solar cell. Are located. For this reason, since the position at which the solar cell is cut is set extremely precisely with respect to the position of the light receiving surface electrode, the alignment mark is provided on the substrate surface serving as the light receiving surface of the solar cell. Therefore, when the reinforcing portion 91a is cut off in the step (19), a dicing tape is attached to the back surface of the substrate, the substrate is fixed on the dicing stage, and the alignment is performed based on the alignment mark on the substrate surface. Dicing is performed by cutting the dicing blade.

【００１５】この際、基板９１の薄層部９１ｂはダイシ
ングテープから５０〜２００μｍ程度完全に浮いている
ため、この浮いている部分に基板９１表面側からダイシ
ング圧がかかると、基板９１の割れが発生することがあ
る。また、太陽電池素子となる必要な部分がダイシング
ステージ上に固定されていないため、ダイシングによっ
て飛び散るという問題がある。また、上記工程（１９）
のように、カバーガラス９２を貼り付けた後に補強部９
１ａを切り取る方法では、基板９１の反りを防止するの
みならず、太陽電池素子の十分な強度を与えるために、
カバーガラス９２を厚膜にすることが必要になる。しか
し、カバーガラス９２の厚膜化に伴って、その入射光の
吸収が増大し、太陽電池素子の特性の低下を招く。At this time, since the thin layer portion 91b of the substrate 91 is completely floating about 50 to 200 μm from the dicing tape, if a dicing pressure is applied to the floating portion from the surface of the substrate 91, the substrate 91 may be cracked. May occur. In addition, since a necessary part to be a solar cell element is not fixed on the dicing stage, there is a problem that the part is scattered by dicing. In addition, the above step (19)
After attaching the cover glass 92 as shown in FIG.
In the method of cutting 1a, not only the warpage of the substrate 91 is prevented but also a sufficient strength of the solar cell element is given.
It is necessary to make the cover glass 92 thick. However, as the thickness of the cover glass 92 increases, the absorption of the incident light increases, and the characteristics of the solar cell element deteriorate.

【００１６】さらに、上記の方法では、基板９１表面が
平坦であるため、基板９１表面から面全体に圧力を加え
ることを要する工程において、以下の問題がある。例え
ば、上記工程（１９）において、基板裏面へのダイシン
グテープの貼付けは、基板表面を下にしてテープ貼りス
テージ上に載置し、上から（基板裏面から）ダイシング
テープをローラーで伸ばし、基板裏面に押し付けながら
行われる。この際、ステージ上に細かい異物（例えば、
基板の屑・ゴミ等）が存在すると、基板表面と異物とが
接する部分に圧力が集中する。よって、その部分が、基
板９１の薄層部９１ｂであると、基板自体の強度が小さ
く、かつ基板の補強部９１ａからの加圧により、薄層部
９１ｂに大きな応力が加わり、基板割れを生じるという
問題がある。Further, in the above method, since the surface of the substrate 91 is flat, the following problem arises in a step which requires application of pressure from the surface of the substrate 91 to the entire surface. For example, in the step (19), the dicing tape is attached to the back surface of the substrate by placing the substrate surface down on a tape attaching stage, stretching the dicing tape from above (from the back surface of the substrate) with a roller, It is performed while pressing on. At this time, fine foreign matter (for example,
If there is dust or dust on the substrate), the pressure is concentrated on the portion where the surface of the substrate contacts the foreign matter. Therefore, when the portion is the thin layer portion 91b of the substrate 91, the strength of the substrate itself is small, and a large stress is applied to the thin layer portion 91b by the pressurization from the reinforcing portion 91a of the substrate, and the substrate cracks. There is a problem.

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板の
表面又は表裏面に、初期投入された基板厚を保持する
か、十分な基板強度を与える厚さを保持する肉厚部を有
し、該肉厚部以外の部分の基板が選択的に除去されて、
前記肉厚部より薄くかつ２０μｍ以上の厚みを有する薄
層部が形成されてなる高強度薄型半導体素子形成用基板
が提供される。また、基板の裏面に、初期投入された基
板厚を保持する肉厚部を有し、該肉厚部以外の部分の基
板が選択的に除去されて、前記肉厚部より薄くかつ２０
μｍ以上の厚みを有する薄層部が形成されてなる高強度
薄型半導体素子形成用基板が提供される。According to the present invention, a thick portion is provided on the front surface or the front and back surfaces of a substrate to maintain the thickness of the initially loaded substrate or to maintain a thickness that provides sufficient substrate strength. Then, the portion of the substrate other than the thick portion is selectively removed,
There is provided a high-strength thin semiconductor element forming substrate in which a thin layer portion having a thickness smaller than the thick portion and having a thickness of 20 μm or more is formed. Further, on the back surface of the substrate, there is a thick portion for holding the initially supplied substrate thickness, and the substrate other than the thick portion is selectively removed, so that the thickness is smaller than the thick portion and 20%.
Provided is a high-strength thin semiconductor element forming substrate on which a thin layer portion having a thickness of not less than μm is formed.

【００１８】さらに、本発明によれば、上記高強度薄型
半導体素子形成用基板自体に活性層が形成され、前記基
板の表面側に受光面電極、前記基板の裏面側に裏面電極
を備えてなり、前記基板の表面又は表裏面に、前記基板
の周縁に存在する形状、格子形状、ストライプ形状又は
島形状の肉厚部を有し、前記基板の表面における肉厚部
が、薄層部における層厚よりも２０μｍ以上厚く形成さ
れ、かつ前記基板の表面の１〜２０％の占有面積を有す
る高強度薄型半導体素子が提供される。Further, according to the present invention, an active layer is formed on the high-strength thin semiconductor element forming substrate itself, and a light-receiving surface electrode is provided on a front surface of the substrate, and a back electrode is provided on a back surface of the substrate. On the front surface or the front and back surfaces of the substrate, a thick portion on the periphery of the substrate, a lattice shape, a stripe shape, or an island shape is provided, and the thick portion on the front surface of the substrate is a layer in a thin layer portion. There is provided a high-strength thin semiconductor element formed to be 20 μm or more thicker and occupying 1 to 20% of the surface of the substrate.

【００１９】また、本発明によれば、高強度薄型半導体
素子形成用基板の表面、あるいは表面及び裏面の両面
を、マスクを使用して選択的に加工除去することによ
り、初期投入された基板厚を保持するか、十分な基板強
度を与える厚さを保持する肉厚部を残存させるととも
に、前記肉厚部より薄くかつ２０μｍ以上の厚みを有す
る薄層部を形成することからなる高強度薄型半導体素子
の製造方法が提供される。さらに、高強度薄型半導体素
子形成用基板の裏面を、マスクを使用して選択的に加工
除去することにより、初期投入された基板厚を保持する
肉厚部を残存させるとともに、前記肉厚部より薄くかつ
２０μｍ以上の厚みを有する薄層部を形成することから
なる高強度薄型半導体素子の製造方法が提供される。Further, according to the present invention, the surface of the substrate for forming a high-strength thin semiconductor element, or both the front and back surfaces of the substrate are selectively processed and removed by using a mask, so that the thickness of the initially introduced substrate is reduced. Or a thick portion that retains a thickness that provides sufficient substrate strength and forms a thin layer portion that is thinner than the thick portion and has a thickness of 20 μm or more. A method for manufacturing a device is provided. Furthermore, by selectively processing and removing the back surface of the high-strength thin semiconductor element forming substrate using a mask, a thick portion that retains the initially input substrate thickness is left, and the thick portion is removed. A method for manufacturing a high-strength thin semiconductor device, comprising forming a thin layer portion having a thickness of at least 20 μm is provided.

【００２０】[0020]

【発明の実施の形態】本発明における高強度薄型半導体
素子形成用基板（以下、「素子形成用基板」と記す）
は、適当な強度を保持しながら薄膜化、軽量化されたも
のである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A substrate for forming a high-strength thin semiconductor device according to the present invention (hereinafter referred to as "device forming substrate")
Are thinner and lighter while maintaining appropriate strength.

【００２１】素子形成用基板とは、半導体素子の１個又
は複数個が同時に形成されるための基板を意味し、ウェ
ハ等を含む。素子形成用基板は、例えばシリコン、ゲル
マニウム等の半導体、ＳｉＧｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ等の
化合物半導体基板等の公知のものを使用することができ
る。なかでもシリコン基板が好ましい。また、この基板
には、リン等のＮ型又はホウ素等のＰ型のいずれかの不
純物が含有されていてもよい。不純物が含有されている
場合には、通常半導体装置や太陽電池等に使用されてい
る程度の不純物濃度を有していることが好ましい。The substrate for forming an element means a substrate on which one or a plurality of semiconductor elements are simultaneously formed, and includes a wafer and the like. As the element forming substrate, a known substrate such as a semiconductor such as silicon or germanium, or a compound semiconductor substrate such as SiGe, GaP or GaAs can be used. Among them, a silicon substrate is preferable. The substrate may contain either an N-type impurity such as phosphorus or a P-type impurity such as boron. When an impurity is contained, it is preferable that the impurity concentration is such that it is generally used for a semiconductor device, a solar cell, or the like.

【００２２】素子形成用基板は、その表面、裏面又は表
裏面に肉厚部及び薄層部を有する。肉厚部及び薄層部
が、素子形成用基板の表面及び表裏面に形成されている
場合は、肉厚部は初期投入された基板厚を保持するか、
十分な基板強度を与える厚さを保持するために寄与す
る。ここで、初期投入された基板厚とは、例えば、半導
体装置や太陽電池等の素子を形成する際に使用される程
度の基板厚を意味する。このような基板厚は、特に限定
されないが、例えば、２００〜４００μｍ程度のものが
挙げられる。なお、初期投入する前に、適当な基板厚さ
を持たせるように、基板をインゴット等から切り出した
り、平坦化したり、研磨したりする工程を経た基板であ
ってもよい。なお、この基板は表面は平滑であるものが
好ましく、一般に、基板上に形成される絶縁膜や導電膜
等との密着性、受けた光に対する反射性等を考慮して、
±２．０μｍ程度の平滑性を有しているものが好まし
い。また、十分な基板強度を保持するとは、初期投入さ
れた基板の表面及び／又は裏面をエッチング等して薄膜
化されたとしても、後工程で素子を形成する際の処理、
例えば、膜形成、パターニング、イオン注入、熱処理、
搬送、切り出し等の処理に耐えうる基板強度を有するこ
とを意味する。なお、この基板強度は、各処理方法又は
肉厚部の形状、大きさ、パターン等によって適切な値を
決定することができる。一方、肉厚部及び薄層部が素子
形成用基板の裏面に形成されている場合は、肉厚部は初
期投入された基板厚を保持することが好ましい。The element forming substrate has a thick portion and a thin layer portion on the front surface, the back surface, or the front and back surfaces. When the thick part and the thin layer part are formed on the front surface and the front and back surfaces of the element forming substrate, the thick part holds the initially supplied substrate thickness,
It contributes to maintain a thickness that provides sufficient substrate strength. Here, the initially loaded substrate thickness means a substrate thickness that is used when forming elements such as a semiconductor device and a solar cell, for example. The thickness of such a substrate is not particularly limited, and may be, for example, about 200 to 400 μm. Note that the substrate may be a substrate that has been subjected to a step of cutting out, flattening, or polishing the substrate from an ingot or the like so as to have an appropriate substrate thickness before the initial loading. The substrate preferably has a smooth surface, and in general, in consideration of adhesion to an insulating film or a conductive film formed on the substrate, reflectivity to received light, or the like,
Those having a smoothness of about ± 2.0 μm are preferable. In addition, maintaining sufficient substrate strength means that even if the front and / or back surface of the initially loaded substrate is thinned by etching or the like, processing for forming an element in a later step,
For example, film formation, patterning, ion implantation, heat treatment,
It means having a substrate strength that can withstand processing such as transport and cutting. It should be noted that an appropriate value of the substrate strength can be determined according to each processing method or the shape, size, pattern, or the like of the thick portion. On the other hand, when the thick portion and the thin layer portion are formed on the back surface of the element forming substrate, it is preferable that the thick portion retains the initially input substrate thickness.

【００２３】肉厚部及び薄層部の二次元的な形状は、特
に限定されるものではないが、基板全面に均一に配置さ
れていることが好ましい。特に肉厚部及び薄層部が両面
に形成される場合には、上述のような基板厚又は基板強
度を有する限り、表裏同様のパターンを構成してもよい
し、異なるパターンを構成してもよい。なお、基板の強
度、後工程での加工、処理のし易さの観点からは、片面
のみに形成されることが好ましく、特に表面に形成され
ることがより好ましい。肉厚部及び薄層部の形状は、具
体的には、肉厚部及び薄層部が格子状に（図４参照）、
縦、横、斜めの交互のストライプ状に、肉厚部及び薄層
部が渦巻き状に、肉厚部又は薄膜部が島状に、肉厚部が
素子形成用基板の周辺部のみに（図６参照）、肉厚部が
最終的に高強度薄型半導体素子に切り出される形状にお
ける外周部のみに（図５参照）、厚膜部が最終的に完成
した高強度薄型半導体素子において電極が形成される部
分のみ（図７参照）に形成される形状が挙げられる。格
子状に形成される場合には、薄層部の大きさが、最終的
に高強度薄型半導体素子に切り出される基板のサイズよ
りも小さい、すなわち、このサイズの基板内に肉厚部及
び薄層部の両方が配置するように形成されるていること
が好ましい。また、ストライプ状、渦巻き状及び島状に
形成される場合も同様である。例えば、この場合の肉厚
部の幅又は径は１〜２０ｍｍ程度が挙げられる。１ｍｍ
未満の場合には、基板に十分な強度を付与することがで
きず、２０ｍｍより大きい場合には、高い耐放射線特性
等を得るという観点から好ましくない。なお、肉厚部が
基板の周辺部のみに形成される場合には、薄層部の大き
さは、最終的に高強度薄型半導体素子に切り出される基
板のサイズよりも大きい、すなわち、このサイズの基板
内に肉厚部が存在しないように形成されていてもよい。The two-dimensional shapes of the thick portion and the thin layer portion are not particularly limited, but are preferably arranged uniformly over the entire surface of the substrate. In particular, when the thick part and the thin layer part are formed on both surfaces, as long as it has the above-described substrate thickness or substrate strength, the same pattern on the front and back may be formed, or a different pattern may be formed. Good. In addition, from the viewpoint of the strength of the substrate and the ease of processing and processing in the subsequent steps, it is preferable that the substrate is formed on only one surface, and it is more preferable that the substrate is formed on the surface. Specifically, the shape of the thick part and the thin layer part is such that the thick part and the thin layer part are in a lattice shape (see FIG. 4).
Vertical, horizontal, and diagonal alternating stripes, the thick and thin layers are spirals, the thick or thin portions are islands, and the thick portions are only on the periphery of the element forming substrate (see FIG. 6), an electrode is formed only in the outer peripheral portion in the shape in which the thick portion is finally cut into a high-strength thin semiconductor device (see FIG. 5), in the high-strength thin semiconductor device in which the thick film portion is finally completed. A shape formed only in the portion (see FIG. 7). When formed in a lattice shape, the size of the thin layer portion is smaller than the size of the substrate to be finally cut into a high-strength thin semiconductor element, that is, the thick portion and the thin layer Preferably, both parts are formed so as to be arranged. The same applies to the case of being formed in a stripe shape, a spiral shape and an island shape. For example, the width or diameter of the thick portion in this case is about 1 to 20 mm. 1mm
If it is less than 20 mm, sufficient strength cannot be imparted to the substrate, and if it is more than 20 mm, it is not preferable from the viewpoint of obtaining high radiation resistance. When the thick portion is formed only at the peripheral portion of the substrate, the size of the thin layer portion is larger than the size of the substrate finally cut into a high-strength thin semiconductor element, that is, the size of this size. It may be formed so that a thick portion does not exist in the substrate.

【００２４】なお、薄層部の厚みは、肉厚部よりも薄
く、かつ２０μｍ程度以上であることが挙げられ、２０
〜１００μｍ程度が好ましい。薄層部の厚みが２０μｍ
程度よりも小さい場合は、適当な基板強度が得られず、
後加工に支障をきたすとともに、十分に入射光を吸収で
きず、十分な出力が得られないため好ましくない。薄層
部は、初期投入された基板の厚みにより適宜調整するこ
とができるが、具体的には、２０μｍ〜３８０μｍ程度
の深さで、好ましくは２０μｍ〜２００μｍ程度の深さ
で初期投入された基板の一部をエッチング除去して形成
することができる。また、肉厚部の厚みは、上述したよ
うに、後工程で素子を形成する際の処理に耐えうる基板
強度を有する限り特に限定されるものではなく、例え
ば、４０μｍ〜４００μｍ程度、さらに、５０μｍ〜２
００μｍ程度が挙げられる。It is noted that the thickness of the thin layer portion is thinner than the thick portion and is about 20 μm or more.
About 100 μm is preferable. The thickness of the thin layer is 20 μm
If it is smaller than this, an appropriate substrate strength cannot be obtained,
It is not preferable because it interferes with post-processing and cannot sufficiently absorb incident light and cannot obtain sufficient output. The thin layer portion can be appropriately adjusted depending on the thickness of the substrate initially charged, and specifically, the substrate initially charged at a depth of about 20 μm to 380 μm, preferably about 20 μm to 200 μm. Can be formed by etching away a part. Further, as described above, the thickness of the thick portion is not particularly limited as long as it has a substrate strength that can withstand a process when forming an element in a later step, and is, for example, about 40 μm to 400 μm, and furthermore, about 50 μm ~ 2
About 00 μm.

【００２５】本発明の素子形成用基板は、高強度、かつ
薄型であることを必要とする全ての半導体素子を形成す
るために適用することができる。その半導体素子として
は、例えば太陽電池等が挙げられ、なかでも、宇宙用太
陽電池が、高い基板強度を保持しながら、高い耐放射線
特性を得ることができるため好ましい。The element forming substrate of the present invention can be applied to form all the semiconductor elements that require high strength and thinness. Examples of the semiconductor element include a solar cell and the like. Among them, a space solar cell is preferable because high radiation resistance can be obtained while maintaining high substrate strength.

【００２６】本発明の高強度薄型半導体素子は、上記素
子形成用基板自体に活性層を形成して、最終的な高強度
薄型半導体素子を構成する形状に切り出された基板（以
下、単に「基板」と記す）に形成されてなる。この基板
は、素子形成用基板と同様の膜厚、形状等で、最終的な
高強度薄型半導体素子において受光面となる基板の表
面、裏面又は表裏面に、肉厚部及び薄層部が形成されて
なる。なお、この基板において肉厚部が表面に形成され
ている場合には、肉厚部が表面の１〜２０％の占有面積
を占めていることが好ましい。また、この基板における
表面は、受光面積を増加させるために、薄層部にテクス
チャ構造を有していてもよい。この場合、テクスチャ構
造におけるもっとも膜厚の薄い部分の基板厚が、薄層部
の厚みである２０μｍ以上であることが好ましい。The high-strength thin semiconductor device of the present invention is obtained by forming an active layer on the device-forming substrate itself and cutting the substrate into a shape constituting a final high-strength thin semiconductor device (hereinafter simply referred to as a “substrate”). "). This substrate has the same thickness, shape, and the like as the element forming substrate, and has a thick portion and a thin layer portion formed on the front surface, the back surface, or the front and back surfaces of the substrate serving as the light receiving surface in the final high-strength thin semiconductor device. Be done. When a thick portion is formed on the surface of the substrate, the thick portion preferably occupies 1 to 20% of the surface. Further, the surface of the substrate may have a texture structure in a thin layer portion in order to increase a light receiving area. In this case, it is preferable that the substrate thickness of the thinnest portion in the texture structure is not less than 20 μm, which is the thickness of the thin layer portion.

【００２７】高強度薄型半導体素子は、特に、太陽電池
又は宇宙用太陽電池である場合には、基板の表面にＮ型
拡散層、このＮ型拡散層の一部の領域上に受光面電極、
表面上全面に反射防止膜が形成され、基板の裏面にＰ型
拡散層、このＰ型拡散層上に裏面電極が形成されて構成
される。When the high-strength thin semiconductor element is a solar cell or a space solar cell, an N-type diffusion layer is formed on the surface of the substrate, and a light-receiving surface electrode is formed on a part of the N-type diffusion layer.
An anti-reflection film is formed on the entire surface, a P-type diffusion layer is formed on the back surface of the substrate, and a back electrode is formed on the P-type diffusion layer.

【００２８】Ｎ型拡散層及びＰ型拡散層は、それぞれ基
板の表面及び裏面全面に形成されることが好ましく、通
常の太陽電池に形成される不純物濃度で形成することが
できる。例えば、Ｎ型の場合は１．０×１０18〜１．０
×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度、Ｐ型の場合は１．０
×１０18〜１．０×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度の不
純物濃度が挙げられる。なお、Ｎ型拡散層とＰ型拡散層
との間には、低濃度で不純物が存在する（例えば、Ｐ型
の不純物であるリン、砒素等を１．０×１０14〜１．０
×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度）。また、それらの接
合深さは、太陽電池のサイズ、性能等により、適宜調整
することができる。例えば、基板の肉厚部の膜厚が１０
０μｍ程度、薄層部の膜厚が２０μｍ程度の場合には、
Ｎ型拡散層は０．０９〜０．２９μｍ程度、Ｐ型拡散層
は０．５〜０．７μｍ程度の接合深さが挙げられる。な
お、基板の表面における受光面積を増大させるために、
表面がテクスチャ構造を有している場合には、Ｎ型拡散
層はテクスチャ構造を有する表面全面に形成されている
ことが好ましい。さらに、基板の裏面において、Ｐ型拡
散層と後述する裏面電極とが接する領域は、Ｐ型の高濃
度不純物拡散層が形成されたＢＳＦ（Back Surface Fie
ld）構造であることが好ましい。ＢＳＦ構造の場合に
は、裏面近傍で光生成されるキャリアをP型の高濃度不
純物拡散層の電場により有効に収集し、効率を高めるこ
とができ、主に長波長光に対する太陽電池の感度を改善
するために有効である。The N-type diffusion layer and the P-type diffusion layer are preferably formed on the entire front and back surfaces of the substrate, respectively, and can be formed at the impurity concentration that is formed in a normal solar cell. For example, in the case of N type, 1.0 × 10 18 to 1.0
× 10 20 atoms / cm 3 , 1.0 for P-type
An impurity concentration of about × 10 18 to 1.0 × 10 20 atoms / cm 3 is mentioned. Between the N-type diffusion layer and the P-type diffusion layer, a low concentration impurities are present (for example, phosphorus, arsenic and 1.0 × 10 14 to 1.0 which is a P-type impurity
× 10 16 atoms / cm 3 ). Further, their junction depth can be appropriately adjusted depending on the size, performance, and the like of the solar cell. For example, when the thickness of the thick portion of the substrate is 10
When the thickness of the thin layer portion is about 20 μm,
The N-type diffusion layer has a junction depth of about 0.09 to 0.29 μm, and the P-type diffusion layer has a junction depth of about 0.5 to 0.7 μm. In order to increase the light receiving area on the surface of the substrate,
When the surface has a texture structure, the N-type diffusion layer is preferably formed on the entire surface having the texture structure. Further, on the back surface of the substrate, a region where the P-type diffusion layer is in contact with a back electrode to be described later is a BSF (Back Surface Fie) on which the P-type high concentration impurity diffusion layer is formed.
ld) structure is preferred. In the case of the BSF structure, carriers generated by light near the back surface can be effectively collected by the electric field of the P-type high-concentration impurity diffusion layer, and the efficiency can be increased. It is effective to improve.

【００２９】受光面電極及び裏面電極は、通常半導体素
子を構成する場合に使用される導電材、例えば、アルミ
ニウム、銀、銅、ニッケル、鉛、チタン、タンタル、タ
ングステン、コバルト、金等の金属の単層膜又はＴｉ／
Ｐｄ／Ａｇ、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ、Ｔｉ／Ａｇ、Ａ
ｕ／Ｚｎ／Ａｇ等のこれら金属の積層膜を用いて形成す
ることができる。なかでも、裏面電極には、高反射率を
有するＡｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ等の積層膜が好ましい。
これら電極の膜厚は、特に限定されるものではなく、例
えば、１〜１０μｍ程度が挙げられる。また、受光面電
極は、太陽電池の入射光量を増すために、櫛形、格子形
等の形状で、受光面に対して１〜１０％程度の面積で形
成することができる。なお、受光面電極は、基板の肉厚
部の一部又は全部の上にのみ形成されていてもよいし、
肉厚部と薄層部の一部の上に形成されていてもよいし、
薄層部の一部の上のみに形成されていてもよい。裏面電
極は、受光面から入射し、基板に吸収されずに裏面に到
達した入射光を裏面で反射し、基板内に吸収させるよう
に、素子の周囲を除く全面に、裏面に対して約８０％以
上の面積で形成することが好ましい。The light-receiving surface electrode and the back surface electrode are made of a conductive material usually used in forming a semiconductor device, for example, a metal such as aluminum, silver, copper, nickel, lead, titanium, tantalum, tungsten, cobalt, gold, or the like. Single layer film or Ti /
Pd / Ag, Al / Ti / Pd / Ag, Ti / Ag, A
It can be formed using a stacked film of these metals such as u / Zn / Ag. Among them, a laminated film of high reflectivity such as Al / Ti / Pd / Ag is preferable for the back electrode.
The thickness of these electrodes is not particularly limited, and may be, for example, about 1 to 10 μm. Further, the light receiving surface electrode can be formed in a shape such as a comb shape or a lattice shape with an area of about 1 to 10% with respect to the light receiving surface in order to increase the incident light amount of the solar cell. The light-receiving surface electrode may be formed only on part or all of the thick portion of the substrate,
It may be formed on a part of the thick part and the thin layer part,
It may be formed only on a part of the thin layer portion. The back electrode reflects light incident on the back surface without being absorbed by the substrate, is reflected by the back surface, and is absorbed by the back surface. % Is preferably formed.

【００３０】反射防止膜は、受光面に照射された光の反
射を低減させるために使用されるものであり、通常、光
の反射を防止するために使用される材料であれば特に限
定されるものではない。例えば、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5等の単層膜又はＴｉＯ2
／Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2等のこれらの積層膜
を用いて形成することができる。反射防止膜の膜厚は、
特に限定されるものではなく、例えば、５００〜２００
０Å程度が挙げられる。反射防止膜は、受光面に対して
９０〜１００％程度に形成されることが好ましく、受光
面全面に形成されることがより好ましい。The antireflection film is used to reduce the reflection of light applied to the light-receiving surface, and is not particularly limited as long as it is a material usually used to prevent reflection of light. Not something. For example, TiO 2 , Al 2 O 3 ,
Single layer film of SiO 2 , Ta 2 O 5 , Nb 2 O 5 or the like or TiO 2
/ Al 2 O 3 , TiO 2 / SiO 2, and the like, and can be formed using these laminated films. The thickness of the anti-reflection film is
There is no particular limitation, for example, 500 to 200
About 0 °. The antireflection film is preferably formed at about 90 to 100% with respect to the light receiving surface, and more preferably formed over the entire light receiving surface.

【００３１】本発明において、素子形成用基板に肉厚部
及び薄層部を形成する方法としては、その表面、裏面又
は表裏面の肉厚部となる領域上にマスクを形成し、この
マスクを使用して、薄層部となる領域の基板を選択的に
除去する方法が挙げられる。具体的には、まず初期投入
された素子形成用基板の表裏面の両方に絶縁膜を形成
し、次いで、表面及び／又は裏面の薄層部を形成する部
分に形成された絶縁膜をフォトリソグラフィ及びエッチ
ング工程によりエッチング除去し、さらに、この所望の
パターンに形成された絶縁膜をマスクとして基板を化学
的エッチング法によりエッチングする方法が挙げられ
る。なお、絶縁膜を使用するかわりに、エッチングマス
クとなり得る材料、例えば、耐化学エッチングテープ等
を適宜又は予め所望の形状にパターニングして使用して
もよい。In the present invention, as a method of forming a thick portion and a thin layer portion on a device forming substrate, a mask is formed on a region to be a thick portion on the front surface, the back surface, or the front and back surfaces, and this mask is formed. A method of selectively removing a substrate in a region to be a thin layer portion. Specifically, first, an insulating film is formed on both the front and back surfaces of the initially formed element forming substrate, and then the insulating film formed on the front and / or back surface where a thin layer portion is formed is subjected to photolithography. And etching is performed by an etching process, and further, the substrate is etched by a chemical etching method using the insulating film formed in the desired pattern as a mask. Instead of using an insulating film, a material that can serve as an etching mask, for example, a chemical-resistant etching tape or the like may be used as appropriate or previously patterned into a desired shape.

【００３２】また、基板に肉厚部及び薄層部を形成する
別の方法として、素子形成用基板に対して半導体素子を
形成する工程の一工程、例えば、後述する工程のうちの
一工程を利用することもできる。As another method of forming a thick portion and a thin layer portion on a substrate, one step of forming a semiconductor element on an element forming substrate, for example, one of the steps described later is performed. Can also be used.

【００３３】本発明の高強度薄型半導体素子の製造方法
においては、さらに、得られた高強度薄型半導体素子形
成用基板の表面、つまり最終的に高強度薄型半導体素子
の受光面となる面に太陽電池の活性層として機能するｐ
ｎ接合を形成する。この際のＮ型拡散層は、公知の方
法、例えば、イオン注入、熱拡散法等により形成するこ
とができる。なお、ｐｎ接合形成の前後に、得られた高
強度薄型半導体素子形成用基板の裏面、つまり最終的に
高強度薄型半導体素子の裏面となる面に、Ｐ型拡散層を
形成することがこのましい。Ｐ型拡散層は、公知の方
法、例えば、イオン注入、熱拡散法等により形成するこ
とができる。In the method of manufacturing a high-strength thin semiconductor element according to the present invention, the surface of the obtained substrate for forming a high-strength thin semiconductor element, that is, the surface which finally becomes the light receiving surface of the high-strength thin semiconductor element, is P acting as the active layer of the battery
An n-junction is formed. At this time, the N-type diffusion layer can be formed by a known method, for example, ion implantation, thermal diffusion, or the like. Before and after the formation of the pn junction, it is more preferable to form a P-type diffusion layer on the back surface of the obtained substrate for forming a high-strength thin semiconductor device, that is, on the surface that will eventually become the back surface of the high-strength thin semiconductor device. No. The P-type diffusion layer can be formed by a known method, for example, ion implantation, thermal diffusion, or the like.

【００３４】次いで、基板表面に受光面電極、裏面に裏
面電極を形成する。これらの電極は、公知の方法、例え
ば、真空蒸着法、ＢＥ蒸着法、スパッタリング法等によ
り形成することができる。なお、受光面電極及び裏面電
極は、いずれを先に形成してもよい。また、Ｎ型拡散層
を形成した後、受光面電極を形成し、さらにＰ型拡散層
を形成してもよいし、Ｐ型拡散層を形成した後、裏面電
極を形成し、さらにＮ型拡散層を形成してもよい。Next, a light receiving surface electrode is formed on the surface of the substrate, and a back surface electrode is formed on the back surface. These electrodes can be formed by a known method, for example, a vacuum evaporation method, a BE evaporation method, a sputtering method, or the like. Either the light receiving surface electrode or the back surface electrode may be formed first. Further, after forming the N-type diffusion layer, the light-receiving surface electrode may be formed, and then the P-type diffusion layer may be formed. Alternatively, after forming the P-type diffusion layer, the back surface electrode may be formed, and then the N-type diffusion layer may be formed. A layer may be formed.

【００３５】続いて、拡散層、電極等が形成された高強
度薄型半導体素子形成用基板から、個々の宇宙用太陽電
池素子を切り出す。素子の切り出しは、公知ダイシング
方法により行うことができる。なお、素子の切り出し
は、高強度薄型半導体素子を構成する基板に肉厚部が格
子状、ストライプ状、島状等に存在するように高強度薄
型半導体素子を切り出すか、基板内に薄層部、外周部に
肉厚部が存在するように高強度薄型半導体素子を切り出
すことが好ましい。また、特に受光面に肉厚部及び薄層
部が存在する場合には、高強度薄型半導体素子が薄層部
にのみ配置するように高強度薄型半導体素子を切り出し
てもよい。Subsequently, individual solar cell elements for space are cut out from the high-strength thin semiconductor element forming substrate on which the diffusion layers, electrodes and the like are formed. The element can be cut out by a known dicing method. Note that the element is cut out such that the high-strength thin semiconductor element is cut out such that the thick portion of the high-strength thin semiconductor element is present in a lattice shape, a stripe shape, an island shape, or the like, or a thin layer portion is formed in the substrate. It is preferable to cut out a high-strength thin semiconductor element so that a thick part exists in the outer peripheral part. In particular, when the light-receiving surface has a thick portion and a thin layer portion, the high-strength thin semiconductor device may be cut out so that the high-strength thin semiconductor device is arranged only in the thin layer portion.

【００３６】上記した高強度薄型半導体素子は、より具
体的には、以下の一連の工程により形成することができ
る。 （１）素子形成用基板両面に酸化膜を形成する第１酸化
工程、（２）素子形成用基板の一面に無反射表面形状を
形成する際のマスクとして使用する前記酸化膜の窓開け
工程、（３）無反射表面形状を形成するテクスチャエッ
チング工程、（４）素子形成用基板両面に再度酸化膜を
形成する第２酸化工程、（５）素子形成用基板裏面の酸
化膜を除去し、第１導電型不純物拡散層を形成する工
程、（６）素子形成用基板裏面に再度酸化膜を形成する
酸化工程、（７）素子形成用基板表面の酸化膜を除去
し、第２導電型不純物拡散層を形成する工程、（８）素
子形成用基板表面にパッシベーション膜を形成する工
程、（９）素子形成用基板表裏面の酸化膜及びパッシベ
ーション膜を所望の形状で除去して不純物拡散層と接続
する電極を、素子形成用基板の表裏面にそれぞれ形成す
る工程、（１０）素子形成用基板表面に反射防止膜を形
成する工程、（１１）最終的なサイズに素子形成用基板
を切断する工程からなる。The above-described high-strength thin semiconductor element can be formed more specifically by the following series of steps. (1) a first oxidation step of forming an oxide film on both sides of the element formation substrate; (2) a window opening step of the oxide film used as a mask when forming a non-reflective surface shape on one surface of the element formation substrate; (3) a texture etching step for forming a non-reflective surface shape, (4) a second oxidation step for forming an oxide film again on both surfaces of the element formation substrate, and (5) an oxide film on the back surface of the element formation substrate. (1) a step of forming an impurity diffusion layer of one conductivity type; (6) an oxidation step of forming an oxide film again on the back surface of the substrate for element formation; (7) removal of the oxide film on the surface of the substrate for element formation; Forming a layer, (8) forming a passivation film on the surface of the element forming substrate, and (9) removing the oxide film and the passivation film on the front and back surfaces of the element forming substrate in a desired shape and connecting to the impurity diffusion layer. Electrodes for element formation Forming respective front and rear surfaces of the plate, comprising the step of cutting process, the (11) for element formation substrate on the final size of forming an antireflective coating (10) for element formation surface of the substrate.

【００３７】なお、上記工程は、適宜その順序を変更す
ることができる。また、上記工程の任意の段階で、不純
物拡散、電極の密着性を上げる等のために熱処理を行っ
てもよい。さらに、最終的な基板サイズに切断する前の
上記工程の任意の段階で、加工しやすい形状、サイズに
基板を切断してもよい。よって、例えば、（３）のテク
スチャエッチング工程において、マスクとして用いる酸
化膜を所定の部分（例えば、後工程で電極が形成される
部分、後工程で素子となる基板サイズの外周部のみ、こ
れらの組み合わせ部分等）のみ残し、その他の部分の酸
化膜を除去してエッチングすることにより薄膜化し、さ
らに、通常の工程で無反射表面形状に加工し、全体的又
は部分的に基板の膜厚を小さくするようにエッチングし
てもよい。The order of the above steps can be appropriately changed. Further, a heat treatment may be performed at an arbitrary stage of the above process in order to diffuse impurities, increase the adhesion of the electrodes, and the like. Furthermore, the substrate may be cut into a shape and size that can be easily processed at any stage of the above process before cutting into the final substrate size. Therefore, for example, in the texture etching step (3), an oxide film used as a mask is formed in a predetermined portion (for example, a portion where an electrode is formed in a later step, only an outer peripheral portion of a substrate size to be an element in a later step). Combination part, etc.), remove the oxide film in the other part, etch it, make it thinner, and process it into a non-reflective surface shape in the usual process, and reduce the thickness of the substrate in whole or in part. May be etched.

【００３８】以下に、本発明の高強度薄型半導体素子形
成用基板、高強度薄型半導体素子及び高強度薄型半導体
素子の製造方法を図面に基づいて説明する。Hereinafter, a substrate for forming a high-strength thin semiconductor element, a high-strength thin semiconductor element, and a method of manufacturing the high-strength thin semiconductor element of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００３９】実施例１ 薄型化エッチング工程により、初期投入された厚み１０
０μｍ程度のシリコン基板１の両面に酸化膜（図示せ
ず）を形成し、次いで、フォトリソグラフィ及びエッチ
ング工程によりシリコン基板１の裏面の薄膜化をしよう
とする部分の酸化膜を選択的に除去する。その後、この
酸化膜をマスクとして、例えばＲＩＥ法によりエッチン
グすることにより、基板１の裏面を部分的にエッチング
除去して、基板厚を薄膜化する（図１（ａ））。この際
のエッチング深さは５０μｍ程度とし、最も薄い部分の
厚みを３５μｍ程度とする。Example 1 The thickness 10 initially supplied by the thinning etching process was
Oxide films (not shown) are formed on both surfaces of the silicon substrate 1 of about 0 μm, and then the portions of the oxide film on the back surface of the silicon substrate 1 to be thinned are selectively removed by a photolithography and etching process. . Thereafter, the back surface of the substrate 1 is partially removed by etching using the oxide film as a mask, for example, by RIE, thereby reducing the thickness of the substrate (FIG. 1A). The etching depth at this time is about 50 μm, and the thickness of the thinnest portion is about 35 μm.

【００４０】続いて、第１酸化工程として、熱酸化によ
り、シリコン基板１両面に膜厚３０００Å程度の酸化膜
２を形成する（図１（ｂ））。次いで、酸化膜２にフォ
トエッチング技術により無反射表面形状パターンの窓３
を開ける（酸化膜窓開け工程：図１（ｃ））。Subsequently, as a first oxidation step, an oxide film 2 having a thickness of about 3000 ° is formed on both surfaces of the silicon substrate 1 by thermal oxidation (FIG. 1B). Next, a window 3 having a non-reflective surface shape pattern is formed on the oxide film 2 by a photo-etching technique.
(Step of opening oxide film window: FIG. 1 (c)).

【００４１】上記酸化膜窓開け工程により酸化膜２が除
去された部分のみをエッチングし、表面に光の反射を低
減する無反射表面形状４を形成する（テクスチャエッチ
ング工程：図１（ｄ））。なお、この際のエッチング
は、Ｓｉ単結晶の（１１１）結晶方向が他の（１００),
（０１０),（００１）結晶方向に比べアルカリ（ＫＯ
Ｈ，ＮａＯＨ）にエッチングされ易いという性質を利用
して、初期投入前に、エッチングされ易い方向を考慮し
てシリコン基板を作製することを前提とし、このシリコ
ン基板を用いて、テクスチャエッチングをする。テクス
チャエッチング工程でマスキング用にシリコン酸化膜を
パターニングする際に、そのパターンを一定の間隔の格
子状パターンとする（格子の窓開け部分：２０μｍ×２
０μｍ，格子部分：線幅２μｍ）。これにより一定の正
方形（２０μｍ×２０μｍ）が並んだ格子状パターンが
パターニングされる。このパターニングされたシリコン
基板をアルカリを用いてエッチングすることにより、正
方形（２０μｍ×２０μｍ）部分をピラミッド（四角
錘）の底面とする、逆ピラミッド構造が形成される。正
方形が規則正しく並んでいることから、逆ピラミッド構
造が規則正しく並んだ無反射表面形状が形成される。な
お、前工程で一定のパターンに酸化膜を残すことによ
り、この無反射表面形状は逆ピラミッド構造になる。Only the portion where the oxide film 2 has been removed in the oxide film window opening step is etched to form a non-reflective surface shape 4 for reducing light reflection on the surface (texture etching step: FIG. 1 (d)). . At this time, the (111) crystal direction of the Si single crystal is changed to another (100),
Alkali (KO) compared to the (010) and (001) crystal directions
(H, NaOH), it is premised that a silicon substrate is manufactured in consideration of a direction that is easy to be etched before the initial introduction, and the silicon substrate is used for texture etching. When patterning the silicon oxide film for masking in the texture etching step, the pattern is formed as a grid pattern with a fixed interval (a window portion of the grid: 20 μm × 2)
0 μm, lattice portion: line width 2 μm). As a result, a grid-like pattern in which certain squares (20 μm × 20 μm) are arranged is patterned. By etching the patterned silicon substrate using an alkali, an inverted pyramid structure having a square (20 μm × 20 μm) portion as a bottom surface of a pyramid (quadrangular pyramid) is formed. Since the squares are regularly arranged, an anti-reflection surface shape in which the inverted pyramid structure is regularly arranged is formed. By leaving the oxide film in a certain pattern in the previous step, the non-reflective surface shape becomes an inverted pyramid structure.

【００４２】次に、第２酸化工程として、熱酸化によ
り、再度基板１両面に膜厚３０００Å程度の酸化膜５を
形成する（図１（ｅ））。基板１裏面へのＰ型不純物の
拡散を目的として、裏面に形成されている酸化膜５を化
学処理、例えばＨＦによりＳｉＯ2 を溶解させて除去す
る（図２（ｆ））。Next, as a second oxidation step, an oxide film 5 having a thickness of about 3000 ° is formed again on both surfaces of the substrate 1 by thermal oxidation (FIG. 1E). For the purpose of diffusing P-type impurities into the back surface of the substrate 1, the oxide film 5 formed on the back surface is removed by chemical treatment, for example, by dissolving SiO 2 by HF (FIG. 2 (f)).

【００４３】続いて、基板を拡散炉（拡散温度：１００
０℃程度、キャリアガス：ＢＢｒ3で処理し、基板１裏
面に拡散雰囲気中にあるボロンを熱拡散することによ
り、Ｐ型拡散層６を形成する（図２（ｇ））。その後、
ＣＶＤ法により、裏面保護のため裏面全面に膜厚４００
０Å程度の酸化膜７を形成する（図２（ｈ））。Subsequently, the substrate was placed in a diffusion furnace (diffusion temperature: 100).
The P-type diffusion layer 6 is formed by performing treatment with a carrier gas: BBr 3 at about 0 ° C. and thermally diffusing boron in a diffusion atmosphere on the back surface of the substrate 1 (FIG. 2G). afterwards,
By the CVD method, a film thickness of 400 is applied on the entire back surface to protect the back surface.
An oxide film 7 of about 0 ° is formed (FIG. 2H).

【００４４】基板１表面（受光面）に回り込んだＣＶＤ
による酸化膜７を化学処理、例えばＨＦによりＳｉＯ2
を溶解させて除去する（図２（ｉ））。次いで、基板を
拡散炉（拡散温度：８００℃程度、キャリアガスＰＯＣ
ｌ3）で処理し、基板１表面へ拡散雰囲気中にあるリン
を拡散することにより、受光面にのみＮ型拡散層８を形
成する（図２（ｊ））。CVD wrapped around the surface (light receiving surface) of the substrate 1
Oxide film 7 by chemical treatment, for example, HF by SiO 2
Is dissolved and removed (FIG. 2 (i)). Next, the substrate is placed in a diffusion furnace (diffusion temperature: about 800 ° C., carrier gas POC).
l 3 ) to diffuse phosphorus in the diffusion atmosphere into the surface of the substrate 1 to form the N-type diffusion layer 8 only on the light receiving surface (FIG. 2 (j)).

【００４５】続いて、基板１を熱酸化して、基板表面の
Ｎ型拡散層８上に膜厚２００Å程度のパッシベーション
膜（酸化膜）９を形成する（図３（ｋ））。後工程で形
成する電極と拡散層６、８との接続のため、基板１裏面
の酸化膜７と、基板１表面のパッシベーション膜９との
電極接合部分をそれぞれフォトエッチング技術により除
去する（図３（ｌ））。Subsequently, the substrate 1 is thermally oxidized to form a passivation film (oxide film) 9 having a thickness of about 200 ° on the N-type diffusion layer 8 on the substrate surface (FIG. 3 (k)). In order to connect the diffusion layers 6 and 8 to an electrode formed in a later step, an electrode junction between the oxide film 7 on the back surface of the substrate 1 and the passivation film 9 on the surface of the substrate 1 is removed by a photoetching technique (FIG. 3). (L)).

【００４６】基板１表面にＮ型拡散層８と接続する所定
形状の受光面電極１０を形成する（Ｎ電極蒸着工程：図
３（ｍ））。ここで電極材料として、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ
（膜厚５００Å／４００Å／６．５μｍ）の３層メタル
を使用した。後工程での処理の簡易化を目的として基板
１を所定の大きさに切断する（ダイシング・ブレイクＩ
工程）。A light-receiving surface electrode 10 having a predetermined shape connected to the N-type diffusion layer 8 is formed on the surface of the substrate 1 (N-electrode deposition step: FIG. 3 (m)). Here, Ti / Pd / Ag was used as an electrode material.
(Thickness: 500/400 / 6.5 μm) was used. The substrate 1 is cut into a predetermined size for the purpose of simplifying the processing in a later step (Dicing Break I
Process).

【００４７】基板１裏面にＰ型拡散層６と接続する所定
形状の裏面電極１１を形成する（Ｐ電極蒸着工程：図３
（ｎ））。ここで電極材料としてＡｌ／Ｔｉ／Ｐｄ／Ａ
ｇ（膜厚１５００Å／５００Å／４００Å／５．０μ
ｍ）の４層のメタルを使用した。基板１表面に光の反射
を低減させるＴｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 （膜厚８００Å／１
１００Å）の２層の酸化物を用いて、反射防止膜１２を
形成する（反射防止膜蒸着工程：図３（ｏ））。A back electrode 11 having a predetermined shape connected to the P-type diffusion layer 6 is formed on the back surface of the substrate 1 (P electrode deposition step: FIG. 3).
(N)). Here, Al / Ti / Pd / A is used as an electrode material.
g (film thickness 1500/500/400 / 5.0μ)
m) Four layers of metal were used. TiO 2 / Al 2 O 3 (film thickness 800Å / 1) for reducing light reflection on the surface of the substrate 1
An antireflection film 12 is formed using two layers of oxide (100 °) (an antireflection film deposition step: FIG. 3 (o)).

【００４８】続いて、Ｎ・Ｐ電極蒸着工程で形成した受
光面電極１０、裏面電極１１と基板１との密着度を高め
るためにＮ2 雰囲気下、４１５℃程度の温度で、３０分
間程度熱処理を行う（シンタリング工程）。最終的な太
陽電池寸法（４０ｍｍ×７０ｍｍ）に基板１を切断する
（ダイシング・ブレイクII工程）。Subsequently, in order to increase the degree of adhesion between the light receiving surface electrode 10 and the back surface electrode 11 formed in the NP electrode deposition process and the substrate 1, a heat treatment is performed at a temperature of about 415 ° C. for about 30 minutes in an N 2 atmosphere. (Sintering step). The substrate 1 is cut into final solar cell dimensions (40 mm × 70 mm) (dicing / break II step).

【００４９】実施例２ 実施例１では、基板の裏面のみを部分的にエッチング
し、薄膜化を施したが、この実施例では、基板の裏面の
一部、さらに基板の表面全体を均一にエッチングするこ
とにより、一層の薄膜化を施す。なお、それ以降の工程
は、すべて実施例１と同様に行う。Embodiment 2 In the embodiment 1, only the back surface of the substrate is partially etched to reduce the thickness. In this embodiment, a part of the back surface of the substrate and the entire surface of the substrate are uniformly etched. By doing so, further thinning is performed. Note that the subsequent steps are all performed in the same manner as in the first embodiment.

【００５０】実施例３ 実施例１では、基板の薄膜化の際に、化学エッチングの
保護膜として酸化膜を使用したが、この実施例では、初
期投入された基板に、あらかじめパターンを形成させた
耐化学エッチング用テープを貼り、従来技術の薄型化化
学エッチング工程を処理し、耐化学エッチングテープを
剥がすことにより、薄膜化を施す。なお、それ以降の工
程は、すべて実施例１と同様に行う。Example 3 In Example 1, an oxide film was used as a protective film for chemical etching when the substrate was thinned. In this example, a pattern was previously formed on the initially charged substrate. A thin film is formed by applying a chemical etching resistant tape, processing the conventional thin chemical etching step, and peeling off the chemical etching resistant tape. Note that the subsequent steps are all performed in the same manner as in the first embodiment.

【００５１】実施例４ この実施例では、基板２０の裏面を部分的にエッチング
する際、図４に示したように、凹部パターン２１を幅５
ｍｍ程度の格子状とする。それ以外の工程は、すべて実
施例１と同様に行う。なお、この実施例において最終的
に得られる太陽電池の寸法は、４０ｍｍ×７０ｍｍのサ
イズであるため（図４中、破線Ａ）、最終的に得られる
太陽電池の基板には、凹部パターン２１及び厚膜部分２
２の両方が残る。Embodiment 4 In this embodiment, when the back surface of the substrate 20 is partially etched, as shown in FIG.
mm. All other steps are performed in the same manner as in the first embodiment. In addition, since the size of the solar cell finally obtained in this example is a size of 40 mm × 70 mm (broken line A in FIG. 4), the substrate of the finally obtained solar cell has the concave pattern 21 and Thick film part 2
Both 2 remain.

【００５２】実施例５ この実施例では、基板３０の裏面を部分的にエッチング
する際、図５に示したように、凹部パターン３１を幅３
０ｍｍ程度の格子状とする。それ以外の工程は、すべて
実施例１と同様に行う。なお、この実施例において最終
的に得られる太陽電池の寸法は、４０ｍｍ×７０ｍｍの
サイズであるため（図５中、破線Ｂ）、最終的に得られ
る太陽電池の基板は、凹部パターン３１が内部に配置
し、外周部に厚膜部分３２が配置されるように形成され
る。Embodiment 5 In this embodiment, when the rear surface of the substrate 30 is partially etched, as shown in FIG.
The lattice shape is about 0 mm. All other steps are performed in the same manner as in the first embodiment. In addition, since the size of the solar cell finally obtained in this example is a size of 40 mm × 70 mm (broken line B in FIG. 5), the substrate of the finally obtained solar cell has a recess pattern 31 inside. And the thick film portion 32 is formed on the outer peripheral portion.

【００５３】実施例６ この実施例では、初期投入された基板４０の裏面のみを
部分的にエッチングする際、図６に示したように、凹部
パターン４１を基板４０の外周部以外の部分に形成し、
基板４０の外周部にのみ厚膜部分４２を残す。Embodiment 6 In this embodiment, when only the rear surface of the initially loaded substrate 40 is partially etched, as shown in FIG. 6, a concave pattern 41 is formed in a portion other than the outer peripheral portion of the substrate 40. And
The thick film portion 42 is left only on the outer peripheral portion of the substrate 40.

【００５４】この基板４０を用いて、実施例１における
Ｎ電極の形成までの工程を同様に行う。これらの工程の
間、基板４０の外周部を厚膜化して強度を高く維持する
ことにより、基板割れによる不具合品の発生を抑えるこ
とができる。そしてＮ電極形成後、ダイシング・ブレイ
クＩ工程で基板を切り出す際に、基板４０の外周部分を
切り落とし、８０ｍｍ×８０ｍｍ程度のサイズとする
（図６中、破線Ｃ）。これにより、薄型太陽電池素子を
製造する際の大部分の工程を高強度基板の状態で処理で
き、素子製造における良品率を高めることが可能とな
る。Using this substrate 40, the steps up to the formation of the N-electrode in Example 1 are performed in the same manner. During these steps, by increasing the thickness of the outer peripheral portion of the substrate 40 to maintain high strength, it is possible to suppress the occurrence of defective products due to substrate cracking. Then, when the substrate is cut out in the dicing / break I step after forming the N electrode, the outer peripheral portion of the substrate 40 is cut off to have a size of about 80 mm × 80 mm (broken line C in FIG. 6). Thus, most steps in manufacturing a thin solar cell element can be processed in a state of a high-strength substrate, and it is possible to increase a non-defective rate in element manufacturing.

【００５５】実施例７ この実施例では、実施例１における第１酸化工程までと
同様の工程を行い、その後、酸化膜の窓開け工程におい
て、Ｎ電極形成部分以外の酸化膜を除去する。Embodiment 7 In this embodiment, the same steps as those in the first embodiment up to the first oxidation step are performed, and thereafter, in the step of opening the window of the oxide film, the oxide film other than the portion where the N-electrode is formed is removed.

【００５６】続いて、Ｎ電極形成部分以外を薄型化のた
めにエッチングし、Ｎ電極形成部分のみを厚膜状態で残
す。その後、実施例１と同様にテクスチャエッチング工
程に付し、無反射表面形状を形成する。この際、先の酸
化膜窓開け工程で、Ｎ電極形成部分以外の全面の酸化膜
を除去しているので、無反射表面形状（テクスチャ形
状）は図１７に示したような一定のパターンの繰り返し
形状（逆ピラミッド形状）にはならず、図７に示したよ
うなランダムテクスチャ形状になる。Subsequently, portions other than the N-electrode formation portion are etched to reduce the thickness, leaving only the N-electrode formation portion in a thick film state. After that, a texture etching process is performed in the same manner as in the first embodiment to form a non-reflective surface shape. At this time, since the oxide film on the entire surface other than the N-electrode formation portion was removed in the previous oxide film window opening step, the non-reflective surface shape (texture shape) is a repetition of a fixed pattern as shown in FIG. It does not have a shape (inverted pyramid shape) but a random texture shape as shown in FIG.

【００５７】ここでのテクスチャエッチング工程は上記
方法と異なり、Ｓｉの面を一定のマスキングパターン無
しにアルカリエッチングすると、Ｓｉ表面に多数ある活
性部分からエッチングされる。つまり、このエッチング
開始部分（活性部分）がＳｉ表面にランダムに存在する
ことから、エッチングされた形状が一定の逆ピラミッド
の繰り返しではないランダムテクスチャ形状になる。そ
の後の工程は、実施例１と同様に行う。In the texture etching step here, unlike the above method, when the Si surface is alkali-etched without a certain masking pattern, etching is performed from a large number of active portions on the Si surface. That is, since the etching start portion (active portion) is present at random on the Si surface, the etched shape becomes a random texture shape which is not a repetition of a fixed inverted pyramid. Subsequent steps are performed in the same manner as in the first embodiment.

【００５８】この実施例においては、実施例１で示した
ように、初期投入されたシリコン基板に酸化膜を形成
し、選択的に酸化膜を除去し、その後に化学エッチング
して基板厚を薄膜化する工程を必要としないため、工程
の複雑化を防止することができ、非常に簡単に素子の高
強度化と薄型化を実現できる。In this embodiment, as shown in the first embodiment, an oxide film is formed on an initially charged silicon substrate, the oxide film is selectively removed, and then the substrate is thinned by chemical etching. Since a process for making the device unnecessary is not required, it is possible to prevent the process from becoming complicated, and it is possible to very easily realize a high strength and a thin device.

【００５９】実施例８ 薄型化エッチング工程により、初期投入された厚み１０
０μｍ程度のシリコン基板の基板強度保持用肉厚部以外
の薄型化しようとする部分を化学エッチングする。すな
わち、まず、シリコン基板５０の両面に酸化膜５１を形
成する（図８（ａ））。次いで、フォトリソグラフィ及
びエッチング工程により太陽電池が完成した状態で受光
面となるシリコン基板５０表面の薄膜化しようとする部
分の酸化膜５１を選択的に除去する（図８（ｂ））。Example 8 The thickness 10 initially supplied by the thinning etching process was
A portion of the silicon substrate having a thickness of about 0 μm other than the thick portion for holding the substrate strength to be thinned is chemically etched. That is, first, the oxide films 51 are formed on both surfaces of the silicon substrate 50 (FIG. 8A). Next, in a state where the solar cell is completed by a photolithography and etching process, the oxide film 51 of a portion to be thinned on the surface of the silicon substrate 50 serving as a light receiving surface is selectively removed (FIG. 8B).

【００６０】その後、この酸化膜５１をマスクとして用
いて、例えばＲＩＥ法によりエッチングすることによ
り、シリコン基板５０の表面を部分的にエッチング除去
して、基板厚を薄型化する（図８（ｃ））。この際のエ
ッチング深さは５０μｍ程度とし、最も薄い部分の厚み
を３５μｍ程度とする。エッチングは２０μｍ以上行っ
て、肉厚部を薄層部より２０μｍ以上厚膜にすると強度
が増す。薄層部の厚さが２０μｍ以下の場合には十分な
基板強度が得られず、後工程でわれが発生する等加工に
支障をきたすとともに、基板内で十分入射光が吸収され
ず太陽電池素子の出力が低下する。一方、１００μｍ以
上の場合には、高耐放射線性が十分にえられない。ま
た、肉厚部の面積は太陽電池素子の面積に占める割合を
１〜２０％とすると効果的である。１％以下の場合には
十分な強度が得られず、２０％以上の場合には高耐放射
線性が十分に得られない。Thereafter, using the oxide film 51 as a mask, the surface of the silicon substrate 50 is partially removed by etching, for example, by RIE, thereby reducing the thickness of the substrate (FIG. 8C). ). The etching depth at this time is about 50 μm, and the thickness of the thinnest portion is about 35 μm. The etching is performed at least 20 μm, and the strength is increased when the thick portion is made 20 μm or more thicker than the thin layer portion. If the thickness of the thin layer portion is less than 20 μm, sufficient substrate strength cannot be obtained, which may hinder processing such as cracks occurring in a later step, and the incident light is not sufficiently absorbed in the substrate and the solar cell element Output decreases. On the other hand, when the thickness is 100 μm or more, sufficient high radiation resistance cannot be obtained. Further, it is effective that the area of the thick part is 1 to 20% of the area of the solar cell element. If it is 1% or less, sufficient strength cannot be obtained, and if it is 20% or more, high radiation resistance cannot be sufficiently obtained.

【００６１】続いて、マスクとして用いた酸化膜５１を
除去する（図８（ｄ））。その後、第１酸化工程とし
て、熱酸化により、シリコン基板５０両面に膜厚３００
０Å程度の酸化膜２を形成する（図８（ｅ））。次い
で、酸化膜２にフォトエッチング技術により無反射表面
形状パターンの窓３を開ける（酸化膜窓開け工程：図９
（ｆ））。Subsequently, the oxide film 51 used as a mask is removed (FIG. 8D). Thereafter, as a first oxidation step, a film thickness of 300 is formed on both surfaces of the silicon substrate 50 by thermal oxidation.
An oxide film 2 of about 0 ° is formed (FIG. 8E). Next, a window 3 having a non-reflective surface shape pattern is opened in the oxide film 2 by a photoetching technique (an oxide film window opening step: FIG. 9).
(F)).

【００６２】上記酸化膜窓開け工程により酸化膜２が除
去された部分のみをエッチングし、表面に光の反射を低
減する無反射表面形状４を形成する（テクスチャエッチ
ング工程：図９（ｇ））。この際のエッチング方法は実
施例１と同様に行うことができる。なお、この工程で、
薄層部にさらにテクスチャエッチングを行うことにより
部分的にさらに基板厚が薄くなるため、薄層部のうちも
っとも薄い部分の厚さは２０μｍ以上とする。Only the portions where the oxide film 2 has been removed by the oxide film window opening step are etched to form a non-reflective surface shape 4 for reducing light reflection on the surface (texture etching step: FIG. 9 (g)). . The etching method at this time can be performed in the same manner as in the first embodiment. In this process,
Since the thickness of the substrate is further reduced by partially performing the texture etching on the thin layer portion, the thickness of the thinnest portion in the thin layer portion is set to 20 μm or more.

【００６３】次に、マスクとして使用した酸化膜２を除
去する（図９（ｈ））。続いて、第２酸化工程として、
熱酸化により、再度シリコン基板５０両面に膜厚３００
０Å程度の酸化膜（図示せず）を形成する。シリコン基
板５０裏面へのＰ型不純物の拡散を目的として、裏面に
形成されている酸化膜をＨＦにより除去する。Next, the oxide film 2 used as a mask is removed (FIG. 9H). Subsequently, as a second oxidation step,
By thermal oxidation, a film thickness of 300 is formed on both sides of the silicon substrate 50 again.
An oxide film (not shown) of about 0 ° is formed. The oxide film formed on the back surface is removed by HF for the purpose of diffusing the P-type impurity into the back surface of the silicon substrate 50.

【００６４】次いで、シリコン基板５０を拡散炉で処理
し、シリコン基板５０裏面に拡散雰囲気中にあるボロン
を熱拡散することにより、Ｐ型拡散層６を形成し、ＢＳ
Ｆ構造とする。薄層部の厚さが薄い場合、裏面付近での
少数キャリアを有効に利用できるため、ＢＳＦ効果が大
きく、特に１００μｍ以下だと有効である。その後、Ｃ
ＶＤ法により、裏面保護のため裏面全面に膜厚４０００
Å程度の酸化膜７を形成する。シリコン基板５０表面
（受光面）に回り込んだ酸化膜をＨＦにより除去する。
次いで、シリコン基板５０を拡散炉で処理し、シリコン
基板５０表面へ拡散雰囲気中にあるリンを拡散すること
により受光面にのみＮ型拡散層８を形成する（図９
（ｉ））。Next, the silicon substrate 50 is processed in a diffusion furnace, and boron in a diffusion atmosphere is thermally diffused on the back surface of the silicon substrate 50 to form a P-type diffusion layer 6.
It has an F structure. When the thickness of the thin layer portion is small, the minority carriers near the rear surface can be effectively used, so that the BSF effect is large, and it is particularly effective when the thickness is 100 μm or less. Then, C
By the VD method, a film thickness of 4000 is applied on the entire rear surface to protect the rear surface.
An oxide film 7 of about Å is formed. The oxide film that has reached the surface (light receiving surface) of the silicon substrate 50 is removed by HF.
Next, the silicon substrate 50 is processed in a diffusion furnace, and the N-type diffusion layer 8 is formed only on the light receiving surface by diffusing phosphorus in the diffusion atmosphere to the surface of the silicon substrate 50 (FIG. 9).
(I)).

【００６５】続いて、シリコン基板５０を熱酸化して、
シリコン基板５０表面のＮ型拡散層８上に膜厚２００Å
程度のパッシペーション膜９を形成する（図９
（ｊ））。後工程で形成する電極と拡散層６、８との接
続のため、シリコン基板５０裏面の酸化膜７とシリコン
基板５０表面のパッシペーション膜９との電極接合部分
をそれぞれフォトエッチング技術により除去する。次い
で、シリコン基板５０表面にＮ型拡散層８と接続する所
定形状の電極１０を形成する。ここで電極材料としては
Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇの３層メタルを使用した。また、シリ
コン基板５０裏面にＰ型拡散層６と接続する所定形状の
電極１１を形成する。ここで電極材料としてＡｌ／Ｔｉ
／Ｐｄ／Ａｇの４層メタルを使用した（図１０
（ｋ））。アルミニウム等の高反射金属を裏面電極に用
いた場合、基板に吸収されず裏面に到達した入射光を裏
面で基板内に反射し、吸収率を高め、太陽電池素子の出
力を増すという効果があり、薄層部の厚さが薄い場合、
吸収されず裏面に到達する入射光の割合が大きいため効
果が大きく、特に１００μｍ以下だと有効である。ま
た、その裏面電極の面積は、太陽電池素子裏面面積の８
０％以上を占めていると効果的である。Subsequently, the silicon substrate 50 is thermally oxidized,
A film thickness of 200 上 on the N-type diffusion layer 8 on the surface of the silicon substrate 50
The passivation film 9 is formed on the order of FIG.
(J)). In order to connect the diffusion layers 6 and 8 to an electrode formed in a later step, the electrode bonding portion between the oxide film 7 on the back surface of the silicon substrate 50 and the passivation film 9 on the surface of the silicon substrate 50 is removed by a photoetching technique. Next, an electrode 10 having a predetermined shape connected to the N-type diffusion layer 8 is formed on the surface of the silicon substrate 50. Here, a three-layer metal of Ti / Pd / Ag was used as an electrode material. Further, an electrode 11 having a predetermined shape connected to the P-type diffusion layer 6 is formed on the back surface of the silicon substrate 50. Here, Al / Ti is used as the electrode material.
/ Pd / Ag four-layer metal was used (FIG. 10).
(K)). When a highly reflective metal such as aluminum is used for the back electrode, there is an effect that incident light that reaches the back surface without being absorbed by the substrate is reflected into the substrate on the back surface, thereby increasing the absorptance and increasing the output of the solar cell element. If the thickness of the thin layer is thin,
The effect is great because the ratio of incident light that reaches the back surface without being absorbed is large, and it is particularly effective when it is 100 μm or less. The area of the back electrode is 8% of the back surface area of the solar cell element.
It is effective if it accounts for 0% or more.

【００６６】続いて、シリコン基板５０表面に光の反射
を低減させるＴｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3の２層の酸化物を用
いて、反射防止膜１２を形成する（図１０（ｌ））。続
いて、Ｎ・Ｐ電極蒸着工程で形成した電極と基板との密
着度を高めるためにＮ2雰囲気下で熱処理を行う。Subsequently, an anti-reflection film 12 is formed on the surface of the silicon substrate 50 using a two-layer oxide of TiO 2 / Al 2 O 3 for reducing the reflection of light (FIG. 10 (l)). Subsequently, heat treatment is performed in an N 2 atmosphere in order to increase the degree of adhesion between the electrode formed in the NP electrode deposition step and the substrate.

【００６７】最終的な太陽電池寸法に基板をダイシング
する（図１０（ｍ））。この切り出された太陽電子素子
には肉厚部が存在するため、素子の強度を高強度に保持
することができ、素子の取り扱いを容易にし、作業性が
向上する。なお、この実施例では、受光面電極１０が形
成される部分のみを肉厚部とし、受光面電極１０が形成
されない部分を選択的にエッチング除去して薄膜化し
た。これにより、太陽電池素子の受光面電極１０にイン
ターコネクタを接続する際等で、加圧等により力が加わ
っても割れにくい。The substrate is diced to the final solar cell dimensions (FIG. 10 (m)). Since the cut-out solar electronic element has a thick portion, the strength of the element can be maintained at a high level, the element can be easily handled, and workability is improved. In this embodiment, only the portion where the light receiving surface electrode 10 is formed is made to be a thick portion, and the portion where the light receiving surface electrode 10 is not formed is selectively removed by etching to reduce the thickness. Thus, when an interconnector is connected to the light-receiving surface electrode 10 of the solar cell element, it is unlikely to be broken even when a force is applied by pressure or the like.

【００６８】実施例９ 実施例８では、完成した太陽電池の受光面となるシリコ
ン基板表面側のみを部分的にエッチングし、薄膜化を施
したが、この実施例では、シリコン基板の表面の一部、
さらに基板の裏面の全面を均一にエッチングすることに
より一層の薄膜化を施す。なお、それ以降の工程は、す
べて実施例８と同様に行う。Embodiment 9 In Embodiment 8, only the silicon substrate surface side, which is the light receiving surface of the completed solar cell, was partially etched to reduce the film thickness. Department,
Further, the entire surface of the back surface of the substrate is uniformly etched to further reduce the thickness. The subsequent steps are all performed in the same manner as in the eighth embodiment.

【００６９】実施例１０ 実施例８ではシリコン基板の薄膜化の際に、化学エッチ
ングの保護膜として酸化膜を使用したが、この実施例で
は、初期投入されたシリコン基板にあらかじめパターン
を形成させた耐化学エッチング用テープを貼り、従来技
術の薄型化化学エッチング工程を処理し、耐化学エッチ
ングテープを剥がすことにより、薄膜化を施す。なお、
それ以降の工程は、すべて実施例８と同様に行う。Embodiment 10 In Embodiment 8, an oxide film was used as a protective film for chemical etching when thinning a silicon substrate. In this embodiment, a pattern was previously formed on a silicon substrate which was initially charged. A thin film is formed by applying a chemical etching resistant tape, processing the conventional thin chemical etching step, and peeling off the chemical etching resistant tape. In addition,
All subsequent steps are performed in the same manner as in the eighth embodiment.

【００７０】実施例１１ 実施例８では、完成した太陽電池の受光面となるシリコ
ン基板表面側のみを部分的にエッチングしたが、この実
施例では、図１１（ａ）に示したように、シリコン基板
６０表裏両面に肉厚部を残し、他部分を選択的にエッチ
ングした。それ以降の工程は、すべて実施例８と同様に
行い、図１１（ｂ）に示したように、最終的な太陽電池
寸法に基板をダイシングする。これにより、シリコン基
板表裏両面に肉厚部を有する基板を用いて太陽電池の製
造工程の大部分を処理することができ、素子製造におけ
る良品率を高めることが可能になる。また、表面と裏面
とを同時にエッチングするため、片面のみをエッチング
する場合に比べ、トータルで同じ厚さをエッチングする
場合の処理時間の半分ですむ。さらに、片面のみに肉厚
部がある場合にくらべ、表裏面両面からの衝撃に耐える
ことができる。また、肉厚部が最終的な太陽電池素子内
に存在するため、素子完成後も素子の強度を確保するこ
とができ、素子の取扱いを容易にし、作業性を向上す
る。また、基板両面の肉厚部のパターンが対称に形成さ
れているため、基板の表裏両面上にかかる圧力に対し基
板薄層部は接触せず、肉厚部が柱の役目を果たして強度
を維持することができる。よって、例えば、ダイシング
のテープ貼りのように基板をステージに置き、その上か
らローラーでテーブを押し付ける処理における良品率を
向上することができる。Embodiment 11 In the embodiment 8, only the silicon substrate front side, which is the light receiving surface of the completed solar cell, is partially etched. In this embodiment, as shown in FIG. Thick portions were left on both sides of the substrate 60, and other portions were selectively etched. All the subsequent steps are performed in the same manner as in Example 8, and the substrate is diced to the final solar cell dimensions as shown in FIG. Thereby, most of the manufacturing process of the solar cell can be processed using the substrate having the thick portions on both the front and back surfaces of the silicon substrate, and the non-defective product rate in element manufacturing can be increased. In addition, since the front and back surfaces are simultaneously etched, the processing time for etching the same thickness in total is only half as compared with the case where only one surface is etched. Furthermore, compared to the case where only one side has a thick portion, it is possible to withstand impact from both the front and back surfaces. In addition, since the thick portion exists in the final solar cell element, the strength of the element can be ensured even after the element is completed, and the handling of the element is facilitated and the workability is improved. In addition, since the pattern of the thick part on both sides of the substrate is formed symmetrically, the thin layer part of the substrate does not come into contact with the pressure applied on both the front and back surfaces of the substrate, and the thick part acts as a pillar to maintain strength. can do. Therefore, for example, it is possible to improve the yield rate in a process in which the substrate is placed on the stage like a dicing tape and the table is pressed with a roller from above.

【００７１】実施例１２ 実施例８では、シリコン基板の無反射表面形状を形成す
る際に均一なパターンの形状としたが、この実施例で
は、図１２（ａ）に示したように、シリコン基板７０表
面に肉厚部と薄層部とを形成した後、薄層部にも受光面
電極１０を形成することができるように、酸化膜３をパ
ターニングした。次いで、図１２（ｂ）に示したよう
に、この酸化膜３をマスクとして用いてシリコン基板７
０の薄層部表面をエッチングし、無反射表面形状７４を
形成した。なお、それ以降の工程においては、受光面電
極１０を肉厚部のみならず薄層部にも形成する以外は、
すべて実施例８と同様に行う。これにより、図１２
（ｃ）に示したように、受光面電極１０が肉厚部上及び
薄層部上に形成された太陽電池素子を得ることができ
る。Embodiment 12 In Embodiment 8, a uniform pattern was formed when the non-reflective surface shape of the silicon substrate was formed. In this embodiment, however, as shown in FIG. After forming a thick portion and a thin layer portion on the surface 70, the oxide film 3 was patterned so that the light receiving surface electrode 10 could be formed on the thin layer portion. Then, as shown in FIG. 12B, using the oxide film 3 as a mask, a silicon substrate 7 is formed.
The surface of the thin layer portion of No. 0 was etched to form a non-reflective surface shape 74. In the subsequent steps, except that the light receiving surface electrode 10 is formed not only in the thick part but also in the thin part,
All operations are performed in the same manner as in the eighth embodiment. As a result, FIG.
As shown in (c), it is possible to obtain a solar cell element in which the light receiving surface electrode 10 is formed on the thick part and the thin layer part.

【００７２】実施例１３ 実施例８では、シリコン基板の肉厚部にのみ受光面電極
１０を形成したが、この実施例では、図１３に示したよ
うに、シリコン基板７１の薄層部の表面に平坦な部分を
有する無反射表面形状７４を形成し、受光面電極１０を
薄層部上にのみ形成した。なお、それ以降の工程は、す
べて実施例８と同様に行う。薄層部上にのみ受光面電極
１０を形成した場合には、太陽電池素子の受光面電極１
０にインターコネクタを接続する場合、太陽電池素子の
表面からインターコネクタがはみ出さず、後のカバーガ
ラス接着等が容易となる。Embodiment 13 In the embodiment 8, the light receiving surface electrode 10 is formed only on the thick portion of the silicon substrate. In this embodiment, however, as shown in FIG. An anti-reflection surface shape 74 having a flat portion was formed, and the light receiving surface electrode 10 was formed only on the thin layer portion. The subsequent steps are all performed in the same manner as in the eighth embodiment. When the light receiving surface electrode 10 is formed only on the thin layer portion, the light receiving surface electrode 1 of the solar cell element
When the interconnector is connected to 0, the interconnector does not protrude from the surface of the solar cell element, which facilitates later bonding of a cover glass or the like.

【００７３】実施例１４ この実施例では、基板の表面を部分的にエッチングする
際、図４に示したように、凹部パターン２１を格子状と
する。それ以外の工程は、すべて実施例８と同様に行
う。なお、この実施例において最終的に得られる太陽電
池の寸法は、４０ｍｍ×７０ｍｍのサイズであるため
（図４中、破線Ａ）、最終的に得られる太陽電池の基板
には、凹部パターン２１及び厚膜部分２２の両方が残
る。Embodiment 14 In this embodiment, when the surface of the substrate is partially etched, as shown in FIG. 4, the concave pattern 21 is formed in a lattice shape. All other steps are performed in the same manner as in Example 8. In addition, since the size of the solar cell finally obtained in this example is a size of 40 mm × 70 mm (broken line A in FIG. 4), the substrate of the finally obtained solar cell has the concave pattern 21 and Both thick film portions 22 remain.

【００７４】実施例１５ この実施例では、基板の表面を部分的にエッチングする
際、図５に示したように、凹部パターン３１を幅３０ｍ
ｍ程度の格子状とする。それ以外の工程は、すべて実施
例８と同様に行う。なお、この実施例において最終的に
得られる太陽電池の寸法は、４０ｍｍ×７０ｍｍのサイ
ズであるため（図５中、破線Ｂ）、最終的に得られる太
陽電池の基板は、凹部パターン３１が内部に配置し、外
周部に厚膜部分３２が配置されるように形成される。
これにより、太陽電池素子の周縁部が欠ける等の欠陥が
減少する。Embodiment 15 In this embodiment, when the surface of the substrate is partially etched, as shown in FIG.
It is a lattice of about m. All other steps are performed in the same manner as in Example 8. In addition, since the size of the solar cell finally obtained in this example is a size of 40 mm × 70 mm (broken line B in FIG. 5), the substrate of the finally obtained solar cell has a recess pattern 31 inside. And the thick film portion 32 is formed on the outer peripheral portion.
Thereby, defects such as chipping of the periphery of the solar cell element are reduced.

【００７５】実施例１６ この実施例では、初期投入された基板の表面のみを部分
的にエッチングする際、図６に示したように、凹部パタ
ーン４１を基板の外周部以外の部分に形成し、基板の外
周部にのみ厚膜部４２を残す。この際、基板の外周部の
肉厚部４２の幅は１ｍｍ〜２０ｍｍ程度が好ましい。肉
厚部の幅が１ｍｍ未満では十分な強度が得られず、２０
ｍｍより大きい場合には、破棄する部分が多くなり、実
用的でない。Embodiment 16 In this embodiment, when only the surface of an initially charged substrate is partially etched, as shown in FIG. 6, a concave pattern 41 is formed in a portion other than the outer peripheral portion of the substrate. The thick film portion 42 is left only on the outer peripheral portion of the substrate. At this time, the width of the thick portion 42 on the outer peripheral portion of the substrate is preferably about 1 mm to 20 mm. If the width of the thick part is less than 1 mm, sufficient strength cannot be obtained,
If it is larger than mm, the discarded portion increases, which is not practical.

【００７６】この基板を用いて、実施例８において、Ｎ
電極の形成までの工程を同様に行う。これらの工程の
間、基板の外周部を厚膜化して強度を高く維持すること
により、基板割れによる不具合品の発生を抑えることが
できる。そしてＮ電極形成後、ダイシング・ブレイクＩ
工程で基板を切り出す際に、基板の外周部分を切り落と
し、８０ｍｍ×８０ｍｍ程度のサイズとする（図６中、
破線Ｃ）。これにより、薄型太陽電池素子を製造する際
の大部分の工程を高強度基板の状態で処理でき、素子製
造における良品率を高めることが可能となる。また、図
示していないが同一の基板上に複数の太陽電池素子を形
成する場合、それら素子間にのみ肉厚部があってもよ
い。Using this substrate, in Example 8, N
The steps up to the formation of the electrodes are performed in the same manner. During these steps, by increasing the thickness of the outer peripheral portion of the substrate to maintain high strength, it is possible to suppress the occurrence of defective products due to substrate cracking. Then, after forming the N electrode, dicing break I
When the substrate is cut out in the process, the outer peripheral portion of the substrate is cut off to have a size of about 80 mm × 80 mm (in FIG. 6,
Dashed line C). Thus, most steps in manufacturing a thin solar cell element can be processed in a state of a high-strength substrate, and it is possible to increase a non-defective rate in element manufacturing. Although not shown, when a plurality of solar cell elements are formed on the same substrate, a thick portion may be provided only between the elements.

【００７７】実施例１７ この実施例では、基板の表裏面をエッチングする際、図
４に示したように、凹部パターン２１を格子状とする。
それ以外の工程は、すべて実施例８及び実施例１１と同
様に行う。Embodiment 17 In this embodiment, when etching the front and back surfaces of the substrate, the concave pattern 21 is formed in a lattice shape as shown in FIG.
All other steps are performed in the same manner as in Example 8 and Example 11.

【００７８】実施例１８ この実施例では、基板の表裏面を部分的にエッチングす
る際、図５に示したように、凹部パターン３１を幅３０
ｍｍ程度の格子状とする。それ以外の工程は、すべて実
施例８及び実施例１１と同様に行う。なお、この実施例
において最終的に得られる太陽電池の寸法は、４０ｍｍ
×７０ｍｍのサイズであるため（図５中、破線Ｂ）、最
終的に得られる太陽電池の基板は、その表裏面にそれぞ
れ凹部パターン３１が内部に配置し、外周部に厚膜部分
３２が配置されるように形成される。Embodiment 18 In this embodiment, when the front and back surfaces of the substrate are partially etched, the recess pattern 31 is formed to have a width of 30 as shown in FIG.
mm. All other steps are performed in the same manner as in Example 8 and Example 11. The size of the solar cell finally obtained in this example is 40 mm.
Because of the size of × 70 mm (broken line B in FIG. 5), in the finally obtained solar cell substrate, concave pattern 31 is arranged inside each of the front and back surfaces, and thick film portion 32 is arranged around the outer periphery. It is formed as follows.

【００７９】実施例１９ この実施例では、初期投入された基板の表裏面をエッチ
ングする際、図６に示したように、凹部パターン４１を
基板の外周部以外の部分に形成し、基板の外周部にのみ
厚膜部４２を残す。それ以外の工程は、すべて実施例８
及び実施例１１と同様に行う。Embodiment 19 In this embodiment, when etching the front and back surfaces of the initially loaded substrate, as shown in FIG. 6, a concave pattern 41 is formed in a portion other than the outer peripheral portion of the substrate. The thick film portion 42 is left only in the portion. All other steps were performed in Example 8.
And in the same manner as in Example 11.

【００８０】[0080]

【発明の効果】本発明の高強度薄型半導体素子形成用基
板によれば、基板を薄型化することに伴う基板自体の強
度の低下を防ぐことができるため、基板の取り扱いが容
易になるとともに、割れ、欠けによる不良品の発生を防
止し、後工程での処理に使用される装置に求められる基
板搬送性能の低減化を実現できる。According to the substrate for forming a high-strength thin semiconductor element of the present invention, it is possible to prevent the strength of the substrate itself from being reduced due to the thinning of the substrate, so that the handling of the substrate becomes easy and It is possible to prevent the occurrence of defective products due to cracking or chipping, and to reduce the substrate transfer performance required for an apparatus used for processing in a later step.

【００８１】また、本発明の高強度薄型半導体素子形成
用基板自体に活性層を形成し、半導体素子を形成する場
合には、半導体素子の軽量化、薄膜化を一層高めること
ができるため、種々の用途、例えば太陽電池素子、こと
に薄膜化を必要とする宇宙用太陽電池素子の製造を実現
でき、耐放射線性の向上した高性能、高信頼性の高強度
薄型半導体素子が得られる。When an active layer is formed on the substrate for forming a high-strength and thin semiconductor element of the present invention to form a semiconductor element, the weight and thickness of the semiconductor element can be further increased. For example, the production of a solar cell element, particularly a space solar cell element that requires thinning, can be realized, and a high-performance, high-reliability, high-strength thin semiconductor element with improved radiation resistance can be obtained.

【００８２】しかも、本発明における高強度薄型半導体
素子形成用基板の肉厚部及び薄層部の形状を特定の形状
にすることにより、基板の強度を面内で均一に高めるこ
とができるため、従来の基板と同様に処理することが可
能となる。特に完成した素子の割れ・欠けが生じ易い周
囲部分の強度を高くするような肉厚部及び薄層部の形状
を採用した場合には、完成した素子の取り扱いが容易に
なる。Further, the strength of the substrate can be increased uniformly in the plane by making the thick portion and the thin layer portion of the substrate for forming a high-strength thin semiconductor element in the present invention into specific shapes. Processing can be performed in the same manner as a conventional substrate. In particular, in the case where the shape of the thick portion and the thin layer portion is adopted so as to increase the strength of the peripheral portion where cracking and chipping of the completed device is likely to occur, handling of the completed device becomes easy.

【００８３】また、基板表面にのみ肉厚部及び薄層部を
形成する場合には、ダイシング工程の際の裏面の浮き等
を回避して、歩留りの向上を図ることができ、高強度薄
型半導体素子を接着剤によって別の基板に接着する際の
接着剤中に発生する気泡を防止することができるため、
その適用範囲が広がり、信頼性の高い高強度薄型半導体
素子を得ることが可能となる。In the case where the thick portion and the thin layer portion are formed only on the surface of the substrate, the yield can be improved by avoiding the floating of the back surface during the dicing step, and the high strength thin semiconductor can be achieved. Since it is possible to prevent bubbles generated in the adhesive when bonding the element to another substrate with the adhesive,
Its application range is widened, and a highly reliable, high-strength thin semiconductor element can be obtained.

【００８４】さらに、基板両面に肉厚部及び薄層部を形
成する場合には、特に、表裏面で肉厚部のパターンを対
称に配置することにより、基板の表裏両面上にかかる圧
力に対し薄層部は接触せず、肉厚部が柱の役目を果たし
て強度を維持することができ、基板のわれの低減を図る
ことができるとともに、ダイシング時等の際に、薄膜部
への装置等の直接的な接触に起因する汚染を防止するこ
とができ、信頼性の高い高強度薄型半導体素子を得るこ
とが可能となる。Further, when a thick portion and a thin layer portion are formed on both surfaces of the substrate, particularly, by symmetrically arranging the pattern of the thick portion on the front and back surfaces, the pressure applied to the front and back surfaces of the substrate can be reduced. The thin layer portion does not contact, the thick portion plays the role of a pillar to maintain the strength, and it is possible to reduce the crack of the substrate, and at the time of dicing etc., the device for the thin film portion etc. Can be prevented from being caused by direct contact with the semiconductor device, and a highly reliable thin semiconductor device having high strength can be obtained.

【００８５】また、本発明の高強度薄型半導体素子の製
造方法によれば、上記のような基板強度の高い基板を使
用して、高強度薄型半導体素子を製造することができる
ため、素子の製造の歩留、良品率を高めることが可能と
なる。According to the method for manufacturing a high-strength thin semiconductor device of the present invention, a high-strength thin semiconductor device can be manufactured using a substrate having a high substrate strength as described above. Yield and non-defective rate can be increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子の製造方法（実施例１）を説明するための概
略断面工程図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a method (Example 1) of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図２】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子の製造方法（実施例１）を説明するための概
略断面工程図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a method (Example 1) of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図３】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子の製造方法（実施例１）を説明するための概
略断面工程図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a method (Example 1) for manufacturing a solar cell element for space, which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図４】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子の別の製造方法（実施例４、１４、１７）を
説明するための基板の概略斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view of a substrate for explaining another method (Examples 4, 14, and 17) for manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図５】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子のさらに別の製造方法（実施例５、１５、１
８）を説明するための基板の概略斜視図である。FIG. 5 shows still another method of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention (Examples 5, 15, 1).
It is a schematic perspective view of the board | substrate for describing 8).

【図６】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子のさらに別の製造方法（実施例６、１６、１
９）を説明するための基板の概略斜視図である。FIG. 6 shows still another method of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention (Examples 6, 16, 1).
It is a schematic perspective view of the board | substrate for describing 9).

【図７】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子のさらに別の製造方法（実施例７）を説明す
るための宇宙用太陽電池素子の要部の概略斜視図であ
る。FIG. 7 is a schematic perspective view of a main part of a space solar cell element for explaining still another manufacturing method (Example 7) of a space solar cell element which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図８】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子の製造方法（実施０例８）を説明するための
概略断面工程図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional process diagram for describing a method (Example 0) of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図９】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用太
陽電池素子の製造方法（実施例８）を説明するための概
略断面工程図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional process diagram for describing a method (Example 8) of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図１０】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用
太陽電池素子の製造方法（実施例８）を説明するための
概略断面工程図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a method (Example 8) of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図１１】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用
太陽電池素子の別の製造方法（実施例１１）を説明する
ための概略断面工程図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining another method (Example 11) of manufacturing a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図１２】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用
太陽電池素子のさらに別の製造方法（実施例１２）を説
明するための概略断面工程図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining still another manufacturing method (Example 12) of a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図１３】本発明の高強度薄型半導体素子である宇宙用
太陽電池素子のさらに別の製造方法（実施例１３）を説
明するための概略断面工程図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining still another manufacturing method (Example 13) of a solar cell element for space which is a high-strength thin semiconductor element of the present invention.

【図１４】従来の宇宙用太陽電池素子の製造方法を説明
するための概略断面工程図である。FIG. 14 is a schematic cross-sectional process diagram for describing a conventional method for manufacturing a solar cell element for space.

【図１５】従来の宇宙用太陽電池素子の製造方法を説明
するための概略断面工程図である。FIG. 15 is a schematic cross-sectional process diagram for describing a conventional method for manufacturing a solar cell element for space.

【図１６】従来の宇宙用太陽電池素子の製造方法を説明
するための概略断面工程図である。FIG. 16 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining a conventional method for manufacturing a solar cell element for space.

【図１７】従来の宇宙用太陽電池素子の製造方法により
形成された逆ピラミッド形状の宇宙用太陽電池素子の要
部の概略斜視図である。FIG. 17 is a schematic perspective view of a main part of an inverted pyramid-shaped space solar cell element formed by a conventional method for manufacturing a space solar cell element.

【図１８】従来の宇宙用太陽電池素子の別の製造方法を
説明するための概略断面工程図である。FIG. 18 is a schematic cross-sectional process diagram for explaining another method of manufacturing the conventional solar cell element for space.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、２０、３０、４０、４３、５０、６０、７０、７１
シリコン基板 ２ シリコン酸化膜 ３ 窓 ４、４４、７４ 無反射表面形状 ５、７、５１ 酸化膜 ６ Ｐ型拡散層 ８ Ｎ型拡散層 ９ パッシベーション膜 １０、１１ 電極 １２ 反射防止膜 ２１、３１、４１ 凹部パターン ２２、３２、４２ 厚膜部分1, 20, 30, 40, 43, 50, 60, 70, 71
Silicon substrate 2 Silicon oxide film 3 Window 4, 44, 74 Non-reflective surface shape 5, 7, 51 Oxide film 6 P-type diffusion layer 8 N-type diffusion layer 9 Passivation film 10, 11 Electrode 12 Anti-reflection film 21, 31, 41 Concave pattern 22, 32, 42 Thick film part

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 基板の表面又は表裏面に、初期投入され
た基板厚を保持するか、十分な基板強度を与える厚さを
保持する肉厚部を有し、該肉厚部以外の部分の基板が選
択的に除去されて、前記肉厚部より薄くかつ２０μｍ以
上の厚みを有する薄層部が形成されてなることを特徴と
する高強度薄型半導体素子形成用基板。The present invention has a thick portion on the front surface or the front and back surfaces of a substrate for holding a thickness of an initially supplied substrate or for maintaining a thickness for providing sufficient substrate strength. A substrate for forming a high-strength thin semiconductor element, wherein the substrate is selectively removed to form a thin layer portion thinner than the thick portion and having a thickness of 20 μm or more. 【請求項２】 肉厚部が、基板の周縁に存在する形状、
格子形状、ストライプ形状又は島形状である請求項1記
載の高強度薄型半導体素子形成用基板。2. A shape in which a thick portion exists on a peripheral edge of a substrate,
2. The substrate for forming a high-strength thin semiconductor element according to claim 1, wherein the substrate has a lattice shape, a stripe shape, or an island shape. 【請求項３】 基板の裏面に、初期投入された基板厚を
保持する肉厚部を有し、該肉厚部以外の部分の基板が選
択的に除去されて、前記肉厚部より薄くかつ２０μｍ以
上の厚みを有する薄層部が形成されてなることを特徴と
する高強度薄型半導体素子形成用基板。3. A back surface of the substrate having a thick portion for holding an initially inputted substrate thickness, and a portion of the substrate other than the thick portion is selectively removed to be thinner than the thick portion. A substrate for forming a high-strength thin semiconductor element, wherein a thin layer portion having a thickness of 20 μm or more is formed. 【請求項４】 肉厚部が、格子形状、ストライプ形状又
は島形状である請求項３記載の高強度薄型半導体素子形
成用基板。4. The high-strength thin semiconductor element forming substrate according to claim 3, wherein the thick portion has a lattice shape, a stripe shape or an island shape. 【請求項５】 請求項1記載の高強度薄型半導体素子形
成用基板自体に活性層が形成され、前記基板の表面側に
受光面電極、前記基板の裏面側に裏面電極を備えてな
り、 前記基板の表面又は表裏面に、前記基板の周縁に存在す
る形状、格子形状、ストライプ形状又は島形状の肉厚部
を有し、 前記基板の表面における肉厚部が、薄層部における層厚
よりも２０μｍ以上厚く形成され、かつ前記基板の表面
の１〜２０％の占有面積を有する高強度薄型半導体素
子。5. An active layer is formed on the substrate for forming a high-strength thin semiconductor element according to claim 1, wherein a light-receiving surface electrode is provided on a front surface of the substrate, and a back electrode is provided on a back surface of the substrate. On the front surface or the front and back surfaces of the substrate, a shape present on the periphery of the substrate, a lattice shape, a stripe shape or an island-shaped thick portion, and the thick portion on the front surface of the substrate is larger than the layer thickness in the thin layer portion. A high-strength thin semiconductor element formed to have a thickness of 20 μm or more and occupying 1 to 20% of the surface of the substrate. 【請求項６】 基板の表面にＮ型拡散層、該Ｎ型拡散層
の一部の領域上に受光面電極、表面上全面に反射防止膜
が形成され、前記基板の裏面にＰ型拡散層、該Ｐ型拡散
層上に裏面電極が形成されてなり、 薄層部における層厚が２０〜１００μｍであり、 前記表面がテクスチャ構造を有しており、 前記裏面電極が前記基板の裏面の８０％以上の面積で形
成されており、かつ前記Ｐ型拡散層と裏面電極とが接す
る領域がＢＳＦ構造である請求項５記載の素子。6. An N-type diffusion layer is formed on the surface of the substrate, a light-receiving surface electrode is formed on a part of the N-type diffusion layer, an antireflection film is formed on the entire surface, and a P-type diffusion layer is formed on the back surface of the substrate. A back surface electrode is formed on the P-type diffusion layer; a layer thickness in the thin layer portion is 20 to 100 μm; the surface has a texture structure; 6. The device according to claim 5, wherein the area of the P-type diffusion layer and the back electrode is in a BSF structure. 【請求項７】 基板の表面の肉厚部の上にのみ又は基板
の表面の薄層部の上にのみ受光面電極が形成されてなる
請求項６記載の素子。7. The device according to claim 6, wherein the light receiving surface electrode is formed only on the thick portion on the surface of the substrate or only on the thin layer portion on the surface of the substrate. 【請求項８】 請求項３記載の高強度薄型半導体素子形
成用基板自体に活性層を形成し、前記基板の表面側に受
光面電極、前記基板の裏面側に裏面電極を備えてなる高
強度薄型半導体素子。8. A high-strength substrate comprising an active layer formed on the substrate for forming a high-strength thin semiconductor element according to claim 3, wherein a light-receiving surface electrode is provided on a front surface of the substrate and a back electrode is provided on a back surface of the substrate. Thin semiconductor element. 【請求項９】 基板の裏面に、格子形状、ストライプ形
状又は島形状の肉厚部を有する請求項８に記載の素子。9. The device according to claim 8, wherein the back surface of the substrate has a thick portion in a lattice shape, a stripe shape, or an island shape. 【請求項１０】 基板の裏面における肉厚部が、薄層部
における層厚よりも２０μｍ以上厚く形成されてなる請
求項８又は９に記載の素子。10. The device according to claim 8, wherein the thick portion on the back surface of the substrate is formed to be at least 20 μm thicker than the thin layer portion. 【請求項１１】 高強度薄型半導体素子が、太陽電池又
は宇宙用太陽電池である請求項５〜１０のいずれか１つ
に記載の素子。11. The device according to claim 5, wherein the high-strength thin semiconductor device is a solar cell or a solar cell for space. 【請求項１２】 高強度薄型半導体素子形成用基板の表
面及び裏面の両面の一部を、マスクを使用して選択的に
加工除去することにより、初期投入された基板厚を保持
するか、十分な基板強度を与える厚さを保持する肉厚部
を残存させるとともに、前記肉厚部より薄くかつ２０μ
ｍ以上の厚みを有する薄層部を形成することからなる高
強度薄型半導体素子の製造方法。12. A method for selectively processing and removing a part of both surfaces of a front surface and a back surface of a high-strength thin semiconductor element forming substrate by using a mask to maintain an initially inputted substrate thickness, or A thick portion that retains a thickness that provides a strong substrate strength is left, and is thinner than the thick portion and has a thickness of 20 μm.
A method for manufacturing a high-strength thin semiconductor device, comprising forming a thin layer portion having a thickness of at least m. 【請求項１３】 高強度薄型半導体素子形成用基板の表
面の一部を、マスクを使用して選択的に加工除去するこ
とにより、初期投入された基板厚を保持するか、十分な
基板強度を与える厚さを保持する肉厚部を残存させると
ともに、前記肉厚部より薄くかつ２０μｍ以上の厚みを
有する薄層部を形成することからなる高強度薄型半導体
素子の製造方法。13. A method for selectively processing and removing a part of the surface of a substrate for forming a high-strength thin semiconductor element by using a mask to maintain an initially supplied substrate thickness or to obtain a sufficient substrate strength. A method for manufacturing a high-strength thin semiconductor device, comprising: forming a thin layer portion having a thickness smaller than the thick portion and having a thickness of 20 μm or more while leaving a thick portion for maintaining a given thickness. 【請求項１４】 高強度薄型半導体素子形成用基板の裏
面の一部を、マスクを使用して選択的に加工除去するこ
とにより、初期投入された基板厚を保持する肉厚部を残
存させるとともに、前記肉厚部より薄くかつ２０μｍ以
上の厚みを有する薄層部を形成することからなる高強度
薄型半導体素子の製造方法。14. A method for selectively processing and removing a part of the back surface of a high-strength thin semiconductor element forming substrate by using a mask to leave a thick portion for maintaining an initially inputted substrate thickness. And a method of manufacturing a high-strength thin semiconductor device comprising forming a thin layer portion thinner than the thick portion and having a thickness of 20 μm or more. 【請求項１５】 さらに、高強度薄型半導体素子形成用
基板の表面にｐｎ接合を形成する工程、高強度薄型半導
体素子の受光面となる基板の表面に受光面電極、裏面に
裏面電極を形成する工程、高強度薄型半導体素子形成用
基板から宇宙用太陽電池素子を切り出す工程を含む請求
項１２〜１４のいずれか１つに記載の高強度薄型半導体
素子の製造方法。15. A step of forming a pn junction on a surface of a substrate for forming a high-strength thin semiconductor element, forming a light-receiving surface electrode on a surface of a substrate serving as a light-receiving surface of the high-strength thin semiconductor element, and forming a back surface electrode on a back surface. The method for producing a high-strength thin semiconductor device according to any one of claims 12 to 14, comprising a step of cutting a solar cell device for space from a substrate for forming a high-strength thin semiconductor device. 【請求項１６】 高強度薄型半導体素子を構成する基板
に肉厚部が格子状、ストライプ状又は島状に存在する
か、前記基板内に薄層部、外周部に肉厚部が存在するよ
うに高強度薄型半導体素子を切り出す請求項１５に記載
の製造方法。16. A thick part is present in a lattice, stripe, or island shape on a substrate constituting a high-strength thin semiconductor element, or a thin layer part is present in the substrate and a thick part is present on an outer peripheral part. The manufacturing method according to claim 15, wherein a high-strength thin semiconductor element is cut out. 【請求項１７】 表面又は表面及び裏面の両面に肉厚部
が形成されてなる高強度薄型半導体素子形成用基板か
ら、高強度薄型半導体素子を構成する基板が薄層部にの
み存在するように高強度薄型半導体素子を切り出す請求
項１５に記載の製造方法。17. A high-strength thin semiconductor device forming substrate having a thick portion formed on both the front surface and both front and rear surfaces, such that a substrate constituting the high-strength thin semiconductor device exists only in the thin layer portion. The manufacturing method according to claim 15, wherein a high-strength thin semiconductor element is cut out.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189481A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing solar cell
JP2001189475A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Manufacturing method of solar cell
JP2001189480A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing solar cell
JP2009295696A (en) * 2008-06-03 2009-12-17 Sumco Corp Silicon wafer
WO2010110106A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 シャープ株式会社 Method of producing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element
WO2010009297A3 (en) * 2008-07-16 2011-02-24 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
US8673679B2 (en) 2008-12-10 2014-03-18 Applied Materials Italia S.R.L. Enhanced vision system for screen printing pattern alignment
JP6058212B2 (en) * 2014-04-16 2017-01-11 三菱電機株式会社 Solar cell and method for manufacturing solar cell
JP2017519354A (en) * 2014-04-30 2017-07-13 １３６６ テクノロジーズ インク． Method and apparatus for manufacturing thin semiconductor wafer having local control region thicker than other regions, and the wafer
KR20200143530A (en) * 2014-04-30 2020-12-23 1366 테크놀로지 인코포레이티드 Methods and apparati for making thin semi-conductor wafers with locally controlled regions that are relatively thicker than other regions and such wafers
JP7025580B1 (en) * 2020-11-23 2022-02-24 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド Selective Emitter Solar Cell and Its Manufacturing Method

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189475A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Manufacturing method of solar cell
JP2001189480A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing solar cell
JP2001189481A (en) * 1999-12-30 2001-07-10 Honda Motor Co Ltd Method for manufacturing solar cell
JP2009295696A (en) * 2008-06-03 2009-12-17 Sumco Corp Silicon wafer
US8309446B2 (en) 2008-07-16 2012-11-13 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
WO2010009297A3 (en) * 2008-07-16 2011-02-24 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a doping layer mask
US8183081B2 (en) 2008-07-16 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Hybrid heterojunction solar cell fabrication using a metal layer mask
US8673679B2 (en) 2008-12-10 2014-03-18 Applied Materials Italia S.R.L. Enhanced vision system for screen printing pattern alignment
WO2010110106A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 シャープ株式会社 Method of producing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element
US8361836B2 (en) 2009-03-27 2013-01-29 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing photoelectric conversion element and photoelectric conversion element
JP2010232530A (en) * 2009-03-27 2010-10-14 Sharp Corp Method of manufacturing photoelectric conversion element, and photoelectric conversion element
JP6058212B2 (en) * 2014-04-16 2017-01-11 三菱電機株式会社 Solar cell and method for manufacturing solar cell
JP2017519354A (en) * 2014-04-30 2017-07-13 １３６６ テクノロジーズ インク． Method and apparatus for manufacturing thin semiconductor wafer having local control region thicker than other regions, and the wafer
KR20200143530A (en) * 2014-04-30 2020-12-23 1366 테크놀로지 인코포레이티드 Methods and apparati for making thin semi-conductor wafers with locally controlled regions that are relatively thicker than other regions and such wafers
JP7025580B1 (en) * 2020-11-23 2022-02-24 ジョジアン ジンコ ソーラー カンパニー リミテッド Selective Emitter Solar Cell and Its Manufacturing Method
US11450783B2 (en) 2020-11-23 2022-09-20 Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. Selective emitter solar cell and method for preparing same

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