JPH11274050A - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置およびデバイス製造方法Info
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- JPH11274050A JPH11274050A JP10077345A JP7734598A JPH11274050A JP H11274050 A JPH11274050 A JP H11274050A JP 10077345 A JP10077345 A JP 10077345A JP 7734598 A JP7734598 A JP 7734598A JP H11274050 A JPH11274050 A JP H11274050A
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- exposure
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短波長の露光ビーム照射によるオゾンの発生
に伴う部品劣化の問題を解決し耐久性の高い露光装置を
提供する。 【解決手段】 ＡｒＦエキシマレーザなどの波長が２５
０ｎｍ以下の露光ビームを用いてマスク上のパターンを
基板上に投影露光する露光装置であって、該露光装置内
部に空調気体を循環させる空調手段を備え、循環する気
体中のオゾンを除去する除去手段とオゾンを検出する検
出手段の少なくとも一方を設ける。除去手段は活性炭素
などを用いてオゾンを酸素に変換する変換器を備える。
に伴う部品劣化の問題を解決し耐久性の高い露光装置を
提供する。 【解決手段】 ＡｒＦエキシマレーザなどの波長が２５
０ｎｍ以下の露光ビームを用いてマスク上のパターンを
基板上に投影露光する露光装置であって、該露光装置内
部に空調気体を循環させる空調手段を備え、循環する気
体中のオゾンを除去する除去手段とオゾンを検出する検
出手段の少なくとも一方を設ける。除去手段は活性炭素
などを用いてオゾンを酸素に変換する変換器を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエキシマレーザ等の
紫外線を露光ビームとして用いる露光装置、さらには該
露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
紫外線を露光ビームとして用いる露光装置、さらには該
露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造を目的とする投影
露光装置では、各種の波長帯域の光を露光ビームとして
基板上に照射している。露光ビームにはｅ線（波長λ＝
５４６ｎｍ）、ｇ線（λ＝４３６ｎｍ）、ｈ線（λ＝４
０５ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマ
レーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（λ
＝１９３ｎｍ）、あるいはＸ線などが用いられている。
露光装置では、各種の波長帯域の光を露光ビームとして
基板上に照射している。露光ビームにはｅ線（波長λ＝
５４６ｎｍ）、ｇ線（λ＝４３６ｎｍ）、ｈ線（λ＝４
０５ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマ
レーザ（λ＝２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（λ
＝１９３ｎｍ）、あるいはＸ線などが用いられている。
【０００３】光源から放射された露光ビームは、マスク
（レチクルとも称される）を照明する照明光学系及びマ
スクに形成された微細パターンを半導体ウエハ基板など
の基板上に結像させる投影光学系（投影レンズ）により
前記微細パターンを感光基板上に露光転写している。上
記のような従来の露光装置において、パターン線幅の微
細化に伴い、スループット及び解像度の向上が要求され
るようになり、これに伴って露光ビームとしてはますま
すハイパワーなものが要求されると同時に、露光ビーム
の波長帯域の短波長化が進んでいる。
（レチクルとも称される）を照明する照明光学系及びマ
スクに形成された微細パターンを半導体ウエハ基板など
の基板上に結像させる投影光学系（投影レンズ）により
前記微細パターンを感光基板上に露光転写している。上
記のような従来の露光装置において、パターン線幅の微
細化に伴い、スループット及び解像度の向上が要求され
るようになり、これに伴って露光ビームとしてはますま
すハイパワーなものが要求されると同時に、露光ビーム
の波長帯域の短波長化が進んでいる。
【０００４】しかし、ｉ線あるいはさらに短波長の露光
ビームを用いた場合は、短波長化により露光ビームが空
気中の不純物を酸素と光化学反応させることが知られて
おり、かかる反応による生成物（曇り物質）が光学系の
光学素子（レンズやミラー）に付着し、不透明な「曇
り」が生じるという不都合があった。
ビームを用いた場合は、短波長化により露光ビームが空
気中の不純物を酸素と光化学反応させることが知られて
おり、かかる反応による生成物（曇り物質）が光学系の
光学素子（レンズやミラー）に付着し、不透明な「曇
り」が生じるという不都合があった。
【０００５】この曇り物質としては、例えば亜硫酸ＳＯ
2が光のエネルギを吸収し励起状態となると、空気中の
酸素と反応（酸化）することによって生じる硫酸アンモ
ニウム（NＨ4）2ＳＯ4が代表的に挙げられる。この硫酸
アンモニウムは白色を帯びており、レンズやミラー等の
光学部材の表面に付着すると前記「曇り」状態となる。
そして、露光ビームは硫酸アンモニウムで散乱や吸収さ
れる結果、前記光学系の透過率が減少するため、感光基
板に到達するまでの光量（透過率）低下が大きくなって
スループットの低下を招くおそれがある。
2が光のエネルギを吸収し励起状態となると、空気中の
酸素と反応（酸化）することによって生じる硫酸アンモ
ニウム（NＨ4）2ＳＯ4が代表的に挙げられる。この硫酸
アンモニウムは白色を帯びており、レンズやミラー等の
光学部材の表面に付着すると前記「曇り」状態となる。
そして、露光ビームは硫酸アンモニウムで散乱や吸収さ
れる結果、前記光学系の透過率が減少するため、感光基
板に到達するまでの光量（透過率）低下が大きくなって
スループットの低下を招くおそれがある。
【０００６】この問題に対して、例えば特開平６−２１
６０００号公報に開示される装置では、密閉構造の筐体
にレンズ等のガラス部材の配置された鏡筒を配置して、
筐体の内部に不活性ガスを充填することで上記問題の解
決にあたっている。
６０００号公報に開示される装置では、密閉構造の筐体
にレンズ等のガラス部材の配置された鏡筒を配置して、
筐体の内部に不活性ガスを充填することで上記問題の解
決にあたっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】レーザ光源からマスク
を照明するための照明光学系、及びマスクのパターンを
縮小投影する投影光学系に関しては、レンズ等の光学部
品を密閉性の高い容器で包囲し、その内部を不活性ガス
でパージすることは比較的容易に実現できる。ところ
が、マスクや基板など、特に基板はしばしば交換しなけ
ればならないため、スループットの点から密閉された不
活性ガスパージ空間に基板を置くことが難しい。従っ
て、基板周りの空間には空気が存在することは避けられ
ず、空気中の酸素（Ｏ2）が露光ビームを吸収すること
でオゾン（Ｏ3）が発生する。
を照明するための照明光学系、及びマスクのパターンを
縮小投影する投影光学系に関しては、レンズ等の光学部
品を密閉性の高い容器で包囲し、その内部を不活性ガス
でパージすることは比較的容易に実現できる。ところ
が、マスクや基板など、特に基板はしばしば交換しなけ
ればならないため、スループットの点から密閉された不
活性ガスパージ空間に基板を置くことが難しい。従っ
て、基板周りの空間には空気が存在することは避けられ
ず、空気中の酸素（Ｏ2）が露光ビームを吸収すること
でオゾン（Ｏ3）が発生する。
【０００８】一般に装置本体の温度制御系は、空調気体
の全てを装置外に排気するのではなく一部を循環させる
構成となっているため、露光により逐次発生するオゾン
は温度制御系内に常に残存し、装置内でのオゾン濃度が
徐々に増加し続けることになる。その結果、装置に使用
している部品表面がオゾンによって腐食が進み機能劣化
の原因となる。また、高オゾン濃度の環境は人体にとっ
ても好ましくない。
の全てを装置外に排気するのではなく一部を循環させる
構成となっているため、露光により逐次発生するオゾン
は温度制御系内に常に残存し、装置内でのオゾン濃度が
徐々に増加し続けることになる。その結果、装置に使用
している部品表面がオゾンによって腐食が進み機能劣化
の原因となる。また、高オゾン濃度の環境は人体にとっ
ても好ましくない。
【０００９】波長が２５０ｎｍ以下のエキシマレーザ等
の遠紫外線、とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡ
ｒＦエキシマレーザにおいては、上記波長付近の帯域に
は酸素（Ｏ2）の吸収帯が複数存在しており、酸素が上
記光を吸収することによりオゾン（Ｏ3）が生成される
ため、波長が２５０ｎｍ以下という限られた波長帯にお
いて上記問題はより顕著なものとなる。
の遠紫外線、とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡ
ｒＦエキシマレーザにおいては、上記波長付近の帯域に
は酸素（Ｏ2）の吸収帯が複数存在しており、酸素が上
記光を吸収することによりオゾン（Ｏ3）が生成される
ため、波長が２５０ｎｍ以下という限られた波長帯にお
いて上記問題はより顕著なものとなる。
【００１０】本発明は上記従来例の装置が有する課題を
解決すべくなされたもので、２５０ｎｍという波長域に
おいて顕著になるオゾンの発生に伴う部品劣化の問題の
解決し耐久性の高い露光装置を提供することを主目的と
する。さらには該露光装置を用いたデバイス製造方法を
提供することを目的とする。
解決すべくなされたもので、２５０ｎｍという波長域に
おいて顕著になるオゾンの発生に伴う部品劣化の問題の
解決し耐久性の高い露光装置を提供することを主目的と
する。さらには該露光装置を用いたデバイス製造方法を
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の好ましい形態は、波長が２５０ｎｍ以下の露光ビー
ムを用いてマスク上のパターンを基板上に投影露光する
露光装置において、該露光装置内部に空調気体を循環さ
せる空調手段を備え、循環する気体中のオゾンを除去す
る除去手段とオゾンを検出する検出手段の少なくとも一
方を設けたことを特徴とするものである。
明の好ましい形態は、波長が２５０ｎｍ以下の露光ビー
ムを用いてマスク上のパターンを基板上に投影露光する
露光装置において、該露光装置内部に空調気体を循環さ
せる空調手段を備え、循環する気体中のオゾンを除去す
る除去手段とオゾンを検出する検出手段の少なくとも一
方を設けたことを特徴とするものである。
【００１２】本発明の別の形態は、上記露光装置を用意
する工程と、該露光装置を用いて基板にパターンを転写
する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法で
ある。より好ましくは、ここで露光前に基板にレジスト
を塗布する工程と、露光後にレジストを現像する工程を
さらに有する。
する工程と、該露光装置を用いて基板にパターンを転写
する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法で
ある。より好ましくは、ここで露光前に基板にレジスト
を塗布する工程と、露光後にレジストを現像する工程を
さらに有する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態について詳細に説明する。
形態について詳細に説明する。
【００１４】図１は投影露光装置の実施形態の全体構成
図である。図中、露光装置の光源となるレーザ装置１は
露光装置とは別に設置されている。レーザ装置１は波長
２５０ｎｍ以下の波長域の遠紫外光を生成するエキシマ
レーザ装置で、本実施例では１９３ｎｍ付近の発振波長
を有するＡｒＦエキシマレーザを用いるが、ほかに２４
８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ、
あるいはさらに波長の短いＥＵＶ、軟Ｘ線などの光源と
しても良い。
図である。図中、露光装置の光源となるレーザ装置１は
露光装置とは別に設置されている。レーザ装置１は波長
２５０ｎｍ以下の波長域の遠紫外光を生成するエキシマ
レーザ装置で、本実施例では１９３ｎｍ付近の発振波長
を有するＡｒＦエキシマレーザを用いるが、ほかに２４
８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ、
あるいはさらに波長の短いＥＵＶ、軟Ｘ線などの光源と
しても良い。
【００１５】レーザ装置１から射出したレーザビーム
は、ミラー２、３を介して露光装置本体に導入される。
ミラー２、３を含む光路周辺は遮光管４により外気との
通気が遮断された密封構造となっている。導入されたレ
ーザビームは照明光学系５に導かれ、内存する複数のミ
ラー及び不図示の光学素子を介してマスク７（レチクル
と称されることもある）の所定領域を均一に照明する。
照明光学系の出口には最終レンズ６が設けられ、レーザ
装置１の射出部から最終レンズ６までの光路は外気との
通気が遮断された一体の密封構造を形成し、後述するよ
うに不活性ガスで満たされている。
は、ミラー２、３を介して露光装置本体に導入される。
ミラー２、３を含む光路周辺は遮光管４により外気との
通気が遮断された密封構造となっている。導入されたレ
ーザビームは照明光学系５に導かれ、内存する複数のミ
ラー及び不図示の光学素子を介してマスク７（レチクル
と称されることもある）の所定領域を均一に照明する。
照明光学系の出口には最終レンズ６が設けられ、レーザ
装置１の射出部から最終レンズ６までの光路は外気との
通気が遮断された一体の密封構造を形成し、後述するよ
うに不活性ガスで満たされている。
【００１６】マスク７はマスクホルダ８に載置されてマ
スクステージにより位置決めされる。マスク７ならびに
マスクホルダ８の周囲は密封筐体９で包囲されており、
さらにマスク交換手段１１も密封筐体１２に包囲されて
いる。また、複数種類のマスクを蓄積して収納するため
にマスクライブラリ１３が設けられ、マスク交換手段１
１によって、マスクライブラリから取出されたマスクを
マスクホルダ８によって露光位置に供給する。２つの密
封筐体９と密封筐体１２の間は、気密性の高い扉を含む
開閉手段１０で仕切られている。同様に密封筐体１２と
ライブラリ１３との間も開閉手段１４が設けられてい
る。
スクステージにより位置決めされる。マスク７ならびに
マスクホルダ８の周囲は密封筐体９で包囲されており、
さらにマスク交換手段１１も密封筐体１２に包囲されて
いる。また、複数種類のマスクを蓄積して収納するため
にマスクライブラリ１３が設けられ、マスク交換手段１
１によって、マスクライブラリから取出されたマスクを
マスクホルダ８によって露光位置に供給する。２つの密
封筐体９と密封筐体１２の間は、気密性の高い扉を含む
開閉手段１０で仕切られている。同様に密封筐体１２と
ライブラリ１３との間も開閉手段１４が設けられてい
る。
【００１７】投影光学系はレンズ群１５を含み、マスク
７の回路パターンを感光剤が塗布された基板（半導体ウ
エハ）１７に所定の倍率で縮小投影する。投影光学系の
レンズ群１５は密封筐体１６内に収められ、不活性ガス
によって気密に封止されている。
７の回路パターンを感光剤が塗布された基板（半導体ウ
エハ）１７に所定の倍率で縮小投影する。投影光学系の
レンズ群１５は密封筐体１６内に収められ、不活性ガス
によって気密に封止されている。
【００１８】基板１７はチャック１８に真空吸着によっ
て保持され、チャック１８はこれを位置決めするための
基板ステージ１９に載置される。チャック１８で保持さ
れる基板１７の位置を計測するためにレーザ干渉計２
０、アライメント光学系２１を設けている。基板１７の
交換は基板交換手段２２によって行ない、複数の基板を
収納する基板収納器２３内の基板とチャック１８上の基
板とを交換する。
て保持され、チャック１８はこれを位置決めするための
基板ステージ１９に載置される。チャック１８で保持さ
れる基板１７の位置を計測するためにレーザ干渉計２
０、アライメント光学系２１を設けている。基板１７の
交換は基板交換手段２２によって行ない、複数の基板を
収納する基板収納器２３内の基板とチャック１８上の基
板とを交換する。
【００１９】また、基板収納器２３を外部から交換する
ために、露光装置本体の露光室側に扉４２が設けられて
いる。扉４２は交換の際に開閉可能であるが、インター
ロック機構４３により、露光中は安全のため開放不能に
している。同様にマスクライブラリ１３内のマスクを交
換するために扉４４が設けられているが、これもインタ
ーロック機構４５により、露光中は安全のため開放不能
にしている。
ために、露光装置本体の露光室側に扉４２が設けられて
いる。扉４２は交換の際に開閉可能であるが、インター
ロック機構４３により、露光中は安全のため開放不能に
している。同様にマスクライブラリ１３内のマスクを交
換するために扉４４が設けられているが、これもインタ
ーロック機構４５により、露光中は安全のため開放不能
にしている。
【００２０】不活性ガス供給手段２４はガスタンクやポ
ンプを備え、例えば不活性ガスである窒素（Ｎ2）を所
定のタイミングで所定量供給する。排気手段２５は不活
性ガスでのパージ空間内の気体を排気するためのもので
ある。
ンプを備え、例えば不活性ガスである窒素（Ｎ2）を所
定のタイミングで所定量供給する。排気手段２５は不活
性ガスでのパージ空間内の気体を排気するためのもので
ある。
【００２１】不活性ガス供給手段２４から供給される不
活性ガスは４系統に分配されるが、以下にその経路を説
明する。１つ目は、配管系２６を経由してレーザ装置１
射出近傍から遮光管４内に供給される。ガスは遮光管４
及び照明系５の光路に沿って流れ、最終レンズ６近傍か
ら配管系２７を経由して排気手段２５に排出される。２
つ目は、配管系２８を経由してマスクの密封筐体９内に
供給され、配管系２９を経由して排気手段２５に排出さ
れる。３つ目は、配管系３０を経由して密封筐体１６内
の一端に供給され、内部の投影光学系レンズ群１５の間
を順次通過し、他端に接続された配管系３１を経由して
排気手段２５に排出される。４つ目は、配管系３２を経
由して密封筐体１２内に供給され、配管系３３を経由し
て排気手段２５に排出される。
活性ガスは４系統に分配されるが、以下にその経路を説
明する。１つ目は、配管系２６を経由してレーザ装置１
射出近傍から遮光管４内に供給される。ガスは遮光管４
及び照明系５の光路に沿って流れ、最終レンズ６近傍か
ら配管系２７を経由して排気手段２５に排出される。２
つ目は、配管系２８を経由してマスクの密封筐体９内に
供給され、配管系２９を経由して排気手段２５に排出さ
れる。３つ目は、配管系３０を経由して密封筐体１６内
の一端に供給され、内部の投影光学系レンズ群１５の間
を順次通過し、他端に接続された配管系３１を経由して
排気手段２５に排出される。４つ目は、配管系３２を経
由して密封筐体１２内に供給され、配管系３３を経由し
て排気手段２５に排出される。
【００２２】次に本実施例の特徴である、露光装置本体
の空調システムについて説明する。露光装置本体には外
気を取り入れるための外気取入口３４が設けられてい
る。また露光室から空調室への入り口には、オゾン（Ｏ
3）を酸素（Ｏ2）に変換するためのオゾン変換器が配置
されている。オゾン変換器３５は例えば活性炭素などを
用いた化学反応による変換原理によってオゾンを酸素に
変換してオゾンを除去するものである。後述するように
オゾン変換器３５の変換能力は可変になっており、オゾ
ン濃度が高まった場合に除去能力を向上させている。
の空調システムについて説明する。露光装置本体には外
気を取り入れるための外気取入口３４が設けられてい
る。また露光室から空調室への入り口には、オゾン（Ｏ
3）を酸素（Ｏ2）に変換するためのオゾン変換器が配置
されている。オゾン変換器３５は例えば活性炭素などを
用いた化学反応による変換原理によってオゾンを酸素に
変換してオゾンを除去するものである。後述するように
オゾン変換器３５の変換能力は可変になっており、オゾ
ン濃度が高まった場合に除去能力を向上させている。
【００２３】空調気体の流れはファン３９の稼動によっ
て生成され、前述のオゾン変換手段３５を経て露光室か
ら取り入れる気体の循環と外気取り入れ口３４からの吸
気を行なっている。冷凍器３７及びヒータ３８は、温度
モニタ４１の温度計測に基づいて制御手段３６コントロ
ールされており、微粒子や化学物質をろ過するフィルタ
４０を介して露光室に噴き出す気体温度を一定に保って
いる。
て生成され、前述のオゾン変換手段３５を経て露光室か
ら取り入れる気体の循環と外気取り入れ口３４からの吸
気を行なっている。冷凍器３７及びヒータ３８は、温度
モニタ４１の温度計測に基づいて制御手段３６コントロ
ールされており、微粒子や化学物質をろ過するフィルタ
４０を介して露光室に噴き出す気体温度を一定に保って
いる。
【００２４】露光室内には３箇所にオゾン濃度測定器４
７、４８、４９が設けられて、各位置でのオゾン濃度の
測定を可能としている。制御手段４６は各オゾン濃度測
定器４７〜４９の計測結果と露光動作シーケンスとに基
づいて、前記２つの扉のインターロック４３及び４５の
開閉動作を制御する。また、制御手段４６にはオゾン濃
度表示器５０が接続され、装置内部のオゾン濃度を常時
表示するか又は必要に応じて表示し作業者に知らせるよ
うになっている。さらに制御手段４６は、オゾン濃度測
定器４７、４８、４９の少なくとも１つのオゾン濃度が
高まっていることが判断されたら、オゾン変換器３５の
変換能力を向上させるように制御する。
７、４８、４９が設けられて、各位置でのオゾン濃度の
測定を可能としている。制御手段４６は各オゾン濃度測
定器４７〜４９の計測結果と露光動作シーケンスとに基
づいて、前記２つの扉のインターロック４３及び４５の
開閉動作を制御する。また、制御手段４６にはオゾン濃
度表示器５０が接続され、装置内部のオゾン濃度を常時
表示するか又は必要に応じて表示し作業者に知らせるよ
うになっている。さらに制御手段４６は、オゾン濃度測
定器４７、４８、４９の少なくとも１つのオゾン濃度が
高まっていることが判断されたら、オゾン変換器３５の
変換能力を向上させるように制御する。
【００２５】本実施例では、露光動作中でなくて且つオ
ゾン濃度が所定量以下である場合のみに、インターロッ
ク４３、４５を解除して扉４２、４４を開放可能とする
安全機構を設けている。このためシーケンス途中あるい
はオゾン濃度が所定量以上であった場合にはインターロ
ックが作動して装置内へのアクセスは禁止され安全性を
高めている。オゾンの発生は露光時だけなので、露光動
作後には空調システムの循環系により次第にオゾン濃度
は低下し、所定量以下になった時点でインターロックが
解除され、装置内へのアクセス可能な状態になる。
ゾン濃度が所定量以下である場合のみに、インターロッ
ク４３、４５を解除して扉４２、４４を開放可能とする
安全機構を設けている。このためシーケンス途中あるい
はオゾン濃度が所定量以上であった場合にはインターロ
ックが作動して装置内へのアクセスは禁止され安全性を
高めている。オゾンの発生は露光時だけなので、露光動
作後には空調システムの循環系により次第にオゾン濃度
は低下し、所定量以下になった時点でインターロックが
解除され、装置内へのアクセス可能な状態になる。
【００２６】これにより露光中、特に基板１７近傍の光
路から発生するオゾン、あるいは開閉手段１４を連通状
態にした際に放出されるオゾンは、オゾン変換手段３５
により酸素に変換されて、露光装置内から除去されるた
め、装置内部の気体循環経路中に滞留することがない。
路から発生するオゾン、あるいは開閉手段１４を連通状
態にした際に放出されるオゾンは、オゾン変換手段３５
により酸素に変換されて、露光装置内から除去されるた
め、装置内部の気体循環経路中に滞留することがない。
【００２７】次に、上記実施例の変形例を図２を用いて
説明する。先の図１と同一の符号は同一の部材を表わす
ので、詳細な説明は省略する。先の実施例との相違は、
オゾン変換器３５を冷凍器３７の直前に配置した点であ
る。このため。外気取り入れ口３４と空調気体リターン
口５１双方からの気体がオゾン変換器３５を通過してオ
ゾンが除去される。半導体製造工場で露光装置が設置さ
れるクリーンルームの雰囲気にも、若干のオゾンが含ま
れている場合もあるため、導入されれ循環される気体中
のオゾンを極力排除する構成となっている。
説明する。先の図１と同一の符号は同一の部材を表わす
ので、詳細な説明は省略する。先の実施例との相違は、
オゾン変換器３５を冷凍器３７の直前に配置した点であ
る。このため。外気取り入れ口３４と空調気体リターン
口５１双方からの気体がオゾン変換器３５を通過してオ
ゾンが除去される。半導体製造工場で露光装置が設置さ
れるクリーンルームの雰囲気にも、若干のオゾンが含ま
れている場合もあるため、導入されれ循環される気体中
のオゾンを極力排除する構成となっている。
【００２８】なお、オゾン変換器３５を設置する場所は
上記実施例以外にも空調システムの気体循環系内の任意
の位置に設置可能である。また、オゾン変換器３５の数
は１つに限らず複数箇所に設けるようにしても良い。
上記実施例以外にも空調システムの気体循環系内の任意
の位置に設置可能である。また、オゾン変換器３５の数
は１つに限らず複数箇所に設けるようにしても良い。
【００２９】以上説明したように、露光ビームの照射に
より発生するオゾンを酸素に変換して露光装置内からオ
ゾンを除去するようにしたので、装置に使用している部
品の劣化を防止し、耐久性の高い露光装置を提供するこ
とが出来る。また、オゾンを検出して、インターロック
を作動させたり作業者に表示することで、作業者の安全
性が高まる。
より発生するオゾンを酸素に変換して露光装置内からオ
ゾンを除去するようにしたので、装置に使用している部
品の劣化を防止し、耐久性の高い露光装置を提供するこ
とが出来る。また、オゾンを検出して、インターロック
を作動させたり作業者に表示することで、作業者の安全
性が高まる。
【００３０】次に上記説明したいずれかの露光装置を利
用したデバイス製造方法の例を説明する。図３は微小デ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、
ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスの
パターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３（基板製造）ではシリコンやガラス等の材料
を用いて基板を製造する。ステップ４（基板プロセス）
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと基板を用い
て、リソグラフィ技術によって基板上に実際の回路を形
成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製された基板を用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
用したデバイス製造方法の例を説明する。図３は微小デ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、
ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスの
パターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、
ステップ３（基板製造）ではシリコンやガラス等の材料
を用いて基板を製造する。ステップ４（基板プロセス）
は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクと基板を用い
て、リソグラフィ技術によって基板上に実際の回路を形
成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製された基板を用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３１】図４は上記基板プロセスの詳細なフローを
示す。ステップ１１（酸化）では基板の表面を酸化させ
る。ステップ１２（ＣＶＤ）では基板表面に絶縁膜を形
成する。ステップ１３（電極形成）では基板上に電極を
蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）
では基板にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト
処理）では基板にレジストを塗布する。ステップ１６
（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回
路パターンを基板の複数のショット領域に並べて焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光した基板を現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、基板上に多重に回路パターンが形成される。本実施
例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精
度デバイスを高い生産性すなわち低コストで製造するこ
とができる。
示す。ステップ１１（酸化）では基板の表面を酸化させ
る。ステップ１２（ＣＶＤ）では基板表面に絶縁膜を形
成する。ステップ１３（電極形成）では基板上に電極を
蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）
では基板にイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト
処理）では基板にレジストを塗布する。ステップ１６
（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回
路パターンを基板の複数のショット領域に並べて焼付露
光する。ステップ１７（現像）では露光した基板を現像
する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジス
ト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥
離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、基板上に多重に回路パターンが形成される。本実施
例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高精
度デバイスを高い生産性すなわち低コストで製造するこ
とができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の露光装置に
よれば、露光ビームの照射により発生するオゾンを除去
するようにすれば、装置に使用している部品の劣化を防
止し耐久性の高い露光装置を提供することが出来る。ま
た、オゾンを検出するようにすれば装置安全性を高める
ことができる。波長が２５０ｎｍ以下の露光ビームにお
いては特にオゾンの生成が大きいため、波長が２５０ｎ
ｍ以下の波長帯において、特にＡｒＦエキシマレーザを
使用した際に上記効果は極めて顕著なものとなる。
よれば、露光ビームの照射により発生するオゾンを除去
するようにすれば、装置に使用している部品の劣化を防
止し耐久性の高い露光装置を提供することが出来る。ま
た、オゾンを検出するようにすれば装置安全性を高める
ことができる。波長が２５０ｎｍ以下の露光ビームにお
いては特にオゾンの生成が大きいため、波長が２５０ｎ
ｍ以下の波長帯において、特にＡｒＦエキシマレーザを
使用した際に上記効果は極めて顕著なものとなる。
【００３３】このような露光装置を用いれば、従来以上
に高精度なデバイスを低コストに製造することが可能と
なる。
に高精度なデバイスを低コストに製造することが可能と
なる。
【図１】投影露光装置の実施形態の全体構成図である。
【図２】図１の実施例の変形例の構成図である。
【図３】半導体デバイスの製造フローを示す図である。
【図４】基板プロセスの詳細なフローを示す図である。
１ エキシマレーザ装置 ５ 照明光学系 ７ マスク １５ 投影光学系レンズ群 １７ 基板 ３５ オゾン変換器 ３６ 制御手段 ３９ ファン ４０ フィルタ ４２、４４ 扉 ４３、４５ インターロック機構 ４７、４８、４９ オゾン濃度測定器 ４６ 制御手段 ５０ 表示器
Claims (10)
- 【請求項１】 波長が２５０ｎｍ以下の露光ビームを用
いてマスク上のパターンを基板上に投影露光する露光装
置において、該露光装置内部に空調気体を循環させる空
調手段を備え、循環する気体中のオゾンを除去する除去
手段とオゾンを検出する検出手段の少なくとも一方を設
けたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記除去手段はオゾンを酸素に変換する
変換器を備えることを特徴とする請求項１記載の露光装
置。 - 【請求項３】 前記変換器は活性炭素を用いてオゾンを
酸素に変換するものであることを特徴とする請求項２記
載の露光装置。 - 【請求項４】 前記検出手段によって検出されたオゾン
の濃度に基づいて露光装置の扉の開放を不可能にするイ
ンターロック機構を設けたことを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか記載の露光装置。 - 【請求項５】 前記検出手段によって検出されたオゾン
の濃度情報を表示する表示手段を設けたことを特徴とす
る請求項１乃至４のいずれか記載の露光装置。 - 【請求項６】 前記検出手段の検出に基づいて前記除去
手段の能力を可変にする手段を有することを特徴とする
請求項１乃至５のいずれか記載の露光装置。 - 【請求項７】 露光ビームはエキシマレーザであること
を特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の露光装
置。 - 【請求項８】 露光ビームはＡｒＦエキシマレーザであ
ることを特徴とする請求項７記載の露光装置。 - 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか記載の露光装
置を用意する工程と、該露光装置を用いて基板にパター
ンを転写する工程を有することを特徴とするデバイス製
造方法。 - 【請求項１０】 露光前に基板にレジストを塗布する工
程と、露光後にレジストを現像する工程をさらに有する
ことを特徴とする請求項９記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077345A JPH11274050A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US09/274,112 US6590631B2 (en) | 1998-03-25 | 1999-03-23 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| US10/407,236 US6762822B2 (en) | 1998-03-25 | 2003-04-07 | Exposure apparatus and manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077345A JPH11274050A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274050A true JPH11274050A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13631340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10077345A Withdrawn JPH11274050A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6590631B2 (ja) |
| JP (1) | JPH11274050A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000055891A1 (fr) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Nikon Corporation | Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| KR100463237B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2004-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 감광막패턴의 형성 방법 |
| JP2007142020A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Canon Inc | 露光装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274050A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2004006690A (ja) * | 2002-02-01 | 2004-01-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999671A (en) * | 1986-07-11 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle conveying device |
| US5166530A (en) * | 1991-12-20 | 1992-11-24 | General Signal Corporation | Illuminator for microlithographic integrated circuit manufacture |
| US5430303A (en) * | 1992-07-01 | 1995-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP3031790B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2000-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP3084332B2 (ja) | 1993-01-19 | 2000-09-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JP3412193B2 (ja) * | 1993-06-29 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
| BE1007907A3 (nl) * | 1993-12-24 | 1995-11-14 | Asm Lithography Bv | Lenzenstelsel met in gasgevulde houder aangebrachte lenselementen en fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijk stelsel. |
| KR970067591A (ko) * | 1996-03-04 | 1997-10-13 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
| JP3218425B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
| JPH09270385A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corp | 露光装置の環境制御装置 |
| JPH1055944A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Toshiba Corp | パターン転写装置 |
| JP3571471B2 (ja) * | 1996-09-03 | 2004-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム |
| US5980187A (en) * | 1997-04-16 | 1999-11-09 | Kla-Tencor Corporation | Mechanism for transporting semiconductor-process masks |
| JPH11204396A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Canon Inc | 半導体製造システムおよびデバイス製造方法 |
| JPH11274050A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP10077345A patent/JPH11274050A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-03-23 US US09/274,112 patent/US6590631B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-07 US US10/407,236 patent/US6762822B2/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2000055891A1 (fr) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Nikon Corporation | Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif |
| US6842221B1 (en) | 1999-03-12 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
| KR100463237B1 (ko) * | 2000-06-28 | 2004-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 감광막패턴의 형성 방법 |
| JP2007142020A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Canon Inc | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020145710A1 (en) | 2002-10-10 |
| US20030169408A1 (en) | 2003-09-11 |
| US6590631B2 (en) | 2003-07-08 |
| US6762822B2 (en) | 2004-07-13 |
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