JPH11271546A - 光送受信デバイス - Google Patents

光送受信デバイス

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JPH11271546A
JPH11271546A JP10072770A JP7277098A JPH11271546A JP H11271546 A JPH11271546 A JP H11271546A JP 10072770 A JP10072770 A JP 10072770A JP 7277098 A JP7277098 A JP 7277098A JP H11271546 A JPH11271546 A JP H11271546A
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JP
Japan
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substrate
conductive
optical
light
emitting element
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10072770A
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English (en)
Inventor
Koji Terada
浩二 寺田
Takeshi Yamamoto
毅 山本
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH11271546A publication Critical patent/JPH11271546A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の課題は、同一基板上にハイブリッド
実装された発光素子と受光素子の間の漏話を低減可能な
光送受信デバイスを提供することである。 【解決手段】 光送受信デバイスであって、基板上に発
光素子と受光素子がハイブリッド実装されている。発光
素子と受光素子の間の基板上には導電性樹脂が塗布され
ており、この導電性樹脂は電位一定の電極に接続されて
いる。発光素子と受光素子の間に導電性樹脂を設けたこ
とにより、発光素子と受光素子の間の漏話を低減するこ
とができる。この構成に代えて、発光素子又は受光素子
を導電性樹脂で覆うようにしてもよい。この場合には、
発光素子と光導波路との光結合部及び受光素子と光導波
路との光結合部をまず透明絶縁性樹脂で覆ってから、そ
の上に導電性樹脂を適用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は同一基板上に発光素
子と受光素子とを実装した光送受信デバイスに関する。
【０００２】近年、加入者系の光化に向けた光デバイス
の開発が活発に進められている。ＳＴＭ−ＰＯＮ（シン
クロナス・トランスファー・モード−パッシブ・オプテ
ィカル・ネットワーク）及びＡＴＭ−ＰＯＮ（アシンク
ロナス・トランスファー・モード−パッシブ・オプティ
カル・ネットワーク）などの波長分割多重技術を用いた
双方向光加入者系システムの開発が進められており、波
長フィルタを含めた光デバイスの低価格化が極めて重要
な課題となっている。
【０００３】このような双方向光加入者系システムを実
現するためには、部品数の少ないコンパクトな光デバイ
スが必要であり、発光素子、受光素子及び波長フィルタ
等を１つの基板上にハイブリッド実装したデバイス形態
が期待されている。
【０００４】ＡＴＭ−ＰＯＮのように送信部と受信部が
非同期で動作するシステムでは、光モジュール内の送信
部から受信部への漏話が十分小さいことが必要であり、
本発明は発光素子及び受光素子がハイブリッド実装され
た光送受信デバイスにおいて、送信及び受信間の漏話を
抑制する構造を提供するものである。
【０００５】
【従来の技術】近年、プレーナ・ライトウェイブ・サー
キット・プラットフォーム（ＰＬＣプラットフォーム）
と呼ばれる導波路付基板上に発光素子、受光素子及び波
長選択フィルタをハイブリッド実装した小型の光送受信
デバイスが開発されている。
【０００６】しかし、この光送受信デバイスは送信時間
と受信時間とを時分割したタイム・コンプレッション・
マルチプレキシング（ＴＣＭ）伝送系への適用に止まっ
ている。その理由は、送信部から受信部へのクロストー
クの抑制が困難な点にある。
【０００７】送信部では発光素子を駆動するために数１
０ｍＡの電流が流れるのに対し、受信部ではμＡオーダ
ーかそれ以下の小さな受信電流が流れる。このため、送
信部からの漏話によって受信部に流れる電流は１０ｎＡ
オーダーであることが求められる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＰＬＣモジュー
ルは同一基板上に送信部及び受信部が集積された小型な
モジュールであるため、送信部と受信部の間にシールド
が形成されていない。故に、送信受信配線間の浮遊容量
等のために十分に小さな漏話を実現することが困難であ
った。
【０００９】ＡＴＭ−ＰＯＮ向けの光デバイスの小型化
を実現するためには、発光素子、受光素子及び波長選択
フィルタを同一基板上にハイブリッド実装すると共に、
送信受信間の漏話を低減することが必要である。
【００１０】よって、本発明の目的は、同一基板上にハ
イブリッド実装された発光素子と受光素子の間の漏話を
低減することが可能な光送受信デバイスを提供すること
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によると、光送受
信デバイスであって、基板と；該基板上に形成された絶
縁層と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第１
及び第２導体パターンと；前記絶縁層上に互いに隣接し
て形成された第３及び第４導体パターンと；前記第１導
体パターン上に実装された発光素子と；前記発光素子と
前記第２導体パターンを接続する第１ワイヤと；前記第
３導体パターン上に実装された受光素子と；前記受光素
子と前記第４導体パターンを接続する第２ワイヤと；前
記発光素子と前記受光素子の間の前記基板上に塗布され
た導電性樹脂と；前記導電性樹脂に接続された電位一定
の電極と；を具備したことを特徴とする光送受信デバイ
スが提供される。
【００１２】好ましくは、一端が発光素子に光結合する
ように形成された第１光導波路と、一端が受光素子に光
結合するように形成された第２光導波路が設けられてい
る。好ましくは、電極は接地されている。
【００１３】本発明の他の側面によると、光送受信デバ
イスであって、基板と；該基板上に形成された絶縁層
と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第１及び
第２導体パターンと；前記絶縁層上に互いに隣接して形
成された第３及び第４導体パターンと；前記第１導体パ
ターン上に実装された発光素子と；前記発光素子と前記
第２導体パターンを接続する第１ワイヤと；前記第３導
体パターン上に実装された受光素子と；前記受光素子と
前記第４導体パターンを接続する第２ワイヤと；一端が
前記発光素子に光結合するように前記基板上に形成され
た第１光導波路と；一端が前記受光素子に光結合するよ
うに前記基板上に形成された第２光導波路と；前記発光
素子、該発光素子と前記第１光導波路の光結合部及び前
記第１及び第２導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
樹脂と；前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と；前
記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と；を具備し
たことを特徴とする光送受信デバイスが提供される。
【００１４】本発明の更に他の側面によると、光送受信
デバイスであって、基板と；該基板上に形成された絶縁
層と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第１及
び第２導体パターンと；前記絶縁層上に互いに隣接して
形成された第３及び第４導体パターンと；前記第１導体
パターン上に実装された発光素子と；前記発光素子と前
記第２導体パターンを接続する第１ワイヤと；前記第３
導体パターン上に実装された受光素子と；前記受光素子
と前記第４導体パターンを接続する第２ワイヤと；一端
が前記発光素子に光結合するように前記基板上に形成さ
れた第１光導波路と；一端が前記受光素子に光結合する
ように前記基板上に形成された第２光導波路と；前記受
光素子、該受光素子と前記第２光導波路の光結合部及び
前記第３及び第４導体パターンの一部を覆った透明絶縁
性樹脂と；前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と；
前記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と；を具備
したことを特徴とする光送受信デバイスが提供される。
【００１５】本発明の更に他の側面によると、光送受信
デバイスであって、基板と；該基板上に形成された絶縁
層と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第１及
び第２導体パターンと；前記絶縁層上に互いに隣接して
形成された第３及び第４導体パターンと；前記第１導体
パターン上に実装された発光素子と；前記発光素子と前
記第２導体パターンを接続する第１ワイヤと；前記第３
導体パターン上に実装された受光素子と；前記受光素子
と前記第４導体パターンを接続する第２ワイヤと；前記
基板に実質上垂直に実装された波長選択フィルタと；前
記発光素子と前記波長選択フィルタとを光結合する前記
基板上に形成された第１光導波路と；前記受光素子と前
記波長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成さ
れた第２光導波路と；前記第１及び第２光導波路を伝搬
する光を光結合するように、前記波長選択フィルタと光
入出力ポートとの間の前記基板上に形成された第３光導
波路と；前記発光素子、該発光素子と前記第１光導波路
の光結合部及び前記第１及び第２導体パターンの一部を
覆った透明絶縁性樹脂と；前記透明絶縁性樹脂を覆った
導電性樹脂と；前記導電性樹脂に接続された電位一定の
電極と；を具備したことを特徴とする光送受信デバイス
が提供される。
【００１６】好ましくは、基板は導電性基板であり、基
板上に電極が直接形成されている。導電性樹脂は電極を
介して導電性基板に電気的に接続されている。好ましく
は、導電性基板は接地されている。
【００１７】本発明の更に他の側面によると、光送受信
デバイスであって、基板と；該基板上に形成された絶縁
層と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第１及
び第２導体パターンと；前記絶縁層上に互いに隣接して
形成された第３及び第４導体パターンと；前記第１導体
パターン上に実装された発光素子と；前記発光素子と前
記第２導体パターンを接続する第１ワイヤと；前記第３
導体パターン上に実装された受光素子と；前記受光素子
と前記第４導体パターンを接続する第２ワイヤと；前記
基板に実質上垂直に実装された波長選択フィルタと；前
記発光素子と前記波長選択フィルタとを光結合する前記
基板上に形成された第１光導波路と；前記受光素子と前
記波長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成さ
れた第２光導波路と；前記第１及び第２光導波路を伝搬
する光を光結合するように、前記波長選択フィルタと光
入出力ポートとの間の前記基板上に形成された第３光導
波路と；前記受光素子、該受光素子と前記第３光導波路
の光結合部及び前記第３及び第４導体パターンの一部を
覆った透明絶縁性樹脂と；前記透明絶縁性樹脂を覆った
導電性樹脂と；前記導電性樹脂に接続された電位一定の
電極と；を具備したことを特徴とする光送受信デバイス
が提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の数
多くの実施形態について説明する。各実施形態の説明に
おいて、実質的に同一構成部分については同一符号を付
して説明する。
【００１９】図１を参照すると、本発明第１実施形態の
光送受信デバイス２Ａの断面図が示されている。Ｓｉ基
板等の基板４上には絶縁層６が形成されている。基板４
がシリコンから形成される場合には、絶縁層６はＳｉＯ
2 から形成される。
【００２０】絶縁層６の左側には一対の導体パターン
８，１０が形成されており、右側には他の一対の導体パ
ターン１６，１８が形成されている。導体パターン８上
にはレーザダイオード１２が実装されており、レーザダ
イオード１２と導体パターン１０とは金ワイヤ１４でボ
ンディング接続されている。導体パターン１６上にはフ
ォトダイオード２０が実装されており、フォトダイオー
ド２０と導体パターン１８とは金ワイヤ２２でボンディ
ング接続されている。
【００２１】絶縁層６中には２本の光導波路コア２４，
２６が埋設されている。光導波路コア２４の一端はレー
ザダイオード１２に光結合するように配置されており、
他端は図示しない出力ポートに接続されている。光導波
路コア２６の一端はフォトダイオード２０に光結合する
ように配置されており、他端は図示しない入力ポートに
接続されている。
【００２２】絶縁層６上には電極２８が形成されてお
り、電極２８は接地されている。電極２８上には銀シリ
コーン等の導電性樹脂３０が塗布されている。電極２８
を接地する代わりに、例えば３Ｖ，５Ｖ等の電位一定な
電源に接続するようにしてもよい。
【００２３】本実施形態によれば、レーザダイオード１
２とフォトダイオード２０の間に導電性樹脂３０が設け
られているので、レーザダイオード１２とフォトダイオ
ード２０との間の漏話を低減することができる。
【００２４】図２を参照すると、本発明第２実施形態の
光送受信デバイス２Ｂの断面図が示されている。本実施
形態ではレーザダイオード１２の周囲にシリコーン樹脂
等の透明絶縁性樹脂３２が塗布されている。
【００２５】透明絶縁性樹脂３２はレーザダイオード１
２と光導波路コア２４との光結合部、ワイヤ１４及び導
体パターン８，１０の一部を覆っている。この透明絶縁
性樹脂３２は光導波路コア２４への光路を確保すると共
に、後で適用される導電性樹脂による導体パターン８，
１０の短絡を防止する役割を有している。
【００２６】透明絶縁性樹脂３２上には銀シリコーン等
の導電性樹脂３４が塗布されている。導電性樹脂３４は
接地された電極３６に接続されている。電極３６を接地
する代わりに、電位一定の電源に接続するようにしても
よい。
【００２７】本実施形態によれば、レーザダイオード１
２が透明絶縁性樹脂３２及び導電性樹脂３４で覆われて
いるため、レーザダイオード１２からフォトダイオード
２０等の他の回路部品への漏話を低減することができ
る。
【００２８】図３を参照すると、本発明第３実施形態の
光送受信デバイス２Ｃの断面図が示されている。本実施
形態では、フォトダイオード２０の周囲にシリコーン樹
脂等の透明絶縁性樹脂３８が塗布されている。透明絶縁
性樹脂３８はフォトダイオード２０と光導波路コア２６
との光結合部、ワイヤ２２及び導体パターン１６，１８
の一部を覆っている。
【００２９】透明絶縁性樹脂３８上には銀シリコーン等
の導電性樹脂４０が塗布されている。導電性樹脂４０は
接地された電極４２に接続されている。電極４２を接地
する代わりに、電位一定の電源に接続するようにしても
よい。
【００３０】透明絶縁性樹脂３８は導波路コア２６から
フォトダイオード２０への光路を確保すると共に、塗布
された導電性樹脂４０による導体パターン１６，１８の
短絡を防止する役割を有している。
【００３１】本実施形態によれば、レーザダイオード１
２からフォトダイオード２０への漏話を有効に遮断でき
るばかりでなく、外部に設けられた駆動用ＩＣなどの外
来雑音をも遮断する効果を期待できる。
【００３２】図４を参照すると、本発明第４実施形態の
光送受信デバイス２Ｄの断面図が示されている。図５は
第４実施形態の平面図を示している。本実施形態では、
レーザダイオード１２の周囲がシリコーン樹脂等の透明
絶縁性樹脂３２で覆われていると共に、透明絶縁性樹脂
３２が銀シリコーン等の導電性樹脂３４で覆われてい
る。
【００３３】また、フォトダイオード２０の周囲もシリ
コーン樹脂等の透明絶縁性樹脂３８で覆われており、透
明絶縁性樹脂３８は銀シリコーン等の導電性樹脂４０で
覆われている。
【００３４】更に、本実施形態では、Ｓｉ基板４に溝４
６が形成されており、この溝４６中に波長選択フィルタ
４８が挿入され、透明接着剤５０で固定されている。図
５に示されるように、Ｓｉ基板４上にはレーザダイオー
ド１２と波長選択フィルタ４８とを光結合する第１光導
波路コア５４と、フォトダイオード２０と波長選択フィ
ルタ４８とを光結合する第２光導波路コア５６が形成さ
れている。
【００３５】Ｓｉ基板４上には更に、第１及び第２光導
波路コア５４，５６を伝搬する光を光結合するように、
波長選択フィルタ４８と光入出力ポート５９との間に第
３光導波路コア５８が形成されている。
【００３６】波長選択フィルタ４８の周囲は銀シリコー
ン等の導電性樹脂５２で覆われている。Ｓｉ基板４上に
は基板コンタクト電極６４，６６，６８，７０が直接形
成されている。
【００３７】Ｓｉ基板４の裏面には裏面電極７２が形成
されている。裏面電極７２は接地されている。裏面電極
７２を接地する代わりに、電位一定の電源に接続するよ
うにしてもよい。
【００３８】Ｓｉ基板４は導電性であるから、導電性樹
脂３４は基板コンタクト電極６４、Ｓｉ基板４、裏面電
極７２を介して接地される。同様に、導電性樹脂４０は
基板コンタクト電極６６、Ｓｉ基板４及び裏面電極７２
を介して接地される。更に、導電性樹脂５２は基板コン
タクト電極６８，７０，Ｓｉ基板４及び裏面電極７２を
介して接地される。
【００３９】本実施形態によれば、レーザダイオード１
２が透明絶縁性樹脂３２を介して導電性樹脂３４で覆わ
れ、フォトダイオード２０が透明絶縁性樹脂３８を介し
て導電性樹脂４０で覆われている。更に、レーザダイオ
ード１２とフォトダイオード２０の間に導電性樹脂５２
が設けられている。
【００４０】よって、レーザダイオード１２とフォトダ
イオード２０との間の漏話を有効に遮断乃至低減できる
と共に、外部に設けられた駆動用ＩＣ等の外来雑音をも
有効に遮断又は低減することができる。その結果、小型
で非同期動作可能な光送受信デバイスの実現が可能であ
る。
【００４１】以下、図面を参照して第４実施形態の光送
受信デバイス２Ｄの製造プロセスを説明する。まず、図
６（Ａ）に示すように、Ｓｉ（１００）基板７４上に約
１μｍ程度の厚さのＳｉＯ2 膜７６を例えば熱酸化等に
より形成する。
【００４２】次いで、フォトリソグラフィでパターニン
グして、テラス７８を形成する領域以外のＳｉＯ2 膜
（酸化膜）７６を除去する。ＫＯＨ溶液に浸し、ＳｉＯ
2 膜７６を除去した領域をエッチングする。このエッチ
ングの深さは導波路のアンダークラッドの厚さ程度、即
ち約２０μｍ程度とする。
【００４３】次いで、図６（Ｂ）に示すように、火炎堆
積法等によりエッチングした深さだけ第１のアンダーク
ラッド８０となるＳｉＯ2 を基板全面に堆積する。次い
で、図６（Ｃ）に示すように、テラス７８の上面が露出
するまで研磨し、平坦化する。
【００４４】図７（Ｄ）に示すように、第２のアンダー
クラッド８２となるＳｉＯ2 を下式で求められる厚さだ
け基板７４の全面に堆積する。 堆積厚さ＝（導体パターン厚）＋（ハンダ厚）＋（レー
ザダイオードの活性層高さ） この堆積厚さは約２０μｍ程度である。次いで、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）等の屈折率を増加させる不純物をドープ
したコア層８４を堆積し、導波部以外の不要な領域をフ
ォトリソグラフィによりパターニングして除去して、導
波路コアを形成する。次いで、基板全面にアンダークラ
ッド８０，８２と同程度の厚さＳｉＯ2を堆積し、オー
バークラッド８６を形成する。
【００４５】次いで、図７（Ｅ）に示すように、光素子
搭載部及び導体パターン形成部を含む領域をリアクティ
ブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）でエッチングし、導
波路端面９０，９２を形成する。エッチングする深さは
テラス７８の上面が丁度露出するまでとする。
【００４６】同様に、ＲＩＥでエッチングして、穴９
１，９３，９５，９７を形成し、これらの穴中にＳｉ基
板７４と導通をとる基板コンタクト電極６４，６６，６
８，７０を形成する。８８はレジストである。
【００４７】次いで、図８及び図９に示すように、熱酸
化によりテラス７８上に約０．５μｍ程度の薄いＳｉＯ
2 絶縁膜６を形成する。更に、ダイシングソーを使用し
て導波路コア５４，５６，５８が合流する点を横断する
溝９４を形成する。
【００４８】次いで、基板全面にＴｉ，Ｎｉ，Ａｕを順
次蒸着し、更にレジストを塗布する。導体パターン６，
８，１６，１８の部分を残してフォトリソグラフィ技術
によりレジストを除去し、エッチングをする。
【００４９】エッチングはＲＩＥで行ってもよいし、基
板をエッチャントに浸してもよい。Ｔｉ及びＮｉに対し
ては硝酸系のエッチャントを使用し、Ａｕには金エッチ
ャントを使用する。代替案として、リフトオフ法により
導体パターン６，８，１６，１８も形成することが可能
である。同様にして、基板７４の裏面に裏面電極７２を
形成する。
【００５０】次いで、基板上面全体に例えばポリイミド
樹脂をスピナーで塗布し、更にレジストを塗布する。レ
ジストをフォトリソグラフィ技術によりパターニングし
て、更に溶剤に浸漬し、少なくとも光素子搭載部、ワイ
ヤボンディング用のパッド部、導波路端面が露出するよ
うにポリイミド樹脂を除去する。
【００５１】これにより、図１０に示すように導体パタ
ーニング８，１０の一部がポリイミド絶縁層９６で覆わ
れ、導体パターニング１６，１８の一部がポリイミド絶
縁層９８で覆われる。次いで、ダイシングソーによりＳ
ｉ基板７４を各ＰＬＣプラットフォームに切断する。
【００５２】次いで、図１１に示すようにレーザダイオ
ード１２及びフォトダイオード２０を所定の位置にボン
ディングにより実装する。このボンディングは光素子１
２，２０側にハンダバンプを形成して行ってもよいし、
ＰＬＣプラットフォーム側にハンダバンプ設けるように
してもよい。
【００５３】レーザダイオード１２及びフォトダイオー
ド２０の実装後、レーザダイオード１２と導体パターン
１０とを金ワイヤ１４でボンディング接続し、フォトダ
イオード２０と導体パターン１８とを金ワイヤ２２でボ
ンディング接続する。更に、波長選択フィルタ４８を溝
９４中に挿入し、透明な接着剤５０で波長選択フィルタ
４８をＰＬＣプラットフォーム（基板）４に固定する。
【００５４】次いで、図４及び図５に示すように、レー
ザダイオード１２及びフォトダイオード２０の周囲にシ
リコーン樹脂等の透明絶縁性樹脂３２，３８をポッティ
ングし、キュアする。
【００５５】必要によっては、レーザダイオード１２及
びフォトダイオード２０の周囲にシリカ等のフィラを混
入した粘度の高いシリコーン樹脂をダム状に塗布して、
透明なシリコーン樹脂の流れ止めとしてもよい。
【００５６】更に、透明絶縁性樹脂３２，３８の外側及
び波長選択フィルタ４８の周囲を銀シリコーン樹脂等の
導電性樹脂３４，４０，５２で覆う。このとき、導電性
樹脂３４，４０，５２が基板コンタクト電極６４，６
６，６８及び７０に接触するようにする。最後に導電性
樹脂３４，４０，５２をキュアする。
【００５７】このようにして形成した第４実施形態の光
送受信デバイス２Ｄが図４及び図５に示されている。更
に、特に図示しないが光送受信デバイス２Ｄをプラスチ
ックモールド等によりパッケージングする。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
同一基板上にハイブリッド実装された発光素子と受光素
子間の漏話を低減することのできる光送受信デバイスを
提供することができる。更に、コンパクト且つ非同期動
作が可能な光送受信デバイスの提供が可能となり、光加
入者系の普及に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明第１実施形態の断面図である。
【図２】本発明第２実施形態の断面図である。
【図３】本発明第３実施形態の断面図である。
【図４】本発明第４実施形態の断面図である。
【図５】第４実施形態の平面図である。
【図６】製造プロセスを示す図である。
【図７】製造プロセスを示す図である。
【図８】製造プロセスを示す図である。
【図９】製造プロセスを示す図である。
【図１０】製造プロセスを示す図である。
【図１１】製造プロセスを示す図である。
【符号の説明】
４ 基板 ８，１０，１６，１８ 導体パターン １２ 発光素子 ２０ 受光素子 ２４，２６ 光導波路 ２８，３６，４２ 電極 ３０，３４，４０，５２ 導電性樹脂 ３２，３８ 透明絶縁性樹脂 ６４，６６，６８，７０ 基板コンタクト電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０４Ｂ 10/18

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光送受信デバイスであって、 基板と；該基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上
    に互いに隣接して形成された第１及び第２導体パターン
    と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第３及び
    第４導体パターンと；前記第１導体パターン上に実装さ
    れた発光素子と；前記発光素子と前記第２導体パターン
    を接続する第１ワイヤと；前記第３導体パターン上に実
    装された受光素子と；前記受光素子と前記第４導体パタ
    ーンを接続する第２ワイヤと；前記発光素子と前記受光
    素子の間の前記基板上に塗布された導電性樹脂と；前記
    導電性樹脂に接続された電位一定の電極と；を具備した
    ことを特徴とする光送受信デバイス。
  2. 【請求項２】 一端が前記発光素子に光結合するように
    前記基板上に形成された第１光導波路と；一端が前記受
    光素子に光結合するように前記基板上に形成された第２
    光導波路とを更に具備した請求項１記載の光送受信デバ
    イス。
  3. 【請求項３】 前記電極は接地されている請求項２記載
    の光送受信デバイス。
  4. 【請求項４】 光送受信デバイスであって、 基板と；該基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上
    に互いに隣接して形成された第１及び第２導体パターン
    と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第３及び
    第４導体パターンと；前記第１導体パターン上に実装さ
    れた発光素子と；前記発光素子と前記第２導体パターン
    を接続する第１ワイヤと；前記第３導体パターン上に実
    装された受光素子と；前記受光素子と前記第４導体パタ
    ーンを接続する第２ワイヤと；一端が前記発光素子に光
    結合するように前記基板上に形成された第１光導波路
    と；一端が前記受光素子に光結合するように前記基板上
    に形成された第２光導波路と；前記発光素子、該発光素
    子と前記第１光導波路の光結合部及び前記第１及び第２
    導体パターンの一部を覆った透明絶縁性樹脂と；前記透
    明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と；前記導電性樹脂に
    接続された電位一定の電極と；を具備したことを特徴と
    する光送受信デバイス。
  5. 【請求項５】 前記電極は接地されている請求項４記載
    の光送受信デバイス。
  6. 【請求項６】 光送受信デバイスであって、 基板と；該基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上
    に互いに隣接して形成された第１及び第２導体パターン
    と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第３及び
    第４導体パターンと；前記第１導体パターン上に実装さ
    れた発光素子と；前記発光素子と前記第２導体パターン
    を接続する第１ワイヤと；前記第３導体パターン上に実
    装された受光素子と；前記受光素子と前記第４導体パタ
    ーンを接続する第２ワイヤと；一端が前記発光素子に光
    結合するように前記基板上に形成された第１光導波路
    と；一端が前記受光素子に光結合するように前記基板上
    に形成された第２光導波路と；前記受光素子、該受光素
    子と前記第２光導波路の光結合部及び前記第３及び第４
    導体パターンの一部を覆った透明絶縁性樹脂と；前記透
    明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と；前記導電性樹脂に
    接続された電位一定の電極と；を具備したことを特徴と
    する光送受信デバイス。
  7. 【請求項７】 前記電極は接地されている請求項６記載
    の光送受信デバイス。
  8. 【請求項８】 光送受信デバイスであって、 基板と；該基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上
    に互いに隣接して形成された第１及び第２導体パターン
    と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第３及び
    第４導体パターンと；前記第１導体パターン上に実装さ
    れた発光素子と；前記発光素子と前記第２導体パターン
    を接続する第１ワイヤと；前記第３導体パターン上に実
    装された受光素子と；前記受光素子と前記第４導体パタ
    ーンを接続する第２ワイヤと；前記基板に実質上垂直に
    実装された波長選択フィルタと；前記発光素子と前記波
    長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
    第１光導波路と；前記受光素子と前記波長選択フィルタ
    とを光結合する前記基板上に形成された第２光導波路
    と；前記第１及び第２光導波路を伝搬する光を光結合す
    るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
    間の前記基板上に形成された第３光導波路と；前記発光
    素子、該発光素子と前記第１光導波路の光結合部及び前
    記第１及び第２導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
    樹脂と；前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と；前
    記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と；を具備し
    たことを特徴とする光送受信デバイス。
  9. 【請求項９】 前記基板は導電性基板であり、前記電極
    は前記導電性基板上に直接形成されており、前記導電性
    樹脂と前記導電性基板とは前記電極を介して電気的に接
    続されている請求項８記載の光送受信デバイス。
  10. 【請求項１０】 前記導電性基板は接地されている請求
    項９記載の光送受信デバイス。
  11. 【請求項１１】 光送受信デバイスであって、 基板と；該基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上
    に互いに隣接して形成された第１及び第２導体パターン
    と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第３及び
    第４導体パターンと；前記第１導体パターン上に実装さ
    れた発光素子と；前記発光素子と前記第２導体パターン
    を接続する第１ワイヤと；前記第３導体パターン上に実
    装された受光素子と；前記受光素子と前記第４導体パタ
    ーンを接続する第２ワイヤと；前記基板に実質上垂直に
    実装された波長選択フィルタと；前記発光素子と前記波
    長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
    第１光導波路と；前記受光素子と前記波長選択フィルタ
    とを光結合する前記基板上に形成された第２光導波路
    と；前記第１及び第２光導波路を伝搬する光を光結合す
    るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
    間の前記基板上に形成された第３光導波路と；前記受光
    素子、該受光素子と前記第２光導波路の光結合部及び前
    記第３及び第４導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
    樹脂と；前記透明絶縁性樹脂を覆った導電性樹脂と；前
    記導電性樹脂に接続された電位一定の電極と；を具備し
    たことを特徴とする光送受信デバイス。
  12. 【請求項１２】 前記基板は導電性基板であり、前記電
    極は該導電性基板上に直接形成されており、前記導電性
    樹脂は前記電極を介して前記導電性基板に電気的に接続
    されている請求項１１記載の光送受信デバイス。
  13. 【請求項１３】 前記導電性基板は接地されている請求
    項１２記載の光送受信デバイス。
  14. 【請求項１４】 光送受信デバイスであって、 基板と；該基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上
    に互いに隣接して形成された第１及び第２導体パターン
    と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第３及び
    第４導体パターンと；前記第１導体パターン上に実装さ
    れた発光素子と；前記発光素子と前記第２導体パターン
    を接続する第１ワイヤと；前記第３導体パターン上に実
    装された受光素子と；前記受光素子と前記第４導体パタ
    ーンを接続する第２ワイヤと；前記基板に実質上垂直に
    実装された波長選択フィルタと；前記発光素子と前記波
    長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
    第１光導波路と；前記受光素子と前記波長選択フィルタ
    とを光結合する前記基板上に形成された第２光導波路
    と；前記第１及び第２光導波路を伝搬する光を光結合す
    るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
    間の前記基板上に形成された第３光導波路と；前記第
    １、第２及び第３光導波路の光結合部を覆うように前記
    波長選択フィルタを前記基板に固定する透明接着剤と；
    前記波長選択フィルタを覆った導電性樹脂と；前記導電
    性樹脂に接続された電位一定の電極と；を具備したこと
    を特徴とする光送受信デバイス。
  15. 【請求項１５】 前記基板は導電性基板であり、前記電
    極は前記導電性基板上に直接形成されており、前記導電
    性樹脂は前記電極を介して前記導電性基板に電気的に接
    続されている請求項１４記載の光送受信デバイス。
  16. 【請求項１６】 前記導電性基板は接地されている請求
    項１５記載の光送受信デバイス。
  17. 【請求項１７】 光送受信デバイスであって、 基板と；該基板上に形成された絶縁層と；前記絶縁層上
    に互いに隣接して形成された第１及び第２導体パターン
    と；前記絶縁層上に互いに隣接して形成された第３及び
    第４導体パターンと；前記第１導体パターン上に実装さ
    れた発光素子と；前記発光素子と前記第２導体パターン
    を接続する第１ワイヤと；前記第３導体パターン上に実
    装された受光素子と；前記受光素子と前記第４導体パタ
    ーンを接続する第２ワイヤと；前記基板に実質上垂直に
    実装された波長選択フィルタと；前記発光素子と前記波
    長選択フィルタとを光結合する前記基板上に形成された
    第１光導波路と；前記受光素子と前記波長選択フィルタ
    とを光結合する前記基板上に形成された第２光導波路
    と；前記第１及び第２光導波路を伝搬する光を光結合す
    るように、前記波長選択フィルタと光入出力ポートとの
    間の前記基板上に形成された第３光導波路と；前記発光
    素子、該発光素子と前記第１光導波路の光結合部及び前
    記第１及び第２導体パターンの一部を覆った透明絶縁性
    第１樹脂と；前記透明絶縁性第１樹脂を覆った導電性第
    ２樹脂と；前記導電性第２樹脂に接続された電位一定の
    第１電極と；前記受光素子、該受光素子と前記第２光導
    波路の光結合部及び前記第３及び第４導体パターンの一
    部を覆った透明絶縁性第３樹脂と；前記透明絶縁性第３
    樹脂を覆った導電性第４樹脂と；前記導電性第４樹脂に
    接続された電位一定の第２電極と；前記第１、第２及び
    第３光導波路間の光結合部を含むように適用された前記
    波長選択フィルタを前記基板に固定する透明接着剤と；
    前記波長選択フィルタを覆った導電性第５樹脂と；前記
    導電性第５樹脂に接続された電位一定の第３電極と；を
    具備したことを特徴とする光送受信デバイス。
  18. 【請求項１８】 前記基板は導電性基板であり、前記第
    １、第２及び第３電極は前記導電性基板上に直接形成さ
    れており、前記第２導電性樹脂、第４導電性樹脂及び第
    ５導電性樹脂はそれぞれ前記第１、第２及び第３電極を
    介して前記導電性基板に電気的に接続されている請求項
    １７記載の光送受信デバイス。
  19. 【請求項１９】 前記導電性基板は接地されている請求
    項１８記載の光送受信デバイス。
JP10072770A 1998-03-20 1998-03-20 光送受信デバイス Withdrawn JPH11271546A (ja)

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