JPH11265529A - 光学情報記録媒体の製造方法及び成膜装置 - Google Patents
光学情報記録媒体の製造方法及び成膜装置Info
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- JPH11265529A JPH11265529A JP6556198A JP6556198A JPH11265529A JP H11265529 A JPH11265529 A JP H11265529A JP 6556198 A JP6556198 A JP 6556198A JP 6556198 A JP6556198 A JP 6556198A JP H11265529 A JPH11265529 A JP H11265529A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスク製造において、成膜時の温度を下
げることにより基材の反り、歪を抑制する。 【解決手段】 基材ホルダー上に樹脂基材を置き、その
上に１層以上の層を成膜していくことにより光学情報記
録媒体を製造する方法において、基材ホルダーと樹脂基
材の間に熱容量が２．３ｃａｌ／℃以上のスペーサを介
在させた状態で成膜する。
げることにより基材の反り、歪を抑制する。 【解決手段】 基材ホルダー上に樹脂基材を置き、その
上に１層以上の層を成膜していくことにより光学情報記
録媒体を製造する方法において、基材ホルダーと樹脂基
材の間に熱容量が２．３ｃａｌ／℃以上のスペーサを介
在させた状態で成膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザービーム等
により情報を再生できる光学情報記録媒体の製造方法及
びその製造に用いられる成膜装置に関するもので、特に
基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄い基材において
も成膜温度を低くできる光学情報記録媒体の製造方法及
びその製造に用いられる成膜装置に関するものである。
により情報を再生できる光学情報記録媒体の製造方法及
びその製造に用いられる成膜装置に関するもので、特に
基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄い基材において
も成膜温度を低くできる光学情報記録媒体の製造方法及
びその製造に用いられる成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報記録媒体（以下、光ディスクとも
いう）は、高密度で大容量であることから注目され、こ
れまでにも様々な用途で使用されている。例えば、再生
専用の光ディスクとしては、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）やデータ再生専用のＣＤ−ＲＯＭ等があり、音楽分
野、コンピュータ分野、ゲーム分野等において広く使用
されている。また、一回だけ記録可能な追記型光ディス
クは、文書ファイリングシステム、データファイリング
システム等で特にデータのセキュリティが重要視される
分野で利用されている。
いう）は、高密度で大容量であることから注目され、こ
れまでにも様々な用途で使用されている。例えば、再生
専用の光ディスクとしては、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）やデータ再生専用のＣＤ−ＲＯＭ等があり、音楽分
野、コンピュータ分野、ゲーム分野等において広く使用
されている。また、一回だけ記録可能な追記型光ディス
クは、文書ファイリングシステム、データファイリング
システム等で特にデータのセキュリティが重要視される
分野で利用されている。
【０００３】さらに、記録された情報の消去と再記録が
できる書換え可能型光ディスクは、データの修復や更新
が可能であるとともに、書換えによって繰り返し使用で
きるため、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして
期待される。このような書換え可能型光ディスクとして
は、これまでに光磁気ディスクや相変化型光ディスクが
実用化されており、データファイル等に使用されてい
る。
できる書換え可能型光ディスクは、データの修復や更新
が可能であるとともに、書換えによって繰り返し使用で
きるため、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして
期待される。このような書換え可能型光ディスクとして
は、これまでに光磁気ディスクや相変化型光ディスクが
実用化されており、データファイル等に使用されてい
る。
【０００４】光ディスクシステムをさらに大容量化する
には、高密度化をはかる必要がある。 光情報記録媒体
の高密度化の方法の一つとしてレーザのスポットサイズ
を小さくすることがあげられる。レーザのスポットサイ
ズはレーザ波長に比例し対物レンズの開口数（ＮＡ）に
反比例する。そのため高密度化において高ＮＡ化は有効
な手段の一つである。しかし、ＮＡが大きくなると光デ
ィスクの傾きに対して収差が増大しやすくなる。この収
差は基材の厚さと（ＮＡ）3に比例する。
には、高密度化をはかる必要がある。 光情報記録媒体
の高密度化の方法の一つとしてレーザのスポットサイズ
を小さくすることがあげられる。レーザのスポットサイ
ズはレーザ波長に比例し対物レンズの開口数（ＮＡ）に
反比例する。そのため高密度化において高ＮＡ化は有効
な手段の一つである。しかし、ＮＡが大きくなると光デ
ィスクの傾きに対して収差が増大しやすくなる。この収
差は基材の厚さと（ＮＡ）3に比例する。
【０００５】この問題を解決するための方法としては、
基材の薄板化が挙げられる。従来のＣＤなどで使われて
いる厚み１．２ｍｍの基材においてはＮＡを０．６以上
とすると光ディスクの傾き角が４ｍｒａｄ程度しか許容
できず、実際の使用環境あるいは生産性等を考慮すると
現実的ではない。しかし、例えば厚み０．６ｍｍの基材
を用いた場合には、ＮＡが０．６においても光ディスク
の傾き角が８ｍｒａｄ程度まで許容できるようになり、
十分実用的に使用可能な範囲となる（T.Sugayaet al. :
Jpn. J. Appl. Phys. 32(1993)5402.、T.Ohta et al. :
Jpn. J. Appl.Phys. 32(1993)5214.）。また、厚み０．
６ｍｍの基材を用いた場合には、厚み１．２ｍｍの基材
に対して体積あたりの記録容量を単純に２倍にすること
ができ、媒体あるいは装置のサイズを大きくすることな
く、光ディスクの大容量化をはかれる点からも好まし
い。
基材の薄板化が挙げられる。従来のＣＤなどで使われて
いる厚み１．２ｍｍの基材においてはＮＡを０．６以上
とすると光ディスクの傾き角が４ｍｒａｄ程度しか許容
できず、実際の使用環境あるいは生産性等を考慮すると
現実的ではない。しかし、例えば厚み０．６ｍｍの基材
を用いた場合には、ＮＡが０．６においても光ディスク
の傾き角が８ｍｒａｄ程度まで許容できるようになり、
十分実用的に使用可能な範囲となる（T.Sugayaet al. :
Jpn. J. Appl. Phys. 32(1993)5402.、T.Ohta et al. :
Jpn. J. Appl.Phys. 32(1993)5214.）。また、厚み０．
６ｍｍの基材を用いた場合には、厚み１．２ｍｍの基材
に対して体積あたりの記録容量を単純に２倍にすること
ができ、媒体あるいは装置のサイズを大きくすることな
く、光ディスクの大容量化をはかれる点からも好まし
い。
【０００６】しかしながら、基材の厚さを薄くすると厚
い基材と比較して、基材の成膜時の温度が高くなるとい
う問題点がある。この原因は基材を薄くしたことにより
熱容量が小さくなるためだと思われる。成膜時の温度が
高いと膜の応力（熱応力）が大きくなり基材を反らした
り、歪ませたりする。また、基材の強度は基材の厚さと
相関があり、基材が薄くなると基材の強度が弱くなるた
め、特に応力の影響を受けやすくなる。基材の反りや歪
を抑えるには基材上に設けられる膜の応力を小さくする
ことが有効である。膜の応力を小さくする手段として
は、形成層の膜厚を薄くする、応力の小さい材料を用い
る、あるいは成膜条件を変更するなどが挙げられる。し
かし、これらの方法では膜の構造や材料、成膜条件が制
限されてしまい、必ずしも良好な信号特性との両立を図
れるものではない。
い基材と比較して、基材の成膜時の温度が高くなるとい
う問題点がある。この原因は基材を薄くしたことにより
熱容量が小さくなるためだと思われる。成膜時の温度が
高いと膜の応力（熱応力）が大きくなり基材を反らした
り、歪ませたりする。また、基材の強度は基材の厚さと
相関があり、基材が薄くなると基材の強度が弱くなるた
め、特に応力の影響を受けやすくなる。基材の反りや歪
を抑えるには基材上に設けられる膜の応力を小さくする
ことが有効である。膜の応力を小さくする手段として
は、形成層の膜厚を薄くする、応力の小さい材料を用い
る、あるいは成膜条件を変更するなどが挙げられる。し
かし、これらの方法では膜の構造や材料、成膜条件が制
限されてしまい、必ずしも良好な信号特性との両立を図
れるものではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明ではこれらの制
限を受けずに、光ディスク製造において、成膜時の温度
を下げることにより基材の反り、歪を抑制することが目
的である。
限を受けずに、光ディスク製造において、成膜時の温度
を下げることにより基材の反り、歪を抑制することが目
的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
について鋭意検討した結果、基材の温度を下げるには基
材の熱容量を大きくすればよいことを見いだし本発明を
なすに至った。すなわち、本願は以下の発明を提供す
る。 （１）基材ホルダー上に樹脂基材を置き、その上に１層
以上の層を成膜していくことにより光学情報記録媒体を
製造する方法において、基材ホルダーと樹脂基材の間に
熱容量が２．３ｃａｌ／℃以上のスペーサを介在させた
状態で成膜を行うことを特徴とする光学情報記録媒体の
製造方法。 （２）基材ホルダーを有する光学情報記録媒体製造用成
膜装置において、基材ホルダー上に熱容量が２．３ｃａ
ｌ／℃以上のスペーサを設けたことを特徴とする光学情
報記録媒体製造用成膜装置。
について鋭意検討した結果、基材の温度を下げるには基
材の熱容量を大きくすればよいことを見いだし本発明を
なすに至った。すなわち、本願は以下の発明を提供す
る。 （１）基材ホルダー上に樹脂基材を置き、その上に１層
以上の層を成膜していくことにより光学情報記録媒体を
製造する方法において、基材ホルダーと樹脂基材の間に
熱容量が２．３ｃａｌ／℃以上のスペーサを介在させた
状態で成膜を行うことを特徴とする光学情報記録媒体の
製造方法。 （２）基材ホルダーを有する光学情報記録媒体製造用成
膜装置において、基材ホルダー上に熱容量が２．３ｃａ
ｌ／℃以上のスペーサを設けたことを特徴とする光学情
報記録媒体製造用成膜装置。
【０００９】また、上記（１）、（２）の発明におい
て、スペーサの熱伝導率が４．５×１０-4ｃａｌ／ｃｍ
／ｓｅｃ／℃以上である材料を使うことは本発明の好ま
しい実施態様である。本発明は、光ディスク製造におい
て成膜時の基材温度を下げるための手段を提供すること
により、成膜による基材の歪みを低減するものであり、
特に基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄い樹脂基材
において有効である。
て、スペーサの熱伝導率が４．５×１０-4ｃａｌ／ｃｍ
／ｓｅｃ／℃以上である材料を使うことは本発明の好ま
しい実施態様である。本発明は、光ディスク製造におい
て成膜時の基材温度を下げるための手段を提供すること
により、成膜による基材の歪みを低減するものであり、
特に基材の厚さが０．８ｍｍ以下といった薄い樹脂基材
において有効である。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。光ディス
クの製造過程において、成膜装置に基材を取り付ける
際、図２に示したように内周部と外周部をマスク（図１
参照）と呼ばれる治具を用いて保持する。この際、図３
のようなスペーサを基材と基材ホルダーの間に挟み込む
ことにより基材付近の熱容量を大きくする。この結果、
基材の受けた熱をスペーサに逃がすことが出来るため、
基材の成膜時における温度を下げることができる。
クの製造過程において、成膜装置に基材を取り付ける
際、図２に示したように内周部と外周部をマスク（図１
参照）と呼ばれる治具を用いて保持する。この際、図３
のようなスペーサを基材と基材ホルダーの間に挟み込む
ことにより基材付近の熱容量を大きくする。この結果、
基材の受けた熱をスペーサに逃がすことが出来るため、
基材の成膜時における温度を下げることができる。
【００１１】この際、用いられるスペーサの熱容量とし
ては、２．３ｃａｌ／℃以上が必要である。スペーサの
熱容量がこれ以下であると、基材の受けた熱を効果的に
逃がすことが出来なく、基板の温度を下げにくくなる。
例えば、ポリカーボネート（比熱：０．３ｃａｌ／℃／
ｇ、熱伝導率：４．５×１０-4ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／
℃）からスペーサを作製した場合、その熱容量を２．３
ｃａｌ／℃以上とすることができ、基材付近の熱容量を
大きくすることができる。
ては、２．３ｃａｌ／℃以上が必要である。スペーサの
熱容量がこれ以下であると、基材の受けた熱を効果的に
逃がすことが出来なく、基板の温度を下げにくくなる。
例えば、ポリカーボネート（比熱：０．３ｃａｌ／℃／
ｇ、熱伝導率：４．５×１０-4ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／
℃）からスペーサを作製した場合、その熱容量を２．３
ｃａｌ／℃以上とすることができ、基材付近の熱容量を
大きくすることができる。
【００１２】本発明に用いられるスペーサの材料として
は、ポリカーボネート以上の比熱およびポリカーボネー
ト以上の熱伝導率を有するものが望ましい。また、スペ
ーサの厚さは厚いほど効果が期待されるが、装置の制約
により厚さは制限される。本発明に用いられるスペーサ
の形状は特に制限はなく、図４の形状のように基板のデ
ータ記録部にスペーサが接しないようにしても良いが、
密着性が減るため効果が減る可能性がある。
は、ポリカーボネート以上の比熱およびポリカーボネー
ト以上の熱伝導率を有するものが望ましい。また、スペ
ーサの厚さは厚いほど効果が期待されるが、装置の制約
により厚さは制限される。本発明に用いられるスペーサ
の形状は特に制限はなく、図４の形状のように基板のデ
ータ記録部にスペーサが接しないようにしても良いが、
密着性が減るため効果が減る可能性がある。
【００１３】本発明においては従来の装置を用いて簡便
に行うためスペーサを基材と基材ホルダーの間に挿入し
たが、同様の効果が出るようにあらかじめスペーサを基
材ホルダーに設置しても何ら問題はない。本発明に用い
られる基材の材料として用いられる樹脂としては、ポリ
カーボネートやアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン等といったプラスチック材料をあげることができ
るが、光学的および強度面からポリカーボネート樹脂が
広く用いられている。また、基材の厚さにも制限はない
が、本発明は、基材の熱容量の小さい０．８ｍｍ以下と
いった薄い基材を用いる光ディスクの製造において特に
有効である。
に行うためスペーサを基材と基材ホルダーの間に挿入し
たが、同様の効果が出るようにあらかじめスペーサを基
材ホルダーに設置しても何ら問題はない。本発明に用い
られる基材の材料として用いられる樹脂としては、ポリ
カーボネートやアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリス
チレン等といったプラスチック材料をあげることができ
るが、光学的および強度面からポリカーボネート樹脂が
広く用いられている。また、基材の厚さにも制限はない
が、本発明は、基材の熱容量の小さい０．８ｍｍ以下と
いった薄い基材を用いる光ディスクの製造において特に
有効である。
【００１４】本発明の製造方法において、樹脂基材上に
設けられる膜の材料については特に制限はないが、本発
明は特に膜厚の厚い材料が成膜される場合に有効であ
る。本発明の層の形成方法については特に制限なく、公
知の方法、例えば真空蒸着、スパッタリング、イオンビ
ームスパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンプレー
ティング、電子ビーム蒸着、プラズマ重合等の方法を目
的、材料等に応じて適宜採用することができる。
設けられる膜の材料については特に制限はないが、本発
明は特に膜厚の厚い材料が成膜される場合に有効であ
る。本発明の層の形成方法については特に制限なく、公
知の方法、例えば真空蒸着、スパッタリング、イオンビ
ームスパッタリング、イオンビーム蒸着、イオンプレー
ティング、電子ビーム蒸着、プラズマ重合等の方法を目
的、材料等に応じて適宜採用することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の具体的実施形態の
例を実施例で説明する。
例を実施例で説明する。
【００１６】
【実施例１】外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、通過型のスパッ
タリング装置を用い、ＲＦスパッタリングによって厚さ
３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２の膜を形成した。この際
のスパッタパワーは３５００Ｗとした。このとき、基材
と基材ホルダーの間に、図２に示すような厚さ０．６ｍ
ｍのスペーサ（材質：ポリカーボネート、熱容量：２．
４ｃａｌ／℃）を枚数を変えて挿入し、各々の場合の基
材の表面の温度を測定した。この成膜温度測定にはサー
モラベルを用い、これを基材表面に貼ることにより基材
表面の最高到達温度を求めた。この結果を表１に示す。
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、通過型のスパッ
タリング装置を用い、ＲＦスパッタリングによって厚さ
３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２の膜を形成した。この際
のスパッタパワーは３５００Ｗとした。このとき、基材
と基材ホルダーの間に、図２に示すような厚さ０．６ｍ
ｍのスペーサ（材質：ポリカーボネート、熱容量：２．
４ｃａｌ／℃）を枚数を変えて挿入し、各々の場合の基
材の表面の温度を測定した。この成膜温度測定にはサー
モラベルを用い、これを基材表面に貼ることにより基材
表面の最高到達温度を求めた。この結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】この結果から、Ｎｏ．１のようにスペーサ
のない状態では、基材の温度が１１５℃であるのに対し
Ｎｏ．２〜４のようにスペーサを挿入することで基材の
温度を１０℃以上低くすることができる。この理由とし
ては、スペーサを挿入することにより基材付近の熱容量
が大きくなり、基材の温度が上がりにくくなったと思わ
れる。スペーサの枚数をさらに２、３枚と増やすことに
より温度は下がる傾向はあるが、スペーサ同士の密着性
が悪くなるためか変化量は小さくなっている。
のない状態では、基材の温度が１１５℃であるのに対し
Ｎｏ．２〜４のようにスペーサを挿入することで基材の
温度を１０℃以上低くすることができる。この理由とし
ては、スペーサを挿入することにより基材付近の熱容量
が大きくなり、基材の温度が上がりにくくなったと思わ
れる。スペーサの枚数をさらに２、３枚と増やすことに
より温度は下がる傾向はあるが、スペーサ同士の密着性
が悪くなるためか変化量は小さくなっている。
【００１９】
【実施例２】外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍのポリカーボネート基材の上に、実施例１と同様
に、通過型のスパッタリング装置を用い、ＲＦスパッタ
リングによって厚さ３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２を形
成した。この際のスパッタパワーは３５００Ｗとした。
このとき、基材と基材ホルダーの間に図２に示すような
厚さ１．２ｍｍのスペーサ（材質：ポリカーボネート、
熱容量：４．８ｃａｌ／℃）を挿入し、基材の表面の温
度を測定した。また、スペーサを挿入しない場合の基材
の表面の温度も測定した。この成膜温度測定にはサーモ
ラベルを用い、これを基材表面に貼ることにより基材表
面の最高到達温度を求めた。この結果を表２に示す。
２ｍｍのポリカーボネート基材の上に、実施例１と同様
に、通過型のスパッタリング装置を用い、ＲＦスパッタ
リングによって厚さ３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２を形
成した。この際のスパッタパワーは３５００Ｗとした。
このとき、基材と基材ホルダーの間に図２に示すような
厚さ１．２ｍｍのスペーサ（材質：ポリカーボネート、
熱容量：４．８ｃａｌ／℃）を挿入し、基材の表面の温
度を測定した。また、スペーサを挿入しない場合の基材
の表面の温度も測定した。この成膜温度測定にはサーモ
ラベルを用い、これを基材表面に貼ることにより基材表
面の最高到達温度を求めた。この結果を表２に示す。
【００２０】
【表２】
【００２１】この結果から、Ｎｏ．５のように厚さ１．
２ｍｍの基材ではスペーサのない状態でも０．６ｍｍ基
材と比較して温度が低くなっている。これは１．２ｍｍ
基材の熱容量が大きいためと予想される。また、厚みが
１．２ｍｍの基材においてもＮｏ．６のようにスペーサ
を挿入することにより、基材の温度を下げることができ
る。
２ｍｍの基材ではスペーサのない状態でも０．６ｍｍ基
材と比較して温度が低くなっている。これは１．２ｍｍ
基材の熱容量が大きいためと予想される。また、厚みが
１．２ｍｍの基材においてもＮｏ．６のようにスペーサ
を挿入することにより、基材の温度を下げることができ
る。
【００２２】
【実施例３】外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、実施例１と同様
に、通過型のスパッタリング装置を用い、ＲＦスパッタ
リングによって厚さ３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２を形
成した。この際のスパッタパワーは３５００Ｗとした。
このとき、基材と基材ホルダーの間に図４に示すような
厚さ０．６ｍｍの、データ記録部がスペーサと接しない
ように溝を設けたスペーサ（材質：ポリカーボネート、
熱容量：２．３ｃａｌ／℃）を挿入し、基材の表面の温
度を測定した。成膜温度測定にはサーモラベルを用い、
基材表面に貼ることにより基材表面の最高到達温度を求
めた。この結果を表３に示す。
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、実施例１と同様
に、通過型のスパッタリング装置を用い、ＲＦスパッタ
リングによって厚さ３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２を形
成した。この際のスパッタパワーは３５００Ｗとした。
このとき、基材と基材ホルダーの間に図４に示すような
厚さ０．６ｍｍの、データ記録部がスペーサと接しない
ように溝を設けたスペーサ（材質：ポリカーボネート、
熱容量：２．３ｃａｌ／℃）を挿入し、基材の表面の温
度を測定した。成膜温度測定にはサーモラベルを用い、
基材表面に貼ることにより基材表面の最高到達温度を求
めた。この結果を表３に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】溝があると接触面積が減り、温度を下げる
効果が弱まることが予想されるが、実施例１の溝のない
スペーサ１枚の時（Ｎｏ．２）と比べて、スペーサに溝
があっても温度はほとんど変わっていない。溝を設けた
スペーサにおいても本発明の効果は期待できる。
効果が弱まることが予想されるが、実施例１の溝のない
スペーサ１枚の時（Ｎｏ．２）と比べて、スペーサに溝
があっても温度はほとんど変わっていない。溝を設けた
スペーサにおいても本発明の効果は期待できる。
【００２５】
【実施例４】外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ０．
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、通過型のスパッ
タリング装置を用い、ＲＦスパッタリングによって厚さ
３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２を形成した。この際のス
パッタパワーは３５００Ｗとした。このとき、基材と基
材ホルダーの間に図２に示すような厚さ０．６ｍｍのス
ペーサ（材質：銅、熱容量：５．５ｃａｌ／℃、熱伝導
率：０．９２ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃）を挿入し、基
材の表面の温度を測定した。成膜温度測定にはサーモラ
ベルを用い、これを基材表面に貼ることにより基材表面
の最高到達温度を求めた。この結果を表４に示す。
６ｍｍのポリカーボネート基材の上に、通過型のスパッ
タリング装置を用い、ＲＦスパッタリングによって厚さ
３００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２を形成した。この際のス
パッタパワーは３５００Ｗとした。このとき、基材と基
材ホルダーの間に図２に示すような厚さ０．６ｍｍのス
ペーサ（材質：銅、熱容量：５．５ｃａｌ／℃、熱伝導
率：０．９２ｃａｌ／ｃｍ／ｓｅｃ／℃）を挿入し、基
材の表面の温度を測定した。成膜温度測定にはサーモラ
ベルを用い、これを基材表面に貼ることにより基材表面
の最高到達温度を求めた。この結果を表４に示す。
【００２６】
【表４】
【００２７】この結果、スペーサの材質を銅にしても温
度を下げる効果はあり、材質は銅でも本発明の効果は期
待できる。
度を下げる効果はあり、材質は銅でも本発明の効果は期
待できる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、少なくとも１層以上有
する光情報記録媒体において該形成層の成膜時に基材と
基材ホルダーの間にスペーサを挿入することで該形成層
の成膜時に基材の成膜時の温度を下げることができる。
その結果、基材の変形を抑え機械精度のよい光情報記録
媒体を提供することができる。特に厚さ０．８ｍｍ以下
の樹脂基材においてより効果的である。
する光情報記録媒体において該形成層の成膜時に基材と
基材ホルダーの間にスペーサを挿入することで該形成層
の成膜時に基材の成膜時の温度を下げることができる。
その結果、基材の変形を抑え機械精度のよい光情報記録
媒体を提供することができる。特に厚さ０．８ｍｍ以下
の樹脂基材においてより効果的である。
【図１】光ディスク製造に用いられる基材、内周マスク
及び外周マスクを示す概略図である。
及び外周マスクを示す概略図である。
【図２】本発明の成膜装置における、基材ホルダー、基
材、内周マスク、外周マスク及び基材ホルダーの位置を
示す概略図である。
材、内周マスク、外周マスク及び基材ホルダーの位置を
示す概略図である。
【図３】本発明に用いられるスペーサの概略図である。
【図４】本発明に用いられる溝のあるスペーサの概略図
である。
である。
１０１ 基材 １０２ 外周マスク １０３ 内周マスク １０４ スペーサ １０５ 基材ホルダー
Claims (2)
- 【請求項１】 基材ホルダー上に樹脂基材を置き、その
上に１層以上の層を成膜していくことにより光学情報記
録媒体を製造する方法において、基材ホルダーと樹脂基
材の間に熱容量が２．３ｃａｌ／℃以上のスペーサを介
在させた状態で成膜を行うことを特徴とする光学情報記
録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 基材ホルダーを有する光学情報記録媒体
製造用成膜装置において、基材ホルダー上に熱容量が
２．３ｃａｌ／℃以上のスペーサを設けたことを特徴と
する光学情報記録媒体製造用成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6556198A JPH11265529A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 光学情報記録媒体の製造方法及び成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6556198A JPH11265529A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 光学情報記録媒体の製造方法及び成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265529A true JPH11265529A (ja) | 1999-09-28 |
Family
ID=13290558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6556198A Withdrawn JPH11265529A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | 光学情報記録媒体の製造方法及び成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11265529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1469466A2 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-20 | Lintec Corporation | Optical recording medium-producing sheet and optical recording medium |
| CN100433776C (zh) * | 2004-10-20 | 2008-11-12 | 大竑企业股份有限公司 | 网络影音文件传真装置及同步分类归档作业方法 |
-
1998
- 1998-03-16 JP JP6556198A patent/JPH11265529A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1469466A2 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-20 | Lintec Corporation | Optical recording medium-producing sheet and optical recording medium |
| EP1469466A3 (en) * | 2003-04-18 | 2005-08-31 | Lintec Corporation | Optical recording medium-producing sheet and optical recording medium |
| US7005174B2 (en) | 2003-04-18 | 2006-02-28 | Lintec Corporation | Optical recording medium-producing sheet and optical recording medium |
| CN100356467C (zh) * | 2003-04-18 | 2007-12-19 | 琳得科株式会社 | 光记录介质制造用片材和光记录介质 |
| CN100433776C (zh) * | 2004-10-20 | 2008-11-12 | 大竑企业股份有限公司 | 网络影音文件传真装置及同步分类归档作业方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
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