JPH11260996A - 光学半導体装置とその製造方法 - Google Patents

光学半導体装置とその製造方法

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JPH11260996A
JPH11260996A JP6491798A JP6491798A JPH11260996A JP H11260996 A JPH11260996 A JP H11260996A JP 6491798 A JP6491798 A JP 6491798A JP 6491798 A JP6491798 A JP 6491798A JP H11260996 A JPH11260996 A JP H11260996A
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JP
Japan
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semiconductor element
optical semiconductor
peripheral
mounting portion
circuit board
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Kunikazu Takemura
邦和 竹村
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Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 使用機器の小型化が図れる光学半導体装置と
その製造方法を得る。 【解決手段】 リードフレーム１２と、リードフレーム
１２の片側にダイボンディング，ワイヤボンディングし
た周辺半導体素子１６と、リードフレーム１２の他側に
ダイパッド部１３ａと内部リード部１３ｂの表面を露出
させてなる光学半導体素子搭載部分１３を形成しかつ周
辺半導体素子１６を封止して樹脂成型したパッケージ１
８と、光学半導体素子搭載部分１３のダイパッド部１３
ａにダイボンディングしかつ内部リード部１３ｂにワイ
ヤボンディングしてリードフレーム１２を通じて周辺半
導体素子１６と電気的に接続した光学半導体素子１４
と、光学半導体素子搭載部分１３を封止したガラス２０
とを備えたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は光学半導体装置と
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ビデオカメラやデジタルカメラ等の
普及により、それらに内蔵，使用されている光学半導体
装置も小型化，高機能化が求められている状況にある。
従来、光学半導体装置は１個の素子のみを搭載し、それ
により取り込まれた画像情報は同じ機器内にある別の半
導体装置（以下、周辺半導体装置と言う）に納められた
素子により変換され、利用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光学半導体装置と周辺
半導体装置は別個の半導体装置であるため、機器でこれ
らを使用する際にはプリント基板上にそれぞれを実装し
て、これらの電気的接続を得る必要があった。すなわ
ち、図１５に示すように、プリント基板８０上に実装し
た光学半導体装置８１と周辺半導体装置８２の最低２個
の半導体装置で機器のシステムを構築していた。このた
め、光学半導体装置８１と周辺半導体装置８２を実装し
かつこれらを電気的に接続するために広い面積のプリン
ト基板８０が必要となり、使用機器の小型化を制約して
いた。
【０００４】そこで、光学半導体と周辺半導体を一つの
素子にまとめる事（以下ワンチップ化と言う）も検討さ
れたが、光学半導体の製造プロセスは通常の製造プロセ
スで生産される周辺半導体プロセスと異なっており、ワ
ンチップ化も困難であった。この発明は上記従来の問題
を解決するもので、使用機器の小型化が図れる光学半導
体装置とその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の光学半導
体装置は、外部接続用端子を設けた素子搭載基板と、素
子搭載基板の一面に搭載した周辺半導体素子と、素子搭
載基板の他面に搭載し素子搭載基板を通じて周辺半導体
素子と電気的に接続した光学半導体素子とを備えたもの
である。
【０００６】請求項２記載の光学半導体装置の製造方法
は、外部接続用端子を設けた素子搭載基板の一面に周辺
半導体素子を搭載し、光学半導体素子を素子搭載基板の
他面に搭載して素子搭載基板を通じて周辺半導体素子と
電気的に接続するものである。請求項１および請求項２
記載の光学半導体装置とその製造方法によると、１個の
光学半導体装置に光学半導体素子と周辺半導体素子が収
容され、かつ光学半導体装置内で光学半導体素子と周辺
半導体素子の電気的接続が行え、光学半導体装置を実装
する機器の基板面積を小さくできる。
【０００７】請求項３記載の光学半導体装置は、ダイパ
ッド部ならびに内部リード部を有したリードフレーム
と、リードフレームの一面にダイボンディング，ワイヤ
ボンディングした周辺半導体素子と、リードフレームの
他面にダイパッド部と内部リード部の表面を露出させて
なる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導体素
子を封止して樹脂成型したパッケージと、光学半導体素
子搭載部分のダイパッド部にダイボンディングしかつ内
部リード部にワイヤボンディングしてリードフレームを
通じて周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素
子と、光学半導体素子搭載部分を封止したガラスとを備
えたものである。
【０００８】請求項４記載の光学半導体装置の製造方法
は、ダイパッド部ならびに内部リード部を有したリード
フレームの一面に周辺半導体素子をダイボンディング，
ワイヤボンディングし、リードフレームの他面にダイパ
ッド部と内部リード部の表面を露出させてなる光学半導
体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導体素子を封止して
パッケージを樹脂成型し、光学半導体素子を光学半導体
素子搭載部分のダイパッド部にダイボンディングし内部
リード部にワイヤボンディングしてリードフレームを通
じて周辺半導体素子と電気的に接続し、光学半導体素子
搭載部分をガラスにて封止するものである。
【０００９】請求項３および請求項４記載の光学半導体
装置とその製造方法によると、１個の光学半導体装置に
光学半導体素子と周辺半導体素子が収容され、かつ光学
半導体装置内で光学半導体素子と周辺半導体素子の電気
的接続が行え、光学半導体装置を実装する機器の基板面
積を小さくできる。請求項５記載の光学半導体装置は、
外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プ
リント基板の一面にダイボンディング，ワイヤボンディ
ングした周辺半導体素子と、プリント基板の他面に基板
表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成し
かつ周辺半導体素子を封止して樹脂成型したパッケージ
と、光学半導体素子搭載部分にダイボンディングしかつ
露出した基板表面にワイヤボンディングしてプリント基
板を通じて周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導
体素子と、光学半導体素子搭載部分を封止したガラスと
を備えたものである。
【００１０】請求項６記載の光学半導体装置の製造方法
は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板の
一面に周辺半導体素子をダイボンディング，ワイヤボン
ディングし、プリント基板の他面に基板表面を露出させ
てなる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導体
素子を封止してパッケージを樹脂成型し、光学半導体素
子を光学半導体素子搭載部分にダイボンディングし露出
した基板表面にワイヤボンディングしてプリント基板を
通じて周辺半導体素子と電気的に接続し、光学半導体素
子搭載部分をガラスにて封止するものである。
【００１１】請求項５および請求項６記載の光学半導体
装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実装す
る機器の基板面積を小さくでき、またリードフレームの
代わりにプリント基板を用いたことで、光学半導体素子
と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくすること
ができる。請求項７記載の光学半導体装置は、外部端子
部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリント基
板の一面に実装し周辺半導体素子を搭載した表面実装部
品と、プリント基板の他面に基板表面を露出させてなる
光学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導体素子を
搭載した表面実装部品を封止して樹脂成型したパッケー
ジと、光学半導体素子搭載部分にダイボンディングしか
つ露出した基板表面にワイヤボンディングしてプリント
基板を通じて表面実装部品の周辺半導体素子と電気的に
接続した光学半導体素子と、光学半導体素子搭載部分を
封止したガラスとを備えたものである。
【００１２】請求項８記載の光学半導体装置の製造方法
は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板の
一面に周辺半導体素子を搭載した表面実装部品を実装
し、プリント基板の他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導体素子を搭
載した表面実装部品を封止してパッケージを樹脂成型
し、光学半導体素子を光学半導体素子搭載部分にダイボ
ンディングし露出した基板表面にワイヤボンディングし
てプリント基板を通じて表面実装部品の周辺半導体素子
と電気的に接続し、光学半導体素子搭載部分をガラスに
て封止するものである。
【００１３】請求項７および請求項８記載の光学半導体
装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実装す
る機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素子と
周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくすることが
でき、さらに周辺半導体素子を搭載した表面実装部品を
プリント基板に実装したので、周辺半導体素子をワイヤ
ボンディングするのに比べ光学半導体素子と周辺半導体
素子の電気的接続距離が短くなる。
【００１４】請求項９記載の光学半導体装置は、外部端
子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリント
基板の一面に実装した周辺半導体素子のフリップチップ
実装品と、プリント基板の他面に基板表面を露出させて
なる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導体素
子のフリップチップ実装品を封止して樹脂成型したパッ
ケージと、光学半導体素子搭載部分にダイボンディング
しかつ露出した基板表面にワイヤボンディングしてプリ
ント基板を通じてフリップチップ実装品の周辺半導体素
子と電気的に接続した光学半導体素子と、光学半導体素
子搭載部分を封止したガラスとを備えたものである。
【００１５】請求項１０記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に周辺半導体素子のフリップチップ実装品を実装
し、プリント基板の他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導体素子のフ
リップチップ実装品を封止してパッケージを樹脂成型
し、光学半導体素子を光学半導体素子搭載部分にダイボ
ンディングし露出した基板表面にワイヤボンディングし
てプリント基板を通じてフリップチップ実装品の周辺半
導体素子と電気的に接続し、光学半導体素子搭載部分を
ガラスにて封止するものである。
【００１６】請求項９および請求項１０記載の光学半導
体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実装
する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素子
と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくすること
ができ、また光学半導体素子と周辺半導体素子の電気的
接続距離が短くなり、さらに周辺半導体素子のフリップ
チップ実装品を用いることで、周辺半導体素子を搭載し
た表面実装部品を用いるよりも安価な光学半導体装置を
提供できる。
【００１７】請求項１１記載の光学半導体装置は、内部
リード部を有したリードフレームと、リードフレームの
一面にダイボンディング，ワイヤボンディングした周辺
半導体素子と、リードフレームの他面に内部リード部の
表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成し
かつ周辺半導体素子を封止して樹脂成型したパッケージ
と、光学半導体素子搭載部分にダイボンディングしかつ
内部リード部にワイヤボンディングしてリードフレーム
を通じて周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体
素子と、光学半導体素子搭載部分を封止したガラスとを
備えたものである。
【００１８】請求項１２記載の光学半導体装置の製造方
法は、内部リード部を有したリードフレームの一面に周
辺半導体素子をダイボンディング，ワイヤボンディング
し、リードフレームの他面に内部リード部の表面を露出
させてなる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半
導体素子を封止してパッケージを樹脂成型し、光学半導
体素子を光学半導体素子搭載部分にダイボンディングし
内部リード部にワイヤボンディングしてリードフレーム
を通じて周辺半導体素子と電気的に接続し、光学半導体
素子搭載部分をガラスにて封止するものである。
【００１９】請求項１１または請求項１２記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また周辺半導体素
子がダイボンディングされているリードフレームのダイ
パッド部分が、光学半導体素子を搭載する部分に直接露
出していないので、パッケージの収縮によりダイパッド
部分が反って樹脂から剥離するのを防止できる。
【００２０】請求項１３記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面にダイボンディング，ワイヤボンディング
した周辺半導体素子と、プリント基板の他面に基板表面
を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ
周辺半導体素子を封止して樹脂成型したパッケージと、
光学半導体素子搭載部分に実装してプリント基板を通じ
て周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を
搭載した表面実装部品と、光学半導体素子搭載部分を封
止したガラスとを備えたものである。
【００２１】請求項１４記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に周辺半導体素子をダイボンディング，ワイヤボ
ンディングし、プリント基板の他面に基板表面を露出さ
せてなる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導
体素子を封止してパッケージを樹脂成型し、光学半導体
素子を搭載した表面実装部品を光学半導体素子搭載部分
に実装してプリント基板を通じて周辺半導体素子と電気
的に接続し、光学半導体素子搭載部分をガラスにて封止
するものである。
【００２２】請求項１３または請求項１４記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素
子と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくするこ
とができ、また光学半導体素子と周辺半導体素子の電気
的接続距離が短くなり、さらに光学半導体素子を表面実
装部品の形で搭載するため、光学半導体素子の特性検査
を十分に行った後に搭載できる。
【００２３】請求項１５記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面にダイボンディング，ワイヤボンディング
した周辺半導体素子と、プリント基板の他面に基板表面
を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ
周辺半導体素子を封止して樹脂成型したパッケージと、
光学半導体素子搭載部分に実装してプリント基板を通じ
て周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を
搭載した表面実装部品とを備えたものである。
【００２４】請求項１６記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に周辺半導体素子をダイボンディング，ワイヤボ
ンディングし、プリント基板の他面に基板表面を露出さ
せてなる光学半導体素子搭載部分を形成しかつ周辺半導
体素子を封止してパッケージを樹脂成型し、光学半導体
素子を搭載した表面実装部品を光学半導体素子搭載部分
に実装してプリント基板を通じて周辺半導体素子と電気
的に接続するものである。
【００２５】請求項１５または請求項１６記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素
子と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくするこ
とができ、また光学半導体素子と周辺半導体素子の電気
的接続距離が短くなり、また光学半導体素子の特性検査
を十分に行った後に搭載でき、さらに光学半導体素子を
表面実装部品の形で搭載するため、部品としての対環境
保護がなされているため、ガラスによる封止が不要とな
る。
【００２６】請求項１７記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素
子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成して樹脂成型したパッケー
ジと、周辺半導体素子搭載部分に実装した周辺半導体素
子を搭載した表面実装部品と、光学半導体素子搭載部分
にダイボンディングしかつ露出した基板表面にワイヤボ
ンディングしてプリント基板を通じて表面実装部品の周
辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子と、光
学半導体素子搭載部分を封止したガラスとを備えたもの
である。
【００２７】請求項１８記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素子搭載
部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光学半導
体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂成型し、周
辺半導体素子を搭載した表面実装部品を周辺半導体素子
搭載部分に実装し、光学半導体素子を光学半導体素子搭
載部分にダイボンディングし露出した基板表面にワイヤ
ボンディングしてプリント基板を通じて表面実装部品の
周辺半導体素子と電気的に接続し、光学半導体素子搭載
部分をガラスにて封止するものである。
【００２８】請求項１７または請求項１８記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素
子と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくするこ
とができ、また光学半導体素子と周辺半導体素子の電気
的接続距離が短くなり、さらに周辺半導体素子を搭載し
た表面実装部品を実装する前に、パッケージを樹脂成型
でき、事前にパッケージのみをストックしておくことが
できる。
【００２９】請求項１９記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素
子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成して樹脂成型したパッケー
ジと、周辺半導体素子搭載部分に実装した周辺半導体素
子のフリップチップ実装品と、光学半導体素子搭載部分
にダイボンディングしかつ露出した基板表面にワイヤボ
ンディングしてプリント基板を通じてフリップチップ実
装品の周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素
子と、光学半導体素子搭載部分を封止したガラスとを備
えたものである。
【００３０】請求項２０記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素子搭載
部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光学半導
体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂成型し、周
辺半導体素子のフリップチップ実装品を周辺半導体素子
搭載部分に実装し、光学半導体素子を光学半導体素子搭
載部分にダイボンディングし露出した基板表面にワイヤ
ボンディングしてプリント基板を通じてフリップチップ
実装品の周辺半導体素子と電気的に接続し、光学半導体
素子搭載部分をガラスにて封止するものである。
【００３１】請求項１９または請求項２０記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素
子と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくするこ
とができ、また光学半導体素子と周辺半導体素子の電気
的接続距離が短くなり、また安価な光学半導体装置を提
供でき、さらに事前にパッケージのみをストックしてお
くことができる。
【００３２】請求項２１記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素
子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成して樹脂成型したパッケー
ジと、周辺半導体素子搭載部分に実装した周辺半導体素
子のフリップチップ実装品と、光学半導体素子搭載部分
に実装してプリント基板を通じてフリップチップ実装品
の周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を
搭載した表面実装部品と、光学半導体素子搭載部分を封
止したガラスとを備えたものである。
【００３３】請求項２２記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素子搭載
部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光学半導
体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂成型し、周
辺半導体素子のフリップチップ実装品を周辺半導体素子
搭載部分に実装し、光学半導体素子を搭載した表面実装
部品を光学半導体素子搭載部分に実装してプリント基板
を通じてフリップチップ実装品の周辺半導体素子と電気
的に接続し、光学半導体素子搭載部分をガラスにて封止
するものである。
【００３４】請求項２１または請求項２２記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素
子と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくするこ
とができ、また安価な光学半導体装置を提供でき、また
事前にパッケージのみをストックしておくことができ、
また光学半導体素子の特性検査を十分に行った後に搭載
でき、さらに光学半導体素子と周辺半導体素子の電気的
接続距離がより一層短くなる。
【００３５】請求項２３記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素
子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成して樹脂成型したパッケー
ジと、周辺半導体素子搭載部分に実装した周辺半導体素
子のフリップチップ実装品と、光学半導体素子搭載部分
に実装してプリント基板を通じてフリップチップ実装品
の周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を
搭載した表面実装部品とを備えたものである。
【００３６】請求項２４記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素子搭載
部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光学半導
体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂成型し、周
辺半導体素子のフリップチップ実装品を周辺半導体素子
搭載部分に実装し、光学半導体素子を搭載した表面実装
部品を光学半導体素子搭載部分に実装してプリント基板
を通じてフリップチップ実装品の周辺半導体素子と電気
的に接続するものである。
【００３７】請求項２３または請求項２４記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素
子と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくするこ
とができ、また安価な光学半導体装置を提供でき、また
事前にパッケージのみをストックしておくことができ、
また光学半導体素子の特性検査を十分に行った後に搭載
でき、また光学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接
続距離がより一層短くなり、さらにガラスによる封止が
不要となる。
【００３８】請求項２５記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素
子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成して樹脂成型したパッケー
ジと、周辺半導体素子搭載部分に実装した周辺半導体素
子を搭載した表面実装部品と、光学半導体素子搭載部分
に実装してプリント基板を通じて表面実装部品の周辺半
導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を搭載した
表面実装部品と、光学半導体素子搭載部分を封止したガ
ラスとを備えたものである。
【００３９】請求項２６記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素子搭載
部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光学半導
体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂成型し、周
辺半導体素子を搭載した表面実装部品を周辺半導体素子
搭載部分に実装し、光学半導体素子を搭載した表面実装
部品を光学半導体素子搭載部分に実装してプリント基板
を通じて周辺半導体素子を搭載した表面実装部品の当該
周辺半導体素子と電気的に接続し、光学半導体素子搭載
部分をガラスにて封止するものである。請求項２５また
は請求項２６記載の光学半導体装置とその製造方法によ
ると、光学半導体装置を実装する機器の基板面積を小さ
くでき、また光学半導体素子と周辺半導体素子の電気的
接合の制約を少なくすることができ、また事前にパッケ
ージのみをストックしておくことができ、また光学半導
体素子の特性検査を十分に行った後に搭載でき、さらに
光学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接続距離がよ
り一層短くなる。
【００４０】請求項２７記載の光学半導体装置は、外部
端子部分に外部リードを設けたプリント基板と、プリン
ト基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素
子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光
学半導体素子搭載部分を形成して樹脂成型したパッケー
ジと、周辺半導体素子搭載部分に実装した周辺半導体素
子を搭載した表面実装部品と、光学半導体素子搭載部分
に実装してプリント基板を通じて表面実装部品の周辺半
導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を搭載した
表面実装部品とを備えたものである。
【００４１】請求項２８記載の光学半導体装置の製造方
法は、外部端子部分に外部リードを設けたプリント基板
の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導体素子搭載
部分を形成し他面に基板表面を露出させてなる光学半導
体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂成型し、周
辺半導体素子を搭載した表面実装部品を周辺半導体素子
搭載部分に実装し、光学半導体素子を搭載した表面実装
部品を光学半導体素子搭載部分に実装してプリント基板
を通じて周辺半導体素子を搭載した表面実装部品の当該
周辺半導体素子と電気的に接続するものである。
【００４２】請求項２７または請求項２８記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、また光学半導体素
子と周辺半導体素子の電気的接合の制約を少なくするこ
とができ、また事前にパッケージのみをストックしてお
くことができ、また光学半導体素子の特性検査を十分に
行った後に搭載でき、また光学半導体素子と周辺半導体
素子の電気的接続距離がより一層短くなり、さらにガラ
スによる封止が不要となる。
【００４３】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態 この発明の第１の実施の形態を図１および図２に基づい
て説明する。図１において、１０は機器のプリント基
板、１１は光学半導体装置、１２はリードフレームであ
る。
【００４４】また、光学半導体装置１１は、図２に示す
ように、外部接続用端子１２′を有した素子搭載基板と
なるリードフレーム１２と、リードフレーム１２の上面
に設けた光学半導体素子１４と、リードフレーム１２の
下面に設けた周辺半導体素子１６と、パッケージ１８
と、ガラス２０にて構成されている。光学半導体装置１
１の製造手順に沿って詳細に説明する。まず、リードフ
レーム１２の下面に周辺半導体素子１６をダイボンディ
ングし、ボンディングワイヤ１７にてワイヤボンディン
グする。次に、リードフレーム１２の上面に、ダイパッ
ド部１３ａと内部リード部１３ｂの表面を露出させてな
る光学半導体素子搭載部分１３を形成しかつ周辺半導体
素子１６を封止してパッケージ１８を樹脂成型する。次
に、光学半導体素子搭載部分１３のダイパッド部１３ａ
に光学半導体素子１４をダイボンディングし、ボンディ
ングワイヤ１５にて露出した内部リード部１３ｂの表面
にワイヤボンディングする。このようにして、リードフ
レーム１２を通じて光学半導体素子１４と周辺半導体素
子１６を電気的に接続した後、ガラスシール剤１９を介
してガラス２０を接着して光学半導体素子搭載部分１３
を封止する。
【００４５】このように構成された光学半導体装置１１
とその製造方法によると、１個の光学半導体装置１１に
光学半導体素子１４と周辺半導体素子１６を収容するこ
とで、機器のプリント基板１０に別個の光学半導体装置
と周辺半導体装置をそれぞれ実装するのに比べ搭載面積
が半減し、しかも光学半導体素子１４と周辺半導体素子
１６を光学半導体装置１１内で電気的に接続したので、
プリント基板１０に光学半導体素子１４と周辺半導体素
子１６を結ぶための回路面積も不要となる。よって、プ
リント基板１０の面積を小さくすることができ、使用機
器の小型化を実現できる。
【００４６】第２の実施の形態 この発明の第２の実施の形態の光学半導体装置２１を図
３に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。図３におい
て、２３は素子搭載基板となるプリント基板であり、外
部端子部分に外部接続用端子となる外部リード２２を有
している。まず、プリント基板２３の下面に周辺半導体
素子１６をダイボンディングし、ボンディングワイヤ１
７にてプリント配線や端子等にワイヤボンディングす
る。次に、プリント基板２３の上面に、基板表面を露出
させてなる光学半導体素子搭載部分２４を形成しかつ周
辺半導体素子１６を封止してパッケージ１８を樹脂成型
する。次に、光学半導体素子搭載部分２４に光学半導体
素子１４をダイボンディングし、ボンディングワイヤ１
５にて露出した基板表面のプリント配線や端子等にワイ
ヤボンディングする。このようにして、プリント基板２
３を通じて光学半導体素子１４と周辺半導体素子１６を
電気的に接続した後、ガラスシール剤１９を介してガラ
ス２０を接着して光学半導体素子搭載部分２４を封止す
る。
【００４７】このように構成された光学半導体装置２１
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
る。さらに、リードフレームの代わりにプリント基板２
３を用いることで、光学半導体素子１４と周辺半導体素
子１６の電気的接合の制約を少なくすることが可能で、
より高度な機能を備えた光学半導体装置２１を提供する
ことができる。すなわち、リードフレームの場合は同じ
リードに光学半導体素子のワイヤと周辺半導体素子のワ
イヤをワイヤボンディングすることでのみ２個の素子を
電気的に接合することが可能であったのに対し、プリン
ト基板２３を用いた場合は基板の配線を利用すること
で、光学半導体素子１４の１個の電極を周辺半導体素子
１６の複数の電極と電気的に接合することが可能にな
る。
【００４８】第３の実施の形態 この発明の第３の実施の形態の光学半導体装置２５を図
４に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。図４におい
て、２６は周辺半導体素子を搭載したＢＧＡ（Ball Gri
d Array ），ＣＳＰ（Chip Size Package ）等の表面実
装部品、２７は表面実装部品２６に形成されたバンプで
あり、このバンプ２７を介してプリント基板２３のプリ
ント配線や端子等に接続されている。まず、プリント基
板２３の下面に表面実装部品２６をバンプ２７を介して
実装し、プリント基板２３の上面に光学半導体素子搭載
部分２４を形成しかつ表面実装部品２６を封止してパッ
ケージ１８を樹脂成型する。次に、光学半導体素子搭載
部分２４に光学半導体素子１４をダイボンディング，ワ
イヤボンディングする。このようにして、プリント基板
２３を通じて光学半導体素子１４と表面実装部品２６の
周辺半導体素子を電気的に接続した後、ガラス２０にて
封止する。
【００４９】このように構成された光学半導体装置２５
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備えた光学半導体装置２５
を提供することができる。さらに、バンプ２７にて表面
実装部品２６をプリント基板２３に実装したので、周辺
半導体素子をワイヤボンディングするのに比べ光学半導
体素子１４と周辺半導体素子の電気的接続距離が短くな
り、より高速に動作する光学半導体装置２５を提供する
ことができる。
【００５０】第４の実施の形態 この発明の第４の実施の形態の光学半導体装置３０を図
５に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。図５におい
て、３１は周辺半導体素子のフリップチップ実装品であ
る。３２はフリップチップ実装品３１に形成されたバン
プであり、このバンプ３２を介してプリント基板２３の
プリント配線や端子等に接続されている。まず、プリン
ト基板２３の下面にフリップチップ実装品３１をバンプ
３２を介して実装し、プリント基板２３の上面に光学半
導体素子搭載部分２４を形成しかつフリップチップ実装
品３１を封止してパッケージ１８を樹脂成型する。次
に、光学半導体素子搭載部分２４に光学半導体素子１４
をダイボンディング，ワイヤボンディングする。このよ
うにして、プリント基板２３を通じて光学半導体素子１
４とフリップチップ実装品３１の周辺半導体素子を電気
的に接続した後、ガラス２０にて封止する。
【００５１】このように構成された光学半導体装置３０
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置３０を提供することができる。さら
に、周辺半導体素子のフリップチップ実装品３１を用い
たので、ＢＧＡ，ＣＳＰ等の周辺半導体素子を搭載した
表面実装部品を用いるよりも安価な光学半導体装置３０
を提供することができる。
【００５２】第５の実施の形態 この発明の第５の実施の形態の光学半導体装置３５を図
６に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。まず、外部
接続用端子３６′を有した素子搭載基板となるリードフ
レーム３６の下面に周辺半導体素子１６をダイボンディ
ング，ワイヤボンディングする。リードフレーム３６の
上面に、内部リード部３７の表面を露出させてなる光学
半導体素子搭載部分３８を形成しかつ周辺半導体素子１
６を封止してパッケージ１８を樹脂成型する。次に、光
学半導体素子１４を光学半導体素子搭載部分３８の樹脂
部にダイボンディングし、ボンディングワイヤ１５にて
露出した内部リード部３７の表面にワイヤボンディング
する。このようにして、リードフレーム３６を通じて光
学半導体素子１４と周辺半導体素子１６を電気的に接続
した後、ガラス２０にて封止する。
【００５３】このように構成された光学半導体装置３５
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
る。さらに、周辺半導体素子１６がダイボンディングさ
れているリードフレーム３６のダイパッド部分が、光学
半導体素子１４を搭載する部分に直接露出していないの
で、パッケージ１８の収縮によりダイパッド部分が反っ
て樹脂から剥離するのを防止でき、性能の安定した光学
半導体装置３５を提供することができる。
【００５４】第６の実施の形態 この発明の第６の実施の形態の光学半導体装置４０を図
７に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。図７におい
て、４１は光学半導体素子を搭載したＢＧＡ，ＣＳＰ等
の表面実装部品である。４２は表面実装部品４１に形成
されたバンプであり、このバンプ４２を介してプリント
基板２３のプリント配線や端子等に接続されている。ま
ず、プリント基板２３の下面に周辺半導体素子１６をダ
イボンディング，ワイヤボンディングする。プリント基
板２３の上面に光学半導体素子搭載部分２４を形成しか
つ周辺半導体素子１６を封止してパッケージ１８を樹脂
成型する。次に、光学半導体素子搭載部分２４に表面実
装部品４１をバンプ４２を介して実装し、プリント基板
２３を通じて表面実装部品４１の光学半導体素子と周辺
半導体素子１６を電気的に接続した後、ガラス２０にて
封止する。
【００５５】このように構成された光学半導体装置４０
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置４０を提供することができる。さら
に、光学半導体素子をＢＧＡ，ＣＳＰ等の表面実装部品
４１の形で搭載するため、光学半導体素子の特性検査を
十分に行った後に搭載でき、不良品となる可能性を減ら
すことができる。
【００５６】第７の実施の形態 この発明の第７の実施の形態の光学半導体装置４５を図
８に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。まず、プリ
ント基板２３の下面に周辺半導体素子１６をダイボンデ
ィング，ワイヤボンディングする。プリント基板２３の
上面に光学半導体素子搭載部分２４を形成しかつ周辺半
導体素子１６を封止してパッケージ１８を樹脂成型す
る。次に、光学半導体素子を搭載したＢＧＡ，ＣＳＰ等
の表面実装部品４１を光学半導体素子搭載部分２４に実
装する。このようにして、プリント基板２３を通じて表
面実装部品４１の光学半導体素子と周辺半導体素子１６
を電気的に接続する。
【００５７】このように構成された光学半導体装置４５
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置４５を提供することができる。ま
た、不良品となる可能性を減らすことができる。さら
に、光学半導体素子をＢＧＡ，ＣＳＰ等の表面実装部品
４１の形で搭載するため、部品としての対環境保護がな
されており、ガラスによる封止が不要となり、部品点数
の削減ならびにコストダウンが図れる。
【００５８】第８の実施の形態 この発明の第８の実施の形態の光学半導体装置５０を図
９に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一部
分は同一符号を付してその説明を省略する。まず、プリ
ント基板２３の上面に基板表面を露出してなる光学半導
体素子搭載部分２４を形成し、プリント基板２３の下面
に基板表面を露出してなる周辺半導体素子搭載部分５１
を形成して、パッケージ５２を樹脂成型する。周辺半導
体素子搭載部分５１に周辺半導体素子を搭載したＢＧ
Ａ，ＣＳＰ等の表面実装部品２６をバンプ２７を介して
実装し、光学半導体素子搭載部分２４に光学半導体素子
１４をダイボンディング，ワイヤボンディングする。こ
のようにして、プリント基板２３を通じて光学半導体素
子１４と表面実装部品２６の周辺半導体素子を電気的に
接続した後、ガラス２０にて封止する。
【００５９】このように構成された光学半導体装置５０
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置５０を提供することができる。さら
に、周辺半導体素子を搭載した表面実装部品２６を実装
する前に、パッケージ５２を樹脂成型でき、事前にパッ
ケージ５２のみをストックしておくことができ、組み立
てが短時間で行える。
【００６０】第９の実施の形態 この発明の第９の実施の形態の光学半導体装置５５を図
１０に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同一
部分は同一符号を付してその説明を省略する。まず、プ
リント基板２３の上面に光学半導体素子搭載部分２４を
形成し、下面に周辺半導体素子搭載部分５１を形成し
て、パッケージ５２を樹脂成型する。周辺半導体素子搭
載部分５１に周辺半導体素子のフリップチップ実装品３
１をバンプ３２を介して実装し、光学半導体素子搭載部
分２４に光学半導体素子１４をダイボンディング，ワイ
ヤボンディングする。このようにして、プリント基板２
３を通じて光学半導体素子１４とフリップチップ実装品
３１の周辺半導体素子を電気的に接続した後、ガラス２
０にて封止する。
【００６１】このように構成された光学半導体装置５５
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置５５を提供することができる。ま
た、組み立てが短時間で行え、しかも安価な光学半導体
装置５５を提供することができる。第１０の実施の形態 この発明の第１０の実施の形態の光学半導体装置６０を
図１１に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同
一部分は同一符号を付してその説明を省略する。
【００６２】まず、プリント基板２３の上面に光学半導
体素子搭載部分２４を形成し、下面に周辺半導体素子搭
載部分５１を形成して、パッケージ５２を樹脂成型す
る。周辺半導体素子搭載部分５１に周辺半導体素子のフ
リップチップ実装品３１をバンプ３２を介して実装し、
光学半導体素子搭載部分２４に光学半導体素子を搭載し
た表面実装部品４１をバンプ４２を介して実装する。こ
のようにして、プリント基板２３を通じて表面実装部品
４１の光学半導体素子とフリップチップ実装品３１の周
辺半導体素子を電気的に接続した後、ガラス２０にて封
止する。
【００６３】このように構成された光学半導体装置６０
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置６０を提供することができる。ま
た、不良品となる可能性を減らすことができ、しかも安
価な光学半導体装置６０を提供することができる。第１
１の実施の形態この発明の第１１の実施の形態の光学半
導体装置６５を図１２に基づいて説明する。なお、前記
実施の形態と同一部分は同一符号を付してその説明を省
略する。
【００６４】まず、プリント基板２３の上面に光学半導
体素子搭載部分２４を形成し、下面に周辺半導体素子搭
載部分５１を形成して、パッケージ５２を樹脂成型す
る。周辺半導体素子搭載部分５１に周辺半導体素子のフ
リップチップ実装品３１をバンプ３２を介して実装し、
光学半導体素子搭載部分２４に光学半導体素子を搭載し
た表面実装部品４１をバンプ４２を介して実装する。こ
のようにして、プリント基板２３を通じて表面実装部品
４１の光学半導体素子とフリップチップ実装品３１の周
辺半導体素子を電気的に接続する。
【００６５】このように構成された光学半導体装置６５
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置６０を提供することができる。ま
た、不良品となる可能性を減らすことができ、しかも安
価な光学半導体装置６０を提供することができる。さら
に、部品点数の削減ならびにコストダウンが図れる。
【００６６】第１２の実施の形態 この発明の第１２の実施の形態の光学半導体装置７０を
図１３に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同
一部分は同一符号を付してその説明を省略する。まず、
プリント基板２３の上面に光学半導体素子搭載部分２４
を形成し、下面に周辺半導体素子搭載部分５１を形成し
て、パッケージ５２を樹脂成型する。周辺半導体素子搭
載部分５１に周辺半導体素子を搭載した表面実装部品２
６をバンプ２７を介して実装し、光学半導体素子搭載部
分２４に光学半導体素子を搭載した表面実装部品４１を
バンプ４２を介して実装する。プリント基板２３を通じ
て表面実装部品４１の光学半導体素子と表面実装部品２
６の周辺半導体素子を電気的に接続した後、ガラス２０
にて封止する。
【００６７】このように構成された光学半導体装置７０
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置６０を提供することができる。ま
た、不良品となる可能性を減らすことができる。第１３
の実施の形態 この発明の第１３の実施の形態の光学半導体装置７５を
図１４に基づいて説明する。なお、前記実施の形態と同
一部分は同一符号を付してその説明を省略する。
【００６８】まず、プリント基板２３の上面に光学半導
体素子搭載部分２４を形成し、下面に周辺半導体素子搭
載部分５１を形成して、パッケージ５２を樹脂成型す
る。周辺半導体素子搭載部分５１に周辺半導体素子を搭
載した表面実装部品２６をバンプ２７を介して実装し、
光学半導体素子搭載部分２４に光学半導体素子を搭載し
た表面実装部品４１をバンプ４２を介して実装する。プ
リント基板２３を通じて表面実装部品４１の光学半導体
素子と表面実装部品２６の周辺半導体素子を電気的に接
続する。
【００６９】このように構成された光学半導体装置７５
とその製造方法によると、使用機器の小型化を実現でき
ると共に、より高度な機能を備え、かつより高速に動作
する光学半導体装置６０を提供することができる。ま
た、不良品となる可能性を減らすことができ、しかも部
品点数の削減ならびにコストダウンが図れる。
【００７０】
【発明の効果】請求項１および請求項２記載の光学半導
体装置とその製造方法によると、１個の光学半導体装置
に光学半導体素子と周辺半導体素子が収容され、かつ光
学半導体装置内で光学半導体素子と周辺半導体素子の電
気的接続が行え、光学半導体装置を実装する機器の基板
面積を小さくできる。
【００７１】請求項３および請求項４記載の光学半導体
装置とその製造方法によると、１個の光学半導体装置に
光学半導体素子と周辺半導体素子が収容され、かつ光学
半導体装置内で光学半導体素子と周辺半導体素子の電気
的接続が行え、光学半導体装置を実装する機器の基板面
積を小さくでき、使用機器の小型化を実現できる。請求
項５および請求項６記載の光学半導体装置とその製造方
法によると、光学半導体装置を実装する機器の基板面積
を小さくでき、使用機器の小型化を実現できる。また、
リードフレームの代わりにプリント基板を用いたこと
で、光学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接合の制
約を少なくすることができ、より高度な機能を備えた光
学半導体装置を提供できる。
【００７２】請求項７および請求項８記載の光学半導体
装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実装す
る機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化を実
現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子の電
気的接合の制約を少なくすることができ、より高度な機
能を備えた光学半導体装置を提供できる。さらに、周辺
半導体素子を搭載した表面実装部品をプリント基板に実
装したので、周辺半導体素子をワイヤボンディングする
のに比べ光学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接続
距離が短くなり、より高速に動作する光学半導体装置を
提供できる。
【００７３】請求項９および請求項１０記載の光学半導
体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実装
する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化を
実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子の
電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度な
機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、光学
半導体素子と周辺半導体素子の電気的接続距離が短くな
り、より高速に動作する光学半導体装置を提供できる。
さらに、周辺半導体素子のフリップチップ実装品を用い
ることで、周辺半導体素子を搭載した表面実装部品を用
いるよりも安価な光学半導体装置を提供できる。
【００７４】請求項１１または請求項１２記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、周辺半導体素子がダイボンディン
グされているリードフレームのダイパッド部分が、光学
半導体素子を搭載する部分に直接露出していないので、
パッケージの収縮によりダイパッド部分が反って樹脂か
ら剥離するのを防止でき、性能の安定した光学半導体装
置を提供できる。
【００７５】請求項１３または請求項１４記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、光
学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接続距離が短く
なり、より高速に動作する光学半導体装置を提供でき
る。さらに、光学半導体素子を表面実装部品の形で搭載
するため、光学半導体素子の特性検査を十分に行った後
に搭載でき、不良品となる可能性を減らすことができ
る。
【００７６】請求項１５または請求項１６記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、光
学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接続距離が短く
なり、より高速に動作する光学半導体装置を提供でき
る。また、光学半導体素子の特性検査を十分に行った後
に搭載でき、不良品となる可能性を減らすことができ
る。さらに、光学半導体素子を表面実装部品の形で搭載
するため、部品としての対環境保護がなされているた
め、ガラスによる封止が不要となり、部品点数の削減な
らびにコストダウンが図れる。
【００７７】請求項１７または請求項１８記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、光
学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接続距離が短く
なり、より高速に動作する光学半導体装置を提供でき
る。さらに、周辺半導体素子を搭載した表面実装部品を
実装する前に、パッケージを樹脂成型でき、事前にパッ
ケージのみをストックしておくことができ、組み立てが
短時間で行える。
【００７８】請求項１９または請求項２０記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、光
学半導体素子と周辺半導体素子の電気的接続距離が短く
なり、より高速に動作する光学半導体装置を提供でき
る。また、安価な光学半導体装置を提供できる。さら
に、事前にパッケージのみをストックしておくことがで
き、組み立てが短時間で行える。
【００７９】請求項２１または請求項２２記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、安
価な光学半導体装置を提供できる。また、事前にパッケ
ージのみをストックしておくことができ、組み立てが短
時間で行える。また光学半導体素子の特性検査を十分に
行った後に搭載でき、不良品となる可能性を減らすこと
ができる。さらに、光学半導体素子と周辺半導体素子の
電気的接続距離がより一層短くなり、より高速に動作す
る光学半導体装置を提供できる。
【００８０】請求項２３または請求項２４記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、安
価な光学半導体装置を提供できる。また、事前にパッケ
ージのみをストックしておくことができ、組み立てが短
時間で行える。また、光学半導体素子の特性検査を十分
に行った後に搭載でき、不良品となる可能性を減らすこ
とができる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子の
電気的接続距離がより一層短くなり、より高速に動作す
る光学半導体装置を提供できる。さらに、ガラスによる
封止が不要となり、部品点数の削減ならびにコストダウ
ンが図れる。
【００８１】請求項２５または請求項２６記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、事
前にパッケージのみをストックしておくことができ、組
み立てが短時間で行える。また、光学半導体素子の特性
検査を十分に行った後に搭載でき、不良品となる可能性
を減らすことができる。さらに、光学半導体素子と周辺
半導体素子の電気的接続距離がより一層短くなり、より
高速に動作する光学半導体装置を提供できる。
【００８２】請求項２７または請求項２８記載の光学半
導体装置とその製造方法によると、光学半導体装置を実
装する機器の基板面積を小さくでき、使用機器の小型化
を実現できる。また、光学半導体素子と周辺半導体素子
の電気的接合の制約を少なくすることができ、より高度
な機能を備えた光学半導体装置を提供できる。また、事
前にパッケージのみをストックしておくことができ、組
み立てが短時間で行える。また、光学半導体素子の特性
検査を十分に行った後に搭載でき、不良品となる可能性
を減らすことができる。また、光学半導体素子と周辺半
導体素子の電気的接続距離がより一層短くなり、より高
速に動作する光学半導体装置を提供できる。さらに、ガ
ラスによる封止が不要となり、部品点数の削減ならびに
コストダウンが図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態における光学半導
体装置を基板に装着した状態の正面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図３】この発明の第２の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図４】この発明の第３の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図５】この発明の第４の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図６】この発明の第５の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図７】この発明の第６の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図８】この発明の第７の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図９】この発明の第８の実施の形態における光学半導
体装置の断面図である。
【図１０】この発明の第９の実施の形態における光学半
導体装置の断面図である。
【図１１】この発明の第１０の実施の形態における光学
半導体装置の断面図である。
【図１２】この発明の第１１の実施の形態における光学
半導体装置の断面図である。
【図１３】この発明の第１２の実施の形態における光学
半導体装置の断面図である。
【図１４】この発明の第１３の実施の形態における光学
半導体装置の断面図である。
【図１５】従来例の半導体装置の基板に装着した状態の
正面図である。
【符号の説明】
１１，２１，２５，３０，３５，４０，４５，５０，５
５，６０，６５，７０，７５ 光学半導体装置 １２，３６ リードフレーム １３，２４，３８ 光学半導体素子搭載部分 １３ａ ダイパッド部 １３ｂ，３７ 内部リード部 １４ 光学半導体素子 １６ 周辺半導体素子 １８，５２ パッケージ ２０ ガラス ２２ 外部リード ２３ プリント基板 ２６ 周辺半導体素子を搭載した表面実装部品 ３１ 周辺半導体素子のフリップチップ実装品 ４１ 光学半導体素子を搭載した表面実装部品 ５１ 周辺半導体素子搭載部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/28

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部接続用端子を設けた素子搭載基板
    と、前記素子搭載基板の一面に搭載した周辺半導体素子
    と、前記素子搭載基板の他面に搭載し前記素子搭載基板
    を通じて前記周辺半導体素子と電気的に接続した光学半
    導体素子とを備えた光学半導体装置。
  2. 【請求項２】 外部接続用端子を設けた素子搭載基板の
    一面に周辺半導体素子を搭載する工程と、光学半導体素
    子を前記素子搭載基板の他面に搭載して前記素子搭載基
    板を通じて前記周辺半導体素子と電気的に接続する工程
    とを含む光学半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 ダイパッド部ならびに内部リード部を有
    したリードフレームと、前記リードフレームの一面にダ
    イボンディング，ワイヤボンディングした周辺半導体素
    子と、前記リードフレームの他面に前記ダイパッド部と
    前記内部リード部の表面を露出させてなる光学半導体素
    子搭載部分を形成しかつ前記周辺半導体素子を封止して
    樹脂成型したパッケージと、前記光学半導体素子搭載部
    分の前記ダイパッド部にダイボンディングしかつ前記内
    部リード部にワイヤボンディングして前記リードフレー
    ムを通じて前記周辺半導体素子と電気的に接続した光学
    半導体素子と、前記光学半導体素子搭載部分を封止した
    ガラスとを備えた光学半導体装置。
  4. 【請求項４】 ダイパッド部ならびに内部リード部を有
    したリードフレームの一面に周辺半導体素子をダイボン
    ディング，ワイヤボンディングする工程と、前記リード
    フレームの他面に前記ダイパッド部と前記内部リード部
    の表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成
    しかつ前記周辺半導体素子を封止してパッケージを樹脂
    成型する工程と、光学半導体素子を前記光学半導体素子
    搭載部分の前記ダイパッド部にダイボンディングし前記
    内部リード部にワイヤボンディングして前記リードフレ
    ームを通じて前記周辺半導体素子と電気的に接続する工
    程と、前記光学半導体素子搭載部分をガラスにて封止す
    る工程とを含む光学半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 外部端子部分に外部リードを設けたプリ
    ント基板と、前記プリント基板の一面にダイボンディン
    グ，ワイヤボンディングした周辺半導体素子と、前記プ
    リント基板の他面に基板表面を露出させてなる光学半導
    体素子搭載部分を形成しかつ前記周辺半導体素子を封止
    して樹脂成型したパッケージと、前記光学半導体素子搭
    載部分にダイボンディングしかつ露出した基板表面にワ
    イヤボンディングして前記プリント基板を通じて前記周
    辺半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子と、前
    記光学半導体素子搭載部分を封止したガラスとを備えた
    光学半導体装置。
  6. 【請求項６】 外部端子部分に外部リードを設けたプリ
    ント基板の一面に周辺半導体素子をダイボンディング，
    ワイヤボンディングする工程と、前記プリント基板の他
    面に基板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分
    を形成しかつ前記周辺半導体素子を封止してパッケージ
    を樹脂成型する工程と、光学半導体素子を前記光学半導
    体素子搭載部分にダイボンディングし露出した基板表面
    にワイヤボンディングして前記プリント基板を通じて前
    記周辺半導体素子と電気的に接続する工程と、前記光学
    半導体素子搭載部分をガラスにて封止する工程とを含む
    光学半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 外部端子部分に外部リードを設けたプリ
    ント基板と、前記プリント基板の一面に実装し周辺半導
    体素子を搭載した表面実装部品と、前記プリント基板の
    他面に基板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部
    分を形成しかつ前記周辺半導体素子を搭載した表面実装
    部品を封止して樹脂成型したパッケージと、前記光学半
    導体素子搭載部分にダイボンディングしかつ露出した基
    板表面にワイヤボンディングして前記プリント基板を通
    じて前記表面実装部品の周辺半導体素子と電気的に接続
    した光学半導体素子と、前記光学半導体素子搭載部分を
    封止したガラスとを備えた光学半導体装置。
  8. 【請求項８】 外部端子部分に外部リードを設けたプリ
    ント基板の一面に周辺半導体素子を搭載した表面実装部
    品を実装する工程と、前記プリント基板の他面に基板表
    面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成しか
    つ前記周辺半導体素子を搭載した表面実装部品を封止し
    てパッケージを樹脂成型する工程と、光学半導体素子を
    前記光学半導体素子搭載部分にダイボンディングし露出
    した基板表面にワイヤボンディングして前記プリント基
    板を通じて前記表面実装部品の周辺半導体素子と電気的
    に接続する工程と、前記光学半導体素子搭載部分をガラ
    スにて封止する工程とを含む光学半導体装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】 外部端子部分に外部リードを設けたプリ
    ント基板と、前記プリント基板の一面に実装した周辺半
    導体素子のフリップチップ実装品と、前記プリント基板
    の他面に基板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載
    部分を形成しかつ前記周辺半導体素子のフリップチップ
    実装品を封止して樹脂成型したパッケージと、前記光学
    半導体素子搭載部分にダイボンディングしかつ露出した
    基板表面にワイヤボンディングして前記プリント基板を
    通じて前記フリップチップ実装品の周辺半導体素子と電
    気的に接続した光学半導体素子と、前記光学半導体素子
    搭載部分を封止したガラスとを備えた光学半導体装置。
  10. 【請求項１０】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に周辺半導体素子のフリップチップ実
    装品を実装する工程と、前記プリント基板の他面に基板
    表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成し
    かつ前記周辺半導体素子のフリップチップ実装品を封止
    してパッケージを樹脂成型する工程と、光学半導体素子
    を前記光学半導体素子搭載部分にダイボンディングし露
    出した基板表面にワイヤボンディングして前記プリント
    基板を通じて前記フリップチップ実装品の周辺半導体素
    子と電気的に接続する工程と、前記光学半導体素子搭載
    部分をガラスにて封止する工程とを含む光学半導体装置
    の製造方法。
  11. 【請求項１１】 内部リード部を有したリードフレーム
    と、前記リードフレームの一面にダイボンディング，ワ
    イヤボンディングした周辺半導体素子と、前記リードフ
    レームの他面に前記内部リード部の表面を露出させてな
    る光学半導体素子搭載部分を形成しかつ前記周辺半導体
    素子を封止して樹脂成型したパッケージと、前記光学半
    導体素子搭載部分にダイボンディングしかつ前記内部リ
    ード部にワイヤボンディングして前記リードフレームを
    通じて前記周辺半導体素子と電気的に接続した光学半導
    体素子と、前記光学半導体素子搭載部分を封止したガラ
    スとを備えた光学半導体装置。
  12. 【請求項１２】 内部リード部を有したリードフレーム
    の一面に周辺半導体素子をダイボンディング，ワイヤボ
    ンディングする工程と、前記リードフレームの他面に前
    記内部リード部の表面を露出させてなる光学半導体素子
    搭載部分を形成しかつ前記周辺半導体素子を封止してパ
    ッケージを樹脂成型する工程と、光学半導体素子を前記
    光学半導体素子搭載部分にダイボンディングし前記内部
    リード部にワイヤボンディングして前記リードフレーム
    を通じて前記周辺半導体素子と電気的に接続する工程
    と、前記光学半導体素子搭載部分をガラスにて封止する
    工程とを含む光学半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面にダイボンディ
    ング，ワイヤボンディングした周辺半導体素子と、前記
    プリント基板の他面に基板表面を露出させてなる光学半
    導体素子搭載部分を形成しかつ前記周辺半導体素子を封
    止して樹脂成型したパッケージと、前記光学半導体素子
    搭載部分に実装して前記プリント基板を通じて前記周辺
    半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を搭載し
    た表面実装部品と、前記光学半導体素子搭載部分を封止
    したガラスとを備えた光学半導体装置。
  14. 【請求項１４】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に周辺半導体素子をダイボンディン
    グ，ワイヤボンディングする工程と、前記プリント基板
    の他面に基板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載
    部分を形成しかつ前記周辺半導体素子を封止してパッケ
    ージを樹脂成型する工程と、光学半導体素子を搭載した
    表面実装部品を前記光学半導体素子搭載部分に実装して
    前記プリント基板を通じて前記周辺半導体素子と電気的
    に接続する工程と、前記光学半導体素子搭載部分をガラ
    スにて封止する工程とを含む光学半導体装置の製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面にダイボンディ
    ング，ワイヤボンディングした周辺半導体素子と、前記
    プリント基板の他面に基板表面を露出させてなる光学半
    導体素子搭載部分を形成しかつ前記周辺半導体素子を封
    止して樹脂成型したパッケージと、前記光学半導体素子
    搭載部分に実装して前記プリント基板を通じて前記周辺
    半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子を搭載し
    た表面実装部品とを備えた光学半導体装置。
  16. 【請求項１６】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に周辺半導体素子をダイボンディン
    グ，ワイヤボンディングする工程と、前記プリント基板
    の他面に基板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載
    部分を形成しかつ前記周辺半導体素子を封止してパッケ
    ージを樹脂成型する工程と、光学半導体素子を搭載した
    表面実装部品を前記光学半導体素子搭載部分に実装して
    前記プリント基板を通じて前記周辺半導体素子と電気的
    に接続する工程とを含む光学半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面に基板表面を露
    出させてなる周辺半導体素子搭載部分を形成し他面に基
    板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成
    して樹脂成型したパッケージと、前記周辺半導体素子搭
    載部分に実装した周辺半導体素子を搭載した表面実装部
    品と、前記光学半導体素子搭載部分にダイボンディング
    しかつ露出した基板表面にワイヤボンディングして前記
    プリント基板を通じて前記表面実装部品の周辺半導体素
    子と電気的に接続した光学半導体素子と、前記光学半導
    体素子搭載部分を封止したガラスとを備えた光学半導体
    装置。
  18. 【請求項１８】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導
    体素子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてな
    る光学半導体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂
    成型する工程と、周辺半導体素子を搭載した表面実装部
    品を前記周辺半導体素子搭載部分に実装する工程と、光
    学半導体素子を前記光学半導体素子搭載部分にダイボン
    ディングし露出した基板表面にワイヤボンディングして
    前記プリント基板を通じて前記表面実装部品の周辺半導
    体素子と電気的に接続する工程と、前記光学半導体素子
    搭載部分をガラスにて封止する工程とを含む光学半導体
    装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面に基板表面を露
    出させてなる周辺半導体素子搭載部分を形成し他面に基
    板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成
    して樹脂成型したパッケージと、前記周辺半導体素子搭
    載部分に実装した周辺半導体素子のフリップチップ実装
    品と、前記光学半導体素子搭載部分にダイボンディング
    しかつ露出した基板表面にワイヤボンディングして前記
    プリント基板を通じて前記フリップチップ実装品の周辺
    半導体素子と電気的に接続した光学半導体素子と、前記
    光学半導体素子搭載部分を封止したガラスとを備えた光
    学半導体装置。
  20. 【請求項２０】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導
    体素子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてな
    る光学半導体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂
    成型する工程と、周辺半導体素子のフリップチップ実装
    品を前記周辺半導体素子搭載部分に実装する工程と、光
    学半導体素子を前記光学半導体素子搭載部分にダイボン
    ディングし露出した基板表面にワイヤボンディングして
    前記プリント基板を通じて前記フリップチップ実装品の
    周辺半導体素子と電気的に接続する工程と、前記光学半
    導体素子搭載部分をガラスにて封止する工程とを含む光
    学半導体装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面に基板表面を露
    出させてなる周辺半導体素子搭載部分を形成し他面に基
    板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成
    して樹脂成型したパッケージと、前記周辺半導体素子搭
    載部分に実装した周辺半導体素子のフリップチップ実装
    品と、前記光学半導体素子搭載部分に実装して前記プリ
    ント基板を通じて前記フリップチップ実装品の周辺半導
    体素子と電気的に接続した光学半導体素子を搭載した表
    面実装部品と、前記光学半導体素子搭載部分を封止した
    ガラスとを備えた光学半導体装置。
  22. 【請求項２２】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導
    体素子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてな
    る光学半導体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂
    成型する工程と、周辺半導体素子のフリップチップ実装
    品を前記周辺半導体素子搭載部分に実装する工程と、光
    学半導体素子を搭載した表面実装部品を前記光学半導体
    素子搭載部分に実装して前記プリント基板を通じて前記
    フリップチップ実装品の周辺半導体素子と電気的に接続
    する工程と、前記光学半導体素子搭載部分をガラスにて
    封止する工程とを含む光学半導体装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面に基板表面を露
    出させてなる周辺半導体素子搭載部分を形成し他面に基
    板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成
    して樹脂成型したパッケージと、前記周辺半導体素子搭
    載部分に実装した周辺半導体素子のフリップチップ実装
    品と、前記光学半導体素子搭載部分に実装して前記プリ
    ント基板を通じて前記フリップチップ実装品の周辺半導
    体素子と電気的に接続した光学半導体素子を搭載した表
    面実装部品とを備えた光学半導体装置。
  24. 【請求項２４】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導
    体素子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてな
    る光学半導体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂
    成型する工程と、周辺半導体素子のフリップチップ実装
    品を前記周辺半導体素子搭載部分に実装する工程と、光
    学半導体素子を搭載した表面実装部品を前記光学半導体
    素子搭載部分に実装して前記プリント基板を通じて前記
    フリップチップ実装品の周辺半導体素子と電気的に接続
    する工程とを含む光学半導体装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面に基板表面を露
    出させてなる周辺半導体素子搭載部分を形成し他面に基
    板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成
    して樹脂成型したパッケージと、前記周辺半導体素子搭
    載部分に実装した周辺半導体素子を搭載した表面実装部
    品と、前記光学半導体素子搭載部分に実装して前記プリ
    ント基板を通じて前記表面実装部品の周辺半導体素子と
    電気的に接続した光学半導体素子を搭載した表面実装部
    品と、前記光学半導体素子搭載部分を封止したガラスと
    を備えた光学半導体装置。
  26. 【請求項２６】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導
    体素子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてな
    る光学半導体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂
    成型する工程と、周辺半導体素子を搭載した表面実装部
    品を前記周辺半導体素子搭載部分に実装する工程と、光
    学半導体素子を搭載した表面実装部品を前記光学半導体
    素子搭載部分に実装して前記プリント基板を通じて前記
    周辺半導体素子を搭載した表面実装部品の当該周辺半導
    体素子と電気的に接続する工程と、前記光学半導体素子
    搭載部分をガラスにて封止する工程とを含む光学半導体
    装置の製造方法。
  27. 【請求項２７】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板と、前記プリント基板の一面に基板表面を露
    出させてなる周辺半導体素子搭載部分を形成し他面に基
    板表面を露出させてなる光学半導体素子搭載部分を形成
    して樹脂成型したパッケージと、前記周辺半導体素子搭
    載部分に実装した周辺半導体素子を搭載した表面実装部
    品と、前記光学半導体素子搭載部分に実装して前記プリ
    ント基板を通じて前記表面実装部品の周辺半導体素子と
    電気的に接続した光学半導体素子を搭載した表面実装部
    品とを備えた光学半導体装置。
  28. 【請求項２８】 外部端子部分に外部リードを設けたプ
    リント基板の一面に基板表面を露出させてなる周辺半導
    体素子搭載部分を形成し他面に基板表面を露出させてな
    る光学半導体素子搭載部分を形成してパッケージを樹脂
    成型する工程と、周辺半導体素子を搭載した表面実装部
    品を前記周辺半導体素子搭載部分に実装する工程と、光
    学半導体素子を搭載した表面実装部品を前記光学半導体
    素子搭載部分に実装して前記プリント基板を通じて前記
    周辺半導体素子を搭載した表面実装部品の当該周辺半導
    体素子と電気的に接続する工程とを含む光学半導体装置
    の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7485848B2 (en) 2003-10-10 2009-02-03 Panasonic Corporation Optical device and production method thereof
KR20160089274A (ko) * 2014-12-23 2016-07-27 인텔 코포레이션 패키지 온 패키지 제품을 위한 와이어 리드를 갖는 집적 패키지 설계
JP2017506432A (ja) * 2014-02-05 2017-03-02 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体チップの端子を有するｄｃ−ｄｃコンバータ
JP2018531525A (ja) * 2015-12-29 2018-10-25 チャイナ ウェーハ レベル シーエスピー カンパニー リミテッド イメージセンシングチップパッケージ構造およびそのパッケージ方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7485848B2 (en) 2003-10-10 2009-02-03 Panasonic Corporation Optical device and production method thereof
US7755030B2 (en) 2003-10-10 2010-07-13 Panasonic Corporation Optical device including a wiring having a reentrant cavity
JP2017506432A (ja) * 2014-02-05 2017-03-02 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体チップの端子を有するｄｃ−ｄｃコンバータ
KR20160089274A (ko) * 2014-12-23 2016-07-27 인텔 코포레이션 패키지 온 패키지 제품을 위한 와이어 리드를 갖는 집적 패키지 설계
JP2018531525A (ja) * 2015-12-29 2018-10-25 チャイナ ウェーハ レベル シーエスピー カンパニー リミテッド イメージセンシングチップパッケージ構造およびそのパッケージ方法

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