JPH11258772A - ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクInfo
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- JPH11258772A JPH11258772A JP6577598A JP6577598A JPH11258772A JP H11258772 A JPH11258772 A JP H11258772A JP 6577598 A JP6577598 A JP 6577598A JP 6577598 A JP6577598 A JP 6577598A JP H11258772 A JPH11258772 A JP H11258772A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱処理工程及び特定の薬液処理工程を経ても
透過率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を起こ
さないハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及
びハーフトーン型位相シフトマスクを提供することであ
る。 【解決手段】 窒素、酸素、ハロゲンガス等の雰囲気中
でジルコニウム又はジルコニウムシリサイドターゲット
を使用したスパッタリングにて、石英ガラスからなる透
明基板１１上に屈折率、消衰係数及び膜厚を調節したジ
ルコニウム又はジルコニウム化合物膜からなる半透明膜
１２を成膜した後大気又は酸化性雰囲気中で２００℃以
上の温度にて加熱処理して半透明膜１２上に酸化膜層１
３を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク
ス１０を作製する。さらに、ハーフトーン型位相シフト
マスクブランクス１０をパターニング処理してハーフト
ーン型位相シフトマスク２０を得る。
透過率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を起こ
さないハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及
びハーフトーン型位相シフトマスクを提供することであ
る。 【解決手段】 窒素、酸素、ハロゲンガス等の雰囲気中
でジルコニウム又はジルコニウムシリサイドターゲット
を使用したスパッタリングにて、石英ガラスからなる透
明基板１１上に屈折率、消衰係数及び膜厚を調節したジ
ルコニウム又はジルコニウム化合物膜からなる半透明膜
１２を成膜した後大気又は酸化性雰囲気中で２００℃以
上の温度にて加熱処理して半透明膜１２上に酸化膜層１
３を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク
ス１０を作製する。さらに、ハーフトーン型位相シフト
マスクブランクス１０をパターニング処理してハーフト
ーン型位相シフトマスク２０を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
ス中のフォトリソグラフィ工程においてパターンを形成
する際の露光転写用フォトマスクに関し、特に位相シフ
トフォトマスク及びこの位相シフトフォトマスクを製造
するための位相シフトフォトマスクブランクスに関する
ものである。
ス中のフォトリソグラフィ工程においてパターンを形成
する際の露光転写用フォトマスクに関し、特に位相シフ
トフォトマスク及びこの位相シフトフォトマスクを製造
するための位相シフトフォトマスクブランクスに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体の配線パターンの微細化に
伴い、Ｓｉウエハ上にパターンを転写する際に解像度を
向上させる技術を施したフォトマスクの利用は盛んにな
りつつある。位相シフト法はこの解像度向上技術の１つ
であり、隣接する開口部の片側に位相シフト部を設け隣
接するパターンを透過する投影光の位相差を互いに１８
０度とすることにより、透過光が回折し干渉し合う際に
境界部の光強度を弱め、その結果として転写パターンの
解像度を向上させるものである。
伴い、Ｓｉウエハ上にパターンを転写する際に解像度を
向上させる技術を施したフォトマスクの利用は盛んにな
りつつある。位相シフト法はこの解像度向上技術の１つ
であり、隣接する開口部の片側に位相シフト部を設け隣
接するパターンを透過する投影光の位相差を互いに１８
０度とすることにより、透過光が回折し干渉し合う際に
境界部の光強度を弱め、その結果として転写パターンの
解像度を向上させるものである。
【０００３】上記のような位相シフト法はＩＢＭのＬｅ
ｖｅｎｓｏｎらによって提唱され、特開昭５８−１７３
７４４号公報や、原理では特公昭６２−５０８１１号公
報に記載されており、レベンソン型やハーフトーン型な
どが公知となっている。レベンソン型はパターンを遮光
層で形成し、遮光パターンに隣接する開孔部の片側に位
相シフト部を設けて位相反転させるもので解像性能と焦
点深度は大きく向上する。
ｖｅｎｓｏｎらによって提唱され、特開昭５８−１７３
７４４号公報や、原理では特公昭６２−５０８１１号公
報に記載されており、レベンソン型やハーフトーン型な
どが公知となっている。レベンソン型はパターンを遮光
層で形成し、遮光パターンに隣接する開孔部の片側に位
相シフト部を設けて位相反転させるもので解像性能と焦
点深度は大きく向上する。
【０００４】また、遮光層に完全な遮光性を持たせず、
この半透明遮光層によって露光光をレジスト感度以下で
透過させると共に、且つ位相を反転させるものをハーフ
トーン型と呼び、同様な解像度向上効果を得ることが可
能となる。この場合は特に孤立パターンの解像度向上に
有効である。
この半透明遮光層によって露光光をレジスト感度以下で
透過させると共に、且つ位相を反転させるものをハーフ
トーン型と呼び、同様な解像度向上効果を得ることが可
能となる。この場合は特に孤立パターンの解像度向上に
有効である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、ハーフト
ーン型位相シフトマスクは透明基板上に半透明膜パター
ンを設け、半透明膜パターン領域で位相差および透過率
が適切な値で無いと十分な転写効果は得られない。
ーン型位相シフトマスクは透明基板上に半透明膜パター
ンを設け、半透明膜パターン領域で位相差および透過率
が適切な値で無いと十分な転写効果は得られない。
【０００６】通常半透明膜はスパッタリングを用いて成
膜を行い、そのとき酸素や窒素ガス等の添加ガスの分量
を調節することにより所望の屈折率や消衰係数を得る
が、成膜後の膜は概して中間的な組成すなわち半結合状
態である場合が多い。そのため成膜後の自然酸化等の経
時的な変化やマスク製造工程内での加熱処理、もしくは
露光時の露光光吸収により生ずる熱の影響で透過率、屈
折率及び消衰係数等の光学定数が変化することはよく指
摘されており、この結果として露光時のパターン転写精
度に悪影響を及ぼすことが問題点として挙げられてい
る。
膜を行い、そのとき酸素や窒素ガス等の添加ガスの分量
を調節することにより所望の屈折率や消衰係数を得る
が、成膜後の膜は概して中間的な組成すなわち半結合状
態である場合が多い。そのため成膜後の自然酸化等の経
時的な変化やマスク製造工程内での加熱処理、もしくは
露光時の露光光吸収により生ずる熱の影響で透過率、屈
折率及び消衰係数等の光学定数が変化することはよく指
摘されており、この結果として露光時のパターン転写精
度に悪影響を及ぼすことが問題点として挙げられてい
る。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、熱処理工程及び特定の薬液処理工程を経ても透過
率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を起こさな
いハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハ
ーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的と
する。
で、熱処理工程及び特定の薬液処理工程を経ても透過
率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を起こさな
いハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハ
ーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、まず請求項１においては、透明基板
上に半透明膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマ
スク用ブランクスにおいて、該半透明膜の最表面に８０
Å以上の厚さの酸化膜層を設けたことを特徴とするハー
フトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたもので
ある。
を解決するために、まず請求項１においては、透明基板
上に半透明膜が形成されたハーフトーン型位相シフトマ
スク用ブランクスにおいて、該半透明膜の最表面に８０
Å以上の厚さの酸化膜層を設けたことを特徴とするハー
フトーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたもので
ある。
【０００９】また、請求項２においては、前記半透明膜
はジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ
化合物であることを特徴とする請求項１に記載のハーフ
トーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものであ
る。
はジルコニウムもしくはジルコニウム及び珪素を含んだ
化合物であることを特徴とする請求項１に記載のハーフ
トーン型位相シフトマスク用ブランクスとしたものであ
る。
【００１０】さらにまた、請求項３においては、前記酸
化膜層は前記半透明膜の成膜工程後２００℃以上の加熱
処理により熱酸化されたものであることを特徴とする請
求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスク
用ブランクスとしたものである。
化膜層は前記半透明膜の成膜工程後２００℃以上の加熱
処理により熱酸化されたものであることを特徴とする請
求項１又は２に記載のハーフトーン型位相シフトマスク
用ブランクスとしたものである。
【００１１】さらにまた、請求項４においては、前記酸
化膜層は金属と酸素の元素比率が金属１に対して酸素が
２以上であることを特徴とする請求項１ないし３のうち
いずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク
用ブランクスとしたものである。
化膜層は金属と酸素の元素比率が金属１に対して酸素が
２以上であることを特徴とする請求項１ないし３のうち
いずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク
用ブランクスとしたものである。
【００１２】さらにまた、請求項５においては、前記酸
化膜層はその下部に形成された前記半透明膜の酸化度の
高い膜であることを特徴とする請求項１ないし４のうち
いずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク
用ブランクスとしたものである。
化膜層はその下部に形成された前記半透明膜の酸化度の
高い膜であることを特徴とする請求項１ないし４のうち
いずれか一項に記載のハーフトーン型位相シフトマスク
用ブランクスとしたものである。
【００１３】さらにまた、請求項６においては、請求項
１ないし５のうちいずれか一項に記載のハーフトーン型
位相シフトマスク用ブランクスを用いて、位相シフトマ
スクを形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シ
フトマスクとしたものである。
１ないし５のうちいずれか一項に記載のハーフトーン型
位相シフトマスク用ブランクスを用いて、位相シフトマ
スクを形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シ
フトマスクとしたものである。
【００１４】本発明が提供するものは、透明基板上に形
成された半透明膜の最表面に加熱処理して８０Å以上の
厚さで酸化膜層を形成することにより、マスク作製プロ
セスでの熱処理工程や薬液洗浄工程により生ずる半透明
膜の透過率等の光学定数の変化を抑えることができるよ
うにしたものである。
成された半透明膜の最表面に加熱処理して８０Å以上の
厚さで酸化膜層を形成することにより、マスク作製プロ
セスでの熱処理工程や薬液洗浄工程により生ずる半透明
膜の透過率等の光学定数の変化を抑えることができるよ
うにしたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクス及びハーフトーン型位相シフトマス
クは図１（ｂ）及び図１（ｄ）に示すような構成をして
おり、透明基板１１上に形成された半透明膜１２の最表
面に加熱処理して酸化膜層１３を設けることにより、マ
スク作成工程中での加熱処理又は露光時の露光光吸収に
より生ずる熱の影響による半透明膜パターン１２ａの透
過率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を抑える
ことができ、位相シフトマスクとしての光学特性が維持
されて、露光転写時のパターン解像度の向上を図るよう
にしたものである。
トマスクブランクス及びハーフトーン型位相シフトマス
クは図１（ｂ）及び図１（ｄ）に示すような構成をして
おり、透明基板１１上に形成された半透明膜１２の最表
面に加熱処理して酸化膜層１３を設けることにより、マ
スク作成工程中での加熱処理又は露光時の露光光吸収に
より生ずる熱の影響による半透明膜パターン１２ａの透
過率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を抑える
ことができ、位相シフトマスクとしての光学特性が維持
されて、露光転写時のパターン解像度の向上を図るよう
にしたものである。
【００１６】まず、窒素、酸素、ハロゲンガス等の雰囲
気中でジルコニウム又はジルコニウムシリサイドターゲ
ットを使用したスパッタリングにて、石英ガラスからな
る透明基板１１上に屈折率、消衰係数及び膜厚を調節し
たジルコニウム又はジルコニウム化合物膜からなる半透
明膜１２を成膜する（図１（ａ）参照）。ここで、半透
明膜１２はジルコニウム又はジルコニウム化合物膜の単
層膜か、２層以上の多層膜のいずれでも良い。
気中でジルコニウム又はジルコニウムシリサイドターゲ
ットを使用したスパッタリングにて、石英ガラスからな
る透明基板１１上に屈折率、消衰係数及び膜厚を調節し
たジルコニウム又はジルコニウム化合物膜からなる半透
明膜１２を成膜する（図１（ａ）参照）。ここで、半透
明膜１２はジルコニウム又はジルコニウム化合物膜の単
層膜か、２層以上の多層膜のいずれでも良い。
【００１７】次に、半透明膜１２が形成された透明基板
１１を大気又は酸化性雰囲気中で、オーブン又はホット
プレートにて２００℃以上の温度にて加熱して、半透明
膜１２上に酸化膜層１３を形成し、本発明のハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクス１０を作製する（図１
（ｂ）参照）。
１１を大気又は酸化性雰囲気中で、オーブン又はホット
プレートにて２００℃以上の温度にて加熱して、半透明
膜１２上に酸化膜層１３を形成し、本発明のハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクス１０を作製する（図１
（ｂ）参照）。
【００１８】上記ジルコニウム又はジルコニウム化合物
からなる半透明膜１２は成膜後自然酸化により５０〜８
０Åの表面酸化膜層が形成されるが、この状態ではまだ
熱に対して安定した膜になっておらず、加熱処理して熱
酸化することにより半透明膜１２上に８０Å以上の酸化
膜層が形成されて、半透明膜１２は安定した膜になる。
熱酸化のための加熱温度は２００℃以上が必要で、好ま
しくは２５０℃前後である。この表面酸化膜層をＥＳＣ
Ａにて分析した結果金属（この場合にはＺｒ及びＳｉ）
と酸素の組成比は金属１に対し酸素が２以上であった。
ここで、加熱処理により半透明膜の光学定数（特に透過
率）が変化するため、あらかじめ加熱処理による変化を
見込んで、初期の半透明膜の光学定数を設計する必要が
ある。
からなる半透明膜１２は成膜後自然酸化により５０〜８
０Åの表面酸化膜層が形成されるが、この状態ではまだ
熱に対して安定した膜になっておらず、加熱処理して熱
酸化することにより半透明膜１２上に８０Å以上の酸化
膜層が形成されて、半透明膜１２は安定した膜になる。
熱酸化のための加熱温度は２００℃以上が必要で、好ま
しくは２５０℃前後である。この表面酸化膜層をＥＳＣ
Ａにて分析した結果金属（この場合にはＺｒ及びＳｉ）
と酸素の組成比は金属１に対し酸素が２以上であった。
ここで、加熱処理により半透明膜の光学定数（特に透過
率）が変化するため、あらかじめ加熱処理による変化を
見込んで、初期の半透明膜の光学定数を設計する必要が
ある。
【００１９】上記ハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクス１０にレジストを塗布し、電子線描画、現像、ベ
ーク等の一連のパターニング処理を施して開口部１５を
有するレジストパターン１４を形成する（図１（ｃ）参
照）。さらに、レジストパターン１４をマスクにしてド
ライエッチングにて半透明膜１２及び酸化膜層１３を除
去して半透明膜パターン１２ａ及び酸化膜層パターン１
３ａを形成し、レジスト剥離、洗浄の工程を経てマスク
パターン１６を有する本発明のハーフトーン型位相シフ
トマスク２０を得る（図１（ｄ）参照）。
ンクス１０にレジストを塗布し、電子線描画、現像、ベ
ーク等の一連のパターニング処理を施して開口部１５を
有するレジストパターン１４を形成する（図１（ｃ）参
照）。さらに、レジストパターン１４をマスクにしてド
ライエッチングにて半透明膜１２及び酸化膜層１３を除
去して半透明膜パターン１２ａ及び酸化膜層パターン１
３ａを形成し、レジスト剥離、洗浄の工程を経てマスク
パターン１６を有する本発明のハーフトーン型位相シフ
トマスク２０を得る（図１（ｄ）参照）。
【００２０】
【実施例】本発明のハーフトーン型位相シフトマスク用
ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクを実施
例により詳細に説明する。
ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスクを実施
例により詳細に説明する。
【００２１】まず、ＤＣスパッタ装置を用いて、チャン
バー内にアルゴン（Ａｒ）ガス及び酸素（Ｏ2 ）ガスを
導入し、ジルコニウムシリサイド（ＺｒＳｉ2 ）ターゲ
ットを用いた反応性スパッタにより、合成石英ガラスか
らなる透明基板１１上にシフタとなる２層膜構成の半透
明膜１２を成膜した。成膜条件は電力４００Ｗで１層目
成膜時のガス条件をＡｒ／Ｏ2 ＝２８／２ＳＣＣＭ、 ２
層目のガス条件をＡｒ／Ｏ2 ＝２５／５ＳＣＣＭ とし
た。また、このとき得られた膜のｎ（屈折率）及びｋ
（消衰係数）はそれぞれ１層目の膜がｎ＝１．９２、ｋ
＝１．０６、２層目の膜がｎ＝１．９５、ｋ＝０．２０
４であった。
バー内にアルゴン（Ａｒ）ガス及び酸素（Ｏ2 ）ガスを
導入し、ジルコニウムシリサイド（ＺｒＳｉ2 ）ターゲ
ットを用いた反応性スパッタにより、合成石英ガラスか
らなる透明基板１１上にシフタとなる２層膜構成の半透
明膜１２を成膜した。成膜条件は電力４００Ｗで１層目
成膜時のガス条件をＡｒ／Ｏ2 ＝２８／２ＳＣＣＭ、 ２
層目のガス条件をＡｒ／Ｏ2 ＝２５／５ＳＣＣＭ とし
た。また、このとき得られた膜のｎ（屈折率）及びｋ
（消衰係数）はそれぞれ１層目の膜がｎ＝１．９２、ｋ
＝１．０６、２層目の膜がｎ＝１．９５、ｋ＝０．２０
４であった。
【００２２】次に、オーブンにて２５０℃１時間の熱処
理を行い酸化膜層１３を形成し、本発明のハーフトーン
型位相シフトマスクブランクス１０を得た。
理を行い酸化膜層１３を形成し、本発明のハーフトーン
型位相シフトマスクブランクス１０を得た。
【００２３】次に、上記ハーフトーン型位相シフトマス
クブランクス１０上に電子線レジストをスピナーにより
塗布してレジスト層を形成し、電子線描画、現像して開
口部１５を有するレジストパターン１４を形成した。
クブランクス１０上に電子線レジストをスピナーにより
塗布してレジスト層を形成し、電子線描画、現像して開
口部１５を有するレジストパターン１４を形成した。
【００２４】次に、レジストパターン１４をマスクにし
てドライエッチングにて半透明膜１２及び酸化膜層１３
をパターニングした後レジストパターン１４を剥膜処理
して、マスクパターン１６からなるハーフトーン型位相
シフトマスク２０を得た。
てドライエッチングにて半透明膜１２及び酸化膜層１３
をパターニングした後レジストパターン１４を剥膜処理
して、マスクパターン１６からなるハーフトーン型位相
シフトマスク２０を得た。
【００２５】上記ハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクス１０及びハーフトーン型位相シフトマスク２０の
耐熱性及び耐薬品性試験を行った。耐熱性については、
２５０℃１時間の熱処理に対して透過率、屈折率及び消
衰係数等の光学定数の変化は認められなかった。
ンクス１０及びハーフトーン型位相シフトマスク２０の
耐熱性及び耐薬品性試験を行った。耐熱性については、
２５０℃１時間の熱処理に対して透過率、屈折率及び消
衰係数等の光学定数の変化は認められなかった。
【００２６】耐薬品性試験については、次の手順で行っ
た。 酸処理として７０℃の濃硫酸に１時間浸漬する。 アルカリ処理として５０℃に加熱された３０ｗｔ％の
ＫＯＨ溶液に１時間浸漬する。 洗浄液処理として３５℃に加熱されたＡＰＭ洗浄液
（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 ０＝１：３：５）に１時
間浸漬する。 上記〜の処理を行った前後の分光透過率変化を測定
した結果、測定波長１９３ｎｍ〜３６５ｎｍの範囲で、
０．２％未満の変化しかなく、実用上問題のない値であ
った。
た。 酸処理として７０℃の濃硫酸に１時間浸漬する。 アルカリ処理として５０℃に加熱された３０ｗｔ％の
ＫＯＨ溶液に１時間浸漬する。 洗浄液処理として３５℃に加熱されたＡＰＭ洗浄液
（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 ０＝１：３：５）に１時
間浸漬する。 上記〜の処理を行った前後の分光透過率変化を測定
した結果、測定波長１９３ｎｍ〜３６５ｎｍの範囲で、
０．２％未満の変化しかなく、実用上問題のない値であ
った。
【００２７】さらに、参考までに熱処理を施していない
従来のブランクス及びマスクの耐熱性及び耐薬品性試験
を行った。耐熱性については、２５０℃１時間の熱処理
で半透明膜の透過率が１９３ｎｍの波長で０．４％、２
４８ｎｍ波長で１．７％変化した。耐薬品性試験につい
ては、上記〜の条件で処理した前後の波長１９３、
２４８及び３６５ｎｍでの分光透過率の変化率を測定し
た結果を表１に示す。
従来のブランクス及びマスクの耐熱性及び耐薬品性試験
を行った。耐熱性については、２５０℃１時間の熱処理
で半透明膜の透過率が１９３ｎｍの波長で０．４％、２
４８ｎｍ波長で１．７％変化した。耐薬品性試験につい
ては、上記〜の条件で処理した前後の波長１９３、
２４８及び３６５ｎｍでの分光透過率の変化率を測定し
た結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１の結果から明らかなように、アルカ
リ、洗浄液処理で２．４〜４．６％とかなり大きな分光
透過率変化を示した。このように、本発明の実施例の方
法によれば、熱処理及び薬品処理しても透過率、屈折率
及び消衰係数等の光学定数が変化しない安定したハーフ
トーン型位相シフトマスク及びマスク用ブランクスを得
ることができる。本発明のハーフトーン型位相シフトマ
スクブランクス１０及びハーフトーン型位相シフトマス
ク２０の半透明膜はジルコニウムシリサイド等のジルコ
ニウム化合物以外にも、クロムやその化合物、モリブデ
ンシリサイドといった薄膜にも適用可能である。
リ、洗浄液処理で２．４〜４．６％とかなり大きな分光
透過率変化を示した。このように、本発明の実施例の方
法によれば、熱処理及び薬品処理しても透過率、屈折率
及び消衰係数等の光学定数が変化しない安定したハーフ
トーン型位相シフトマスク及びマスク用ブランクスを得
ることができる。本発明のハーフトーン型位相シフトマ
スクブランクス１０及びハーフトーン型位相シフトマス
ク２０の半透明膜はジルコニウムシリサイド等のジルコ
ニウム化合物以外にも、クロムやその化合物、モリブデ
ンシリサイドといった薄膜にも適用可能である。
【００３０】
【発明の効果】本発明のハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクスを使ってハーフトーン型位相シフトマス
クを作製する際作製工程中の熱処理、薬液処理に対して
透過率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を起こ
さない、安定したハーフトーン型位相シフトマスクマス
クを得ることができる。さらに、本発明のハーフトーン
型位相シフトマスクマスクを使って、半導体製造プロセ
ス中のフォトリソグラフィ工程に適用した際、位相シフ
トマスクとしての光学特性が維持されて、露光転写時の
パターン解像度の向上を図ることができる。
ク用ブランクスを使ってハーフトーン型位相シフトマス
クを作製する際作製工程中の熱処理、薬液処理に対して
透過率、屈折率及び消衰係数等の光学定数の変化を起こ
さない、安定したハーフトーン型位相シフトマスクマス
クを得ることができる。さらに、本発明のハーフトーン
型位相シフトマスクマスクを使って、半導体製造プロセ
ス中のフォトリソグラフィ工程に適用した際、位相シフ
トマスクとしての光学特性が維持されて、露光転写時の
パターン解像度の向上を図ることができる。
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のハーフトーン型位
相シフトマスク用ブランクスの製造方法の一例を工程順
に示す模式断面図である。（ｂ）は、本発明のハーフト
ーン型位相シフトマスク用ブランクスの構成を示す模式
断面図である。（ｃ）〜（ｄ）は、本発明のハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法の一例を工程順に示す
模式断面図である。（ｄ）は、本発明のハーフトーン型
位相シフトマスクの構成を示す模式断面図である。
相シフトマスク用ブランクスの製造方法の一例を工程順
に示す模式断面図である。（ｂ）は、本発明のハーフト
ーン型位相シフトマスク用ブランクスの構成を示す模式
断面図である。（ｃ）〜（ｄ）は、本発明のハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造方法の一例を工程順に示す
模式断面図である。（ｄ）は、本発明のハーフトーン型
位相シフトマスクの構成を示す模式断面図である。
１０……ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス １１……透明基板 １２……半透明膜 １３……酸化膜層 １４……レジストパターン １５……開口部 １６……マスクパターン ２０……ハーフトーン型位相シフトマスク
Claims (6)
- 【請求項１】透明基板上に半透明膜が形成されたハーフ
トーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、該半
透明膜の最表面に８０Å以上の厚さの酸化膜層を設けた
ことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブ
ランクス。 - 【請求項２】前記半透明膜はジルコニウムもしくはジル
コニウム及び珪素を含んだ化合物であることを特徴とす
る請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスク用
ブランクス。 - 【請求項３】前記酸化膜層は前記半透明膜の成膜工程後
２００℃以上の加熱処理により熱酸化されたものである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のハーフトーン
型位相シフトマスク用ブランクス。 - 【請求項４】前記酸化膜層は金属と酸素の元素比率が金
属１に対して酸素が２以上であることを特徴とする請求
項１ないし３のうちいずれか一項に記載のハーフトーン
型位相シフトマスク用ブランクス。 - 【請求項５】前記酸化膜層はその下部に形成された前記
半透明膜の酸化度の高い膜であることを特徴とする請求
項１ないし４のうちいずれか一項に記載のハーフトーン
型位相シフトマスク用ブランクス。 - 【請求項６】請求項１ないし５のうちいずれか一項に記
載のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスを用
いて、位相シフトマスクを形成したことを特徴とするハ
ーフトーン型位相シフトマスク。
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|---|---|---|---|
| JP6577598A JPH11258772A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6577598A JPH11258772A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
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|---|---|---|---|
| JP2004061782A Division JP2004199089A (ja) | 2004-03-05 | 2004-03-05 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258772A true JPH11258772A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13296757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6577598A Pending JPH11258772A (ja) | 1998-03-16 | 1998-03-16 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク |
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